JPH111590A - シンジオタクチックポリスチレンベース組成物 - Google Patents
シンジオタクチックポリスチレンベース組成物Info
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- JPH111590A JPH111590A JP13687497A JP13687497A JPH111590A JP H111590 A JPH111590 A JP H111590A JP 13687497 A JP13687497 A JP 13687497A JP 13687497 A JP13687497 A JP 13687497A JP H111590 A JPH111590 A JP H111590A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い結晶化速度を有するシンジオタクチック
ポリスチレンベース組成物をうること。 【解決手段】 （Ａ）シンジオタクチックポリスチレン
ベース樹脂１００重量部と、（Ｂ）式（Ｉ）： 【化１６】 （式中、Ｒ1はＨまたは炭素数１〜５のアルキル基を表
す）で示される化合物、式（II）： 【化１７】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜５のアルキレン基、ＸはＦ、
Ｃｌ、ＢｒおよびＩよりなる群から選択されるハロゲン
原子、ａは１〜５の整数を表す）で示される化合物およ
びこれらの混合物よりなる群から選択される核生成剤
０．０１〜５重量部とからなるシンジオタクチックポリ
スチレンベース組成物。
ポリスチレンベース組成物をうること。 【解決手段】 （Ａ）シンジオタクチックポリスチレン
ベース樹脂１００重量部と、（Ｂ）式（Ｉ）： 【化１６】 （式中、Ｒ1はＨまたは炭素数１〜５のアルキル基を表
す）で示される化合物、式（II）： 【化１７】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜５のアルキレン基、ＸはＦ、
Ｃｌ、ＢｒおよびＩよりなる群から選択されるハロゲン
原子、ａは１〜５の整数を表す）で示される化合物およ
びこれらの混合物よりなる群から選択される核生成剤
０．０１〜５重量部とからなるシンジオタクチックポリ
スチレンベース組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシンジオタクチック
ポリスチレンベース組成物に関する。さらに詳しくは、
本発明は、主成分であるシンジオタクチックポリスチレ
ンベース樹脂とその結晶化速度を改良するためにブレン
ドされた特定の核生成剤とを含有する変性組成物に関す
る。
ポリスチレンベース組成物に関する。さらに詳しくは、
本発明は、主成分であるシンジオタクチックポリスチレ
ンベース樹脂とその結晶化速度を改良するためにブレン
ドされた特定の核生成剤とを含有する変性組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ラジカル重合によって製造されたスチレ
ンベース樹脂は無定形プラスチックであり、射出成形、
押出成形および真空成形などの方法で成形することによ
り、家庭用品、玩具、包装容器、家具、合成紙およびそ
の他の工業的応用に広く使用されている。しかし、ラジ
カル重合によって製造されたスチレンベース樹脂は結晶
性ではないため、機械的強度、耐熱性および耐薬品性に
劣っているという欠点を有している。
ンベース樹脂は無定形プラスチックであり、射出成形、
押出成形および真空成形などの方法で成形することによ
り、家庭用品、玩具、包装容器、家具、合成紙およびそ
の他の工業的応用に広く使用されている。しかし、ラジ
カル重合によって製造されたスチレンベース樹脂は結晶
性ではないため、機械的強度、耐熱性および耐薬品性に
劣っているという欠点を有している。
【０００３】一方、シンジオタクチックポリスチレン
（以下、「ＳＰＳ」ともいう）樹脂は結晶性であり、お
なじ結晶性ポリスチレンであるアイソタクチックポリス
チレン樹脂とは異なり、約２７０℃までの高い融点を有
している。したがって、シンジオタクチックポリスチレ
ンベース樹脂は、ラジカル重合により製造された従来の
