JPH11158426A - 透明導電膜形成用インキ - Google Patents
透明導電膜形成用インキInfo
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- JPH11158426A JPH11158426A JP34451597A JP34451597A JPH11158426A JP H11158426 A JPH11158426 A JP H11158426A JP 34451597 A JP34451597 A JP 34451597A JP 34451597 A JP34451597 A JP 34451597A JP H11158426 A JPH11158426 A JP H11158426A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】膜質が緻密で均一な透明導電膜を形成でき、連
続印刷性に優れる透明導電膜形成用インキを提供する。 【解決手段】少なくとも１種の有機金属化合物と、沸点
30〜150℃未満のアルコール類、ケトン類、エステル
類、エーテル類のうちの少なくとも１種の低沸点溶剤５
〜60重量％と、沸点150〜280℃未満のグリコール類、カ
ルビトール類、セルソルブ類のうちの少なくとも１種の
高沸点溶剤40〜95重量％と、安定化剤とからなり、イン
キ粘度が５〜200mPa・sである。
続印刷性に優れる透明導電膜形成用インキを提供する。 【解決手段】少なくとも１種の有機金属化合物と、沸点
30〜150℃未満のアルコール類、ケトン類、エステル
類、エーテル類のうちの少なくとも１種の低沸点溶剤５
〜60重量％と、沸点150〜280℃未満のグリコール類、カ
ルビトール類、セルソルブ類のうちの少なくとも１種の
高沸点溶剤40〜95重量％と、安定化剤とからなり、イン
キ粘度が５〜200mPa・sである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置、
エレクトロルミネッセンス素子、プラズマディスプレイ
素子、蛍光表示管などのフラットディスプレイやタッチ
パネルなどの種々の電子部品に使用される透明導電膜の
形成に際し、印刷方法によりパターン印刷可能な透明導
電膜形成用インキに関するものである。
エレクトロルミネッセンス素子、プラズマディスプレイ
素子、蛍光表示管などのフラットディスプレイやタッチ
パネルなどの種々の電子部品に使用される透明導電膜の
形成に際し、印刷方法によりパターン印刷可能な透明導
電膜形成用インキに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、透明導電膜の形成方法として
は、ＰＶＤ法（蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法）や、化学的気相法（ＣＶＤ法、ＣＭＤ
法）が主流である。このような方法により、酸化インジ
ウム−酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化スズ−酸化アンチモン
（ＡＴＯ）などの無機酸化物被膜を透明導電膜として被
印刷体上に形成している。
は、ＰＶＤ法（蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法）や、化学的気相法（ＣＶＤ法、ＣＭＤ
法）が主流である。このような方法により、酸化インジ
ウム−酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化スズ−酸化アンチモン
（ＡＴＯ）などの無機酸化物被膜を透明導電膜として被
印刷体上に形成している。
【０００３】しかし、ＰＶＤ法は、真空系を利用するの
で装置が複雑で大規模となり、条件設定も極めて面倒で
ある。また、化学的気相法においても広大な面積に均一
に成膜することは困難であり、経済的にもロスが多い。
で装置が複雑で大規模となり、条件設定も極めて面倒で
ある。また、化学的気相法においても広大な面積に均一
に成膜することは困難であり、経済的にもロスが多い。
【０００４】そこで、インジウムやスズなどのキレート
化合物を含む有機酸塩や金属アルコキシドなどの有機金
属化合物と、有機金属化合物を溶解させる溶剤と、酸、
塩基あるいは増粘剤などの添加剤とからなる透明導電膜
形成用インキを用い、回転塗布法、ディップ法などの塗
布法や、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、グラビ
ア印刷法などの印刷法により膜形成を行う方法がある。
塗布法は、塗布工程と焼成工程のみで膜形成が可能であ
るので、工程が簡単であり、コスト面でも有利である。
印刷法は、使用するインキの使用量が塗布法に比べて少
なくて済むので、より有利である。
化合物を含む有機酸塩や金属アルコキシドなどの有機金
属化合物と、有機金属化合物を溶解させる溶剤と、酸、
塩基あるいは増粘剤などの添加剤とからなる透明導電膜
形成用インキを用い、回転塗布法、ディップ法などの塗
布法や、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、グラビ
ア印刷法などの印刷法により膜形成を行う方法がある。
塗布法は、塗布工程と焼成工程のみで膜形成が可能であ
るので、工程が簡単であり、コスト面でも有利である。
印刷法は、使用するインキの使用量が塗布法に比べて少
なくて済むので、より有利である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、印刷法に用い
る透明導電膜形成用インキには、次のような問題点があ
った。
る透明導電膜形成用インキには、次のような問題点があ
った。
【０００６】すなわち、透明導電膜を形成する手段とし
て、特公平3−11630号公報に示されるような薄膜形成装
置を用いて印刷する方法がある（図１参照）。この薄膜
形成装置は、基台１の支持枠２に回転自在に支持されか
つ深さ1.0〜数10μｍの多数のインキセルを表面に有す
る凹版ロール３と、凹版ロール３の表面に1.0〜30000mP
a・sのインキを供給するインキ供給装置５と、支持枠２
に支持された凹版ロール３の周囲所定箇所に備えられ、
凹版ロール３に供給されたインキを凹版ロール３表面に
広げてインキセル内に一定量のインキを保持させるドク
ター６と、支持枠２の凹版ロール３の下方に回転自在に
支持されかつ凹版ロール３に接触する凸部７を有して凹
版ロール３表面にインキセル内のインキを凸部７に転移
させる印刷ロール４と、支持枠２に支持され印刷ロール
４と凹版ロール３とを同期回転駆動する駆動装置８と、
被印刷体を載置しかつ基台１上に印刷ロール４に接触す
る印刷位置Ａと印刷ロール４から離れた退避位置Ｂ、Ｃ
との間で移動可能に備えた定盤９と、定盤９を上記両位
置間で移動させる被印刷体駆動装置１０と、印刷ロール
４の回転と定盤９の退避位置Ｂ、Ｃから印刷位置Ａへの
移動とを制御して印刷ロール４の凸部７に転移させたイ
ンキを被印刷体に印刷させる制御装置（図示せず）とか
らなるように構成されている。
て、特公平3−11630号公報に示されるような薄膜形成装
置を用いて印刷する方法がある（図１参照）。この薄膜
形成装置は、基台１の支持枠２に回転自在に支持されか
つ深さ1.0〜数10μｍの多数のインキセルを表面に有す
