JPH1114814A - 光学素子 - Google Patents
光学素子Info
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- JPH1114814A JPH1114814A JP18082097A JP18082097A JPH1114814A JP H1114814 A JPH1114814 A JP H1114814A JP 18082097 A JP18082097 A JP 18082097A JP 18082097 A JP18082097 A JP 18082097A JP H1114814 A JPH1114814 A JP H1114814A
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- optical element
- thin film
- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、大面積の可視光用偏光子を容易に
作製することが可能であること、可視光の光透過率が高
いこと、可視光域で機能する表示デバイスに用いること
が可能なように着色されていないことを全て満足する光
学素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 可視光に対して透明な石英基板１０表面
に、直線状に延びる溝が複数列形成され、各溝内の両側
面は石英基板１０裏面に対して垂直面をなしている。こ
のように凹凸形状をなす石英基板１０表面上には同じ屈
折率のＳｉＯ2 膜２０が嵌合して設けられている。これ
ら石英基板１０とＳｉＯ2 膜２０との勘合面全体にわた
ってＧｅ薄膜１８が直線格子状に設けられている。即
ち、この直線格子状のＧｅ薄膜１８は、両側面が垂直な
凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をな
すと共に、図面の奥行き方向に直線状に延びている。
作製することが可能であること、可視光の光透過率が高
いこと、可視光域で機能する表示デバイスに用いること
が可能なように着色されていないことを全て満足する光
学素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 可視光に対して透明な石英基板１０表面
に、直線状に延びる溝が複数列形成され、各溝内の両側
面は石英基板１０裏面に対して垂直面をなしている。こ
のように凹凸形状をなす石英基板１０表面上には同じ屈
折率のＳｉＯ2 膜２０が嵌合して設けられている。これ
ら石英基板１０とＳｉＯ2 膜２０との勘合面全体にわた
ってＧｅ薄膜１８が直線格子状に設けられている。即
ち、この直線格子状のＧｅ薄膜１８は、両側面が垂直な
凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をな
すと共に、図面の奥行き方向に直線状に延びている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学素子に係り、特に可
視光に対して透明性に優れ、円偏光を直線偏光にする偏
光子や直線偏光の偏光面を回転させる磁気光学素子とし
て用いられる光学素子に関するものである。従って、例
えば可視光用ディスプレイ等に広く応用される。
視光に対して透明性に優れ、円偏光を直線偏光にする偏
光子や直線偏光の偏光面を回転させる磁気光学素子とし
て用いられる光学素子に関するものである。従って、例
えば可視光用ディスプレイ等に広く応用される。
【０００２】
【従来の技術】従来の偏光子の主な例とその問題点を以
下に列挙する。 （１） 特開平１−９３７０２号公報に開示された偏光
板 この偏光板は、強磁性体微粒子からなる多数の捧状素子
を含む偏光層を基板表面に一定方向に配列して固着形成
したもの、即ち棒状の強磁性体を一定方向に並べたもの
である。従って、その製造が容易で、且つ光学的特性に
優れた偏光板及びその製造方法を提供することができ
る。
下に列挙する。 （１） 特開平１−９３７０２号公報に開示された偏光
板 この偏光板は、強磁性体微粒子からなる多数の捧状素子
を含む偏光層を基板表面に一定方向に配列して固着形成
したもの、即ち棒状の強磁性体を一定方向に並べたもの
である。従って、その製造が容易で、且つ光学的特性に
優れた偏光板及びその製造方法を提供することができ
る。
【０００３】しかし、この偏光板は、偏光層の配列のバ
ラツキが大きく、また捧状素子材料自体の形状のバラツ
キも大きいという欠点を有している。また、材料は光の
吸収と屈折率が大きいことが必要であるが、この点で好
ましいとはいえない。
ラツキが大きく、また捧状素子材料自体の形状のバラツ
キも大きいという欠点を有している。また、材料は光の
吸収と屈折率が大きいことが必要であるが、この点で好
ましいとはいえない。
【０００４】（２） ワイヤグリッド偏光子 この偏光子は、１μｍより長波長の光に対して機能する
偏光子であって、臭化銀、ポリエチレン等の透明基板に
微小な間隔で金やＡｌ（アルミニウム）の線を引いたも
のである。この場合、線の間隔をｄ、波長をλとする
と、λ＞ｄの波長の光に対して、透過光は線に垂直な振
動面をもつほぼ完全な直線偏光になる。中赤外用（λ＝
２．５μｍ〜２５μｍ）としては臭化銀基板にｄ＝０．
３μｍ間隔で金線を引いたものが用いられ、遠赤外用
（λ＝１６μｍ〜１００μｍ）としてはポリエチレン板
にｄ＝０．７μｍでＡｌを引いたものが用いられる。ま
た、偏光度は８０％程度といわれる。
偏光子であって、臭化銀、ポリエチレン等の透明基板に
微小な間隔で金やＡｌ（アルミニウム）の線を引いたも
のである。この場合、線の間隔をｄ、波長をλとする
と、λ＞ｄの波長の光に対して、透過光は線に垂直な振
動面をもつほぼ完全な直線偏光になる。中赤外用（λ＝
２．５μｍ〜２５μｍ）としては臭化銀基板にｄ＝０．
３μｍ間隔で金線を引いたものが用いられ、遠赤外用
（λ＝１６μｍ〜１００μｍ）としてはポリエチレン板
にｄ＝０．７μｍでＡｌを引いたものが用いられる。ま
た、偏光度は８０％程度といわれる。
【０００５】しかし、このワイヤグリッド偏光子は長波
長の赤外線用の偏光子であり、可視光に対しては機能し
ない。また、このワイヤ法においては、線幅を５０ｎｍ
以下に細くすることはできないという欠点もある。
長の赤外線用の偏光子であり、可視光に対しては機能し
ない。また、このワイヤ法においては、線幅を５０ｎｍ
以下に細くすることはできないという欠点もある。
【０００６】（３） コーニング社製「ポーラコア」 このポーラコア（商品名）は、長く延伸させた金属銀を
ガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特
性をもたせたガラス材料であり、従来の有機物偏光素子
と異なり、耐熱性、耐温性、耐化学薬品性、及びレーザ
に対する耐性に非常に優れている。赤外線用が主である
が、特殊仕様として可視光用もある。
ガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特
性をもたせたガラス材料であり、従来の有機物偏光素子
と異なり、耐熱性、耐温性、耐化学薬品性、及びレーザ
に対する耐性に非常に優れている。赤外線用が主である
が、特殊仕様として可視光用もある。
【０００７】しかし、可視光用のポーラコアは外観上茶
色であり、従来利用されている有機物偏光素子と同様
に、表示デバイスでは暗くなってコントラスト（明暗の
差）が付かず利用することができないという問題があ
る。しかも、価格も高価であリ、またサイズが大きいも
のの製品化が因難であるという欠点もある。更に、光透
過率も、４００〜８００ｎｍで８５％程度（２ｍｍ厚の
とき）と不十分である。
色であり、従来利用されている有機物偏光素子と同様
に、表示デバイスでは暗くなってコントラスト（明暗の
差）が付かず利用することができないという問題があ
る。しかも、価格も高価であリ、またサイズが大きいも
のの製品化が因難であるという欠点もある。更に、光透
過率も、４００〜８００ｎｍで８５％程度（２ｍｍ厚の
とき）と不十分である。
【０００８】（４） マイクロワイヤアレイ このマイクロワイヤアレイは、東北大学のグループから
報告されたものであり、赤外線用にＡｌの表面を陽極酸
化させてアルミナとし、微細な穴を開けてこの中にＮｉ
（ニッケル）やＣｕ（銅）などの金属を入れ偏光子とし
て用いるものである。このマイクロワイヤアレイについ
ては、可視光域の光透過データが十分には明らかにされ
ていないが、主たる利用範囲である赤外線での透過率も
８６％以下と低い。また、このグループはガラス層間に
島状金属粒子層を挿入して引き延ばし、偏光子を得てい
るが、可視光領域での偏光度は不十分であり、やはリ長
波長の赤外線用である。
報告されたものであり、赤外線用にＡｌの表面を陽極酸
化させてアルミナとし、微細な穴を開けてこの中にＮｉ
（ニッケル）やＣｕ（銅）などの金属を入れ偏光子とし
て用いるものである。このマイクロワイヤアレイについ
ては、可視光域の光透過データが十分には明らかにされ
ていないが、主たる利用範囲である赤外線での透過率も
８６％以下と低い。また、このグループはガラス層間に
島状金属粒子層を挿入して引き延ばし、偏光子を得てい
るが、可視光領域での偏光度は不十分であり、やはリ長
波長の赤外線用である。
【０００９】（５） 積層型偏光子 この積層型偏光子は、東北大学の電気通信研究所の川上
彰二郎教授により発表されているもので、可視光用とし
ては、ＲＦ（高周波）スパッタリング法を用いて、６〜
８ｎｍの厚みのＧｅ（ゲルマニウム）層と１μｍの厚み
のＳｉＯ2 層を交互に６０μｍの厚みになるまで積層し
て作製したものである。そして、０．６μｍの波長で測
定した性能指数αTE／αTM（ＴＥ波とＴＭ波に対する消
衰定数の比）は４００近く、０．８μｍの波長で測定し
た消光比は３５ｄＢ、挿入損失は０．１８ｄＢであリ、
可視光に対して十分なものである。
彰二郎教授により発表されているもので、可視光用とし
ては、ＲＦ（高周波）スパッタリング法を用いて、６〜
８ｎｍの厚みのＧｅ（ゲルマニウム）層と１μｍの厚み
のＳｉＯ2 層を交互に６０μｍの厚みになるまで積層し
て作製したものである。そして、０．６μｍの波長で測
定した性能指数αTE／αTM（ＴＥ波とＴＭ波に対する消
衰定数の比）は４００近く、０．８μｍの波長で測定し
た消光比は３５ｄＢ、挿入損失は０．１８ｄＢであリ、
可視光に対して十分なものである。
【００１０】しかし、この積層型偏光子は、スパッタリ
ング法で作製されるため、せいぜい５０〜１００μｍ程
度の厚みでしか作製することができない。従って、この
基板上の薄膜から３〜３５μｍ厚みのスライス状に切り
出して用いる。用途は光センシングシステムや光導波路
デバイス等への組込素子として利用され、８５０ｎｍ以
上の波長ではラミボールの名称で同様の製法を用いたも
のが住友大阪セメント（株）から販売されているが、こ
の製法を用いる限り大面積のものは作製不可能であると
いう欠点がある。
ング法で作製されるため、せいぜい５０〜１００μｍ程
度の厚みでしか作製することができない。従って、この
基板上の薄膜から３〜３５μｍ厚みのスライス状に切り
出して用いる。用途は光センシングシステムや光導波路
デバイス等への組込素子として利用され、８５０ｎｍ以
上の波長ではラミボールの名称で同様の製法を用いたも
のが住友大阪セメント（株）から販売されているが、こ
の製法を用いる限り大面積のものは作製不可能であると
いう欠点がある。
【００１１】この他にも、本発明者が提案した先行技術
として、１０ｎｍ以下の金属又は半導体粒子を有機溶剤
中に分散させて、透明な支持板の上に直線状に塗布し、
焼成することによリ偏光子を形成するようにした技術が
ある。しかし、可視光用ディスプレイ等に広く応用する
ためには、まだ改良の余地があった。
として、１０ｎｍ以下の金属又は半導体粒子を有機溶剤
中に分散させて、透明な支持板の上に直線状に塗布し、
焼成することによリ偏光子を形成するようにした技術が
ある。しかし、可視光用ディスプレイ等に広く応用する
ためには、まだ改良の余地があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来か
ら種々の偏光子が提案されているが、可視光用ディスプ
レイ等に広く応用するためには、それぞれに種々の問題
点を有している。そこで本発明は、上記問題点を鑑みて
なされたものであり、大面積の可視光用偏光子を容易に
作製することが可能であること、可視光の光透過率が高
いこと、可視光域で機能する表示デバイスに用いること
が可能なように着色されていないことを全て満足する光
学素子を提供することを目的とする。
ら種々の偏光子が提案されているが、可視光用ディスプ
レイ等に広く応用するためには、それぞれに種々の問題
点を有している。そこで本発明は、上記問題点を鑑みて
なされたものであり、大面積の可視光用偏光子を容易に
作製することが可能であること、可視光の光透過率が高
いこと、可視光域で機能する表示デバイスに用いること
が可能なように着色されていないことを全て満足する光
学素子を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するための手段として、一般的なリソグラフィ技術
を用いて透明支持体上に細線を設ける方法により作製さ
れる偏光子を既に提案している（特願平８−３２９１９
８号公報参照）。即ち、本提案に係る偏光子は、可視光
に対して透明な支持体の表面に、凹形の溝をフォトリソ
グラフィ技術を用いて直線状に且つ互いに平行になるよ
うに複数列形成する工程と、この溝を形成した支持体に
半導体又は金属よりなる薄膜を形成する工程と、この薄
膜のうち、凹形の溝内の側壁表面に形成された部分のみ
が支持体上に残存するようにエッチング処理を行うこと
により、この残存した薄膜によって細線を形成するよう
にした工程とを含む方法より製造されることを特徴とす
る。こうして、細線における高さと幅の比、即ちアスペ
クト比を大きくし、光の透過率を向上させると共に、偏
光度を高くし、且つディスプレイ用に好ましい無色透明
である偏光子を得ることができた。
解決するための手段として、一般的なリソグラフィ技術
を用いて透明支持体上に細線を設ける方法により作製さ
れる偏光子を既に提案している（特願平８−３２９１９
８号公報参照）。即ち、本提案に係る偏光子は、可視光
に対して透明な支持体の表面に、凹形の溝をフォトリソ
グラフィ技術を用いて直線状に且つ互いに平行になるよ
うに複数列形成する工程と、この溝を形成した支持体に
半導体又は金属よりなる薄膜を形成する工程と、この薄
膜のうち、凹形の溝内の側壁表面に形成された部分のみ
が支持体上に残存するようにエッチング処理を行うこと
により、この残存した薄膜によって細線を形成するよう
にした工程とを含む方法より製造されることを特徴とす
る。こうして、細線における高さと幅の比、即ちアスペ
クト比を大きくし、光の透過率を向上させると共に、偏
光度を高くし、且つディスプレイ用に好ましい無色透明
である偏光子を得ることができた。
【００１４】本発明者は、更に研究を進め、偏光子に斜
めから光が入射する場合であっても、視斜角が小さいこ
とによる影響を減少させて、偏光子機能を十分に発揮さ
せることが可能なように改良を加えることとした。ま
た、偏光子機能のみならず、偏光面が回転する、いわゆ
るファラデー回転効果が現れる磁性機能を発揮させ、一
般的な光磁気記録媒体としても使用することが可能なよ
うに改良を加えることとした。このようにして、以下の
本発明に係る光学素子を見い出した
めから光が入射する場合であっても、視斜角が小さいこ
とによる影響を減少させて、偏光子機能を十分に発揮さ
せることが可能なように改良を加えることとした。ま
た、偏光子機能のみならず、偏光面が回転する、いわゆ
るファラデー回転効果が現れる磁性機能を発揮させ、一
般的な光磁気記録媒体としても使用することが可能なよ
うに改良を加えることとした。このようにして、以下の
本発明に係る光学素子を見い出した
【００１５】即ち、請求項１に係る光学素子は、可視光
に対して透明な支持体の表面に、所定の深さの溝を等間
隔をおいて直線状に複数列形成する第１の工程と、これ
らの溝内の底面及び両側面並びに溝間の支持体の表面
に、所定の厚さの薄膜を形成する第２の工程と、基体全
面に、支持体と同じ屈折率の支持層を形成した後、支持
層の表面を平坦化して、支持体の裏面に対して平行にす
る第３の工程とを有する方法により製造される光学素子
である。
に対して透明な支持体の表面に、所定の深さの溝を等間
隔をおいて直線状に複数列形成する第１の工程と、これ
らの溝内の底面及び両側面並びに溝間の支持体の表面
に、所定の厚さの薄膜を形成する第２の工程と、基体全
面に、支持体と同じ屈折率の支持層を形成した後、支持
層の表面を平坦化して、支持体の裏面に対して平行にす
る第３の工程とを有する方法により製造される光学素子
である。
【００１６】このように請求項１に係る光学素子におい
ては、可視光に対して透明な支持体と支持層との間に薄
膜が形成され、支持体の表面に形成された溝の形状に沿
って凹凸形状の断面をなすと共に奥行き方向に直線状に
延びていることにより、このように断面が凹凸形状をな
し奥行き方向に直線状に延びている薄膜（以下、「直線
格子状の薄膜」という）が支持体と支持層との勘合面全
体にわたって設けられているため、この直線格子状の薄
膜が導電性と光を吸収しない透明性を有する場合、入射
した可視光と相互作用して、円偏光を直線偏光にする偏
光子機能を発揮して、偏光度が高くなると共に、光透過
率も高くなる。また、この直線格子状の薄膜が適当な保
磁力を有し、ファラデー回転角が大きく、磁気異方性が
等方的である場合、入射した可視光と相互作用して、偏
光面が回転するファラデー回転効果を奏する磁性機能が
発揮される。
ては、可視光に対して透明な支持体と支持層との間に薄
膜が形成され、支持体の表面に形成された溝の形状に沿
って凹凸形状の断面をなすと共に奥行き方向に直線状に
延びていることにより、このように断面が凹凸形状をな
し奥行き方向に直線状に延びている薄膜（以下、「直線
格子状の薄膜」という）が支持体と支持層との勘合面全
体にわたって設けられているため、この直線格子状の薄
膜が導電性と光を吸収しない透明性を有する場合、入射
した可視光と相互作用して、円偏光を直線偏光にする偏
光子機能を発揮して、偏光度が高くなると共に、光透過
率も高くなる。また、この直線格子状の薄膜が適当な保
磁力を有し、ファラデー回転角が大きく、磁気異方性が
等方的である場合、入射した可視光と相互作用して、偏
光面が回転するファラデー回転効果を奏する磁性機能が
発揮される。
【００１７】また、請求項２に係る光学素子は、上記請
求項１に係る光学素子において、溝内の底面及び溝間の
支持体の表面が、支持体の裏面に対して平行面をなし、
溝内の両側面が、支持体の裏面に対して垂直面をなして
いることを特徴とする。
求項１に係る光学素子において、溝内の底面及び溝間の
支持体の表面が、支持体の裏面に対して平行面をなし、
溝内の両側面が、支持体の裏面に対して垂直面をなして
いることを特徴とする。
【００１８】このように請求項２に係る光学素子におい
ては、可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全
体にわたって形成された直線格子状の薄膜が、両側面が
垂直な凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形状の断
面をなすことにより、この直線格子状の薄膜が導電性と
透明性を有して偏光子機能を発揮する際、溝内の両側面
に形成され、支持体の裏面に対して垂直面をなしている
薄膜はそのアスペクト比が十分に大きいため、垂直に入
射する可視光との相互作用が強くなり、偏光度が向上す
る。また、溝内の底面及び溝間の支持体表面にも薄膜が
形成され、支持体裏面に対して平行面をなしているた
め、斜めに入射する可視光の視斜角が小さい場合であっ
ても、この斜め入射光との相互作用が補強され、十分な
偏光子機能が発揮される。また、この直線格子状の薄膜
が適当な保磁力を有し、ファラデー回転角が大きく、磁
気異方性が等方的であってファラデー回転効果を奏する
磁性機能を発揮する際、溝内の両側面に形成され、支持
体の裏面に対して垂直面をなしている薄膜はそのアスペ
クト比が十分に大きいため、垂直に入射した可視光との
相互作用が強くなり、ファラデー回転効果が向上する。
また、溝内の底面及び溝間の支持体表面にも薄膜が形成
され、支持体裏面に対して平行面をなしていることによ
り、斜めに入射する可視光の視斜角が小さい場合であっ
ても、この斜め入射光との相互作用が補強され、十分な
ファラデー回転効果を奏する。
ては、可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全
体にわたって形成された直線格子状の薄膜が、両側面が
垂直な凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形状の断
面をなすことにより、この直線格子状の薄膜が導電性と
透明性を有して偏光子機能を発揮する際、溝内の両側面
に形成され、支持体の裏面に対して垂直面をなしている
薄膜はそのアスペクト比が十分に大きいため、垂直に入
射する可視光との相互作用が強くなり、偏光度が向上す
る。また、溝内の底面及び溝間の支持体表面にも薄膜が
形成され、支持体裏面に対して平行面をなしているた
め、斜めに入射する可視光の視斜角が小さい場合であっ
ても、この斜め入射光との相互作用が補強され、十分な
偏光子機能が発揮される。また、この直線格子状の薄膜
が適当な保磁力を有し、ファラデー回転角が大きく、磁
気異方性が等方的であってファラデー回転効果を奏する
磁性機能を発揮する際、溝内の両側面に形成され、支持
体の裏面に対して垂直面をなしている薄膜はそのアスペ
クト比が十分に大きいため、垂直に入射した可視光との
相互作用が強くなり、ファラデー回転効果が向上する。
また、溝内の底面及び溝間の支持体表面にも薄膜が形成
され、支持体裏面に対して平行面をなしていることによ
り、斜めに入射する可視光の視斜角が小さい場合であっ
ても、この斜め入射光との相互作用が補強され、十分な
ファラデー回転効果を奏する。
【００１９】また、請求項３に係る光学素子は、上記請
求項１に係る光学素子において、溝内の底面及び溝間の
前記支持体の表面が支持体の裏面に対して平行面をな
し、溝内の両側面が支持体の裏面に対して傾斜面をなし
ていることを特徴とする。
求項１に係る光学素子において、溝内の底面及び溝間の
前記支持体の表面が支持体の裏面に対して平行面をな
し、溝内の両側面が支持体の裏面に対して傾斜面をなし
ていることを特徴とする。
【００２０】このように請求項３に係る光学素子におい
ては、可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全
体にわたって形成された直線格子状の薄膜が、両側面が
傾斜している凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形
