JP3414437B2 - 透明導電ガラス - Google Patents
透明導電ガラスInfo
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- JP3414437B2 JP3414437B2 JP09869793A JP9869793A JP3414437B2 JP 3414437 B2 JP3414437 B2 JP 3414437B2 JP 09869793 A JP09869793 A JP 09869793A JP 9869793 A JP9869793 A JP 9869793A JP 3414437 B2 JP3414437 B2 JP 3414437B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、印刷法によりパター
ンが形成された透明導電ガラスに関するものである。こ
の発明の透明導電ガラスは、液晶表示装置、エレクトロ
ルミネッセンス素子、プラズマディスプレイ素子、蛍光
表示管などのフラットディスプレイやタッチパネルなど
の種々の電子部品において非常に有効である。
ンが形成された透明導電ガラスに関するものである。こ
の発明の透明導電ガラスは、液晶表示装置、エレクトロ
ルミネッセンス素子、プラズマディスプレイ素子、蛍光
表示管などのフラットディスプレイやタッチパネルなど
の種々の電子部品において非常に有効である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、透明導電膜の形成方法として
は、ＰＶＤ法（蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法）や、化学的気相法（ＣＶＤ法、ＣＭＤ
法）が主流である。このような方法により、インジウム
チンオキサイド（ＩＴＯ）、アンチモンチンオキサイド
（ＡＴＯ）などの無機酸化物被膜を透明導電膜として形
成している。
は、ＰＶＤ法（蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法）や、化学的気相法（ＣＶＤ法、ＣＭＤ
法）が主流である。このような方法により、インジウム
チンオキサイド（ＩＴＯ）、アンチモンチンオキサイド
（ＡＴＯ）などの無機酸化物被膜を透明導電膜として形
成している。
【０００３】また、インジウムやスズなどの有機酸塩
（キレート化合物を含む）やアルコラートなどの金属ア
ルコキシドなどの有機金属化合物と、有機金属化合物を
溶解させる溶剤と、酸、塩基あるいは増粘剤などの添加
剤とからなる透明導電インキを用い、回転塗布法、ディ
ップ法などにより膜形成を行う塗布法がある。塗布法
は、塗布工程と焼成工程のみで透明導電膜を形成できる
ので、工程が簡単である。
（キレート化合物を含む）やアルコラートなどの金属ア
ルコキシドなどの有機金属化合物と、有機金属化合物を
溶解させる溶剤と、酸、塩基あるいは増粘剤などの添加
剤とからなる透明導電インキを用い、回転塗布法、ディ
ップ法などにより膜形成を行う塗布法がある。塗布法
は、塗布工程と焼成工程のみで透明導電膜を形成できる
ので、工程が簡単である。
【０００４】このような透明導電膜を、フラットディス
プレイやタッチパネルなどに用いるときは、フラットデ
ィスプレイの表示部やタッチパネルの入力部と、外部へ
接続するための引き回し回路部とを一体的に形成するこ
とがある。通常、フラットディスプレイの表示部やタッ
チパネルの入力部に対し、引き回し回路部は面積が小さ
く電圧降下を生じやすい。そこで、引き回し回路部が他
の部分よりも抵抗値が低くなるようにするために、引き
回し回路部の膜厚が他の部分よりも大きくなるように構
成することが考えられる。
プレイやタッチパネルなどに用いるときは、フラットデ
ィスプレイの表示部やタッチパネルの入力部と、外部へ
接続するための引き回し回路部とを一体的に形成するこ
とがある。通常、フラットディスプレイの表示部やタッ
チパネルの入力部に対し、引き回し回路部は面積が小さ
く電圧降下を生じやすい。そこで、引き回し回路部が他
の部分よりも抵抗値が低くなるようにするために、引き
回し回路部の膜厚が他の部分よりも大きくなるように構
成することが考えられる。
【０００５】しかし、ＰＶＤ法や化学的気相法の場合、
パターン形成前あるいはパターン形成後に透明導電膜の
一部の膜厚を変化させることは非常に困難である。あえ
て行うとしても、一度基板全面に透明導電膜を形成した
後、マスキングなどを行って再び透明導電膜を形成する
という複雑な工程が必要で、歩留まりが悪く、コスト面
で非現実的であった。
パターン形成前あるいはパターン形成後に透明導電膜の
一部の膜厚を変化させることは非常に困難である。あえ
