JPH11153550A - 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査方法及び欠陥検査装置Info
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 171
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 144
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 90
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 89
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 11
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 13
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000035199 Tetraploidy Diseases 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Abstract
ーンにおける欠陥を精度良く検出する。 【解決手段】 試料上に形成されたパターンの欠陥を検
出する欠陥検査方法において、試料の光学像をセンサデ
ータとして入力する工程11と、センサデータに対応す
る参照データを入力する工程12と、1つの開口部を含
む矩形領域Rを検査領域として複数の検査領域を指定す
る検査領域データを入力する工程13と、検査領域デー
タで指定される各検査領域毎に、該領域に含まれるセン
サデータと該センサデータに対応する参照データを取り
出し、これらを基に透過率誤差と相対位置ずれを計算す
る工程30と、得られた透過率誤差と相対位置ずれから
透過率欠陥,寸法欠陥,及び相対位置ずれ欠陥を判定す
る工程40とを有する。
Description
わり、特にパターンの形成された半導体製造用のフォト
マスク,レティクル,液晶基板等の試料の欠陥を検出す
るのに適した欠陥検査方法及び欠陥検査装置に関する。
チクルの回路パターンを紫外線や遠紫外線光で縮小して
ウェハに焼き付ける工程を繰り返して製造される。昨今
のDRAMやMPUの高性能化は、半導体集積回路の微
細加工技術によるところが大きく、更なる高性能化の要
求に応えるためには微細加工技術の革新が必要となる。
例えば、レチクルの品質においても、位置精度,寸法精
度,無欠陥等の要求が従来よりも厳しくなってきた。回
路パターン描画技術やマスクプロセス等のレチクル製造
技術の向上に伴い、製造されたレチクルの品質を最終的
に保証するためには検査技術の向上も必須となる。
ンホール等のパターン欠陥の他に、透過率欠陥,寸法欠
陥,パターンの位置ずれ等を検出する必要がある。矩形
開口部であるコンタクトホールのパターンでは、これら
の欠陥がウェハに形成される転写パターンの寸法に大き
な影響を与えるため、欠陥の検出が特に重要となってい
る。例えば、1GビットDRAM世代のデザインルール
はウェハ上で150nm、即ち4倍体マスクで600n
mとなると言われている。これに対し寸法欠陥は20n
m以下という厳しい仕様が必要と考えられており、これ
はコンタクトホールの開口部の透過率欠陥に換算する
と、3%以下となる。
た光学像をテレビカメラ等で画像入力し、この画像デー
タよりコンタクトホールのパターンエッジを求め平均透
過率及び開口部面積を画像処理から求める方法がある。
しかし、この方法ではコンタクトホールの寸法が小さく
なるにつれ、光学像のコントラストの低下のため平均透
過率及び開口部面積を算出する際の相対誤差が大きくな
る。従って現状の検査技術では、透過率欠陥として10
%以下を検出するのは困難となっていた。
らずライン・スペースのパターンに関しても同様に言え
ることである。また、光近接効果補正(OPC)で用い
られるジョグ,セリフ等の微小な補助パターンは十分に
解像された光学像が得られないため、これらの補助パタ
ーンを用いた試料の欠陥検査では、相対誤差が更に大き
くなるおそれがある。
タクトホールやライン・スペースのパターンが小さくな
るに伴い、これらの相対位置ずれ,透過率欠陥,寸法欠
陥等を高い精度で検出するのが困難となっている。ま
た、光近接効果補正(OPC)のために微細なセリフ,
ジョグ等を含んだパターンでは、その欠陥を高い精度で
検出するのが益々困難となっている。
ので、その目的とするところは、コンタクトホールやラ
イン・スペースのパターンにおける欠陥を精度良く検出
することのできる欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供
することにある。
するために本発明は、次のような構成を採用している。
ンの欠陥を検出する欠陥検査方法であって、前記試料の
光学像をセンサデータとして入力する工程と、前記セン
サデータに対応する参照データを入力する工程と、前記
パターンの大きさ及び形状に応じた複数の検査領域毎
に、該領域に含まれるセンサデータと該センサデータに
対応する参照データを取り出し、これらを基に透過率誤
差と相対位置ずれを計算する工程と、前記計算された透
過率誤差と相対位置ずれから透過率欠陥,寸法欠陥,及
び相対位置ずれ欠陥を判定する工程とを含むことを特徴
とする。
ンの欠陥を検出する欠陥検査方法であって、前記試料の
光学像をセンサデータとして入力する工程と、前記セン
サデータに対応する参照データを入力する工程と、前記
パターンの大きさ及び形状に応じた複数の検査領域毎
に、該領域に含まれるセンサデータと該センサデータに