状の断面をなすことにより、この直線格子状の薄膜が導
電性と透明性を有して偏光子機能を発揮する際、斜めに
入射する可視光の視斜角が小さい場合であっても、上記
請求項２に係る光学素子の場合よりも更に十分な偏光子
機能が発揮される。また、この直線格子状の薄膜が適当
な保磁力を有し、ファラデー回転角が大きく、磁気異方
性が等方的であってファラデー回転効果を奏する磁性機
能を発揮する際、斜めに入射する可視光の視斜角が小さ
い場合であっても、上記請求項２に係る光学素子の場合
よりも更に十分なファラデー回転効果を奏する。
ては、可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全
体にわたって形成された直線格子状の薄膜が、両側面が
傾斜している凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形
状の断面をなすことにより、この直線格子状の薄膜が導
電性と透明性を有して偏光子機能を発揮する際、斜めに
入射する可視光の視斜角が小さい場合であっても、上記
請求項２に係る光学素子の場合よりも更に十分な偏光子
機能が発揮される。また、この直線格子状の薄膜が適当
な保磁力を有し、ファラデー回転角が大きく、磁気異方
性が等方的であってファラデー回転効果を奏する磁性機
能を発揮する際、斜めに入射する可視光の視斜角が小さ
い場合であっても、上記請求項２に係る光学素子の場合
よりも更に十分なファラデー回転効果を奏する。
【００２１】また、請求項４に係る光学素子は、上記請
求項１に係る光学素子において、溝内の底面及び溝間の
前記支持体の表面が前記支持体の裏面に対して平行面を
なし、溝内の両側面が弓形に湾曲する曲面をなしている
ことを特徴とする。
求項１に係る光学素子において、溝内の底面及び溝間の
前記支持体の表面が前記支持体の裏面に対して平行面を
なし、溝内の両側面が弓形に湾曲する曲面をなしている
ことを特徴とする。
【００２２】このように請求項４に係る光学素子におい
ては、可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全
体にわたって形成された直線格子状の薄膜が、両側面が
弓形に湾曲している凹部と凸部とが交互に繰り返される
凹凸形状の断面をなすことにより、この直線格子状の薄
膜が導電性と透明性を有して偏光子機能を発揮する際、
斜めに入射する可視光の視斜角が小さい場合であって
も、上記請求項３に係る光学素子の場合と同様に十分な
偏光子機能が発揮される。また、この直線格子状の薄膜
が適当な保磁力を有し、ファラデー回転角が大きく、磁
気異方性が等方的であってファラデー回転効果を奏する
磁性機能を発揮する際、斜めに入射する可視光の視斜角
が小さい場合であっても、上記請求項３に係る光学素子
の場合と同様に十分なファラデー回転効果を奏する。
ては、可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全
体にわたって形成された直線格子状の薄膜が、両側面が
弓形に湾曲している凹部と凸部とが交互に繰り返される
凹凸形状の断面をなすことにより、この直線格子状の薄
膜が導電性と透明性を有して偏光子機能を発揮する際、
斜めに入射する可視光の視斜角が小さい場合であって
も、上記請求項３に係る光学素子の場合と同様に十分な
偏光子機能が発揮される。また、この直線格子状の薄膜
が適当な保磁力を有し、ファラデー回転角が大きく、磁
気異方性が等方的であってファラデー回転効果を奏する
磁性機能を発揮する際、斜めに入射する可視光の視斜角
が小さい場合であっても、上記請求項３に係る光学素子
の場合と同様に十分なファラデー回転効果を奏する。
【００２３】また、請求項５に係る光学素子は、上記請
求項１〜４に係る光学素子において、支持体の表面に直
線状に等間隔をおいて複数列形成された溝が複数のパタ
ーンに配置され、複数列の溝のピッチがこれら複数のパ
ターンの各パターン間で互いに異なっていることを特徴
とする。
求項１〜４に係る光学素子において、支持体の表面に直
線状に等間隔をおいて複数列形成された溝が複数のパタ
ーンに配置され、複数列の溝のピッチがこれら複数のパ
ターンの各パターン間で互いに異なっていることを特徴
とする。
【００２４】このように請求項５に係る光学素子におい
ては、可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全
体にわたって形成された直線格子状の薄膜が、互いにピ
ッチの異なる複数種類のパターンを有していることによ
り、複数種類の波長の入射可視光との相互作用が可能と
なり、この直線格子状の薄膜と相互作用する可視光の波
長範囲が拡大するため、この直線格子状の薄膜が導電性
と透明性を有して偏光子機能を発揮する場合であって
も、適当な保磁力を有し、ファラデー回転角が大きく、
磁気異方性が等方的であってファラデー回転効果を奏す
る磁性機能を発揮する場合であっても、その波長依存性
が低減される。
ては、可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全
体にわたって形成された直線格子状の薄膜が、互いにピ
ッチの異なる複数種類のパターンを有していることによ
り、複数種類の波長の入射可視光との相互作用が可能と
なり、この直線格子状の薄膜と相互作用する可視光の波
長範囲が拡大するため、この直線格子状の薄膜が導電性
と透明性を有して偏光子機能を発揮する場合であって
も、適当な保磁力を有し、ファラデー回転角が大きく、
磁気異方性が等方的であってファラデー回転効果を奏す
る磁性機能を発揮する場合であっても、その波長依存性
が低減される。
【００２５】また、請求項６に係る光学素子は、上記請
求項１〜５に係る光学素子において、支持体の表面に形
成された溝の直線形状が、微視的には薄膜の最大厚さの
範囲内で凹凸形状をなしている直線形状であることを特
徴とする。
求項１〜５に係る光学素子において、支持体の表面に形
成された溝の直線形状が、微視的には薄膜の最大厚さの
範囲内で凹凸形状をなしている直線形状であることを特
徴とする。
【００２６】このように請求項６に係る光学素子におい
ては、支持体の表面に形成された溝の直線形状が微視的
には凹凸形状をなしていることにより、溝内の両側面に
形成された薄膜の実効的な長さが長くなるため、この直
線格子状の薄膜が適当な保磁力を有し、ファラデー回転
角が大きく、磁気異方性が等方的であってファラデー回
転効果を奏する磁性機能を発揮する際には、磁性体とし
ての体積が増加して、磁気光学効果が増大する。
ては、支持体の表面に形成された溝の直線形状が微視的
には凹凸形状をなしていることにより、溝内の両側面に
形成された薄膜の実効的な長さが長くなるため、この直
線格子状の薄膜が適当な保磁力を有し、ファラデー回転
角が大きく、磁気異方性が等方的であってファラデー回
転効果を奏する磁性機能を発揮する際には、磁性体とし
ての体積が増加して、磁気光学効果が増大する。
【００２７】また、請求項７に係る光学素子は、上記請
求項３又は４に係る光学素子において、前記第２の工程
と前記第３の工程との間に、溝内の底面上の薄膜及び溝
間の支持体の表面上の薄膜を選択的に除去し、溝内の両
側面上の薄膜のみを残存させる工程を有する方法により
製造される光学素子である。
求項３又は４に係る光学素子において、前記第２の工程
と前記第３の工程との間に、溝内の底面上の薄膜及び溝
間の支持体の表面上の薄膜を選択的に除去し、溝内の両
側面上の薄膜のみを残存させる工程を有する方法により
製造される光学素子である。
【００２８】このように請求項７に係る光学素子におい
ては、支持体の裏面に対して垂直面をなしている溝内の
両側面上に薄膜が形成されている一方で、支持体裏面に
対して平行面をなしている溝内の底面及び溝間の支持体
表面には薄膜が形成されていないことにより、上記請求
項３又は４に係る光学素子の場合と同様の作用を奏する
と共に、その際の入射可視光の透過率が更に向上する。
ては、支持体の裏面に対して垂直面をなしている溝内の
両側面上に薄膜が形成されている一方で、支持体裏面に
対して平行面をなしている溝内の底面及び溝間の支持体
表面には薄膜が形成されていないことにより、上記請求
項３又は４に係る光学素子の場合と同様の作用を奏する
と共に、その際の入射可視光の透過率が更に向上する。
【００２９】また、請求項８に係る光学素子は、上記請
求項１〜７に係る光学素子において、溝のピッチが０．
２μｍ乃至２μｍであり、溝の深さが０．１μｍ〜５．
０μｍであり、薄膜の厚さが５ｎｍ〜５０ｎｍであるこ
とを特徴とする。
求項１〜７に係る光学素子において、溝のピッチが０．
２μｍ乃至２μｍであり、溝の深さが０．１μｍ〜５．
０μｍであり、薄膜の厚さが５ｎｍ〜５０ｎｍであるこ
とを特徴とする。
【００３０】このように請求項８に係る光学素子におい
ては、溝のピッチが０．２μｍ乃至２μｍであることに
より、こうした溝の形状に沿って形成された直線格子状
の薄膜は入射する可視光と相互作用が生じ、上記請求項
１〜７に係る光学素子の作用を奏することが可能にな
る。また、溝の深さが０．１μｍ〜５．０μｍであり、
薄膜の厚さが５ｎｍ〜１００ｎｍであることにより、薄
膜のアスペクト比が十分に大きくなり、入射する可視光
との相互作用が強くなるため、この直線格子状の薄膜が
導電性と透明性を有する場合には十分な偏光子機能を発
揮して、薄膜が適当な保磁力を有し、ファラデー回転角
が大きく、磁気異方性が等方的である場合には十分なフ
ァラデー回転効果を奏する磁性機能が発揮される。
ては、溝のピッチが０．２μｍ乃至２μｍであることに
より、こうした溝の形状に沿って形成された直線格子状
の薄膜は入射する可視光と相互作用が生じ、上記請求項
１〜７に係る光学素子の作用を奏することが可能にな
る。また、溝の深さが０．１μｍ〜５．０μｍであり、
薄膜の厚さが５ｎｍ〜１００ｎｍであることにより、薄
膜のアスペクト比が十分に大きくなり、入射する可視光
との相互作用が強くなるため、この直線格子状の薄膜が
導電性と透明性を有する場合には十分な偏光子機能を発
揮して、薄膜が適当な保磁力を有し、ファラデー回転角
が大きく、磁気異方性が等方的である場合には十分なフ
ァラデー回転効果を奏する磁性機能が発揮される。
【００３１】また、請求項９に係る光学素子は、上記請
求項８に係る光学素子において、薄膜が半導体膜又は金
属膜であることを特徴とする。
求項８に係る光学素子において、薄膜が半導体膜又は金
属膜であることを特徴とする。
【００３２】このように請求項９に係る光学素子におい
ては、支持体と支持層との勘合面に設けられている直線
格子状の薄膜が厚さ５ｎｍ〜１００ｎｍの半導体膜又は
金属膜からなることにより、この直線格子状の薄膜が導
電性を有すると共に、入射する可視光に対する透明性を
有するため、円偏光を直線偏光にする偏光子機能を発揮
する。
ては、支持体と支持層との勘合面に設けられている直線
格子状の薄膜が厚さ５ｎｍ〜１００ｎｍの半導体膜又は
金属膜からなることにより、この直線格子状の薄膜が導
電性を有すると共に、入射する可視光に対する透明性を
有するため、円偏光を直線偏光にする偏光子機能を発揮
する。
【００３３】また、請求項１０に係る光学素子は、上記
請求項９に係る光学素子において、薄膜が強磁性微粒子
を含有していることを特徴とする。
請求項９に係る光学素子において、薄膜が強磁性微粒子
を含有していることを特徴とする。
【００３４】このように請求項１０に係る光学素子にお
いては、支持体と支持層との勘合面に設けられている直
線格子状の薄膜が強磁性微粒子を含有していることによ
り、この直線格子状の薄膜が適当な保磁力を有し、ファ
ラデー回転角が大きく、磁気異方性が等方的であるた
め、偏光面が回転するファラデー回転効果を奏する磁性
機能が発揮される。なお、上記請求項１０に係る光学素
子において、強磁性微粒子としては、平均粒子径２〜５
０ｎｍのＦｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ、又はこ
れらの合金の微粒子であることが好適である。
いては、支持体と支持層との勘合面に設けられている直
線格子状の薄膜が強磁性微粒子を含有していることによ
り、この直線格子状の薄膜が適当な保磁力を有し、ファ
ラデー回転角が大きく、磁気異方性が等方的であるた
め、偏光面が回転するファラデー回転効果を奏する磁性
機能が発揮される。なお、上記請求項１０に係る光学素
子において、強磁性微粒子としては、平均粒子径２〜５
０ｎｍのＦｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ、又はこ
れらの合金の微粒子であることが好適である。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施形態）本発明の第１の実施形態に係る光学
素子を、図１を用いて説明する。ここで、図１は本実施
形態に係る光学素子を示す断面図である。なお、本実施
形態は、請求項１、２、８、９に対応するものである。
図１に示されるように、可視光に対して透明な支持体と
して用いる厚さ１ｍｍの石英基板１０表面に、幅０．７
５μｍ、深さ０．７５μｍの溝が間隔０．７５μｍをお
いて図面の奥行き方向に直線状に複数列形成されてい
る。そして、この石英基板１０表面の各溝内の底面及び
これらの溝間の石英基板１０表面は、石英基板１０裏面
に対して平行面をなしており、各溝内の両側面は、石英
基板１０裏面に対して垂直面をなしている。
発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施形態）本発明の第１の実施形態に係る光学
素子を、図１を用いて説明する。ここで、図１は本実施
形態に係る光学素子を示す断面図である。なお、本実施
形態は、請求項１、２、８、９に対応するものである。
図１に示されるように、可視光に対して透明な支持体と
して用いる厚さ１ｍｍの石英基板１０表面に、幅０．７
５μｍ、深さ０．７５μｍの溝が間隔０．７５μｍをお
いて図面の奥行き方向に直線状に複数列形成されてい
る。そして、この石英基板１０表面の各溝内の底面及び
これらの溝間の石英基板１０表面は、石英基板１０裏面
に対して平行面をなしており、各溝内の両側面は、石英
基板１０裏面に対して垂直面をなしている。
【００３６】また、このような溝によって凹凸形状をな
している石英基板１０表面上には、石英基板１０と同じ
屈折率をもつＳｉＯ2 膜（シリコン酸化膜）２０が嵌合
して設けられている。即ち、ＳｉＯ2 膜２０裏面も、石
英基板１０表面と同様に、図面の奥行き方向に直線状に
延びる複数列の溝が形成され、その断面が凹凸形状をな
すと共に、石英基板１０表面及びＳｉＯ2 膜２０裏面の
それぞれの凹部と凸部とが互いにかみ合った状態をなし
ている。また、このＳｉＯ2 膜２０表面は平坦化され
て、石英基板１０裏面に対して平行面をなしている。
している石英基板１０表面上には、石英基板１０と同じ
屈折率をもつＳｉＯ2 膜（シリコン酸化膜）２０が嵌合
して設けられている。即ち、ＳｉＯ2 膜２０裏面も、石
英基板１０表面と同様に、図面の奥行き方向に直線状に
延びる複数列の溝が形成され、その断面が凹凸形状をな
すと共に、石英基板１０表面及びＳｉＯ2 膜２０裏面の
それぞれの凹部と凸部とが互いにかみ合った状態をなし
ている。また、このＳｉＯ2 膜２０表面は平坦化され
て、石英基板１０裏面に対して平行面をなしている。
【００３７】そして、これら互いに嵌合している石英基
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
全体にわたって厚さ１１ｎｍのＧｅ薄膜１８が直線格子
状に設けられている点に本実施形態の特徴がある。即
ち、この直線格子状のＧｅ薄膜１８は、両側面が垂直な
凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をな
すと共に、図面の奥行き方向に直線状に延びている。
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
全体にわたって厚さ１１ｎｍのＧｅ薄膜１８が直線格子
状に設けられている点に本実施形態の特徴がある。即
ち、この直線格子状のＧｅ薄膜１８は、両側面が垂直な
凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をな
すと共に、図面の奥行き方向に直線状に延びている。
【００３８】また、ＳｉＯ2 膜２０表面上に、例えば屈
折率ｎ＝１．３３のＭｇＦ2 （フッ化マグネシウム）か
らなる厚さ０．１μｍの反射防止膜２２が設けられてお
り、この反射防止膜２２によって可視光域の反射率が３
％程度低下するようになっている。また、石英基板１０
裏面上に、例えばＡｌからなる厚さ０．２μｍの反射膜
２４が設けられている。
折率ｎ＝１．３３のＭｇＦ2 （フッ化マグネシウム）か
らなる厚さ０．１μｍの反射防止膜２２が設けられてお
り、この反射防止膜２２によって可視光域の反射率が３
％程度低下するようになっている。また、石英基板１０
裏面上に、例えばＡｌからなる厚さ０．２μｍの反射膜
２４が設けられている。
【００３９】次に、図１に示す光学素子の製造方法を、
図２〜図５を用いて説明する。ここで、図２〜図５はそ
れぞれ図１に示す光学素子の製造方法を説明するための
工程図である。先ず、可視光に対して透明な支持体とし
て表面及び裏面が平行な厚さ１ｍｍの石英基板１０を用
い、この石英基板１０表面上に、Ｃｒ2 Ｏ3 （酸化クロ
ム）膜及びＣｒ（クロム）膜を順に積層して合計の厚さ
が１２０ｎｍとなるＣｒ2 Ｏ3／Ｃｒ複合膜１２を形成
する。そして、基体全面に、例えばポジ型レジスト１４
を塗布する。
図２〜図５を用いて説明する。ここで、図２〜図５はそ
れぞれ図１に示す光学素子の製造方法を説明するための
工程図である。先ず、可視光に対して透明な支持体とし
て表面及び裏面が平行な厚さ１ｍｍの石英基板１０を用
い、この石英基板１０表面上に、Ｃｒ2 Ｏ3 （酸化クロ
ム）膜及びＣｒ（クロム）膜を順に積層して合計の厚さ
が１２０ｎｍとなるＣｒ2 Ｏ3／Ｃｒ複合膜１２を形成
する。そして、基体全面に、例えばポジ型レジスト１４
を塗布する。
【００４０】続いて、フォトリソグラフィ技術を用い
て、このポジ型レジスト１４のパターニングを行う。即
ち、ポジ型レジスト１４上に所定のパターン像を描画し
たフォトマスクを配置し、ＵＶ（Ultra Violet；紫外）
光を用いた露光を行った後、現像を行う。こうして、ポ
ジ型レジスト１４を幅０．７５μｍ、間隔０．７５μｍ
のＬ／Ｓ（ライン・アンド・スペース）状にパターニン
グする（図２参照）。
て、このポジ型レジスト１４のパターニングを行う。即
ち、ポジ型レジスト１４上に所定のパターン像を描画し
たフォトマスクを配置し、ＵＶ（Ultra Violet；紫外）
光を用いた露光を行った後、現像を行う。こうして、ポ
ジ型レジスト１４を幅０．７５μｍ、間隔０．７５μｍ
のＬ／Ｓ（ライン・アンド・スペース）状にパターニン
グする（図２参照）。
【００４１】次いで、このＬ／Ｓ状にパターニングされ
たポジ型レジスト１４をマスクとし、エッチングガスと
してフッ素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜１２
及び石英基板１０を選択的にエッチング除去する。この
エッチングの後、ポジ型レジスト１４及びＣｒ2 Ｏ3 ／
Ｃｒ複合膜１２を除去する。こうして、石英基板１０表
面に、幅０．７５μｍ、深さ０．７５μｍの溝１６が間
隔０．７５μｍをおいて直線状に複数列形成されるよう
に加工する。ここで、電子顕微鏡を用いて石英基板１０
表面に形成された溝１６を観察し、各溝１６内の底面及
びこれらの溝１６間の石英基板１０表面が石英基板１０
裏面に対して平行面をなしており、各溝１６内の両側面
が石英基板１０裏面に対して垂直面をなしていることが
確認する（図３参照）。
たポジ型レジスト１４をマスクとし、エッチングガスと
してフッ素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜１２
及び石英基板１０を選択的にエッチング除去する。この
エッチングの後、ポジ型レジスト１４及びＣｒ2 Ｏ3 ／
Ｃｒ複合膜１２を除去する。こうして、石英基板１０表
面に、幅０．７５μｍ、深さ０．７５μｍの溝１６が間
隔０．７５μｍをおいて直線状に複数列形成されるよう
に加工する。ここで、電子顕微鏡を用いて石英基板１０
表面に形成された溝１６を観察し、各溝１６内の底面及
びこれらの溝１６間の石英基板１０表面が石英基板１０
裏面に対して平行面をなしており、各溝１６内の両側面
が石英基板１０裏面に対して垂直面をなしていることが
確認する（図３参照）。
【００４２】次いで、例えばＥＣＲ（Electron Cyclotr
on Resonance；電子サイクロトロン共鳴）スパッタリン
グ法により、キャリアガスとしてＡｒ（アルゴン）ガス
を用い、ガス圧１０-1Ｐａ、基板温度７００℃の条件に
おいて、基体全面に、即ち各溝１６内の底面及びこれら
の溝１６間の石英基板１０表面並びに各溝１６内の両側
面に、厚さ１１ｎｍのＧｅ薄膜１８を直線格子状に形成
する。なお、この厚さ１１ｎｍの直線格子状のＧｅ薄膜
１８は、円偏光を直線偏光にする偏光子機能に必要な導
電性と光を吸収しない透明性を具備する薄膜である（図
４参照）。
on Resonance；電子サイクロトロン共鳴）スパッタリン
グ法により、キャリアガスとしてＡｒ（アルゴン）ガス
を用い、ガス圧１０-1Ｐａ、基板温度７００℃の条件に
おいて、基体全面に、即ち各溝１６内の底面及びこれら
の溝１６間の石英基板１０表面並びに各溝１６内の両側
面に、厚さ１１ｎｍのＧｅ薄膜１８を直線格子状に形成
する。なお、この厚さ１１ｎｍの直線格子状のＧｅ薄膜
１８は、円偏光を直線偏光にする偏光子機能に必要な導
電性と光を吸収しない透明性を具備する薄膜である（図
４参照）。
【００４３】次いで、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition ；化学的気相成長）法により、直線格子状の
Ｇｅ薄膜１８上に、各溝１６が十分に埋まるような厚さ
に、石英基板１０と同じ屈折率をもつＳｉＯ2 膜２０を
堆積する。続いて、研磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面
を平坦化して、このＳｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０
裏面に対して平行面をなすようにする。なお、このＳｉ
Ｏ2 膜２０表面を研磨する際に、直線格子状のＧｅ薄膜
１８が露出しないように注意する。
eposition ；化学的気相成長）法により、直線格子状の
Ｇｅ薄膜１８上に、各溝１６が十分に埋まるような厚さ
に、石英基板１０と同じ屈折率をもつＳｉＯ2 膜２０を
堆積する。続いて、研磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面
