JPH11161917A - 薄膜ヘッド製品の不良解析システムおよび不良解析方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の目的は、不良要因のあるプロセスを容
易に同定することが可能な不良解析方法及び不良解析シ
ステムを提供することにある。 【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、各
プロセスの検査結果をそれ以前に行われた薄膜形成プロ
セスでの製造単位（ウエハ単位）や、機械加工プロセス
での製造単位（ブロック単位）となるようにマッピング
して出力することとした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、異種の製造プロセ
スを組み合わせて製造される製品、例えば薄膜形成プロ
セス、機械加工プロセス、組立プロセス等を組み合わせ
て製造される薄膜ヘッド製品の不良解析方法及び不良解
析システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】図１１は薄膜ヘッド製品の生産工程を示
したものである。薄膜ヘッド製品の生産工程は、薄膜形
成プロセス１１０１、機械加工プロセス１１０２、組立
プロセス１１０３、最終特性評価工程１１０４で構成さ
れている。

【０００３】薄膜形成プロセス１１０１は、ウェハ上に
薄膜ヘッド素子を形成するために、各種金属薄膜を形成
する各種スパッタ工程や絶縁膜等を形成するＣＶＤ成膜
工程や各種金属薄膜に対してパターンを形成するホトリ
ソ工程やレジスト除去工程や中間電気特性測定工程等で
構成されている。

【０００４】機械加工プロセス１１０２は薄膜ヘッド製
品におけるヘッド部分を製造するために、薄膜形成プロ
セス１１０１において薄膜ヘッド素子を形成したウェハ
を複数個のブロックに切断する工程や前記切断品を研磨
する工程やミリング処理により研削する工程やスパッタ
処理により保護膜を形成する工程等で構成されている。

【０００５】組立プロセス１１０３は機械加工プロセス
１１０２で製造されたヘッド部分に信号線を接着する工
程や金属バネに組み付ける工程等で構成されている。

【０００６】最終特性検査工程１１０４は組立プロセス
１１０３において完成した薄膜ヘッド製品の最終特性を
検査し、製品の最終的な良否を決定する工程である。例
えば、ヘッドからの出力電流の大きさ、出力波形の形
状、ヘッドの浮上量等の製品の最終的な評価を得るため
の工程である。

【０００７】また、最終特性検査工程１１０４以外に
も、薄膜形成プロセス１１０１、機械加工プロセス１１
０２において、薄膜ヘッド素子となるチップの電気的特
性や膜厚等を検査し、良品・不良品を判断している。

【０００８】従来の薄膜ヘッド製造ラインにおける不良
解析は、これらの各工程で得た検査結果を用いて不良要
因の発生したプロセス及びそのプロセス中の工程を同定
していた。また、従来の薄膜ヘッド製造ラインでは、前
述の如く異種のプロセスを経て最終製品である薄膜ヘッ
ド製品を製造している。そのため、従来の薄膜ヘッド製
造ラインの不良解析では異種のプロセスにまたがって不
良要因を検討する必要があった。例えば、薄膜形成プロ
セス１１０１の検査で良品と判定されたチップであって
も次プロセスでの不良要因が内在する場合があることか
ら、このような複数のプロセスをまたがる不良要因を解
析・検討する必要があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の薄膜ヘ
ッドの製造ラインでは、各プロセスに設けられた製造装
置の処理単位が薄膜形成プロセス１１０１ではウエハ単
位、機械加工プロセス１１０２ではブロック単位、組立
プロセス１１０３ではチップ単位であるようにそれぞれ
異なり、その検査結果も各プロセスでの処理単位に応じ
て出力されていた。そのため、プロセス間の相関関係が
明確になっておらず、従来の不良解析では検査結果にお
いて初めて不良が発生したプロセスに不良要因があるの
か、それ以前のプロセスに不良要因があるのかを同定す
ることが非常に困難であった。

【００１０】また、不良要因が存在するプロセスを同定
する時間は、薄膜ヘッドの製造ラインでは不良品を作り
込む時間となるため、その同定時間の短縮は歩留まりを
向上させる上で非常に大きな問題となっていた。