スチレンベース樹脂と比較しても、機械的強度、耐溶媒
性および電気的特性において優れている（特開昭６２−
１０４８１８号、特開昭６２−２５７９４８号および特
開昭６２−２５７９５０号明細書参照）。しかしなが
ら、シンジオタクチックポリスチレンベース樹脂は結晶
化速度が低いため、成形する際にシンジオタクチックポ
リスチレンベース樹脂を結晶化させるためには高い成形
温度を必要とするという問題がある。
（以下、「ＳＰＳ」ともいう）樹脂は結晶性であり、お
なじ結晶性ポリスチレンであるアイソタクチックポリス
チレン樹脂とは異なり、約２７０℃までの高い融点を有
している。したがって、シンジオタクチックポリスチレ
ンベース樹脂は、ラジカル重合により製造された従来の
スチレンベース樹脂と比較しても、機械的強度、耐溶媒
性および電気的特性において優れている（特開昭６２−
１０４８１８号、特開昭６２−２５７９４８号および特
開昭６２−２５７９５０号明細書参照）。しかしなが
ら、シンジオタクチックポリスチレンベース樹脂は結晶
化速度が低いため、成形する際にシンジオタクチックポ
リスチレンベース樹脂を結晶化させるためには高い成形
温度を必要とするという問題がある。
【０００４】そこで、結晶化速度を上昇させるための方
法としては、核生成剤を使用することが含まれる。たと
えば、特開平１−２０１３５０号明細書には、核生成剤
として有機リン酸の塩を使用することが開示されおり、
また、欧州特許第３１２９７６号明細書には、核生成剤
として有機酸の金属塩（＜５０μｍ）、無機化合物（＜
５０μｍ）、有機リン化合物およびアイオノマーを使用
することが開示されている。さらに、特開平６−３４０
７８６号明細書には、核生成剤としてアルカリ金属の有
機塩の使用および助剤としてシクロホスファチドを使用
することが開示されており、特開平７−２４７３９０号
明細書には、核生成剤としてハロゲン化ビスフタルイミ
ドを使用することが開示されている。
法としては、核生成剤を使用することが含まれる。たと
えば、特開平１−２０１３５０号明細書には、核生成剤
として有機リン酸の塩を使用することが開示されおり、
また、欧州特許第３１２９７６号明細書には、核生成剤
として有機酸の金属塩（＜５０μｍ）、無機化合物（＜
５０μｍ）、有機リン化合物およびアイオノマーを使用
することが開示されている。さらに、特開平６−３４０
７８６号明細書には、核生成剤としてアルカリ金属の有
機塩の使用および助剤としてシクロホスファチドを使用
することが開示されており、特開平７−２４７３９０号
明細書には、核生成剤としてハロゲン化ビスフタルイミ
ドを使用することが開示されている。
【０００５】しかし、いずれの方法によっても充分な結
晶化速度をもつシンジオタクチックポリスチレンベース
組成物はえられていない。
晶化速度をもつシンジオタクチックポリスチレンベース
組成物はえられていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上の事実に鑑み、本
発明の目的は、従来のシンジオタクチックポリスチレン
ベース樹脂の結晶化速度よりも遥かに高い結晶化速度を
有するシンジオタクチックポリスチレンベース組成物を
提供することにある。
発明の目的は、従来のシンジオタクチックポリスチレン
ベース樹脂の結晶化速度よりも遥かに高い結晶化速度を
有するシンジオタクチックポリスチレンベース組成物を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）シンジ
オタクチックポリスチレンベース樹脂１００重量部と、
（Ｂ）式（Ｉ）：
オタクチックポリスチレンベース樹脂１００重量部と、
（Ｂ）式（Ｉ）：
【０００８】
【化６】
【０００９】（式中、Ｒ1はＨまたは炭素数１〜５のア
ルキル基を表す）で示される化合物、式（II）：
ルキル基を表す）で示される化合物、式（II）：
【００１０】
【化７】
【００１１】（式中、Ｒ2は炭素数１〜５のアルキレン
基、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩよりなる群から選択さ
れるハロゲン原子、ａは１〜５の整数を表す）で示され
