JPS61260691A - 半導体レ−ザの波長制御方法 - Google Patents

半導体レ−ザの波長制御方法

Info

Publication number
JPS61260691A
JPS61260691A JP60103562A JP10356285A JPS61260691A JP S61260691 A JPS61260691 A JP S61260691A JP 60103562 A JP60103562 A JP 60103562A JP 10356285 A JP10356285 A JP 10356285A JP S61260691 A JPS61260691 A JP S61260691A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pulse
frequency
pulses
semiconductor laser
duty
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60103562A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinya Hasegawa
信也 長谷川
Shunji Kitagawa
俊二 北川
Fumio Yamagishi
文雄 山岸
Hiroyuki Ikeda
池田 弘之
Yushi Inagaki
雄史 稲垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP60103562A priority Critical patent/JPS61260691A/ja
Publication of JPS61260691A publication Critical patent/JPS61260691A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06808Stabilisation of laser output parameters by monitoring the electrical laser parameters, e.g. voltage or current
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06209Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
    • H01S5/06216Pulse modulation or generation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
  • Laser Beam Printer (AREA)
  • Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体レーザに周期がランダムな駆動信号を印加する際
に、該駆動信号のパルスの立ち下がりや立ち−Lがりを
検出してトリガとし、前記のデユーティが次第に小さく
なるなる高周波パルスの重畳を開始することで、駆動信
号の周期に応じて重畳される高周波パルスのデユーティ
を変化させることにより、温度変化によるモードホップ
を防止する。
〔産業上の利用分野〕
近年、半導体レーザを用いた光応用装置として、レーザ
プリンタ、光デイスクメモリ、PO8用バーコードリー
ダ等が実用化されている。これらの装置において、最近
特にホログラムの回折作用を利用してレーザ光を制御す
ることが注目されている。本発明は、このようにホログ
ラムを利用してレーザ光を制御する場合に適用される半
導体レーザの駆動方法に関する。
〔従来の技術〕
第6図は、半導体レーザ光を利用して印字などを行なう
プリンタであり、半導体レーザLDから発生したレーザ
光1をレンズ2で平行光に変換してから、回転している
ホログラムディスク3に入射させる構成になっている。
ホログラムディスク3に入射した光は、該回転ホログラ
ムディスク3で回折されることにより、記録媒体4上で
矢印a、方向に走査される。そして走査のタイミングに
同期して、レーザ光出力をオン・オフ変調することで、
記録媒体4上におけるドツト印字位置を選択し、ドツト
の組み合わせで、文字などの記録を行なうことができる
ところでホログラムディスク3の回折角βは、レーザ光
1の波長に依存するため、半導体レーザLDの接合部の
温度変化などで波長が変動したりすると、走査位置が狂
い、印字品質が低下する。
第7図は、レーザ光の波長λとパワーPとの関係を示す
パワースペクトル図である。半導体レーザのうち、屈折
率導波型レーザでは、所定波長の1本のスペクトル5が
発生し、シングルの縦モードが得られるようになってい
る。ところが温度変化や伝導電流の変化、パルス印加に