る凹版ロール３と、凹版ロール３の表面に1.0〜30000mP
a・sのインキを供給するインキ供給装置５と、支持枠２
に支持された凹版ロール３の周囲所定箇所に備えられ、
凹版ロール３に供給されたインキを凹版ロール３表面に
広げてインキセル内に一定量のインキを保持させるドク
ター６と、支持枠２の凹版ロール３の下方に回転自在に
支持されかつ凹版ロール３に接触する凸部７を有して凹
版ロール３表面にインキセル内のインキを凸部７に転移
させる印刷ロール４と、支持枠２に支持され印刷ロール
４と凹版ロール３とを同期回転駆動する駆動装置８と、
被印刷体を載置しかつ基台１上に印刷ロール４に接触す
る印刷位置Ａと印刷ロール４から離れた退避位置Ｂ、Ｃ
との間で移動可能に備えた定盤９と、定盤９を上記両位
置間で移動させる被印刷体駆動装置１０と、印刷ロール
４の回転と定盤９の退避位置Ｂ、Ｃから印刷位置Ａへの
移動とを制御して印刷ロール４の凸部７に転移させたイ
ンキを被印刷体に印刷させる制御装置（図示せず）とか
らなるように構成されている。
【０００７】しかし、特開昭60−1703号公報に開示され
ている、溶剤がアルコールなどの低沸点溶剤のみの透明
導電膜形成用インキは、この薄膜形成装置を用いると成
膜できない。つまり、このような構成の薄膜形成装置の
凹版ロール３に透明導電膜形成用インキを供給した時点
で透明導電膜形成用インキが乾燥してしまい、被印刷体
に透明導電膜形成用インキを転移することができないか
らである。
ている、溶剤がアルコールなどの低沸点溶剤のみの透明
導電膜形成用インキは、この薄膜形成装置を用いると成
膜できない。つまり、このような構成の薄膜形成装置の
凹版ロール３に透明導電膜形成用インキを供給した時点
で透明導電膜形成用インキが乾燥してしまい、被印刷体
に透明導電膜形成用インキを転移することができないか
らである。
【０００８】また、低沸点溶剤のみでなく、特公昭63−
9018号公報に開示されているように、沸点が30〜100℃
の低沸点溶剤97〜80重量％と、沸点が130〜250℃の高沸
点溶剤３〜20重量％との混合溶剤を用いた場合も、やは
り凹版ロール３に透明導電膜形成用インキを供給した時
点で乾燥し、印刷が困難である。たとえ印刷できたとし
ても、連続して印刷を行うと、凹版ロール３上に毎回残
渣が残ることにより徐々に透明導電膜形成用インキの粘
度が上昇し、凹版ロール３面のドクタリング開始部から
終点部へと徐々にムラが発生し、最終的には全面的に透
明導電膜形成用インキの粘度が上昇してしまい、連続し
て印刷することが不可能となる。
9018号公報に開示されているように、沸点が30〜100℃
の低沸点溶剤97〜80重量％と、沸点が130〜250℃の高沸
点溶剤３〜20重量％との混合溶剤を用いた場合も、やは
り凹版ロール３に透明導電膜形成用インキを供給した時
点で乾燥し、印刷が困難である。たとえ印刷できたとし
ても、連続して印刷を行うと、凹版ロール３上に毎回残
渣が残ることにより徐々に透明導電膜形成用インキの粘
度が上昇し、凹版ロール３面のドクタリング開始部から
終点部へと徐々にムラが発生し、最終的には全面的に透
明導電膜形成用インキの粘度が上昇してしまい、連続し
て印刷することが不可能となる。
【０００９】そこで、特開昭58−89666号公報に開示さ
れているように、ニトロセルロースなどの増粘剤を添加
してインキ粘度を増加させ、印刷適性を向上させること
も考えられる。しかし、透明導電膜形成用インキを印刷
することは可能であっても、後工程の焼成工程において
増粘剤が分解ガス発生の原因となり、形成される透明導
電膜がポーラスになりやすく緻密な構造とはなり難い。
れているように、ニトロセルロースなどの増粘剤を添加
してインキ粘度を増加させ、印刷適性を向上させること
も考えられる。しかし、透明導電膜形成用インキを印刷
することは可能であっても、後工程の焼成工程において
増粘剤が分解ガス発生の原因となり、形成される透明導
電膜がポーラスになりやすく緻密な構造とはなり難い。
【００１０】したがって、この発明は、膜質が緻密で均
一な透明導電膜を形成でき、連続印刷性に優れる透明導
電膜形成用インキを提供することを目的とする。
一な透明導電膜を形成でき、連続印刷性に優れる透明導
電膜形成用インキを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、以上の目的
を達成するために、透明導電膜形成用インキを、少なく
とも１種の有機金属化合物と、沸点30〜150℃未満のア
ルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類のうち
の少なくとも１種の低沸点溶剤５〜60重量％と、沸点15
0〜280℃未満のグリコール類、カルビトール類、セルソ
ルブ類のうちの少なくとも１種の高沸点溶剤40〜95重量
％と、安定化剤とからなり、インキ粘度が５〜200mPa・s
であるように構成したものである。
を達成するために、透明導電膜形成用インキを、少なく
とも１種の有機金属化合物と、沸点30〜150℃未満のア
ルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類のうち
の少なくとも１種の低沸点溶剤５〜60重量％と、沸点15
0〜280℃未満のグリコール類、カルビトール類、セルソ
ルブ類のうちの少なくとも１種の高沸点溶剤40〜95重量
％と、安定化剤とからなり、インキ粘度が５〜200mPa・s
であるように構成したものである。
【００１２】また、透明導電膜形成用インキを、基台の
支持枠に回転自在に支持されかつ深さ1.0〜数10μｍの
多数のインキセルを表面に有する凹版ロールと、凹版ロ
ールの表面に1.0〜30000mPa・sのインキを供給するイン
キ供給装置と、支持枠に支持された凹版ロールの周囲所
定箇所に備えられ、凹版ロールに供給されたインキを凹
版ロール表面に広げてインキセル内に一定量のインキを
保持させるドクターと、支持枠の凹版ロールの下方に回
転自在に支持されかつ凹版ロールに接触する凸部を有し
て凹版ロール表面にインキセル内のインキを凸部に転移
させる印刷ロールと、支持枠に支持され印刷ロールと凹
版ロールとを同期回転駆動する駆動装置と、被印刷体を
載置しかつ基台上に印刷ロールに接触する印刷位置Ａと
印刷ロールから離れた退避位置Ｂ、Ｃとの間で移動可能
に備えた定盤と、定盤を上記両位置間で移動させる被印
刷体駆動装置と、印刷ロールの回転と定盤の退避位置
Ｂ、Ｃから印刷位置Ａへの移動とを制御して印刷ロール
の凸部に転移させたインキを被印刷体に印刷させる制御
装置とからなる薄膜形成装置に適用する透明導電膜形成
用インキが、少なくとも１種の有機金属化合物と、沸点
30〜150℃未満のアルコール類、ケトン類、エステル
類、エーテル類のうちの少なくとも１種の低沸点溶剤５
〜60重量％と、沸点150〜280℃未満のグリコール類、カ
ルビトール類、セルソルブ類のうちの少なくとも１種の
高沸点溶剤40〜95重量％と、安定化剤とからなり、イン
キ粘度が５〜200mPa・sであるように構成したものであ
る。
支持枠に回転自在に支持されかつ深さ1.0〜数10μｍの
多数のインキセルを表面に有する凹版ロールと、凹版ロ
ールの表面に1.0〜30000mPa・sのインキを供給するイン
キ供給装置と、支持枠に支持された凹版ロールの周囲所
定箇所に備えられ、凹版ロールに供給されたインキを凹