る化合物およびこれらの混合物よりなる群から選択され
る核生成剤０．０１〜５重量部とからなるシンジオタク
チックポリスチレンベース組成物に関する。
基、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩよりなる群から選択さ
れるハロゲン原子、ａは１〜５の整数を表す）で示され
る化合物およびこれらの混合物よりなる群から選択され
る核生成剤０．０１〜５重量部とからなるシンジオタク
チックポリスチレンベース組成物に関する。
【００１２】前記核生成剤は式（Ｉ）：
【００１３】
【化８】
【００１４】（式中、Ｒ1はＨまたは炭素数１〜５のア
ルキル基を表す）で示される化合物であるのが好まし
い。
ルキル基を表す）で示される化合物であるのが好まし
い。
【００１５】また、前記核生成剤が２−ヒドロキシベン
ゾイミダゾールであるのが好ましい。
ゾイミダゾールであるのが好ましい。
【００１６】さらにまた、前記核生成剤が式（II）：
【００１７】
【化９】
【００１８】（式中、Ｒ2は炭素数１〜５のアルキレン
基、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩよりなる群から選択さ
れるハロゲン原子、ａは１〜５の整数を表す）で示され
る化合物であるのが好ましい。
基、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩよりなる群から選択さ
れるハロゲン原子、ａは１〜５の整数を表す）で示され
る化合物であるのが好ましい。
【００１９】また、前記核生成剤が式（III）：
【００２０】
【化１０】
【００２１】（式中、Ｒ2は炭素数１〜５のアルキレン
基）で示される化合物であるのが好ましい。
基）で示される化合物であるのが好ましい。
【００２２】また、前記核生成剤がビス（フェニルブロ
ミド）メタンであるのが好ましい。
ミド）メタンであるのが好ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】本願発明は、（Ａ）シンジオタク
チックポリスチレンベース樹脂１００重量部と、（Ｂ）
式（Ｉ）：
チックポリスチレンベース樹脂１００重量部と、（Ｂ）
式（Ｉ）：
【００２４】
【化１１】
【００２５】（式中、Ｒ1はＨまたは炭素数１〜５のア
ルキル基を表す）で示される化合物、式（II）：
ルキル基を表す）で示される化合物、式（II）：
【００２６】
【化１２】
【００２７】（式中、Ｒ2は炭素数１〜５のアルキレン
基、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩよりなる群から選択さ
れるハロゲン原子、ａは１〜５の整数を表す）で示され
る化合物およびこれらの混合物よりなる群から選択され
る核生成剤０．０１〜５重量部とからなるシンジオタク
チックポリスチレンベース組成物に関する。
基、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩよりなる群から選択さ
れるハロゲン原子、ａは１〜５の整数を表す）で示され
る化合物およびこれらの混合物よりなる群から選択され
る核生成剤０．０１〜５重量部とからなるシンジオタク
チックポリスチレンベース組成物に関する。
【００２８】本発明において用いるシンジオタクチック
ポリスチレンベース樹脂（以下、「ＳＰＳベース樹脂」
ともいう）は、主としてシンジオタクチック立体配置を
有するポリスチレンベース樹脂であり、当該ポリスチレ
ンベース樹脂中においてはシンジオタクチック立体配置
が少なくとも７５％、さらに好ましくは少なくとも８５
％を占める。
ポリスチレンベース樹脂（以下、「ＳＰＳベース樹脂」
ともいう）は、主としてシンジオタクチック立体配置を
有するポリスチレンベース樹脂であり、当該ポリスチレ
ンベース樹脂中においてはシンジオタクチック立体配置
が少なくとも７５％、さらに好ましくは少なくとも８５
％を占める。
【００２９】前記シンジオタクチックポリスチレンベー
ス樹脂の種類としては、特に制限はないが、たとえばポ
リスチレン、ポリアルキルスチレン、ポリハロゲン化ス
チレン、ポリアルコキシスチレン、ポリビニル安息香酸
エステルなどおよびこれらの混合物があげられ、さらに