よって、5a、5b・・・のようにモードが転移してし
まう現象がある。通常このモードポツプの値は、0.3
nm程度である。
また半導体レーザをパルス変調すると、第8図の50の
ように波長の異なる光が同時に複数発生する多モードと
なることがある。
レーザプリンタなどのように、半導体レーザをパルス変
調して、オン・オフ制御することで、情報の記録を行な
う場合は、ビデオ信号によって、ランダムに半導体レー
ザが駆動されて発光するため、半導体レーザの温度変化
は避けられない。すなわち第9図の(イ)のように、ド
ツトが連続している線6aを記録する場合は、半導体レ
ーザに印加される信号は、7aのようにオン状態が連続
した信号となる。大きな間隔をおいて点6bを記録する
場合は、短いパルス信号7bが時間間隔をおいて入力さ
れることになる。ところが(ロ)に示されるように、1
つのドツト6C・・・と最小の空白とを交互に記録する
場合は、高周波のパルス7C・・・が印加されることに
なる。後者のように、印加信号の周波数が最も高いとき
は、数Mllz程度となる。
なお実際は、第10図に示すように、50m八程へのバ
イアス電流を印加しておき、ビデオ信号がオンとなって
、ドツトを印字する場合に、7で示されるように闇値電
流より充分大きい、70mA程度とすることが行なわれ
ている。
このように記録される情報の内容によって、半導体レー
ザに印加される駆動パルスのオン時間の長さや間隔はラ
ンダムに変化する。信号7aのように、連続した直流状
態の信号が印加されるときは、半導体レーザの接合部に
連続して駆動電流が印加されるため、温度が上昇する。
逆にドツトの間隔が大きい場合は、駆動電流が印加され
ない時間が長いため、温度上昇は少ない。
このように印加される信号によって、半導体レーザの温
度変動を来すので、温度変動が発生してもモードホップ
を防止できるように、本発明の出願人により、昭和59
年12月3日付けで、特願昭59−255504号とし
て、第11図のように、半導°体し−ザの駆動信号に高
周波のパルス8を重畳する方法が堤案されている。第1
1図の(イ)は、入力信号7と同一振幅を有し、入力信
号7のローレベルを基準にして、正側に入力信号よりも
高い周波数で振動する高周波パルス8が重畳される。そ
してこの高周波パルス8は、半導体レーザの発光時およ
び非発光時のいずれのタイミングにおいても、重畳され
る。
(ロ)は、高周波パルス8を半導体レーザの非発光時に
おいて、入力信号7に重畳するものである。高周波パル
ス8としては、入力信号7のローレベルを基準として正
側に生しる信号を用いる。
(ハ)は、入力信号7を基準にして負側に振動する高周
波パルス8を、半導体レーザのバイアス時および発光時
に入力信号7に対して重畳する。
(ニ)は、高周波パルス8が、入力信号7を基準にして
負側に振動し、その振幅は、入力信号がローレベルの時
もハイレベルの時も共に、TUtc値Oに達する大きさ
とする。そしてかかる高周波パルス8を、半導体レーザ
の発光時および非発光時のタイミングにおいて、入力信
号7に対して重畳する。
(ホ)は、高周波パルス8としては、入力信号7のロー
レヘルを基準にして負側に振動する信号を用い、半導体
レーザの非発光時に、入力信号7に対して重畳するもの
である。
(へ)は、入力信号7がハイレヘルの時のみ、高周波パ
ルス8を重畳する例である。この場合、高周波パルス8
の振幅は、入力信号7のハイレヘルを基準にして、電流
値0まで達する大きさとする。
そしてこれらの各側において、高周波パルス8のパラメ
ータ、すなわち周波数、振幅、デユーティを、モードホ
ップを抑制できるような値に調整する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが第9図にも示されている如<、7c・・・のよ
うに周期の短い高周波の駆動パルスが発生する場合もあ
れば、7b・・・のように周期の大きい低周波の駆動パ
ルスが発生する場合もあり、駆動パルスの周波数はまち
まちである。そのため第11図のように、駆動信号の周
波数のいかんに係わらず常時、周波数が一定の高周波パ
ルスを重畳するだけでは、駆動信号の周波数によっては
、半導体レーザの接合部の温度変化を抑制できない場合
がある。この場合、駆動信号の周波数を予め検出して、
その周波数に応じたデユーティの高周波パルスを発生さ
せて重畳することも考えられるが、駆動信号に応じて周
波数の異なる高周波パルスを発生させることは、実際上
困難である。
本発明の技術的課題は、このような問題を解消し、重畳
される高周波パルスのパターンは一定であるにも係わら
ず、実質上駆動信号の周波数に応じた高周波パルスを重
畳可能とすることで、常に半導体レーザの接合部の温度
変化を確実に抑制し、モードホップを確実に防止するこ
