JPH11163072A - 半導体チャージアップモニタ - Google Patents
半導体チャージアップモニタInfo
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- JPH11163072A JPH11163072A JP9325951A JP32595197A JPH11163072A JP H11163072 A JPH11163072 A JP H11163072A JP 9325951 A JP9325951 A JP 9325951A JP 32595197 A JP32595197 A JP 32595197A JP H11163072 A JPH11163072 A JP H11163072A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チャージアップ量が微小であったとしても、
チャージアップ量を定量的にモニタすることができる半
導体チャージアップモニタを提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体チャージアップモニ
タは、第一導電型の半導体基板１内に形成された第二導
電型の不純物拡散層３の表面側には平面視方形の活性領
域４が形成され、かつ、該活性領域４上にはシリコン酸
化膜５を介したうえでシリコン窒化膜６が形成されてい
るとともに、前記活性領域４の四隅それぞれには電極端
子７が設けられていることを特徴とする。
チャージアップ量を定量的にモニタすることができる半
導体チャージアップモニタを提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体チャージアップモニ
タは、第一導電型の半導体基板１内に形成された第二導
電型の不純物拡散層３の表面側には平面視方形の活性領
域４が形成され、かつ、該活性領域４上にはシリコン酸
化膜５を介したうえでシリコン窒化膜６が形成されてい
るとともに、前記活性領域４の四隅それぞれには電極端
子７が設けられていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チャージアッ
プモニタ、つまり、半導体製造工程において発生するチ
ャージアップ量を定量的にモニタするために用いられる
半導体チャージアップモニタに関する。
プモニタ、つまり、半導体製造工程において発生するチ
ャージアップ量を定量的にモニタするために用いられる
半導体チャージアップモニタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体製造装置などのチャー
ジアップ量をモニタする必要がある場合には、ＥＥＰＲ
ＯＭ（ electrically erasable and programmable ＲＯ
Ｍ）を半導体チャージアップモニタとして利用すること
が行われている。そして、この際におけるＥＥＰＲＯＭ
は、図５の断面図で要部構成を示すように、Ｐ型シリコ
ンからなる半導体基板２１と、フィールド酸化膜２２
と、ゲート酸化膜２３と、トンネル酸化膜２４と、フロ
ーティングゲート２５と、層間絶縁膜２６と、コントロ
ールゲート２７と、Ｎ型不純物が注入されたソース拡散
層２８及びドレイン拡散層２９とを具備したものとなっ
ている。
ジアップ量をモニタする必要がある場合には、ＥＥＰＲ
ＯＭ（ electrically erasable and programmable ＲＯ
Ｍ）を半導体チャージアップモニタとして利用すること
が行われている。そして、この際におけるＥＥＰＲＯＭ
は、図５の断面図で要部構成を示すように、Ｐ型シリコ
ンからなる半導体基板２１と、フィールド酸化膜２２
と、ゲート酸化膜２３と、トンネル酸化膜２４と、フロ
ーティングゲート２５と、層間絶縁膜２６と、コントロ
ールゲート２７と、Ｎ型不純物が注入されたソース拡散
層２８及びドレイン拡散層２９とを具備したものとなっ
ている。
【０００３】すなわち、チャージアップ量をモニタしよ
うとする半導体製造装置などに対してはＥＥＰＲＯＭが
投入されることになり、このＥＥＰＲＯＭがチャージア
ップを受けると、チャージアップによる電圧が半導体基
板２１とコントロールゲート２７との間に印加される。
そして、チャージアップによる電圧が印加されると、電
圧印加に伴って発生した電荷がトンネル酸化膜２４を通
ってフローティングゲート２５に注入または排出される
ことになり、電荷の注入または排出に伴ってＥＥＰＲＯ
Ｍのしきい値電圧が変動するので、このＥＥＰＲＯＭに
