JPH11161971A - 光ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】少ない部品点数で小型で組立の簡単な光ピック
アップを提供する。 【解決手段】磁化状態の差により情報が記憶された光デ
ィスクに光を照射して、光ディスク上の磁化状態の差に
より生じた反射光の偏光面の変化量に基いて光ディスク
に記憶された情報を読み出す光ピックアップにおいて、
反射光を偏光面の変化量に応じて反射光の経路を分離す
る偏光分離手段と、偏光分離手段により分離されたそれ
ぞれの反射光を＋１次回折光と−１次回折光に分離する
ホログラムと、ホログラムにより分離された＋１次回折
光と−１次回折光をそれぞれ検出する反射光の偏光面の
変化量に応じて分離する方向に、それぞれ２分割された
記憶信号検出素子を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクの記憶
・再生装置に用いる光ピックアップに係り、特に、組立
の簡単な光磁気ディスク用の光ピックアップに関する。

【０００２】

【従来の技術】図９は従来の光ピックアップの基本構造
を説明するための図である。以下、図に従って説明す
る。７１は光磁気ディスク９にレーザ光を照射するレー
ザダイオードである。７２はトラッキングエラー検出用
のレーザダイオード７１からの光を３ビームに分割する
回折格子である。７３は照射光と反射光（戻りビーム）
を分離し、同時に反射光に対して非点収差を発生させる
ビームスプリッタである。５１はレーザダイオード７１
からの照射光を平行ビームにする集光レンズである。７
４は反射光を受光しサーボ信号を出力するサーボ検知器
で、フォーカスエラー検出用とトラックエラー検出用の
６分割されたフォトダイオードで構成されている。７５
は照射光を光ディスク９とレーザダイオード７１の出力
制御用の検知器７９に分離すると共に、反射光をサーボ
検知器７４と信号検知器７８に分離する無偏光な特性を
有するビームスプリッタである。７９はレーザダイオー
ド７１の出力を制御するための検知器である。５２は光
ピックアップを薄くするために光磁気ホログラムユニッ
ト１からの照射光及び光ディスク９からの反射光を直角
に経路を変更するミラーである。５３は光ディスク９上
に照射光をスポット状に結像させ、且つ、光ディスク９
の所定のトラックを追尾するための対物レンズで、フォ
ーカスエラー信号（ＦＥＳ信号）及びトラッキングエラ
ー信号（ＴＥＳ信号）に基づき算出された移動量に対応
した駆動電流（サーボ電流）が対物レンズ５３を保持す
る可動部（図示せず）に設けられたフォーカスコイル及
びトラッキングコイルに供給され、対物レンズ５３の位
置が制御される。７６は光ディスク９からの反射光をそ
の偏光面に応じて分離するウォラストンプリズムであ
る。７７は偏光面に応じて分離された光を検知器７８上
に結像させる集光レンズである。７８は記憶信号を検出
するための２分割された検知器である。９は磁性膜に情
報がＮまたはＳの状態で記憶された光ディスクである。

【０００３】レーザダイオード７１から出た照射光は回
折格子７２において、記憶、再生用の主ビームである０
次回折光と、その両側にトラッキングエラー検出用の＋
１次回折光及び−１次回折光の３本のビームに分離され
る。３本のビームはビームスプリッタ７３で反射され、
集光レンズ５１で平行光線となり、ビームスプリッタ７
５を通過してミラー５２で方向を変えて対物レンズ５３
で光ディスク９上に結像される。

【０００４】光ディスク９からの反射光は記憶状態（Ｎ
またはＳ）により偏光を受けており、ビームスプリッタ
７５で反射された光はウォラストンプリズムで偏光面の
違いにより分離され、それぞれ集光レンズ７７で２分割
された検知器７８上に集束される。検知器７８が偏光面
の状態に応じて２分割されいるので両出力信号の差から
記憶を読み出せる。

【０００５】一方、ビームスプリッタ７５を透過した光
は６分割されたサーボ検知器７４でフォーカスエラー信
号（ＦＥＳ信号）及びトラッキングエラー信号（ＴＥＳ
信号）が生成され、その信号に基づき算出された移動量
に対応した駆動電流（サーボ電流）が対物レンズ５３を
保持する可動部（図示せず）に設けられたフォーカスコ
イル及びトラッキングコイルに供給され、ＦＥＳ信号及
びＴＥＳ信号が０になるように対物レンズ５３の位置が
制御される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の光ピックアップ
においては、光ピックアップを構成する部品点数が非常
に多く、各部品の取付けに高精度が要求される。そのた
めコストアップや作業者の熟練を必要とする。また、部
品点数が多いことから必然的に光ピックアップ自体が小
型化し難いという問題もある。