対応する参照データを取り出し、これらを基に透過率誤
差と相対位置ずれを計算する工程と、前記計算された相
対位置ずれを用いて前記参照データとセンサデータの位
置合わせを行う工程と、前記位置合わせされた前記参照
データとセンサデータにより前記透過率誤差と相対位置
ずれを再計算する工程と、前記再計算された透過率誤差
と相対位置ずれから透過率欠陥,寸法欠陥,及び相対位
置ずれ欠陥を判定する工程とを含むことを特徴とする。
は次のものがあげられる。
ーンの大きさ及び形状に応じた複数の検査領域を指定す
る検査領域データを入力する工程を有すること。
データに対する被検査パターンを探索する工程を有する
こと。
て、少なくとも1つの開口部を含む矩形領域を検査領域
として入力すること。
一致させ、かつ矩形領域が開口部を含み、かつ近接した
他の開口部を含まないような矩形領域の配列として検査
領域を入力すること。
工程として、開口部がコンタクトホールである場合、少
なくとも3つの独立な座標(x,y)におけるセンサデ
ータをS(x,y) 、前記参照データをU(x,y) 、参照デー
タのX方向微分値を dU/dx、参照データのY方向微分値
を dU/dyとして、透過率誤差ε及び相対位置ずれx0,
y0 を未知数とする下記の式 で表される連立1次方程式を解くこと。
工程として、矩形領域のうち、試料の遮光部内部に対応
する領域を除いた座標において、(式1)で表される方
程式を最小自乗法によって解くこと。
工程として、開口部がライン・スペースである場合、少
なくとも2つの独立な座標(x,y)におけるセンサデ
ータをS(x,y) 、参照データをU(x,y) 、参照データの
前記ライン・スペースに直交する方向の微分値を dU/dl
として、透過率誤差ε及び相対位置ずれl0 を未知数と
する下記の式 で表される連立1次方程式を解くこと。
工程として、矩形領域のうち、試料の遮光部内部に対応
する領域を除いた座標において、(式2)で表される方
程式を最小自乗法によって解くこと。
工程として、開口部がコンタクトホールである場合、少
なくとも3つの独立な座標(x,y)におけるセンサデ
ータをS(x,y) 、第1の基準データをR1 (x,y) 、第1
の基準データのX方向微分値をdR1/dx、第1の基準デー
タのY方向微分値をdR1/dyとして、第1の透過率誤差ε
1 及び第1の相対位置ずれx0 ,y0 を未知数とする下
記の(式3)で表される連立1次方程式を解き、さらに
参照データをU(x,y) 、第2の基準データをR2 (x,y)
、第2の基準データのX方向微分値をdR2/dx、第2の
基準データのY方向微分値をdR2/dyとして、第2の透過
率誤差ε2 及び第1の相対位置ずれx0 ,y0 を未知数
とする下記の(式4)で表される連立1次方程式を解
き、第1の透過率誤差から第2の透過率誤差を引いてε
1 −ε2 を求め、第1の相対位置ずれから第2の相対位
置ずれを引いて(x 0 −x 0 ,y 0 −y 0 )を求めるこ
と。
て、開口部がライン・スペースである場合、少なくとも
2つの独立な座標(x,y)におけるセンサデータをS
(x,y) 、第1の基準データをR1 (x,y) 第1の基準デー
タのライン・スペースに直交する方向の微分値をdR1/dl
として、第1の透過率誤差ε1 及びライン・スペースに
直交する方向の相対位置ずれl 0 を未知数とする下記の
(式5)で表される連立1次方程式を解き、さらに参照
データをU(x,y) 、第2の基準データをR2 (x,y) 、第
2の基準データのライン・スペースに直交する方向の微
分値をdR2/dlとして、第2の透過率誤差ε2 及びライン
・スペースに直交する方向の相対位置ずれl 0 を未知数
とする下記の(式6)で表される連立1次方程式を解
き、第1の透過率誤差から第2の透過率誤差を引いてε
1 −ε2 を求め、第1の相対位置ずれから第2の相対位
置ずれを引いて(l 0 −l 0 )を求めること。
であること。この場合、検査はダイツーデータベース比
較検査となる。
て得られるセンサデータであること。この場合、検査は
ダイツーダイ比較検査となる。
ンの欠陥を検査する欠陥検査装置であって、前記試料の
光学像を検出して得られるセンサデータを記憶するセン
サデータ記憶部と、前記センサデータに対応する参照デ
ータを記憶する参照データ記憶部と、前記パターンの大
きさ及び形状に応じた複数の検査領域毎に該領域に含ま
れるセンサデータと参照データを取り出し、これらを基
に透過率誤差と相対位置ずれを計算する計算手段と、こ
の計算手段により計算された透過率誤差と前記相対位置
ずれから透過率欠陥,寸法欠陥,及び相対位置ずれ欠陥
を判定する欠陥判定手段とを具備してなることを特徴と
する。
ンの欠陥を検査する欠陥検査装置であって、前記試料の
光学像を検出して得られるセンサデータを記憶するセン
サデータ記憶部と、前記センサデータに対応する参照デ
ータを記憶する参照データ記憶部と、前記パターンの大
きさ及び形状に応じた複数の検査領域毎に該領域に含ま
れるセンサデータと参照データを取り出し、これらを基
に透過率誤差と相対位置ずれを計算する計算手段と、こ
の計算手段で計算された相対位置ずれを用いて前記参照
データとセンサデータの位置合わせを行う手段と、この
位置合わせ手段で位置合わせされた前記参照データとセ
ンサデータにより前記透過率誤差と相対位置ずれを再計
算する再計算手段と、この再計算手段により計算された
透過率誤差と前記相対位置ずれから透過率欠陥,寸法欠
陥,及び相対位置ずれ欠陥を判定する欠陥判定手段とを
具備してなることを特徴とする。
説明した (1)〜(12)と同様の実施態様を採用するのが望
ましい。
れるセンサデータと参照データを基に透過率誤差と相対