て行うとしても、一度基板全面に透明導電膜を形成した
後、マスキングなどを行って再び透明導電膜を形成する
という複雑な工程が必要で、歩留まりが悪く、コスト面
で非現実的であった。
【０００６】また、塗布法においても、全面に透明導電
膜を形成するには簡易な方法であるが、一部の膜厚を変
化させることは困難であった。
膜を形成するには簡易な方法であるが、一部の膜厚を変
化させることは困難であった。
【０００７】そこで、銀、カーボンなどの導電ペースト
により補助電極を設けたり、ニッケル、銅などのメッキ
により補助電極を設けたりして、導電性の向上を図り、
任意の抵抗値を得ることがある。たとえば、表示部や入
力部の視界の妨げとならない箇所に補助電極を重ねて形
成したり、引き回し回路部に重ねて補助電極を設けたり
する。しかし、補助電極を設けるのは製造工程が複雑に
なる。しかも、導電ペーストを用いた場合は、導電ペー
ストの乾燥を、通常、大気中１００〜１５０℃で数十分
間行うが、この間に強制的に設けた脱酸素による格子欠
陥が熱平衡状態へと進み、キャリア濃度の減少を発生さ
せ、透明導電膜の抵抗値が高くなるという不具合が発生
することが多い。このような影響を考慮すると、さらに
低い抵抗値を有する材料を用いる必要があるが、そのよ
うな性質を有するものは少ない。
により補助電極を設けたり、ニッケル、銅などのメッキ
により補助電極を設けたりして、導電性の向上を図り、
任意の抵抗値を得ることがある。たとえば、表示部や入
力部の視界の妨げとならない箇所に補助電極を重ねて形
成したり、引き回し回路部に重ねて補助電極を設けたり
する。しかし、補助電極を設けるのは製造工程が複雑に
なる。しかも、導電ペーストを用いた場合は、導電ペー
ストの乾燥を、通常、大気中１００〜１５０℃で数十分
間行うが、この間に強制的に設けた脱酸素による格子欠
陥が熱平衡状態へと進み、キャリア濃度の減少を発生さ
せ、透明導電膜の抵抗値が高くなるという不具合が発生
することが多い。このような影響を考慮すると、さらに
低い抵抗値を有する材料を用いる必要があるが、そのよ
うな性質を有するものは少ない。
【０００８】このような欠点を解消する方法として、透
明導電インキを用い、スクリーン印刷法、オフセット印
刷法、グラビア印刷法などにより膜形成を行う印刷法が
ある。印刷法は、印刷工程と焼成工程のみで透明導電膜
を形成できるので、工程が簡単である。また、透明導電
インキを同一の箇所に２回印刷を行うことで、部分的に
膜厚が異なるようにすることができる。
明導電インキを用い、スクリーン印刷法、オフセット印
刷法、グラビア印刷法などにより膜形成を行う印刷法が
ある。印刷法は、印刷工程と焼成工程のみで透明導電膜
を形成できるので、工程が簡単である。また、透明導電
インキを同一の箇所に２回印刷を行うことで、部分的に
膜厚が異なるようにすることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、印刷法では、
２回印刷を行って透明導電膜の膜厚が部分的に異なるよ
うにすることはできるが、高い硬度が要求される表示部
あるいは入力部と、高い導電性が要求される引き回し回
路部とのように、性質の異なる透明導電膜を形成するこ
とは困難である。
２回印刷を行って透明導電膜の膜厚が部分的に異なるよ
うにすることはできるが、高い硬度が要求される表示部
あるいは入力部と、高い導電性が要求される引き回し回
路部とのように、性質の異なる透明導電膜を形成するこ
とは困難である。
【００１０】したがって、この発明は、上記の問題点を
解消し、硬度が高い表示部あるいは入力部と、抵抗値が
低い引き回し回路部とが、印刷法による透明導電膜で形
成された透明導電ガラスを提供することを目的とする。
解消し、硬度が高い表示部あるいは入力部と、抵抗値が
低い引き回し回路部とが、印刷法による透明導電膜で形
成された透明導電ガラスを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、以上の目的
を達成するために、フラットディスプレイまたはタッチ
パネル用の透明導電ガラスを、ガラス基材上に、スズ化
合物とインジウム化合物と溶剤と添加物とからなる下記
Ａの透明導電膜インキにて表示部あるいは入力部を印刷
法で形成し、引き続きあるいは３０〜９０℃で１０秒〜
２０分間乾燥後、スズ化合物とインジウム化合物と溶剤
と添加物とからなる下記Ｂの透明導電膜インキにより引
き回し回路部を印刷法で形成し、その後酸化還元焼成す
るように構成したものである。 Ａ １０＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦２５（原子量比） Ｂ ５＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦１０（原子量比）
