JPH11147186A - テクスチュア記録装置 - Google Patents

テクスチュア記録装置

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JPH11147186A
JPH11147186A JP9311687A JP31168797A JPH11147186A JP H11147186 A JPH11147186 A JP H11147186A JP 9311687 A JP9311687 A JP 9311687A JP 31168797 A JP31168797 A JP 31168797A JP H11147186 A JPH11147186 A JP H11147186A
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JP
Japan
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laser light
substrate
light
bump
laser beam
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JP9311687A
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English (en)
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Toshiharu Yoshikawa
敏治 吉川
Koji Ume
晃二 梅
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NIPPON LASER KK
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NIPPON LASER KK
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 作成されるバンプの不均一をなくして良好な
CSS特性が得られるようにし、光軸の調整等のメンテ
ナンスの負担を軽減し、生産性を高める。 【解決手段】 ディスク基板19の表面にレーザー光を
照射してバンプを作成するテクスチュア記録装置におい
て、レーザー光を変調する光変調手段14と、変調した
レーザー光をディスク基板に照射するレーザー光照射手
段18と、ディスク基板を回転させ回転速度の検出を行
う回転機構20と、レーザー光の照射位置に対しディス
ク基板を相対移動させ移動位置の検出を行う移動機構2
1と、回転速度の検出に基づき回転速度の制御、移動位
置の検出に基づき移動位置の制御、レーザー光の変調制
御を行う制御手段13とを備え、バンプの記録を開始す
るレーザー光の立ち上がり照射強度を大きくしてバンプ
の大きさ、深さ及びリムの高さが一様になるように変調
手段14を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスク基板のテ
クスチュア加工技術に関し、詳しくはレーザー光を利用
してディスク基板の表面に微小突起(バンプ)を作成す
るテクスチュア記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスク装置では、コンタクト・ス
タート・ストップ(CSS)方式が採用され、磁気ディ
スク基板は、静止状態において磁気ヘッドと密着してい
て、回転を始めると、磁気ヘッドとの隙間を流れる空気
の粘性と磁気ヘッドを磁気ディスク基板に押し付けるバ
ネの力との平衡点で隙間が安定する。このようなCSS
方式を採用した磁気ディスク装置において、静止時の接
触摩擦力を低減させるために、磁気ディスク基板の表面
に研磨テープ等で微小突起(バンブ)を作る技術が開発
され、さらに近年レーザー光を利用した加工により微小
突起を作る方法が開発された。
【0003】図10はレーザー光を利用して磁気ディス
クを加工し微小突起を作る従来のテクスチュア記録装置
の構成例を示す図であり、81は光源、82は光変調
器、83は制御装置、84、84′は全反射鏡、85、
85′は集光器、86、89は磁気ディスク基板、8
7、90は基板回転機構、88、91は基板移動機構、
92は光学系移動機構を示す。
【0004】図10において、光源81は、加工用のレ
ーザー光を発生するレーザービーム発振器であり、光変
調器82は、光源81からのレーザー光をオン/オフ