【００１１】本発明の目的は、不良要因のあるプロセス
を容易に同定することが可能な不良解析方法及び不良解
析システムを提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、各プロセスの検査結果をそれ以前に行わ
れた薄膜形成プロセスでの製造単位（ウエハ単位）や、
機械加工プロセスでの製造単位（ブロック単位）となる
ようにマッピングして出力することとした。

【００１３】これによって、機械加工プロセスで不良チ
ップが現れたとしてもマッピングしたウエハ単位の出力
においてウエハ内の所定の領域が不良モードとして出力
されている場合は、その不良要因は薄膜形成プロセスに
起因しているとして対策することが可能となった。同様
に、組立プロセスで不良チップが現れたとしてもマッピ
ングしたブロック単位の出力においてブロック内の所定
の領域、特に複数のブロックに共通に現れる所定の領域
が不良モードとして出力されている場合は、その不良要
因は機械加工プロセスに起因しているとして対策するこ
とが可能となった。

【００１４】従って、検査結果において初めて不良が発
生したプロセスに不良要因があるのか、それ以前のプロ
セスに不良要因があるのかを容易に同定でき、その対策
までの時間を短縮することが可能となった。すなわち、
複数のプロセスにまたがるような不良要因を容易に解析
することが可能となった。また、対策時間を短縮化する
ことで不良品を作り込む時間も短くなり、歩留まりを向
上させることも可能となった。

【００１５】ここでウエハ単位とは薄膜形成プロセスで
得られるウエハ形状のごときマッピングを意味し、ブロ
ック単位とは機械加工プロセスで得られるブロック形状
のごときマッピングを意味する。

【００１６】本発明をより具体的に説明すると以下のと
おりである。

【００１７】すなわち、本発明は、ウエハに薄膜を形成
する薄膜形成プロセスと、該薄膜を形成したウエハを複
数個のブロックに分割する機械加工プロセスと、該分割
されたブロックに形成された複数個のチップの特性を検
査する検査工程と、該ブロックを複数個のチップに分割
し、該分割されたチップを部材に組み付けて薄膜ヘッド
製品を形成する組立プロセスとを備えた薄膜ヘッド製品
の不良解析方法であって、該ブロックの分割されたウエ
ハおよび該ブロックのウエハにおける位置を識別するこ
とで、該複数個のチップの検査結果をウエハ単位にマッ
ピングして出力するものである。

【００１８】また、ウエハに薄膜を形成する薄膜形成プ
ロセスと、該薄膜を形成したウエハを複数個のブロック
に分割する機械加工プロセスと、該ブロックを複数個の
チップに分割し、該分割されたチップを部材に組み付け
て薄膜ヘッド製品を形成する組立プロセスと、該薄膜ヘ
ッド製品の特性を検査する検査工程とを備えた薄膜ヘッ
ド製品の不良解析方法であって、該薄膜ヘッド製品に組
み付けられたチップの分割されたブロック及び該チップ
のブロックにおける位置と、該ブロックの分割されたウ
エハおよび該ブロックのウエハにおける位置とを識別す
ることで、該薄膜ヘッド製品の検査結果を該薄膜ヘッド
製品の有するチップに対応させてウエハ単位にマッピン
グして出力するものである。

【００１９】また、ウエハに薄膜を形成する薄膜形成プ
ロセスと、該薄膜を形成したウエハを複数個のブロック
に分割する機械加工プロセスと、該ブロックを複数個の
チップに分割し、該分割されたチップを部材に組み付け
て薄膜ヘッド製品を形成する組立プロセスと、該薄膜ヘ
ッド製品の特性を検査する検査工程とを備えた薄膜ヘッ
ド製品の不良解析方法であって、該薄膜ヘッド製品に組
み付けられたチップの分割されたブロック及び該チップ
のブロックにおける位置を識別することで、該薄膜ヘッ
ド製品の検査結果を該薄膜ヘッド製品の有するチップに
対応させてブロック単位にマッピングして出力するもの
である。