これらＳＰＳベース樹脂を構成するモノマーを主成分と
して含有するコポリマーなども含まれる。
ス樹脂の種類としては、特に制限はないが、たとえばポ
リスチレン、ポリアルキルスチレン、ポリハロゲン化ス
チレン、ポリアルコキシスチレン、ポリビニル安息香酸
エステルなどおよびこれらの混合物があげられ、さらに
これらＳＰＳベース樹脂を構成するモノマーを主成分と
して含有するコポリマーなども含まれる。
【００３０】前記ポリアルキルスチレンとしては、たと
えばポリｐ−メチルスチレン、ポリｍ−メチルスチレン
などのポリメチルスチレン、ポリエチルスチレン、ポリ
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレンなどのポリブチルスチレ
ンおよびポリイソプロピルスチレンなどがあげられる。
また、前記ポリハロゲン化スチレンとしては、たとえば
ポリブロモスチレンおよびポリｐ−クロロスチレンなど
のポリクロロスチレンなどがあげられる。また、前記ポ
リアルコキシスチレンとしては、ポリメトキシスチレン
およびポリエトキシスチレンなどがあげられる。
えばポリｐ−メチルスチレン、ポリｍ−メチルスチレン
などのポリメチルスチレン、ポリエチルスチレン、ポリ
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレンなどのポリブチルスチレ
ンおよびポリイソプロピルスチレンなどがあげられる。
また、前記ポリハロゲン化スチレンとしては、たとえば
ポリブロモスチレンおよびポリｐ−クロロスチレンなど
のポリクロロスチレンなどがあげられる。また、前記ポ
リアルコキシスチレンとしては、ポリメトキシスチレン
およびポリエトキシスチレンなどがあげられる。
【００３１】これらのうちでも、ポリスチレン、ポリｐ
−メチルスチレン、ポリｍ−メチルスチレン、ポリｐ−
ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ポリｐ−クロロスチレンお
よびスチレン−ｐ−メチルスチレンコポリマーが好まし
い。
−メチルスチレン、ポリｍ−メチルスチレン、ポリｐ−
ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ポリｐ−クロロスチレンお
よびスチレン−ｐ−メチルスチレンコポリマーが好まし
い。
【００３２】本発明で使用するＳＰＳベース樹脂の分子
量としては、特に制限はないが、好ましくは少なくとも
１０，０００、さらに好ましくは少なくとも５０，００
０の平均分子量をもつのがよい。
量としては、特に制限はないが、好ましくは少なくとも
１０，０００、さらに好ましくは少なくとも５０，００
０の平均分子量をもつのがよい。
【００３３】また、前記ＳＰＳベース樹脂は、たとえば
ペレット、粉末など、いかなる形態であってもよい。
ペレット、粉末など、いかなる形態であってもよい。
【００３４】なお、シンジオタクチックポリスチレンベ
ース樹脂は常法により製造することができる。
ース樹脂は常法により製造することができる。
【００３５】つぎに、本発明においては、ＳＰＳベース
樹脂の結晶化速度を向上させるために、核生成剤とＳＰ
Ｓベース樹脂とからシンジオタクチックポリスチレンベ
ース組成物をうる。
樹脂の結晶化速度を向上させるために、核生成剤とＳＰ
Ｓベース樹脂とからシンジオタクチックポリスチレンベ
ース組成物をうる。
【００３６】本発明における核生成剤としては式
（Ｉ）：
（Ｉ）：
【００３７】
【化１３】
【００３８】（式中、Ｒ1はＨまたは炭素数１〜５のア
ルキル基を表す）で示される化合物、式（II）：
ルキル基を表す）で示される化合物、式（II）：
【００３９】
【化１４】
【００４０】（式中、Ｒ2は炭素数１〜５のアルキレン
基、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩよりなる群から選択さ
れるハロゲン原子、ａは１〜５の整数を表す）で示され
る化合物およびこれらの混合物よりなる群から選択した
ものを用いる。なお、前記式（Ｉ）および（II）で示さ
れる化合物をそれぞれ単独で、また混合して用いること
もできる。