【０００７】本発明は、このような問題を解決するもの
で、少ない部品点数で小型で組立の簡単な光ピックアッ
プを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、磁化状態の差により情報が記憶された光デ
ィスクに光を照射して、前記光ディスク上の磁化状態の
差により生じた反射光の偏光面の変化量に基いて前記光
ディスクに記憶された情報を読み出す光ピックアップに
おいて、前記反射光を偏光面の変化量に応じて前記反射
光の経路を分離する偏光分離手段と、前記偏光分離手段
により分離されたそれぞれの前記反射光を＋１次回折光
と−１次回折光に分離するホログラムと、前記ホログラ
ムにより分離された前記＋１次回折光と−１次回折光を
それぞれ検出する素子で、前記反射光の偏光面の変化量
に応じて分離する方向に、それぞれ２分割された記憶信
号検出素子を備えたことを特徴とするものである。

【０００９】また、前記記憶信号検出素子の両側にそれ
ぞれフォーカスエラー検出素子が配設されてなることを
特徴とするものである。また、前記フォーカスエラー検
出素子は、前記反射光の偏光面の変化量に応じて分離す
る方向に、それぞれ２分割されてなることを特徴とする
ものである。また、前記２分割された記憶信号検出素子
間の間隙と、前記２分割されたフォーカスエラー検出素
子間の間隙とが、前記反射光の偏光面の変化量に応じて
分離する方向において一致しないように配設されてなる
ことを特徴とするものである。

【００１０】また、照射光を光ディスクに記憶された情
報を検出する主ビームと、前記主ビームの両側に位置し
てトラッキングエラーを検出する２つの副ビームの３ビ
ームに分割するビーム分割手段と、前記ビーム分割手段
により分割された副ビームに対応し、前記フォーカスエ
ラー検出素子の両側にそれぞれ配設されたトラッキング
エラー検出素子を備えたことを特徴とするものである。

【００１１】また、前記偏光分離手段は、前記光ディス
クと前記記憶信号検出素子の間に配設されたポリオレフ
ィン系の複屈折の大きな材料で形成されてなることを特
徴とするものである。また、前記偏光分離手段は、前記
照射光を光ディスク上に集束させるポリオレフィン系の
複屈折の大きな材料で形成された対物レンズであること
を特徴とするものである。

【００１２】また、前記偏光分離手段は、光源からの照
射光を平行光にするポリオレフィン系の複屈折の大きな
材料で形成された集束レンズであることを特徴とするも
のである。また、前記偏光分離手段は、照射光と反射光
を分離するポリオレフィン系の複屈折の大きな材料で形
成されたホログラム基板であることを特徴とするもので
ある。

【００１３】

【実施例】図１は本発明の第１の実施例の光ピックアッ
プの基本構成を説明するための図で、（ａ）はシステム
構成図、（ｂ）は光磁気ホログラムユニットの構成図で
ある。図２は本発明の第１の実施例の光ピックアップの
信号検出パターンを示す図である。図３は本発明の光ピ
ックアップの原理を説明するための図である。図４は本
発明の第１の実施例の光ピックアップの再生（ＭＯ）信
号検出方法を説明するための図で、（ａ）はＰ偏光を受
けた場合の主ビームの位置を示す図、（ｂ）はＳ偏光を
受けた場合の主ビームの位置を示す図である。図５は本
発明の第１の実施例の光ピックアップのフォーカスエラ
ー（ＦＥＳ）信号検出方法を説明するための図で、
（ａ）は反射光の検出部上での形状を示す図、（ｂ）は
ジャストフォーカス時の主ビームの大きさを示す図、
（ｃ）はデフォーカス時の主ビームの大きさを示す図で
ある。図６は本発明の第１の実施例の光ピックアップの
トラッキングエラー（ＴＥＳ）信号検出方法を説明する
ための図で、（ａ）はオントラック時の主ビームの位置
を示す図、（ｂ）はオフトラック時の主ビームの位置を
示す図である。以下、図に従って説明する。

