JPH11144994A - コンデンサ用亜鉛蒸着基材及びその製造方法 - Google Patents
コンデンサ用亜鉛蒸着基材及びその製造方法Info
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- JPH11144994A JPH11144994A JP9304051A JP30405197A JPH11144994A JP H11144994 A JPH11144994 A JP H11144994A JP 9304051 A JP9304051 A JP 9304051A JP 30405197 A JP30405197 A JP 30405197A JP H11144994 A JPH11144994 A JP H11144994A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】簡便な製法で実現でき、かつ、実用上満足でき
る耐湿性、保存性を有する新規なコンデンサ用亜鉛蒸着
基材を提供する事にある。 【解決手段】基体の少なくとも片面に亜鉛蒸着膜を形成
し、その表面に酸化防止剤を含有する薄膜を設けたコン
デンサ用亜鉛蒸着基材。および、真空蒸着機内において
基体の少なくとも片面に亜鉛蒸着膜を形成し、次いで同
一の真空蒸着機内で酸化防止剤を亜鉛蒸着膜の上に蒸着
することにより酸化防止剤の薄膜を設けることを特徴と
する、コンデンサ用亜鉛蒸着基材の製造方法。
る耐湿性、保存性を有する新規なコンデンサ用亜鉛蒸着
基材を提供する事にある。 【解決手段】基体の少なくとも片面に亜鉛蒸着膜を形成
し、その表面に酸化防止剤を含有する薄膜を設けたコン
デンサ用亜鉛蒸着基材。および、真空蒸着機内において
基体の少なくとも片面に亜鉛蒸着膜を形成し、次いで同
一の真空蒸着機内で酸化防止剤を亜鉛蒸着膜の上に蒸着
することにより酸化防止剤の薄膜を設けることを特徴と
する、コンデンサ用亜鉛蒸着基材の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、家庭用エアコン、
蛍光燈などの各種電気製品に利用されるコンデンサに関
し、特に、フィルム、紙などの薄い基材に亜鉛蒸着電極
を形成するコンデンサ用基材およびその製造方法に関す
る。
蛍光燈などの各種電気製品に利用されるコンデンサに関
し、特に、フィルム、紙などの薄い基材に亜鉛蒸着電極
を形成するコンデンサ用基材およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来よりポリプロピレンフィルム、ポリ
エステルフィルム等のフィルムやコンデンサ用薄紙の少
なくとも片面に、亜鉛、アルミニウム等の金属を蒸着し
て電極を形成させたコンデンサ用の蒸着基材は一般に広
く使用されている。この基材の金属蒸着膜厚さは通常５
０〜６００Åと非常に薄いため、自然放置すると空気中
の水分や酸素により容易に水酸化物、酸化物に変化し、
電気導電度が著しく低下するためコンデンサの電極とし
て用をなさなくなる。特に亜鉛金属蒸着膜は高温多湿の
条件下に長時間放置すると酸化劣化が著しく、耐湿性が
劣るという欠点がある。
エステルフィルム等のフィルムやコンデンサ用薄紙の少
なくとも片面に、亜鉛、アルミニウム等の金属を蒸着し
て電極を形成させたコンデンサ用の蒸着基材は一般に広
く使用されている。この基材の金属蒸着膜厚さは通常５
０〜６００Åと非常に薄いため、自然放置すると空気中
の水分や酸素により容易に水酸化物、酸化物に変化し、
電気導電度が著しく低下するためコンデンサの電極とし
て用をなさなくなる。特に亜鉛金属蒸着膜は高温多湿の
条件下に長時間放置すると酸化劣化が著しく、耐湿性が
劣るという欠点がある。
【０００３】これらの欠点を解決するためにいくつかの
提案がなされている。例えば、本出願人は亜鉛蒸着膜上
に蒸気圧を規定したシリコーンオイル、脂肪酸、パラフ
