JPH11162654A - 有機el素子とその製造方法 - Google Patents
有機el素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPH11162654A JPH11162654A JP9344070A JP34407097A JPH11162654A JP H11162654 A JPH11162654 A JP H11162654A JP 9344070 A JP9344070 A JP 9344070A JP 34407097 A JP34407097 A JP 34407097A JP H11162654 A JPH11162654 A JP H11162654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent electrode
- organic
- stripe
- electrode
- shaped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 abstract 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 aluminum chelate complex Chemical class 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 2
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017290 AsTeGeSi Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192419 itoside Natural products 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成で、表示むらがなく、明るい画面
を形成するすることができる有機EL素子とその製造方
法を提供する。 【解決手段】 ガラスや石英、樹脂等の透明基板10の
表面に、ITO等の透明な電極材料を表示範囲のほぼ全
面に形成した全面導体12を設け、その上に、所定電圧
以上でほぼ導通状態となる特性を有するサイリスタ特性
を有するスイッチ特性材料16を所定間隔で配置する。
スイッチ特性材料16が設けられていない部分に絶縁層
14を設け、これらの上にITO等の透明電極18をス
トライプ状に設ける。その上にホール輸送材料及び電子
輸送材料その他発光材料である有機EL材料を積層しま
たは混合した発光層20を形成し、さらにその上に、ス
トライプ状の透明電極18と直交するようにストライプ
状に背面電極22を設ける。
を形成するすることができる有機EL素子とその製造方
法を提供する。 【解決手段】 ガラスや石英、樹脂等の透明基板10の
表面に、ITO等の透明な電極材料を表示範囲のほぼ全
面に形成した全面導体12を設け、その上に、所定電圧
以上でほぼ導通状態となる特性を有するサイリスタ特性
を有するスイッチ特性材料16を所定間隔で配置する。
スイッチ特性材料16が設けられていない部分に絶縁層
14を設け、これらの上にITO等の透明電極18をス
トライプ状に設ける。その上にホール輸送材料及び電子
輸送材料その他発光材料である有機EL材料を積層しま
たは混合した発光層20を形成し、さらにその上に、ス
トライプ状の透明電極18と直交するようにストライプ
状に背面電極22を設ける。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターンの発光表示に用いられ
る有機EL素子とその製造方法に関する。
スプレイ、その他所定のパターンの発光表示に用いられ
る有機EL素子とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、例えばドットマトリクス発光させ
る有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子は、ガラ
ス基板に透光性のITO膜を一面に形成し、このITO
膜をストライプ状にエッチングして透明電極を形成し、
その表面にトリフェニルアミン誘導体(TPD)等のホ
ール輸送材料を設け、その上に発光材料であるアルミキ
レート錯体(Alq3)等の電子輸送材料を積層してい
る。そしてその表面に、Al,Li,Ag,Mg,In
等の背面電極を、上記透明電極のパターンと直交する方
向にストライプ状に蒸着等で付着してドットマトリクス
を形成している。この有機有機EL素子は、透明電極と
背面電極の交点に所定の電流を流し、発光させるもので
ある。そして、この有機EL素子の製造は、ガラス基板
上に順次上記電極材料及びEL材料を真空蒸着により形
成するものである。
る有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子は、ガラ
ス基板に透光性のITO膜を一面に形成し、このITO
膜をストライプ状にエッチングして透明電極を形成し、
その表面にトリフェニルアミン誘導体(TPD)等のホ
