JPH11150329A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPH11150329A JPH11150329A JP31390497A JP31390497A JPH11150329A JP H11150329 A JPH11150329 A JP H11150329A JP 31390497 A JP31390497 A JP 31390497A JP 31390497 A JP31390497 A JP 31390497A JP H11150329 A JPH11150329 A JP H11150329A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 亜鉛（Ｚｎ）等のＩＩ族元素とセレン（Ｓ
ｅ）等のＶＩ族元素とを含む半導体層のエッチング速度
が材料に大きく依存せず、精度良い加工を行うことがで
きる半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１の表面にバッファ層２，第１のＩ
Ｉ−ＶＩ族バッファ層３，第２のＩＩ−ＶＩ族バッファ
層４，第１導電型クラッド層５，第１のガイド層６，活
性層７，第２のガイド層８，第２導電型クラッド層９，
第１の半導体層１０，第２の半導体層１１，超格子層１
２およびコンタクト層１３を順次エピタキシャル成長さ
せたのち、コンタクト層１３の上に帯状パターンのレジ
スト膜２０を形成する。このレジスト膜２０をマスクと
してウエットエッチングを行い、コンタクト層１３，超
格子層１２および第２の半導体層１１を選択的に除去す
る。エッチャントとして過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）、フッ
化水素（ＨＦ）および塩酸（ＨＣｌ）を含む混合液を用
いる。
ｅ）等のＶＩ族元素とを含む半導体層のエッチング速度
が材料に大きく依存せず、精度良い加工を行うことがで
きる半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１の表面にバッファ層２，第１のＩ
Ｉ−ＶＩ族バッファ層３，第２のＩＩ−ＶＩ族バッファ
層４，第１導電型クラッド層５，第１のガイド層６，活
性層７，第２のガイド層８，第２導電型クラッド層９，
第１の半導体層１０，第２の半導体層１１，超格子層１
２およびコンタクト層１３を順次エピタキシャル成長さ
せたのち、コンタクト層１３の上に帯状パターンのレジ
スト膜２０を形成する。このレジスト膜２０をマスクと
してウエットエッチングを行い、コンタクト層１３，超
格子層１２および第２の半導体層１１を選択的に除去す
る。エッチャントとして過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）、フッ
化水素（ＨＦ）および塩酸（ＨＣｌ）を含む混合液を用
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、亜鉛（Ｚｎ）等の
ＩＩ族元素とセレン（Ｓｅ）等のＶＩ族元素とを含むＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体よりなる半導体素子の製造方法
に係り、特にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層のエッチング
工程を有する半導体素子の製造方法に関する。
ＩＩ族元素とセレン（Ｓｅ）等のＶＩ族元素とを含むＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体よりなる半導体素子の製造方法
に係り、特にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層のエッチング
工程を有する半導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクや光磁気ディスクに対
する記録・再生の高密度・高解像度の要求が高まってい
る。また、高輝度ディスプレー装置，低損失光ファイバ
通信装置さらにはＤＮＡ（デオキシリボ核酸）あるいは
特定化学物質の光学式解析装置などの開発の気運も高ま
っている。そこで、これらの光源として緑色ないしは青
色で発光可能な半導体発光素子の開発が求められてい
る。
する記録・再生の高密度・高解像度の要求が高まってい
る。また、高輝度ディスプレー装置，低損失光ファイバ
通信装置さらにはＤＮＡ（デオキシリボ核酸）あるいは
特定化学物質の光学式解析装置などの開発の気運も高ま
っている。そこで、これらの光源として緑色ないしは青
色で発光可能な半導体発光素子の開発が求められてい
る。
【０００３】このように緑色ないしは青色で発光可能な
半導体素子を構成する材料としては、ＩＩ族元素の亜鉛
（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），ベリリウム（Ｂ
ｅ），カドミウム（Ｃｄ），水銀（Ｈｇ）およびマンガ
ン（Ｍｎ）のうち少なくとも１種と、ＶＩ族元素の酸素
（Ｏ），硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ），テルル（Ｔｅ）
のうち少なくとも１種とから成るＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体が有望である。
半導体素子を構成する材料としては、ＩＩ族元素の亜鉛
（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），ベリリウム（Ｂ
ｅ），カドミウム（Ｃｄ），水銀（Ｈｇ）およびマンガ
ン（Ｍｎ）のうち少なくとも１種と、ＶＩ族元素の酸素
（Ｏ），硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ），テルル（Ｔｅ）
のうち少なくとも１種とから成るＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体が有望である。
【０００４】このようなＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用
いた発光素子として、例えば図４（ａ）に要部を示した
ような帯状（ストライプ状）の電流狭窄部を備えた半導
体レーザが提案されている。このＩＩ−ＶＩ族半導体レ
ーザは、基板の上にバッファ層を介してｎ型クラッド
層，ガイド層，活性層およびガイド層（以上図示せず）
を介してＺｎＭｇＳＳｅにより形成されたｐ型クラッド
層１０９，ＺｎＳＳｅあるいはＺｎＳｅにより形成され
た第１の半導体層１１０，第２の半導体層１１１，超格
子層１１２およびコンタクト層１１３が順次積層された
構造を有している。第２の半導体層１１１，超格子層１
１２およびコンタクト層１１３が、図示しない絶縁層に
囲まれた帯（ストライプ）状の埋め込構造からなる電流