(パルス変調)するものである。磁気ディスク基板8
6、89は、レーザー光によりテクスチャ加工を行い表
面に微小突起(バンブ)を作る被加工材である。基板回
転機構87、90は、磁気ディスク基板86、89を保
持して回転駆動する機構であり、基板移動機構88、9
1は、磁気ディスク基板86、89を半径方向に移動さ
せる機構であり、光学系移動機構92は、全反射鏡8
4、集光器85からなる光学系を磁気ディスク基板8
6、89の加工部間で移動させる機構である。制御装置
83は、光変調器82のオン/オフタイミング、基板回
転機構87、90の回転数、基板移動機構88、91の
移動位置、光学系移動機構92の移動位置の制御を行う
ものである。
【0005】上記構成のテクスチュア記録装置におい
て、制御装置83は、光学系移動機構92を制御して磁
気ディスク基板86の加工部又は磁気ディスク基板89
の加工部に全反射鏡84、集光器85からなる光学系の
位置決め、基板移動機構88、91を制御して磁気ディ
スク基板86、89のレーザー光の照射点の位置決めを
行い、基板回転機構87、90を制御して磁気ディスク
基板86、89を一定の回転数となるように(CAV)
又はレーザー光の照射位置の線速度が一定となるように
(CLV)回転駆動する。そして、光変調器82を制御
してレーザー光のオン/オフタイミングの制御を行い、
全反射鏡84、集光器85からなる光学系を介して照射
することにより、磁気ディスク基板86、89の表面に
微小の凹凸からなるテクスチャ加工を行う。
【0006】従来のレーザー光を利用した加工装置で
は、上記のように磁気ディスク基板86、89、基板回
転機構87、90、基板移動機構88、91からなる複
数の加工部を併設し、光学系移動機構92の制御により
光学系が図示84、85の位置と84′、85′の位置
との間を繰り返し移動して連続的に加工を行うようにす
ることによって、加工用レーザー光源の利用率を高め、
作業効率を高めるようにしている。また、移動光学系9
2を省き、光学系を固定して加工部を相対的に移動させ
てもよい(例えば特開平8−224677号公報参
照)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、現在までに開
発されたバンプを作成するテクスチュア記録装置では、
バンプの大きさ、深さ及びリムの高さが作成された全面
で均一にならないという問題がある。バンプが不均一な
表面のディスク基板からコンタクト・スタート・ストッ
プをすると、磁気ヘッドに傷がついたり磁気ヘッドの摩
擦力が大きくて始動時間が長くなったり、始動しなくな
る、所謂ステッキング現象が発生する。
【0008】また、テクスチュア記録装置では、装置に
レーザー光発振器を含め光変調器や集光器を内蔵し、こ
れら光学部品間の光路が煩雑になるため、光軸の調整、
稼働中のずれによる再調整等に多大の手間がかかる。し
かも、光路が空気等の雰囲気を通過するため、光路中の
気流や雰囲気の温度差による「陽炎」で「ゆらぎ」が発
生したり、浮遊している塵により光量が不安定になると
いう問題もある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するものであり、作成されるバンプの不均一をなく
して良好なCSS特性が得られるようにし、光軸の調整
等のメンテナンスの負担を軽減し、生産性を高めるよう
にするものである。
【0010】そのために本発明は、ディスク基板の表面
にレーザー光を照射してバンプを作成するテクスチュア
記録装置において、レーザー光を変調する光変調手段
と、該光変調手段により変調したレーザー光をディスク
基板に照射するレーザー光照射手段と、ディスク基板を
回転させ回転速度の検出を行う回転機構と、前記レーザ
ー光照射手段により照射するレーザー光の位置に対しデ
ィスク基板を相対移動させ移動位置の検出を行う移動機
構と、前記回転機構による回転速度の検出に基づき回転
速度の制御を行うと共に前記移動機構による移動位置の
検出に基づき移動位置の制御を行って前記光変調手段に
よるレーザー光の変調を制御する制御手段とを備え、前
記制御手段は、バンプの記録を開始するレーザー光の立
ち上がり照射強度を大きくしてバンプの大きさ、深さ及
びリムの高さが一様になるように前記光変調手段による
変調を制御することを特徴とするものである。
【0011】また、前記制御手段は、前記回転機構の制
御により前記回転速度を一定にし、前記ディスク基板に
おけるレーザー光の照射位置の線速に応じて前記光変調