ール輸送材料を設け、その上に発光材料であるアルミキ
レート錯体(Alq3)等の電子輸送材料を積層してい
る。そしてその表面に、Al,Li,Ag,Mg,In
等の背面電極を、上記透明電極のパターンと直交する方
向にストライプ状に蒸着等で付着してドットマトリクス
を形成している。この有機有機EL素子は、透明電極と
背面電極の交点に所定の電流を流し、発光させるもので
ある。そして、この有機EL素子の製造は、ガラス基板
上に順次上記電極材料及びEL材料を真空蒸着により形
成するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このドットマトリクス
表示の場合、微細な表示を行う場合や大画面化した場
合、ドット数を多くする必要があり、各ストライプが細
くなって抵抗値が高くなり、画面の位置により抵抗値の
差による電流の差から発光むらが生じていた。さらに、
各ITOのライン毎の通電時間がそのストライプ数の逆
数となるので、各ドットの通電時間はそのライン数の逆
数となってきわめて短い発光時間となってしまうという
問題があった。
表示の場合、微細な表示を行う場合や大画面化した場
合、ドット数を多くする必要があり、各ストライプが細
くなって抵抗値が高くなり、画面の位置により抵抗値の
差による電流の差から発光むらが生じていた。さらに、
各ITOのライン毎の通電時間がそのストライプ数の逆
数となるので、各ドットの通電時間はそのライン数の逆
数となってきわめて短い発光時間となってしまうという
問題があった。
【0004】そのため、画面を所定のドット毎に小分割
して並列駆動することが考えられるが、その場合、IT
O側を共通電極とし、背面電極を並列入力電極としなけ
ればならなかった。これはITO側が表示面であるた
め、中間位置での電極取り出しができないためである。
しかし、ITOを共通電極とすると、ITOに多数のド
ットの電流が流れ、電流値が大きくなり、ITOの抵抗
値が問題となりその発熱も発光層に悪影響を与える。
して並列駆動することが考えられるが、その場合、IT
O側を共通電極とし、背面電極を並列入力電極としなけ
ればならなかった。これはITO側が表示面であるた
め、中間位置での電極取り出しができないためである。
しかし、ITOを共通電極とすると、ITOに多数のド
ットの電流が流れ、電流値が大きくなり、ITOの抵抗
値が問題となりその発熱も発光層に悪影響を与える。
【0005】この発明は、上記従来の技術に鑑みてなさ
れたもので、簡単な構成で、表示むらがなく、明るい画
面を形成するすることができる有機EL素子とその製造
方法を提供することを目的とする。
れたもので、簡単な構成で、表示むらがなく、明るい画
面を形成するすることができる有機EL素子とその製造
方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラスや石
英、樹脂等の透明基板表面にITO等の透明な電極材料
を表示範囲のほぼ全面に形成し、その上に、所定電圧以
上でほぼ導通状態となる特性を有するサイリスタ特性を
有するスイッチ特性材料を所定間隔で配置し、このスイ
ッチ特性材料が設けられていない部分に絶縁性材料を設
け、この上にITO等の透明電極をストライプ状に設
け、その上にホール輸送材料及び電子輸送材料その他発
光材料である有機EL材料を積層し、または混合した発
光層を形成し、さらにその上に上記ストライプ状の透明
電極と直交するようにストライプ状に背面電極を設けた
有機EL素子である。
英、樹脂等の透明基板表面にITO等の透明な電極材料
を表示範囲のほぼ全面に形成し、その上に、所定電圧以
上でほぼ導通状態となる特性を有するサイリスタ特性を
有するスイッチ特性材料を所定間隔で配置し、このスイ
ッチ特性材料が設けられていない部分に絶縁性材料を設
け、この上にITO等の透明電極をストライプ状に設
け、その上にホール輸送材料及び電子輸送材料その他発
光材料である有機EL材料を積層し、または混合した発
光層を形成し、さらにその上に上記ストライプ状の透明
電極と直交するようにストライプ状に背面電極を設けた
有機EL素子である。
【0007】また、上記全面に設けられた透明な電極材
料に代えて、またはその透明な電極材料に重ねてメッシ
ュ状またはストライプ状に、表示範囲のほぼ全面に導体
を設けたものでも良い。その場合、透明電極及び背面電
極と重なる部分以外にこのメッシュ状またはストライプ
状の導体を形成し、さらにこの導体を黒色または暗色と
すると良い。また、上記メッシュまたはストライプ部を
上記透明電極材料による全面導体に重ねても良い。上記
スイッチ特性材料は、サイリスタ特性を有する材料以外
に、遷移金属酸化物、カルコゲンガラス等の材料であ
る。
料に代えて、またはその透明な電極材料に重ねてメッシ
ュ状またはストライプ状に、表示範囲のほぼ全面に導体
を設けたものでも良い。その場合、透明電極及び背面電
極と重なる部分以外にこのメッシュ状またはストライプ
状の導体を形成し、さらにこの導体を黒色または暗色と
すると良い。また、上記メッシュまたはストライプ部を
上記透明電極材料による全面導体に重ねても良い。上記
スイッチ特性材料は、サイリスタ特性を有する材料以外