を平坦化して、このＳｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０
裏面に対して平行面をなすようにする。なお、このＳｉ
Ｏ2 膜２０表面を研磨する際に、直線格子状のＧｅ薄膜
１８が露出しないように注意する。
【００４４】続いて、例えば真空蒸着法により、平坦化
されたＳｉＯ2 膜２０表面上に、屈折率ｎ＝１．３３の
ＭｇＦ2 からなる厚さ０．１μｍの反射防止膜２２を形
成する。また、例えば真空蒸着法により、石英基板１０
裏面上に、Ａｌからなる厚さ０．２μｍの反射膜２４を
形成する。このようにして、図１に示す光学素子を作製
する（図５参照）。
されたＳｉＯ2 膜２０表面上に、屈折率ｎ＝１．３３の
ＭｇＦ2 からなる厚さ０．１μｍの反射防止膜２２を形
成する。また、例えば真空蒸着法により、石英基板１０
裏面上に、Ａｌからなる厚さ０．２μｍの反射膜２４を
形成する。このようにして、図１に示す光学素子を作製
する（図５参照）。
【００４５】以上のように、本実施形態に係る光学素子
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間に直線格子状のＧｅ薄膜１８が
設けられ、両側面が垂直な凹部と凸部とが交互に繰り返
される凹凸形状の断面をなすと共に、図１の奥行き方向
に直線状に延びていることにより、この直線格子状のＧ
ｅ薄膜１８が入射した可視光と相互作用して、円偏光を
直線偏光にする偏光子機能を発揮することができる。特
に、溝１６内の両側面に形成され、石英基板１０裏面に
対して垂直面をなしているＧｅ薄膜１８は、そのアスペ
クト比が７０程度と大きいため、垂直に入射した可視光
との相互作用が強くなり、偏光度を向上することができ
る。また、溝１６内の底面及びこれらの溝１６間の石英
基板１０表面にもＧｅ薄膜１８が形成され、石英基板１
０裏面に対して平行面をなしているため、斜めに入射す
る可視光の視斜角が小さい場合であっても、この斜め入
射可視光との相互作用が補強されて、十分な偏光子機能
を発揮することができる。
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間に直線格子状のＧｅ薄膜１８が
設けられ、両側面が垂直な凹部と凸部とが交互に繰り返
される凹凸形状の断面をなすと共に、図１の奥行き方向
に直線状に延びていることにより、この直線格子状のＧ
ｅ薄膜１８が入射した可視光と相互作用して、円偏光を
直線偏光にする偏光子機能を発揮することができる。特
に、溝１６内の両側面に形成され、石英基板１０裏面に
対して垂直面をなしているＧｅ薄膜１８は、そのアスペ
クト比が７０程度と大きいため、垂直に入射した可視光
との相互作用が強くなり、偏光度を向上することができ
る。また、溝１６内の底面及びこれらの溝１６間の石英
基板１０表面にもＧｅ薄膜１８が形成され、石英基板１
０裏面に対して平行面をなしているため、斜めに入射す
る可視光の視斜角が小さい場合であっても、この斜め入
射可視光との相互作用が補強されて、十分な偏光子機能
を発揮することができる。
【００４６】本発明者が本実施形態に基づいて作製した
光学素子においては、石英基板１０とＳｉＯ2 膜２０と
の間に設けられた直線格子状のＧｅ薄膜１８に対して電
気ベクトルが垂直な場合をＳ偏光とし、平行な場合をＰ
偏光とすると、波長５５０ｍｍの光に対してＳ偏光透過
率Ｔ1 は８０％以上であり、Ｐ偏光透過率Ｔ2 は７％以
下であった。また、偏光度（Ｔ1 −Ｔ2 ）／（Ｔ1 ＋Ｔ
2 ）は波長５５０ｍｍの光に対して８０％以上であっ
た。更に、波長５５０ｍｍの光に対する光透過率は７２
％以上であった。従って、従来のＬＣＤ（液晶表示デバ
イス）に用いられるヨウ素タイプの偏光子の透過率が５
０％以下であることと比較すると、大幅に明るい偏光子
を得ることができたといえる。
光学素子においては、石英基板１０とＳｉＯ2 膜２０と
の間に設けられた直線格子状のＧｅ薄膜１８に対して電
気ベクトルが垂直な場合をＳ偏光とし、平行な場合をＰ
偏光とすると、波長５５０ｍｍの光に対してＳ偏光透過
率Ｔ1 は８０％以上であり、Ｐ偏光透過率Ｔ2 は７％以
下であった。また、偏光度（Ｔ1 −Ｔ2 ）／（Ｔ1 ＋Ｔ
2 ）は波長５５０ｍｍの光に対して８０％以上であっ
た。更に、波長５５０ｍｍの光に対する光透過率は７２
％以上であった。従って、従来のＬＣＤ（液晶表示デバ
イス）に用いられるヨウ素タイプの偏光子の透過率が５
０％以下であることと比較すると、大幅に明るい偏光子
を得ることができたといえる。
【００４７】なお、上記第１の実施形態においては、石
英基板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に直線格子
状のＧｅ薄膜１８が設けられているが、このＧｅ薄膜１
８の代わりに、例えばＳｉ薄膜等の他の半導体薄膜を用
いてもよいし、金属薄膜を用いてもよい。
英基板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に直線格子
状のＧｅ薄膜１８が設けられているが、このＧｅ薄膜１
８の代わりに、例えばＳｉ薄膜等の他の半導体薄膜を用
いてもよいし、金属薄膜を用いてもよい。
【００４８】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態に係る光学素子を、図６を用いて説明する。ここで、
図６は本実施形態に係る光学素子を示す断面図である。
なお、上記図１に示す光学素子と同一の構成要素には同
一の符合を付して説明を省略する。また、本実施形態
は、請求項１、２、８、９、１０、１１に対応するもの
である。図６に示されるように、本実施形態に係る光学
素子は、上記図１に示す第１の実施形態に係る光学素子
とほぼ同様の構造を有し、直線格子状のＧｅ薄膜１８の
代わりに、強磁性微粒子としてのＣｏ粒子並びにＣｏ酸
化膜及び／又はＣｏ炭化膜を含有する薄膜（以下、適宜
「Ｃｏ粒子含有薄膜」という）２６が設けられているも
のである。
態に係る光学素子を、図６を用いて説明する。ここで、
図６は本実施形態に係る光学素子を示す断面図である。
なお、上記図１に示す光学素子と同一の構成要素には同
一の符合を付して説明を省略する。また、本実施形態
は、請求項１、２、８、９、１０、１１に対応するもの
である。図６に示されるように、本実施形態に係る光学
素子は、上記図１に示す第１の実施形態に係る光学素子
とほぼ同様の構造を有し、直線格子状のＧｅ薄膜１８の
代わりに、強磁性微粒子としてのＣｏ粒子並びにＣｏ酸
化膜及び／又はＣｏ炭化膜を含有する薄膜（以下、適宜
「Ｃｏ粒子含有薄膜」という）２６が設けられているも
のである。
【００４９】即ち、可視光に対して透明な支持体として
用いる厚さ１ｍｍの石英基板１０表面に、幅０．７５μ
ｍ、深さ０．７５μｍの溝が間隔０．７５μｍをおいて
図面の奥行き方向に直線状に複数列形成されており、こ
の石英基板１０表面の各溝内の底面及びこれらの溝間の
石英基板１０表面は、石英基板１０裏面に対して平行面
をなしており、各溝内の両側面は、石英基板１０裏面に
対して垂直面をなしている。また、このよう溝によって
断面が凹凸形状をなしている石英基板１０表面上には、
石英基板１０と同じ屈折率をもつＳｉＯ2 膜２０が嵌合
して設けられている。そして、このＳｉＯ2 膜２０表面
は平坦化されて、石英基板１０裏面に対して平行面をな
している。
用いる厚さ１ｍｍの石英基板１０表面に、幅０．７５μ
ｍ、深さ０．７５μｍの溝が間隔０．７５μｍをおいて
図面の奥行き方向に直線状に複数列形成されており、こ
の石英基板１０表面の各溝内の底面及びこれらの溝間の
石英基板１０表面は、石英基板１０裏面に対して平行面
をなしており、各溝内の両側面は、石英基板１０裏面に
対して垂直面をなしている。また、このよう溝によって
断面が凹凸形状をなしている石英基板１０表面上には、
石英基板１０と同じ屈折率をもつＳｉＯ2 膜２０が嵌合
して設けられている。そして、このＳｉＯ2 膜２０表面
は平坦化されて、石英基板１０裏面に対して平行面をな
している。
【００５０】そして、これら互いに嵌合している石英基
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
全体にわたって平均粒子径８ｎｍのＣｏ粒子並びにＣｏ
酸化膜及び／又はＣｏ炭化膜を含有する平均膜厚２０ｎ
ｍのＣｏ粒子含有薄膜２６が直線格子状に設けられてい
る点に本実施形態の特徴がある。即ち、この直線格子状
のＣｏ粒子含有薄膜２６は、両側面が垂直な凹部と凸部
とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共に、
図面の奥行き方向に直線状に延びている。
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
全体にわたって平均粒子径８ｎｍのＣｏ粒子並びにＣｏ
酸化膜及び／又はＣｏ炭化膜を含有する平均膜厚２０ｎ
ｍのＣｏ粒子含有薄膜２６が直線格子状に設けられてい
る点に本実施形態の特徴がある。即ち、この直線格子状
のＣｏ粒子含有薄膜２６は、両側面が垂直な凹部と凸部
とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共に、
図面の奥行き方向に直線状に延びている。
【００５１】また、ＳｉＯ2 膜２０表面上に、例えばＭ
ｇＦ2 からなる厚さ０．１μｍの反射防止膜２２が設け
られ、可視光域の反射率が３％程度低下するようになっ
ている。また、石英基板１０裏面上に、例えばＡｌから
なる厚さ０．２μｍの反射膜２４が設けられている。
ｇＦ2 からなる厚さ０．１μｍの反射防止膜２２が設け
られ、可視光域の反射率が３％程度低下するようになっ
ている。また、石英基板１０裏面上に、例えばＡｌから
なる厚さ０．２μｍの反射膜２４が設けられている。
【００５２】次に、図６に示す光学素子の製造方法を説
明する。なお、この場合の工程図は上記図２〜図５に示
す場合とほぼ同様であるため、その図示を省略する。先
ず、上記第１の実施形態の場合と同様にして、表面及び
裏面が平行な厚さ１ｍｍの石英基板１０表面上に、Ｃｒ
2 Ｏ3 膜及びＣｒ膜を順に積層して、厚さ１２０ｎｍの
Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜を形成する。そして、基体全面
に例えばポジ型レジストを塗布した後、フォトリソグラ
フィ技術を用いて、このポジ型レジストを幅０．７５μ
ｍ、間隔０．７５μｍのＬ／Ｓ状にパターニングする。
明する。なお、この場合の工程図は上記図２〜図５に示
す場合とほぼ同様であるため、その図示を省略する。先
ず、上記第１の実施形態の場合と同様にして、表面及び
裏面が平行な厚さ１ｍｍの石英基板１０表面上に、Ｃｒ
2 Ｏ3 膜及びＣｒ膜を順に積層して、厚さ１２０ｎｍの
Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜を形成する。そして、基体全面
に例えばポジ型レジストを塗布した後、フォトリソグラ
フィ技術を用いて、このポジ型レジストを幅０．７５μ
ｍ、間隔０．７５μｍのＬ／Ｓ状にパターニングする。
【００５３】次いで、このようにパターニングされたポ
ジ型レジストをマスクとし、エッチングガスとしてフッ
素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜及び石英基板
１０を選択的にエッチング除去する。こうして、石英基
板１０表面に幅０．７５μｍ、深さ０．７５μｍの溝が
間隔０．７５μｍをおいて直線状に複数列形成されるよ
うに加工する。ここで、電子顕微鏡を用いて石英基板１
０表面に形成された溝を観察し、各溝内の底面及びこれ
らの溝間の石英基板１０表面が石英基板１０裏面に対し
て平行面をなしており、各溝内の両側面が石英基板１０
裏面に対して垂直面をなしていることが確認する。
ジ型レジストをマスクとし、エッチングガスとしてフッ
素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜及び石英基板
１０を選択的にエッチング除去する。こうして、石英基
板１０表面に幅０．７５μｍ、深さ０．７５μｍの溝が
間隔０．７５μｍをおいて直線状に複数列形成されるよ
うに加工する。ここで、電子顕微鏡を用いて石英基板１
０表面に形成された溝を観察し、各溝内の底面及びこれ
らの溝間の石英基板１０表面が石英基板１０裏面に対し
て平行面をなしており、各溝内の両側面が石英基板１０
裏面に対して垂直面をなしていることが確認する。
【００５４】次いで、例えばガス中蒸着法により、Ａｒ
ガスと空気との混合ガスを用い、ガス流量が空気／Ａｒ
＝５ｃｃｍ／５０ｃｃｍ、全ガス圧が１．３Ｐａの条件
において、石英基板１０を加熱することなく、基体全面
に純度９９．９％のＣｏ粉末を蒸着する。こうして、各
溝内の底面及びこれらの溝間の石英基板１０表面並びに
各溝内の両側面に、平均粒子径８ｎｍのＣｏ粒子並びに
Ｃｏ酸化膜及び／又はＣｏ炭化膜を含有する平均膜厚２
０ｎｍのＣｏ粒子含有薄膜２６を直線格子状に形成す
る。
ガスと空気との混合ガスを用い、ガス流量が空気／Ａｒ
＝５ｃｃｍ／５０ｃｃｍ、全ガス圧が１．３Ｐａの条件
において、石英基板１０を加熱することなく、基体全面
に純度９９．９％のＣｏ粉末を蒸着する。こうして、各
溝内の底面及びこれらの溝間の石英基板１０表面並びに
各溝内の両側面に、平均粒子径８ｎｍのＣｏ粒子並びに
Ｃｏ酸化膜及び／又はＣｏ炭化膜を含有する平均膜厚２
０ｎｍのＣｏ粒子含有薄膜２６を直線格子状に形成す
る。
【００５５】なお、偏光面が回転するファラデー回転効
果を奏する磁性機能を発揮するには、記録及び消去に適
当な３００Ｏｅ〜２０００Ｏｅの保磁力を有すること、
コントラストを大きくするためにファラデー回転角が大
きいこと、面内磁気異方性が等方的であることを必要条
件とするが、この平均膜厚２０ｎｍの直線格子状のＣｏ
粒子含有薄膜２６はこれらの条件を満足する薄膜であ
る。因みに、この直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜２６の
平坦部において測定した保磁力は４００Ｏｅであった。
果を奏する磁性機能を発揮するには、記録及び消去に適
当な３００Ｏｅ〜２０００Ｏｅの保磁力を有すること、
コントラストを大きくするためにファラデー回転角が大
きいこと、面内磁気異方性が等方的であることを必要条
件とするが、この平均膜厚２０ｎｍの直線格子状のＣｏ
粒子含有薄膜２６はこれらの条件を満足する薄膜であ
る。因みに、この直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜２６の
平坦部において測定した保磁力は４００Ｏｅであった。
【００５６】次いで、上記第１の実施形態の場合と同様
にして、ＣＶＤ法により、直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜２６上に、各溝が十分に埋まるような厚さに、石英基
板１０と同じ屈折率をもつＳｉＯ2 膜２０を堆積した
後、研磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面を平坦化して、
このＳｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０裏面に対して平
行面をなすようにする。続いて、真空蒸着法により、平
坦化されたＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 からなる
厚さ０．１μｍの反射防止膜２２を形成する。また、真
空蒸着法により、石英基板１０裏面上に、Ａｌからなる
厚さ０．２μｍの反射膜２４を形成する。このようにし
て、図６に示す光学素子を作製する。
にして、ＣＶＤ法により、直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜２６上に、各溝が十分に埋まるような厚さに、石英基
板１０と同じ屈折率をもつＳｉＯ2 膜２０を堆積した
後、研磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面を平坦化して、
このＳｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０裏面に対して平
行面をなすようにする。続いて、真空蒸着法により、平
坦化されたＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 からなる
厚さ０．１μｍの反射防止膜２２を形成する。また、真
空蒸着法により、石英基板１０裏面上に、Ａｌからなる
厚さ０．２μｍの反射膜２４を形成する。このようにし
て、図６に示す光学素子を作製する。
【００５７】以上のように、本実施形態に係る光学素子
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間にＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及
び／又はＣｏ炭化膜を含有する直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜２６が設けられ、両側面が垂直な凹部と凸部とが
交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共に、図６
の奥行き方向に直線状に延びていることにより、この直
線格子状のＣｏ粒子含有薄膜２６が入射可視光と相互作
用して、偏光面が回転するファラデー回転効果を奏する
磁性機能を発揮することができる。特に、石英基板１０
表面の溝の側面に形成され、石英基板１０裏面に対して
垂直面をなしているＣｏ粒子含有薄膜２６が垂直に入射
した可視光と強く相互作用すると共に、溝内の底面及び
これらの溝間の石英基板１０表面にもＣｏ粒子含有薄膜
２６が形成され、石英基板１０裏面に対して平行面をな
しているため、本実施形態に係る光学素子に斜めに入射
する可視光の視斜角が小さい場合であっても、この斜め
入射可視光との相互作用が補強され、この斜め入射可視
光に対しても十分なファラデー回転効果を奏する磁性機
能を発揮することができる。
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間にＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及
び／又はＣｏ炭化膜を含有する直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜２６が設けられ、両側面が垂直な凹部と凸部とが
交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共に、図６
の奥行き方向に直線状に延びていることにより、この直
線格子状のＣｏ粒子含有薄膜２６が入射可視光と相互作
用して、偏光面が回転するファラデー回転効果を奏する
磁性機能を発揮することができる。特に、石英基板１０
表面の溝の側面に形成され、石英基板１０裏面に対して
垂直面をなしているＣｏ粒子含有薄膜２６が垂直に入射
した可視光と強く相互作用すると共に、溝内の底面及び
これらの溝間の石英基板１０表面にもＣｏ粒子含有薄膜
２６が形成され、石英基板１０裏面に対して平行面をな
しているため、本実施形態に係る光学素子に斜めに入射
する可視光の視斜角が小さい場合であっても、この斜め
入射可視光との相互作用が補強され、この斜め入射可視
光に対しても十分なファラデー回転効果を奏する磁性機
能を発揮することができる。
【００５８】本発明者が本実施形態に基づいて作製した
光学素子においては、石英基板１０とＳｉＯ2 膜２０と
の間に設けれた直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜２６に対
して電気ベクトルが垂直な場合をＳ偏光とし、平行な場
合をＰ偏光とすると、波長５５０ｍｍの光に対してＳ偏
光透過率Ｔ1 は８０％以上であり、Ｐ偏光透過率Ｔ2は
７％以下であった。また、偏光度（Ｔ1 −Ｔ2 ）／（Ｔ
1 ＋Ｔ2 ）は波長５５０ｍｍの光に対して８０％以上で
あった。
光学素子においては、石英基板１０とＳｉＯ2 膜２０と
の間に設けれた直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜２６に対
して電気ベクトルが垂直な場合をＳ偏光とし、平行な場
合をＰ偏光とすると、波長５５０ｍｍの光に対してＳ偏
光透過率Ｔ1 は８０％以上であり、Ｐ偏光透過率Ｔ2は
７％以下であった。また、偏光度（Ｔ1 −Ｔ2 ）／（Ｔ
1 ＋Ｔ2 ）は波長５５０ｍｍの光に対して８０％以上で
あった。
【００５９】更に、１ｍｍφの円筒状棒磁石（表面磁束
１．５Ｋガウス）を用いて文字を書くと、磁化部と非磁
化部とではファラデー回転角が大きく異なり、且つ直線
格子状のＣｏ粒子含有薄膜２６が大きな偏光機能を有す
るため、磁化部と非磁化部との透過光強度の差によるコ
ントラストが表れ、文字を識別することができた。
１．５Ｋガウス）を用いて文字を書くと、磁化部と非磁
化部とではファラデー回転角が大きく異なり、且つ直線
格子状のＣｏ粒子含有薄膜２６が大きな偏光機能を有す
るため、磁化部と非磁化部との透過光強度の差によるコ
ントラストが表れ、文字を識別することができた。
【００６０】また、直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜が設
けられていない石英基板１０片面上に、例えば真空蒸着
法により、厚さ２００ｎｍのＡｌ膜を形成した後、上記
の場合と同様に、円筒状棒磁石を用いて文字を記録する
と、反射光強度の差によるコントラストにより、文字を
読むことができた。
けられていない石英基板１０片面上に、例えば真空蒸着
法により、厚さ２００ｎｍのＡｌ膜を形成した後、上記
の場合と同様に、円筒状棒磁石を用いて文字を記録する
と、反射光強度の差によるコントラストにより、文字を
読むことができた。
【００６１】なお、上記第２の実施形態においては、石
英基板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に直線格子
状のＣｏ粒子含有薄膜２６が設けられているが、このＣ
ｏ粒子含有薄膜２６の代わりに、例えばＦｅ、Ｎｉ、又
はこれらの合金の微粒子を含有する薄膜を用いてもよ
い。これらの薄膜も、偏光面が回転するファラデー回転
効果を奏する磁性機能を発揮するための必要条件、即ち
記録及び消去に適当な３００Ｏｅ〜２０００Ｏｅの保磁
力を有すること、コントラストを大きくするためにファ
ラデー回転角が大きいこと、磁気異方性が等方的である
ことという条件を満足するものである。
英基板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に直線格子
状のＣｏ粒子含有薄膜２６が設けられているが、このＣ
ｏ粒子含有薄膜２６の代わりに、例えばＦｅ、Ｎｉ、又
はこれらの合金の微粒子を含有する薄膜を用いてもよ