おけるしきい値電圧の変動を検出することによって半導
体製造装置などのチャージアップ量が見積もられること
になる。
うとする半導体製造装置などに対してはＥＥＰＲＯＭが
投入されることになり、このＥＥＰＲＯＭがチャージア
ップを受けると、チャージアップによる電圧が半導体基
板２１とコントロールゲート２７との間に印加される。
そして、チャージアップによる電圧が印加されると、電
圧印加に伴って発生した電荷がトンネル酸化膜２４を通
ってフローティングゲート２５に注入または排出される
ことになり、電荷の注入または排出に伴ってＥＥＰＲＯ
Ｍのしきい値電圧が変動するので、このＥＥＰＲＯＭに
おけるしきい値電圧の変動を検出することによって半導
体製造装置などのチャージアップ量が見積もられること
になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＥＥＰ
ＲＯＭを利用してチャージアップ量をモニタする場合、
ある一定量の電圧が半導体基板２１とコントロールゲー
ト２７との間に印加されない限りはチャージアップの有
無を検出することができず、また、トンネル酸化膜２４
を通ってフローティングゲート２５に注入または排出さ
れる電荷量がある程度大きくなければ、チャージアップ
量を定量的に検出することができないのが現状である。
ＲＯＭを利用してチャージアップ量をモニタする場合、
ある一定量の電圧が半導体基板２１とコントロールゲー
ト２７との間に印加されない限りはチャージアップの有
無を検出することができず、また、トンネル酸化膜２４
を通ってフローティングゲート２５に注入または排出さ
れる電荷量がある程度大きくなければ、チャージアップ
量を定量的に検出することができないのが現状である。
【０００５】本発明は、このような現状に鑑みて創案さ
れたものであり、半導体製造工程において発生するチャ
ージアップ量が微小であったとしても、チャージアップ
量を定量的にモニタできる構成とされた半導体チャージ
アップモニタの提供を目的としている。
れたものであり、半導体製造工程において発生するチャ
ージアップ量が微小であったとしても、チャージアップ
量を定量的にモニタできる構成とされた半導体チャージ
アップモニタの提供を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
半導体チャージアップモニタは、第一導電型の半導体基
板内に形成された第二導電型の不純物拡散層の表面側に
は平面視方形状の活性領域が形成されており、かつ、こ
の活性領域上にはシリコン酸化膜を介したうえでシリコ
ン窒化膜が形成されているとともに、前記活性領域の四
隅それぞれには電極端子が設けられていることを特徴と
するものである。
半導体チャージアップモニタは、第一導電型の半導体基
板内に形成された第二導電型の不純物拡散層の表面側に
は平面視方形状の活性領域が形成されており、かつ、こ
の活性領域上にはシリコン酸化膜を介したうえでシリコ
ン窒化膜が形成されているとともに、前記活性領域の四
隅それぞれには電極端子が設けられていることを特徴と
するものである。
【０００７】そして、本発明の請求項２に係る半導体チ
ャージアップモニタは、請求項１に記載したものであっ
て、シリコン窒化膜上にはポリシリコン膜が形成されて
いることを特徴とする。また、本発明の請求項３に係る
半導体チャージアップモニタは、請求項１に記載したも
のであり、シリコン窒化膜上には少なくとも層間絶縁膜
を介したうえで金属遮光膜が形成されていることを特徴
としている。
ャージアップモニタは、請求項１に記載したものであっ
て、シリコン窒化膜上にはポリシリコン膜が形成されて
いることを特徴とする。また、本発明の請求項３に係る
半導体チャージアップモニタは、請求項１に記載したも
のであり、シリコン窒化膜上には少なくとも層間絶縁膜
を介したうえで金属遮光膜が形成されていることを特徴
としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【０００９】（実施の形態１）図１は実施の形態１に係
る半導体チャージアップモニタの要部構成を示す平面図
であり、図２は図１中のＡ−Ａ線に沿って切断された半
導体チャージアップモニタの要部構成を示す断面図であ
る。
る半導体チャージアップモニタの要部構成を示す平面図
であり、図２は図１中のＡ−Ａ線に沿って切断された半
導体チャージアップモニタの要部構成を示す断面図であ
る。
【００１０】本実施の形態に係る半導体チャージアップ
モニタは、Ｎ型シリコンからなる半導体基板１と、フィ