手段の制御により前記レーザー光の平均照射強度を変化
させ、あるいは前記回転機構の制御により前記ディスク
基板におけるレーザー光の照射位置に関わらず前記照射
位置におけるディスク基板の線速が一定になるように前
記相対移動に伴って前記回転速度を変化させ、前記光変
調手段の制御により前記レーザー光の平均照射強度を一
定にすることを特徴とし、前記光変調手段は、前段に入
射レーザー光を所定の設定値に安定化するレーザー光強
度安定化手段を有し、前記制御手段は、平均照射強度を
前記レーザー光強度安定化手段の設定値により制御する
ことを特徴とし、前記各手段の間の光路を光ファイバー
で接続したことを特徴とするものである。
【0012】さらに、レーザー光を複数の光路に時間分
割して切り換え分配する光路分配手段を備え、該光路分
配手段により分配されたそれぞれの光路の出射レーザー
光を複数の光変調手段により変調し、複数の光学系を構
成したことを特徴とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ説明する。図1は本発明に係るテクスチュ
ア記録装置の実施の形態を示す図であり、11は光源、
12はレーザー光強度安定器、13は制御装置、14は
光変調器、15は全反射鏡、16は半透明鏡、17は光
量検出器、18は集光器、19はディスク基板、20は
基板回転機構、21は基板移動機構を示す。
【0014】図1において、光源11は、例えば加工用
のレーザー光を発生するレーザー発振器からなるレーザ
ー光等の光源であり、バンプ作成用のレーザー光の場
合、紫外線から赤外線の単波長又は2波長以上が混合し
たものでもよいが、基板の熱吸収率等の関係とレーザー
光出力の関係から500nmの波長の赤外線を使用する
ことが多い。レーザー光強度安定器12は、レーザー光
強度を予め決められた所定の設定値LB に安定化するも
のであり、光変調器14は、安定化されたレーザー光を
変調信号(印加電圧)Sで変調するものである。全反射
鏡15は、光変調器14で変調されたレーザー光の向き
を変え、集光器18は、その出射レーザー光をディスク
基板19の照射位置に集光するためのものであり、オー
トフォーカス機能を有するものを用いることにより、デ
ィスク基板の回転に伴って加工面にゆれがあっても集光
の安定性を高くすることができる。半透明鏡16は、光
変調器14で変調されたレーザー光の出射光量を検出す
るために光路を2つに分割するものであり、光量検出器
17は、その分割した光路により光量を検出するもので
ある。ディスク基板19は、レーザー光によりテクスチ
ャ加工を行い表面に微小突起(バンブ)を作る被加工材
であり、磁気ディスク基板あるいはそのスタンパーのマ
スター基板である。基板回転機構20は、ディスク基板
19を回転させ回転速度を検出するものであり、レーザ
ー光の照射強度が一定の場合には、記録位置(照射位
置)に応じて回転速度を変化させて線速度が一定になる
ように制御される。基板移動機構21は、ディスク基板
19を相対移動させ移動位置を検出するものである。
【0015】制御装置8は、光量検出器17により検出
される光変調器14の出射レーザー光の光量、基板回転
機構20により検出される回転速度、基板移動機構21
により検出される移動位置を入力し、レーザー光強度安
定器12の設定値LB 、光変調器14の変調信号S、基
板回転機構20の回転速度、基板移動機構21の移動位
置を制御するものである。光変調器14の変調信号Sで
は、バンプの記録を開始するレーザー光の立ち上がり時
照射強度を大きくしてバンプの大きさ、深さ及びリムの
高さが一様になるように、レーザー光のオン/オフのタ
イミング、照射強度を制御する。
【0016】図2は本発明に係るテクスチュア記録装置
によるレーザー光照射強度とバンプの形状、深さ及びリ
ムの高さの形成例を示す図、図3は従来のテクスチュア
記録装置によるレーザー光照射強度とバンプの形状、深
さ及びリムの高さの形成例を示す図である。
【0017】本発明に係るテクスチュア記録装置では、
先に説明したようにバンプの記録を開始するレーザー光
の立ち上がり時照射強度を大きくするものであり、その
例を示したのが図2(A)である。バンプの記録を開始
するレーザー光の立ち上がり時は、ディスク基板が冷え
ているため照射強度を特に大きくし、その後、図示のよ
うに漸減させることにより、図2(B)に示すようにバ
ンプの形状が一様になり、また、図2(C)に示すよう
にバンプの深さ及びリムの高さも一様になる。従来のテ