ィンワックス類を７〜５００Åの厚さを設ける事を提案
した（特公昭６２−１３０５０３号）。また、特開平１
−１５８７１４号には、亜鉛蒸着膜上に珪素および珪素
酸化物からなる保護皮膜を０．３〜２０ｍｇ／ｍ2形成
することが開示されている。さらに、特開昭６２−２７
９６１９号には、金属化プラスチックの金属化面上に酸
化珪素や酸化アルミニウム等の酸化物絶縁層を５０〜１
０００Å形成した、自己回復性の向上および酸素遮断に
よる電極の酸化防止が可能な自己保安機能付コンデンサ
が開示されている。
提案がなされている。例えば、本出願人は亜鉛蒸着膜上
に蒸気圧を規定したシリコーンオイル、脂肪酸、パラフ
ィンワックス類を７〜５００Åの厚さを設ける事を提案
した（特公昭６２−１３０５０３号）。また、特開平１
−１５８７１４号には、亜鉛蒸着膜上に珪素および珪素
酸化物からなる保護皮膜を０．３〜２０ｍｇ／ｍ2形成
することが開示されている。さらに、特開昭６２−２７
９６１９号には、金属化プラスチックの金属化面上に酸
化珪素や酸化アルミニウム等の酸化物絶縁層を５０〜１
０００Å形成した、自己回復性の向上および酸素遮断に
よる電極の酸化防止が可能な自己保安機能付コンデンサ
が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本出願
人が特開昭６２−１３０５０３号において提案したシリ
コーンオイル、脂肪酸、パラフィンワックス類を７〜５
００Åの保護層、および特開平１−１５８７１４号にお
ける珪素および珪素酸化物の０．３〜２０ｍｇ／ｍ2の
保護皮膜では、酸素および水分を完全に遮断するには不
十分であり、十分満足のできる耐湿性を有する亜鉛蒸着
コンデンサは得られていない。
人が特開昭６２−１３０５０３号において提案したシリ
コーンオイル、脂肪酸、パラフィンワックス類を７〜５
００Åの保護層、および特開平１−１５８７１４号にお
ける珪素および珪素酸化物の０．３〜２０ｍｇ／ｍ2の
保護皮膜では、酸素および水分を完全に遮断するには不
十分であり、十分満足のできる耐湿性を有する亜鉛蒸着
コンデンサは得られていない。
【０００５】本発明者らの検討によれば、酸素および水
分を完全に遮断して満足のできる耐湿性を有する亜鉛コ
ンデンサを得るためには、例えば、酸化珪素や酸化アル
ミニウム等の酸化物の場合、７００〜１０００Å程度の
蒸着が必要である。ところがこれらの酸化物を７００Å
程度以上、亜鉛蒸着膜上に蒸着した保護層は十分な耐湿
性は得られるが、実用化されていない。その理由は、コ
ンデンサのコストが非常に高価になること、および酸化
物層にクラックを生じやすく、クラック防止の工夫がさ
らに必要になるためである。そこで本発明の目的は、簡
便な製法で実現でき、かつ、実用上満足できる耐湿性、
保存性を有する新規なコンデンサ用亜鉛蒸着基材を提供
する事にある。
分を完全に遮断して満足のできる耐湿性を有する亜鉛コ
ンデンサを得るためには、例えば、酸化珪素や酸化アル
ミニウム等の酸化物の場合、７００〜１０００Å程度の
蒸着が必要である。ところがこれらの酸化物を７００Å
程度以上、亜鉛蒸着膜上に蒸着した保護層は十分な耐湿
性は得られるが、実用化されていない。その理由は、コ
ンデンサのコストが非常に高価になること、および酸化
物層にクラックを生じやすく、クラック防止の工夫がさ
らに必要になるためである。そこで本発明の目的は、簡
便な製法で実現でき、かつ、実用上満足できる耐湿性、
保存性を有する新規なコンデンサ用亜鉛蒸着基材を提供
する事にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は下記の（１）〜（３）の構成を採用する。 （１）基体の少なくとも片面に亜鉛蒸着膜を形成し、そ
の表面に酸化防止剤を含有する薄膜を設けたコンデンサ
用亜鉛蒸着基材。 （２）真空蒸着機内において基体の少なくとも片面に亜
鉛蒸着膜を形成し、次いで同一の真空蒸着機内で酸化防