基、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩよりなる群から選択さ
れるハロゲン原子、ａは１〜５の整数を表す）で示され
る化合物およびこれらの混合物よりなる群から選択した
ものを用いる。なお、前記式（Ｉ）および（II）で示さ
れる化合物をそれぞれ単独で、また混合して用いること
もできる。
【００４１】前記式（Ｉ）で示される化合物としては、
たとえば２−ヒドロキシベンゾイミダゾールなどがあげ
られる。前記式（II）で示される化合物としては、たと
えば式（III）
たとえば２−ヒドロキシベンゾイミダゾールなどがあげ
られる。前記式（II）で示される化合物としては、たと
えば式（III）
【００４２】
【化１５】
【００４３】（式中、Ｒ2は炭素数１〜５のアルキレン
基）で示される化合物などがあげられ、さらに具体的に
はたとえばビス（フェニルブロミド）メタンなどがあげ
られる。
基）で示される化合物などがあげられ、さらに具体的に
はたとえばビス（フェニルブロミド）メタンなどがあげ
られる。
【００４４】前記式（Ｉ）または（II）で示される核生
成剤は、ベンゼン環構造を有しており、ＳＰＳベース樹
脂に対してある程度の相溶性を有している。さらに、Ｓ
ＰＳベース樹脂の融点付近の温度範囲では粉末状固体の
ままであるために取扱いが容易であり、本発明のシンジ
オタクチックポリスチレンベース組成物をうるために用
いる核生成剤として適している。
成剤は、ベンゼン環構造を有しており、ＳＰＳベース樹
脂に対してある程度の相溶性を有している。さらに、Ｓ
ＰＳベース樹脂の融点付近の温度範囲では粉末状固体の
ままであるために取扱いが容易であり、本発明のシンジ
オタクチックポリスチレンベース組成物をうるために用
いる核生成剤として適している。
【００４５】本発明における前記核生成剤の添加量とし
ては、ＳＰＳベース樹脂１００重量部に対して０．０１
〜５重量部であればよく、好ましくは０．１〜３重量部
であるのがよい。
ては、ＳＰＳベース樹脂１００重量部に対して０．０１
〜５重量部であればよく、好ましくは０．１〜３重量部
であるのがよい。
【００４６】なお、本発明においては、酸化安定性およ
び光安定性を改良するために、フェノール酸化防止剤、
有機リン酸または有機ホスホン酸の塩を含有する有機リ
ン酸化防止剤、チオエーテル酸化防止剤、紫外線吸収剤
などの種々の添加剤を、本発明の効果を損なわない範囲
でシンジオタクチックポリスチレンベース組成物に添加
することができる。
び光安定性を改良するために、フェノール酸化防止剤、
有機リン酸または有機ホスホン酸の塩を含有する有機リ
ン酸化防止剤、チオエーテル酸化防止剤、紫外線吸収剤
などの種々の添加剤を、本発明の効果を損なわない範囲
でシンジオタクチックポリスチレンベース組成物に添加
することができる。
【００４７】とくにフェノール酸化防止剤および／また
は有機リン酸化防止剤を含有させることによって、通常
高温で行なわれる成形工程の際に、本発明のシンジオタ
クチックポリスチレン組成物が着色したり、また機械的
性質の劣化を招いたりすることを防ぐことができる。
は有機リン酸化防止剤を含有させることによって、通常
高温で行なわれる成形工程の際に、本発明のシンジオタ
クチックポリスチレン組成物が着色したり、また機械的
性質の劣化を招いたりすることを防ぐことができる。
【００４８】前記フェノール酸化防止剤および／または
有機リンベースの酸化防止剤を添加するばあいは、ＳＰ
Ｓベース樹脂１００重量部に対して０．００１〜５重量
部、好ましくは０．０１〜３重量部の量で添加するのが
よい。
有機リンベースの酸化防止剤を添加するばあいは、ＳＰ
Ｓベース樹脂１００重量部に対して０．００１〜５重量
部、好ましくは０．０１〜３重量部の量で添加するのが
よい。
【００４９】さらに、必要に応じて非イオン性、カチオ
ン性またはアニオン性帯電防止剤、アルカリ金属の脂肪
族カルボン酸塩、顔料、染料、充填材、発泡剤、難燃
剤、滑剤および助剤などの種々の添加剤も、本発明の効
果を損なわない範囲で添加することができる。
ン性またはアニオン性帯電防止剤、アルカリ金属の脂肪
族カルボン酸塩、顔料、染料、充填材、発泡剤、難燃
剤、滑剤および助剤などの種々の添加剤も、本発明の効