とにある。
〔問題点を解決するための手段〕
第1図は本発明による半導体レーザの駆動方法の基本原
理を説明する波形図である。(イ)は重畳されるパルス
の波形図であり、パルス9・・・の周期が次第に大きく
なり、パルス幅が次第に小さくなっている。すなわちデ
ユーティが時間経過につれて次第に小さくなっている。
このようにデユーティが次第に小さくなる高周波パルス
9・・・の列10が、図においては駆動パルス7b、7
cのオフ時に重畳される。すると、駆動パルスの周期の
長い低周波時は、(ロ)のように、(イ)の重畳パルス
列の多くが重畳される。すなわち重畳パルス9・・・の
、デユーティが小さい部分まで重畳される。これに対し
くハ)のように、信号パルス7cの周波数が高く周期が
短い場合は、(イ)の重畳パルス列10の内の初めのデ
ユーティの高い部分のみが重畳される。
なお駆動パルスがオン時に、該駆動パルス7b、7c上
に、デユーティが次第に小さくなる高周波パルス9・・
・の列10を重畳することもできる。
〔作用〕
第2図は本発明による半導体レーザの波長制御方法の作
用を説明するための波形図である。(イ)は駆動パルス
7bの周波数が低い場合の例であす、(0)は駆動パル
ス7cの周波数が高い場合の例である。(イ)(ロ)い
ずれの場合も、第1図の(イ)のようにデユーティが次
第に小さくなる高周波パルス9・・・の列10が重畳さ
れる。このデユーティが次第に小さくなる高周波パルス
9・・・の列10の最初のパルスは、デユーティは常に
高いため、第2図(イ)のように周波数が低い駆動信号
の場合は、同図(ハ)のように最初のデユーティの高い
領域からデユーティの低い領域までの大部分が重畳され
て、第1図(ロ)のようになる。これに対し第2図(ロ
)のように周波数が高い駆動信号の場合は、第2図(ニ
)のように最初のデユーティの高い領域のみが重畳され
、第1図(ハ)のようになる。
第1図(ロ)のように、駆動信号の周波数が低く周期が
長い場合は、半導体レーザの接合部の温度上昇も少ない
。駆動信号がオフの間に重畳される高周波パルスは、(
イ)のように最初はデユーティが高いので、その間の接
合部の温度上昇は大きいが、デユーティが次第に小さく
なるので、接合部の温度も低下する。そして次の駆動パ
ルス7hが入力する時点では、丁度該駆動パルス7bの
印加による温度上昇と同程度の低い温度に維持される。
これに対し、第1図(ハ)のように、駆動信号の周波数
が高く周期が短い場合は、半導体レーザの接合部の温度
上昇も大きい。この場合は、周期が短いために、高周波
パルス列の最初のデユーティが大きい部分のみが重畳さ
れるので、高い接合部温度が維持され、次の駆動パルス
7cが入力する時点でも、丁度該駆動パルス7cの印加
による温度上昇と同程度の高温が維持される。
なお各駆動パルス7の立下がりで、デユーティが次第に
小さくなる高周波パルス9・・・の印加が開始され、次
の駆動パルス7の立上がりで、デユーティが次第に小さ
くなる高周波パルス9・・・の印加が中止される。した
がって駆動パルスがオフの間に重畳される高周波パルス
は常に、デユーティが最も大きい部分から重畳開始する
ことになる。
〔実施例〕
第3図は第1図および第2図のような高周波パルス重畳
を行なうための回路図である。11は駆動信号発生回路
であり、第7図のように、記録される情報に応じて、周
波数がランダムなパルスを出力する。12は該パルスの
立ち一ヒがりゃ立ち下がりを検出する微分回路、13は
デユーティが次第に小さくなる高周波パルス列を発生す
るパルス発生回路である。いま駆動信号発生回路11か
ら微分回路12にパルス信号が入力すると、その立ち下
がりが検出されて、負トリガがパルス発生回路13に入
力される。すると該パルス発生回路13から、デユーテ
ィが次第に小さくなる高周波パルス列が出力され、駆動
信号発生回路11から出力された信号のパルスがオフの
部分に、重畳され始める。そして次のパルスが発生する
と、その立ち一トがりが微分回路12で検出されて、正
トリガを発生し、パルス発生回路13のゲー目4を閉じ
、パルス発生回路13の出力を遮断する。その結果、パ
ルスがオンの期間は、高周波パルス重畳が行なわれない
半導体レーザLDを駆動する信号(レーザプリンタの場
合はビデオ信号になる)が比較的高い場合(数10KH
z〜数MHz)には、重畳するパルスは数MHzのもの
で良い。したがってデユーティが次第に小さくなる高周
波パルス列10は、その最初の部分を、数MHz程度と
する。
信号の周波数が比較的低い場合(DC〜数100k H
2)には、デユーティが次第に小さくなる高周波パルス
列のi後のデユーティが充分小さくなるように設定され
る。
第1図、第2図では、説明が複雑にならないよウニ、駆
動パルスがオフの期間に高周波パルス重畳を行なう場合