ールド酸化膜２と、半導体基板１内に形成されたＰ型の
不純物拡散層３と、不純物拡散層３の表面側に対して形
成された平面視方形状の活性領域４と、活性領域４を全
面的に覆って形成されたシリコン酸化膜５と、このシリ
コン酸化膜５を介したうえで活性領域４上に形成された
シリコン窒化膜６と、活性領域４の四隅それぞれに設け
られた電極端子７とを具備している。そして、この際に
おける不純物拡散層３の不純物濃度は１×１０17〜１×
１０19ｃｍ-3である一方、シリコン酸化膜５は膜厚が５
〜２０ｎｍの熱酸化膜であり、シリコン窒化膜６は膜厚
が２０〜５０ｎｍの減圧ＣＶＤ膜であることになってい
る。
モニタは、Ｎ型シリコンからなる半導体基板１と、フィ
ールド酸化膜２と、半導体基板１内に形成されたＰ型の
不純物拡散層３と、不純物拡散層３の表面側に対して形
成された平面視方形状の活性領域４と、活性領域４を全
面的に覆って形成されたシリコン酸化膜５と、このシリ
コン酸化膜５を介したうえで活性領域４上に形成された
シリコン窒化膜６と、活性領域４の四隅それぞれに設け
られた電極端子７とを具備している。そして、この際に
おける不純物拡散層３の不純物濃度は１×１０17〜１×
１０19ｃｍ-3である一方、シリコン酸化膜５は膜厚が５
〜２０ｎｍの熱酸化膜であり、シリコン窒化膜６は膜厚
が２０〜５０ｎｍの減圧ＣＶＤ膜であることになってい
る。
【００１１】ところで、本実施の形態では半導体基板１
がＮ型であるとし、不純物拡散層３がＰ型であるとして
いるが、このような構成に限定されることはないのであ
り、例えば、半導体基板１がＰ型であって不純物拡散層
３がＮ型であってもよいことは勿論である。すなわち、
この半導体チャージアップモニタは、第一導電型の半導
体基板１内に形成された第二導電型の不純物拡散層３の
表面側には平面視方形状の活性領域４が形成され、か
つ、この活性領域４上にはシリコン酸化膜５を介したう
えでシリコン窒化膜６が形成されているとともに、活性
領域４の四隅それぞれには電極端子７が設けられている
ことを特徴とするものである。
がＮ型であるとし、不純物拡散層３がＰ型であるとして
いるが、このような構成に限定されることはないのであ
り、例えば、半導体基板１がＰ型であって不純物拡散層
３がＮ型であってもよいことは勿論である。すなわち、
この半導体チャージアップモニタは、第一導電型の半導
体基板１内に形成された第二導電型の不純物拡散層３の
表面側には平面視方形状の活性領域４が形成され、か
つ、この活性領域４上にはシリコン酸化膜５を介したう
えでシリコン窒化膜６が形成されているとともに、活性
領域４の四隅それぞれには電極端子７が設けられている
ことを特徴とするものである。
【００１２】つぎに、実施の形態１に係る半導体チャー
ジアップモニタの動作及び作用を、図１及び図２に基づ
いて説明する。本実施の形態に係る半導体チャージアッ
プモニタはチャージアップ量をモニタしようとする半導
体製造装置などに対して投入されることになり、投入さ
れた半導体チャージアップモニタがチャージアップを受
けた場合には、シリコン酸化膜５とシリコン窒化膜６と
の界面に電荷がトラップされることになる。そして、シ
リコン酸化膜５とシリコン窒化膜６との界面に電荷がト
ラップされると、その影響によって不純物拡散層３の表
面電位が変化することになり、かつ、この不純物拡散層
３のシート抵抗が変化することになる。
ジアップモニタの動作及び作用を、図１及び図２に基づ
いて説明する。本実施の形態に係る半導体チャージアッ
プモニタはチャージアップ量をモニタしようとする半導
体製造装置などに対して投入されることになり、投入さ
れた半導体チャージアップモニタがチャージアップを受
けた場合には、シリコン酸化膜５とシリコン窒化膜６と
の界面に電荷がトラップされることになる。そして、シ
リコン酸化膜５とシリコン窒化膜６との界面に電荷がト
ラップされると、その影響によって不純物拡散層３の表
面電位が変化することになり、かつ、この不純物拡散層
３のシート抵抗が変化することになる。
【００１３】そこで、活性領域４の四隅それぞれに設け
られた電極端子７を利用することにより、半導体製造装
置などに対する投入前の半導体チャージアップモニタに
おける不純物拡散層３のシート抵抗を測定しておき、さ
らに、投入後の半導体チャージアップモニタにおける不
純物拡散層３のシート抵抗を測定したうえ、投入前後の
シート抵抗同士を互いに比較してみると、シリコン酸化
膜５とシリコン窒化膜６との界面にトラップされた電荷
の変化量を見積もることができる。そして、このような