版ロール表面に広げてインキセル内に一定量のインキを
保持させるドクターと、支持枠の凹版ロールの下方に回
転自在に支持されかつ凹版ロールに接触する凸部を有し
て凹版ロール表面にインキセル内のインキを凸部に転移
させる印刷ロールと、支持枠に支持され印刷ロールと凹
版ロールとを同期回転駆動する駆動装置と、被印刷体を
載置しかつ基台上に印刷ロールに接触する印刷位置Ａと
印刷ロールから離れた退避位置Ｂ、Ｃとの間で移動可能
に備えた定盤と、定盤を上記両位置間で移動させる被印
刷体駆動装置と、印刷ロールの回転と定盤の退避位置
Ｂ、Ｃから印刷位置Ａへの移動とを制御して印刷ロール
の凸部に転移させたインキを被印刷体に印刷させる制御
装置とからなる薄膜形成装置に適用する透明導電膜形成
用インキが、少なくとも１種の有機金属化合物と、沸点
30〜150℃未満のアルコール類、ケトン類、エステル
類、エーテル類のうちの少なくとも１種の低沸点溶剤５
〜60重量％と、沸点150〜280℃未満のグリコール類、カ
ルビトール類、セルソルブ類のうちの少なくとも１種の
高沸点溶剤40〜95重量％と、安定化剤とからなり、イン
キ粘度が５〜200mPa・sであるように構成したものであ
る。
【００１３】また、上記の発明において、有機金属化合
物が下記一般式 Ｍ（ＯＨ）X（Ｒ−ＣＯ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｒ’）Y ｍ＝Ｘ＋Ｙ （ただし、ＭはＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ、Ａｌ、Ｂ
ｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｚｎのうちの１種
である元素、Ｒ、Ｒ’は置換アリル基または置換アルキ
ル基、ｍはＭの価数、Ｘ、Ｙは自然数を示す。）であら
わされる少なくとも１種の有機金属化合物の部分加水分
解物であるように構成してもよい。
物が下記一般式 Ｍ（ＯＨ）X（Ｒ−ＣＯ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｒ’）Y ｍ＝Ｘ＋Ｙ （ただし、ＭはＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ、Ａｌ、Ｂ
ｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｚｎのうちの１種
である元素、Ｒ、Ｒ’は置換アリル基または置換アルキ
ル基、ｍはＭの価数、Ｘ、Ｙは自然数を示す。）であら
わされる少なくとも１種の有機金属化合物の部分加水分
解物であるように構成してもよい。
【００１４】また、上記の発明において、有機金属化合
物が下記一般式 Ｍ1（ＯＨ）X1（Ｒ1−ＣＯ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｒ1’）Y1 ｍ1＝Ｘ１＋Ｙ１ Ｍ2（ＯＨ）X2（Ｒ2−ＣＯ−ＣＨ２−ＣＯ−Ｒ2’）Y2 ｍ2＝Ｘ２＋Ｙ２ （ただし、Ｍ1、Ｍ2はＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ、Ａ
ｌ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｚｎのうち
の１種である元素、Ｒ1、Ｒ1’、Ｒ2、Ｒ2’は置換アリ
ル基または置換アルキル基、ｍ1、ｍ2はそれぞれＭ1、
Ｍ2の価数、Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２は自然数、Ｘ２は０また
は自然数を示す。）であらわされるそれぞれが少なくと
も１種の有機金属化合物の部分加水分解物であるように
構成してもよい。
物が下記一般式 Ｍ1（ＯＨ）X1（Ｒ1−ＣＯ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｒ1’）Y1 ｍ1＝Ｘ１＋Ｙ１ Ｍ2（ＯＨ）X2（Ｒ2−ＣＯ−ＣＨ２−ＣＯ−Ｒ2’）Y2 ｍ2＝Ｘ２＋Ｙ２ （ただし、Ｍ1、Ｍ2はＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ、Ａ
ｌ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｚｎのうち
の１種である元素、Ｒ1、Ｒ1’、Ｒ2、Ｒ2’は置換アリ
ル基または置換アルキル基、ｍ1、ｍ2はそれぞれＭ1、
Ｍ2の価数、Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２は自然数、Ｘ２は０また
は自然数を示す。）であらわされるそれぞれが少なくと
も１種の有機金属化合物の部分加水分解物であるように
構成してもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】図面を参照しながらこの発明の実
施の形態について詳しく説明する。
施の形態について詳しく説明する。
【００１６】図１は、この発明の透明導電膜形成用イン
キに適用することのできる薄膜形成装置を示す斜視図で
ある。図中、１は基台、２は支持枠、３は凹版ロール、
４は印刷ロール、５はインキ供給装置、６はドクター、
７は凸部、８は駆動装置、９は定盤、１０は被印刷体駆
動装置、１１は被印刷体であるガラス板である。
キに適用することのできる薄膜形成装置を示す斜視図で
ある。図中、１は基台、２は支持枠、３は凹版ロール、
４は印刷ロール、５はインキ供給装置、６はドクター、
７は凸部、８は駆動装置、９は定盤、１０は被印刷体駆
動装置、１１は被印刷体であるガラス板である。
【００１７】この発明の透明導電膜形成用インキを構成
する有機金属化合物としては、有機酸塩や金属アルコキ
シドなどのほか、これらの部分加水分解物を挙げること
ができる。有機金属化合物は、１種だけでなく、異なる
２種以上を併用することもできる。
する有機金属化合物としては、有機酸塩や金属アルコキ
シドなどのほか、これらの部分加水分解物を挙げること
ができる。有機金属化合物は、１種だけでなく、異なる
２種以上を併用することもできる。
【００１８】有機金属化合物の部分加水分解物として
は、とくに、下記の一般式 Ｍ（ＯＨ）X（Ｒ−ＣＯ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｒ’）Y ｍ＝Ｘ＋Ｙ であらわされる少なくとも１種の有機金属化合物の部分
加水分解物を用いるとよい。ここで、Ｍは、後の焼成工
程で酸化物となりその状態で透明でありかつ電気伝導性
を示す元素であり、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ、Ａｌ、
Ｂｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｚｎのうちの１
種である元素を示す。また、Ｒ、Ｒ’は置換アリル基ま
たは置換アルキル基を示し、ＲとＲ’は同じであって
も、異なってもよい。ｍはＭの価数を示す。Ｘ、Ｙは自
然数を示す。これらの有機金属化合物の部分加水分解物
は、１種だけでなく、異なる２種以上を併用することも
できる。
は、とくに、下記の一般式 Ｍ（ＯＨ）X（Ｒ−ＣＯ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｒ’）Y ｍ＝Ｘ＋Ｙ であらわされる少なくとも１種の有機金属化合物の部分