い。これらの薄膜も、偏光面が回転するファラデー回転
効果を奏する磁性機能を発揮するための必要条件、即ち
記録及び消去に適当な３００Ｏｅ〜２０００Ｏｅの保磁
力を有すること、コントラストを大きくするためにファ
ラデー回転角が大きいこと、磁気異方性が等方的である
ことという条件を満足するものである。
【００６２】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態に係る光学素子を、図７を用いて説明する。ここで、
図７は本実施形態に係る光学素子を示す断面図である。
なお、上記図６に示す光学素子と同一の構成要素には同
一の符合を付して説明を省略する。また、本実施形態
は、請求項１、２、５、８、９、１０、１１に対応する
ものである。図７に示されるように、本実施形態に係る
光学素子は、上記図６に示す第１の実施形態に係る光学
素子とほぼ同様の構造を有しているが、１種類のパター
ンの各溝内側を含む石英基板１０全表面に直線格子状の
Ｃｏ粒子含有薄膜２６が形成されているの代わりに、石
英基板１０表面に複数種類のパターンの溝が形成され、
これら複数種類のパターンの各溝内側を含む石英基板１
０全表面に直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜２８が設けら
れているものである。
態に係る光学素子を、図７を用いて説明する。ここで、
図７は本実施形態に係る光学素子を示す断面図である。
なお、上記図６に示す光学素子と同一の構成要素には同
一の符合を付して説明を省略する。また、本実施形態
は、請求項１、２、５、８、９、１０、１１に対応する
ものである。図７に示されるように、本実施形態に係る
光学素子は、上記図６に示す第１の実施形態に係る光学
素子とほぼ同様の構造を有しているが、１種類のパター
ンの各溝内側を含む石英基板１０全表面に直線格子状の
Ｃｏ粒子含有薄膜２６が形成されているの代わりに、石
英基板１０表面に複数種類のパターンの溝が形成され、
これら複数種類のパターンの各溝内側を含む石英基板１
０全表面に直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜２８が設けら
れているものである。
【００６３】即ち、可視光に対して透明な支持体として
用いる厚さ１ｍｍの石英基板１０表面に、幅０．７５μ
ｍ、深さ０．７５μｍの溝が間隔０．７５μｍをおいて
図面の奥行き方向に延びる直線状に複数列形成されてい
ると共に、これらの溝に隣接して、幅０．５０μｍ、深
さ０．７５μｍの溝が間隔０．５０μｍをおいて図面の
奥行き方向に延びる直線状に複数列形成されている。そ
して、これら２種類のパターンの各溝内の底面及びこれ
らの溝間の石英基板１０表面は、石英基板１０裏面に対
して平行面をなしている一方で、各溝内の両側面は、石
英基板１０裏面に対して垂直面をなしている。
用いる厚さ１ｍｍの石英基板１０表面に、幅０．７５μ
ｍ、深さ０．７５μｍの溝が間隔０．７５μｍをおいて
図面の奥行き方向に延びる直線状に複数列形成されてい
ると共に、これらの溝に隣接して、幅０．５０μｍ、深
さ０．７５μｍの溝が間隔０．５０μｍをおいて図面の
奥行き方向に延びる直線状に複数列形成されている。そ
して、これら２種類のパターンの各溝内の底面及びこれ
らの溝間の石英基板１０表面は、石英基板１０裏面に対
して平行面をなしている一方で、各溝内の両側面は、石
英基板１０裏面に対して垂直面をなしている。
【００６４】また、このような溝によって凹凸形状をな
している石英基板１０表面上に、石英基板１０と同じ屈
折率をもつＳｉＯ2 膜２０が嵌合して設けられている。
そして、このＳｉＯ2 膜２０表面は平坦化されて、石英
基板１０裏面に対して平行面をなしている。
している石英基板１０表面上に、石英基板１０と同じ屈
折率をもつＳｉＯ2 膜２０が嵌合して設けられている。
そして、このＳｉＯ2 膜２０表面は平坦化されて、石英
基板１０裏面に対して平行面をなしている。
【００６５】そして、これら互いに嵌合している石英基
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
全体にわたって、平均粒子径８ｎｍのＣｏ粒子並びにＣ
ｏ酸化膜及び／又はＣｏ炭化膜を含有する平均膜厚２０
ｎｍのＣｏ粒子含有薄膜２８が直線格子状に設けられて
いる点に本実施形態の特徴がある。即ち、この直線格子
状のＣｏ粒子含有薄膜２８は、両側面が垂直な凹部と凸
部とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共
に、図面の奥行き方向に直線状に延びているが、断面の
凹凸形状が互いにピッチの異なる２種類のパターンを有
している。また、ＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 か
らなる厚さ０．１μｍの反射防止膜２２が設けられ、可
視光域の反射率が３％程度低下するようになっている。
また、石英基板１０裏面上に、Ａｌからなる厚さ０．２
μｍの反射膜２４が設けられている。
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
全体にわたって、平均粒子径８ｎｍのＣｏ粒子並びにＣ
ｏ酸化膜及び／又はＣｏ炭化膜を含有する平均膜厚２０
ｎｍのＣｏ粒子含有薄膜２８が直線格子状に設けられて
いる点に本実施形態の特徴がある。即ち、この直線格子
状のＣｏ粒子含有薄膜２８は、両側面が垂直な凹部と凸
部とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共
に、図面の奥行き方向に直線状に延びているが、断面の
凹凸形状が互いにピッチの異なる２種類のパターンを有
している。また、ＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 か
らなる厚さ０．１μｍの反射防止膜２２が設けられ、可
視光域の反射率が３％程度低下するようになっている。
また、石英基板１０裏面上に、Ａｌからなる厚さ０．２
μｍの反射膜２４が設けられている。
【００６６】次に、図７に示す光学素子の製造方法を説
明する。なお、工程図は、上記第２の実施形態の場合と
同様に、その図示を省略する。先ず、上記第２の実施形
態の場合と同様にして、表面及び裏面が平行な厚さ１ｍ
ｍの石英基板１０表面上に、Ｃｒ2 Ｏ3 膜及びＣｒ膜を
順に積層し、厚さ１２０ｎｍのＣｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜
を形成する。そして、基体全面にポジ型レジストを塗布
した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、このポジ型
レジストをパターニングして、幅０．７５μｍ、間隔
０．７５μｍのＬ／Ｓ状のパターンと幅０．５０μｍ、
間隔０．５０μｍのＬ／Ｓ状のパターンとを隣接して形
成する。
明する。なお、工程図は、上記第２の実施形態の場合と
同様に、その図示を省略する。先ず、上記第２の実施形
態の場合と同様にして、表面及び裏面が平行な厚さ１ｍ
ｍの石英基板１０表面上に、Ｃｒ2 Ｏ3 膜及びＣｒ膜を
順に積層し、厚さ１２０ｎｍのＣｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜
を形成する。そして、基体全面にポジ型レジストを塗布
した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、このポジ型
レジストをパターニングして、幅０．７５μｍ、間隔
０．７５μｍのＬ／Ｓ状のパターンと幅０．５０μｍ、
間隔０．５０μｍのＬ／Ｓ状のパターンとを隣接して形
成する。
【００６７】次いで、このようにパターニングされたポ
ジ型レジストをマスクとし、エッチングガスとしてフッ
素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜及び石英基板
１０を選択的にエッチング除去する。こうして、石英基
板１０表面に幅０．７５μｍ、深さ０．７５μｍの溝が
間隔０．７５μｍをおいて直線状に複数列形成されると
同時に、これらの溝に隣接して、幅０．５０μｍ、深さ
０．７５μｍの溝が間隔０．５０μｍをおいて直線状に
複数列形成されるように加工する。このとき、これら２
種類のパターンの各溝内の底面及びこれらの溝間の石英
基板１０表面は、石英基板１０裏面に対して平行面をな
す一方で、各溝内の両側面は、石英基板１０裏面に対し
て垂直面をなすようにする。
ジ型レジストをマスクとし、エッチングガスとしてフッ
素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜及び石英基板
１０を選択的にエッチング除去する。こうして、石英基
板１０表面に幅０．７５μｍ、深さ０．７５μｍの溝が
間隔０．７５μｍをおいて直線状に複数列形成されると
同時に、これらの溝に隣接して、幅０．５０μｍ、深さ
０．７５μｍの溝が間隔０．５０μｍをおいて直線状に
複数列形成されるように加工する。このとき、これら２
種類のパターンの各溝内の底面及びこれらの溝間の石英
基板１０表面は、石英基板１０裏面に対して平行面をな
す一方で、各溝内の両側面は、石英基板１０裏面に対し
て垂直面をなすようにする。
【００６８】次いで、上記第２の実施形態の場合と同様
にして、ガス中蒸着法により、基体全面に純度９９．９
％のＣｏ粉末を蒸着する。こうして、各溝内の底面及び
これらの溝間の石英基板１０表面並びに各溝内の両側面
に、平均粒子径８ｎｍのＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び
／又はＣｏ炭化膜を含有する平均膜厚２０ｎｍのＣｏ粒
子含有薄膜２８を直線格子状に形成する。
にして、ガス中蒸着法により、基体全面に純度９９．９
％のＣｏ粉末を蒸着する。こうして、各溝内の底面及び
これらの溝間の石英基板１０表面並びに各溝内の両側面
に、平均粒子径８ｎｍのＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び
／又はＣｏ炭化膜を含有する平均膜厚２０ｎｍのＣｏ粒
子含有薄膜２８を直線格子状に形成する。
【００６９】次いで、上記第２の実施形態の場合と同様
にして、ＣＶＤ法により、直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜２８上に、各溝が十分に埋まるような厚さに、石英基
板１０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０を堆積した後、研
磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面を平坦化して、このＳ
ｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０裏面に対して平行面を
なすようにする。続いて、真空蒸着法により、平坦化さ
れたＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 からなる厚さ
０．１μｍの反射防止膜２２を形成する。また、真空蒸
着法により、石英基板１０裏面上に、Ａｌからなる厚さ
０．２μｍの反射膜２４を形成する。このようにして、
図７に示す光学素子を作製する。
にして、ＣＶＤ法により、直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜２８上に、各溝が十分に埋まるような厚さに、石英基
板１０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０を堆積した後、研
磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面を平坦化して、このＳ
ｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０裏面に対して平行面を
なすようにする。続いて、真空蒸着法により、平坦化さ
れたＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 からなる厚さ
０．１μｍの反射防止膜２２を形成する。また、真空蒸
着法により、石英基板１０裏面上に、Ａｌからなる厚さ
０．２μｍの反射膜２４を形成する。このようにして、
図７に示す光学素子を作製する。
【００７０】以上のように、本実施形態に係る光学素子
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間にＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及
び／又はＣｏ炭化膜を含有する直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜２８が設けられ、両側面が垂直な凹部と凸部とが
交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共に、この
断面の凹凸形状が互いにピッチの異なる２種類のパター
ンを有していることにより、本実施形態に係る光学素子
に入射した可視光とこの直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜
２８とが相互作用する際に、２種類の波長の可視光との
相互作用が可能となるため、直線格子状のＣｏ粒子含有
薄膜２８と相互作用する可視光の波長範囲が拡大し、偏
光面が回転するファラデー回転効果を奏する磁性機能を
発揮することができると共に、その際のファラデー回転
効果の波長依存性を低減することができる。
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間にＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及
び／又はＣｏ炭化膜を含有する直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜２８が設けられ、両側面が垂直な凹部と凸部とが
交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共に、この
断面の凹凸形状が互いにピッチの異なる２種類のパター
ンを有していることにより、本実施形態に係る光学素子
に入射した可視光とこの直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜
２８とが相互作用する際に、２種類の波長の可視光との
相互作用が可能となるため、直線格子状のＣｏ粒子含有
薄膜２８と相互作用する可視光の波長範囲が拡大し、偏
光面が回転するファラデー回転効果を奏する磁性機能を
発揮することができると共に、その際のファラデー回転
効果の波長依存性を低減することができる。
【００７１】本発明者が本実施形態に基づいて作製した
光学素子において、円筒状棒磁石を用いて文字を記録さ
せたところ、上記第２の実施形態に基づいて作製した光
学素子の場合よりも、コントラストを１．５倍程度向上
することができた。
光学素子において、円筒状棒磁石を用いて文字を記録さ
せたところ、上記第２の実施形態に基づいて作製した光
学素子の場合よりも、コントラストを１．５倍程度向上
することができた。
【００７２】なお、上記第３の実施形態においては、直
線格子状のＣｏ粒子含有薄膜２８の断面の凹凸形状が互
いにピッチの異なる２種類のパターンを有しているが、
この２種類のパターンの代わりに、互いにピッチの異な
る３種類以上のパターンの直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜を設けてもよい。この場合、直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜と相互作用する可視光の波長範囲を更に拡大し
て、ファラデー回転効果の波長依存性を更に低減するこ
とができる。但し、ピッチの異なるパターンの数は光学
素子の面積によって制限される。
線格子状のＣｏ粒子含有薄膜２８の断面の凹凸形状が互
いにピッチの異なる２種類のパターンを有しているが、
この２種類のパターンの代わりに、互いにピッチの異な
る３種類以上のパターンの直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜を設けてもよい。この場合、直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜と相互作用する可視光の波長範囲を更に拡大し
て、ファラデー回転効果の波長依存性を更に低減するこ
とができる。但し、ピッチの異なるパターンの数は光学
素子の面積によって制限される。
【００７３】（第４の実施形態）本発明の第４の実施形
態に係る光学素子を、図８及び図９を用いて説明する。
ここで、図８は本実施形態に係る光学素子を示す断面図
であり、図９はそのＡ−Ａ線断面図である。なお、上記
図６に示す光学素子と同一の構成要素には同一の符合を
付して説明を省略する。また、本実施形態は、請求項
１、２、６、８、９、１０、１１に対応するものであ
る。図８及び図９に示されるように、本実施形態に係る
光学素子は、上記図６に示す第１の実施形態に係る光学
素子とほぼ同様の構造を有しているが、石英基板１０表
面に複数の溝が直線状に形成され、こうした各溝内側を
含む石英基板１０全表面に直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜２６が形成されている代わりに、直線状に形成された
溝の直線性が微視的には鋸刃状の凹凸形状を有してお
り、こうした微視的に鋸刃状の凹凸形状をなしつつ巨視
的には直線状に延びている各溝内側を含む石英基板１０
全表面に直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜３０が設けられ
ているものである。
態に係る光学素子を、図８及び図９を用いて説明する。
ここで、図８は本実施形態に係る光学素子を示す断面図
であり、図９はそのＡ−Ａ線断面図である。なお、上記
図６に示す光学素子と同一の構成要素には同一の符合を
付して説明を省略する。また、本実施形態は、請求項
１、２、６、８、９、１０、１１に対応するものであ
る。図８及び図９に示されるように、本実施形態に係る
光学素子は、上記図６に示す第１の実施形態に係る光学
素子とほぼ同様の構造を有しているが、石英基板１０表
面に複数の溝が直線状に形成され、こうした各溝内側を
含む石英基板１０全表面に直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜２６が形成されている代わりに、直線状に形成された
溝の直線性が微視的には鋸刃状の凹凸形状を有してお
り、こうした微視的に鋸刃状の凹凸形状をなしつつ巨視
的には直線状に延びている各溝内側を含む石英基板１０
全表面に直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜３０が設けられ
ているものである。
【００７４】即ち、可視光に対して透明な支持体として
用いる厚さ１ｍｍの石英基板１０表面に、幅０．７５μ
ｍ、深さ０．７５μｍの溝が間隔０．７５μｍをおいて
直線状に複数列形成されているが、これらの溝の直線形
状は微視的には振幅２０ｎｍの鋸刃状の凹凸形状をなし
ている。そして、これらの各溝内の底面及びこれらの溝
間の石英基板１０表面は、石英基板１０裏面に対して平
行面をなしている一方で、各溝内の両側面は、石英基板
１０裏面に対して垂直面をなしている。
用いる厚さ１ｍｍの石英基板１０表面に、幅０．７５μ
ｍ、深さ０．７５μｍの溝が間隔０．７５μｍをおいて
直線状に複数列形成されているが、これらの溝の直線形
状は微視的には振幅２０ｎｍの鋸刃状の凹凸形状をなし
ている。そして、これらの各溝内の底面及びこれらの溝
間の石英基板１０表面は、石英基板１０裏面に対して平
行面をなしている一方で、各溝内の両側面は、石英基板
１０裏面に対して垂直面をなしている。
【００７５】また、このような溝によって凹凸形状をな
している石英基板１０表面上に、石英基板１０と同じ屈
折率をもつＳｉＯ2 膜２０が嵌合して設けられている。
そして、このＳｉＯ2 膜２０表面は平坦化されて、石英
基板１０裏面に対して平行面をなしている。
している石英基板１０表面上に、石英基板１０と同じ屈
折率をもつＳｉＯ2 膜２０が嵌合して設けられている。
そして、このＳｉＯ2 膜２０表面は平坦化されて、石英
基板１０裏面に対して平行面をなしている。
【００７６】そして、これら互いに嵌合している石英基
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
全体にわたって、平均粒子径８ｎｍのＣｏ粒子並びにＣ
ｏ酸化膜及び／又はＣｏ炭化膜を含有する平均膜厚２０
ｎｍのＣｏ粒子含有薄膜３０が直線格子状に設けられて
いる点に本実施形態の特徴がある。即ち、この直線格子
状のＣｏ粒子含有薄膜３０は、両側面が垂直な凹部と凸
部とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共
に、直線状に延びているが、この溝の直線形状が微視的
には振幅２０ｎｍの鋸刃状の凹凸形状をなしている点に
特徴がある。
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
全体にわたって、平均粒子径８ｎｍのＣｏ粒子並びにＣ
ｏ酸化膜及び／又はＣｏ炭化膜を含有する平均膜厚２０
ｎｍのＣｏ粒子含有薄膜３０が直線格子状に設けられて
いる点に本実施形態の特徴がある。即ち、この直線格子
状のＣｏ粒子含有薄膜３０は、両側面が垂直な凹部と凸
部とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共
に、直線状に延びているが、この溝の直線形状が微視的
には振幅２０ｎｍの鋸刃状の凹凸形状をなしている点に
特徴がある。
【００７７】また、ＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2
からなる厚さ０．１μｍの反射防止膜２２が設けられ、
可視光域の反射率が３％程度低下するようになってい
る。また、石英基板１０裏面上に、Ａｌからなる厚さ
０．２μｍの反射膜２４が設けられている。
からなる厚さ０．１μｍの反射防止膜２２が設けられ、
可視光域の反射率が３％程度低下するようになってい
る。また、石英基板１０裏面上に、Ａｌからなる厚さ
０．２μｍの反射膜２４が設けられている。
【００７８】次に、図８及び図９に示す光学素子の製造
方法を、図１０〜図１２を用いて説明する。ここで、図
１０は図８及び図９に示す光学素子の製造方法を説明す
るための工程断面図（その１）、図１１は図８及び図９
に示す光学素子の製造方法を説明するための工程断面図
（その２）、図１２（ａ）は図８及び図９に示す光学素
子の製造方法を説明するための工程断面図（その３）、