を達成するために、フラットディスプレイまたはタッチ
パネル用の透明導電ガラスを、ガラス基材上に、スズ化
合物とインジウム化合物と溶剤と添加物とからなる下記
Ａの透明導電膜インキにて表示部あるいは入力部を印刷
法で形成し、引き続きあるいは３０〜９０℃で１０秒〜
２０分間乾燥後、スズ化合物とインジウム化合物と溶剤
と添加物とからなる下記Ｂの透明導電膜インキにより引
き回し回路部を印刷法で形成し、その後酸化還元焼成す
るように構成したものである。 Ａ １０＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦２５（原子量比） Ｂ ５＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦１０（原子量比）
【００１２】また、透明導電ガラスを、ガラス基材上
に、スズ化合物とアンチモン化合物と溶剤と添加物とか
らなる透明導電膜インキにて表示部あるいは入力部を印
刷法で形成し、引き続きあるいは３０〜９０℃で１０秒
〜２０分間乾燥後、スズ化合物とインジウム化合物と溶
剤と添加物とからなる下記Ｃの透明導電膜インキにより
引き回し回路部を印刷法で形成し、その後酸化還元焼成
するように構成してもよい。 Ｃ ５＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦１０（原子量比）
に、スズ化合物とアンチモン化合物と溶剤と添加物とか
らなる透明導電膜インキにて表示部あるいは入力部を印
刷法で形成し、引き続きあるいは３０〜９０℃で１０秒
〜２０分間乾燥後、スズ化合物とインジウム化合物と溶
剤と添加物とからなる下記Ｃの透明導電膜インキにより
引き回し回路部を印刷法で形成し、その後酸化還元焼成
するように構成してもよい。 Ｃ ５＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦１０（原子量比）
【００１３】また、上記の透明導電ガラスにおいて、印
刷法が、基台の支持枠に回転自在に支持されかつ深さ
１．０〜数１０μｍの多数のインキセルを表面に有する
凹版ロールと、凹版ロールの表面に透明導電膜インキを
供給するインキ供給装置と、支持枠に支持された凹版ロ
ールの周囲所定箇所に備えられ、凹版ロールに供給され
た透明導電膜インキを凹版ロール表面に拡げてインキセ
ル内に一定量の透明導電膜インキを保持させるドクター
と、支持枠の凹版ロールの下方に回転自在に支持されか
つ凹版ロールに接触する凸部を有して凹版ロール表面に
インキセル内の透明導電膜インキを凸部に転移させる印
刷ロールと、支持枠に支持され印刷ロールと凹版ロール
とを同期回転駆動する駆動装置と、基台上に印刷ロール
に接触する印刷位置Ｘと印刷ロールから離れた退避位置
Ｙ、Ｚとの間で移動可能でかつ被印刷体を載置した定盤
と、定盤を上記両位置間で移動させる被印刷体駆動装置
と、印刷ロールの回転と定盤の退避位置Ｙ、Ｚから印刷
位置Ｘへの移動とを制御して印刷ロールの凸部に転移さ
せた透明導電膜インキを被印刷体に印刷させる制御装置
とからなる薄膜形成装置を用いるように構成してもよ
い。
刷法が、基台の支持枠に回転自在に支持されかつ深さ
１．０〜数１０μｍの多数のインキセルを表面に有する
凹版ロールと、凹版ロールの表面に透明導電膜インキを
供給するインキ供給装置と、支持枠に支持された凹版ロ
ールの周囲所定箇所に備えられ、凹版ロールに供給され
た透明導電膜インキを凹版ロール表面に拡げてインキセ
ル内に一定量の透明導電膜インキを保持させるドクター
と、支持枠の凹版ロールの下方に回転自在に支持されか
つ凹版ロールに接触する凸部を有して凹版ロール表面に
インキセル内の透明導電膜インキを凸部に転移させる印
刷ロールと、支持枠に支持され印刷ロールと凹版ロール
とを同期回転駆動する駆動装置と、基台上に印刷ロール
に接触する印刷位置Ｘと印刷ロールから離れた退避位置
Ｙ、Ｚとの間で移動可能でかつ被印刷体を載置した定盤
と、定盤を上記両位置間で移動させる被印刷体駆動装置
と、印刷ロールの回転と定盤の退避位置Ｙ、Ｚから印刷
位置Ｘへの移動とを制御して印刷ロールの凸部に転移さ
せた透明導電膜インキを被印刷体に印刷させる制御装置
とからなる薄膜形成装置を用いるように構成してもよ
い。
【００１４】図面を参照しながらこの発明をさらに詳し
く説明する。図１は、この発明の透明導電ガラスの製造
に用いる薄膜形成装置の一実施例を示す斜視図である。
図中、１は基台、２は支持枠、３は凹版ロール、４は印
刷ロール、５はインキ供給装置、６はドクター、７は凸
部、８は駆動装置、９は定盤、１０は被印刷体駆動装置
をそれぞれ示す。