位置ずれを計算し、得られた透過率誤差と相対位置ずれ
から透過率欠陥,寸法欠陥,及び相対位置ずれ欠陥を判
定することにより、コンタクトホールやライン・スペー
ス上の欠陥を高い精度で検出することが可能となる。さ
らに、OPCのためにジョグ,セリフ等の微小な補助パ
ターンを設けたパターンであっても誤差が大きくなる等
の不都合はない。従って、1GビットDRAM等の次世
代のデバイスの欠陥検出にも十分対応でき、その有用性
は大である。
形態によって説明する。
の実施形態に係わる欠陥検査方法の基本動作をブロック
化して示す図である。
憶工程21,22と、展開工程23と、計算工程30
と、判定工程40と、出力工程50とからなる。入力工
程11では試料の光学像をセンサデータとして入力し、
入力工程12ではセンサデータに対応する参照データを
入力し、入力工程13では検査領域を指定するデータを
入力する。
しては、センサデータに対応する設計データでもよい
し、試料の光学像を検出して得られるセンサデータでも
よい。参照データとしてセンサデータを利用する場合、
センサデータは工程11で入力されることから、必ずし
も参照データを入力する工程12を独立に設ける必要は
ない。また、工程13では、パターンの寸法や形状等に
応じて複数の検査領域を指定するため、各々の検査領域
をマップ化した検査領域マップを検査領域データとして
入力する。
リに記憶し、記憶工程22では参照データを画像メモリ
に記憶する。展開工程23では、検査領域データから検
査マップを展開する。計算工程30では、検査領域マッ
プで指定される各検査領域毎に、該領域に含まれるセン
サデータと参照データを取り出し、透過率誤差と相対位
置ずれを計算する。判定工程40では、計算された透過
率誤差と相対位置ずれから透過率欠陥,寸法欠陥,及び
相対位置ずれ欠陥を判定する。そして、出力工程50で
は、欠陥座標及び欠陥種類を出力する。
口部)81が2次元アレイ状に配置されたものを検査す
ることを考える。コンタクトホール81の形状は矩形に
限定されるものではなく、光近接効果補正(OPC)の
ジョグやセリフ等の補助パターンの付加されたものでも
よい。図3に、コンタクトホール81のエッジ部にセリ
フ82が形成された例を示す。
に配置されていなくてもよく、コンタクトホールの寸法
も一定である必要はない。また、回路パターンを形成す
る試料の遮光膜の材質としては、通常のクロム以外にモ
リブデンシリサイド等各種の位相シフトマスクに用いら
れるものであってもよい。
する矩形領域Rで、且つこの矩形領域Rの重心がコンタ
クトホールの重心とほぼ一致するようなものを設ける。
ここで、矩形領域Rを成す矩形の二辺の寸法lx ,ly
として、矩形領域Rが近接した他のコンタクトホールを
含まないようなものをとる。そのためにはコンタクトホ
ールの二辺の寸法をX方向にdx 、Y方向にdy とし、
また近接したコンタクトホールとの最小ピッチをX方向
にpx 、Y方向にpy とすると、次の(式7)及び(式
8)に示すように矩形領域Rの二辺の寸法lx ,ly を
とればよい。
性が得られる。また、必要な計算はコンタクトホールの
ある領域のみを選択して行えばよい。これは、画像全体
に一定のサイズのウインドウを走査させ、そのウインド
ウの内部のセンサデータと参照データを処理して検査す
る方法と比べて、必要な計算回数を大きく減らすことが
できる。
均相対位置ずれを検査する場合には、上記のような1つ
の開口部のみを含むような矩形領域をとる以外に、複数
の開口部を含むような矩形領域Rをとり、この領域に対
して透過率誤差と相対位置ずれの測定を行う。
イ(die-to-die)比較検査とダイツーデータベース(di
e-to-database )比較検査があり、前者は同じ2つのセ
ンサ画像同士を比較するもので、後者はセンサデータを
対応する設計データと比較するものである。前者の方が
装置構成が簡単ですむが、後者の方が隣り合ったコンタ
クトホールの共通欠陥でも確実に検出できるので現在全
世界で50〜75%程度がダイツーデータベース方式と
言われている。本発明は、ダイツーダイ方式にもダイツ
ーデータベース方式にも適用が可能である。
ダイツーダイ方式では隣り合ったマスクパターンのセン
サデータを用い、ダイツーデータベース方式では設計デ
ータを用いればよい。他方、ダイツーダイ方式は、セン
サデータと参照データ共に同じセンサで撮像したデータ
であるので、像のプロファイルに十分な一致度が得ら
れ、欠陥の検出精度が高い。ダイツーデータベース方式
は、参照データを設計データから発生しているため、セ
ンサデータのようにノイズが乗ることがない点で有利で
ある。
照データU(x,y) の関係を示す。ここで、(x0 ,
y0 )は参照データU(x,y) に対するセンサデータS
(x,y) の位置ずれ量であり、εは試料の透過率誤差であ
る。
いとすると、線形化により次の(式10)が近似式として
得られる。
過率誤差εに対し、矩形領域Rに含まれる画素のセンサ
データと参照データを用いて最小自乗法で計算すればよ
い。開口部がコンタクトホールである場合、未知数が
ε,x0 ,y0 であるため、少なくとも3つの独立な座
標(x,y)において(式10)を解けばよい。以下、そ
の計算の方法を説明する。
素の参照データU(i,j)とセンサデータS(i,
j)の2次元配列を入力する。w,uを次の(式11)及
び(式12)で定義する。
例えば次の(式13)及び(式14)により計算する。
方向微分値dU/dx 及びY方向微分値dU/dy が全て0に近
い場合、即ちレクチルの遮光部内部にある画素の参照デ
ータとセンサデータはこの計算に寄与しないので、省略
することができる。そのためには、参照データU(i,j)