【００１４】１は光磁気ディスク９にレーザ光を照射
し、その反射光を受光する光ユニットで、レーザ光を発
生するレーザダイオード１１、トラッキングエラー検出
用にレーザダイオード７１からの光を３ビームに分割す
る回折格子１２ａ、光ディスク９からの反射光を偏光面
の変化量に応じて屈折角が変化する複屈折の大きな材料
で形成された偏光分離部１３、偏光分離部１３で光路変
更された各反射光を照射光と分離して検出部１４の方向
（＋１次回折光と−１次回折光）に回折させるホログラ
ム面１２ｂ、同一基板上に分割形成された反射光を検出
する１２個のフォトダイオードからなる検出部１４で構
成される。

【００１５】尚、検出部１４は光ディスク９に記憶され
ている情報を検出するための再生信号検出用（以下、Ｍ
Ｏ信号用と称す）の４個のフォトダイオード１４０（１
４０ａ〜１４０ｄ）、フォトダイオード１４０の両側に
配置され光ディスク９上での照射光の集束状態を検出す
るフォーカスエラー信号検出用（以下、ＦＥＳ信号用と
称す）の４個のフォトダイオード１４１（１４１ａ、１
４１ｃ）、１４２（１４２ａ、１４２ｃ）、フォトダイ
オード１４１と１４２の外側に配置され光ディスク９上
での照射光のトラッキング状態を検出するトラッキング
エラー信号検出用（以下、ＴＥＳ信号用と称す）の４個
のフォトダイオード１４３（１４３ａ、１４３ｃ）、１
４４（１４４ａ、１４４ｃ）からなっている。

【００１６】５１は光磁気ホログラムユニット１からの
照射光を平行ビームにする集光レンズである。５２は光
ピックアップを薄くするために光磁気ホログラムユニッ
ト１からの照射光及び光ディスク９からの反射光を直角
に経路を変更するミラーである。５３は光ディスク９上
に照射光をスポット状に結像させ、且つ、光ディスク９
の所定のトラックを追尾するための対物レンズで、フォ
ーカスエラー信号（ＦＥＳ信号）及びトラッキングエラ
ー信号（ＴＥＳ信号）に基づき算出された移動量に対応
した駆動電流（サーボ電流）が対物レンズ５３を保持す
る可動部（図示せず）に設けられたフォーカスコイル及
びトラッキングコイルに供給され、対物レンズ５３の位
置が制御される。９は磁性膜に情報がＮまたはＳの状態
で記憶された光ディスクである。

【００１７】レーザダイオード１１から出た照射光は回
折格子１２ａにおいて、記憶、再生用の主ビームである
０次回折光と、その両側にトラッキングエラー検出用の
＋１次回折光及び−１次回折光の３本のビームに分離さ
れる。３本のビームはホログラム面１２ｂ、偏光分離部
１３を直進して集光レンズ５１で平行光線となり、ミラ
ー５２、対物レンズ５３を経て光ディスク９上に結像さ
れる。

【００１８】先ず、ＭＯ（再生）信号検出動作について
述べる。光（光磁気）ディスク上では情報の有無（１、
０）に対応してＮまたはＳの磁化状態で記憶されてお
り、この記憶箇所に光が照射されると磁化状態によって
反射光はＳ偏光またはＰ偏光を受ける。光磁気再生装置
ではこの偏光状態を検出して記憶情報を読み出す。つま
り、光ディスク９の磁性膜に光磁気用ホログラムユニッ
ト１からの光が照射されると、磁化の状態により反射光
の偏光面が変化する（Ｓ偏光またはＰ偏光）。Ｓ偏光ま
たはＰ偏光を受けた反射光は逆の経路を辿って偏光分離
部１３に入る。偏光分離部１３は複屈折の大きな材料
（例えば、ポリオレフィン系樹脂）で形成されており、
複屈折の大きな材料は入射光の偏光面により屈折率が異
なるので、Ｓ偏光を受けた反射光とＰ偏光を受けた反射
光は異なった経路を辿る（図３参照）。Ｓ偏光を受けた
反射光とＰ偏光を受けた反射光はホログラム面１２ｂに
入射し、それぞれ＋１次回折光と−１次回折光に分離さ
れて、Ｐ偏光を受けた＋１次光はフォトダイオード１４
０ａに、Ｓ偏光を受けた＋１次光はフォトダイオード１
４０ｂに、Ｐ偏光を受けた−１次光はフォトダイオード
１４０ｃに、Ｓ偏光を受けた−１次光はフォトダイオー
ド１４０ｄで検出される（図３、図４参照）。従って、
フォトダイオード１４０ａと１４０ｃの出力和と、フォ
トダイオード１４０ｂと１４０ｄの出力和の差を求める
ことにより、Ｐ偏光またはＳ偏光のいずれを受けたかが
判る。再生信号（Ｖｓ）は（１）式で示される。