クスチュア記録装置では、図3(A)に示すようにレー
ザー光を一定の照射強度にすると、バンプの記録開始位
置では光量が後方の位置に対して相対的に不足するた
め、図3(B)に示すようにバンプの形状が後方に広が
り、バンプの深さ及びリムの高さも前方が後方より不足
する。つまり、バンプの大きさ、深さ及びリムの高さが
一様に形成できない。
【0018】ところで、ディスク基板19を基板移動機
構21により相対移動をさせながら基板回転機構20に
より基板の回転速度を一定にしてレーザー光をディスク
基板19に照射し記録を行うと、照射位置(記録位置)
により、つまり記録半径が大きくなれば基板照射部の線
速度は速くなり、外周になるに伴って記録レーザー光量
が不足する。その結果、外周のバンプは、内周のそれに
比べて浅く、リムの高さは低くなる。
【0019】そこで、記録位置が変わっても基板移動機
構21によるディスク基板19の相対移動に合わせて線
速が一定になるように基板回転機構20によるディスク
基板19の回転速度を制御し(CLV)、レーザー光の
照射強度が一定になるように制御して記録を行うか、基
板回転機構20によるディスク基板19の回転速度を一
定に制御し(CAV)、線速度が変わってもその線速度
の変化に応じてレーザー光の照射強度が変化するように
制御して記録を行う。これらいずれかの記録モードを選
択することにより、安定したバンプの大きさ、深さ及び
リムの高さの記録を実現することができる。このような
所謂レーザー光の平均照射強度の制御は、光変調器14
の変調信号Sで制御してもよいが、レーザー光強度安定
器12の設定値LB で制御してもよい。なお、ディスク
基板19にバンプを作成する場合、記録範囲は、半径3
mm程度である。
【0020】図4はレーザー光強度安定器や光変調器の
具体的な構成例を示す図、図5及び図6は変調信号とレ
ーザー光との関係を説明するための図であり、31は光
変調素子、32はビームスプリッターを示す。図4にお
いて、光変調素子31は、入射レーザー光に対する出射
レーザー光の波面(偏光面)の角度θを印加される電圧
Sに応じて変える、例えば電気光学素子(EO素子)で
あり、ビームスプリッター32は、入射レーザー光を波
面の角度θに応じて2つの光路に分配するものである。
この光変調素子31とビームスプリッター32とを組み
合わせることにより、レーザー光強度安定器や光変調器
を構成することができ、これらの関係は例えば次のよう
になっている。すなわち、光変調素子31は、印加電圧
Sが0のとき図4(B)に示すように入射レーザー光a
に対し波面の角度θが0°のレーザー光a′として出射
し、印加電圧Sが所定値Vfのとき図4(C)に示すよ
うに入射レーザー光aに対し波面の角度θが90°のレ
ーザー光a′として出射する。また、ビームスプリッタ
ー32は、図4(D)に示すように入射レーザー光a′
のうち波面の角度θが0°の成分を光路bに分配し、波
面の角度θが90°の成分を光路cに分配する。
【0021】これらの関係から、図5に示すように光変
調素子31の印加電圧SをVfのパルス信号として供給
すると、入射レーザー光をビームスプリッター32の光
路bとcとの間でスイッチングして切り換え配分するこ
とができる。つまり、印加電圧Sとしてパルス信号を光
変調素子31に印加することにより、ビームスプリッタ
ー32の光路bからパルス変調したレーザー光として取
り出す光変調器として構成することができ、さらに、光
変調素子31の印加電圧SをVfの範囲内で所望の波形
で変化させることにより、ビームスプリッター32の光
路bから所望の波形に変調した出射レーザー光を得るこ
とができる。
【0022】また、光変調素子31の印加電圧Sを0と
Vfの中間で変化させると、図4(D)に示すように入
射レーザー光a′を光路bとcにその変化に対応した割
合で比率配分することができる。したがって、その変化
に対応して光路bのレーザー光の出射強度が変化するの
で、所望の設定値LB を印加電圧Sとして光変調素子3
1に印加することにより、ビームスプリッター32の光
路bから強度調整されたレーザー光として取り出すレー
ザー光強度安定器として構成することができる。
【0023】さらに、光変調素子31とビームスプリッ
ター32との組み合わせにより、入射レーザー光をビー
ムスプリッター32の光路bとcに時間分割して切り換
え分配するように光変調素子31の印加電圧Sを制御し
たり、一定の比率でビームスプリッター32の光路bと