果を損なわない範囲で添加することができる。
【００５０】本発明のシンジオタクチックポリスチレン
ベース組成物の製造方法としては、特に制限はなく、一
般的な方法（常法）により製造を使用することができる
が、たとえばＳＰＳベース樹脂粉末（もしくはペレッ
ト）、核生成剤およびその他の添加剤をブレンドするこ
とにより、または最初に核生成剤と他の添加剤との濃縮
物（condensates）を常法で製造し、ついでこの濃縮物
をＳＰＳベース樹脂に添加することによって製造するこ
とができる。
ベース組成物の製造方法としては、特に制限はなく、一
般的な方法（常法）により製造を使用することができる
が、たとえばＳＰＳベース樹脂粉末（もしくはペレッ
ト）、核生成剤およびその他の添加剤をブレンドするこ
とにより、または最初に核生成剤と他の添加剤との濃縮
物（condensates）を常法で製造し、ついでこの濃縮物
をＳＰＳベース樹脂に添加することによって製造するこ
とができる。
【００５１】本発明のシンジオタクチックポリスチレン
ベース組成物は、押出成形、射出成形、真空成形、架橋
ブロー成形のような一般的な成形方法によって、繊維、
二軸延伸フィルム、シートなどに二次加工することがで
きる。
ベース組成物は、押出成形、射出成形、真空成形、架橋
ブロー成形のような一般的な成形方法によって、繊維、
二軸延伸フィルム、シートなどに二次加工することがで
きる。
【００５２】
【実施例】以下に、実施例を用いて本発明を説明する
が、本発明はこれらのみ制限させるものではない。
が、本発明はこれらのみ制限させるものではない。
【００５３】実施例１ ２６９℃の融点および９５％を超えるシンジオタクチッ
ク立体配置を有するシンジオタクチックポリスチレンベ
ース樹脂（インダストリアル・テクノロジー・リサーチ
・インスチチュート（Industrial Technology Research
Institute）のユニオン・ケミカル・ラボラトリーズ
（Union Chemical Laboratories）製造ｓＰＳ）１００
重量部、核生成剤として２−ヒドロキシベンゾイミダゾ
ール（東京開成工業（株）製）０．５重量部、酸化防止
剤（チバ・ガイギー社製のイルガノックス（Irganox）
１０１０）０．３重量部および酸化防止剤（ジーイー・
スペシャルティ・ケミカルス（GE Specialty Chemical
s）社製のＵ６２６）０．３重量部をブレンドし、つい
で押出機（ＣＳＩ社製のＭＡＸ混合押出機）を使用して
溶融混練し、本発明のシンジオタクチックポリスチレン
ベース組成物のペレット（ペレット１）をえた。
ク立体配置を有するシンジオタクチックポリスチレンベ
ース樹脂（インダストリアル・テクノロジー・リサーチ
・インスチチュート（Industrial Technology Research
Institute）のユニオン・ケミカル・ラボラトリーズ
（Union Chemical Laboratories）製造ｓＰＳ）１００
重量部、核生成剤として２−ヒドロキシベンゾイミダゾ
ール（東京開成工業（株）製）０．５重量部、酸化防止
剤（チバ・ガイギー社製のイルガノックス（Irganox）
１０１０）０．３重量部および酸化防止剤（ジーイー・
スペシャルティ・ケミカルス（GE Specialty Chemical
s）社製のＵ６２６）０．３重量部をブレンドし、つい
で押出機（ＣＳＩ社製のＭＡＸ混合押出機）を使用して
溶融混練し、本発明のシンジオタクチックポリスチレン
ベース組成物のペレット（ペレット１）をえた。
【００５４】実施例２ 核生成剤としてビス（フェニルブロミド）メタン（Sayt
exTM8010）０．３重量部を用いたほかは実施例１と同様
にして本発明のシンジオタクチックポリスチレンベース
組成物のペレット（ペレット２）をえた。
exTM8010）０．３重量部を用いたほかは実施例１と同様
にして本発明のシンジオタクチックポリスチレンベース
組成物のペレット（ペレット２）をえた。
【００５５】実施例３ 核生成剤としてビス（フェニルブロミド）メタン（Sayt
exTM8010）０．８重量部を用いたほかは実施例１と同様
にして本発明のシンジオタクチックポリスチレンベース
組成物のペレット（ペレット３）をえた。