図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
方法を、図１０〜図１２を用いて説明する。ここで、図
１０は図８及び図９に示す光学素子の製造方法を説明す
るための工程断面図（その１）、図１１は図８及び図９
に示す光学素子の製造方法を説明するための工程断面図
（その２）、図１２（ａ）は図８及び図９に示す光学素
子の製造方法を説明するための工程断面図（その３）、
図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００７９】先ず、上記第２の実施形態の場合と同様に
して、表面及び裏面が平行な厚さ１ｍｍの石英基板１０
表面上に、Ｃｒ2 Ｏ3 膜及びＣｒ膜を順に積層し、厚さ
１２０ｎｍのＣｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜を形成する。そし
て、基体全面にポジ型レジストを塗布した後、フォトリ
ソグラフィ技術を用いて、このポジ型レジストをパター
ニングして、幅０．７５μｍ、間隔０．７５μｍのＬ／
Ｓ状のパターンを形成するが、このＬ／Ｓ状のパターン
の直線形状は微視的には振幅２０ｎｍの鋸刃状の凹凸形
状をなしている。
して、表面及び裏面が平行な厚さ１ｍｍの石英基板１０
表面上に、Ｃｒ2 Ｏ3 膜及びＣｒ膜を順に積層し、厚さ
１２０ｎｍのＣｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜を形成する。そし
て、基体全面にポジ型レジストを塗布した後、フォトリ
ソグラフィ技術を用いて、このポジ型レジストをパター
ニングして、幅０．７５μｍ、間隔０．７５μｍのＬ／
Ｓ状のパターンを形成するが、このＬ／Ｓ状のパターン
の直線形状は微視的には振幅２０ｎｍの鋸刃状の凹凸形
状をなしている。
【００８０】次いで、このようにパターニングされたポ
ジ型レジストをマスクとし、エッチングガスとしてフッ
素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜及び石英基板
１０を選択的にエッチング除去する。こうして、石英基
板１０表面に、幅０．７５μｍ、深さ０．７５μｍを有
し、微視的には振幅２０ｎｍの鋸刃状の凹凸形状をなし
つつ直線状に延びる複数列の溝３２が間隔０．７５μｍ
をおいて形成されるように加工する。このとき、各溝３
２内の底面及びこれらの溝３２間の石英基板１０表面
は、石英基板１０裏面に対して平行面をなす一方で、各
溝３２内の両側面は、石英基板１０裏面に対して垂直面
をなすようにする（図１０参照）。
ジ型レジストをマスクとし、エッチングガスとしてフッ
素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜及び石英基板
１０を選択的にエッチング除去する。こうして、石英基
板１０表面に、幅０．７５μｍ、深さ０．７５μｍを有
し、微視的には振幅２０ｎｍの鋸刃状の凹凸形状をなし
つつ直線状に延びる複数列の溝３２が間隔０．７５μｍ
をおいて形成されるように加工する。このとき、各溝３
２内の底面及びこれらの溝３２間の石英基板１０表面
は、石英基板１０裏面に対して平行面をなす一方で、各
溝３２内の両側面は、石英基板１０裏面に対して垂直面
をなすようにする（図１０参照）。
【００８１】次いで、上記第２の実施形態の場合と同様
にして、ガス中蒸着法により、基体全面に純度９９．９
％のＣｏ粉末を蒸着する。こうして、各溝内の底面及び
これらの溝間の石英基板１０表面並びに各溝内の両側面
に、平均粒子径８ｎｍのＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び
／又はＣｏ炭化膜を含有するＣｏ粒子含有薄膜３０を直
線格子状に形成する。このとき、このＣｏ粒子含有薄膜
３０の平均膜厚は２０ｎｍとなり、その最大膜厚は５０
ｎｍとなる（図１１参照）。
にして、ガス中蒸着法により、基体全面に純度９９．９
％のＣｏ粉末を蒸着する。こうして、各溝内の底面及び
これらの溝間の石英基板１０表面並びに各溝内の両側面
に、平均粒子径８ｎｍのＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び
／又はＣｏ炭化膜を含有するＣｏ粒子含有薄膜３０を直
線格子状に形成する。このとき、このＣｏ粒子含有薄膜
３０の平均膜厚は２０ｎｍとなり、その最大膜厚は５０
ｎｍとなる（図１１参照）。
【００８２】次いで、上記第２の実施形態の場合と同様
にして、ＣＶＤ法により、直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜３０上に、各溝３２が十分に埋まるような厚さに、石
英基板１０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０を堆積した
後、研磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面を平坦化して、
このＳｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０裏面に対して平
行面をなすようにする。続いて、真空蒸着法により、平
坦化されたＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 からなる
厚さ０．１μｍの反射防止膜２２を形成する。また、真
空蒸着法により、石英基板１０裏面上に、Ａｌからなる
厚さ０．２μｍの反射膜２４を形成する。このようにし
て、図８及び図９に示す光学素子を作製する（図１２
（ａ）、（ｂ）参照）。
にして、ＣＶＤ法により、直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜３０上に、各溝３２が十分に埋まるような厚さに、石
英基板１０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０を堆積した
後、研磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面を平坦化して、
このＳｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０裏面に対して平
行面をなすようにする。続いて、真空蒸着法により、平
坦化されたＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 からなる
厚さ０．１μｍの反射防止膜２２を形成する。また、真
空蒸着法により、石英基板１０裏面上に、Ａｌからなる
厚さ０．２μｍの反射膜２４を形成する。このようにし
て、図８及び図９に示す光学素子を作製する（図１２
（ａ）、（ｂ）参照）。
【００８３】以上のように、本実施形態に係る光学素子
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間にＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及
び／又はＣｏ炭化膜を含有する直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜３０が設けられ、両側面が垂直な凹部と凸部とが
交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共に、微視
的には鋸刃状の凹凸形状をなしつつ直線状に延びている
ことにより、溝３２内の両側面に形成され、石英基板１
０裏面に対して垂直面をなしているＣｏ粒子含有薄膜３
０の実効的な長さが長くなり、磁性体としての体積が増
大するため、上記第２の実施形態に係る光学素子の場合
よりも、偏光面が回転するファラデー回転効果を大きく
することができる。
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間にＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及
び／又はＣｏ炭化膜を含有する直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜３０が設けられ、両側面が垂直な凹部と凸部とが
交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共に、微視
的には鋸刃状の凹凸形状をなしつつ直線状に延びている
ことにより、溝３２内の両側面に形成され、石英基板１
０裏面に対して垂直面をなしているＣｏ粒子含有薄膜３
０の実効的な長さが長くなり、磁性体としての体積が増
大するため、上記第２の実施形態に係る光学素子の場合
よりも、偏光面が回転するファラデー回転効果を大きく
することができる。
【００８４】本発明者が本実施形態に基づいて作製した
光学素子において、円筒状棒磁石を用いて文字を記録さ
せたところ、上記第２の実施形態に基づいて作製した光
学素子の場合よりも、コントラストを向上することがで
きた。但し、偏光子機能は低下した。
光学素子において、円筒状棒磁石を用いて文字を記録さ
せたところ、上記第２の実施形態に基づいて作製した光
学素子の場合よりも、コントラストを向上することがで
きた。但し、偏光子機能は低下した。
【００８５】なお、上記第４の実施形態においては、直
線格子状のＣｏ粒子含有薄膜３０が微視的には鋸刃状の
凹凸形状をなしつつ直線状に延びているが、この鋸刃状
の凹凸形状の代わりに、例えば微視的には矩形状やサイ
ンカーブ状の凹凸形状をなしつつ直線状に延びていても
よい。また、鋸刃状の凹凸形状の振幅を２０ｎｍとして
いるが、この振幅はＣｏ粒子含有薄膜３０の膜厚の最大
値である１００ｎｍ以内であればよい。
線格子状のＣｏ粒子含有薄膜３０が微視的には鋸刃状の
凹凸形状をなしつつ直線状に延びているが、この鋸刃状
の凹凸形状の代わりに、例えば微視的には矩形状やサイ
ンカーブ状の凹凸形状をなしつつ直線状に延びていても
よい。また、鋸刃状の凹凸形状の振幅を２０ｎｍとして
いるが、この振幅はＣｏ粒子含有薄膜３０の膜厚の最大
値である１００ｎｍ以内であればよい。
【００８６】（第５の実施形態）本発明の第５の実施形
態に係る光学素子を、図１３を用いて説明する。ここ
で、図１３は本実施形態に係る光学素子を示す断面図で
ある。なお、上記図６に示す光学素子と同一の構成要素
には同一の符合を付して説明を省略する。また、本実施
形態は、請求項１、３、８、９、１０、１１に対応する
ものである。図１３に示されるように、本実施形態に係
る光学素子は、上記図６に示す第１の実施形態に係る光
学素子とほぼ同様の構造を有しているが、直線格子状の
Ｃｏ粒子含有薄膜２６の代わりに、石英基板１０表面に
逆台形状の溝が図面の奥行き方向に直線状に複数列形成
され、各溝内の両側面が石英基板１０裏面に対して傾斜
面をなし、こうした溝内側を含む石英基板１０全表面に
Ｃｏ粒子含有薄膜３４が直線格子状に設けられているも
のである。
態に係る光学素子を、図１３を用いて説明する。ここ
で、図１３は本実施形態に係る光学素子を示す断面図で
ある。なお、上記図６に示す光学素子と同一の構成要素
には同一の符合を付して説明を省略する。また、本実施
形態は、請求項１、３、８、９、１０、１１に対応する
ものである。図１３に示されるように、本実施形態に係
る光学素子は、上記図６に示す第１の実施形態に係る光
学素子とほぼ同様の構造を有しているが、直線格子状の
Ｃｏ粒子含有薄膜２６の代わりに、石英基板１０表面に
逆台形状の溝が図面の奥行き方向に直線状に複数列形成
され、各溝内の両側面が石英基板１０裏面に対して傾斜
面をなし、こうした溝内側を含む石英基板１０全表面に
Ｃｏ粒子含有薄膜３４が直線格子状に設けられているも
のである。
【００８７】即ち、可視光に対して透明な支持体として
用いる石英基板１０表面に、逆台形状の溝が図面の奥行
き方向に直線状に複数列形成されており、この石英基板
１０表面の各溝内の底面及びこれらの溝間の石英基板１
０表面は、石英基板１０裏面に対して平行面をなしてい
る一方で、各溝内の両側面は、石英基板１０裏面に対し
て傾斜面をなしている。また、このような溝によって凹
凸形状をなしている石英基板１０表面上に、石英基板１
０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０が嵌合して設けられて
いる。そして、このＳｉＯ2 膜２０表面は平坦化され
て、石英基板１０裏面に対して平行面をなしている。
用いる石英基板１０表面に、逆台形状の溝が図面の奥行
き方向に直線状に複数列形成されており、この石英基板
１０表面の各溝内の底面及びこれらの溝間の石英基板１
０表面は、石英基板１０裏面に対して平行面をなしてい
る一方で、各溝内の両側面は、石英基板１０裏面に対し
て傾斜面をなしている。また、このような溝によって凹
凸形状をなしている石英基板１０表面上に、石英基板１
０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０が嵌合して設けられて
いる。そして、このＳｉＯ2 膜２０表面は平坦化され
て、石英基板１０裏面に対して平行面をなしている。
【００８８】そして、これら互いに嵌合している石英基
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
全体にわたって、Ｃｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び／又は
Ｃｏ炭化膜を含有するＣｏ粒子含有薄膜３４が直線格子
状に設けられている点に本実施形態の特徴がある。即
ち、この直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜３４は、逆台形
状の凹部と台形状の凸部とが交互に繰り返される凹凸形
状の断面をなすと共に、図面の奥行き方向に直線状に延
びている。
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
全体にわたって、Ｃｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び／又は
Ｃｏ炭化膜を含有するＣｏ粒子含有薄膜３４が直線格子
状に設けられている点に本実施形態の特徴がある。即
ち、この直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜３４は、逆台形
状の凹部と台形状の凸部とが交互に繰り返される凹凸形
状の断面をなすと共に、図面の奥行き方向に直線状に延
びている。
【００８９】また、ＳｉＯ2 膜２０表面上に、例えばＭ
ｇＦ2 からなる反射防止膜２２が設けられ、可視光域の
反射率が３％程度低下するようになっている。また、石
英基板１０裏面上に、例えばＡｌからなる反射膜２４が
設けられている。
ｇＦ2 からなる反射防止膜２２が設けられ、可視光域の
反射率が３％程度低下するようになっている。また、石
英基板１０裏面上に、例えばＡｌからなる反射膜２４が
設けられている。
【００９０】次に、図１３に示す光学素子の製造方法を
説明する。なお、工程図は、上記第２の実施形態の場合
と同様に、その図示を省略する。先ず、上記第２の実施
形態の場合と同様にして、表面と裏面とが互いに平行な
石英基板１０表面上に、Ｃｒ2 Ｏ3 膜及びＣｒ膜を順に
積層して、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜を形成する。そし
て、基体全面にポジ型レジストを塗布した後、フォトリ
ソグラフィ技術を用いて、このポジ型レジストをＬ／Ｓ
状にパターニングする。
説明する。なお、工程図は、上記第２の実施形態の場合
と同様に、その図示を省略する。先ず、上記第２の実施
形態の場合と同様にして、表面と裏面とが互いに平行な
石英基板１０表面上に、Ｃｒ2 Ｏ3 膜及びＣｒ膜を順に
積層して、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜を形成する。そし
て、基体全面にポジ型レジストを塗布した後、フォトリ
ソグラフィ技術を用いて、このポジ型レジストをＬ／Ｓ
状にパターニングする。
【００９１】次いで、このようにパターニングされたポ
ジ型レジストをマスクとし、エッチングガスとしてフッ
素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜及び石英基板
１０を選択的にエッチング除去する。このエッチングプ
ロセスにおいて、フッ素ガスの圧力を変化させるなど、
上記第２の実施形態の場合とエッチング条件を変えるこ
とにより、石英基板１０表面に、逆台形状の溝が等間隔
をおいて直線状に複数列形成されるように加工する。こ
うして、各溝内の底面及びこれらの溝間の石英基板１０
表面が石英基板１０裏面に対して平行面をなす一方で、
各溝内の両側面が石英基板１０裏面に対して傾斜面をな
すようにする。
ジ型レジストをマスクとし、エッチングガスとしてフッ
素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜及び石英基板
１０を選択的にエッチング除去する。このエッチングプ
ロセスにおいて、フッ素ガスの圧力を変化させるなど、
上記第２の実施形態の場合とエッチング条件を変えるこ
とにより、石英基板１０表面に、逆台形状の溝が等間隔
をおいて直線状に複数列形成されるように加工する。こ
うして、各溝内の底面及びこれらの溝間の石英基板１０
表面が石英基板１０裏面に対して平行面をなす一方で、
各溝内の両側面が石英基板１０裏面に対して傾斜面をな
すようにする。
【００９２】次いで、上記第２の実施形態の場合と同様
にして、ガス中蒸着法により、基体全面に純度９９．９
％のＣｏ粉末を蒸着する。こうして、各溝内の底面及び
これらの溝間の石英基板１０表面並びに各溝内の傾斜す
る両側面に、Ｃｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び／又はＣｏ
炭化膜を含有するＣｏ粒子含有薄膜３４を直線格子状に
形成する。
にして、ガス中蒸着法により、基体全面に純度９９．９
％のＣｏ粉末を蒸着する。こうして、各溝内の底面及び
これらの溝間の石英基板１０表面並びに各溝内の傾斜す
る両側面に、Ｃｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び／又はＣｏ
炭化膜を含有するＣｏ粒子含有薄膜３４を直線格子状に
形成する。
【００９３】次いで、上記第２の実施形態の場合と同様
にして、ＣＶＤ法により、直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜３４上に、各溝が十分に埋まるような厚さに、石英基
板１０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０を堆積した後、研
磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面を平坦化して、このＳ
ｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０裏面に対して平行面を
なすようにする。続いて、真空蒸着法により、平坦化さ
れたＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 からなる反射防
止膜２２を形成する。また、真空蒸着法により、石英基
板１０裏面上に、Ａｌからなる反射膜２４を形成する。
このようにして、図１３に示す光学素子を作製する。
にして、ＣＶＤ法により、直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜３４上に、各溝が十分に埋まるような厚さに、石英基
板１０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０を堆積した後、研
磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面を平坦化して、このＳ
ｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０裏面に対して平行面を
なすようにする。続いて、真空蒸着法により、平坦化さ
れたＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 からなる反射防
止膜２２を形成する。また、真空蒸着法により、石英基
板１０裏面上に、Ａｌからなる反射膜２４を形成する。
このようにして、図１３に示す光学素子を作製する。
【００９４】以上のように、本実施形態に係る光学素子
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間にＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及
び／又はＣｏ炭化膜を含有する直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜３４が設けられ、逆台形状の凹部と台形状の凸部
とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共に、
図１３の奥行き方向に直線状に延びていることにより、
基本的に上記第２の実施形態に係る光学素子と同様の効
果を奏するが、この第２の実施形態に係る光学素子の場
合よりも更に視斜角が小さい場合であっても、ファラデ
ー回転効果が顕著に現れ、十分な磁性機能を発揮するこ
とができる。
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間にＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及
び／又はＣｏ炭化膜を含有する直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜３４が設けられ、逆台形状の凹部と台形状の凸部
とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共に、
図１３の奥行き方向に直線状に延びていることにより、
基本的に上記第２の実施形態に係る光学素子と同様の効
果を奏するが、この第２の実施形態に係る光学素子の場
合よりも更に視斜角が小さい場合であっても、ファラデ
ー回転効果が顕著に現れ、十分な磁性機能を発揮するこ
とができる。
【００９５】本発明者が本実施形態に基づいて作製した
光学素子において、円筒状棒磁石を用いて文字を記録さ
せると、上記第２の実施形態に基づいて作製した光学素
子の場合よりも、見る位置が正面から更にずれても、コ
ントラストの低下を抑制することができた。但し、偏光
子機能は少し低下した。
光学素子において、円筒状棒磁石を用いて文字を記録さ
せると、上記第２の実施形態に基づいて作製した光学素
子の場合よりも、見る位置が正面から更にずれても、コ
ントラストの低下を抑制することができた。但し、偏光
子機能は少し低下した。
【００９６】なお、上記第５の実施形態においては、そ
の断面が逆台形状の凹部と台形状の凸部とが交互に繰り