【００２０】また、ウエハを分割して得た複数個のブロ
ックにおいて該ブロックに含まれる複数個のチップの特
性を検査する検査装置と、該検査装置の得た検査結果か
ら検査したブロックの分割されたウエハおよび検査した
ブロックのウエハにおける位置を識別することで該複数
個のチップの検査結果をウエハ単位にマッピングして出
力する解析装置とを備えたものである。

【００２１】また、チップを部材に組み付けて形成した
薄膜ヘッド製品の特性を検査する検査装置と、該検査装
置の得た検査結果から検査した薄膜ヘッド製品に組み付
けられたチップの分割されたブロック及び該チップのブ
ロックにおける位置と、該ブロックの分割されたウエハ
および該ブロックのウエハにおける位置とを識別するこ
とで該薄膜ヘッド製品の検査結果を該薄膜ヘッド製品の
有するチップに対応させてウエハ単位にマッピングして
出力する解析装置とを備えたものである。

【００２２】また、チップを部材に組み付けて形成した
薄膜ヘッド製品の特性を検査する検査装置と、該検査装
置の得た検査結果から検査した薄膜ヘッド製品に組み付
けられたチップの分割されたブロック及び該チップのブ
ロックにおける位置とを識別することで該薄膜ヘッド製
品の検査結果を該薄膜ヘッド製品の有するチップに対応
させてブロック単位にマッピングして出力する解析装置
とを備えたものである。

【００２３】これらの場合、例えば薄膜形成プロセスで
の検査装置は検査結果と共に該当するウエハとウエハ内
のチップ位置とを識別可能な情報を検査データとして送
り、機械加工プロセスでの検査装置は検査結果と共に該
当するウエハおよびブロックと、ウエハ内のブロック位
置と、ブロック内のチップ位置とを識別可能な情報を検
査データとして送り、組立プロセスでの検査装置は検査
結果と共に該当するウエハおよびブロックと、ウエハ内
のブロック位置と、ブロック内のチップ位置とを識別可
能な情報を検査データとして送れば良い。また、これら
の情報はデータベースに蓄積しておき、必要に応じて抽
出すれば良い。そして、検査結果がどのウエハもしくは
ブロックのどのチップであるかを識別することで、周知
の方法によりウエハ単位もしくはブロック単位にマッピ
ングして出力すれば良い。

【００２４】一方、このようにマッピングした検査結果
を他プロセスの検査結果と重ね合わせ、その重ね合わせ
た結果から因果関係がある場合はそれに基づいて対策す
ることも効果的である。例えば、薄膜形成プロセスの検
査結果と機械加工プロセスの検査結果とをウエハ単位で
重ね合わせることで初めてウエハ内に集中した不良モー
ドの分布がある場合は、薄膜形成プロセスを対策すれば
良いこととなる。薄膜形成プロセスの検査結果と機械加
工プロセスの検査結果と組立プロセスの検査結果をウエ
ハ単位で重ね合わせても、機械加工プロセスの検査結果
と組立プロセスの検査結果をブロック単位で重ね合わせ
たとしても同様である。

【００２５】本発明をより具体的に説明すると以下の通
りである。

【００２６】すなわち、本発明は、ウエハに形成された
複数個のチップの電気的特性を検査する第一の検査工程
と、該ウエハを分割して形成したブロックに含まれる複
数個のチップの特性を検査する第二の検査工程とを備
え、該第一の検査工程で得た検査結果と該第二の検査工
程で得た検査結果をウエハ単位にマッピングして出力す
るものである。

【００２７】また、ウエハに形成された複数個のチップ
の電気的特性を検査する第一の検査工程と、該チップを
部材に取り付けて形成した薄膜ヘッド製品の特性を検査
する第二の検査工程とを備え、該第一の検査工程で得た
検査結果と該第二の検査工程で得た検査結果をウエハ単
位にマッピングして出力するものである。