,X方向微分値dU/dx 及びY方向微分値dU/dy の絶対
値が共に適当なスレショルドを越えない場合に遮光部と
判定することができる。
立一次方程式で表される。
は次の(式17)及び(式18)で、ベクトルbは次の(式
19)及び(式20)により定義される。
去法等で容易に解くことができ、位置ずれ量(x0 ,y
0 )及び透過率誤差εが求められる。この計算は、最小
自乗法による一種の統計計算であるので、従来の画像エ
ッジを求める方法と比べセンサデータのノイズ等の影響
を受けにくい長所がある。欠陥の判定は、位置ずれ量及
び透過率誤差が予め設定されたスレショルドを越える場
合に欠陥として出力すればよい。
れ,透過率欠陥,及び寸法欠陥に対し適用した結果を示
す。前記図2に示したようにコンタクトホールが2次元
アレイ状に配置されている。この例では、コンタクトホ
ールのサイズは6画素幅になっている。図4に、コンタ
クトホールの相対位置ずれ,透過率欠陥,寸法欠陥があ
る場合を示す。
置ずれを生じた場合(case−1)を図4(a)に示
す。中央のコンタクトホールのみX方向に1画素、Y方
向に1画素ずれたものである。この場合の結果を図5に
示す。図5の(a)は透過率誤差分布、(b)はX方向
位置ずれ分布、(c)はY方向位置ずれ分布である。こ
れらから、透過率誤差分布は位置ずれの影響を受けてい
ないこと、またX方向位置ずれ及びY方向位置ずれが正
しく求められていることが分る。
を、図4(b)に示す。中央のコンタクトホールのみが
5%の透過率低下が生じたものである。この場合の結果
を図6に示す。図6の(a)は透過率誤差分布、(b)
はX方向位置ずれ分布、(c)はY方向位置ずれ分布で
ある。これらから、X方向位置ずれ分布及びY方向位置
ずれ分布は透過率誤差の影響を受けていないこと、また
透過率誤差が正しく求められていることが分る。
を、図4(c)に示す。中央のコンタクトホールのみが
0.25画素だけ寸法(CD)が減少したものである。
この場合の結果を図7に示す。図7の(a)は透過率誤
差分布、(b)はX方向位置ずれ分布、(c)はY方向
位置ずれ分布である。これらから、寸法欠陥も面積が減
少することにより透過率誤差として検出できることが分
る。
ついて説明する。ここで、ライン・スペースの寸法は一
定である必要はない。ライン・スペースの方向をY方向
としても一般性を失わないので、以下はこの前提で考え
る。
ペース部の透過率誤差、又は寸法欠陥と相対位置ずれを
同様に求めることができる。この場合、上で説明したコ
ンタクトホールの長辺をY方向として、この長辺を延ば
したと考えることができる。X方向にlx の幅を有する
矩形領域Rで、かつこの矩形領域Rの中心線がスペース
の中心線とほぼ一致するようなものを設ける。このよう
な矩形領域Rをとることで計算の安定性が得られる。こ
こで、矩形領域Rを成す矩形辺の寸法lx として、矩形
領域が近接した他を含まないようなものをとる。そのた
めには、スペース幅寸法をdx とし、また近接したライ
ン・スペースとの最小ピッチをpx とすると、次の(式
21)に示すように前記矩形領域RのX方向の寸法lx を
とればよい。また、Y方向の寸法はライン・スペースの
全体を覆うようにとっても、一部のみをとってもよい。
向)の位置ずれx0 のみを計算すればよい。つまり、前
記(式10)は次の(式22)に置き換えられる。
ε,x0 であるため、少なくとも2つの独立な座標
(x,y)において(式22)を解けばよい。
4)で定義する。
より計算する。
る。
は次の(式28)及び(式29)で、ベクトルbは次の(式
30)及び(式31)により定義される。
き、位置ずれ量x0 及び透過率誤差εが求められる。こ
の場合も、コンタクトホールの相対位置ずれ,透過率欠
陥,寸法欠陥が正しく求められていることが確認され
た。
に応じた検査領域を矩形領域Rに設定し、各矩形領域R
毎にセンサデータと参照データの関係を(式9)のよう
に定義し、さらに(式10)(式22)のように線形化し、
これを満たす位置ずれ量(x0 ,y0 )及び透過率誤差
εを最小自乗法で計算することにより、コンタクトホー
ルやライン・スペースの相対位置ずれ,透過率欠陥,寸
法欠陥を精度良く求めることができる。さらに、OPC
のためにジョグ,セリフ等の微小な補助パターンを設け
たパターンであっても、計算結果による誤差が大きくな
る等の不都合はない。従って、フォトマスク,レティク
ル,液晶基板等の試料上の従来検出が困難であったコン
タクトホールやライン・スペース上の欠陥を高い精度で
検出することが可能となり、例えば1GビットDRAM
等の次世代のデバイスの欠陥検出にも十分対応すること
ができる。
の実施形態に係わる欠陥検査方法の基本動作をブロック
化して示す図である。なお、図1と同一部分には同一符
号を付して、その詳しい説明は省略する。
る点は、透過率誤差,相対位置ずれを計算する工程30
を行った後で透過率欠陥,寸法欠陥,相対位置ずれ欠陥
を判定する工程40を行う前に、相対位置ずれを補正す
る工程60と透過率誤差,相対位置ずれを再計算する工
程30’を行うことにある。
(x0 ,y0 )を用いて参照データを位置補正し、位置
ずれ量(x0 ,y0 )及び透過率誤差εを求める計算工
程30をもう一度繰り返す。これにより、透過率誤差ε
の計算精度を更に向上させることができる。
わりに、例えば次の(式32)に示すS’を用いればよ
い。
y の代わりに、例えば次の(式33)(式34)(式35)に
示すU’,dU'/dx,dU'/dyを用いればよい。
補正すればよい。これに対し、第2の方法はU,dU/dx
,dU/dy の3者を計算する必要があり、実際の計算を
行う場合には第1の方法の方が有利である。また、ライ