狭窄部となっている。ここで、第２の半導体層１１１は
ｐ型ＺｎＳｅ、超格子層１１２はＺｎＳｅ層およびＺｎ
Ｔｅの積層構造、またコンタクト層１１３はＺｎＴｅに
より構成されている。
いた発光素子として、例えば図４（ａ）に要部を示した
ような帯状（ストライプ状）の電流狭窄部を備えた半導
体レーザが提案されている。このＩＩ−ＶＩ族半導体レ
ーザは、基板の上にバッファ層を介してｎ型クラッド
層，ガイド層，活性層およびガイド層（以上図示せず）
を介してＺｎＭｇＳＳｅにより形成されたｐ型クラッド
層１０９，ＺｎＳＳｅあるいはＺｎＳｅにより形成され
た第１の半導体層１１０，第２の半導体層１１１，超格
子層１１２およびコンタクト層１１３が順次積層された
構造を有している。第２の半導体層１１１，超格子層１
１２およびコンタクト層１１３が、図示しない絶縁層に
囲まれた帯（ストライプ）状の埋め込構造からなる電流
狭窄部となっている。ここで、第２の半導体層１１１は
ｐ型ＺｎＳｅ、超格子層１１２はＺｎＳｅ層およびＺｎ
Ｔｅの積層構造、またコンタクト層１１３はＺｎＴｅに
より構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
半導体レーザの製造工程において、埋め込み構造の電流
狭窄部は、第２の半導体層１１１，超格子層１１２およ
びコンタクト層１１３を順次積層したのち、この積層構
造をウエットエッチングにより選択的に除去することよ
り形成される。ウエットエッチングのためのエッチャン
トとしては、一般に、重クロム酸カリウム水溶液（Ｋ2
Ｃｒ2 Ｏ7 ：Ｈ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ）が知られている。し
かし、この重クロム酸カリウム水溶液をエッチャントと
して用いた場合には、ＺｎＴｅのエッチング速度がＺｎ
Ｓｅ，ＺｎＳＳｅのそれに比べて一桁速く、精度良く加
工することができないという問題があった。すなわち、
室温においては、ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅに対する重クロ
ム酸カリウム水溶液のエッチング速度は０．０８μｍ／
分であるのに対し、ＺｎＴｅに対する重クロム酸カリウ
ム水溶液のエッチング速度は４．５μｍ／分である。
半導体レーザの製造工程において、埋め込み構造の電流
狭窄部は、第２の半導体層１１１，超格子層１１２およ
びコンタクト層１１３を順次積層したのち、この積層構
造をウエットエッチングにより選択的に除去することよ
り形成される。ウエットエッチングのためのエッチャン
トとしては、一般に、重クロム酸カリウム水溶液（Ｋ2
Ｃｒ2 Ｏ7 ：Ｈ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ）が知られている。し
かし、この重クロム酸カリウム水溶液をエッチャントと
して用いた場合には、ＺｎＴｅのエッチング速度がＺｎ
Ｓｅ，ＺｎＳＳｅのそれに比べて一桁速く、精度良く加
工することができないという問題があった。すなわち、
室温においては、ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅに対する重クロ
ム酸カリウム水溶液のエッチング速度は０．０８μｍ／
分であるのに対し、ＺｎＴｅに対する重クロム酸カリウ
ム水溶液のエッチング速度は４．５μｍ／分である。
【０００６】このため、第２の半導体層１１１，超格子
層１１２およびコンタクト層１１３の積層構造の選択エ
ッチングの際に重クロム酸カリウム水溶液を用いると、
特に、ＺｎＴｅ層のエッチング速度が他の層に比べて速
いので、例えエッチングを必要としない部分の表面をレ
ジスト膜１２０で覆ったとしても、図４（ｂ）に示した
ように電流狭窄部の側面よりエッチング液が回り込み、
エッチング速度の速いＺｎＴｅ層が側面から削られてし
まうことがあった。例えばｐ型ＺｎＳＳｅ層（第１の半
導体層１１０）の途中（例えば深さ方向に１．０μｍ）
のエッチングを行う場合にはエッチング時間は約１２分
であるが、このときＺｎＴｅ層は計算上では約５０μｍ
が削られることとなる。そのため電流狭窄部の幅が、レ
ジスト膜で覆われている幅と同等か更には狭い場合には
レジスト膜の側面よりエッチング液が回り込み、計算上
では、表面に形成されたＺｎＴｅ層（コンタクト層１１
３）が除去されてしまうこととなる。また、コンタクト
層１１３としてはＺｎＴｅの代わりにＢｅＴｅが用いら
れる場合もあり、このＢｅＴｅ層もＴｅが含まれている
ので、他の層に比べてエッチング速度が速くなり同様の
問題が生ずる。このように従来のウェットエッチング法
では、ＺｎＴｅ，ＢｅＴｅ等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体層を精度良く加工することができないという問題があ
った。
層１１２およびコンタクト層１１３の積層構造の選択エ
ッチングの際に重クロム酸カリウム水溶液を用いると、
特に、ＺｎＴｅ層のエッチング速度が他の層に比べて速
いので、例えエッチングを必要としない部分の表面をレ
ジスト膜１２０で覆ったとしても、図４（ｂ）に示した
ように電流狭窄部の側面よりエッチング液が回り込み、
エッチング速度の速いＺｎＴｅ層が側面から削られてし
まうことがあった。例えばｐ型ＺｎＳＳｅ層（第１の半
導体層１１０）の途中（例えば深さ方向に１．０μｍ）
のエッチングを行う場合にはエッチング時間は約１２分
であるが、このときＺｎＴｅ層は計算上では約５０μｍ
が削られることとなる。そのため電流狭窄部の幅が、レ
ジスト膜で覆われている幅と同等か更には狭い場合には
レジスト膜の側面よりエッチング液が回り込み、計算上
では、表面に形成されたＺｎＴｅ層（コンタクト層１１
３）が除去されてしまうこととなる。また、コンタクト
層１１３としてはＺｎＴｅの代わりにＢｅＴｅが用いら
れる場合もあり、このＢｅＴｅ層もＴｅが含まれている
ので、他の層に比べてエッチング速度が速くなり同様の
問題が生ずる。このように従来のウェットエッチング法
では、ＺｎＴｅ，ＢｅＴｅ等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体層を精度良く加工することができないという問題があ
った。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、亜鉛（Ｚｎ）等のＩＩ族元素とセレ
ン（Ｓｅ）等のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体よりなる半導体層のエッチング速度が、材料に大
きく依存することなく精度良い加工を行うことができる
半導体素子の製造方法を提供することにある。
ので、その目的は、亜鉛（Ｚｎ）等のＩＩ族元素とセレ
ン（Ｓｅ）等のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体よりなる半導体層のエッチング速度が、材料に大