に、遷移金属酸化物、カルコゲンガラス等の材料であ
る。
【0008】またこの発明は、ガラスや石英、樹脂等の
透明基板表面にITO等の透明な電極材料を表示範囲の
ほぼ全面に形成し、その上に、絶縁性材料を一面に設け
るとともに、所定間隔でこの絶縁性材料が付着していな
い部分を形成してその部分に、所定電圧以上でほぼ導通
状態となる特性を有するサイリスタ特性を有するスイッ
チ特性材料を真空薄膜形成技術により設け、その上にI
TO等の透明電極をストライプ状に設け、その上にホー
ル輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料である有機
EL材料を混合して積層しまたは各々積層して発光層を
形成し、さらにその上に上記ストライプ状の透明電極と
直交するようにストライプ状に背面電極を形成する有機
EL素子の製造方法である。また上記透明電極材料に代
えて又は積層して、メッシュ状またはストライプ状の導
体を、上記透明電極または背面電極と重ならないように
設けて形成する有機EL素子の製造方法である。
透明基板表面にITO等の透明な電極材料を表示範囲の
ほぼ全面に形成し、その上に、絶縁性材料を一面に設け
るとともに、所定間隔でこの絶縁性材料が付着していな
い部分を形成してその部分に、所定電圧以上でほぼ導通
状態となる特性を有するサイリスタ特性を有するスイッ
チ特性材料を真空薄膜形成技術により設け、その上にI
TO等の透明電極をストライプ状に設け、その上にホー
ル輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料である有機
EL材料を混合して積層しまたは各々積層して発光層を
形成し、さらにその上に上記ストライプ状の透明電極と
直交するようにストライプ状に背面電極を形成する有機
EL素子の製造方法である。また上記透明電極材料に代
えて又は積層して、メッシュ状またはストライプ状の導
体を、上記透明電極または背面電極と重ならないように
設けて形成する有機EL素子の製造方法である。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を基にして説明する。図1〜図5はこの発明の
有機EL素子の一実施形態を示すもので、この実施形態
の有機EL素子は、図3〜図5に示すように、ガラスや
石英、樹脂等の透明基板10の一方の側にITO等の透
明な電極材料による全面導体12が形成されている。透
明基板例えば100mm角で厚さが1mm程度のもので
ある。この全面導体12の表面には、SiO2薄膜等の
透明な絶縁性材料による絶縁層14を、一定のピッチで
10〜100μm程度の所定の間隔を空けて設ける。
いて図面を基にして説明する。図1〜図5はこの発明の
有機EL素子の一実施形態を示すもので、この実施形態
の有機EL素子は、図3〜図5に示すように、ガラスや
石英、樹脂等の透明基板10の一方の側にITO等の透
明な電極材料による全面導体12が形成されている。透
明基板例えば100mm角で厚さが1mm程度のもので
ある。この全面導体12の表面には、SiO2薄膜等の
透明な絶縁性材料による絶縁層14を、一定のピッチで
10〜100μm程度の所定の間隔を空けて設ける。
【0010】その絶縁層14の間の部分には、スイッチ
特性材料16がストライプ状に形成されている。スイッ
チ特性材料16は所定電圧以上でほぼ導通状態となる材
料であり、NiZnFe2O4、CuZnFe2O4等の遷
移金属酸化物、AsTeGeSi,AsTeTiSbS
e等のカルコゲン化ガラス、シリコン半導体等により形
成されたサイリスタ特性材料等である。
特性材料16がストライプ状に形成されている。スイッ
チ特性材料16は所定電圧以上でほぼ導通状態となる材
料であり、NiZnFe2O4、CuZnFe2O4等の遷
移金属酸化物、AsTeGeSi,AsTeTiSbS
e等のカルコゲン化ガラス、シリコン半導体等により形
成されたサイリスタ特性材料等である。
【0011】絶縁層14及びスイッチ特性材料16上に
は、ITO等の透明な電極材料による透明電極18がス
トライプ状に上記スイッチ特性材料16と直交するよう
に積層されている。透明電極18上には、500Å程度
のホール輸送材料、及び500Å程度の電子輸送材料そ
の他発光材料による有機EL材料からなる発光層20が
積層されている。そして、発光層20の電子輸送材料の
表面には、例えばLiを0.01〜0.05%程度含む
純度99%程度のAl−Li合金の背面電極22が、適
宜の500Å〜1000Å程度の厚さで、透明電極18
と直交する方向にストライプ状に形成されている。そし
て、背面電極22は封止ガラス等が積層され、透明基板
10との間の発光層20等を密封している。
は、ITO等の透明な電極材料による透明電極18がス
トライプ状に上記スイッチ特性材料16と直交するよう
に積層されている。透明電極18上には、500Å程度
のホール輸送材料、及び500Å程度の電子輸送材料そ
の他発光材料による有機EL材料からなる発光層20が
積層されている。そして、発光層20の電子輸送材料の
表面には、例えばLiを0.01〜0.05%程度含む