cに入射レーザー光を配分するように光変調素子31の
印加電圧Sを制御して、それぞれのビームスプリッター
32の光路bとcの出射レーザー光を取り出して使うよ
うにすることにより、光路分配器として使用することが
できる。しかも、図4(A)に示す光変調素子31とビ
ームスプリッター32からなる構成を光路分配器として
複数個使い、ビームスプリッターの2つの光路に順次縦
続接続することにより、レーザー光の多分配装置が実現
でき、例えば初段の光路分配器で時間分割して切り換え
分配することにより、一方の光路から図6aに示すよう
なレーザー光を取り出し、それを図6S〜に示すよ
うな任意の波形の変調信号で変調することにより、さら
に図6bに示すように強度変調することができる。図6
Sは積分波を使い、図6は三角波(鋸状波)を使
い、図6は台形波を使い、図6は矩形波を位相遅れ
で使った例を示したものである。
【0024】図7は光路分配器と光変調器とを組み合わ
せた1つの入射レーザー光により並行して2系統でテク
スチュア記録を行えるようにしたテクスチュア記録装置
の構成例を示す図、図8は図7に示すテクスチュア記録
装置の動作を説明するための図、図9はレーザー光の多
分配を可能にしたさらに他の実施の形態を示す図であ
り、41、61〜63は光変調素子、42は制御装置、
43、64〜66はビームスプリッター、44、46は
半透明鏡、45、47は光量検出器、48、52は光変
調器、51は全反射鏡を示す。
【0025】図7において、光変調素子41とビームス
プリッター43は、入射レーザー光aを光路bとcに分
配する光路分配器を構成するものであり、光変調器4
8、52は、光路分配器で分配されたそれぞれの光路の
レーザー光をバンプの記録を開始するレーザー光の立ち
上がり照射強度を大きくしてバンプの大きさ、深さ及び
リムの高さが一様になるように前記光変調手段による変
調するものである。なお、半透明鏡44、46は、光路
分配器で分配された各光路の出射レーザー光の光量を検
出するために光路を2つに分割するものであり、光量検
出器17は、その分割した光路により光量を検出するも
のであるが、これらは必要に応じて設けられるものであ
る。したがって、省いてもいずれか一方のみにしてもよ
いし、光変調器48、52の後方に設けて、これらの出
射レーザー光の光量を検出するようにしてもよい。全反
射鏡51は、光路bの向きを変えるためのものである。
制御装置42は、光量検出器17の検出信号を入力して
光変調素子41、光変調器48、52の変調信号を制御
するものであるが、さらに図示しないレーザー光強度安
定器や基板回転機構、基板移動機構も制御する。
【0026】上記の構成により、図8に示すように変調
信号S1により入射レーザー光aを光路b、cに時間分
割して切り換え分配し、分配したそれぞれの光路b、c
で光変調器48、52の変調信号S2、S3を制御する
ことにより図8に示すような波形の出射強度を持つレー
ザー光b′、c′を取り出すことができる。
【0027】さらに、光変調素子とビームスプリッター
からなる構成を光路分配器として複数個使い、ビームス
プリッターの2つの光路に順次縦続接続することによ
り、レーザー光多分配の装置が実現した構成例を示した
のが図9であり、次のような複数のモードに対応でき
る。
【0028】まず、第1の制御モードとして、光変調素
子61〜63とビームスプリッター64〜66で光路
〜にレーザー光を比率分配するように光変調素子61
〜63の印加電圧を制御し、それぞれの光路〜で図
1に示した光変調素子14とビームスプリッター15と
同じ構成で切り換え分配する。
【0029】第2の制御モードとして、光変調素子61
〜63とビームスプリッター64〜66で光路〜に
レーザー光を切り換え分配するように光変調素子61〜
63の印加電圧を制御する。さらに、それぞれの光路
〜で図1に示した光変調素子14とビームスプリッタ
ー15と同じ構成で切り換え分配してもよい。
【0030】第3の制御モードとして、光変調素子61
とビームスプリッター64で比率分配して、光変調素子
62、63とビームスプリッター65、66で切り換え
分配するように光変調素子61〜63の印加電圧を制御
する。この場合には、光路で図1に示した光変調素子
14とビームスプリッター15と同じ構成で切り換え分
配することが必要となる。
【0031】本発明に係るテクスチュア記録装置では、
大出力のレーザー光発振器を用いるため、通常水冷や強
制空冷により冷却を行う。このような発振器を装置に内