きく依存することなく精度良い加工を行うことができる
半導体素子の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体素子
の製造方法は、亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），
ベリリウム（Ｂｅ），カドミウム（Ｃｄ），マンガン
（Ｍｎ）および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少なく
とも１種のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄（Ｓ），セ
レン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる群のうちの
少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体からなる半導体層を、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）
と、フッ素（Ｆ）および塩素（Ｃｌ）の少なくとも一方
の元素とを含む混合液によりウェットエッチングを行う
ものである。具体的には、例えば半導体発光素子を構成
するＺｎＳｅ層およびＺｎＴｅ層からなる積層構造のエ
ッチングに際して、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ），フッ化水
素（ＨＦ）および塩酸（ＨＣｌ）を含む混合液が用いら
れる。
の製造方法は、亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），
ベリリウム（Ｂｅ），カドミウム（Ｃｄ），マンガン
（Ｍｎ）および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少なく
とも１種のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄（Ｓ），セ
レン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる群のうちの
少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体からなる半導体層を、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）
と、フッ素（Ｆ）および塩素（Ｃｌ）の少なくとも一方
の元素とを含む混合液によりウェットエッチングを行う
ものである。具体的には、例えば半導体発光素子を構成
するＺｎＳｅ層およびＺｎＴｅ層からなる積層構造のエ
ッチングに際して、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ），フッ化水
素（ＨＦ）および塩酸（ＨＣｌ）を含む混合液が用いら
れる。
【０００９】この半導体素子の製造方法では、エッチャ
ントとして過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）と、フッ素（Ｆ）お
よび塩素（Ｃｌ）の少なくとも一方の元素とを含む混合
液が用いられるため、エッチング速度が半導体層の材料
に大きく依存することがなくなる。従って、例えばＺｎ
Ｓｅ層およびＺｎＴｅ層からなる積層構造の場合には、
いずれの層も互いに近似した速度でエッチングすること
ができる。
ントとして過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）と、フッ素（Ｆ）お
よび塩素（Ｃｌ）の少なくとも一方の元素とを含む混合
液が用いられるため、エッチング速度が半導体層の材料
に大きく依存することがなくなる。従って、例えばＺｎ
Ｓｅ層およびＺｎＴｅ層からなる積層構造の場合には、
いずれの層も互いに近似した速度でエッチングすること
ができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】〔第１の実施の形態〕本実施の形態では、
図１に示したようなＩＩ−ＶＩ族半導体レーザの製造方
法について説明する。このＩＩ−ＶＩ族半導体レーザ
は、基板１の上に、半導体層としてＩＩＩ−Ｖ族バッフ
ァ層２，第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３，第２のＩＩ
−ＶＩ族バッファ層４，第１導電型クラッド層５，第１
のガイド層６，活性層７，第２のガイド層８，第２導電
型クラッド層９，第１の半導体層１０，第２の半導体層
１１，超格子層１２およびコンタクト層１３が順次積層
された構造を有している。
図１に示したようなＩＩ−ＶＩ族半導体レーザの製造方
法について説明する。このＩＩ−ＶＩ族半導体レーザ
は、基板１の上に、半導体層としてＩＩＩ−Ｖ族バッフ
ァ層２，第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３，第２のＩＩ
−ＶＩ族バッファ層４，第１導電型クラッド層５，第１
のガイド層６，活性層７，第２のガイド層８，第２導電
型クラッド層９，第１の半導体層１０，第２の半導体層
１１，超格子層１２およびコンタクト層１３が順次積層
された構造を有している。
【００１２】基板１は、例えば厚さが１００〜３５０μ
ｍであり、ｎ型不純物として珪素（Ｓｉ）を添加したｎ
型ＧａＡｓにより構成されている。ＩＩＩ−Ｖ族バッフ
ァ層２は、例えば積層方向の厚さ（以下単に厚さとい
う）が２００ｎｍであり、ｎ型不純物として珪素を添加
したｎ型ＧａＡｓにより構成されている。第１のＩＩ−
ＶＩ族バッファ層３は、例えば厚さが２０ｎｍであり、
ｎ型不純物として塩素（Ｃｌ）を添加したｎ型ＺｎＳｅ
により構成されている。第２のＩＩ−ＶＩ族バッファ層
４は、例えば厚さが５０ｎｍであり、ｎ型不純物として
塩素を添加したｎ型ＺｎＳＳｅにより構成されている。
第１導電型クラッド層５は、例えば厚さが１μｍであ
り、ｎ型不純物として塩素を添加したｎ型ＺｎＭｇＳＳ
ｅ混晶により構成されている。第１のガイド層６は、例
えば厚さが１００ｎｍであり、ｎ型不純物として塩素を
添加あるいは不純物を添加しないＺｎＳＳｅ混晶により
構成されている。このＺｎＳＳｅ混晶のＶＩ族元素にお
ける組成比は硫黄が６％，セレンが９４％であり、格子
定数が基板１を構成するＧａＡｓの格子定数に整合され
ている。
ｍであり、ｎ型不純物として珪素（Ｓｉ）を添加したｎ
型ＧａＡｓにより構成されている。ＩＩＩ−Ｖ族バッフ
ァ層２は、例えば積層方向の厚さ（以下単に厚さとい
う）が２００ｎｍであり、ｎ型不純物として珪素を添加
したｎ型ＧａＡｓにより構成されている。第１のＩＩ−
ＶＩ族バッファ層３は、例えば厚さが２０ｎｍであり、
ｎ型不純物として塩素（Ｃｌ）を添加したｎ型ＺｎＳｅ
により構成されている。第２のＩＩ−ＶＩ族バッファ層