【００１９】 Ｖｓ＝（Ｖ140a＋Ｖ140c）−（Ｖ140b＋Ｖ140d）・・・・・・（１）式 再生装置では、この再生信号（Ｖｓ）に基いて、光ディ
スク９上の記憶状態（ＮまたはＳ）を判断する。尚、Ｖ
140a〜Ｖ140dはそれぞれ対応するフォトダイオード１４
０ａ〜１４０ｄの出力である。次に、ＦＥＳ（フォーカ
スエラー）信号検出動作について述べる。ホログラム面
１２ｂのパターン形状は平行ではなく曲線で形成されて
いるので、検出部１４上でのビーム形状（大きさ）は、
ジャストフォーカス時には＋１次光も−１次光も同じに
なるが、その前後ではスポットの大きさが異なる。つま
り、ビームが光ディスク９上でジャストフォーカス状態
であれば、反射光の＋１次光と−１次光は検出部１４上
で同一の大きさになる（図５（ａ）参照）。そして、フ
ォーカス点の前、または後では検出部１４上で異なった
大きさになる（図５（ｂ）参照）。従って、フォーカス
エラー信号（Ｖfes ）は（２）式で示される。

【００２０】 Ｖfes ＝（Ｖ140a＋Ｖ140b＋Ｖ141c＋Ｖ142c） −（Ｖ140c＋Ｖ140d＋Ｖ141a＋Ｖ142a）・・・・・・（２）式 このフォーカスエラー信号（Ｖfes ）が０になるように
サーボをかけることにより、常に光ディスク上にビーム
を集束できる。尚、Ｖ141a、Ｖ141c、Ｖ142a、Ｖ142cは
それぞれ対応するフォトダイオード１４１ａ、１４１
ｃ、１４２ａ、１４２ｃの出力である。

【００２１】続いて、ＴＥＳ（トラッキングエラー）信
号検出動作について述べる。トラッキングエラーを検出
するために回折格子１２ａで分離された２本の副ビーム
の反射光は検出部１４上のフォトトランジスタ１４３
ａ、１４３ｃ及びフォトトランジスタ１４４ａ、１４４
ｃに到達する（図６参照）。主ビームが所定のトラック
上を追尾しているか否かは、従来と同様に光ディスク９
で変調された２つの副ビームの出力信号波形の形状から
判断する。

【００２２】以上のように本実施例では、光ディスク再
生装置の光ピックアップの部品点数を大幅に減少でき、
また、組立が簡略化できる。図７は本発明の第２の実施
例の光ピックアップの信号検出パターンを説明するため
の図で、（ａ）は信号検出パターン図、（ｂ）はジャス
トフォーカス時の主ビームの位置を示す図である。以
下、図に従って説明する。

【００２３】検出部２４は基板上に１６分割されたフォ
トダイオードで形成され、フォトダイオード２４０（２
４０ａ〜２４０ｄ）、２４１（２４１ａ〜２４１ｄ）、
２４２（２４２ａ〜２４２ｄ）の１２個はＭＯ検出信号
及びＦＥＳ検出信号を生成する。さらに、フォトダイオ
ード２４３（２４３ａ、２４３ｃ）、２４４（２４４
ａ、２４４ｃ）の計４個はＴＥＳ検出信号を生成する。
再生信号（Ｖｓ）は（３）式で示される。

【００２４】 Ｖｓ＝（Ｖ240a＋Ｖ240c＋Ｖ241a＋Ｖ241c＋Ｖ242a＋Ｖ242c） −（Ｖ240b＋Ｖ240d＋Ｖ241b＋Ｖ241d＋Ｖ242b＋Ｖ242d） ・・・（３）式 再生装置ではこの再生信号（Ｖｓ）に基いて、光ディス
ク９上の記憶状態（ＮまたはＳ）を判断する。尚、Ｖ24
0a〜Ｖ240d、Ｖ241a〜Ｖ241d、Ｖ242a〜Ｖ242d、はそれ
ぞれ対応するフォトダイオード２４０ａ〜２４０ｄ、２
４１ａ〜２４１ｄ、２４２ａ〜２４２ｄの出力である。