のみ示されているが、第4図のような回路を使用するこ
とにより、駆動パルスがオンの期間に高周波パルス重畳
を行なうこともできる。第4図では、微分回路12に入
力するパルスの立ち上がりで正トリガが発生して、パル
ス発生回路13に入力し、デユーティが次第に小さくな
る高周波パルス列を発生して、半導体レーザLDに入力
する。このとき信号発生回路11から発生したパルスも
半導体レーザLDに入力されるため、パルスのオン時に
高周波パルス重畳が行なわれることになる。そしてパル
スの立ち下がりが微分回路12で検出されて負トリガが
発生し、パルス発生回路13の出力側のゲー目4を閉じ
ることで、高周波パルス重畳が停止され、次のオフの期
間は高周波パルス重畳が行なわれない。
この動作を波形図で示すと、第5図のようになる。すな
わちパルス幅の大きいパルス7aの場合は、デユーティ
が次第に小さくなる高周波パルス列の大部分が重畳され
る。その結果パルス7aの印加開始時の接合部温度が低
い時点では、デユーティの大きい部分が重畳され、温度
上昇する。ところが次第にデユーティが小さくなるため
に、印加エネルギーも次第に低下するが、接合部の保温
効果により、急激な温度低下には到らず、パルス7aの
印加期間は一定温度に維持される。
(ロ)のようにパルス幅の短いパルス7cが印加された
時は、重畳パルス列のデユーティの大きい部分のみが重
畳されるので、印加エネルギーは充分で、パルス幅の大
きいパルス7aが印加される時と同程度まで温度−ト昇
する。
なお第3図と第4図の回路を共用し、駆動パルスがオフ
の間もオンの間もともに、デユーティが次第に小さくな
る高周波パルス列を重畳することも可能である。
〔発明の効果〕
以−ヒのように本発明によれば、半導体レーザの駆動パ
ルスがオフの間、あるいはオンの間に、デユーティが次
第に小さくなる高周波パルス列を重畳することで、駆動
パルスの周波数が高い場合は、それに対応して高周波パ
ルスのデユーティの高い部分が重畳され、駆動パルスの
周波数が低い場合は、それに対応して高周波パルスのデ
ユーティの高い部分から低い部分まで重畳される。その
結果高周波パルス列は単一のパターンであるにも係わら
ず、駆動パルスの周波数のいかんに係わらず常時一定温
度に維持して、モートホップを確実に防止することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による半導体レーザの波長制御方法の基
本原理を説明する波形図、第2図は本発明の方法の作用
を説明する図、第3図は本発明方法を実施する回路を示
すブロック図、第4図は本発明の別の実施例を実施する
ための回路図、第5図は本発明の別の実施例を示す波形
図である。 第6図はレーザプリンタを示す図、第7図は半導体レー
ザにおけるモードホップを示す図、第8図は半導体レー
ザにおけるマルチモードを示す図、第9図は半導体レー
ザに印加される信号パルスを示す波形図、第10図は半
導体レーザへの印加電流と光出力との関係を示す図、第
11図は高周波パルス重畳の各種タイミングを例示する
波形図である。 図において、LDは半導体レーザ、7a、7b、7cは
信号パルス、9・・・は高周波重畳パルス、10はデユ
ーティが次第に小さくなる高周波パルス列、12は微分
回路、13はパルス発生回路、14はゲートをそれぞれ
示す。 。区 さ ”4>−Y’lμ)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体レーザにおいて、印加する信号に、信号より高い
    周波数のパルスを重畳し、単一縦モードを安定して得る
    際に、 重畳するパルスのデューディが、時間が経つにつれて小
    さくなるような高周波パルスを発生する電気回路を有し
    、駆動パルスの立ち下がりや立ち上がりのようなパルス
    の変化時点に該高周波パルスの重畳を開始し、駆動パル
    スの次の変化時点でパルス列の重畳を中止することを特
    徴とする半導体レーザの波長制御方法。
JP60103562A 1985-05-14 1985-05-14 半導体レ−ザの波長制御方法 Pending JPS61260691A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60103562A JPS61260691A (ja) 1985-05-14 1985-05-14 半導体レ−ザの波長制御方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60103562A JPS61260691A (ja) 1985-05-14 1985-05-14 半導体レ−ザの波長制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61260691A true JPS61260691A (ja) 1986-11-18