４は、例えば厚さが５０ｎｍであり、ｎ型不純物として
塩素を添加したｎ型ＺｎＳＳｅにより構成されている。
第１導電型クラッド層５は、例えば厚さが１μｍであ
り、ｎ型不純物として塩素を添加したｎ型ＺｎＭｇＳＳ
ｅ混晶により構成されている。第１のガイド層６は、例
えば厚さが１００ｎｍであり、ｎ型不純物として塩素を
添加あるいは不純物を添加しないＺｎＳＳｅ混晶により
構成されている。このＺｎＳＳｅ混晶のＶＩ族元素にお
ける組成比は硫黄が６％，セレンが９４％であり、格子
定数が基板１を構成するＧａＡｓの格子定数に整合され
ている。
【００１３】活性層７は、例えば厚さが６ｎｍの単一量
子井戸構造を有するＺｎＣｄＳｅ混晶により構成されて
いる。このＺｎＣｄＳｅ混晶のＩＩ族元素における組成
比は亜鉛が７５％，カドミウムが２５％であり、格子定
数が基板１を構成するＧａＡｓの格子定数よりも若干大
きくなっている。第２のガイド層８は、例えば厚さが１
００ｎｍであり、ｐ型不純物として窒素（Ｎ）を添加あ
るいは不純物を添加しないＺｎＳＳｅ混晶により構成さ
れている。このＺｎＳＳｅ混晶のＶＩ族元素における組
成比は硫黄が６％，セレンが９４％である。第２導電型
クラッド層９は、例えば厚さが１μｍであり、ｐ型不純
物として窒素を添加したｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ混晶により
構成されている。第１の半導体層１０は、例えば厚さが
１μｍであり、ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型Ｚ
ｎＳＳｅ混晶により構成されている。第２の半導体層１
１は、例えば厚さが１００ｎｍであり、ｐ型不純物とし
て窒素を添加したｐ型ＺｎＳｅにより構成されている。
超格子層１２は、例えばｐ型不純物として窒素をそれぞ
れ添加したｐ型ＺｎＴｅとｐ型ＺｎＳｅとが交互に積層
された構造を有している。コンタクト層１３は、例えば
ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＴｅにより構
成されている。
子井戸構造を有するＺｎＣｄＳｅ混晶により構成されて
いる。このＺｎＣｄＳｅ混晶のＩＩ族元素における組成
比は亜鉛が７５％，カドミウムが２５％であり、格子定
数が基板１を構成するＧａＡｓの格子定数よりも若干大
きくなっている。第２のガイド層８は、例えば厚さが１
００ｎｍであり、ｐ型不純物として窒素（Ｎ）を添加あ
るいは不純物を添加しないＺｎＳＳｅ混晶により構成さ
れている。このＺｎＳＳｅ混晶のＶＩ族元素における組
成比は硫黄が６％，セレンが９４％である。第２導電型
クラッド層９は、例えば厚さが１μｍであり、ｐ型不純
物として窒素を添加したｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ混晶により
構成されている。第１の半導体層１０は、例えば厚さが
１μｍであり、ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型Ｚ
ｎＳＳｅ混晶により構成されている。第２の半導体層１
１は、例えば厚さが１００ｎｍであり、ｐ型不純物とし
て窒素を添加したｐ型ＺｎＳｅにより構成されている。
超格子層１２は、例えばｐ型不純物として窒素をそれぞ
れ添加したｐ型ＺｎＴｅとｐ型ＺｎＳｅとが交互に積層
された構造を有している。コンタクト層１３は、例えば
ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＴｅにより構
成されている。
【００１４】第１の半導体層１０の一部，第２の半導体
層１１，超格子層１２およびコンタクト層１３により電
流狭窄部が形成されており、この電流狭窄部の幅は例え
ば１０μｍの帯（ストライプ）状となっている。電流狭
窄部以外の第１の半導体層１０の上の領域には、例えば
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層１４が形成され
ている。絶縁層１４およびコンタクト層１３の上にはｐ
側電極１５が設けられている。このｐ側電極１５は、例
えば厚さが１０ｎｍのパラジウム（Ｐｄ），厚さが１０
０ｎｍの白金（Ｐｔ）および厚さが３００ｎｍの金（Ａ
ｕ）をコンタクト層１３側から順次積層して形成されて
いる。一方、基板１の裏面には例えばインジウム（Ｉ
ｎ）により形成されたｎ側電極１６が設けられている。
なお、この半導体レーザは、図示しないが、コンタクト
層１３の長さ方向（共振器長方向）に垂直な一対の側面
に、例えばアルミナ膜と珪素膜とが交互に積層されてな
る反射鏡層がそれぞれ形成されている。
層１１，超格子層１２およびコンタクト層１３により電
流狭窄部が形成されており、この電流狭窄部の幅は例え
ば１０μｍの帯（ストライプ）状となっている。電流狭
窄部以外の第１の半導体層１０の上の領域には、例えば
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層１４が形成され
ている。絶縁層１４およびコンタクト層１３の上にはｐ
側電極１５が設けられている。このｐ側電極１５は、例
えば厚さが１０ｎｍのパラジウム（Ｐｄ），厚さが１０
０ｎｍの白金（Ｐｔ）および厚さが３００ｎｍの金（Ａ
ｕ）をコンタクト層１３側から順次積層して形成されて
いる。一方、基板１の裏面には例えばインジウム（Ｉ
ｎ）により形成されたｎ側電極１６が設けられている。
なお、この半導体レーザは、図示しないが、コンタクト
層１３の長さ方向（共振器長方向）に垂直な一対の側面
に、例えばアルミナ膜と珪素膜とが交互に積層されてな
る反射鏡層がそれぞれ形成されている。
【００１５】この半導体レーザでは、ｎ側電極１６とｐ
側電極１５との間に所定の電圧が印加されると、コンタ
クト層１３，超格子層１２および第２の半導体層１１か
らなる帯状の電流狭窄部を経て活性層７に電流が注入さ
れ、ここで電子−正孔再結合により発光が起こり、これ
が増幅されてレーザ光となる。
側電極１５との間に所定の電圧が印加されると、コンタ
クト層１３，超格子層１２および第２の半導体層１１か
らなる帯状の電流狭窄部を経て活性層７に電流が注入さ
れ、ここで電子−正孔再結合により発光が起こり、これ
が増幅されてレーザ光となる。
【００１６】以下、この半導体レーザの製造方法を図２
（ａ），（ｂ）および図１を参照して説明する。
（ａ），（ｂ）および図１を参照して説明する。
【００１７】まず、図２（ａ）に示したように、基板１
の裏面に例えばインジウムを蒸着してｎ側電極１６を形
成する。次いで、この基板１の表面に、分子線エピタキ
シー（Molecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）装置を用い
て、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２，第１のＩＩ−ＶＩ族バ