ン・スペースパターンの位置補正も上記と同様にして行
うことができる。
実施形態について説明する。先にも説明したように、本
実施形態も、ダイツーダイ方式及びダイツーデータベー
ス方式のいずれにも適用が可能である。
明する。まず、被検査パターン3と一致するものを参照
データから探索する。例えば、参照データ1や参照デー
タ2がその例である。次いで、被検査パターンと一致し
たパターンのxy座標を出力する。例えば、参照データ
1に対しては座標(x1 ,y1 )、参照データ2に対し
ては座標(x2 ,y2 )となる。
するセンサデータを切り出すことができる。図10で
は、透過率欠陥に対応する参照データ1及びセンサデー
タ1’と、位置ずれ欠陥に対応する参照データ2及びセ
ンサデータ2’を示している。従って、参照データ4の
ように、大きさや形状の異なるパターンは探索の対象か
ら外れる。しかし、このような場合も複数の種類のテン
プレートと、テンプレートの種類に応じて透過率誤差と
相対位置ずれを計算する手段と、テンプレートの種類に
応じて前記透過率誤差と前記相対位置ずれから透過率欠
陥及び相対位置ずれ欠陥等の欠陥を判定する手段を備え
れば検査することができる。
ために、予め基準となる参照パターンを入力しておき、
この参照パターンに対するセンサデータの平均透過率誤
差と相対位置ずれを計算している。
ンサデータを代表として選択しても良いし、設計データ
から発生しても良い。前者の方法では、センサデータと
テンプレート共に同じセンサで撮像したデータであるの
で、像のプロファイルに十分な一致度が得られ、欠陥の
検出精度が高いが、後者の方式はテンプレートを設計デ
ータから発生しているためセンサデータのようにノイズ
が乗ることが無い点で有利である。
説明する。センサデータS(x,y) と参照データU(x,y)
の関係は前記(式9)であり、(x0 ,y0 )及びεが
十分に小さいとすると、線形化により前記(式10)が近
似式として得られる。この(式10)を満たす位置ずれ量
(x0 ,y0 )及び透過率誤差εに対し被検査パターン
領域に含まれる画素のセンサデータと参照パターンを用
いて最小自乗法で計算すれば良い。同様に、ライン・ス
ペース系パターンに対しても、ライン・スペースがy軸
と成す角をθと定義すると、 となり、ライン・スペースに直交する方向の微分値は
(式37)のように dU/dlとなり、透過率誤差ε及びライ
ン・スペースに直交する方向の相対位置ずれは次の(式
38)のようにl0 となる。
は先の第1の実施形態と同様にすればよい。
法の基本動作をブロック化して示す第1の構成例であ
り、データ入力工程111,112と、データ記憶工程
121,122と、探索工程124と、計算工程130
と、判定工程140と、出力工程150とからなる。
り試料の光学像をセンサデータとして入力し、データ入
力工程112ではセンサデータに対応する参照データを
入力する。データ記憶工程121ではセンサデータを画
像メモリに記憶し、データ記憶工程122では参照デー
タを画像メモリに記憶する。探索工程124では、参照
データを画像メモリから入力し、検査すべき被検査パタ
ーンとのパターンマッチングを行い、一致した場合には
被検査パターンの位置を求める。
の位置を入力し、参照データに対応するセンサデータか
ら、この被検査パターンに対応する領域を切り出し、平
均透過率誤差と相対位置ずれを計算する。判定工程14
0では、平均透過率誤差と相対位置ずれが許容範囲から
外れているか否かを判断し、外れている場合は欠陥と判
定する。出力工程150では、欠陥座標と欠陥種類を出
力する。
法の基本動作をブロック化して示す第2の構成例であ
り、基本的には図11と同様である。図11と異なる点
は、計算工程130と判定工程140の間に位置補正工
程160と再計算工程130’が挿入されていることで
ある。
(x0 ,y0 )を用いてセンサデータを位置補正した
後、位置ずれ量(x0 ,y0 )及び透過率誤差εを再計
算している。これにより、透過率誤差εの計算精度をさ
らに向上させることができる。但し、この位置補正工程
160と再計算工程130’は位置ずれが十分に小さい
場合には行う必要はない。また、位置補正工程160と
再計算工程130’を省略すれば、検査速度の向上が可
能となる。
置の回路構成を示すブロック図である。この装置は、セ
ンサデータバッファ171と、参照データバッファ17
2と、透過率欠陥検出部173と、パターンマッチング
部174と、コントローラ175と、ファースト・イン
・ファースト・アウト(FIFO)メモリ176と、欠
陥情報メモリ177から構成される。
ータを記憶しておき、参照データバッファ172にはセ
ンサデータに対応する参照データを記憶しておく。パタ
ーンマッチング部174は、参照データを入力して被検
査パターンとパターンマッチングすることにより、被検
査パターンと一致するパターンが画像平面にあるかを探
索して、もしある場合にはどこにあるかをFIFOメモ
リ176に書き込む。コントローラ175はFIFOメ
モリ176に座標が書き込まれたかを監視しており、書
き込まれた場合はその座標を透過率欠陥検出部173に
渡す。
バッファ171から後述するバレルシフタを用いて被検
査パターンに対応する領域を切り出す。同時に、参照デ
ータバッファ172からもバレルシフタを用いて被検査
パターンに対応する領域を切り出し、センサデータと参
照データの両者を用いて透過率誤差と位置ずれの計算を
行う。そして、計算された透過率誤差及び位置ずれ誤差
に基づき欠陥か否かを判定する。欠陥であると判定され
た場合は、欠陥情報メモリ177に欠陥座標と欠陥種類
等を書き込む。
絶対値の総和を用いるものや、整合フィルタを用いるも
のなどがある。整合フィルタによるパターンマッチング