く説明する。図１は、この発明の透明導電ガラスの製造
に用いる薄膜形成装置の一実施例を示す斜視図である。
図中、１は基台、２は支持枠、３は凹版ロール、４は印
刷ロール、５はインキ供給装置、６はドクター、７は凸
部、８は駆動装置、９は定盤、１０は被印刷体駆動装置
をそれぞれ示す。
【００１５】透明導電膜インキは、スズ化合物とインジ
ウム化合物と溶剤と添加物とからなる。
ウム化合物と溶剤と添加物とからなる。
【００１６】表示部あるいは入力部は、下記Ａの透明導
電膜インキにて形成する。また、引き回し回路部は、下
記Ｂの透明導電膜インキにより形成する。 Ａ １０＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦２５（原子量比） Ｂ ５＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦１０（原子量比）
電膜インキにて形成する。また、引き回し回路部は、下
記Ｂの透明導電膜インキにより形成する。 Ａ １０＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦２５（原子量比） Ｂ ５＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦１０（原子量比）
【００１７】表示部あるいは入力部として、Ａの透明導
電膜インキを用いるのは、導電率および透過率を満足
し、かつ表示部あるいは入力部として必要な硬度を発揮
させるためである。
電膜インキを用いるのは、導電率および透過率を満足
し、かつ表示部あるいは入力部として必要な硬度を発揮
させるためである。
【００１８】スズ比率が１０％以下の場合、表示部や入
力部として用いられる透明導電膜の硬度が不足する。２
５％を越える場合は、キャリア濃度が不足し、多量のス
ズ原子の存在などにより障壁が大きくなり、キャリヤ濃
度の減少や、障壁による移動度の減少にともない抵抗値
が増加する。
力部として用いられる透明導電膜の硬度が不足する。２
５％を越える場合は、キャリア濃度が不足し、多量のス
ズ原子の存在などにより障壁が大きくなり、キャリヤ濃
度の減少や、障壁による移動度の減少にともない抵抗値
が増加する。
【００１９】また、引き回し回路部では透明性は必要な
く、表示部あるいは入力部との電圧降下を防止すること
が重要である。そこで、引き回し回路部として、Ａの透
明導電膜インキよりも低抵抗な組成比率であるＢの透明
導電膜インキを用いる必要がある。引き回し回路部は、
Ｂの透明導電膜インキで形成するが、Ａの透明導電膜イ
ンキにより表示部あるいは入力部と同時に引き回し回路
部を印刷し、Ｂの透明導電膜インキで引き回し回路部を
重ねて印刷してもよい。
く、表示部あるいは入力部との電圧降下を防止すること
が重要である。そこで、引き回し回路部として、Ａの透
明導電膜インキよりも低抵抗な組成比率であるＢの透明
導電膜インキを用いる必要がある。引き回し回路部は、
Ｂの透明導電膜インキで形成するが、Ａの透明導電膜イ
ンキにより表示部あるいは入力部と同時に引き回し回路
部を印刷し、Ｂの透明導電膜インキで引き回し回路部を
重ねて印刷してもよい。
【００２０】スズ比率が５％以下の場合、導電性が悪く
なり硬度の低下を招く。１０％を越える場合は、引き回
し回路部として必要な導電性が不足する。
なり硬度の低下を招く。１０％を越える場合は、引き回
し回路部として必要な導電性が不足する。
【００２１】なお、Ａの透明導電膜インキとして、Ｉｎ
に代えてＳｂと溶剤と添加物とからなるものを用い、透
明導電ガラスの表示部あるいは入力部の形成を行うこと
もできる。このような透明導電インキを用いることによ
り、ＩＴＯなどのインジウム化合物よりも、さらに硬質
な膜を形成することができ、タッチパネルなどの用途に
適したものとなる。なお、この場合の透明導電インキ
は、Ａの透明導電膜インキのような量的規制は受けな
い。
に代えてＳｂと溶剤と添加物とからなるものを用い、透
明導電ガラスの表示部あるいは入力部の形成を行うこと
もできる。このような透明導電インキを用いることによ
り、ＩＴＯなどのインジウム化合物よりも、さらに硬質
な膜を形成することができ、タッチパネルなどの用途に
適したものとなる。なお、この場合の透明導電インキ
は、Ａの透明導電膜インキのような量的規制は受けな
い。
【００２２】引き回し回路部で、さらに低い抵抗値が必
要な場合は、スズ比率だけでなく、インキ濃度を濃くす
ることで対処することができる。ただし、この場合、イ
ンキ濃度は５％以上で調製することが望ましい。これ
は、５％未満の濃度では、形成した膜にピンホールが生
じやすくなるためである。
要な場合は、スズ比率だけでなく、インキ濃度を濃くす