Family

ID=14357245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60103562A Pending JPS61260691A (ja) 1985-05-14 1985-05-14 半導体レ−ザの波長制御方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61260691A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH031334A (ja) * 1989-05-29 1991-01-08 Pioneer Electron Corp レーザダイオードパワーコントロール装置
US6590912B2 (en) * 2000-02-25 2003-07-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Semiconductor laser driving apparatus and method and image-forming apparatus
JP2010507250A (ja) * 2006-10-16 2010-03-04 コーニング インコーポレイテッド 半導体レーザの波長選択、位相及び利得領域における波長制御

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH031334A (ja) * 1989-05-29 1991-01-08 Pioneer Electron Corp レーザダイオードパワーコントロール装置
US6590912B2 (en) * 2000-02-25 2003-07-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Semiconductor laser driving apparatus and method and image-forming apparatus
JP2010507250A (ja) * 2006-10-16 2010-03-04 コーニング インコーポレイテッド 半導体レーザの波長選択、位相及び利得領域における波長制御

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7570564B2 (en) High-frequency superimposing method and optical disk apparatus using it
US5313448A (en) Laser device driven by a periodic waveform optimized for reducing laser noise
KR19980059925A (ko) 광디스크의 기록/재생장치 및 광디스크의 기록방법
US5157650A (en) Optical recording apparatus
US5737301A (en) Laser control for setting average recording power of "1" equal to average recording power of "0"
CN115213565A (zh) 一种激光打标装置及方法
KR100205840B1 (ko) 광 기록 장치 및 광 재생 장치
JPS61260691A (ja) 半導体レ−ザの波長制御方法
JPS62118590A (ja) 半導体レ−ザの駆動方法
JP2887276B2 (ja) レーザダイオードパワーコントロール装置
JPS61260693A (ja) 半導体レ−ザの波長制御方法
JPS61260692A (ja) 半導体レ−ザの波長制御方法
JP2007335044A (ja) 情報記録装置
JPS61133688A (ja) 半導体レ−ザ波長制御装置
JPS61256362A (ja) 半導体レ−ザの駆動方法
JP2838469B2 (ja) 光ディスク再生装置
JP2661114B2 (ja) 光学記録媒体の再生装置
JPS61133685A (ja) 半導体レ−ザ波長制御装置
US20090251524A1 (en) Pulsed laser mode for writing labels
KR100617171B1 (ko) 상변화형 광디스크의 기록방법
JP2906395B2 (ja) 光学的情報記録再生装置
JP2635987B2 (ja) 半導体レーザ駆動装置
JP3227429B2 (ja) 光再生装置及び光再生方法
JPS61133686A (ja) 半導体レ−ザ波長制御装置
JPH05258384A (ja) 光記録装置