【００２８】また、ウエハを分割して形成したブロック
に含まれる複数個のチップの特性を検査する第一の検査
工程と、該チップを部材に取り付けて形成した薄膜ヘッ
ド製品の特性を検査する第二の検査工程とを備え、該第
一の検査工程で得た検査結果と該第二の検査工程で得た
検査結果をブロック単位にマッピングして出力するもの
である。

【００２９】これらの場合、それぞれの検査結果は出力
するウエハ単位もしくはブロック単位の有する座標及び
寸法が同一となるようにして検査結果を論理データから
物理データに変換している。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図を
用いて説明する。

【００３１】図１に本発明に係る薄膜ヘッド製品の不良
解析を実現するための一実施の形態を示す。図では、不
良解析システムとその不良解析システムを適用する製造
ラインを示している。

【００３２】図に示す不良解析システムにおいて、１０
１は不良解析を行う解析端末、１０２は検査データを記
憶する品質データベース、１０３は薄膜形成プロセスで
形成するウエハの特性を検査する検査装置群A、１０４
は機械加工プロセスで形成するブロックの特性を検査す
る検査装置群B、１０５は組立プロセスで形成する薄膜
ヘッド製品の特性を検査する検査装置群C、１０６は解
析端末１０１と品質データベース１０２と検査装置群１
０３〜１０５等を接続するネットワークである。

【００３３】また、この不良解析システムを適用する製
造ラインにおいて、１０７は薄膜プロセス製品を製造す
る製造工程、１０８は薄膜ヘッド製品の最終特性を評価
する最終特性評価工程、１０９は薄膜形成プロセス、１
１０は機械加工プロセス、１１１は組立プロセス、１１
２は薄膜形成プロセス１０９で形成されるウエハ、１１
３は機械加工プロセス１１０でウエハ１１２を分割して
形成されるブロック、１１４は組立プロセス１１１でブ
ロック１１３をチップ単位に分割して組み立てた薄膜ヘ
ッド製品である。

【００３４】図２に解析端末１０１の機能構成を示す。
なお、解析端末１０１は一般的なパーソナルコンピュー
タ等で構成することができる。

【００３５】図において、２０１は解析指示を受け付け
る入力部、２０２は解析結果を出力する出力部、２０３
は解析指示に基づいて後述するデータベースの検索処
理、マッピング処理等を制御する制御部、２０４は解析
対象を同定する解析対象同定部、２０５は品質データベ
ース１０２を検索するデータベース検索部、２０６は後
述するブロック単位もしくはウエハ単位に検査結果をマ
ッピングするマッピング部、２０７はネットワーク１０
６に接続されて品質データベース１０２とアクセスする
通信部である。

【００３６】本システムでは各プロセスの検査装置群か
ら検査データの収集を以下のようにして行う。なお、製
造ライン（薄膜形成プロセス１０９、機械加工プロセス
１１０、組立プロセス１１１、最終特性評価工程１０
８）での処理は、前述の従来技術通りなのでその説明は
省略する。

【００３７】まず、各工程で製造されたウエハ１０２、
ブロック１１３、薄膜ヘッド製品１１４は、それぞれ対
応する検査装置群１０３〜１０５を用いて検査される。
それぞれの検査結果等は検査データとして、ネットワー
ク１０６を介して品質データベース１０２に記憶され
る。また、検査データはネットワーク１０６を介して送
信せずにコンピュータからのキーボード入力やフロッピ
ーディスク等の記録媒体等、様々な方法により入力して
も良い。

【００３８】図３は各検査装置群A〜Cが品質データベー
ス１０２へ送信する検査データの一例である。

【００３９】検査装置群A１０３は、検査結果、ウエハ
を識別するためのウエハ番号、検査したチップのウエハ
内の位置を識別するためのチップアドレスを検査データ
として送る。

【００４０】同様に、検査装置群B１０４は、検査結
果、ブロックの分割もととなったウエハを識別するため
のウエハ番号、検査したブロックおよび検査したブロッ
クのウエハ内の位置を識別するためのブロック番号、検
査したチップのブロック内の位置を識別するためのチッ
プアドレスを検査データとして送る。