【００２５】また、ビームが光ディスク９上でジャスト
フォーカス状態であれば、反射光の＋１次光と−１次光
は検出部２４上で同一の大きさになる。そして、フォー
カス点が前、または後では＋１次光と−１次光は検出部
２４上で異なった大きさになる。従って、フォーカスエ
ラー信号（Ｖfes ）は（４）式で示される。 Ｖfes ＝（Ｖ240a＋Ｖ240b＋Ｖ241c＋Ｖ241d＋Ｖ242c＋Ｖ242d） −（Ｖ240c＋Ｖ240d＋Ｖ241a＋Ｖ241b＋Ｖ242a＋Ｖ242b） ・・・（４）式 このフォーカスエラー信号（Ｖfes ）が０になるように
サーボをかけることにより、常に光ディスク９上にビー
ムを集束できる。

【００２６】本例では、フォーカスエラー検出用のフォ
トダイオード２４１、２４２が再生信号検出用フォトダ
イオード２４０と同様に４分割されているので、本来フ
ォーカスエラー検出用のフォトダイオード２４１、２４
２も再生信号検出用に使用でき再生信号を大きくするこ
とができ検出精度が向上する。以上のように本実施例で
は、光ディスク再生装置の光ピックアップの部品点数を
大幅に減少でき、また、組立が簡略化できる。さらに、
再生信号の検出精度が向上できる。

【００２７】図８は本発明の第３の実施例の光ピックア
ップの信号検出パターンを説明するための図で、（ａ）
は信号検出パターン図、（ｂ）はジャストフォーカス時
の主ビームの位置を示す図である。以下、図に従って説
明する。検出部３４は基板上に１６分割されたフォトダ
イオードで形成され、フォトダイオード３４０（３４０
ａ〜３４０ｄ）、３４１（３４１ａ〜３４１ｄ）、３４
２（３４２ａ〜３４２ｄ）の１２個はＭＯ検出信号及び
ＦＥＳ検出信号を生成する。さらに、フォトダイオード
３４３（３４３ａ、３４３ｃ）、３４４（３４４ａ、３
４４ｃ）の計４個はＴＥＳ検出信号を生成する。また、
ＭＯ信号検出用のフォトダイオード３４０（３４０ａ〜
３４０ｄ）は、その両側のフォトダイオード３４１（３
４１ａ〜３４１ｄ）、３４２（３４２ａ〜３４２ｄ）と
分割された位置（フォトダイオード３４０ａと３４０ｂ
の間、フォトダイオード３４０ｃと３４０ｄの間）が一
致しないようにオフセットされている。

【００２８】フォトダイオード３４０ａと３４０ｂの間
隙が両側のフォトダイオード３４１ａと３４１ｂの間隙
及びフォトダイオード３４２ａと３４２ｂの間隙とずれ
ているために、万一、反射光がフォトダイオード３４０
ａと３４０ｂの間隙に来て再生信号が検出できなくなっ
ても、両側のフォトダイオード３４１ａと３４１ｂの間
隙及びフォトダイオード３４２ａと３４２ｂの間隙とず
れているために、フォトダイオード３４１ｂと３４２ｂ
で再生信号を検出することが可能になり、反射光の位置
に関係なく全ての範囲をカバーできる利点がある。

【００２９】以上のように本実施例では、光ディスク再
生装置の光ピックアップの部品点数を大幅に減少でき、
また、組立が簡略化できる。さらに、再生信号の検出漏
れもなくなり精度が向上できる。尚、偏光分離部に使用
する材料としては、ポリオレフィン系の複屈折の大きい
樹脂を使用し光ディスクと光ユニットの間に配置する。
また、経路中の光学部品、例えば、集光レンズ５１、対
物レンズ５３、ホログラム部１２をポリオレフィン系の
樹脂を使用して製作してもよい。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、少な
い部品点数で小型で組立の簡単な光ピックアップが提供
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の光ピックアップの基本
構造を説明するための図である。