ッファ層３，第２のＩＩ−ＶＩ族バッファ層４，第１導
電型クラッド層５，第１のガイド層６，活性層７，第２
のガイド層８，第２導電型クラッド層９，第１の半導体
層１０，第２の半導体層１１，超格子層１２およびコン
タクト層１３を順次エピタキシャル成長させる。
の裏面に例えばインジウムを蒸着してｎ側電極１６を形
成する。次いで、この基板１の表面に、分子線エピタキ
シー（Molecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）装置を用い
て、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２，第１のＩＩ−ＶＩ族バ
ッファ層３，第２のＩＩ−ＶＩ族バッファ層４，第１導
電型クラッド層５，第１のガイド層６，活性層７，第２
のガイド層８，第２導電型クラッド層９，第１の半導体
層１０，第２の半導体層１１，超格子層１２およびコン
タクト層１３を順次エピタキシャル成長させる。
【００１８】このようにして各半導体層を形成したの
ち、コンタクト層１３の上に帯状パターンを有するレジ
スト膜２０を形成する。次いで、このレジスト膜２０を
マスクとしてウエットエッチングを行い、図２に示した
ようにコンタクト層１３，超格子層１２，第２の半導体
層１１および第１の半導体層１０の途中までを選択的に
除去して電流狭窄部を形成する。なお、更に第２導電型
クラッド層９の途中までエッチングして電流狭窄部に含
めるようにしてもよい。ここで、本実施の形態では、エ
ッチャントとして、例えば過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）、フ
ッ化水素（ＨＦ）および塩酸（ＨＣｌ）を含む混合液を
用いる。この混合液は、例えば、濃度７０％（重量％，
以下同様）のＨＦ、濃度３６％のＨＣｌおよび濃度３０
％のＨ2 Ｏ2 の各水溶液を、その体積比（容積比）が、
例えば、ＨＦ：ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ2 ＝１０：１０：１また
は１０：５：５となるように混合したものである。この
場合、混合液中の体積比はＨＦ：ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ2 ＝
１：０．５１：０．０４３または１：０．２５７：０．
２１４となる。
ち、コンタクト層１３の上に帯状パターンを有するレジ
スト膜２０を形成する。次いで、このレジスト膜２０を
マスクとしてウエットエッチングを行い、図２に示した
ようにコンタクト層１３，超格子層１２，第２の半導体
層１１および第１の半導体層１０の途中までを選択的に
除去して電流狭窄部を形成する。なお、更に第２導電型
クラッド層９の途中までエッチングして電流狭窄部に含
めるようにしてもよい。ここで、本実施の形態では、エ
ッチャントとして、例えば過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）、フ
ッ化水素（ＨＦ）および塩酸（ＨＣｌ）を含む混合液を
用いる。この混合液は、例えば、濃度７０％（重量％，
以下同様）のＨＦ、濃度３６％のＨＣｌおよび濃度３０
％のＨ2 Ｏ2 の各水溶液を、その体積比（容積比）が、
例えば、ＨＦ：ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ2 ＝１０：１０：１また
は１０：５：５となるように混合したものである。この
場合、混合液中の体積比はＨＦ：ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ2 ＝
１：０．５１：０．０４３または１：０．２５７：０．
２１４となる。
【００１９】この混合液を、混合したのち約１時間放置
してからエッチャントとして用いることにより、エッチ
ング速度が材料に大きく依存することがなくなり、Ｚｎ
Ｓｅ層およびＺｎＴｅ層において互いに近似した速度で
エッチングすることができる。従って、本実施の形態で
は、図２（ｂ）に示したように、コンタクト層１３およ
び超格子層１２、更に第１の半導体層１０の途中まで、
殆ど水平方向に回り込んで削り取られることがなく、実
質的に垂直に加工される。なお、使用温度は室温で良
く、このとき上記混合比の混合液によるエッチング速度
は１．２μｍ／分となる。
してからエッチャントとして用いることにより、エッチ
ング速度が材料に大きく依存することがなくなり、Ｚｎ
Ｓｅ層およびＺｎＴｅ層において互いに近似した速度で
エッチングすることができる。従って、本実施の形態で
は、図２（ｂ）に示したように、コンタクト層１３およ
び超格子層１２、更に第１の半導体層１０の途中まで、
殆ど水平方向に回り込んで削り取られることがなく、実
質的に垂直に加工される。なお、使用温度は室温で良
く、このとき上記混合比の混合液によるエッチング速度
は１．２μｍ／分となる。
【００２０】このようにコンタクト層１３、超格子層１
２および第１の半導体層１０のエッチングが完了したの
ち、コンタクト層１３などが選択的に除去された第１の
半導体層１０の上に例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を蒸
着し、レジスト膜２０をこのレジスト膜２０の上に形成
されたアルミナと共に除去し（リフトオフ）、絶縁層１
４を形成する。絶縁層１４を形成したのちは、この絶縁
層１４およびコンタクト層１３の上に、例えばパラジウ
ム，白金および金を順次蒸着し、ｐ側電極１５を形成す
る。そののち、基板１をコンタクト層１３の長さ方向
（共振器長方向）と垂直に所定の幅（例えば６００ｎｍ
幅）て劈開し、その劈開面に反射鏡層を形成する。以上
のプロセスを経て図１に示した半導体レーザを作製する
ことができる。
２および第１の半導体層１０のエッチングが完了したの
ち、コンタクト層１３などが選択的に除去された第１の
半導体層１０の上に例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を蒸
着し、レジスト膜２０をこのレジスト膜２０の上に形成
されたアルミナと共に除去し（リフトオフ）、絶縁層１
４を形成する。絶縁層１４を形成したのちは、この絶縁
層１４およびコンタクト層１３の上に、例えばパラジウ
ム，白金および金を順次蒸着し、ｐ側電極１５を形成す
る。そののち、基板１をコンタクト層１３の長さ方向
（共振器長方向）と垂直に所定の幅（例えば６００ｎｍ
幅）て劈開し、その劈開面に反射鏡層を形成する。以上
のプロセスを経て図１に示した半導体レーザを作製する
ことができる。
【００２１】このように本実施の形態では、エッチャン
トとして過酸化水素、フッ化水素および塩酸を含む混合
液を用いてエッチングを行うようにしたので、従来の方
法に比べてコンタクト層等のエッチングを簡易に行うこ
とができ、再現性良く半導体レーザを作製することがで