純度99%程度のAl−Li合金の背面電極22が、適
宜の500Å〜1000Å程度の厚さで、透明電極18
と直交する方向にストライプ状に形成されている。そし
て、背面電極22は封止ガラス等が積層され、透明基板
10との間の発光層20等を密封している。
【0012】この実施形態のEL素子を用いた表示装置
の画面30は図5に示すように、例えば透明基板10上
で透明電極18が128本、これと直交する背面電極2
2も128本形成され、1ドット0.5mm程度の発光
ドットサイズに形成されている。そして、透明電極18
が32本づつ一組となってスイッチ特性材料16に接続
している。
の画面30は図5に示すように、例えば透明基板10上
で透明電極18が128本、これと直交する背面電極2
2も128本形成され、1ドット0.5mm程度の発光
ドットサイズに形成されている。そして、透明電極18
が32本づつ一組となってスイッチ特性材料16に接続
している。
【0013】発光層20は、ホール輸送材料としては、
トリフェニルアミン誘導体(TPD)、ヒドラゾン誘導
体、アリールアミン誘導体等がある。また、電子輸送材
料としては、アルミキレート錯体(Alq3)、ジスチ
リルビフェニル誘導体(DPVBi)、オキサジアゾー
ル誘導体、ビスチリルアントラセン誘導体、ベンゾオキ
サゾールチオフェン誘導体、ペリレン類、チアゾール類
等を用いる。さらに、適宜の発光材料を混合しても良
く、ホール輸送材料と電子輸送材料を混合して発光層を
形成しても良く、その場合、ホール輸送材料と電子輸送
材料の比は、10:90乃至90:10の範囲で適宜変
更可能である。
トリフェニルアミン誘導体(TPD)、ヒドラゾン誘導
体、アリールアミン誘導体等がある。また、電子輸送材
料としては、アルミキレート錯体(Alq3)、ジスチ
リルビフェニル誘導体(DPVBi)、オキサジアゾー
ル誘導体、ビスチリルアントラセン誘導体、ベンゾオキ
サゾールチオフェン誘導体、ペリレン類、チアゾール類
等を用いる。さらに、適宜の発光材料を混合しても良
く、ホール輸送材料と電子輸送材料を混合して発光層を
形成しても良く、その場合、ホール輸送材料と電子輸送
材料の比は、10:90乃至90:10の範囲で適宜変
更可能である。
【0014】この実施形態のEL素子の製造方法は、図
1〜図5に示すように、先ず、ガラスや石英、透明樹脂
等の透明基板10の表面に、図1に示すように、蒸着や
スパッタリング等の真空薄膜形成技術によりITO等の
透明な導体を全面に形成して全面導体12を設ける。次
にSiO2薄膜等の透明な絶縁性材料の絶縁層14を蒸
着等により積層する。このときスイッチ特性材料16を
設けるストライプ部を、マスク蒸着により設けるか、蒸
着後にエッチングして形成する。絶縁層14の間隔は、
一定のピッチで10〜100μm程度の所定の間隔を空
ける。
1〜図5に示すように、先ず、ガラスや石英、透明樹脂
等の透明基板10の表面に、図1に示すように、蒸着や
スパッタリング等の真空薄膜形成技術によりITO等の
透明な導体を全面に形成して全面導体12を設ける。次
にSiO2薄膜等の透明な絶縁性材料の絶縁層14を蒸
着等により積層する。このときスイッチ特性材料16を
設けるストライプ部を、マスク蒸着により設けるか、蒸
着後にエッチングして形成する。絶縁層14の間隔は、
一定のピッチで10〜100μm程度の所定の間隔を空
ける。
【0015】次に、図2、図4に示すように、マスク蒸
着または蒸着後のエッチングにより、ストライプ状に透
明電極18を形成する。さらに、図3に示すように、こ
れらの上にホール輸送材料及び電子輸送材料その他発光
材料である有機EL材料からなる発光層20を蒸着等の
真空薄膜形成技術により積層する。さらに、Al−Li
合金を真空薄膜形成技術により一面に形成し、透明電極
18と対向した位置に、マスク蒸着またはエッチングに
より背面電極22を形成する。
着または蒸着後のエッチングにより、ストライプ状に透
明電極18を形成する。さらに、図3に示すように、こ
れらの上にホール輸送材料及び電子輸送材料その他発光
材料である有機EL材料からなる発光層20を蒸着等の
真空薄膜形成技術により積層する。さらに、Al−Li
合金を真空薄膜形成技術により一面に形成し、透明電極
18と対向した位置に、マスク蒸着またはエッチングに
より背面電極22を形成する。
【0016】ここで蒸着条件は、例えば、真空度が6×
10-6Torrで、EL材料の場合50Å/secの蒸
着速度で成膜させる。また、発光層等をフラッシュ蒸着
により形成しても良い。フラッシュ蒸着法は、予め所定
の比率で混合した有機EL材料を、300〜600℃好
ましくは、400〜500℃に加熱した蒸着源に落下さ
せ、有機EL材料を一気に蒸発させるものである。ま
た、その有機EL材料を容器中に収容し、急速にその容
器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
10-6Torrで、EL材料の場合50Å/secの蒸
着速度で成膜させる。また、発光層等をフラッシュ蒸着
により形成しても良い。フラッシュ蒸着法は、予め所定