の詳細は、例えば文献(土井、安藤著「画像信号処理
論」pp.163-166)に記述されている。
選択では、各々の画素を中心として前記テンプレートに
対する整合フィルタの出力があるスレッショルドを超え
た第1の場合と、前記中心画素の近傍3×3画素内で整
合フィルタの出力が最大となる第2の場合、が共に成り
立つときに画素の座標を被検査パターンの位置としてF
IFOメモリ176に出力することが考えられる。これ
により、被検査パターンと最も一致する候補だけを検出
することができ、効率的な検査ができる。また、ライン
・スペース系のパターンに対しては、前記中心画素3×
3画素のうちでライン・スペースに直交する方向の画素
だけに対して最大となるものを選べばよい。
例を示す。この検出部は、参照パターン記憶部190
と、微分演算部191と、積和演算部192と、位置補
正部193と、総和演算部196と、行列演算部197
と、欠陥判定部198から構成される。センサデータバ
ッファ171からバレルシフタ178を用いて被検査パ
ターンに対応する領域を切り出し、位置補正部193に
与える。参照パターン記憶部190には参照データバッ
ファ172が含まれており、参照データバッファ172
からバレルシフタを用いて被検査パターンに対応する領
域を切り出し、微分演算部191に与えるようになって
いる。
被検査パターンの大きさを画素ピッチで割ったものより
も大きく取ればよい。この例では、最大16×16画素
の領域に含まれる被検査パターンの透過率誤差と位置ず
れ量を計算する場合を示している。参照パターンは空間
微分を行うため、18×18画素の画像を記憶する必要
がある。また、センサデータも以下に述べる位置補正の
ため18×18の画像を切り出すようにする必要があ
る。
192の具体的な構成例を示す。参照パターン記憶部1
90は基準となる参照パターンを各ライン毎に予め記憶
しておく。微分演算部191は、センサデータバッファ
と同時に読み出される参照パターンを入力して注目する
画素の濃淡値u1 、及びX方向の空間微分u2 、Y方向
の空間微分u3 を計算する。位置補正部193は、セン
サデータに二次元有限応答フィルタ(FIR)をかける
ことにより補正を行う。フィルタ係数は位置ずれに応じ
て設定される。
置補正されたセンサデータs1 を入力して(u1 −
s1 )に対し、u1 ,u2 ,u3 との積和w1 ,w2 ,
w3 をパイプライン演算によりそれぞれ計算している。
そして、前記総和演算部196は次の(式40)に示すよ
うに各ラインで行われた上記積和演算結果の総和w 1 ,
w2 ,w3 を求めている。
に、w 1 ,w 2 ,w 3 に3×3の行列Aをかけ算して、
v1 ,v2 ,v3 を求めている。v1 ,v2 ,v3 はそ
れぞれ透過率誤差εと位置ずれ量x0 ,y0 である。こ
の行列Aは(式42)に示すように、u1 ,u2 ,u3 の
相互相関行列の逆行列である。このように高速処理を必
要とする場合には、この逆行列は前もって計算してお
く。被検査パターンの異なる複数の形状や寸法のパター
ンを検査する場合には、それぞれに対応する逆行列を記
憶するメモリを用意しておけばよい。
絶対値の大小をもって欠陥か否かを判定する。行列演算
部197と欠陥判定部198の具体的回路構成を、図1
6に示す。前に述べたように、一旦計算された相対位置
ずれ(x0 ,y0 )を用いてセンサデータを位置補正し
て再計算することにより、透過率誤差の計算精度を向上
することができる。また、位置補正は次の(式43)に示
すように、座標(i,j)のセンサデータを求めるた
め、この画素を中心とする3×3領域のセンサデータに
位置補正部193のFIRの係数αxyは相対位置ずれ
(x0 ,y0 )により可変となるようにする。
りではなく、ライン・スペースのようなパターンに対し
ても行列Aを適当に設定することにより適用できる。
例を示す。この回路は、センサデータと参照データの透
過率誤差及び相対位置ずれを直接計算する代わりに、セ
ンサデータと第1の基準データとで第1の透過率誤差及
び第1の相対位置ずれを求め、参照データと第2の基準
データとで第2の透過率誤差及び第2の相対位置ずれを
求め、それぞれの差を求めることで、透過率誤差と位置
ずれ量を計算している。ここで、第1の基準データはセ
ンサデータ、第2の基準データは参照データから選択す
る。
7までの構成要素が2組設けられ、一方の組でセンサデ
ータと第1の基準データから第1の透過率誤差及び第1
の相対位置ずれが求められ、他方の組みで参照データと
第2の基準データから第2の透過率誤差及び第2の相対
位置ずれが求められる。そして、それぞれの差を求める
ことで、欠陥判定部198により透過率誤差と位置ずれ
量が求められる。
場合、少なくとも3つの独立な座標(x,y)における
センサデータをS(x,y) 、第1の基準データをR1 (x,
y) 、第1の基準データのX方向微分値をdR1/dx、第1
の基準データのY方向微分値をdR1/dyとして、第1の透
過率誤差ε1 及び第1の相対位置ずれx 0 ,y 0 を未知
数とする式 ε1 ・R1 (x,y) +x 0 ・dR1/dx +y 0 ・dR1/dy =R1 (x,y) −S(x,y) …(式44) で表される連立1次方程式を解き、さらに参照データを
U(x,y) 、第2の基準データをR2 (x,y) 、第2の基準
データのX方向微分値をdR2/dx、第2の基準データのY
方向微分値をdR2/dyとして、第2の透過率誤差ε2 及び
第1の相対位置ずれx 0 ,y 0 を未知数とする式 ε2 ・R2 (x,y) +x 0 ・dR2/dx +y 0 ・dR2/dy =R2 (x,y) −U(x,y) …(式45) で表される連立1次方程式を解き、第1の透過率誤差か