加水分解物を用いるとよい。ここで、Ｍは、後の焼成工
程で酸化物となりその状態で透明でありかつ電気伝導性
を示す元素であり、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ、Ａｌ、
Ｂｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｚｎのうちの１
種である元素を示す。また、Ｒ、Ｒ’は置換アリル基ま
たは置換アルキル基を示し、ＲとＲ’は同じであって
も、異なってもよい。ｍはＭの価数を示す。Ｘ、Ｙは自
然数を示す。これらの有機金属化合物の部分加水分解物
は、１種だけでなく、異なる２種以上を併用することも
できる。
【００１９】また、有機金属化合物の部分加水分解物
は、下記一般式 Ｍ1（ＯＨ）X1（Ｒ1−ＣＯ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｒ1’）Y1 ｍ1＝Ｘ１＋Ｙ１ Ｍ2（ＯＨ）X2（Ｒ2−ＣＯ−ＣＨ２−ＣＯ−Ｒ2’）Y2 ｍ2＝Ｘ２＋Ｙ２ であらわされるそれぞれが少なくとも１種の有機金属化
合物の部分加水分解物を用いるとよい。ここで、Ｍ1、
Ｍ2はＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｓｉ、
Ｔｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｚｎのうちの１種である元素
を示す。Ｒ1、Ｒ1’、Ｒ2、Ｒ2’は置換アリル基または
置換アルキル基を示し、Ｒ1、Ｒ1’、Ｒ2、Ｒ2’はそれ
ぞれ同じであっても、異なってもよい。ｍ1、ｍ2はそれ
ぞれＭ1、Ｍ2の価数を示す。Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２は自然
数、Ｘ２は０または自然数を示す。これらの有機金属化
合物の部分加水分解物は、１種だけでなく、異なる２種
以上を併用することもできる。
は、下記一般式 Ｍ1（ＯＨ）X1（Ｒ1−ＣＯ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｒ1’）Y1 ｍ1＝Ｘ１＋Ｙ１ Ｍ2（ＯＨ）X2（Ｒ2−ＣＯ−ＣＨ２−ＣＯ−Ｒ2’）Y2 ｍ2＝Ｘ２＋Ｙ２ であらわされるそれぞれが少なくとも１種の有機金属化
合物の部分加水分解物を用いるとよい。ここで、Ｍ1、
Ｍ2はＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｓｉ、
Ｔｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｚｎのうちの１種である元素
を示す。Ｒ1、Ｒ1’、Ｒ2、Ｒ2’は置換アリル基または
置換アルキル基を示し、Ｒ1、Ｒ1’、Ｒ2、Ｒ2’はそれ
ぞれ同じであっても、異なってもよい。ｍ1、ｍ2はそれ
ぞれＭ1、Ｍ2の価数を示す。Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２は自然
数、Ｘ２は０または自然数を示す。これらの有機金属化
合物の部分加水分解物は、１種だけでなく、異なる２種
以上を併用することもできる。
【００２０】このような組成の有機金属化合物の部分加
水分解物を用いることにより、経時変化の少ない連続印
刷性に優れた透明導電膜形成用インキとなる。また、わ
ずかに残った配位子が透明導電膜形成用インキ中に均一
に分散しているので、後の焼成工程で酸化物被膜となる
際、元素の偏折がなく導電性に優れた透明導電膜形成用
インキとなる。さらに、主な有機成分である配位子が少
ないため、後の焼成工程において有機金属化合物の分解
点温度の上昇が起こらずカーボン残渣が生じないので、
良好な透明性を有する透明導電膜を得ることができる。
水分解物を用いることにより、経時変化の少ない連続印
刷性に優れた透明導電膜形成用インキとなる。また、わ
ずかに残った配位子が透明導電膜形成用インキ中に均一
に分散しているので、後の焼成工程で酸化物被膜となる
際、元素の偏折がなく導電性に優れた透明導電膜形成用
インキとなる。さらに、主な有機成分である配位子が少
ないため、後の焼成工程において有機金属化合物の分解
点温度の上昇が起こらずカーボン残渣が生じないので、
良好な透明性を有する透明導電膜を得ることができる。
【００２１】上記の一般式で表される有機金属化合物の
部分加水分解物は、金属キレート化合物の一種である。
しかし、完全キレート化した場合、焼成工程中に昇華し
良好な酸化物被膜が得られず、また透明導電膜形成用イ
ンキの分解点温度の上昇と、透明導電膜中のカーボン残
渣の発生が促進されて、透明導電膜の抵抗値が上昇した
り透過率が低下したりするなど、透明導電膜の物性が低
下する。したがって、有機金属化合物の部分加水分解物
は、完全キレート化したものであってはならない。
部分加水分解物は、金属キレート化合物の一種である。
しかし、完全キレート化した場合、焼成工程中に昇華し
良好な酸化物被膜が得られず、また透明導電膜形成用イ
ンキの分解点温度の上昇と、透明導電膜中のカーボン残
渣の発生が促進されて、透明導電膜の抵抗値が上昇した
り透過率が低下したりするなど、透明導電膜の物性が低
下する。したがって、有機金属化合物の部分加水分解物
は、完全キレート化したものであってはならない。
【００２２】また、有機金属化合物の部分加水分解物と
して、一部未分解の金属アルコキシドを含むものを使用
すると、アルコキシドの部位で置換反応が進行しやす
く、粘度の経時変化が著しいので、安定した膜厚や膜質
のものを得ることが難しくなる。
して、一部未分解の金属アルコキシドを含むものを使用
すると、アルコキシドの部位で置換反応が進行しやす
く、粘度の経時変化が著しいので、安定した膜厚や膜質
のものを得ることが難しくなる。
【００２３】溶剤としては、沸点30〜150℃未満のアル
コール類、ケトン類、エステル類、エーテル類のうちの
少なくとも１種の低沸点溶剤5〜60重量％と、沸点150〜
280℃未満のグリコール類、カルビトール類、セルソル
ブ類のうちの少なくとも１種の高沸点溶剤40〜95重量％
との混合物を用いる。低沸点溶剤の比率が５重量％に満
たないと、最終的に得られる膜質が劣化するので、所望
の導電性が得られない。一方、低沸点溶剤の比率が60重
量％を超えると、高沸点溶剤の比率が40％未満となり、
先に述べた薄膜形成装置で印刷を行うと、透明導電膜形
成用インキの乾燥が著しく、連続して透明導電膜を形成
するのが困難となる。
コール類、ケトン類、エステル類、エーテル類のうちの
少なくとも１種の低沸点溶剤5〜60重量％と、沸点150〜
280℃未満のグリコール類、カルビトール類、セルソル
ブ類のうちの少なくとも１種の高沸点溶剤40〜95重量％
との混合物を用いる。低沸点溶剤の比率が５重量％に満
たないと、最終的に得られる膜質が劣化するので、所望
の導電性が得られない。一方、低沸点溶剤の比率が60重
量％を超えると、高沸点溶剤の比率が40％未満となり、
先に述べた薄膜形成装置で印刷を行うと、透明導電膜形
成用インキの乾燥が著しく、連続して透明導電膜を形成
するのが困難となる。
【００２４】低沸点溶剤としては、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、２−プロ
パノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、第二ブタ
ノール、第三ブタノール、第二アミルアルコール、３−
ペンタノール、第三アミルアルコール、フーゼル油など
のアルコール類、アセトン、メチルアセトン、メチルエ
チルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ
−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ
−アミルケトン、ジエチルケトン、エチル−ｎ−ブチル
ケトンなどのケトン類、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸
プロピル、ギ酸−ｎ−ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ア
ミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸−ｎ−プロピル、
酢酸イソプロピル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸イソブチ
ル、酢酸第二ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン
酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチルなどのエステル類、
ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、
１，２−ブチレンオキシド、ジオキサン、トリオキサ
ン、２−メチルフラン、テトラヒドロフラン、テトラヒ
ドロピラン、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエ
トキシエタン、１，１−ジメトキシメタン、１，１−ジ
エトキシエタンなどのエーテル類などを用いるとよい。
また、低沸点溶剤は、蒸発速度、飽和蒸気圧、粘度、化
合物との相溶性などを考慮し、２種類以上の低沸点溶剤
を組み合わせたものであってもよい。
ール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、２−プロ
パノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、第二ブタ
ノール、第三ブタノール、第二アミルアルコール、３−
ペンタノール、第三アミルアルコール、フーゼル油など
のアルコール類、アセトン、メチルアセトン、メチルエ
チルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ
−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ
−アミルケトン、ジエチルケトン、エチル−ｎ−ブチル
ケトンなどのケトン類、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸
プロピル、ギ酸−ｎ−ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ア
ミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸−ｎ−プロピル、
酢酸イソプロピル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸イソブチ
ル、酢酸第二ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン
酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチルなどのエステル類、
ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、
１，２−ブチレンオキシド、ジオキサン、トリオキサ
ン、２−メチルフラン、テトラヒドロフラン、テトラヒ
ドロピラン、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエ
トキシエタン、１，１−ジメトキシメタン、１，１−ジ
エトキシエタンなどのエーテル類などを用いるとよい。
また、低沸点溶剤は、蒸発速度、飽和蒸気圧、粘度、化
合物との相溶性などを考慮し、２種類以上の低沸点溶剤
を組み合わせたものであってもよい。
【００２５】高沸点溶剤としては、エチレングリコー
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレン
グリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノ
ブチルエーテルアセテート、エチレングリコールイソア
ミルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテ
ル、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールベンジルエーテル、エチレング
リコールモノヘキシルエーテル、メトキシメトキシエタ
ノール、エチレングリコールモノアセテート、エチレン
グリコールジアセテート、ジエチレングリコール、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエー
テルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコール
アセテート、トリエチレングリコール、トリエチレング
リコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコール
モノエチルエーテル、トリグリコールジクロリド、プロ
ピレングリコール、プロピレングリコールモノブチルエ
ーテル、１−ブトキシエトキシプロパノール、プロビレ
ングリコール誘導体、ジプロピレングリコール、ジプロ
ピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレング
リコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、トリメチレングリコール、ブタ
ンジオール、１，５−ペンタンジオール、ヘキシレング
リコール、オクチレングリコール、グリセリルモノアセ
テート、グリセリルジアセテート、グリセリルトリアセ
テート、グリセリルモノブチレート、グリセリンエーテ
ル、グリセリン−α，γ−ジクロルヒドリン、１，２，
６−ヘキサントリオールなどのグリコール類のほか、カ
ルビトール類、セルソルブ類を用いるとよい。高沸点溶
剤において、とりわけグリコール類は、有機金属化合物
に対して分散剤的な役割を果たし、有機金属化合物の均
一分散の手助けとなっている。また、高沸点溶剤は、蒸
発速度、飽和蒸気圧、粘度、化合物との相溶性などを考
慮し、２種類以上の高沸点溶剤を組み合わせたものであ
ってもよい。
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレン
グリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノ
ブチルエーテルアセテート、エチレングリコールイソア
ミルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテ
ル、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールベンジルエーテル、エチレング
リコールモノヘキシルエーテル、メトキシメトキシエタ
ノール、エチレングリコールモノアセテート、エチレン
グリコールジアセテート、ジエチレングリコール、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエー
テルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコール
アセテート、トリエチレングリコール、トリエチレング
リコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコール
モノエチルエーテル、トリグリコールジクロリド、プロ
ピレングリコール、プロピレングリコールモノブチルエ
ーテル、１−ブトキシエトキシプロパノール、プロビレ
ングリコール誘導体、ジプロピレングリコール、ジプロ
ピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレング
リコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、トリメチレングリコール、ブタ
ンジオール、１，５−ペンタンジオール、ヘキシレング
リコール、オクチレングリコール、グリセリルモノアセ
テート、グリセリルジアセテート、グリセリルトリアセ
テート、グリセリルモノブチレート、グリセリンエーテ
ル、グリセリン−α，γ−ジクロルヒドリン、１，２，
６−ヘキサントリオールなどのグリコール類のほか、カ
ルビトール類、セルソルブ類を用いるとよい。高沸点溶
剤において、とりわけグリコール類は、有機金属化合物
に対して分散剤的な役割を果たし、有機金属化合物の均
一分散の手助けとなっている。また、高沸点溶剤は、蒸
発速度、飽和蒸気圧、粘度、化合物との相溶性などを考
慮し、２種類以上の高沸点溶剤を組み合わせたものであ
ってもよい。
【００２６】このように、低沸点溶剤と高沸点溶剤とを
用いることにより、溶剤の蒸発を段階的に行うことによ
るレベリング効果が得られ、透明導電膜形成用インキの
乾燥を防止することができる。高沸点溶剤においては、
とりわけグリコール類は、有機金属化合物に対して分散
剤的な役割を果たし、有機金属化合物の均一分散の手助
けとなっている。
用いることにより、溶剤の蒸発を段階的に行うことによ
るレベリング効果が得られ、透明導電膜形成用インキの
乾燥を防止することができる。高沸点溶剤においては、
とりわけグリコール類は、有機金属化合物に対して分散
剤的な役割を果たし、有機金属化合物の均一分散の手助
けとなっている。
【００２７】安定化剤としては、アミン類、有機酸類、
無機酸類、β−ジケトン類、β−ケトエステル類のうち
の少なくとも１種を使用するとよい。また、Ｎ，Ｎ’−
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどの乾
燥調整剤などを添加することもできる。これらのうち１
種または複数を混合して使用するとよい。
無機酸類、β−ジケトン類、β−ケトエステル類のうち
の少なくとも１種を使用するとよい。また、Ｎ，Ｎ’−
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどの乾
燥調整剤などを添加することもできる。これらのうち１
種または複数を混合して使用するとよい。
【００２８】さらに、部分加水分解の調整、有機金属化
合物の濃度、または溶剤の適宜選択により、透明導電膜
形成用インキの粘度を５〜200mPa・sにする。粘度が５mP
a・sに満たない場合、液だれや塗布面の膜厚むらが著し
く、抵抗値あるいは膜厚の均一性が得られにくい。一
方、粘度が200mPa・sを越えると、凹版ロールの深度を調
整することで所望の膜厚が得られるものの、１回で転移
するインキ量が多くなり、得られる被膜の膜厚制御が困
難となる。また、印刷された透明導電膜のレベリング性
が悪くなり、平滑な膜が得られにくい。
合物の濃度、または溶剤の適宜選択により、透明導電膜
形成用インキの粘度を５〜200mPa・sにする。粘度が５mP
a・sに満たない場合、液だれや塗布面の膜厚むらが著し
く、抵抗値あるいは膜厚の均一性が得られにくい。一
方、粘度が200mPa・sを越えると、凹版ロールの深度を調
整することで所望の膜厚が得られるものの、１回で転移
するインキ量が多くなり、得られる被膜の膜厚制御が困
難となる。また、印刷された透明導電膜のレベリング性
が悪くなり、平滑な膜が得られにくい。
【００２９】この発明では、増粘剤を添加してインキ粘
度を調整するのではなく、低沸点溶剤と高沸点溶剤とを
用いることによりインキ粘度を調整しているので、後の
焼成工程において分解ガスが発生したりせず、形成され
る透明導電膜が緻密な構造となる。
度を調整するのではなく、低沸点溶剤と高沸点溶剤とを
用いることによりインキ粘度を調整しているので、後の
焼成工程において分解ガスが発生したりせず、形成され
る透明導電膜が緻密な構造となる。
【００３０】この発明の透明導電膜形成用インキは、前
述した薄膜形成装置に適用すると、効果的に透明導電膜
を形成することができる（図１参照）。この薄膜形成装
置の印刷ロールの凸部の材料としては、スチレン−ブタ
ジエン−スチレン（ＳＢＲ）、イソブチレン−スチレン
−イソブチレン（ＩＳＩ）、ウレタン系ゴムなどが主に
用いられている。したがって、低沸点溶剤はアルコール
を主体として構成するのが望ましく、エステル類もしく
はケトン類が低沸点溶剤に占める割合は、15重量％以下
が望ましい。15重量％を超えると、凸部を劣化させ、ピ
ンホール、平滑性の欠如、導電性不良など諸問題の原因
となる。
述した薄膜形成装置に適用すると、効果的に透明導電膜
を形成することができる（図１参照）。この薄膜形成装
置の印刷ロールの凸部の材料としては、スチレン−ブタ
ジエン−スチレン（ＳＢＲ）、イソブチレン−スチレン
−イソブチレン（ＩＳＩ）、ウレタン系ゴムなどが主に
用いられている。したがって、低沸点溶剤はアルコール
を主体として構成するのが望ましく、エステル類もしく
はケトン類が低沸点溶剤に占める割合は、15重量％以下
が望ましい。15重量％を超えると、凸部を劣化させ、ピ
ンホール、平滑性の欠如、導電性不良など諸問題の原因
となる。
【００３１】
【実施例】実施例１ ２−プロパノール40重量部とエチレングリコール60重量
部からなる混合溶剤に、２−エチルヘキサン酸インジウ
ム50重量部と２−エチルヘキサン酸スズ10重量部を加え
攪拌し、20mPa・sの粘度を有した透明導電膜形成用イン
キを得た。
部からなる混合溶剤に、２−エチルヘキサン酸インジウ
ム50重量部と２−エチルヘキサン酸スズ10重量部を加え
攪拌し、20mPa・sの粘度を有した透明導電膜形成用イン
キを得た。
【００３２】この透明導電膜形成用インキを前述の薄膜
形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマー
インライン型）を用いてＳｉＯ2コートしたソーダガラ
ス基板上に塗布した。このガラス基板を85℃の熱風循環