の比率で混合した有機EL材料を、300〜600℃好
ましくは、400〜500℃に加熱した蒸着源に落下さ
せ、有機EL材料を一気に蒸発させるものである。ま
た、その有機EL材料を容器中に収容し、急速にその容
器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
【0017】この実施形態の有機EL素子の駆動方法
は、透明電極18を32本づつ一組として4列が各々並
列駆動される。駆動時には、先ず、全面導体12を一定
電圧(V1)例えば10Vに設定する。そして、透明電
極18に印加する電圧(V2)を、V1−V2がスイッチ
特性材料16の閾値電圧以上となるように設定し、スイ
ッチ特性材料16を導通状態とする。この後、導通状態
を維持可能な電位差になるように、透明電極18に印加
する電圧V2を上昇させる。そして、陰極である背面電
極22に印加する電圧を駆動信号として、例えば映像信
号やその他の表示信号を入力し、透明電極18と背面電
極22の各交点で発光させる。また、スイッチ特性材料
16をOFFにする場合は、一旦V1−V2がOとなるよ
うに透明電極にかける電圧を上げた後、V2をスイッチ
特性材料の閾値以下の電位にすることによりスイッチ特
性材料16はOFF状態を維持する。
は、透明電極18を32本づつ一組として4列が各々並
列駆動される。駆動時には、先ず、全面導体12を一定
電圧(V1)例えば10Vに設定する。そして、透明電
極18に印加する電圧(V2)を、V1−V2がスイッチ
特性材料16の閾値電圧以上となるように設定し、スイ
ッチ特性材料16を導通状態とする。この後、導通状態
を維持可能な電位差になるように、透明電極18に印加
する電圧V2を上昇させる。そして、陰極である背面電
極22に印加する電圧を駆動信号として、例えば映像信
号やその他の表示信号を入力し、透明電極18と背面電
極22の各交点で発光させる。また、スイッチ特性材料
16をOFFにする場合は、一旦V1−V2がOとなるよ
うに透明電極にかける電圧を上げた後、V2をスイッチ
特性材料の閾値以下の電位にすることによりスイッチ特
性材料16はOFF状態を維持する。
【0018】これにより、各透明電極18を所定のサイ
クルで、全面導体12の電位V1に対して、スイッチ特
性材料16の閾値以上の電位が掛かるようにパルス信号
を印加し、その後電位を所定の値に下げ、さらに、例え
ばその表示画面の1フレーム周期にあわせてスイッチ特
性材料16をOFFにする動作を繰り返すようにして、
各透明電極18の走査を行う。またこれに合わせて、背
面電極22を所望の表示画面を表示するように、電位V
3を順次印加する走査を行うことにより、この表示装置
の画面30の走査がなされる。また、このとき、画面3
0は4分割され、4分の1画面毎に走査される。
クルで、全面導体12の電位V1に対して、スイッチ特
性材料16の閾値以上の電位が掛かるようにパルス信号
を印加し、その後電位を所定の値に下げ、さらに、例え
ばその表示画面の1フレーム周期にあわせてスイッチ特
性材料16をOFFにする動作を繰り返すようにして、
各透明電極18の走査を行う。またこれに合わせて、背
面電極22を所望の表示画面を表示するように、電位V
3を順次印加する走査を行うことにより、この表示装置
の画面30の走査がなされる。また、このとき、画面3
0は4分割され、4分の1画面毎に走査される。
【0019】この実施形態の有機EL素子によれば、ス
イッチ特性材料16がONすると全面導体12により透
明電極18側の抵抗をきわめて小さくすることができ
る。これにより、透明電極18側を走査用の共通電極に
して、背面電極22に信号を並列入力することが可能と
なり、小ブロック化した発光を可能にし、各ブロックを
並列駆動することにより、各発光ドットの発光時間を長
くするとともに、大画面化を容易に可能にするものであ
る。
イッチ特性材料16がONすると全面導体12により透
明電極18側の抵抗をきわめて小さくすることができ
る。これにより、透明電極18側を走査用の共通電極に
して、背面電極22に信号を並列入力することが可能と
なり、小ブロック化した発光を可能にし、各ブロックを
並列駆動することにより、各発光ドットの発光時間を長
くするとともに、大画面化を容易に可能にするものであ
る。
【0020】なお、この発明の有機EL素子の全面に設
けられた透明な電極材料である全面導体12に代えて、
または全面導体12に重ねて、メッシュ状またはストラ
イプ状に基板全面に導体を設けたものでも良い。この場
合、透明電極と背面電極との重なり部分を除く部分にこ
の導体を形成し、その導体を黒色または暗色の導体を形
成していも良い。これにより透明電極部分の電気抵抗を
低くすることができるとともに、画面のコントラストを
上げることができる。
けられた透明な電極材料である全面導体12に代えて、
または全面導体12に重ねて、メッシュ状またはストラ
イプ状に基板全面に導体を設けたものでも良い。この場
合、透明電極と背面電極との重なり部分を除く部分にこ
の導体を形成し、その導体を黒色または暗色の導体を形
成していも良い。これにより透明電極部分の電気抵抗を