蔵すると、冷却の振動が装置に伝わり光軸がその振動で
ずれたり、水冷の場合には、接触部の緩みや水圧の上昇
による漏水で装置に損傷を与えるという問題が発生す
2。また、光源からレーザー光強度安定器、光路分配
器、ビームスプリッター、半透明鏡、全反射鏡、集光器
等を経て、被加工材であるディスク基板にレーザー光を
照射するため、それぞれの光路での光軸合わせが重要に
なる。しかも、多大な手間をかけて光軸を合わせたとし
ても、稼働中に経時的あるいは光学部品の交換により光
軸がずれたり、衝撃で光軸がずれたりすると、その調整
にさらに手間を要し、光軸調整、メンテナンスに多大な
負担が要求される。そのため、本発明に係るテクスチュ
ア記録装置では、光学部品との間を光導波路、つまり光
ファイバーで接続する。このことにより、光軸の調整が
容易になり、さらに光路の雰囲気の影響を受けない光学
装置を提供することができる。
【0032】なお、本発明は、上記実施の形態で限定さ
れるものではなく、種々の変形が可能である。例えば上
記実施の形態では、印加電圧を制御して入射レーザー光
に対し出射レーザー光の波面の角度を変えて変調する光
変調素子、例えば電気光学素子(EO素子)とレーザー
光の波面の角度に応じて2つの光路に分配するビームス
プリッターを組み合わせて構成した光変調器及びレーザ
ー光強度安定器の例を示したが、電気光学素子(EO素
子)に代えて音響光学素子(AO素子)その他の光学素
子を用いてもよいし、光変調器やレーザー光強度安定器
は、一般に使用されている他の構成のものを採用しても
よい。また、光源のレーザー光は連続光として説明した
が、パルス光源を用いてもよい。パルス光源の場合、波
高値の変動が無視できずバンプの不均一が生じやすい
が、このバンプの不均一をなくすのに、本発明のような
パルス光源とレーザー光強度安定器とを組み合わせた構
成はきわめて有効である。
【0033】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、バンプの記録を開始するレーザー光の立ち上
がり照射強度を大きくしてバンプの大きさ、深さ及びリ
ムの高さが一様になるように前記光変調手段による変調
を制御するので、作成されるバンプの不均一をなくして
良好なCSS特性が得られる。しかも、光路分配器や光
ファイバーを用いることにより、光量損失がなく光軸調
整が容易になり、さらに再現性、均一性を高め、生産性
を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係るテクスチュア記録装置の実施の
形態を示す図である。
【図2】 本発明に係るテクスチュア記録装置によるレ
ーザー光照射強度とバンプの形状、深さ及びリムの高さ
の形成例を示す図である。
【図3】 従来のテクスチュア記録装置によるレーザー
光照射強度とバンプの形状、深さ及びリムの高さの形成
例を示す図である。
【図4】 レーザー光強度安定器や光変調器の具体的な
構成例を示す図である。
【図5】 変調信号とレーザー光との関係を説明するた
めの図である。
【図6】 変調信号とレーザー光との関係を説明するた
めの図である。
【図7】 光路分配器と光変調器とを組み合わせた1つ
の入射レーザー光により並行して2系統でテクスチュア
記録を行えるようにしたテクスチュア記録装置の構成例
を示す図である。
【図8】 図7に示すテクスチュア記録装置の動作を説
明するための図である。
【図9】 レーザー光の多分配を可能にしたさらに他の
実施の形態を示す図である。
【図10】 レーザー光を利用して磁気ディスクを加工
し微小突起を作る従来のテクスチュア記録装置の構成例
を示す図である。
【符号の説明】
11…光源、12…レーザー光強度安定器、13…制御
装置、14…光変調器、15…全反射鏡、16…半透明
鏡、17…光量検出器、18…集光器、19…ディスク
基板、20…基板回転機構、21…基板移動機構

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ディスク基板の表面にレーザー光を照射
    してバンプを作成するテクスチュア記録装置において、
    レーザー光を変調する光変調手段と、該光変調手段によ
    り変調したレーザー光をディスク基板に照射するレーザ
    ー光照射手段と、ディスク基板を回転させ回転速度の検
    出を行う基板回転機構と、前記レーザー光照射手段によ
    り照射するレーザー光の位置に対しディスク基板を相対
    移動させ移動位置の検出を行う基板移動機構と、前記基