【００４１】同様に、検査装置群C１０５は、検査結
果、検査した薄膜ヘッド製品の有するチップおよびその
チップが分割される前のブロック内の位置を識別するた
めのチップ番号、薄膜ヘッド製品の有するチップの分割
もととなったブロックおよびそのブロックの分割もとと
なったウエハ内の位置を識別するためのブロック番号、
そのブロックの分割もととなったウエハを識別するため
のウエハ番号を検査データとして送る。

【００４２】このように本システムでは、検査装置群A
１０３からウエハとチップとを関連づけて検査データを
収集し、検査装置群B１０４からウエハとブロックとチ
ップとを関連づけて検査データを収集し、検査装置群C
１０５からウエハとブッロクと薄膜ヘッド製品の有する
チップとを関連づけて検査データを収集する。

【００４３】なお、各プロセス間のウエハ、ブロック、
薄膜ヘッド製品（チップ）の対応関係を管理することが
できれば、各検査装置から送信する識別情報等は図３の
フォーマットでなくても良い。

【００４４】これらの検査データは、品質データベース
１０２が記憶・管理する。

【００４５】次に機械加工プロセス１１０での検査デー
タをウエハ単位にマッピングする一例を図４を用いて説
明する。

【００４６】まず、解析装置１０１は入力手段２０１を
用いて解析対象を受け付ける（ステップ４０１）。例え
ば、解析したいブロック番号やウエハ番号等が入力され
る。入力を受け付けた解析装置１０１では、解析対象同
定部２０６を用いてその入力を用いて解析対象となるウ
エハ番号を同定する（ステップ４０２）。なお、ブロッ
ク番号が入力された場合は、データベース検索部２０５
及び通信部２０７を用いて品質データベース１０２を検
索し、記憶する検査データから該当するウエハ番号を取
得する。次に、解析装置１０１は、データベース検索部
２０５を用いて同定したウエハ番号を有する全ての検査
データを品質データベース１０２から抽出する（ステッ
プ４０３）。そして、解析装置１０１は、マッピング部
２０６を用いて抽出した検査データから該当する検査結
果とそのウエハ内ブロック位置およびブロック内チップ
位置を識別することで（ステップ４０４）、該当する検
査結果をウエハ単位にマッピングする（ステップ３０
５）。そして、そのマッピングされた結果を出力部２０
２を用いて出力する（ステップ４０６）。

【００４７】図５は、その出力例であり、解析対象ウェ
ハ５０１に機械加工プロセス１１０の検査データの一つ
であるΔV-H不良をマッピングした一例である。マッピ
ングした黒点の一つが、１つのチップの不良を示す。

【００４８】図５では、機械加工プロセス１１０の不良
であるΔV-H不良が機械加工プロセスロット５０２によ
って区切られる区域に現れるのではなく、ウェハの左上
方に広がる形で不良が分布していることが確認できる。
このことから、機械加工プロセス１１０の不良であるΔ
V-H不良を発生させる要因がブロック単位で製造してい
る機械加工プロセス１１０ではなく、ウェハ単位で製造
している薄膜形成プロセス１０９にあると推測すること
が可能となる。すなわち、薄膜形成プロセス１０９の製
造単位であるウエハ内に特異な分布が現れていることと
から、不良要因が既に薄膜形成プロセス１０９で作り込
まれていたことを推測することが可能となる。これは、
単に機械加工プロセス１１０の製造単位であるブロック
単位で解析を行っていた従来の手法では導き出すことの
出来ない推測である。

【００４９】一方、図６に示すようにブロック単位に規
則性を持って不良が発生している場合は、機械加工プロ
セス１１０に不良の要因があるとして、機械加工プロセ
ス１１０の検査データを対象に不良解析を行えば良いこ
ととなる。