電荷の変化量はチャージアップ量が微小であったとして
も十分に見積もり得るため、半導体製造工程において発
生するチャージアップ量が微小である場合にも、本実施
の形態に係る半導体チャージアップモニタでもってチャ
ージアップ量を定量的にモニタすることが可能となる。
られた電極端子７を利用することにより、半導体製造装
置などに対する投入前の半導体チャージアップモニタに
おける不純物拡散層３のシート抵抗を測定しておき、さ
らに、投入後の半導体チャージアップモニタにおける不
純物拡散層３のシート抵抗を測定したうえ、投入前後の
シート抵抗同士を互いに比較してみると、シリコン酸化
膜５とシリコン窒化膜６との界面にトラップされた電荷
の変化量を見積もることができる。そして、このような
電荷の変化量はチャージアップ量が微小であったとして
も十分に見積もり得るため、半導体製造工程において発
生するチャージアップ量が微小である場合にも、本実施
の形態に係る半導体チャージアップモニタでもってチャ
ージアップ量を定量的にモニタすることが可能となる。
【００１４】なお、この際、不純物拡散層３の不純物濃
度が薄ければ薄いほど、また、シリコン酸化膜５の膜厚
が薄ければ薄いほど、シート抵抗は大きく変化すること
になる。そして、以上のような構成とされた半導体チャ
ージアップモニタでは、水素シンター処理によって不純
物拡散層３のシート抵抗を初期化できるので、何度でも
繰り返して使用することが可能となる。さらにまた、本
実施の形態に係る半導体チャージアップモニタにおいて
は、紫外線照射によって不純物拡散層３の表面で発生し
た電荷がシリコン酸化膜５とシリコン窒化膜６の界面に
トラップされるので、このような現象を利用した紫外線
照射モニタとしての使用も可能である。
度が薄ければ薄いほど、また、シリコン酸化膜５の膜厚
が薄ければ薄いほど、シート抵抗は大きく変化すること
になる。そして、以上のような構成とされた半導体チャ
ージアップモニタでは、水素シンター処理によって不純
物拡散層３のシート抵抗を初期化できるので、何度でも
繰り返して使用することが可能となる。さらにまた、本
実施の形態に係る半導体チャージアップモニタにおいて
は、紫外線照射によって不純物拡散層３の表面で発生し
た電荷がシリコン酸化膜５とシリコン窒化膜６の界面に
トラップされるので、このような現象を利用した紫外線
照射モニタとしての使用も可能である。
【００１５】ところで、実施の形態１に係る半導体チャ
ージアップモニタでは、不純物拡散層３内の活性領域４
上にシリコン酸化膜５を介したうえでシリコン窒化膜６
を形成するとしているが、このような構成に代えて実施
の形態２及び実施の形態３で示すような構成を採用する
ことも可能であり、以下、実施の形態２及び実施の形態
３を説明する。
ージアップモニタでは、不純物拡散層３内の活性領域４
上にシリコン酸化膜５を介したうえでシリコン窒化膜６
を形成するとしているが、このような構成に代えて実施
の形態２及び実施の形態３で示すような構成を採用する
ことも可能であり、以下、実施の形態２及び実施の形態
３を説明する。
【００１６】（実施の形態２）図３は実施の形態２に係
る半導体チャージアップモニタの要部構成を示す断面図
であるが、実施の形態２に係る半導体チャージアップモ
ニタの全体構成は実施の形態１と基本的に異ならないの
で、図３において図１及び図２と互いに同一となる部分
については同一符号を付し、ここでの詳しい説明は省略
する。
る半導体チャージアップモニタの要部構成を示す断面図
であるが、実施の形態２に係る半導体チャージアップモ
ニタの全体構成は実施の形態１と基本的に異ならないの
で、図３において図１及び図２と互いに同一となる部分
については同一符号を付し、ここでの詳しい説明は省略
する。
【００１７】本実施の形態に係る半導体チャージアップ
モニタは、Ｐ型の半導体基板１内に形成されたＮ型の不
純物拡散層３の表面側には平面視方形状の活性領域４が
形成され、かつ、この活性領域４上にはシリコン酸化膜
５を介したうえでシリコン窒化膜６が形成されていると
ともに、活性領域４の四隅それぞれには電極端子７が設
けられたものであり、シリコン窒化膜６上にはポリシリ
コン膜１１が形成されている。なお、この際におけるポ
リシリコン膜１１は、リンが１×１０20ｃｍ-3以上ドー
ピングされて膜厚が１５０〜４００ｎｍとなった減圧Ｃ
ＶＤ膜である。
モニタは、Ｐ型の半導体基板１内に形成されたＮ型の不
純物拡散層３の表面側には平面視方形状の活性領域４が
形成され、かつ、この活性領域４上にはシリコン酸化膜