低くすることができるとともに、画面のコントラストを
上げることができる。
【0021】さらに、この発明の有機EL素子の電極構
造及びスイッチ特性材料は適宜選択可能なものであり、
画面の構造も適宜設計可能なものである。また、スイッ
チ特性材料の形成方法も、NiZnFe2O4のセラミッ
クスをスパッタリングにより所定の位置にライン状に形
成しても良い。また、NiZnFe2O4等のスイチ特性
材料の薄片を所定の位置に接続しても良い。さらに、薄
膜化したサイリスタ特性材料を所定の位置に設けても良
い。
造及びスイッチ特性材料は適宜選択可能なものであり、
画面の構造も適宜設計可能なものである。また、スイッ
チ特性材料の形成方法も、NiZnFe2O4のセラミッ
クスをスパッタリングにより所定の位置にライン状に形
成しても良い。また、NiZnFe2O4等のスイチ特性
材料の薄片を所定の位置に接続しても良い。さらに、薄
膜化したサイリスタ特性材料を所定の位置に設けても良
い。
【0022】
【発明の効果】この発明の有機EL素子とその製造方法
は、マトリクス駆動するEL素子の透明電極側の電気抵
抗を低くすることができ、透明電極側を、走査される共
通電極とし、背面電極側に表示用の画像信号等を並列に
入力させることが可能である。これにより、画面分割し
て各分割画面を並列に駆動し、発光サイクルを短くし
て、明るい表示画面を得ることができるものである。
は、マトリクス駆動するEL素子の透明電極側の電気抵
抗を低くすることができ、透明電極側を、走査される共
通電極とし、背面電極側に表示用の画像信号等を並列に
入力させることが可能である。これにより、画面分割し
て各分割画面を並列に駆動し、発光サイクルを短くし
て、明るい表示画面を得ることができるものである。
【図1】この発明の一実施形態の有機EL素子の製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図2】この発明の一実施形態の有機EL素子の次の製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図3】この発明の一実施形態の有機EL素子の次の製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図4】この発明の一実施形態の有機EL素子の製造工
程の部分斜視図である。
程の部分斜視図である。
【図5】この発明の一実施形態の有機EL素子を用いた
画面の平面図である。
画面の平面図である。
10 透明基板 12 全面導体 14 絶縁層 16 スイッチ特性材料 18 透明電極 20 発光層 22 背面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 肇 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 丹保 哲也 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 透明な電極材料を、透明基板表面の表示
範囲のほぼ全面に形成し、その上に、所定電圧以上でほ
ぼ導通状態となる特性を有するスイッチ特性材料を所定
間隔で配置し、このスイッチ特性材料が設けられていな
い部分に絶縁性材料を設け、この上に透明電極をストラ
イプ状に設け、その上にホール輸送材料及び電子輸送材
料その他発光材料である有機EL材料を設けて発光層を
形成し、さらにその上に上記ストライプ状の透明電極と
直交するようにストライプ状に背面電極を設けたことを
特徴とする有機EL素子。 - 【請求項2】 透明基板表面の表示範囲のほぼ全面に、
メッシュ状またはストライプ状の導体を設け、その上
に、所定電圧以上でほぼ導通状態となる特性を有するス
イッチ特性材料を所定間隔で配置し、このスイッチ特性
材料が設けられていない部分に絶縁性材料を設け、この
上に透明電極をストライプ状に設け、その上にホール輸
送材料及び電子輸送材料その他発光材料である有機EL
材料を設けて発光層を形成し、さらにその上に上記スト
ライプ状の透明電極と直交するようにストライプ状に背
面電極を設け、上記透明電極または背面電極との重なり
部分を避けて上記メッシュ状またはストライプ状の導体
を設けたことを特徴とする有機EL素子。 - 【請求項3】 透明基板表面に透明な電極材料を、その
表示範囲のほぼ全面に形成し、その上に、絶縁性材料を
一面に設けるとともに、所定間隔でこの絶縁性材料が付
着していない部分を形成してその部分に、所定電圧以上
でほぼ導通状態となる特性を有するスイッチ特性材料を
真空薄膜形成技術により設け、その上に透明電極をスト
ライプ状に設け、その上にホール輸送材料及び電子輸送
材料その他発光材料である有機EL材料を積層して発光
層を形成し、さらにその上に上記ストライプ状の透明電
極と直交するようにストライプ状に背面電極を形成する
ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 【請求項4】 透明基板表面の表示範囲のほぼ全面に、
メッシュ状またはストライプ状に導体を設け、その上
に、絶縁性材料を一面に設けるとともに、所定間隔でこ