【００５０】従来の機械加工プロセス１１０での解析
は、単に機械加工プロセス１１０の処理単位であるブロ
ック単位で行っていたため、機械加工プロセス１１０で
不良が発生すれば機械加工プロセス１１０に不良要因が
存在すると考えて対策していた。これでは他のプロセス
で生じていた不良要因を究明するまでに非常に多くの時
間が必要となってしまう。しかし、本システムを用いれ
ばウエハ単位に検査結果を表示するため、その不良の現
れるモードに応じて薄膜形成プロセス１０９に起因する
不良か機械加工プロセス１１０に起因する不良かを区別
することが可能となり、従来に比べて効率よく、しかも
高信頼に解析を行うことが可能となった。また、これに
よって解析時間も短縮され、歩留まりも向上させること
も可能となった。

【００５１】なお、このような解析は、必要に応じて行
っても良いが、所定の処理個数毎に定期的に出力させて
製造工程を管理するようにしても良い。また、解析端末
１０１で行っていたステップ４０３〜４０５の処理を品
質データベース１０２で行わせても問題はない。すなわ
ち、解析端末１０１と品質データベース１０２の有する
処理能力に応じて各処理を分担させても問題はない。こ
れは以下の処理についても同様である。

【００５２】また、本実施の形態では、機械加工プロセ
ス１１０の検査結果をウエハ単位で出力する例を説明し
たが、組立プロセス１１１の検査結果を同様に処理して
ウエハ単位もしくはブロック単位に出力することも可能
である。なお、ブロック単位で出力する処理手順は図７
の通りである。

【００５３】次に、薄膜形成プロセス１０９の検査結果
と機械加工プロセス１１０の検査結果とウエハ単位で重
ね合わせ、その重ね合わせた結果に基づいて解析する例
を図８を用いて説明する。

【００５４】まず、解析装置１０１は入力手段２０１を
用いて解析対象を受け付ける（ステップ８０１）。例え
ば、解析したいブロック番号やウエハ番号等が入力され
る。入力を受け付けた解析装置１０１では、解析対象同
定部２０６を用いてその入力を用いて解析対象となるウ
エハ番号を同定する（ステップ８０２）。ブロック番号
が入力された場合は、データベース検索部２０５及び通
信部２０７を用いて品質データベース１０２を検索し、
記憶する検査データから該当するウエハ番号を取得す
る。この場合、薄膜形成プロセス１０９および機械加工
プロセス１１０の検査データから該当するウエハ番号を
取得する。次に、解析装置１０１は、データベース検索
部２０５及び通信部２０７を用いて同定したウエハ番号
を有する薄膜形成プロセス１０９および機械加工プロセ
ス１１０での検査データを品質データベース１０２から
抽出する（ステップ８０３）。そして、解析装置１０１
は、マッピング部２０６を用いて抽出した薄膜形成プロ
セス１０９の検査データから該当する検査結果とそのウ
エハ内チップ位置を識別し、機械加工プロセス１１０の
検査データから該当する検査結果とそのウエハ内ブロッ
ク位置およびブロック内チップ位置を識別することで
（ステップ８０４）、該当するそれぞれの検査結果をウ
エハ単位にマッピングする（ステップ８０５）。この場
合、薄膜形成プロセス１０９での検査データと機械加工
プロセス１１０での検査データは、マッピングするウエ
ハ単位の有する座標及び寸法が同一となるようにそれぞ
れ変換されている。そして、そのマッピングされた結果
を表示部２０２を用いて出力する（ステップ８０６）。

【００５５】図９はその表示例である。

【００５６】このように薄膜形成プロセス１０９の検査
結果と機械加工プロセス１１０の検査結果のそれぞれに
は特異な分布が現れない場合であっても、薄膜形成プロ
セス１０９の検査結果と機械加工プロセス１１０の検査
結果とをウエハ単位で重ね合わせることで初めてウエハ
内に集中した不良モードの分布がある場合は、薄膜形成
プロセスを対策すれば良いこととなる。すなわち、薄膜
形成プロセス１０９の検査結果と機械加工プロセス１１
０の検査結果とに因果関係がある場合は、その因果関係
に応じて対策することが可能となる。これによっても、
不良要因のあるプロセスを容易に同定することができ
る。