５を介したうえでシリコン窒化膜６が形成されていると
ともに、活性領域４の四隅それぞれには電極端子７が設
けられたものであり、シリコン窒化膜６上にはポリシリ
コン膜１１が形成されている。なお、この際におけるポ
リシリコン膜１１は、リンが１×１０20ｃｍ-3以上ドー
ピングされて膜厚が１５０〜４００ｎｍとなった減圧Ｃ
ＶＤ膜である。
【００１８】そして、本実施の形態に係る半導体チャー
ジアップモニタもチャージアップ量をモニタしようとす
る半導体製造装置などに対して投入されることになり、
半導体チャージアップモニタがチャージアップを受ける
と、シリコン酸化膜５とシリコン窒化膜６との界面に電
荷がトラップされることになる。そこで、実施の形態１
と同様、活性領域４の四隅それぞれに設けられた電極端
子７を利用することによって不純物拡散層３のシート抵
抗を測定すれば、シリコン酸化膜５とシリコン窒化膜６
との界面にトラップされた電荷の変化量を見積もり得る
ことになり、半導体製造工程において発生するチャージ
アップ量が微小である場合にもチャージアップ量を定量
的にモニタすることが可能となる。
ジアップモニタもチャージアップ量をモニタしようとす
る半導体製造装置などに対して投入されることになり、
半導体チャージアップモニタがチャージアップを受ける
と、シリコン酸化膜５とシリコン窒化膜６との界面に電
荷がトラップされることになる。そこで、実施の形態１
と同様、活性領域４の四隅それぞれに設けられた電極端
子７を利用することによって不純物拡散層３のシート抵
抗を測定すれば、シリコン酸化膜５とシリコン窒化膜６
との界面にトラップされた電荷の変化量を見積もり得る
ことになり、半導体製造工程において発生するチャージ
アップ量が微小である場合にもチャージアップ量を定量
的にモニタすることが可能となる。
【００１９】さらにまた、本実施の形態に係る半導体チ
ャージアップモニタにおいては、シリコン窒化膜６上に
ポリシリコン膜１１を形成しているので、不純物拡散層
３のシート抵抗を測定する際におけるポリシリコン膜１
１の電位を外部から固定することが可能となる。そし
て、シート抵抗測定時におけるポリシリコン膜１１の電
位を外部から固定しておいた場合には、不純物拡散層３
のシート抵抗を安定的に測定し得ることとなり、より一
層安定した状態下でチャージアップ量を定量的にモニタ
できることになる。
ャージアップモニタにおいては、シリコン窒化膜６上に
ポリシリコン膜１１を形成しているので、不純物拡散層
３のシート抵抗を測定する際におけるポリシリコン膜１
１の電位を外部から固定することが可能となる。そし
て、シート抵抗測定時におけるポリシリコン膜１１の電
位を外部から固定しておいた場合には、不純物拡散層３
のシート抵抗を安定的に測定し得ることとなり、より一
層安定した状態下でチャージアップ量を定量的にモニタ
できることになる。
【００２０】（実施の形態３）図４は実施の形態３に係
る半導体チャージアップモニタの要部構成を示す断面図
であるが、実施の形態３に係る半導体チャージアップモ
ニタの全体構成は実施の形態１及び実施の形態２と基本
的に異ならないので、図４において図１ないし図３と互
いに同一となる部分については同一符号を付し、ここで
の詳しい説明は省略する。
る半導体チャージアップモニタの要部構成を示す断面図
であるが、実施の形態３に係る半導体チャージアップモ
ニタの全体構成は実施の形態１及び実施の形態２と基本
的に異ならないので、図４において図１ないし図３と互
いに同一となる部分については同一符号を付し、ここで
の詳しい説明は省略する。
【００２１】本実施の形態に係る半導体チャージアップ
モニタは、Ｐ型の半導体基板１内に形成されたＮ型の不
純物拡散層３の表面側には平面視方形状の活性領域４が
形成され、かつ、この活性領域４上にはシリコン酸化膜
５を介したうえでシリコン窒化膜６が形成されていると
ともに、活性領域４の四隅それぞれには電極端子７が設
けられたものであり、シリコン窒化膜６上には少なくと
も所定膜厚の層間絶縁膜１５を介したうえでアルミニウ
ムやタングステンからなる金属遮光膜１６が形成されて
いる。なお、この金属遮光膜１６は、活性領域４に対し
て外部から紫外線などが入射することを阻止するために
設けられたものである。
モニタは、Ｐ型の半導体基板１内に形成されたＮ型の不
純物拡散層３の表面側には平面視方形状の活性領域４が
形成され、かつ、この活性領域４上にはシリコン酸化膜
５を介したうえでシリコン窒化膜６が形成されていると
ともに、活性領域４の四隅それぞれには電極端子７が設