返される凹凸形状をなしている直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜３４が設けられているが、この直線格子状のＣｏ
粒子含有薄膜３４の代わりに、例えば図８に示されるよ
うに、台形状の凹部と逆台形状の凸部とが交互に繰り返
される凹凸形状の断面をなしている直線格子状のＣｏ粒
子含有薄膜３６を設けてもよい。この場合、上記第５の
実施形態に係る光学素子と実質的には同じ構造となり、
従って同様の効果を奏することができる。
の断面が逆台形状の凹部と台形状の凸部とが交互に繰り
返される凹凸形状をなしている直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜３４が設けられているが、この直線格子状のＣｏ
粒子含有薄膜３４の代わりに、例えば図８に示されるよ
うに、台形状の凹部と逆台形状の凸部とが交互に繰り返
される凹凸形状の断面をなしている直線格子状のＣｏ粒
子含有薄膜３６を設けてもよい。この場合、上記第５の
実施形態に係る光学素子と実質的には同じ構造となり、
従って同様の効果を奏することができる。
【００９７】（第６の実施形態）本発明の第６の実施形
態に係る光学素子を、図１５を用いて説明する。ここ
で、図１５は本実施形態に係る光学素子を示す断面図で
ある。なお、上記図６に示す光学素子と同一の構成要素
には同一の符合を付して説明を省略する。また、本実施
形態は、請求項１、４、８、９、１０、１１に対応する
ものである。図１５に示されるように、本実施形態に係
る光学素子は、上記図６に示す第１の実施形態に係る光
学素子とほぼ同様の構造を有しているが、直線格子状の
Ｃｏ粒子含有薄膜２６の代わりに、石英基板１０表面
に、図面の奥行き方向に直線状に延びる溝が複数列形成
され、各溝内の両側面が溝内部に弓形に張り出している
曲面をなし、こうした溝内側を含む石英基板１０全表面
にＣｏ粒子含有薄膜３８が直線格子状に設けられている
ものである。
態に係る光学素子を、図１５を用いて説明する。ここ
で、図１５は本実施形態に係る光学素子を示す断面図で
ある。なお、上記図６に示す光学素子と同一の構成要素
には同一の符合を付して説明を省略する。また、本実施
形態は、請求項１、４、８、９、１０、１１に対応する
ものである。図１５に示されるように、本実施形態に係
る光学素子は、上記図６に示す第１の実施形態に係る光
学素子とほぼ同様の構造を有しているが、直線格子状の
Ｃｏ粒子含有薄膜２６の代わりに、石英基板１０表面
に、図面の奥行き方向に直線状に延びる溝が複数列形成
され、各溝内の両側面が溝内部に弓形に張り出している
曲面をなし、こうした溝内側を含む石英基板１０全表面
にＣｏ粒子含有薄膜３８が直線格子状に設けられている
ものである。
【００９８】即ち、可視光に対して透明な支持体として
用いる石英基板１０表面に、図面の奥行き方向に直線状
に延びる溝が複数列形成されており、この石英基板１０
表面の各溝内の底面及びこれらの溝間の石英基板１０表
面は、石英基板１０裏面に対して平行面をなしている一
方で、各溝内の両側面は、溝内部に弓形に張り出してい
る曲面をなしている。また、このような溝によって凹凸
形状をなしている石英基板１０表面上に、石英基板１０
と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０が嵌合して設けられてい
る。そして、このＳｉＯ2 膜２０表面は平坦化されて、
石英基板１０裏面に対して平行面をなしている。
用いる石英基板１０表面に、図面の奥行き方向に直線状
に延びる溝が複数列形成されており、この石英基板１０
表面の各溝内の底面及びこれらの溝間の石英基板１０表
面は、石英基板１０裏面に対して平行面をなしている一
方で、各溝内の両側面は、溝内部に弓形に張り出してい
る曲面をなしている。また、このような溝によって凹凸
形状をなしている石英基板１０表面上に、石英基板１０
と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０が嵌合して設けられてい
る。そして、このＳｉＯ2 膜２０表面は平坦化されて、
石英基板１０裏面に対して平行面をなしている。
【００９９】そして、これら互いに嵌合している石英基
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
全体にわたって、Ｃｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び／又は
Ｃｏ炭化膜を含有するＣｏ粒子含有薄膜３８が直線格子
状に設けられている点に本実施形態の特徴がある。即
ち、この直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜３８は、両側面
が溝内部に弓形に張り出している曲面の凹部と弓形にへ
こんでいる曲面の凸部とが交互に繰り返される凹凸形状
の断面をなすと共に、図面の奥行き方向に直線状に延び
ている。
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
全体にわたって、Ｃｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び／又は
Ｃｏ炭化膜を含有するＣｏ粒子含有薄膜３８が直線格子
状に設けられている点に本実施形態の特徴がある。即
ち、この直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜３８は、両側面
が溝内部に弓形に張り出している曲面の凹部と弓形にへ
こんでいる曲面の凸部とが交互に繰り返される凹凸形状
の断面をなすと共に、図面の奥行き方向に直線状に延び
ている。
【０１００】また、ＳｉＯ2 膜２０表面上に、例えばＭ
ｇＦ2 からなる反射防止膜２２が設けられ、可視光域の
反射率が３％程度低下するようになっている。また、石
英基板１０裏面上に、例えばＡｌからなる反射膜２４が
設けられている。
ｇＦ2 からなる反射防止膜２２が設けられ、可視光域の
反射率が３％程度低下するようになっている。また、石
英基板１０裏面上に、例えばＡｌからなる反射膜２４が
設けられている。
【０１０１】次に、図１５に示す光学素子の製造方法を
説明する。なお、工程図は、上記第２の実施形態の場合
と同様に、その図示を省略する。先ず、上記第２の実施
形態の場合と同様にして、表面と裏面とが互いに平行な
石英基板１０表面上に、Ｃｒ2 Ｏ3 膜及びＣｒ膜を順に
積層して、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜を形成する。そし
て、基体全面にポジ型レジストを塗布した後、フォトリ
ソグラフィ技術を用いて、このポジ型レジストをＬ／Ｓ
状にパターニングする。
説明する。なお、工程図は、上記第２の実施形態の場合
と同様に、その図示を省略する。先ず、上記第２の実施
形態の場合と同様にして、表面と裏面とが互いに平行な
石英基板１０表面上に、Ｃｒ2 Ｏ3 膜及びＣｒ膜を順に
積層して、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜を形成する。そし
て、基体全面にポジ型レジストを塗布した後、フォトリ
ソグラフィ技術を用いて、このポジ型レジストをＬ／Ｓ
状にパターニングする。
【０１０２】次いで、このようにしてパターニングされ
たポジ型レジストをマスクとし、エッチングガスとして
フッ素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜及び石英
基板１０を選択的にエッチング除去して、図面の奥行き
方向に直線状に延びる溝が複数列形成されるように加工
する。そして、このエッチングプロセスにおいて、フッ
素ガスの圧力を経時的に変化させつつエッチングするこ
とにより、各溝内の底面及びこれらの溝間の石英基板１
０表面が石英基板１０裏面に対して平行面をなす一方
で、各溝内の両側面が溝内部に弓形に張り出している曲
面をなすようにする。
たポジ型レジストをマスクとし、エッチングガスとして
フッ素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜及び石英
基板１０を選択的にエッチング除去して、図面の奥行き
方向に直線状に延びる溝が複数列形成されるように加工
する。そして、このエッチングプロセスにおいて、フッ
素ガスの圧力を経時的に変化させつつエッチングするこ
とにより、各溝内の底面及びこれらの溝間の石英基板１
０表面が石英基板１０裏面に対して平行面をなす一方
で、各溝内の両側面が溝内部に弓形に張り出している曲
面をなすようにする。
【０１０３】次いで、上記第２の実施形態の場合と同様
にして、ガス中蒸着法により、基体全面に純度９９．９
％のＣｏ粉末を蒸着する。こうして、各溝内の底面及び
これらの溝間の石英基板１０表面並びに各溝内の傾斜す
る両側面に、Ｃｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び／又はＣｏ
炭化膜を含有するＣｏ粒子含有薄膜３８を直線格子状に
形成する。
にして、ガス中蒸着法により、基体全面に純度９９．９
％のＣｏ粉末を蒸着する。こうして、各溝内の底面及び
これらの溝間の石英基板１０表面並びに各溝内の傾斜す
る両側面に、Ｃｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び／又はＣｏ
炭化膜を含有するＣｏ粒子含有薄膜３８を直線格子状に
形成する。
【０１０４】次いで、上記第２の実施形態の場合と同様
にして、ＣＶＤ法により、直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜３８上に、各溝が十分に埋まるような厚さに、石英基
板１０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０を堆積した後、研
磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面を平坦化して、このＳ
ｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０裏面に対して平行面を
なすようにする。続いて、真空蒸着法により、平坦化さ
れたＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 からなる反射防
止膜２２を形成する。また、真空蒸着法により、石英基
板１０裏面上に、Ａｌからなる反射膜２４を形成する。
このようにして、図１５に示す光学素子を作製する。
にして、ＣＶＤ法により、直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜３８上に、各溝が十分に埋まるような厚さに、石英基
板１０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０を堆積した後、研
磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面を平坦化して、このＳ
ｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０裏面に対して平行面を
なすようにする。続いて、真空蒸着法により、平坦化さ
れたＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 からなる反射防
止膜２２を形成する。また、真空蒸着法により、石英基
板１０裏面上に、Ａｌからなる反射膜２４を形成する。
このようにして、図１５に示す光学素子を作製する。
【０１０５】以上のように、本実施形態に係る光学素子
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間にＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及
び／又はＣｏ炭化膜を含有する直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜３８が設けられ、両側面が溝内部に弓形に張り出
している曲面の凹部と弓形にへこんでいる曲面の凸部と
が交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共に、図
１５の奥行き方向に直線状に延びていることにより、上
記第５の実施形態に係る光学素子とほぼ同様の効果を奏
することができる。
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間にＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及
び／又はＣｏ炭化膜を含有する直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜３８が設けられ、両側面が溝内部に弓形に張り出
している曲面の凹部と弓形にへこんでいる曲面の凸部と
が交互に繰り返される凹凸形状の断面をなすと共に、図
１５の奥行き方向に直線状に延びていることにより、上
記第５の実施形態に係る光学素子とほぼ同様の効果を奏
することができる。
【０１０６】本発明者が本実施形態に基づいて作製した
光学素子において、円筒状棒磁石を用いて文字を記録さ
せると、上記第２の実施形態に基づいて作製した光学素
子の場合よりも、見る位置が正面から更にずれても、コ
ントラストの低下を抑制することができた。但し、偏光
子機能は少し低下した。
光学素子において、円筒状棒磁石を用いて文字を記録さ
せると、上記第２の実施形態に基づいて作製した光学素
子の場合よりも、見る位置が正面から更にずれても、コ
ントラストの低下を抑制することができた。但し、偏光
子機能は少し低下した。
【０１０７】なお、上記第６の実施形態においては、両
側面が溝内部に弓形に張り出している曲面の凹部と弓形
にへこんでいる曲面の凸部とが交互に繰り返される凹凸
形状の断面をなす直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜３８が
設けられているが、この直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜
３８の代わりに、例えば図１６に示されるように、両側
面が溝内部に弓形に張り出している曲面の凸部と弓形に
へこんでいる曲面の凹部とが交互に繰り返される凹凸形
状の断面をなす直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜４０を設
けてもよい。この場合、上記第６の実施形態に係る光学
素子と実質的には同じ構造となり、従って同様の効果を
奏することができる。
側面が溝内部に弓形に張り出している曲面の凹部と弓形
にへこんでいる曲面の凸部とが交互に繰り返される凹凸
形状の断面をなす直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜３８が
設けられているが、この直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜
３８の代わりに、例えば図１６に示されるように、両側
面が溝内部に弓形に張り出している曲面の凸部と弓形に
へこんでいる曲面の凹部とが交互に繰り返される凹凸形
状の断面をなす直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜４０を設
けてもよい。この場合、上記第６の実施形態に係る光学
素子と実質的には同じ構造となり、従って同様の効果を
奏することができる。
【０１０８】（第７の実施形態）本発明の第７の実施形
態に係る光学素子を、図１７を用いて説明する。ここ
で、図１７は本実施形態に係る光学素子を示す断面図で
ある。なお、上記図１３に示す光学素子と同一の構成要
素には同一の符合を付して説明を省略する。また、本実
施形態は、請求項１、３、７、８、９、１０、１１に対
応するものである。図１７に示されるように、本実施形
態に係る光学素子は、上記図１３に示す第５の実施形態
に係る光学素子とほぼ同様の構造を有しているが、直線
状に複数列形成された逆台形状の溝内側を含む石英基板
１０全表面に設けられている直線格子状のＣｏ粒子含有
薄膜３４の代わりに、直線状に複数列形成された逆台形
状の各溝内の傾斜面をなしている両側面のみにＣｏ粒子
含有薄膜４２が直線格子状に設けられているものであ
る。
態に係る光学素子を、図１７を用いて説明する。ここ
で、図１７は本実施形態に係る光学素子を示す断面図で
ある。なお、上記図１３に示す光学素子と同一の構成要
素には同一の符合を付して説明を省略する。また、本実
施形態は、請求項１、３、７、８、９、１０、１１に対
応するものである。図１７に示されるように、本実施形
態に係る光学素子は、上記図１３に示す第５の実施形態
に係る光学素子とほぼ同様の構造を有しているが、直線
状に複数列形成された逆台形状の溝内側を含む石英基板
１０全表面に設けられている直線格子状のＣｏ粒子含有
薄膜３４の代わりに、直線状に複数列形成された逆台形
状の各溝内の傾斜面をなしている両側面のみにＣｏ粒子
含有薄膜４２が直線格子状に設けられているものであ
る。
【０１０９】即ち、可視光に対して透明な支持体として
用いる石英基板１０表面に、逆台形状の溝が図面の奥行
き方向に直線状に複数列形成されており、この石英基板
１０表面の各溝内の底面及びこれらの溝間の石英基板１
０表面は、石英基板１０裏面に対して平行面をなしてい
る一方で、各溝内の両側面は、石英基板１０裏面に対し
て傾斜面をなしている。また、このような溝によって凹
凸形状をなしている石英基板１０表面上に、石英基板１
０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０が嵌合して設けられて
いる。そして、このＳｉＯ2 膜２０表面は平坦化され
て、石英基板１０裏面に対して平行面をなしている。
用いる石英基板１０表面に、逆台形状の溝が図面の奥行
き方向に直線状に複数列形成されており、この石英基板
１０表面の各溝内の底面及びこれらの溝間の石英基板１
０表面は、石英基板１０裏面に対して平行面をなしてい
る一方で、各溝内の両側面は、石英基板１０裏面に対し
て傾斜面をなしている。また、このような溝によって凹
凸形状をなしている石英基板１０表面上に、石英基板１
０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０が嵌合して設けられて
いる。そして、このＳｉＯ2 膜２０表面は平坦化され
て、石英基板１０裏面に対して平行面をなしている。
【０１１０】そして、これら互いに嵌合している石英基
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
のうち、石英基板１０裏面に対して傾斜面をなしている
部分のみに、Ｃｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び／又はＣｏ
炭化膜を含有するＣｏ粒子含有薄膜４２が直線格子状に
設けられている点に本実施形態の特徴がある。即ち、こ
の直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜４２は、その断面が逆
台形状の凹部の両側面に沿った傾斜面をなすと共に、図
面の奥行き方向に直線状に延びている。
板１０表面とＳｉＯ2 膜２０裏面との間に、その勘合面
のうち、石英基板１０裏面に対して傾斜面をなしている
部分のみに、Ｃｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及び／又はＣｏ
炭化膜を含有するＣｏ粒子含有薄膜４２が直線格子状に
設けられている点に本実施形態の特徴がある。即ち、こ
の直線格子状のＣｏ粒子含有薄膜４２は、その断面が逆
台形状の凹部の両側面に沿った傾斜面をなすと共に、図
面の奥行き方向に直線状に延びている。
【０１１１】また、ＳｉＯ2 膜２０表面上に、例えばＭ
ｇＦ2 からなる反射防止膜２２が設けられ、可視光域の
反射率が３％程度低下するようになっている。また、石
英基板１０裏面上に、例えばＡｌからなる反射膜２４が
設けられている。
ｇＦ2 からなる反射防止膜２２が設けられ、可視光域の
反射率が３％程度低下するようになっている。また、石
英基板１０裏面上に、例えばＡｌからなる反射膜２４が
設けられている。
【０１１２】このように、本実施形態に係る光学素子
は、上記図１３に示す第５の実施形態に係る光学素子に
おいて、石英基板１０裏面に対して平行面をなす溝内の
底面及びこれらの溝間の石英基板１０表面に形成された
Ｃｏ粒子含有薄膜３４を選択的に除去し、各溝内の傾斜
している両側面のみにＣｏ粒子含有薄膜３４を残存させ
たものに他ならない。
は、上記図１３に示す第５の実施形態に係る光学素子に
おいて、石英基板１０裏面に対して平行面をなす溝内の
底面及びこれらの溝間の石英基板１０表面に形成された
Ｃｏ粒子含有薄膜３４を選択的に除去し、各溝内の傾斜
している両側面のみにＣｏ粒子含有薄膜３４を残存させ
たものに他ならない。
【０１１３】次に、図１７に示す光学素子の製造方法を
説明する。なお、工程図は、上記第２の実施形態の場合
と同様に、その図示を省略する。先ず、上記第５の実施
形態の場合と同様にして、表面と裏面とが互いに平行な
石英基板１０表面上に、Ｃｒ2 Ｏ3 膜及びＣｒ膜を順に
積層しＣｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜を形成する。そして、基
体全面にポジ型レジストを塗布した後、フォトリソグラ
フィ技術を用いて、このポジ型レジストをＬ／Ｓ状にパ
ターニングする。
説明する。なお、工程図は、上記第２の実施形態の場合
と同様に、その図示を省略する。先ず、上記第５の実施
形態の場合と同様にして、表面と裏面とが互いに平行な
石英基板１０表面上に、Ｃｒ2 Ｏ3 膜及びＣｒ膜を順に
積層しＣｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜を形成する。そして、基
体全面にポジ型レジストを塗布した後、フォトリソグラ
フィ技術を用いて、このポジ型レジストをＬ／Ｓ状にパ
ターニングする。
【０１１４】続いて、このようにパターニングされたポ
ジ型レジストをマスクとし、エッチングガスとしてフッ
素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜及び石英基板
１０を選択的にエッチング除去して、石英基板１０表面
に逆台形状の溝が等間隔をおいて直線状に複数列形成さ
れるように加工する。こうして、各溝内の底面及びこれ
らの溝間の石英基板１０表面が石英基板１０裏面に対し
て平行面をなす一方で、各溝内の両側面が石英基板１０
裏面に対して傾斜面をなすようにする。
ジ型レジストをマスクとし、エッチングガスとしてフッ
素ガスを用いて、Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜及び石英基板
１０を選択的にエッチング除去して、石英基板１０表面