exTM8010）０．８重量部を用いたほかは実施例１と同様
にして本発明のシンジオタクチックポリスチレンベース
組成物のペレット（ペレット３）をえた。
【００５６】実施例４ 核生成剤としてビス（フェニルブロミド）メタン（Sayt
exTM8010）２重量部を用いたほかは実施例１と同様にし
て本発明のシンジオタクチックポリスチレンベース組成
物のペレット（ペレット４）をえた。
exTM8010）２重量部を用いたほかは実施例１と同様にし
て本発明のシンジオタクチックポリスチレンベース組成
物のペレット（ペレット４）をえた。
【００５７】比較例 核生成剤を用いないほかは、実施例１と同様にしてシン
ジオタクチックポリスチレンベース組成物のペレット
（比較ペレット）をえた。
ジオタクチックポリスチレンベース組成物のペレット
（比較ペレット）をえた。
【００５８】［評価］実施例１〜４および比較例でえた
ペレット１〜４および比較ペレットのそれぞれについ
て、２４８℃における半結晶化時間（ｔ1/2）を、熱分
析計（パーキン・エルマー（Perkin Elmer）社製のＤＳ
Ｃ７）を用いて測定した。測定方法としては、ペレット
を室温から３２０℃まで１０℃／分の速度で窒素雰囲気
中において加熱し、温度を３２０℃で３分間維持し、つ
いで温度を３００℃／分の速度で２４８℃まで下げ、最
後に温度を２４８℃で１５分間維持することによって行
なった。ペレットの結晶化が５０％まで完結する時間
（ｔ1/2）を記録した。用いた核生成剤の量とともに評
価結果を表１に示す。半結晶化時間（ｔ1/2）が短かく
なるほど、結晶化速度が速くなる。
ペレット１〜４および比較ペレットのそれぞれについ
て、２４８℃における半結晶化時間（ｔ1/2）を、熱分
析計（パーキン・エルマー（Perkin Elmer）社製のＤＳ
Ｃ７）を用いて測定した。測定方法としては、ペレット
を室温から３２０℃まで１０℃／分の速度で窒素雰囲気
中において加熱し、温度を３２０℃で３分間維持し、つ
いで温度を３００℃／分の速度で２４８℃まで下げ、最
後に温度を２４８℃で１５分間維持することによって行
なった。ペレットの結晶化が５０％まで完結する時間
（ｔ1/2）を記録した。用いた核生成剤の量とともに評
価結果を表１に示す。半結晶化時間（ｔ1/2）が短かく
なるほど、結晶化速度が速くなる。
【００５９】
【表１】
【００６０】表１から、シンジオタクチックポリスチレ
ンベース組成物の結晶化速度が、核生成剤として２−ヒ
ドロキシベンゾイミダゾールまたはビス（フェニルブロ
ミド）メタンを添加することにより加速されることがわ
かる。
ンベース組成物の結晶化速度が、核生成剤として２−ヒ
ドロキシベンゾイミダゾールまたはビス（フェニルブロ
ミド）メタンを添加することにより加速されることがわ
かる。
【００６１】
【発明の効果】本発明によれば、高い結晶化速度を有す
るシンジオタクチックポリスチレンベース組成物をうる
ことができる。
るシンジオタクチックポリスチレンベース組成物をうる
ことができる。
Claims (6)
- 【請求項１】 （Ａ）シンジオタクチックポリスチレン
ベース樹脂１００重量部と、（Ｂ）式（Ｉ）： 【化１】 （式中、Ｒ1はＨまたは炭素数１〜５のアルキル基を表
す）で示される化合物、式（II）： 【化２】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜５のアルキレン基、ＸはＦ、
Ｃｌ、ＢｒおよびＩよりなる群から選択されるハロゲン
原子、ａは１〜５の整数を表す）で示される化合物およ
びこれらの混合物よりなる群から選択される核生成剤
０．０１〜５重量部とからなるシンジオタクチックポリ
スチレンベース組成物。 - 【請求項２】 核生成剤が式（Ｉ）： 【化３】 （式中、Ｒ1はＨまたは炭素数１〜５のアルキル基を表
す）で示される化合物である請求項１記載のシンジオタ
クチックポリスチレンベース組成物。 - 【請求項３】 核生成剤が２−ヒドロキシベンゾイミダ
ゾールである請求項２記載のシンジオタクチックポリス
チレンベース組成物。 - 【請求項４】 核生成剤が式（II）： 【化４】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜５のアルキレン基、ＸはＦ、