ることで対処することができる。ただし、この場合、イ
ンキ濃度は５％以上で調製することが望ましい。これ
は、５％未満の濃度では、形成した膜にピンホールが生
じやすくなるためである。
【００２３】スズを含んだ化合物として、具体的には、
ＩＴＯ、ＡＴＯなどが用いられる。また、Ｂｉ、Ｂ、
Ｆ、Ｓｉなどの各元素をドープしたものを用いてもよ
い。
ＩＴＯ、ＡＴＯなどが用いられる。また、Ｂｉ、Ｂ、
Ｆ、Ｓｉなどの各元素をドープしたものを用いてもよ
い。
【００２４】溶剤としては、メチルアルコール、エチル
アルコールなどのアルコール、エーテル、ケトン、エス
テル、グリコール、カルビトールなどの有機溶剤を用い
るとよい。
アルコールなどのアルコール、エーテル、ケトン、エス
テル、グリコール、カルビトールなどの有機溶剤を用い
るとよい。
【００２５】添加剤としては、安定化剤として作用する
アセチルアセトン、塩酸、酢酸などの酸、カルボキシメ
チルセルロース（ＣＭＣ）、ニトロセルロースなどを用
いるとよい。
アセチルアセトン、塩酸、酢酸などの酸、カルボキシメ
チルセルロース（ＣＭＣ）、ニトロセルロースなどを用
いるとよい。
【００２６】透明導電膜インキの粘度は、５〜５００
Ｃ．ｐ．に調製されたものを使用するとよい。５Ｃ．
ｐ．未満の場合、パターンが得られなかったり、所定の
膜厚が得られなかったりする。５００Ｃ．ｐ．より大き
い場合、透明導電膜がポーラスとなり、膜の緻密性に欠
けるなどの問題が発生する。
Ｃ．ｐ．に調製されたものを使用するとよい。５Ｃ．
ｐ．未満の場合、パターンが得られなかったり、所定の
膜厚が得られなかったりする。５００Ｃ．ｐ．より大き
い場合、透明導電膜がポーラスとなり、膜の緻密性に欠
けるなどの問題が発生する。
【００２７】印刷法としては、スクリーン印刷法、オフ
セット印刷法、グラビア印刷法などがある。また、薄膜
形成装置を用いることもできる（図１、特公平３−１１
６３０号公報参照）。薄膜形成装置は、基台１の支持枠
２に回転自在に支持されかつ深さ１．０〜数１０μｍの
多数のインキセルを表面に有する凹版ロール３と、凹版
ロール３の表面に透明導電膜インキを供給するインキ供
給装置５と、支持枠２に支持された凹版ロール３の周囲
所定箇所に備えられ、凹版ロール３に供給された透明導
電膜インキを凹版ロール３表面に拡げてインキセル内に
一定量の透明導電膜インキを保持させるドクター６と、
支持枠２の凹版ロール３の下方に回転自在に支持されか
つ凹版ロール３に接触する凸部７を有して凹版ロール３
表面にインキセル内の透明導電膜インキを凸部７に転移
させる印刷ロール４と、支持枠２に支持され印刷ロール
４と凹版ロール３とを同期回転駆動する駆動装置８と、
基台１上に印刷ロール４に接触する印刷位置Ｘと印刷ロ
ール４から離れた退避位置Ｙ、Ｚとの間で移動可能でか
つ被印刷体を載置した定盤９と、定盤９を上記両位置間
で移動させる被印刷体駆動装置１０と、印刷ロール４の
回転と定盤９の退避位置Ｙ、Ｚから印刷位置Ｘへの移動
とを制御して印刷ロール４の凸部７に転移させた透明導
電膜インキを被印刷体に印刷させる制御装置（図示せ
ず）とからなるように構成されている。
セット印刷法、グラビア印刷法などがある。また、薄膜
形成装置を用いることもできる（図１、特公平３−１１
６３０号公報参照）。薄膜形成装置は、基台１の支持枠
２に回転自在に支持されかつ深さ１．０〜数１０μｍの
多数のインキセルを表面に有する凹版ロール３と、凹版
ロール３の表面に透明導電膜インキを供給するインキ供
給装置５と、支持枠２に支持された凹版ロール３の周囲
所定箇所に備えられ、凹版ロール３に供給された透明導
電膜インキを凹版ロール３表面に拡げてインキセル内に
一定量の透明導電膜インキを保持させるドクター６と、
支持枠２の凹版ロール３の下方に回転自在に支持されか
つ凹版ロール３に接触する凸部７を有して凹版ロール３
表面にインキセル内の透明導電膜インキを凸部７に転移
させる印刷ロール４と、支持枠２に支持され印刷ロール
４と凹版ロール３とを同期回転駆動する駆動装置８と、
基台１上に印刷ロール４に接触する印刷位置Ｘと印刷ロ
ール４から離れた退避位置Ｙ、Ｚとの間で移動可能でか
つ被印刷体を載置した定盤９と、定盤９を上記両位置間
で移動させる被印刷体駆動装置１０と、印刷ロール４の
回転と定盤９の退避位置Ｙ、Ｚから印刷位置Ｘへの移動
とを制御して印刷ロール４の凸部７に転移させた透明導
電膜インキを被印刷体に印刷させる制御装置（図示せ
ず）とからなるように構成されている。
【００２８】このような薄膜形成装置を用いることによ
り、透明導電膜の膜厚を容易に制御できる。また、直接
ガラス基材にパターンを形成することができ、エッチン
グなどの工程が不要となる。したがって、エッチングな