式オーブン中で20分置いて予備乾燥を行った後、真空パ
ージ式ボックス炉中で酸素流量２リットル／分、昇温速
度15℃／分で500℃まで昇温した。このまま30分保って
完全に膜を酸化した後、真空ポンプにて一旦炉内を減圧
にした。ここへ水素を3体積％含む窒素で充填し、1時間
保ったのち、加熱を止め室温まで徐冷して透明導電膜を
得た。
形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマー
インライン型）を用いてＳｉＯ2コートしたソーダガラ
ス基板上に塗布した。このガラス基板を85℃の熱風循環
式オーブン中で20分置いて予備乾燥を行った後、真空パ
ージ式ボックス炉中で酸素流量２リットル／分、昇温速
度15℃／分で500℃まで昇温した。このまま30分保って
完全に膜を酸化した後、真空ポンプにて一旦炉内を減圧
にした。ここへ水素を3体積％含む窒素で充填し、1時間
保ったのち、加熱を止め室温まで徐冷して透明導電膜を
得た。
【００３３】この透明導電膜は、エッジ部から１ｃｍの
ところより内側の領域において、1050±100Ω／□の表
面抵抗を有する均一性に優れたものであった。
ところより内側の領域において、1050±100Ω／□の表
面抵抗を有する均一性に優れたものであった。
【００３４】実施例２ 硝酸インジウム３水和物6.6重量％を、エタノール90重
量％に完全に溶解させ、さらに２、４−ペンタンジオン
（キレート剤）1.8重量％と乳酸（安定化剤）1.6重量％
を加え、均一なインジウムの一部キレート化した部分加
水分解物の溶液を作成した。この溶液に酢酸（安定化
剤）30重量％、アセチルアセトンスズの２−プロパノー
ル50％溶液17重量％を加え、20ｍｍＨｇ、50℃で溶媒除
去により濃縮し、酢酸（安定化剤）20重量％、へキシレ
ングリコール340重量％を加え、均一に攪拌することに
より、50mPa・sの粘度を有した透明導電膜形成用インキ
を得た。
量％に完全に溶解させ、さらに２、４−ペンタンジオン
（キレート剤）1.8重量％と乳酸（安定化剤）1.6重量％
を加え、均一なインジウムの一部キレート化した部分加
水分解物の溶液を作成した。この溶液に酢酸（安定化
剤）30重量％、アセチルアセトンスズの２−プロパノー
ル50％溶液17重量％を加え、20ｍｍＨｇ、50℃で溶媒除
去により濃縮し、酢酸（安定化剤）20重量％、へキシレ
ングリコール340重量％を加え、均一に攪拌することに
より、50mPa・sの粘度を有した透明導電膜形成用インキ
を得た。
【００３５】透明導電膜形成用インキを薄膜形成装置
（日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商
標）インライン型）を用い、300×300×1.1ｍｍの無ア
ルカリガラス基板上に印刷した。ガラス基板を予備乾燥
後コンベア式雰囲気炉を用いて500℃で焼成し、酸化還
元した後室温に冷却することにより透明導電膜を得た。
（日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商
標）インライン型）を用い、300×300×1.1ｍｍの無ア
ルカリガラス基板上に印刷した。ガラス基板を予備乾燥
後コンベア式雰囲気炉を用いて500℃で焼成し、酸化還
元した後室温に冷却することにより透明導電膜を得た。
【００３６】この透明導電膜は、エッジ部から１ｃｍの
ところより内側の領域において、150±20Ω／□の表面
抵抗を有する均一性に優れたものであった。また、透明
導電膜は、（1.1±0.1）×10-3Ω・ｃｍの体積抵抗を有
し、導電性に優れたものであった
ところより内側の領域において、150±20Ω／□の表面
抵抗を有する均一性に優れたものであった。また、透明
導電膜は、（1.1±0.1）×10-3Ω・ｃｍの体積抵抗を有
し、導電性に優れたものであった
【００３７】実施例３ メタノール30重量部、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル70重量部からなる混合溶剤に、２−エチルヘキ
サン酸スズ60重量部、ネオデカン酸アンチモン６重量部
を加え攪拌し、10mPa・sの粘度を有した透明導電膜形成
用インキを得た。
エーテル70重量部からなる混合溶剤に、２−エチルヘキ
サン酸スズ60重量部、ネオデカン酸アンチモン６重量部
を加え攪拌し、10mPa・sの粘度を有した透明導電膜形成
用インキを得た。
【００３８】この透明導電膜形成用インキを実施例１と
同様にガラス基板上に塗布した。このガラス基板を、実
施例１と同様に処理して透明導電膜を得た。
同様にガラス基板上に塗布した。このガラス基板を、実
施例１と同様に処理して透明導電膜を得た。
【００３９】この透明導電膜は、エッジ部から１ｃｍの
ところより内側の領域において、表面抵抗1.3×104±50
00Ω／□、550nmにおける透過率（空気リファレンス）8
9±2％の範囲にあり、均一性に優れたものであった。
ところより内側の領域において、表面抵抗1.3×104±50
00Ω／□、550nmにおける透過率（空気リファレンス）8
9±2％の範囲にあり、均一性に優れたものであった。
【００４０】実施例４ エタノール10重量部、ヘキシレングリコール90重量部か
らなる混合溶剤に、硝酸インジウム60重量部、２−エチ
ルヘキサン酸スズ20重量部、無水酢酸５重量部、2,4−
ペンタンジオン10重量部からなる混合物を溶解させ、52
mPa・sの粘度を有した透明導電膜形成用インキを得た。
らなる混合溶剤に、硝酸インジウム60重量部、２−エチ
ルヘキサン酸スズ20重量部、無水酢酸５重量部、2,4−
ペンタンジオン10重量部からなる混合物を溶解させ、52
mPa・sの粘度を有した透明導電膜形成用インキを得た。
【００４１】この透明導電膜形成用インキを、実施例１
と同様の薄膜形成装置を用い、300ｃｍ2のＳｉＯ2コー
トしたソーダガラス基板上に連続印刷し、順次85℃の熱
風循環式オーブンで20分間乾燥した。このガラス基板
を、最高温度が500℃で20分間保持できるように運転さ
れる管状マッフル炉に順次投入することにより、透明導
電膜を得た。
と同様の薄膜形成装置を用い、300ｃｍ2のＳｉＯ2コー
トしたソーダガラス基板上に連続印刷し、順次85℃の熱
風循環式オーブンで20分間乾燥した。このガラス基板
を、最高温度が500℃で20分間保持できるように運転さ
れる管状マッフル炉に順次投入することにより、透明導
電膜を得た。
【００４２】この透明導電膜の36個所の導電率を測定し
たところ、平均値590Ω／□、１σ＝20の分布であっ
た。また、連続形成した各ガラス基板の透過率を測定し
たところ、550nmにおける透過率（空気リファレンス）8
4±1％の範囲にあった。また、膜厚分布については、36
個所を測定したところ、700±50Åの範囲にあった。こ
のように、導電性、透過率、膜厚のそれぞれが均一な透
明導電膜を連続して得ることができた。
たところ、平均値590Ω／□、１σ＝20の分布であっ
た。また、連続形成した各ガラス基板の透過率を測定し
たところ、550nmにおける透過率（空気リファレンス）8
4±1％の範囲にあった。また、膜厚分布については、36
個所を測定したところ、700±50Åの範囲にあった。こ
のように、導電性、透過率、膜厚のそれぞれが均一な透
明導電膜を連続して得ることができた。