Ｃｌ、ＢｒおよびＩよりなる群から選択されるハロゲン
原子、ａは１〜５の整数を表す）で示される化合物であ
る請求項１記載のシンジオタクチックポリスチレンベー
ス組成物。 - 【請求項５】 核生成剤が式（III）： 【化５】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜５のアルキレン基）で示され
る化合物である請求項４記載のシンジオタクチックポリ
スチレンベース組成物。 - 【請求項６】 核生成剤がビス（フェニルブロミド）メ
タンである請求項５記載のシンジオタクチックポリスチ
レンベース組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW086105581A TW340128B (en) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | Syndiotactic polystyrene composition |
| TW86105581 | 1997-04-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH111590A true JPH111590A (ja) | 1999-01-06 |
| JP2968498B2 JP2968498B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=21626567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13687497A Expired - Lifetime JP2968498B2 (ja) | 1997-04-28 | 1997-05-27 | シンジオタクチックポリスチレンベース組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2968498B2 (ja) |
| TW (1) | TW340128B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8486323B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-07-16 | Dow Global Technologies Llc | Rotational molded articles, and method of making the same |
| JP2016089063A (ja) * | 2014-11-06 | 2016-05-23 | 国立大学法人静岡大学 | シンジオタクチックポリスチレン共結晶材料及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-04-28 TW TW086105581A patent/TW340128B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-05-27 JP JP13687497A patent/JP2968498B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8486323B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-07-16 | Dow Global Technologies Llc | Rotational molded articles, and method of making the same |
| JP2016089063A (ja) * | 2014-11-06 | 2016-05-23 | 国立大学法人静岡大学 | シンジオタクチックポリスチレン共結晶材料及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2968498B2 (ja) | 1999-10-25 |
| TW340128B (en) | 1998-09-11 |
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