どの工程にともなって行われる乾燥のための熱処理を省
略することができるので、熱処理による抵抗値の変動が
なくなる。
り、透明導電膜の膜厚を容易に制御できる。また、直接
ガラス基材にパターンを形成することができ、エッチン
グなどの工程が不要となる。したがって、エッチングな
どの工程にともなって行われる乾燥のための熱処理を省
略することができるので、熱処理による抵抗値の変動が
なくなる。
【００２９】印刷順序は、表示部あるいは入力部を印刷
した後、引き回し回路部を印刷するとよい。パターンの
太りが問題になる場合には、印刷順序を逆にするとよ
い。ここで、パターンの太りとは、連続した印刷工程の
間で初めに印刷された湿った状態のパターンが、設計し
た寸法よりも大きくなることをいう。Ｂの透明導電膜イ
ンキは、Ａの透明導電膜インキよりも高濃度、高精度で
あるため、印刷順序を逆にしてＢの透明導電膜インキを
先に印刷するようにすれば、パターンの太りを最小限に
防ぐことができる。なお、１回目と２回目の印刷は、連
続して行うことが望ましいが、パターンの太りが問題に
なる場合や、作業性の面において連続して印刷できない
場合は、１回目の印刷が終了した後、３０〜９０℃で１
０秒〜２０分間程度の乾燥を行う必要とよい。
した後、引き回し回路部を印刷するとよい。パターンの
太りが問題になる場合には、印刷順序を逆にするとよ
い。ここで、パターンの太りとは、連続した印刷工程の
間で初めに印刷された湿った状態のパターンが、設計し
た寸法よりも大きくなることをいう。Ｂの透明導電膜イ
ンキは、Ａの透明導電膜インキよりも高濃度、高精度で
あるため、印刷順序を逆にしてＢの透明導電膜インキを
先に印刷するようにすれば、パターンの太りを最小限に
防ぐことができる。なお、１回目と２回目の印刷は、連
続して行うことが望ましいが、パターンの太りが問題に
なる場合や、作業性の面において連続して印刷できない
場合は、１回目の印刷が終了した後、３０〜９０℃で１
０秒〜２０分間程度の乾燥を行う必要とよい。
【００３０】
【作用】この発明は、透明導電膜インキとして、表示部
あるいは入力部と、引き回し回路部とで、スズ比率が異
なるＡとＢの２種類の透明導電膜インキを用いるように
構成されている。
あるいは入力部と、引き回し回路部とで、スズ比率が異
なるＡとＢの２種類の透明導電膜インキを用いるように
構成されている。
【００３１】表示部あるいは入力部は、下記Ａの透明導
電膜インキにて形成する。Ａの透明導電膜インキにより
形成される透明導電膜は、表示部や入力部として用いる
ために十分な硬度がある。 Ａ １０＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦２５（原子量比）
電膜インキにて形成する。Ａの透明導電膜インキにより
形成される透明導電膜は、表示部や入力部として用いる
ために十分な硬度がある。 Ａ １０＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦２５（原子量比）
【００３２】また、引き回し回路部は、下記Ｂの透明導
電膜インキにより形成する。Ｂの透明導電膜インキによ
り形成される透明導電膜は、引き回し回路部として用い
るために十分な導電性がある。 Ｂ ５＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦１０（原子量比）
電膜インキにより形成する。Ｂの透明導電膜インキによ
り形成される透明導電膜は、引き回し回路部として用い
るために十分な導電性がある。 Ｂ ５＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦１０（原子量比）
【００３３】したがって、ＡとＢの２種類の透明導電膜
インキを用いることにより、高い硬度が要求される表示
部あるいは入力部と、高い導電性が要求される引き回し
回路部とを別個に印刷法で形成することができる。
インキを用いることにより、高い硬度が要求される表示
部あるいは入力部と、高い導電性が要求される引き回し
回路部とを別個に印刷法で形成することができる。
【００３４】
【実施例】実施例１
入力部に使用する透明導電インキは、オクチル酸スズと
２エチルヘキサン酸インジウムを原子量比でスズ比率２
２％となるように、メチルアルコール３０重量部、エチ
レングリコール５０重量部に混合したものを用いた。
２エチルヘキサン酸インジウムを原子量比でスズ比率２
２％となるように、メチルアルコール３０重量部、エチ
レングリコール５０重量部に混合したものを用いた。
【００３５】引き回し回路部に使用する透明導電インキ
は、オクチル酸スズと２エチルヘキサン酸インジウムを
原子量比でスズ比率１０％となるように、メチルアルコ