【００５７】また、これまでは薄膜形成プロセス１０９
の検査結果と機械加工プロセス１１０の検査結果を重ね
合わせてウエハ単位で出力する例を説明したが、薄膜形
成プロセス１０９の検査結果と機械加工プロセス１１０
の検査結果と組立プロセス１１１の検査結果、薄膜形成
プロセス１０９の検査結果と組立プロセス１１１の検査
結果、機械加工プロセス１１０の検査結果と組立プロセ
ス１１１の検査結果を同様に処理してウエハ単位に出力
することも可能である。また、機械加工プロセス１１０
の検査結果と組立プロセス１１１の検査結果を同様に処
理してブロック単位に出力することも可能である。な
お、ブロック単位で出力する処理手順は図１０の通りで
ある。

【００５８】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、検査結
果において初めて不良が発生したプロセスに不良要因が
あるのか、それ以前のプロセスに不良要因があるのかを
容易に同定することが可能となる。特に複数のプロセス
にまたがる不良要因を解析する上で効果的である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る不良解析システムの一実施の形態
を示す機能構成図である。

【図２】本発明に係る解析端末の一例を示す機能ブロッ
ク図である。

【図３】本発明に係る不良解析システムで取り扱うデー
タファーマットの一例を示す図である。

【図４】本発明に係る不良解析システムが行う不良解析
を実行するための情報処理手順を示す図である。

【図５】本発明に係る不良解析結果の一例を示す図であ
る。

【図６】本発明に係る不良解析結果の一例を示す図であ
る。

【図７】本発明に係る不良解析システムが行う不良解析
を実行するための情報処理手順を示す図である。

【図８】本発明に係る不良解析システムが行う不良解析
を実行するための情報処理手順を示す図である。

【図９】本発明に係る不良解析結果の一例を示す図であ
る。

【図１０】本発明に係る不良解析システムが行う不良解
析を実行するための情報処理手順を示す図である。

【図１１】従来の薄膜ヘッド製品の製造プロセスを示す
図である。

【符号の説明】

１０１…解析端末、１０２…品質データベース、１０３
〜１０５…検査装置群 １０６…ネットワーク、１０７…製造工程、１０８…最
終特性評価工程 １０９…薄膜形成プロセス、１１０…機械加工プロセ
ス、１１１…組立プロセス ２０１…入力部、２０２…出力部、２０３…制御部、２
０４…解析対象同定部 ２０５…データベース検索部、２０６…マッピング処理
部、２０７…通信部 ５０１…解析対象ウェハ、５０２…機械加工プロセスロ
ット