の絶縁性材料が付着していない部分を形成してその部分
に、所定電圧以上でほぼ導通状態となる特性を有するス
イッチ特性材料を真空薄膜形成技術により設け、その上
に透明電極をストライプ状に設け、この透明電極と上記
メッシュ状またはストライプ状の導体とが重ならないよ
うにし、その上にホール輸送材料及び電子輸送材料その
他発光材料である有機EL材料を積層して発光層を形成
し、さらにその上に上記ストライプ状の透明電極と直交
するようにストライプ状に背面電極を形成することを特
徴とする有機EL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9344070A JPH11162654A (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 有機el素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9344070A JPH11162654A (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 有機el素子とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11162654A true JPH11162654A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18366432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9344070A Pending JPH11162654A (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 有機el素子とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11162654A (ja) |
-
1997
- 1997-11-27 JP JP9344070A patent/JPH11162654A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH10298738A (ja) | シャドウマスク及び蒸着方法 | |
JP2000235891A (ja) | 有機電界発光装置 | |
JPH10208883A (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
JP4213169B2 (ja) | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 | |
JP3224459B2 (ja) | 有機el素子および有機elディスプレイ | |
US6884140B2 (en) | Organic light emitting device and method of manufacturing the same | |
JPH11224778A (ja) | エレクトロルミネッセンス光源 | |
JP2000129419A (ja) | 蒸着マスク | |
JPH09306668A (ja) | El素子とその製造方法 | |
JPH11195492A (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
JPH1039792A (ja) | El素子とその製造方法 | |
JP2000260573A (ja) | 有機el素子 | |
JP2006344606A (ja) | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 | |
JPH11162654A (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
KR100866886B1 (ko) | 오엘이디 소자의 제조 방법 | |
JPH10255982A (ja) | 有機el素子 | |
JPH11307249A (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
JP2000123980A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2000243579A (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
JP2000100557A (ja) | 電場発光ディスプレイパネル及びその製造方法 | |
JPH11195493A (ja) | 有機el素子とその駆動方法 | |
JP2002083692A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2000306682A (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
JPH1050477A (ja) | El素子とその製造方法 | |
JP2000252081A (ja) | 有機el素子 |