【００４３】比較例 エタノール95重量部とエチレングリコール5重量部から
なる混合溶剤に、硝酸インジウム60重量部、２−エチル
ヘキサン酸スズ20重量部、無水酢酸5重量部、２，４−
ペンタンジオン10重量部からなる混合物を溶解させ、透
明導電膜形成用インキを得た。
なる混合溶剤に、硝酸インジウム60重量部、２−エチル
ヘキサン酸スズ20重量部、無水酢酸5重量部、２，４−
ペンタンジオン10重量部からなる混合物を溶解させ、透
明導電膜形成用インキを得た。
【００４４】この透明導電膜形成用インキを実施例１と
同様に塗布しようとしたところ、数枚印刷したところで
凹版ロール上の透明導電膜形成用インキが乾いてしま
い、連続して印刷できなかった。
同様に塗布しようとしたところ、数枚印刷したところで
凹版ロール上の透明導電膜形成用インキが乾いてしま
い、連続して印刷できなかった。
【００４５】
【発明の効果】この発明は、前記した構成からなるの
で、次のような効果を有する。
で、次のような効果を有する。
【００４６】この発明の透明導電膜形成用インキは、低
沸点溶剤と高沸点溶剤とを特定割合で用いるので、適度
な乾燥性を有し、印刷時にすぐに乾燥することがない。
その結果、同一の被印刷体において膜厚精度が高く、ま
た繰り返し印刷した場合も被印刷体それぞれの膜厚精度
が高く、連続印刷性に優れたものである。
沸点溶剤と高沸点溶剤とを特定割合で用いるので、適度
な乾燥性を有し、印刷時にすぐに乾燥することがない。
その結果、同一の被印刷体において膜厚精度が高く、ま
た繰り返し印刷した場合も被印刷体それぞれの膜厚精度
が高く、連続印刷性に優れたものである。
【００４７】また、粘度が５〜200mPa・sであるととも
に、この粘度調整に高分子量の増粘剤を含まないので、
後工程の焼成条件への負荷も少なく、膜質が緻密で均一
な透明導電膜が得られる。
に、この粘度調整に高分子量の増粘剤を含まないので、
後工程の焼成条件への負荷も少なく、膜質が緻密で均一
な透明導電膜が得られる。
【図１】この発明の透明導電膜形成用インキに適用する
ことのできる薄膜形成装置を示す斜視図である。
ことのできる薄膜形成装置を示す斜視図である。
１ 基台 ２ 支持枠 ３ 凹版ロール ４ 印刷ロール ５ インキ供給装置 ６ ドクター ７ 凸部 ８ 駆動装置 ９ 定盤 １０ 被印刷体駆動装置 １１ 被印刷体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 一充 京都府京都市中京区壬生花井町３番地 日 本写真印刷株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも１種の有機金属化合物と、沸
点30〜150℃未満のアルコール類、ケトン類、エステル
類、エーテル類のうちの少なくとも１種の低沸点溶剤５
〜60重量％と、沸点150〜280℃未満のグリコール類、カ
ルビトール類、セルソルブ類のうちの少なくとも１種の
高沸点溶剤40〜95重量％と、安定化剤とからなり、イン
キ粘度が５〜200mPa・sであることを特徴とする透明導電
膜形成用インキ。 - 【請求項２】 基台の支持枠に回転自在に支持されかつ
深さ1.0〜数10μｍの多数のインキセルを表面に有する
凹版ロールと、凹版ロールの表面に1.0〜30000mPa・sの
インキを供給するインキ供給装置と、支持枠に支持され
た凹版ロールの周囲所定箇所に備えられ、凹版ロールに
供給されたインキを凹版ロール表面に広げてインキセル
内に一定量のインキを保持させるドクターと、支持枠の
凹版ロールの下方に回転自在に支持されかつ凹版ロール
に接触する凸部を有して凹版ロール表面にインキセル内
のインキを凸部に転移させる印刷ロールと、支持枠に支
持され印刷ロールと凹版ロールとを同期回転駆動する駆
動装置と、被印刷体を載置しかつ基台上に印刷ロールに
接触する印刷位置Ａと印刷ロールから離れた退避位置
Ｂ、Ｃとの間で移動可能に備えた定盤と、定盤を上記両
位置間で移動させる被印刷体駆動装置と、印刷ロールの
回転と定盤の退避位置Ｂ、Ｃから印刷位置Ａへの移動と
を制御して印刷ロールの凸部に転移させたインキを被印
刷体に印刷させる制御装置とからなる薄膜形成装置に適
用する透明導電膜形成用インキが、少なくとも１種の有
機金属化合物と、沸点30〜150℃未満のアルコール類、
ケトン類、エステル類、エーテル類のうちの少なくとも
１種の低沸点溶剤５〜60重量％と、沸点150〜280℃未満
のグリコール類、カルビトール類、セルソルブ類のうち
の少なくとも１種の高沸点溶剤40〜95重量％と、安定化
剤とからなり、インキ粘度が５〜200mPa・sであることを
特徴とする透明導電膜形成用インキ。 - 【請求項３】 有機金属化合物が下記一般式 Ｍ（ＯＨ）X（Ｒ−ＣＯ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｒ’）Y ｍ＝Ｘ＋Ｙ （ただし、ＭはＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ、Ａｌ、Ｂ
ｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｚｎのうちの１種
である元素、Ｒ、Ｒ’は置換アリル基または置換アルキ
ル基、ｍはＭの価数、Ｘ、Ｙは自然数を示す。）であら
わされる少なくとも１種の有機金属化合物の部分加水分
解物である請求項１または２のいずれかに記載の透明導
電膜形成用インキ。 - 【請求項４】 有機金属化合物が下記一般式 Ｍ1（ＯＨ）X1（Ｒ1−ＣＯ−ＣＨ2−ＣＯ−Ｒ1’）Y1 ｍ1＝Ｘ１＋Ｙ１ Ｍ2（ＯＨ）X2（Ｒ2−ＣＯ−ＣＨ２−ＣＯ−Ｒ2’）Y2 ｍ2＝Ｘ２＋Ｙ２ （ただし、Ｍ1、Ｍ2はＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ、Ａ
ｌ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｚｎのうち
の１種である元素、Ｒ1、Ｒ1’、Ｒ2、Ｒ2’は置換アリ
ル基または置換アルキル基、ｍ1、ｍ2はそれぞれＭ1、
Ｍ2の価数、Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２は自然数、Ｘ２は０また
は自然数を示す。）であらわされるそれぞれが少なくと
も１種の有機金属化合物の部分加水分解物である請求項
１または２のいずれかに記載の透明導電膜形成用イン
キ。
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|---|---|---|---|
| JP34451597A JP3113850B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 透明導電膜形成用インキ |
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|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1997-11-28 JP JP34451597A patent/JP3113850B2/ja not_active Expired - Lifetime
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