【図２】本発明の第１の実施例の光ピックアップの信号
検出パターンを示す図である。

【図３】本発明の光ピックアップの原理を説明するため
の図である。

【図４】本発明の第１の実施例の光ピックアップの再生
（ＭＯ）信号検出方法を説明するための図である。

【図５】本発明の第１の実施例の光ピックアップのフォ
ーカスエラー（ＦＥＳ）信号検出方法を説明するための
図である。

【図６】本発明の第１の実施例の光ピックアップのトラ
ッキングエラー（ＴＥＳ）信号検出方法を説明するため
の図である。

【図７】本発明の第２の実施例の光ピックアップの信号
検出パターンを示す図である。

【図８】本発明の第３の実施例の光ピックアップの信号
検出パターンを示す図である。

【図９】従来の光ピックアップの基本構造を説明するた
めの図である。

【符号の説明】

１・・・・・光ユニット、 １２・・・・ホ
ログラム部、５１・・・・集光レンズ、 １
２ａ・・・ホログラム面、５２・・・・ミラー、
１２ｂ・・・回折格子、５３・・・・対物レ
ンズ、 １３・・・・偏光分離部、１１・・
・・レーザダイオード、 １４・・・・検出部、１
４０ａ〜１４０ｄ・・・・ＭＯ検出部、１４１ａ、１４
１ｃ、１４２ａ、１４２ｃ・・・・ＦＥＳ検出部、１４
３ａ、１４３ｃ、１４４ａ、１４４ｃ・・・・ＴＥＳ検
出部。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁化状態の差により情報が記憶された光
   ディスクに光を照射して、前記光ディスク上の磁化状態
   の差により生じた反射光の偏光面の変化量に基いて前記
   光ディスクに記憶された情報を読み出す光ピックアップ
   において、 前記反射光を偏光面の変化量に応じて前記反射光の経路
   を分離する偏光分離手段と、 前記偏光分離手段により分離されたそれぞれの前記反射
   光を＋１次回折光と−１次回折光に分離するホログラム
   と、 前記ホログラムにより分離された前記＋１次回折光と−
   １次回折光をそれぞれ検出する素子で、前記反射光の偏
   光面の変化量に応じて分離する方向に、それぞれ２分割
   された記憶信号検出素子を備えたことを特徴とする光ピ
   ックアップ。
2. 【請求項２】 前記記憶信号検出素子の両側にそれぞれ
   フォーカスエラー検出素子が配設されてなることを特徴
   とする請求項１記載の光ピックアップ。
3. 【請求項３】 前記フォーカスエラー検出素子は、 前記反射光の偏光面の変化量に応じて分離する方向に、
   それぞれ２分割されてなることを特徴とする請求項２記
   載の光ピックアップ。
4. 【請求項４】 前記２分割された記憶信号検出素子間の
   間隙と、前記２分割されたフォーカスエラー検出素子間
   の間隙とが、前記反射光の偏光面の変化量に応じて分離
   する方向において一致しないように配設されてなること
   を特徴とする請求項３記載の光ピックアップ。
5. 【請求項５】 照射光を光ディスクに記憶された情報を
   検出する主ビームと、前記主ビームの両側に位置してト
   ラッキングエラーを検出する２つの副ビームの３ビーム
   に分割するビーム分割手段と、 前記ビーム分割手段により分割された副ビームに対応
   し、前記フォーカスエラー検出素子の両側にそれぞれ配
   設されたトラッキングエラー検出素子を備えたことを特
   徴とする請求項１乃至請求項４記載の光ピックアップ。
6. 【請求項６】 前記偏光分離手段は、 前記光ディスクと前記記憶信号検出素子の間に配設され
   たポリオレフィン系の複屈折の大きな材料で形成されて
   なることを特徴とする請求項１乃至請求項５記載の光ピ
   ックアップ。
7. 【請求項７】 前記偏光分離手段は、 前記照射光を光ディスク上に集束させるポリオレフィン
   系の複屈折の大きな材料で形成された対物レンズである
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項５記載の光ピック
   アップ。
8. 【請求項８】 前記偏光分離手段は、 光源からの照射光を平行光にするポリオレフィン系の複
   屈折の大きな材料で形成された集束レンズであることを
   特徴とする請求項１乃至請求項５記載の光ピックアッ
   プ。
9. 【請求項９】 前記偏光分離手段は、 照射光と反射光を分離するポリオレフィン系の複屈折の
   大きな材料で形成されたホログラム基板であることを特
   徴とする請求項１乃至請求項５記載の光ピックアップ。