きる。よって、半導体レーザの発光効率等の特性が向上
すると共に信頼性が向上する。
トとして過酸化水素、フッ化水素および塩酸を含む混合
液を用いてエッチングを行うようにしたので、従来の方
法に比べてコンタクト層等のエッチングを簡易に行うこ
とができ、再現性良く半導体レーザを作製することがで
きる。よって、半導体レーザの発光効率等の特性が向上
すると共に信頼性が向上する。
【００２２】〔第２の実施の形態〕図３は本発明の第２
の実施の形態に係るＢｅＺｎＭｇＳｅ系の半導体レーザ
の構成を表すものであり、本発明はこのような構成の半
導体レーザの製造方法にも適用することができる。この
半導体レーザは、基板３１の上に、半導体層としてＩＩ
Ｉ−Ｖ族バッファ層３２，ＩＩ−ＶＩ族バッファ層３
３，第１導電型クラッド層３４，第１のガイド層３５，
活性層３６，第２のガイド層３７，第２導電型クラッド
層３８，第１の半導体層３９，第２の半導体層４０，超
格子層４１およびコンタクト層４２が順次積層されてい
る。
の実施の形態に係るＢｅＺｎＭｇＳｅ系の半導体レーザ
の構成を表すものであり、本発明はこのような構成の半
導体レーザの製造方法にも適用することができる。この
半導体レーザは、基板３１の上に、半導体層としてＩＩ
Ｉ−Ｖ族バッファ層３２，ＩＩ−ＶＩ族バッファ層３
３，第１導電型クラッド層３４，第１のガイド層３５，
活性層３６，第２のガイド層３７，第２導電型クラッド
層３８，第１の半導体層３９，第２の半導体層４０，超
格子層４１およびコンタクト層４２が順次積層されてい
る。
【００２３】基板３１は、例えば厚さが１００〜３５０
μｍであり、ｎ型不純物として珪素（Ｓｉ）を添加した
ｎ型ＧａＡｓにより構成されている。ＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層３２は、例えば、積層方向の厚さ（以下単に厚さ
という）が２００ｎｍであり、ｎ型不純物として珪素を
添加したｎ型ＧａＡｓにより構成されている。ＩＩ−Ｖ
Ｉ族バッファ層３３は、例えば厚さが２０ｎｍであり、
ｎ型不純物として塩素（Ｃｌ）を添加したｎ型ＺｎＢｅ
Ｓｅにより構成されている。第１導電型クラッド層３４
は、例えば厚さが１μｍであり、ｎ型不純物として塩素
を添加したｎ型ＺｎＭｇＢｅＳｅ混晶により構成されて
いる。第１のガイド層３５は、例えば厚さが１００ｎｍ
であり、ｎ型不純物として塩素を添加あるいは不純物を
添加しないＺｎＢｅＳｅ混晶により構成されている。
μｍであり、ｎ型不純物として珪素（Ｓｉ）を添加した
ｎ型ＧａＡｓにより構成されている。ＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層３２は、例えば、積層方向の厚さ（以下単に厚さ
という）が２００ｎｍであり、ｎ型不純物として珪素を
添加したｎ型ＧａＡｓにより構成されている。ＩＩ−Ｖ
Ｉ族バッファ層３３は、例えば厚さが２０ｎｍであり、
ｎ型不純物として塩素（Ｃｌ）を添加したｎ型ＺｎＢｅ
Ｓｅにより構成されている。第１導電型クラッド層３４
は、例えば厚さが１μｍであり、ｎ型不純物として塩素
を添加したｎ型ＺｎＭｇＢｅＳｅ混晶により構成されて
いる。第１のガイド層３５は、例えば厚さが１００ｎｍ
であり、ｎ型不純物として塩素を添加あるいは不純物を
添加しないＺｎＢｅＳｅ混晶により構成されている。
【００２４】活性層３６は、例えば厚さが６ｎｍの単一
量子井戸構造を有するＺｎＣｄＳｅ混晶により構成され
ている。第２のガイド層３７は、例えば厚さが１００ｎ
ｍであり、ｐ型不純物として窒素（Ｎ）を添加あるいは
不純物を添加しないＺｎＢｅＳｅ混晶により構成されて
いる。第２導電型クラッド層３８は、例えば厚さが１μ
ｍであり、ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＭ
ｇＢｅＳｅ混晶により構成されている。第１の半導体層
３９は、例えば厚さが１μｍであり、ｐ型不純物として
窒素を添加したｐ型ＺｎＢｅＳｅ混晶により構成されて
いる。第２の半導体層４０は、例えば厚さが１００ｎｍ
であり、ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＳｅ
により構成されている。超格子層４１は、例えばｐ型不
純物として窒素をそれぞれ添加したｐ型ＢｅＴｅとｐ型
ＺｎＳｅとが交互に積層された構造を有している。コン
タクト層４２は、例えばｐ型不純物として窒素を添加し
たｐ型ＢｅＴｅにより構成されている。コンタクト層４
２は、また、ｐ型ＢｅＴｅの上にｐ型ＺｎＴｅを積層し
て構成してもよい。
量子井戸構造を有するＺｎＣｄＳｅ混晶により構成され
ている。第２のガイド層３７は、例えば厚さが１００ｎ
ｍであり、ｐ型不純物として窒素（Ｎ）を添加あるいは
不純物を添加しないＺｎＢｅＳｅ混晶により構成されて
いる。第２導電型クラッド層３８は、例えば厚さが１μ
ｍであり、ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＭ
ｇＢｅＳｅ混晶により構成されている。第１の半導体層
３９は、例えば厚さが１μｍであり、ｐ型不純物として
窒素を添加したｐ型ＺｎＢｅＳｅ混晶により構成されて
いる。第２の半導体層４０は、例えば厚さが１００ｎｍ
であり、ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＳｅ
により構成されている。超格子層４１は、例えばｐ型不
純物として窒素をそれぞれ添加したｐ型ＢｅＴｅとｐ型
ＺｎＳｅとが交互に積層された構造を有している。コン
タクト層４２は、例えばｐ型不純物として窒素を添加し
たｐ型ＢｅＴｅにより構成されている。コンタクト層４
２は、また、ｐ型ＢｅＴｅの上にｐ型ＺｎＴｅを積層し
て構成してもよい。
【００２５】第１の半導体層３９の一部，第２の半導体
層４０，超格子層４１およびコンタクト層４２により電
流狭窄部が形成されており、この電流狭窄部の幅が例え
ば１０μｍの帯（ストライプ）状となっている。電流狭
窄部以外の第１の半導体層３９の上の領域には、例えば
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層４３が形成され
ている。絶縁層４３およびコンタクト層４２の上にはｐ
側電極４４が設けられている。このｐ側電極４４は、例
えば厚さが１０ｎｍのパラジウム（Ｐｄ），厚さが１０
０ｎｍの白金（Ｐｔ）および厚さが３００ｎｍの金（Ａ
ｕ）をコンタクト層４２側から順次積層して形成されて
いる。一方、基板３１の裏面には例えばインジウム（Ｉ
ｎ）により形成されたｎ側電極４５が設けられている。
なお、この半導体レーザは、図示しないが、コンタクト
層４２の長さ方向（共振器長方向）に垂直な一対の側面
に、例えばアルミナ膜と珪素膜とが交互に積層されてな
る反射鏡層がそれぞれ形成されている。
層４０，超格子層４１およびコンタクト層４２により電
流狭窄部が形成されており、この電流狭窄部の幅が例え