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ウエハに薄膜を形成する薄膜形成プロセス
   と、該薄膜を形成したウエハを複数個のブロックに分割
   する機械加工プロセスと、該分割されたブロックに形成
   された複数個のチップの特性を検査する検査工程と、該
   ブロックを複数個のチップに分割し、該分割されたチッ
   プを部材に組み付けて薄膜ヘッド製品を形成する組立プ
   ロセスとを備えた薄膜ヘッド製品の不良解析方法であっ
   て、 該ブロックの分割されたウエハおよび該ブロックのウエ
   ハにおける位置を識別することで、該複数個のチップの
   検査結果をウエハ単位にマッピングして出力することを
   特徴とする薄膜ヘッド製品の不良解析方法。
2. 【請求項２】ウエハに薄膜を形成する薄膜形成プロセス
   と、該薄膜を形成したウエハを複数個のブロックに分割
   する機械加工プロセスと、該ブロックを複数個のチップ
   に分割し、該分割されたチップを部材に組み付けて薄膜
   ヘッド製品を形成する組立プロセスと、該薄膜ヘッド製
   品の特性を検査する検査工程とを備えた薄膜ヘッド製品
   の不良解析方法であって、 該薄膜ヘッド製品に組み付けられたチップの分割された
   ブロック及び該チップのブロックにおける位置と、該ブ
   ロックの分割されたウエハおよび該ブロックのウエハに
   おける位置とを識別することで、該薄膜ヘッド製品の検
   査結果を該薄膜ヘッド製品の有するチップに対応させて
   ウエハ単位にマッピングして出力することを特徴とする
   薄膜ヘッド製品の不良解析方法。
3. 【請求項３】ウエハに薄膜を形成する薄膜形成プロセス
   と、該薄膜を形成したウエハを複数個のブロックに分割
   する機械加工プロセスと、該ブロックを複数個のチップ
   に分割し、該分割されたチップを部材に組み付けて薄膜
   ヘッド製品を形成する組立プロセスと、該薄膜ヘッド製
   品の特性を検査する検査工程とを備えた薄膜ヘッド製品
   の不良解析方法であって、 該薄膜ヘッド製品に組み付けられたチップの分割された
   ブロック及び該チップのブロックにおける位置を識別す
   ることで、該薄膜ヘッド製品の検査結果を該薄膜ヘッド
   製品の有するチップに対応させてブロック単位にマッピ
   ングして出力することを特徴とする薄膜ヘッド製品の不
   良解析方法。
4. 【請求項４】ウエハを分割して得た複数個のブロックに
   おいて該ブロックに含まれる複数個のチップの特性を検
   査する検査装置と、該検査装置の得た検査結果から検査
   したブロックの分割されたウエハおよび検査したブロッ
   クのウエハにおける位置を識別することで該複数個のチ
   ップの検査結果をウエハ単位にマッピングして出力する
   解析装置とを備えたことを特徴とする不良解析システ
   ム。
5. 【請求項５】チップを部材に組み付けて形成した薄膜ヘ
   ッド製品の特性を検査する検査装置と、該検査装置の得
   た検査結果から検査した薄膜ヘッド製品に組み付けられ
   たチップの分割されたブロック及び該チップのブロック
   における位置と、該ブロックの分割されたウエハおよび
   該ブロックのウエハにおける位置とを識別することで該
   薄膜ヘッド製品の検査結果を該薄膜ヘッド製品の有する
   チップに対応させてウエハ単位にマッピングして出力す
   る解析装置とを備えたことを特徴とする薄膜ヘッド製品
   の不良解析システム。
6. 【請求項６】チップを部材に組み付けて形成した薄膜ヘ
   ッド製品の特性を検査する検査装置と、該検査装置の得
   た検査結果から検査した薄膜ヘッド製品に組み付けられ
   たチップの分割されたブロック及び該チップのブロック
   における位置とを識別することで該薄膜ヘッド製品の検
   査結果を該薄膜ヘッド製品の有するチップに対応させて
   ブロック単位にマッピングして出力する解析装置とを備
   えたことを特徴とする薄膜ヘッド製品の不良解析システ
   ム。
7. 【請求項７】ウエハに形成された複数個のチップの電気
   的特性を検査する第一の検査工程と、該ウエハを分割し
   て形成したブロックに含まれる複数個のチップの特性を
   検査する第二の検査工程とを備え、 該第一の検査工程で得た検査結果と該第二の検査工程で
   得た検査結果とをウエハ単位にマッピングして出力する
   ことを特徴とする薄膜ヘッド製品の不良解析方法。
8. 【請求項８】ウエハに形成された複数個のチップの電気
   的特性を検査する第一の検査工程と、該チップを部材に
   取り付けて形成した薄膜ヘッド製品の特性を検査する第
   二の検査工程とを備え、 該第一の検査工程で得た検査結果と該第二の検査工程で
   得た検査結果をウエハ単位にマッピングして出力するこ
   とを特徴とする薄膜ヘッド製品の不良解析方法。
9. 【請求項９】ウエハを分割して形成したブロックに含ま
   れる複数個のチップの特性を検査する第一の検査工程
   と、 該チップを部材に取り付けて形成した薄膜ヘッド製品の
   特性を検査する第二の検査工程とを備え、 該第一の検査工程で得た検査結果と該第二の検査工程で
   得た検査結果をブロック単位にマッピングして出力する
   ことを特徴とする薄膜ヘッド製品の不良解析方法。