ら第2の透過率誤差を引いてε1 −ε2 を求め、第1の
相対位置ずれから第2の相対位置ずれを引いて(x 0 −
x 0 ,y 0 −y 0 )を求める。
合、少なくとも2つの独立な座標(x,y)におけるセ
ンサデータをS(x,y) 、第1の基準データをR1 (x,y)
第1の基準データのライン・スペースに直交する方向の
微分値をdR1/dlとして、第1の透過率誤差ε1 及びライ
ン・スペースに直交する方向の相対位置ずれl 0 を未知
数とする式 ε1 ・R1 (x,y) +l 0 ・dR1/dl =R1 (x,y) −S(x,y) …(式46) で表される連立1次方程式を解き、さらに参照データを
U(x,y) 、第2の基準データをR2 (x,y) 、第2の基準
データのライン・スペースに直交する方向の微分値をdR
2/dlとして、第2の透過率誤差ε2 及びライン・スペー
スに直交する方向の相対位置ずれl 0 を未知数とする式 ε2 ・R2 (x,y) +l 0 ・dR2/dl =R2 (x,y) −U(x,y) …(式47) で表される連立1次方程式を解き、第1の透過率誤差か
ら第2の透過率誤差を引いてε1 −ε2 を求め、第1の
相対位置ずれから第2の相対位置ずれを引いて(l 0 −
l 0 )を求める。
4に示した第1の構成例の場合と異なり、参照データの
透過率誤差と相対位置ずれを計算して、それらをセンサ
データから計算した透過率誤差と相対位置ずれから相殺
することができるため、被検査パターンの形状や寸法が
限定されてしまうことが無く、光近接効果補正のように
線幅に微小なバイアスを加えたものに対しても適用する
ことができる。
エッジ等の位置を検出する必要が無く、従来検出が困難
とされてきた、透過率欠陥や寸法欠陥などの微小欠陥を
しかも高速に検出することができる。
4の実施形態に係わる欠陥検査方法の基本動作をブロッ
ク化して示す構成例である。なお、図11及び図12と
同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略
する。
タを入力する工程111と、センサデータに対応する参
照データを入力する工程112と、これらのデータを画
像メモリに記憶するデータ記憶工程121,122と、
画像メモリに記憶された参照データに基づいて被検査パ
ターンを探索する探索工程124と、二次元パターンの
形状及び大きさに応じて参照データとセンサデータを切
り出して透過率誤差と相対位置ずれを計算する計算工程
130と、センサデータの倍率誤差を補正する補正工程
165と、センサデータの倍率誤差を補正した後に透過
率欠陥や相対位置ずれ欠陥を判定する判定工程140
と、欠陥座標及び欠陥種類を出力する出力工程150と
から構成される。
の像歪みやセンサ歪みによるもので、先に述べたように
高感度な検査を行うためにはこの倍率誤差を相殺して欠
陥判定する必要がある。図19に示すように、ラインセ
ンサ201は光学系視野202の中に配置されている。
ラインセンサ201の電気的走査はY軸方向であり、ま
た試料の機械的走査方向はX軸方向である。一般に、光
学系は視野中心に対し周辺に像歪みが生じる傾向がある
ため、ラインセンサの中央で撮像した画像と両端の近く
で撮像した画像は倍率に誤差が生じることになる。ま
た、倍率誤差はラインセンサと光学視野の位置だけで決
まるものであるから、一旦倍率誤差を各画素毎に求めれ
ば、検査パターンなどが変わっても不変である。
ぼ等間隔で配置した二次元パターンを有する試料を撮像
したセンサデータと参照データから、二次元パターン毎
に計算された透過率誤差をもって推定される倍率誤差を
ラインセンサ201毎に記憶しておく。センサ画素毎の
倍率誤差は、等間隔に配置された二次元パターンに対応
する複数の透過率誤差のY方向の分布を内挿して求める
ことができる。
に配置したものを用いてもよい。また、長細い矩形やX
軸方向に平行なライン/スペースパターンを用いてもよ
い。さらに、複数の開口パターンで倍率誤差を計算し、
それらの平均値を取ることにより二次元パターンの加工
誤差の影響を除くことも望ましい。
小をもって欠陥の有無を判定する工程140を有する。
図20で倍率誤差を説明する。センサデータ211は参
照データ210に対しY軸方向にεの倍率誤差が生じて
いるとすると、参照データの寸法がLに対しセンサデー
タは寸法L(1+ε)になっていることが分かる。従っ
て、倍率誤差を補正しないと、高感度な寸法検査ができ
ないことになる。εを求めることが可能となるので、画
素毎に予め倍率誤差を求めて記憶しておけばよい。倍率
誤差の補正は、透過率誤差,相対位置ずれと共に、被検
査パターンを探索し足し算された透過率誤差に対して、
被検査パターンを探索した結果得られたパターン位置を
入力し、パターン位置に対応する画素の倍率誤差を引き
算することにより、像歪みを相殺して欠陥の有無を判定
する。
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。
ンタクトホールやライン・スペースのパターンにおける
欠陥を計算により求めることができ、従来検出が困難で
あった微小なコンタクトホールやライン・スペース上の
欠陥を高い精度で検出することが可能となる。従って、
今後益々微細化が望まれるフォトマスク,レティクル,
液晶基板等の試料上のパターン欠陥検査に十分対処する
ことができ、その有用性は大である。
作をブロック化して示す図。
領域Rの位置関係を示す図。
れた例を示す図。
方向位置ずれ分布を示す図。
向位置ずれ分布を示す図。
位置ずれ分布を示す図。
形領域Rの位置関係を示す図。
作をブロック化して示す図。
動作をブロック化して示す図。