ば１０μｍの帯（ストライプ）状となっている。電流狭
窄部以外の第１の半導体層３９の上の領域には、例えば
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層４３が形成され
ている。絶縁層４３およびコンタクト層４２の上にはｐ
側電極４４が設けられている。このｐ側電極４４は、例
えば厚さが１０ｎｍのパラジウム（Ｐｄ），厚さが１０
０ｎｍの白金（Ｐｔ）および厚さが３００ｎｍの金（Ａ
ｕ）をコンタクト層４２側から順次積層して形成されて
いる。一方、基板３１の裏面には例えばインジウム（Ｉ
ｎ）により形成されたｎ側電極４５が設けられている。
なお、この半導体レーザは、図示しないが、コンタクト
層４２の長さ方向（共振器長方向）に垂直な一対の側面
に、例えばアルミナ膜と珪素膜とが交互に積層されてな
る反射鏡層がそれぞれ形成されている。
【００２６】本実施の形態では、コンタクト層４２等に
ベリリウム（Ｂｅ）が含まれることを除き、その構成お
よび作用については第１の実施の形態と同様である。
ベリリウム（Ｂｅ）が含まれることを除き、その構成お
よび作用については第１の実施の形態と同様である。
【００２７】本実施の形態においても、コンタクト層４
２等の電流狭窄部のエッチングは、第１の実施の形態と
同様に、エッチャントとして過酸化水素、フッ化水素お
よび塩酸を含む混合液を用いることができる。このエッ
チャントによるエッチング速度はＩＩ−ＶＩ族半導体層
であれば材料によらずほぼ一定であり、本実施の形態で
も簡易に、かつ再現性良く、図３に示した構造の半導体
レーザを作製することができる。
２等の電流狭窄部のエッチングは、第１の実施の形態と
同様に、エッチャントとして過酸化水素、フッ化水素お
よび塩酸を含む混合液を用いることができる。このエッ
チャントによるエッチング速度はＩＩ−ＶＩ族半導体層
であれば材料によらずほぼ一定であり、本実施の形態で
も簡易に、かつ再現性良く、図３に示した構造の半導体
レーザを作製することができる。
【００２８】以上、実施の形態および実施例を挙げて本
発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施
例に限定されるものではなく、種々の変形が可能であ
る。例えば、上記実施の形態においては、半導体レーザ
の最上層に存するコンタクト層（ＺｎＴｅ，ＢｅＴｅ）
を含む層についてのエッチングを行う例について説明し
たが、最上層に限らず、例えばクラッド層等の中間層の
エッチングを行う場合についても本発明を適用すること
ができる。また、上記実施の形態においては、本発明を
ＩＩ−ＶＩ族半導体レーザの製造方法に適用した例につ
いて説明したが、半導体レーザに限らずＩＩ−ＶＩ族発
光ダイオード、更には半導体発光素子以外の半導体素子
においてもＩＩ−ＶＩ族の化合物を用いた半導体素子の
製造プロセスであればいずれも適用可能である。
発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施
例に限定されるものではなく、種々の変形が可能であ
る。例えば、上記実施の形態においては、半導体レーザ
の最上層に存するコンタクト層（ＺｎＴｅ，ＢｅＴｅ）
を含む層についてのエッチングを行う例について説明し
たが、最上層に限らず、例えばクラッド層等の中間層の
エッチングを行う場合についても本発明を適用すること
ができる。また、上記実施の形態においては、本発明を
ＩＩ−ＶＩ族半導体レーザの製造方法に適用した例につ
いて説明したが、半導体レーザに限らずＩＩ−ＶＩ族発
光ダイオード、更には半導体発光素子以外の半導体素子
においてもＩＩ−ＶＩ族の化合物を用いた半導体素子の
製造プロセスであればいずれも適用可能である。
【００２９】また、上記実施の形態および実施例では、
ＩＩ族半導体として亜鉛，マグネシウム，カドミウム，
マンガンおよびベリリウム、また、ＶＩ族半導体として
セレン，硫黄およびテルルを用いた例について説明した
が、一般に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（すなわち、亜
鉛，マグネシウム，カドミウム，マンガン，水銀および
ベリリウムからなる群より選ばれた少なくとも１種のＩ
Ｉ族元素と、酸素，セレン，硫黄およびテルルからなる
群より選ばれた少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体）によって構成された層をエッ
チングする際に本発明を適用することができる。
ＩＩ族半導体として亜鉛，マグネシウム，カドミウム，
マンガンおよびベリリウム、また、ＶＩ族半導体として
セレン，硫黄およびテルルを用いた例について説明した
が、一般に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（すなわち、亜
鉛，マグネシウム，カドミウム，マンガン，水銀および
ベリリウムからなる群より選ばれた少なくとも１種のＩ
Ｉ族元素と、酸素，セレン，硫黄およびテルルからなる
群より選ばれた少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体）によって構成された層をエッ
チングする際に本発明を適用することができる。
【００３０】更に、上記実施の形態および実施例では、
エッチャントとして過酸化水素、フッ化水素および塩酸
を一定の割合で含む混合液を用いるようにしたが、その
混合比は、使用温度、被加工膜の材質等によって任意に
設定することができる。また、混合液としては上記実施
の形態のものに限らず、過酸化水素に加え、フッ素およ
び塩素の少なくとも一方が含まれる混合液であればよ
い。
エッチャントとして過酸化水素、フッ化水素および塩酸
を一定の割合で含む混合液を用いるようにしたが、その
混合比は、使用温度、被加工膜の材質等によって任意に
設定することができる。また、混合液としては上記実施
の形態のものに限らず、過酸化水素に加え、フッ素およ
び塩素の少なくとも一方が含まれる混合液であればよ
い。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
素子の製造方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体か
らなる半導体層のエッチングを、過酸化水素と、フッ素
および塩素の少なくとも一方の元素とを含む混合液によ
り行うようにしたので、エッチング速度が半導体層の材
料に大きく依存することがなくなる。従って、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体層の加工精度が向上し、良好な特性の
半導体素子を再現性良く製造することができるという効
果を奏する。
素子の製造方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体か