ール２０重量部、エチレングリコール４０重量部に混合
したものを用いた。
は、オクチル酸スズと２エチルヘキサン酸インジウムを
原子量比でスズ比率１０％となるように、メチルアルコ
ール２０重量部、エチレングリコール４０重量部に混合
したものを用いた。
【００３６】まず、凹版ロールのインキセルを深度を７
μｍに調整した。凸版はＳＢＳ樹脂で入力部のパターン
と引き回し回路部のパターンの形成されたものを２種類
用意した。凹版ロールおよび入力部のパターンの凸部を
薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製：オングストロ
ーマー（登録商標）インライン型）に取り付け、入力部
用の透明導電膜インキをＳｉＯ２コートしたソーダガラ
ス基板上に印刷した。
μｍに調整した。凸版はＳＢＳ樹脂で入力部のパターン
と引き回し回路部のパターンの形成されたものを２種類
用意した。凹版ロールおよび入力部のパターンの凸部を
薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製：オングストロ
ーマー（登録商標）インライン型）に取り付け、入力部
用の透明導電膜インキをＳｉＯ２コートしたソーダガラ
ス基板上に印刷した。
【００３７】凸部を引き回し回路部のパターンのものに
交換し、引き続いて引き回し回路部用のインキで電極パ
ターンを形成した。
交換し、引き続いて引き回し回路部用のインキで電極パ
ターンを形成した。
【００３８】このガラス基板を８５℃の熱風循環式オー
ブン中で２０分置いて予備乾燥を行った後、真空パージ
式ボックス炉中で酸素流量２リットル／分、昇温速度１
５℃／分で５００℃まで昇温した。このまま３０分保っ
て完全に膜を酸化した後、真空ポンプにて一旦炉内を減
圧にした。ここへ水素を３体積％含む窒素で充填し、１
時間保ったのち、加熱を止め室温まで徐冷して透明導電
膜を得た。
ブン中で２０分置いて予備乾燥を行った後、真空パージ
式ボックス炉中で酸素流量２リットル／分、昇温速度１
５℃／分で５００℃まで昇温した。このまま３０分保っ
て完全に膜を酸化した後、真空ポンプにて一旦炉内を減
圧にした。ここへ水素を３体積％含む窒素で充填し、１
時間保ったのち、加熱を止め室温まで徐冷して透明導電
膜を得た。
【００３９】このようにして得られた透明導電ガラス
は、入力部が、シート抵抗８００Ω／□、透過率（５５
０ｎｍ）９２％、引き回し部が、シート抵抗８０Ω／
□、透過率（５５０ｎｍ）８３％の均一性に優れた透明
導電膜を有するものであった。
は、入力部が、シート抵抗８００Ω／□、透過率（５５
０ｎｍ）９２％、引き回し部が、シート抵抗８０Ω／
□、透過率（５５０ｎｍ）８３％の均一性に優れた透明
導電膜を有するものであった。
【００４０】
【発明の効果】この発明の透明導電ガラスは、上記のよ
うに構成されたものであるので、次のような優れた効果
を有する。
うに構成されたものであるので、次のような優れた効果
を有する。
【００４１】この発明は、透明導電膜インキとして、表
示部あるいは入力部と、引き回し回路部とで、スズ比率
が異なるＡとＢの２種類の透明導電膜インキを用いるよ
うに構成されている。
示部あるいは入力部と、引き回し回路部とで、スズ比率
が異なるＡとＢの２種類の透明導電膜インキを用いるよ
うに構成されている。
【００４２】したがって、硬度が高い表示部あるいは入
力部と、導電性が高い引き回し回路部とが、印刷法によ
る透明導電膜で形成される。
力部と、導電性が高い引き回し回路部とが、印刷法によ
る透明導電膜で形成される。
【図１】この発明の透明導電ガラスの製造に用いること
のできる薄膜形成装置を示す斜視図である。
のできる薄膜形成装置を示す斜視図である。
１ 基台
２ 支持枠
３ 凹版ロール
４ 印刷ロール
５ インキ供給装置
６ ドクター
７ 凸部
８ 駆動装置
９ 定盤
１０ 被印刷体駆動装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｂ
(72)発明者 大栢 伸次
京都府京都市中京区壬生花井町３番地
日本写真印刷株式会社内
(56)参考文献 特開 平６−287027（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C03C 15/00 - 23/00
H01B 5/00 - 5/16
H01B 13/00
B32B 1/00 - 35/00
G02F 1/1333
B41F 17/14
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基材上に、スズ化合物とインジウ
ム化合物と溶剤と添加物とからなる下記Ａの透明導電膜
インキにて表示部あるいは入力部を印刷法で形成し、引