    板回転機構による回転速度の検出に基づき回転速度の制
    御を行うと共に前記基板移動機構による移動位置の検出
    に基づき移動位置の制御を行って前記光変調手段による
    レーザー光の変調を制御する制御手段とを備え、前記制
    御手段は、バンプの記録を開始するレーザー光の立ち上
    がり照射強度を大きくしてバンプの大きさ、深さ及びリ
    ムの高さが一様になるように前記光変調手段による変調
    を制御することを特徴とするテクスチュア記録装置。
  2. 【請求項2】 前記制御手段は、前記回転機構の制御に
    より前記回転速度を一定にし、前記ディスク基板におけ
    るレーザー光の照射位置の線速に応じて前記光変調手段
    の制御により前記レーザー光の平均照射強度を変化させ
    ることを特徴とする請求項1記載のテクスチュア記録装
    置。
  3. 【請求項3】 前記制御手段は、前記回転機構の制御に
    より前記ディスク基板におけるレーザー光の照射位置に
    関わらず前記照射位置におけるディスク基板の線速が一
    定になるように前記相対移動に伴って前記回転速度を変
    化させ、前記光変調手段の制御により前記レーザー光の
    平均照射強度を一定にすることを特徴とする請求項1記
    載のテクスチュア記録装置。
  4. 【請求項4】 前記光変調手段は、前段に入射レーザー
    光を所定の設定値に安定化するレーザー光強度安定化手
    段を有し、前記制御手段は、平均照射強度を前記レーザ
    ー光強度安定化手段の設定値により制御することを特徴
    とする請求項2又は3記載のテクスチュア記録装置。
  5. 【請求項5】 前記各手段の間の光路を光ファイバーで
    接続したことを特徴とする請求項1記載のテクスチュア
    記録装置。
  6. 【請求項6】 ディスク基板の表面にレーザー光を照射
    してバンプを作成するテクスチュア記録装置において、
    レーザー光を複数の光路に時間分割して切り換え分配す
    る光路分配手段と、該光路分配手段により分配されたそ
    れぞれの光路の出射レーザー光を変調する複数の光変調
    手段と、該光変調手段により変調したレーザー光をディ
    スク基板に照射する複数のレーザー光照射手段と、ディ
    スク基板を回転させ回転速度の検出を行う複数の基板回
    転機構と、前記レーザー光照射手段により照射するレー
    ザー光の位置に対しディスク基板を相対移動させ移動位
    置の検出を行う複数の基板移動機構と、前記光路分配手
    段によるレーザー光の分配制御、前記光変調手段による
    レーザー光の変調制御、前記基板回転機構による回転速
    度の検出に基づき回転速度の制御、及び前記基板移動機
    構による移動位置の検出に基づき移動位置の制御を行う
    制御手段とを備え、前記制御手段は、バンプの記録を開
    始するレーザー光の立ち上がり照射強度を大きくしてバ
    ンプの大きさ、深さ及びリムの高さが一様になるように
    前記光変調手段による変調を制御することを特徴とする
    テクスチュア記録装置。
  7. 【請求項7】 前記光路分配器の前段に入射レーザー光
    を所定の設定値に安定化するレーザー光強度安定化手段
    を有し、前記制御手段は、平均照射強度を前記レーザー
    光強度安定化手段の設定値により制御することを特徴と
    する請求項6記載のテクスチュア記録装置。
  8. 【請求項8】 前記各手段の間の光路を光ファイバーで
    接続したことを特徴とする請求項6記載のテクスチュア
    記録装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002178323A (ja) * 2000-12-12 2002-06-26 Taiyo Yuden Co Ltd セラミックグリーンシートの加工装置
JP2011056536A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2011098378A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Pulstec Industrial Co Ltd レーザ加工装置
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