らなる半導体層のエッチングを、過酸化水素と、フッ素
および塩素の少なくとも一方の元素とを含む混合液によ
り行うようにしたので、エッチング速度が半導体層の材
料に大きく依存することがなくなる。従って、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体層の加工精度が向上し、良好な特性の
半導体素子を再現性良く製造することができるという効
果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ
の構成を表す断面図である。
の構成を表す断面図である。
【図２】図１の半導体レーザの製造プロセスを説明する
ための工程毎の断面図である。
ための工程毎の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ
の構成を表す断面図である。
の構成を表す断面図である。
【図４】従来の半導体レーザの製造プロセスにおける問
題点を説明するための要部断面図である。
題点を説明するための要部断面図である。
１…基板、２…ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層、３…第１のＩ
Ｉ−ＶＩ族バッファ層、４…第２のＩＩ−ＶＩ族バッフ
ァ層、５…ｎ型クラッド層、６…第１のガイド層、７…
活性層、８…第２のガイド層、９…ｐ型クラッド層、１
０…第１の半導体層、１１…第２の半導体層、１２…コ
ンタクト層、１３…絶縁層、１４…アルカリ化合物層、
１５…ｐ側電極、１６…ｎ側電極、１７…第３の半導体
層、２０…レジスト膜
Ｉ−ＶＩ族バッファ層、４…第２のＩＩ−ＶＩ族バッフ
ァ層、５…ｎ型クラッド層、６…第１のガイド層、７…
活性層、８…第２のガイド層、９…ｐ型クラッド層、１
０…第１の半導体層、１１…第２の半導体層、１２…コ
ンタクト層、１３…絶縁層、１４…アルカリ化合物層、
１５…ｐ側電極、１６…ｎ側電極、１７…第３の半導体
層、２０…レジスト膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 理 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 長井 政春 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），
ベリリウム（Ｂｅ），カドミウム（Ｃｄ），マンガン
（Ｍｎ）および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少なく
とも１種のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄（Ｓ），セ
レン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる群のうちの
少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体よりなる半導体素子の製造方法において、 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなる半導体層のエッ
チングを、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）と、フッ素（Ｆ）お
よび塩素（Ｃｌ）の少なくとも一方の元素とを含む混合
液により行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ），フッ化水素
（ＨＦ）および塩酸（ＨＣｌ）を含む混合液によりエッ
チングを行うことを特徴とする請求項１記載の半導体素
子の製造方法。 - 【請求項３】 ＺｎＳｅ層およびＺｎＴｅ層からなる積
層層を有する半導体発光素子の前記積層層を選択的にエ
ッチングして、帯状の電流狭窄部を形成することを特徴
とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項４】 ＺｎＳｅ層およびＢｅＴｅ層からなる積
層層を有する半導体発光素子の前記積層層を選択的にエ
ッチングして、帯状の電流狭窄部を形成することを特徴
とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31390497A JPH11150329A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31390497A JPH11150329A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11150329A true JPH11150329A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18046926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31390497A Pending JPH11150329A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11150329A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1975987A3 (en) * | 2007-03-31 | 2011-03-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for stripping material for wafer reclamation |
| US9831088B2 (en) | 2010-10-06 | 2017-11-28 | Entegris, Inc. | Composition and process for selectively etching metal nitrides |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP31390497A patent/JPH11150329A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1975987A3 (en) * | 2007-03-31 | 2011-03-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for stripping material for wafer reclamation |
| US9831088B2 (en) | 2010-10-06 | 2017-11-28 | Entegris, Inc. | Composition and process for selectively etching metal nitrides |
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