止剤を亜鉛蒸着膜の上に蒸着することにより酸化防止剤
の薄膜を設けることを特徴とする、コンデンサ用亜鉛蒸
着基材の製造方法。 （３）酸化防止剤が1,1,3-トリス（2-メチル−４−ヒド
ロキシ−5-シクロヘキシルフェニル）ブタン、3,9-ビス
［1,1-ジメチル-2-［β-（3-tert-ブチル-4-ヒドロキシ
-5-メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］2,
4,8,10-テトラオキサスピロ［5,5］ウンデカンから選ば
れた少なくとも一種である上記（２）に記載のコンデン
サ用亜鉛蒸着基材の製造方法。
め、本発明は下記の（１）〜（３）の構成を採用する。 （１）基体の少なくとも片面に亜鉛蒸着膜を形成し、そ
の表面に酸化防止剤を含有する薄膜を設けたコンデンサ
用亜鉛蒸着基材。 （２）真空蒸着機内において基体の少なくとも片面に亜
鉛蒸着膜を形成し、次いで同一の真空蒸着機内で酸化防
止剤を亜鉛蒸着膜の上に蒸着することにより酸化防止剤
の薄膜を設けることを特徴とする、コンデンサ用亜鉛蒸
着基材の製造方法。 （３）酸化防止剤が1,1,3-トリス（2-メチル−４−ヒド
ロキシ−5-シクロヘキシルフェニル）ブタン、3,9-ビス
［1,1-ジメチル-2-［β-（3-tert-ブチル-4-ヒドロキシ
-5-メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］2,
4,8,10-テトラオキサスピロ［5,5］ウンデカンから選ば
れた少なくとも一種である上記（２）に記載のコンデン
サ用亜鉛蒸着基材の製造方法。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる基体は、フィ
ルム又はコンデンサ薄紙である。フィルムは特に限定さ
れないが、中でもポリプロピレンフィルム、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレート
フィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム等が好
ましい。また、コンデンサ薄紙とは、良質な植物繊維を
原料とし、これらを微細に叩解したのち抄造し、乾燥し
たコンデンサの誘電体として用いる薄紙（JISC-2302に
規定）である。これらフィルムおよびコンデンサ薄紙の
厚さには制限がなく、例えば使用電圧、コンデンサ形状
等を考慮して決定する事ができ、通常は１．５〜３０μ
ｍの範囲である。さらに、上記フィルムの表面は、蒸着
亜鉛の付着力を向上させる目的で、コロナ放電処理を施
す事もできる。
ルム又はコンデンサ薄紙である。フィルムは特に限定さ
れないが、中でもポリプロピレンフィルム、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレート
フィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム等が好
ましい。また、コンデンサ薄紙とは、良質な植物繊維を
原料とし、これらを微細に叩解したのち抄造し、乾燥し
たコンデンサの誘電体として用いる薄紙（JISC-2302に
規定）である。これらフィルムおよびコンデンサ薄紙の
厚さには制限がなく、例えば使用電圧、コンデンサ形状
等を考慮して決定する事ができ、通常は１．５〜３０μ
ｍの範囲である。さらに、上記フィルムの表面は、蒸着
亜鉛の付着力を向上させる目的で、コロナ放電処理を施
す事もできる。
【０００８】蒸着法としては、抵抗加熱、誘電加熱、電
子ビーム加熱等による真空蒸着、スパッタリング蒸着、
イオンプレーティング等が採用できる。亜鉛を蒸着する
方法については、上記した従来技術等で公知の方法と何
ら変わる所はない。
子ビーム加熱等による真空蒸着、スパッタリング蒸着、
イオンプレーティング等が採用できる。亜鉛を蒸着する