動作をブロック化して示す図。
示す図。
示す図。
動作をブロック化して示す図。
工程 40,140…欠陥判定工程 50,150…欠陥座標,種類の出力工程 60,160…透過率誤差,相対位置ずれの補正工程 81…コンタクトホール 82…セリフ 124…被検査パターン探索工程 165…倍率誤差を補正する工程 171…センサデータバッファ 172…参照データバッファ 173…透過率欠陥検出部 174…パターンマッチング部 175…コントローラ 176…FIFOメモリ 177…欠陥情報メモリ 201…ラインセンサ 202…視野の範囲 210…参照データ 211…センサデータ
Claims (10)
- 【請求項1】試料上に形成されたパターンの欠陥を検出
する欠陥検査方法であって、 前記試料の光学像をセンサデータとして入力する工程
と、前記センサデータに対応する参照データを入力する
工程と、前記パターンの大きさ及び形状に応じた複数の
検査領域毎に、該領域に含まれるセンサデータと該セン
サデータに対応する参照データを取り出し、これらを基
に透過率誤差と相対位置ずれを計算する工程と、前記計
算された透過率誤差と相対位置ずれから透過率欠陥,寸
法欠陥,及び相対位置ずれ欠陥を判定する工程とを含む
ことを特徴とする欠陥検査方法。 - 【請求項2】試料上に形成されたパターンの欠陥を検出
する欠陥検査方法であって、 前記試料の光学像をセンサデータとして入力する工程
と、前記センサデータに対応する参照データを入力する
工程と、前記パターンの大きさ及び形状に応じた複数の
検査領域毎に、該領域に含まれるセンサデータと該セン
サデータに対応する参照データを取り出し、これらを基
に透過率誤差と相対位置ずれを計算する工程と、前記計
算された相対位置ずれを用いて前記参照データとセンサ
データの位置合わせを行う工程と、前記位置合わせされ
た前記参照データとセンサデータにより前記透過率誤差
と相対位置ずれを再計算する工程と、前記再計算された
透過率誤差と相対位置ずれから透過率欠陥,寸法欠陥,
及び相対位置ずれ欠陥を判定する工程とを含むことを特
徴とする欠陥検査方法。 - 【請求項3】前記複数の検査領域を定めるために、パタ
ーンの大きさ及び形状に応じた複数の検査領域を指定す
る検査領域データを入力する工程、又は前記参照データ
に対する被検査パターンを探索する工程を有することを
特徴とする請求項1又は2記載の欠陥検査方法。 - 【請求項4】前記検査領域データを入力する工程とし
て、少なくとも1つの開口部を含む矩形領域を検査領域
として入力することを特徴とする請求項3記載の欠陥検
査方法。 - 【請求項5】前記開口部の重心を矩形領域の重心とほぼ
一致させ、かつ矩形領域が開口部を含み、かつ近接した
他の開口部を含まないような矩形領域の配列として検査
領域を入力することを特徴とする請求項4記載の欠陥検
査方法。 - 【請求項6】前記透過率誤差と相対位置ずれを計算する
工程として、前記開口部がコンタクトホールである場
合、少なくとも3つの独立な座標(x,y)における前
記センサデータをS(x,y) 、前記参照データをU(x,y)
、前記参照データのX方向微分値を dU/dx、前記参照
データのY方向微分値を dU/dyとして、前記透過率誤差
ε及び前記相対位置ずれx0 ,y0 を未知数とする下記
の式 で表される連立1次方程式を解くことを特徴とする請求
項4又は5記載の欠陥検査方法。 - 【請求項7】前記透過率誤差と相対位置ずれを計算する
工程として、前記矩形領域のうち、試料の遮光部内部に
対応する領域を除いた座標において、前記(式1)で表
される方程式を最小自乗法によって解くことを特徴とす
る請求項6記載の欠陥検査方法。 - 【請求項8】前記透過率誤差と相対位置ずれを計算する
工程として、前記開口部がライン・スペースである場
合、少なくとも2つの独立な座標(x,y)における前
記センサデータをS(x,y) 、前記参照データをU(x,y)
、前記参照データの前記ライン・スペースに直交する
方向の微分値を dU/dlとして、前記透過率誤差ε及び前
記相対位置ずれl0 を未知数とする下記の式 で表される連立1次方程式を解くことを特徴とする請求
項4又は5記載の欠陥検査方法。 - 【請求項9】前記透過率誤差と相対位置ずれを計算する
工程として、前記矩形領域のうち、試料の遮光部内部に
対応する領域を除いた座標において、前記(式2)で表
される方程式を最小自乗法によって解くことを特徴とす
る請求項8記載の欠陥検査方法。 - 【請求項10】試料上に形成されたパターンの欠陥を検
査する欠陥検査装置であって、前記試料の光学像を検出
して得られるセンサデータを記憶するセンサデータ記憶
部と、前記センサデータに対応する参照データを記憶す
る参照データ記憶部と、前記パターンの大きさ及び形状
に応じた複数の検査領域毎に該領域に含まれるセンサデ
ータと参照データを取り出し、これらを基に透過率誤差
と相対位置ずれを計算する計算手段と、この手段により
計算された透過率誤差と前記相対位置ずれから透過率欠
陥,寸法欠陥,及び相対位置ずれ欠陥を判定する欠陥判
定手段とを具備してなることを特徴とする欠陥検査装
置。
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Family
ID=26503026
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US20010055416A1 (en) | 2001-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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