けられたものであり、シリコン窒化膜６上には少なくと
も所定膜厚の層間絶縁膜１５を介したうえでアルミニウ
ムやタングステンからなる金属遮光膜１６が形成されて
いる。なお、この金属遮光膜１６は、活性領域４に対し
て外部から紫外線などが入射することを阻止するために
設けられたものである。
【００２２】そして、この半導体チャージアップモニタ
によっても、実施の形態１及び実施の形態２と同様の手
順でもってシリコン酸化膜５とシリコン窒化膜６との界
面にトラップされた電荷の変化量を見積もることができ
ることになり、半導体製造工程において発生するチャー
ジアップ量が微小である場合にもチャージアップ量を定
量的にモニタすることが可能となる。さらにまた、本実
施の形態に係る半導体チャージアップモニタでは、不純
物拡散層３の表面側に形成されて四隅それぞれに電極端
子７が設けられた活性領域４に対して紫外線などが入射
することを阻止するための金属遮光膜１６が設けられて
いるので、外部から入射する紫外線などの光線による影
響を受けずにチャージアップに伴う電荷の変化量だけを
精度よく測定し得るという利点が確保される。
によっても、実施の形態１及び実施の形態２と同様の手
順でもってシリコン酸化膜５とシリコン窒化膜６との界
面にトラップされた電荷の変化量を見積もることができ
ることになり、半導体製造工程において発生するチャー
ジアップ量が微小である場合にもチャージアップ量を定
量的にモニタすることが可能となる。さらにまた、本実
施の形態に係る半導体チャージアップモニタでは、不純
物拡散層３の表面側に形成されて四隅それぞれに電極端
子７が設けられた活性領域４に対して紫外線などが入射
することを阻止するための金属遮光膜１６が設けられて
いるので、外部から入射する紫外線などの光線による影
響を受けずにチャージアップに伴う電荷の変化量だけを
精度よく測定し得るという利点が確保される。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
に係る半導体チャージアップモニタによれば、平面視方
形状として不純物拡散層の表面側に形成された活性領域
の四隅それぞれに設けられた電極端子を利用することに
よって不純物拡散層のシート抵抗を測定することが可能
となるので、活性領域上に形成されたシリコン酸化膜と
シリコン窒化膜との界面にトラップされる電荷の変化量
を見積もり得ることになり、半導体製造工程において発
生するチャージアップ量が微小であっても、チャージア
ップ量を定量的にモニタすることができるという効果が
得られる。
に係る半導体チャージアップモニタによれば、平面視方
形状として不純物拡散層の表面側に形成された活性領域
の四隅それぞれに設けられた電極端子を利用することに
よって不純物拡散層のシート抵抗を測定することが可能
となるので、活性領域上に形成されたシリコン酸化膜と
シリコン窒化膜との界面にトラップされる電荷の変化量
を見積もり得ることになり、半導体製造工程において発
生するチャージアップ量が微小であっても、チャージア
ップ量を定量的にモニタすることができるという効果が
得られる。
【００２４】そして、請求項２に係る半導体チャージア
ップモニタによれば、シリコン窒化膜上に形成されたポ
リシリコン膜の電位を外部から固定することにより、不
純物拡散層のシート抵抗を安定的に測定し得ることにな
る。また、請求項３に係る半導体チャージアップモニタ
によれば、シリコン窒化膜上に形成された金属遮光膜で
もって活性領域に対する光線の入射が阻止されるので、
チャージアップに伴う電荷の変化量だけを精度よく測定
できることになり、不純物拡散層のシート抵抗をより一
層安定的に測定し得るという効果が得られる。
ップモニタによれば、シリコン窒化膜上に形成されたポ
リシリコン膜の電位を外部から固定することにより、不
純物拡散層のシート抵抗を安定的に測定し得ることにな
る。また、請求項３に係る半導体チャージアップモニタ
によれば、シリコン窒化膜上に形成された金属遮光膜で
もって活性領域に対する光線の入射が阻止されるので、
チャージアップに伴う電荷の変化量だけを精度よく測定
できることになり、不純物拡散層のシート抵抗をより一
層安定的に測定し得るという効果が得られる。
【図１】実施の形態１に係る半導体チャージアップモニ
タの要部構成を示す平面図である。
タの要部構成を示す平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線に沿って切断された半導体チ
ャージアップモニタの要部構成を示す断面図である。