き続きあるいは３０〜９０℃で１０秒〜２０分間乾燥
後、スズ化合物とインジウム化合物と溶剤と添加物とか
らなる下記Ｂの透明導電膜インキにより引き回し回路部
を印刷法で形成し、その後酸化還元焼成することで形成
された透明導電膜を有するフラットディスプレイまたは
タッチパネル用の透明導電ガラス。 Ａ １０＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦２５（原子量比） Ｂ ５＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦１０（原子量比） - 【請求項２】 ガラス基材上に、スズ化合物とアンチモ
ン化合物と溶剤と添加物とからなる透明導電膜インキに
て表示部あるいは入力部を印刷法で形成し、引き続きあ
るいは３０〜９０℃で１０秒〜２０分間乾燥後、スズ化
合物とインジウム化合物と溶剤と添加物とからなる下記
Ｃの透明導電膜インキにより引き回し回路部を印刷法で
形成し、その後酸化還元焼成することで形成された透明
導電膜を有する透明導電ガラス。 Ｃ ５＜（Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ））×１００≦１０（原子量比） - 【請求項３】 印刷法が、基台の支持枠に回転自在に支
持されかつ深さ１．０〜数１０μｍの多数のインキセル
を表面に有する凹版ロールと、凹版ロールの表面に透明
導電膜インキを供給するインキ供給装置と、支持枠に支
持された凹版ロールの周囲所定箇所に備えられ、凹版ロ
ールに供給された透明導電膜インキを凹版ロール表面に
拡げてインキセル内に一定量の透明導電膜インキを保持
させるドクターと、支持枠の凹版ロールの下方に回転自
在に支持されかつ凹版ロールに接触する凸部を有して凹
版ロール表面にインキセル内の透明導電膜インキを凸部
に転移させる印刷ロールと、支持枠に支持され印刷ロー
ルと凹版ロールとを同期回転駆動する駆動装置と、基台
上に印刷ロールに接触する印刷位置Ｘと印刷ロールから
離れた退避位置Ｙ、Ｚとの間で移動可能でかつ被印刷体
を載置した定盤と、定盤を上記両位置間で移動させる被
印刷体駆動装置と、印刷ロールの回転と定盤の退避位置
Ｙ、Ｚから印刷位置Ｘへの移動とを制御して印刷ロール
の凸部に転移させた透明導電膜インキを被印刷体に印刷
させる制御装置とからなる薄膜形成装置を用いる印刷法
である請求項１または２に記載の透明導電ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09869793A JP3414437B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 透明導電ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09869793A JP3414437B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 透明導電ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06287028A JPH06287028A (ja) | 1994-10-11 |
| JP3414437B2 true JP3414437B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=14226705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09869793A Expired - Fee Related JP3414437B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 透明導電ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3414437B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100782378B1 (ko) * | 2006-02-14 | 2007-12-07 | 주식회사 에스에프에이 | 패턴 형성장치 및 방법 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP09869793A patent/JP3414437B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06287028A (ja) | 1994-10-11 |
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