に逆台形状の溝が等間隔をおいて直線状に複数列形成さ
れるように加工する。こうして、各溝内の底面及びこれ
らの溝間の石英基板１０表面が石英基板１０裏面に対し
て平行面をなす一方で、各溝内の両側面が石英基板１０
裏面に対して傾斜面をなすようにする。
【０１１５】次いで、上記第５の実施形態の場合と同様
にして、ガス中蒸着法により、基体全面に純度９９．９
％のＣｏ粉末を蒸着し、各溝内の底面及びこれらの溝間
の石英基板１０表面並びに各溝内の傾斜する両側面に、
Ｃｏ粒子含有薄膜３４を直線格子状に形成する。
にして、ガス中蒸着法により、基体全面に純度９９．９
％のＣｏ粉末を蒸着し、各溝内の底面及びこれらの溝間
の石英基板１０表面並びに各溝内の傾斜する両側面に、
Ｃｏ粒子含有薄膜３４を直線格子状に形成する。
【０１１６】次いで、例えばスパッタリング装置を用い
て、石英基板１０側に−３００Ｖの電圧を印加し、Ａｒ
ガスを導入し、逆スパッタリング法により、石英基板１
０裏面に対して平行面をなす溝内の底面及びこれらの溝
間の石英基板１０表面に形成されたＣｏ粒子含有薄膜４
２を選択的に除去し、各溝内の傾斜している両側面のみ
にＣｏ粒子含有薄膜４２を残存させる。
て、石英基板１０側に−３００Ｖの電圧を印加し、Ａｒ
ガスを導入し、逆スパッタリング法により、石英基板１
０裏面に対して平行面をなす溝内の底面及びこれらの溝
間の石英基板１０表面に形成されたＣｏ粒子含有薄膜４
２を選択的に除去し、各溝内の傾斜している両側面のみ
にＣｏ粒子含有薄膜４２を残存させる。
【０１１７】次いで、上記第５の実施形態の場合と同様
にして、ＣＶＤ法により、直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜３４上に、各溝が十分に埋まるような厚さに、石英基
板１０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０を堆積した後、研
磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面を平坦化して、このＳ
ｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０裏面に対して平行面を
なすようにする。続いて、真空蒸着法により、平坦化さ
れたＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 からなる反射防
止膜２２を形成する。また、真空蒸着法により、石英基
板１０裏面上に、Ａｌからなる反射膜２４を形成する。
このようにして、図１７に示す光学素子を作製する。
にして、ＣＶＤ法により、直線格子状のＣｏ粒子含有薄
膜３４上に、各溝が十分に埋まるような厚さに、石英基
板１０と同じ屈折率のＳｉＯ2 膜２０を堆積した後、研
磨法により、ＳｉＯ2 膜２０表面を平坦化して、このＳ
ｉＯ2 膜２０表面が石英基板１０裏面に対して平行面を
なすようにする。続いて、真空蒸着法により、平坦化さ
れたＳｉＯ2 膜２０表面上に、ＭｇＦ2 からなる反射防
止膜２２を形成する。また、真空蒸着法により、石英基
板１０裏面上に、Ａｌからなる反射膜２４を形成する。
このようにして、図１７に示す光学素子を作製する。
【０１１８】以上のように、本実施形態に係る光学素子
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間にＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及
び／又はＣｏ炭化膜を含有する直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜４２が設けられ、その断面が石英基板１０裏面に
対して傾斜面をなすと共に、図１７の奥行き方向に直線
状に延びていることにより、基本的に上記第５の実施形
態に係る光学素子と同様の効果を奏するが、この第５の
実施形態に係る光学素子の場合のように石英基板１０裏
面に対して平行面をなしている直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜がない分だけ光の透過率を向上することができ
る。
によれば、可視光に対して透明な石英基板１０表面とＳ
ｉＯ2 膜２０裏面との間にＣｏ粒子並びにＣｏ酸化膜及
び／又はＣｏ炭化膜を含有する直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜４２が設けられ、その断面が石英基板１０裏面に
対して傾斜面をなすと共に、図１７の奥行き方向に直線
状に延びていることにより、基本的に上記第５の実施形
態に係る光学素子と同様の効果を奏するが、この第５の
実施形態に係る光学素子の場合のように石英基板１０裏
面に対して平行面をなしている直線格子状のＣｏ粒子含
有薄膜がない分だけ光の透過率を向上することができ
る。
【０１１９】本発明者が本実施形態に基づいて作製した
光学素子において、円筒状棒磁石を用いて文字を記録さ
せると、上記第２の実施形態に基づいて作製した光学素
子の場合よりも、光の透過率が向上したため、その分だ
け像のコントラストを向上することができた。
光学素子において、円筒状棒磁石を用いて文字を記録さ
せると、上記第２の実施形態に基づいて作製した光学素
子の場合よりも、光の透過率が向上したため、その分だ
け像のコントラストを向上することができた。
【０１２０】なお、上記第７の実施形態においては、石
英基板１０表面に逆台形状の溝を等間隔をおいて直線状
に複数列形成し、これらの逆台形状の各溝内の傾斜面を
なしている両側面のみにＣｏ粒子含有薄膜４２を直線格
子状に設けているが、この代わりに、例えば図１８に示
されるように、両側面が弓形に湾曲している曲面をなす
ような溝を等間隔をおいて直線状に複数列形成し、これ
らの各溝内の弓形に湾曲している両側面のみにＣｏ粒子
含有薄膜を直線格子状に設けてもよい。これは、上記図
１５に示す第６の実施形態に係る光学素子において、石
英基板１０裏面に対して平行面をなす溝内の底面及びこ
れらの溝間の石英基板１０表面に形成されたＣｏ粒子含
有薄膜３８を選択的に除去し、各溝内の弓形に湾曲して
いる両側面のみにＣｏ粒子含有薄膜３８を残存させたも
のに他ならない。そしてこの場合も、上記第７の実施形
態の場合と同様の効果を奏することができる。
英基板１０表面に逆台形状の溝を等間隔をおいて直線状
に複数列形成し、これらの逆台形状の各溝内の傾斜面を
なしている両側面のみにＣｏ粒子含有薄膜４２を直線格
子状に設けているが、この代わりに、例えば図１８に示
されるように、両側面が弓形に湾曲している曲面をなす
ような溝を等間隔をおいて直線状に複数列形成し、これ
らの各溝内の弓形に湾曲している両側面のみにＣｏ粒子
含有薄膜を直線格子状に設けてもよい。これは、上記図
１５に示す第６の実施形態に係る光学素子において、石
英基板１０裏面に対して平行面をなす溝内の底面及びこ
れらの溝間の石英基板１０表面に形成されたＣｏ粒子含
有薄膜３８を選択的に除去し、各溝内の弓形に湾曲して
いる両側面のみにＣｏ粒子含有薄膜３８を残存させたも
のに他ならない。そしてこの場合も、上記第７の実施形
態の場合と同様の効果を奏することができる。
【０１２１】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る光学素子によれば、次のような効果を奏することがで
きる。即ち、請求項１に係る光学素子によれば、可視光
に対して透明な支持体と支持層との間に薄膜が形成さ
れ、支持体の表面に形成された溝の形状に沿って凹凸形
状の断面をなすと共に奥行き方向に直線状に延びている
ことにより、この直線格子状の薄膜が支持体と支持層と
の勘合面全体にわたって設けられているため、この直線
格子状の薄膜が導電性と光を吸収しない透明性を有する
場合、偏光子機能を発揮して、偏光度を高くすることが
できると共に、光透過率も高くすることができ、従って
偏光度が高くて明るい無色透明の可視光用ディスプレイ
に適した高性能の光学素子を得ることができる。また、
この直線格子状の薄膜が適当な保磁力を有し、ファラデ
ー回転角が大きく、磁気異方性が等方的である場合、フ
ァラデー回転効果を奏する磁性機能を発揮することがで
き、従って磁界によって画像を記録したり、消去したり
することが可能な高性能の光学素子を得ることができ
る。
る光学素子によれば、次のような効果を奏することがで
きる。即ち、請求項１に係る光学素子によれば、可視光
に対して透明な支持体と支持層との間に薄膜が形成さ
れ、支持体の表面に形成された溝の形状に沿って凹凸形
状の断面をなすと共に奥行き方向に直線状に延びている
ことにより、この直線格子状の薄膜が支持体と支持層と
の勘合面全体にわたって設けられているため、この直線
格子状の薄膜が導電性と光を吸収しない透明性を有する
場合、偏光子機能を発揮して、偏光度を高くすることが
できると共に、光透過率も高くすることができ、従って
偏光度が高くて明るい無色透明の可視光用ディスプレイ
に適した高性能の光学素子を得ることができる。また、
この直線格子状の薄膜が適当な保磁力を有し、ファラデ
ー回転角が大きく、磁気異方性が等方的である場合、フ
ァラデー回転効果を奏する磁性機能を発揮することがで
き、従って磁界によって画像を記録したり、消去したり
することが可能な高性能の光学素子を得ることができ
る。
【０１２２】また、請求項２に係る光学素子によれば、
可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全体にわ
たって形成された直線格子状の薄膜が、両側面が垂直な
凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をな
すことにより、この直線格子状の薄膜が偏光子機能を発
揮する際、支持体の裏面に対して垂直な溝内の両側面に
形成された薄膜はそのアスペクト比が十分に大きいた
め、垂直に入射する可視光との強い相互作用が生じて、
偏光度を向上することができる。また、支持体裏面に対
して平行な溝内の底面及び溝間の支持体表面にも薄膜が
形成されているため、斜めに入射する視斜角の小さい可
視光との相互作用を生じ、この斜め入射可視光に対して
も十分な偏光子機能を発揮することができる。また、こ
の直線格子状の薄膜がファラデー回転効果を奏する磁性
機能を発揮する際、支持体の裏面に対して垂直面をなし
ている薄膜はそのアスペクト比が十分に大きいため、垂
直に入射した可視光との相互作用が強くなり、ファラデ
ー回転効果を向上することができる。また、支持体裏面
に対して平行面をなしている薄膜は、斜めに入射する視
斜角の小さい可視光との相互作用を生じるため、この斜
め入射可視光に対しても十分なファラデー回転効果を奏
することができる。
可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全体にわ
たって形成された直線格子状の薄膜が、両側面が垂直な
凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形状の断面をな
すことにより、この直線格子状の薄膜が偏光子機能を発
揮する際、支持体の裏面に対して垂直な溝内の両側面に
形成された薄膜はそのアスペクト比が十分に大きいた
め、垂直に入射する可視光との強い相互作用が生じて、
偏光度を向上することができる。また、支持体裏面に対
して平行な溝内の底面及び溝間の支持体表面にも薄膜が
形成されているため、斜めに入射する視斜角の小さい可
視光との相互作用を生じ、この斜め入射可視光に対して
も十分な偏光子機能を発揮することができる。また、こ
の直線格子状の薄膜がファラデー回転効果を奏する磁性
機能を発揮する際、支持体の裏面に対して垂直面をなし
ている薄膜はそのアスペクト比が十分に大きいため、垂
直に入射した可視光との相互作用が強くなり、ファラデ
ー回転効果を向上することができる。また、支持体裏面
に対して平行面をなしている薄膜は、斜めに入射する視
斜角の小さい可視光との相互作用を生じるため、この斜
め入射可視光に対しても十分なファラデー回転効果を奏
することができる。
【０１２３】また、請求項３に係る光学素子によれば、
可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全体にわ
たって形成された直線格子状の薄膜が、両側面が傾斜し
ている凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形状の断
面をなすことにより、斜めに入射する視斜角の小さい可
視光との相互作用も十分に生じるため、この直線格子状
の薄膜が偏光子機能を発揮する際、斜め入射可視光に対
しても、上記請求項２に係る光学素子の場合よりも更に
十分な偏光子機能を発揮することができる。また、この
直線格子状の薄膜がファラデー回転効果を奏する磁性機
能を発揮する際、斜め入射可視光に対しても、上記請求
項２に係る光学素子の場合よりも更に十分なファラデー
回転効果を奏することができる。
可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全体にわ
たって形成された直線格子状の薄膜が、両側面が傾斜し
ている凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形状の断
面をなすことにより、斜めに入射する視斜角の小さい可
視光との相互作用も十分に生じるため、この直線格子状
の薄膜が偏光子機能を発揮する際、斜め入射可視光に対
しても、上記請求項２に係る光学素子の場合よりも更に
十分な偏光子機能を発揮することができる。また、この
直線格子状の薄膜がファラデー回転効果を奏する磁性機
能を発揮する際、斜め入射可視光に対しても、上記請求
項２に係る光学素子の場合よりも更に十分なファラデー
回転効果を奏することができる。
【０１２４】また、請求項４に係る光学素子によれば、
可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全体にわ
たって形成された直線格子状の薄膜が、両側面が弓形に
湾曲している凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形
状の断面をなすことにより、斜めに入射する視斜角の小
さい可視光との相互作用も十分に生じるため、この直線
格子状の薄膜が偏光子機能を発揮する際、斜め入射可視
光に対しても上記請求項３に係る光学素子の場合と同様
に十分な偏光子機能を発揮することができる。また、こ
の直線格子状の薄膜がファラデー回転効果を奏する磁性
機能を発揮する際、斜め入射可視光に対しても上記請求
項３に係る光学素子の場合と同様に十分なファラデー回
転効果を奏し、コントラストの低下を抑制することがで
きる。
可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全体にわ
たって形成された直線格子状の薄膜が、両側面が弓形に
湾曲している凹部と凸部とが交互に繰り返される凹凸形
状の断面をなすことにより、斜めに入射する視斜角の小
さい可視光との相互作用も十分に生じるため、この直線
格子状の薄膜が偏光子機能を発揮する際、斜め入射可視
光に対しても上記請求項３に係る光学素子の場合と同様
に十分な偏光子機能を発揮することができる。また、こ
の直線格子状の薄膜がファラデー回転効果を奏する磁性
機能を発揮する際、斜め入射可視光に対しても上記請求
項３に係る光学素子の場合と同様に十分なファラデー回
転効果を奏し、コントラストの低下を抑制することがで
きる。
【０１２５】また、請求項５に係る光学素子によれば、
可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全体にわ
たって形成された直線格子状の薄膜が、互いにピッチの
異なる複数種類のパターンを有していることにより、複
数種類の波長の入射可視光との相互作用が可能となり、
直線格子状の薄膜と相互作用する可視光の波長範囲が拡
大するため、この直線格子状の薄膜が偏光子機能を発揮
する際、その波長依存性を低減することができる。ま
た、ファラデー回転効果を奏する磁性機能を発揮する際
も、その波長依存性を低減されて、コントラストの高い
像を得ることができる。
可視光に対して透明な支持体と支持層との間に全体にわ
たって形成された直線格子状の薄膜が、互いにピッチの
異なる複数種類のパターンを有していることにより、複
数種類の波長の入射可視光との相互作用が可能となり、
直線格子状の薄膜と相互作用する可視光の波長範囲が拡
大するため、この直線格子状の薄膜が偏光子機能を発揮
する際、その波長依存性を低減することができる。ま
た、ファラデー回転効果を奏する磁性機能を発揮する際
も、その波長依存性を低減されて、コントラストの高い
像を得ることができる。
【０１２６】また、請求項６に係る光学素子によれば、
支持体の表面に形成された溝の直線形状が微視的には凹
凸形状をなしていることにより、溝内の両側面に形成さ
れた薄膜の実効的な長さが長くなるため、この直線格子
状の薄膜がファラデー回転効果を奏する磁性機能を発揮
する際には、磁性体としての体積が増加して、磁気光学
効果を増大させ、コントラストの高い像を得ることがで
きる。
支持体の表面に形成された溝の直線形状が微視的には凹
凸形状をなしていることにより、溝内の両側面に形成さ
れた薄膜の実効的な長さが長くなるため、この直線格子
状の薄膜がファラデー回転効果を奏する磁性機能を発揮
する際には、磁性体としての体積が増加して、磁気光学
効果を増大させ、コントラストの高い像を得ることがで
きる。
【０１２７】また、請求項７に係る光学素子によれば、
支持体の裏面に対して垂直面をなしている溝内の両側面
上に薄膜が形成されている一方で、支持体裏面に対して
平行面をなしている溝内の底面及び溝間の支持体表面に
は薄膜が形成されていないことにより、上記請求項３又
は４に係る光学素子の場合と同様の作用を奏することが
できると共に、その際の入射可視光の透過率を更に向上
することができる。
支持体の裏面に対して垂直面をなしている溝内の両側面
上に薄膜が形成されている一方で、支持体裏面に対して
平行面をなしている溝内の底面及び溝間の支持体表面に
は薄膜が形成されていないことにより、上記請求項３又
は４に係る光学素子の場合と同様の作用を奏することが
できると共に、その際の入射可視光の透過率を更に向上
することができる。
【０１２８】また、請求項８に係る光学素子によれば、
溝のピッチが０．２μｍ〜２μｍであることにより、こ
うした溝の形状に沿って形成された直線格子状の薄膜は
入射可視光と相互作用を生じ、上記請求項１〜７に係る
光学素子の作用を奏することになる。また、溝の深さが
０．１μｍ〜５．０μｍであり、薄膜の厚さが５ｎｍ〜
１００ｎｍであることにより、薄膜のアスペクト比が十
分に大きくなり、入射可視光との相互作用が強くなるた
め、この直線格子状の薄膜が導電性と透明性を有する場
合には十分な偏光子機能を発揮することができ、この直
線格子状の薄膜が適当な保磁力を有し、ファラデー回転
角が大きく、磁気異方性が等方的である場合には十分な
ファラデー回転効果を奏する磁性機能を発揮することが
できる。
溝のピッチが０．２μｍ〜２μｍであることにより、こ
うした溝の形状に沿って形成された直線格子状の薄膜は
入射可視光と相互作用を生じ、上記請求項１〜７に係る
光学素子の作用を奏することになる。また、溝の深さが
０．１μｍ〜５．０μｍであり、薄膜の厚さが５ｎｍ〜
１００ｎｍであることにより、薄膜のアスペクト比が十
分に大きくなり、入射可視光との相互作用が強くなるた
め、この直線格子状の薄膜が導電性と透明性を有する場
合には十分な偏光子機能を発揮することができ、この直
線格子状の薄膜が適当な保磁力を有し、ファラデー回転
角が大きく、磁気異方性が等方的である場合には十分な
ファラデー回転効果を奏する磁性機能を発揮することが
できる。
【０１２９】また、請求項９に係る光学素子によれば、
支持体と支持層との勘合面に設けられている直線格子状
の薄膜が厚さ５ｎｍ〜１００ｎｍの半導体膜又は金属膜
からなることにより、この直線格子状の薄膜が導電性を
有すると共に、入射する可視光に対する透明性を有する
ため、円偏光を直線偏光にする偏光子機能を発揮するこ
とができる。
支持体と支持層との勘合面に設けられている直線格子状
の薄膜が厚さ５ｎｍ〜１００ｎｍの半導体膜又は金属膜
からなることにより、この直線格子状の薄膜が導電性を
有すると共に、入射する可視光に対する透明性を有する
ため、円偏光を直線偏光にする偏光子機能を発揮するこ
とができる。
【０１３０】また、請求項１０に係る光学素子によれ
ば、支持体と支持層との勘合面全体にわたって設けられ
ている直線格子状の薄膜が強磁性微粒子を含有している
ことにより、この直線格子状の薄膜が適当な保磁力を有
し、ファラデー回転角が大きく、面内磁気異方性が等方
的であるため、偏光面が回転するファラデー回転効果を
奏する磁性機能を発揮することができる。
ば、支持体と支持層との勘合面全体にわたって設けられ
ている直線格子状の薄膜が強磁性微粒子を含有している
ことにより、この直線格子状の薄膜が適当な保磁力を有
し、ファラデー回転角が大きく、面内磁気異方性が等方
的であるため、偏光面が回転するファラデー回転効果を
奏する磁性機能を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光学素子を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】図１に示す光学素子の製造方法を説明するため
の工程図（その１）である。
の工程図（その１）である。
【図３】図１に示す光学素子の製造方法を説明するため
の工程図（その２）である。
の工程図（その２）である。
【図４】図１に示す光学素子の製造方法を説明するため
の工程図（その３）である。
の工程図（その３）である。
【図５】図１に示す光学素子の製造方法を説明するため
の工程図（その４）である。
の工程図（その４）である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る光学素子を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る光学素子を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る光学素子を示す
断面図である。
断面図である。
【図９】図９に示す光学素子のＡ−Ａ線断面図である。
【図１０】図８及び図９に示す光学素子の製造方法を説
明するための工程図（その１）である。
明するための工程図（その１）である。
【図１１】図８及び図９に示す光学素子の製造方法を説
明するための工程図（その２）である。
明するための工程図（その２）である。
【図１２】図８及び図９に示す光学素子の製造方法を説
明するための工程図（その３）である。
明するための工程図（その３）である。