ャージアップモニタの要部構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態２に係る半導体チャージアップモニ
タの要部構成を示す断面図である。
タの要部構成を示す断面図である。
【図４】実施の形態３に係る半導体チャージアップモニ
タの要部構成を示す断面図である。
タの要部構成を示す断面図である。
【図５】従来の形態に係るＥＥＰＲＯＭの要部構成を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 半導体基板 ３ 不純物拡散層 ４ 活性領域 ５ シリコン酸化膜 ６ シリコン窒化膜 ７ 電極端子 １１ ポリシリコン膜 １５ 層間絶縁膜 １６ 金属遮光膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/792
Claims (3)
- 【請求項１】 第一導電型の半導体基板内に形成された
第二導電型の不純物拡散層の表面側には平面視方形状の
活性領域が形成され、かつ、該活性領域上にはシリコン
酸化膜を介したうえでシリコン窒化膜が形成されている
とともに、前記活性領域の四隅それぞれには電極端子が
設けられていることを特徴とする半導体チャージアップ
モニタ。 - 【請求項２】 請求項１に記載した半導体チャージアッ
プモニタであって、 シリコン窒化膜上にはポリシリコン膜が形成されている
ことを特徴とする半導体チャージアップモニタ。 - 【請求項３】 請求項１に記載した半導体チャージアッ
プモニタであって、 シリコン窒化膜上には少なくとも層間絶縁膜を介したう
えで金属遮光膜が形成されていることを特徴とする半導
体チャージアップモニタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9325951A JPH11163072A (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 半導体チャージアップモニタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9325951A JPH11163072A (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 半導体チャージアップモニタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163072A true JPH11163072A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18182437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9325951A Pending JPH11163072A (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 半導体チャージアップモニタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163072A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7453116B2 (en) | 2002-12-06 | 2008-11-18 | Spansion Llc | Semiconductor memory device and method of fabricating the same |
| JP2012004428A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体素子 |
-
1997
- 1997-11-27 JP JP9325951A patent/JPH11163072A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7453116B2 (en) | 2002-12-06 | 2008-11-18 | Spansion Llc | Semiconductor memory device and method of fabricating the same |
| JP2012004428A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体素子 |
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