【図１３】本発明の第５の実施形態に係る光学素子を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１４】本発明の第５の実施形態の変形例に係る光学
素子を示す断面図である。
素子を示す断面図である。
【図１５】本発明の第６の実施形態に係る光学素子を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１６】本発明の第６の実施形態の変形例に係る光学
素子を示す断面図である。
素子を示す断面図である。
【図１７】本発明の第７の実施形態に係る光学素子を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１８】本発明の第７の実施形態の変形例に係る光学
素子を示す断面図である。
素子を示す断面図である。
１０ 石英基板 １２ Ｃｒ2 Ｏ3 ／Ｃｒ複合膜 １４ ポジ型レジスト １６ 溝 １８ Ｇｅ薄膜 ２０ ＳｉＯ2 膜 ２２ 反射防止膜 ２４ 反射膜 ２６ Ｃｏ粒子含有薄膜 ２８ Ｃｏ粒子含有薄膜 ３０ Ｃｏ粒子含有薄膜 ３２ 溝 ３４ Ｃｏ粒子含有薄膜 ３６ Ｃｏ粒子含有薄膜 ３８ Ｃｏ粒子含有薄膜 ４０ Ｃｏ粒子含有薄膜 ４２ Ｃｏ粒子含有薄膜 ４４ Ｃｏ粒子含有薄膜
Claims (11)
- 【請求項１】 可視光に対して透明な支持体の表面に、
所定の深さの溝を等間隔をおいて直線状に複数列形成す
る第１の工程と、前記溝内の底面及び両側面並びに前記
溝間の前記支持体の表面に、所定の厚さの薄膜を形成す
る第２の工程と、基体全面に、前記支持体と同じ屈折率
の支持層を形成した後、前記支持層の表面を平坦化し
て、前記支持体の裏面に対して平行にする第３の工程と
を有する方法により製造される光学素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の光学素子において、 前記溝内の底面及び前記溝間の前記支持体の表面が、前
記支持体の裏面に対して平行面をなし、前記溝内の両側
面が、前記支持体の裏面に対して垂直面をなしているこ
とを特徴とする光学素子。 - 【請求項３】 請求項１記載の光学素子において、 前記溝内の底面及び前記溝間の前記支持体の表面が、前
記支持体の裏面に対して平行面をなし、前記溝内の両側
面が、前記支持体の裏面に対して傾斜面をなしているこ
とを特徴とする光学素子。 - 【請求項４】 請求項１記載の光学素子において、 前記溝内の底面及び前記溝間の前記支持体の表面が、前
記支持体の裏面に対して平行面をなし、前記溝内の両側
面が、弓形に湾曲する曲面をなしていることを特徴とす
る光学素子。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の光学
素子において、 前記支持体の表面に直線状に等間隔をおいて複数列形成
された前記溝が複数のパターンに配置され、前記複数列
の溝のピッチが前記複数のパターンの各パターン間で互
いに異なっていることを特徴とする光学素子。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載の光学
素子において、 前記支持体の表面に形成された前記溝の直線形状が、微
視的には前記薄膜の最大厚さの範囲内で凹凸形状をなし
ている直線形状であることを特徴とする光学素子。 - 【請求項７】 請求項３又は４に記載の光学素子におい
て、 前記第２の工程と前記第３の工程との間に、前記溝内の
底面上の前記薄膜及び前記溝間の前記支持体の表面上の
前記薄膜を選択的に除去し、前記溝内の両側面上の前記
薄膜のみを残存させる工程を有する方法により製造され
る光学素子。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれかに記載の光学
素子において、 前記溝のピッチが０．２μｍ乃至２μｍであり、前記溝
の深さが０．１μｍ乃至５．０μｍであり、前記薄膜の
厚さが５ｎｍ乃至１００ｎｍであることを特徴とする光
学素子。 - 【請求項９】 請求項８記載の光学素子において、 前記薄膜が、半導体膜又は金属膜であることを特徴とす
る光学素子。 - 【請求項１０】 請求項９記載の光学素子において、 前記薄膜が、強磁性微粒子を含有していることを特徴と
する光学素子。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の光学素子において、 前記強磁性微粒子が、平均粒子径２ｎｍ乃至５０ｎｍの
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、又はこれらの合金の微粒子であるこ
とを特徴とする光学素子。
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Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002025325A1 (fr) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | Element polarisant, isolateur optique, module a diode laser et procede de production d'un element polarisant |
| WO2002091044A1 (fr) * | 2001-04-26 | 2002-11-14 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Dispositif de polarisation et son procede de fabrication |
| JP2003508813A (ja) * | 1999-09-07 | 2003-03-04 | モックステック | 改良型ワイヤグリッド偏光ビームスプリッター |
| WO2003069381A2 (en) * | 2002-02-12 | 2003-08-21 | Unaxis Balzers Limited | Optical component comprising submicron hollow spaces |
| EP1390811A1 (en) * | 2001-05-21 | 2004-02-25 | Moxtek, Inc. | Image projection system with a polarizing beam splitter |
| WO2005123277A3 (en) * | 2004-06-11 | 2006-04-27 | Nanoopto Corp | Optical films and methods of making the same |
| WO2005101112A3 (en) * | 2004-04-15 | 2007-02-08 | Nanoopto Corp | Optical films and methods of making the same |
| JP2007148344A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Sony Corp | 偏光素子及びその製造方法 |
| JP2007310249A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Hitachi Maxell Ltd | ワイヤグリッド偏光子の製造方法、ワイヤグリッド偏光子、及び光学装置 |
| JP2008502948A (ja) * | 2004-06-11 | 2008-01-31 | ナノオプト コーポレーション | 光学膜および光学膜を製造する方法 |
| EP1971897A1 (en) * | 2006-01-10 | 2008-09-24 | Ricoh Company, Ltd. | Magneto-optical device |
| US7619816B2 (en) | 2004-12-15 | 2009-11-17 | Api Nanofabrication And Research Corp. | Structures for polarization and beam control |
| JP2010117577A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Canon Inc | 偏光子 |
| EP2273291A3 (en) * | 2004-10-29 | 2011-01-26 | 3M Innovative Properties Co. | Optical bodies and methods for making optical bodies |
| US8873144B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-10-28 | Moxtek, Inc. | Wire grid polarizer with multiple functionality sections |
| US8913320B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-12-16 | Moxtek, Inc. | Wire grid polarizer with bordered sections |
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| US8922890B2 (en) | 2012-03-21 | 2014-12-30 | Moxtek, Inc. | Polarizer edge rib modification |
| US8947772B2 (en) | 2006-08-31 | 2015-02-03 | Moxtek, Inc. | Durable, inorganic, absorptive, ultra-violet, grid polarizer |
| JP2015222449A (ja) * | 2015-09-10 | 2015-12-10 | ウシオ電機株式会社 | グリッド偏光素子及び光配向装置 |
| US9348076B2 (en) | 2013-10-24 | 2016-05-24 | Moxtek, Inc. | Polarizer with variable inter-wire distance |
| US9523805B2 (en) | 2010-09-21 | 2016-12-20 | Moxtek, Inc. | Fine pitch wire grid polarizer |
| EP3470894A3 (en) * | 2017-09-22 | 2019-07-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with integrated grating and head mount display device using it |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4488033B2 (ja) | 2007-02-06 | 2010-06-23 | ソニー株式会社 | 偏光素子及び液晶プロジェクター |
| US7957062B2 (en) | 2007-02-06 | 2011-06-07 | Sony Corporation | Polarizing element and liquid crystal projector |
-
1997
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Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003508813A (ja) * | 1999-09-07 | 2003-03-04 | モックステック | 改良型ワイヤグリッド偏光ビームスプリッター |
| JP4672944B2 (ja) * | 1999-09-07 | 2011-04-20 | モックステック・インコーポレーテッド | 改良型ワイヤグリッド偏光ビームスプリッター |
| US7002742B2 (en) | 2000-09-20 | 2006-02-21 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | Polarizing function element, optical isolator, laser diode module and method of producing polarizing function element |
| WO2002025325A1 (fr) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | Element polarisant, isolateur optique, module a diode laser et procede de production d'un element polarisant |
| WO2002091044A1 (fr) * | 2001-04-26 | 2002-11-14 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Dispositif de polarisation et son procede de fabrication |
| EP1390811A4 (en) * | 2001-05-21 | 2009-03-18 | Moxtek Inc | IMAGE PROJECTION SYSTEM WITH POLARIZING BEAM DIVIDER |
| EP1390811A1 (en) * | 2001-05-21 | 2004-02-25 | Moxtek, Inc. | Image projection system with a polarizing beam splitter |
| US7371329B2 (en) | 2002-02-12 | 2008-05-13 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method for filtering particles from a fluid |
| KR100960183B1 (ko) * | 2002-02-12 | 2010-05-27 | 오를리콘 트레이딩 아크티엔게젤샤프트, 트뤼프바흐 | 서브 미크론 공동을 포함하는 컴포넌트 |
| WO2003069381A2 (en) * | 2002-02-12 | 2003-08-21 | Unaxis Balzers Limited | Optical component comprising submicron hollow spaces |
| US7507467B2 (en) | 2002-02-12 | 2009-03-24 | Oerlikon Trading Ag, Trubbach | Component comprising submicron hollow spaces |
| US7026046B2 (en) * | 2002-02-12 | 2006-04-11 | Unaxis Balzers Ltd. | Component comprising submicron hollow spaces |
| WO2003069381A3 (en) * | 2002-02-12 | 2003-11-13 | Unaxis Balzers Ltd | Optical component comprising submicron hollow spaces |
| US6884500B2 (en) * | 2002-02-12 | 2005-04-26 | Unaxis Balzers Ltd. | Component comprising submicron hollow spaces |
| US8808972B2 (en) * | 2004-04-15 | 2014-08-19 | Polarization Solutions, Llc | Optical films and methods of making the same |
| US8765360B2 (en) | 2004-04-15 | 2014-07-01 | Polarization Solutions, Llc | Optical films and methods of making the same |
| JP2007532977A (ja) * | 2004-04-15 | 2007-11-15 | ナノオプト コーポレーション | 光学膜およびその製造方法 |
| WO2005101112A3 (en) * | 2004-04-15 | 2007-02-08 | Nanoopto Corp | Optical films and methods of making the same |
| US7670758B2 (en) | 2004-04-15 | 2010-03-02 | Api Nanofabrication And Research Corporation | Optical films and methods of making the same |
| JP2008502948A (ja) * | 2004-06-11 | 2008-01-31 | ナノオプト コーポレーション | 光学膜および光学膜を製造する方法 |
| WO2005123277A3 (en) * | 2004-06-11 | 2006-04-27 | Nanoopto Corp | Optical films and methods of making the same |
| EP2273291A3 (en) * | 2004-10-29 | 2011-01-26 | 3M Innovative Properties Co. | Optical bodies and methods for making optical bodies |
| US7619816B2 (en) | 2004-12-15 | 2009-11-17 | Api Nanofabrication And Research Corp. | Structures for polarization and beam control |
| JP2007148344A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Sony Corp | 偏光素子及びその製造方法 |
| EP1971897A4 (en) * | 2006-01-10 | 2009-10-28 | Ricoh Kk | MAGNETOOPTICAL ARRANGEMENT |
| EP1971897A1 (en) * | 2006-01-10 | 2008-09-24 | Ricoh Company, Ltd. | Magneto-optical device |
| JP2007310249A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Hitachi Maxell Ltd | ワイヤグリッド偏光子の製造方法、ワイヤグリッド偏光子、及び光学装置 |
| US8947772B2 (en) | 2006-08-31 | 2015-02-03 | Moxtek, Inc. | Durable, inorganic, absorptive, ultra-violet, grid polarizer |
| JP2010117577A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Canon Inc | 偏光子 |
| US9523805B2 (en) | 2010-09-21 | 2016-12-20 | Moxtek, Inc. | Fine pitch wire grid polarizer |
| US8913321B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-12-16 | Moxtek, Inc. | Fine pitch grid polarizer |
| US8873144B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-10-28 | Moxtek, Inc. | Wire grid polarizer with multiple functionality sections |
| US8913320B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-12-16 | Moxtek, Inc. | Wire grid polarizer with bordered sections |
| US8922890B2 (en) | 2012-03-21 | 2014-12-30 | Moxtek, Inc. | Polarizer edge rib modification |
| US9348076B2 (en) | 2013-10-24 | 2016-05-24 | Moxtek, Inc. | Polarizer with variable inter-wire distance |
| US9354374B2 (en) | 2013-10-24 | 2016-05-31 | Moxtek, Inc. | Polarizer with wire pair over rib |
| US9632223B2 (en) | 2013-10-24 | 2017-04-25 | Moxtek, Inc. | Wire grid polarizer with side region |
| JP2015222449A (ja) * | 2015-09-10 | 2015-12-10 | ウシオ電機株式会社 | グリッド偏光素子及び光配向装置 |
| EP3470894A3 (en) * | 2017-09-22 | 2019-07-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with integrated grating and head mount display device using it |
| US10782529B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-09-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and head mount display device |
| US11360312B2 (en) | 2017-09-22 | 2022-06-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and head mount display device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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