方法については、上記した従来技術等で公知の方法と何
ら変わる所はない。
【０００９】本発明における酸化防止剤を含有する薄膜
のうち、最も代表的なものは、酸化防止剤を亜鉛蒸着膜
の上に蒸着して形成される薄膜である。蒸着法により使
用できる酸化防止剤としては、例えば2,2’-メチレンビ
ス（4-メチル-6-tert-ブチルフェノール）、2,2’-メチ
レンビス（4-エチル-6-tert-ブチルフェノール）、2,
2’-エチリデンビス（4,6-ジ-tert-ブチルフェノー
ル）、4,4’チオビス（6-tert-ブチル-o-クレゾー
ル）、4,4’ブチリデンビス（6-tert-ブチル-m-クレゾ
ール）、2,5-ジ-tert-ブチルヒドロキノン、2,5-ジ-ter
t-アミルヒドロキノン、2-tert-ブチル-6-（3-tert-ブ
チル-2-ヒドロキシ-5-メチルベンゼル）-4-メチルフェ
ニルアクリレート、2-［1-（2-ヒドロキシ-3,5-ジ-tert
-ペンチルフェニル）エチル］-4,6-ジ-tert-ペンチルフ
ェニルアクリレート、1,1-ビス（2-ヒドロキシ-3,5-ジ
メチルフェニル）-6,6-ジメチルヘプタン、4-メチル-2,
6ジ-tert-ブチルフェノール、4,4’チオビス（2,6-ジ-t
ert-ブチルフェノール）、2,2’-チオビス（4,4’-ジ-t
ert-オクチルフェノール）、4,4’-チオビス（2-メチル
-6-tert-ブチルフェノール）、4,4’-ブチリデンビス
（6-tert-ブチル-m-クレゾール）、1-［α-メチル-α-
（4’-ヒドロキシフェニル）エチル］-4-［α’,α’-
ビス（4’’-ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、
1,1,3-トリス（2-メチル-4-ヒドロキシ-5-シクロヘキシ
ルフェニル）ブタン、1,3,5-トリス（4-tert-ブチル-3-
ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンゼル）イソシアヌル酸、
1,3,5-トリス（3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシベン
ジル）イソシアヌル酸、4,4-ブチリデンビス（6-tert-
ブチル-m-クレゾール）、3-（3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒ
ドロキシフェニル）プロピオン酸オクタデシルエステ
ル、チオビス［2-（4-ヒドロキシ-3,5-ジ-tert-ブチル
フェニル）プロピオン酸エチル］、1,3,5-トリス（3,5-
ジ-tert-ブチル-4ヒドロキシベンジル）-2,4,6-トリメ
チルベンゼン、1,1,3-トリス（2-メチル-4-ヒドロキシ-
5-tert-ブチルフェニル）ブタン、4,4’-チオビス（3-
メチルフェノール）、4,4’-ジヒドロキシ-3,3’,5,5’
-テトラブロモジフェニルスルホン、4,4’-ジヒドロキ
シ-3,3’,5,5’-テトラメチルジフェニルスルホン、2,
2’-ビス（4-ヒドロキシ-3,5-ジブロモフェニル）プロ
パン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ-3,5-ジクロロフェニ
ル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ-3,,5- ジメチ
ルフェニル）プロパン、ブチル化ヒドロキシアニゾー
ル、2,6-ジ-tert-ブチル-4-エチルフェノール、3,9-ビ
ス［1,1-ジメチル-2-［β-（3-tert-ブチル-4-ヒドロキ
シ-5-メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］
2,4,8,10-テトラオキサスピロ［5,5］ウンデカン、テト
ラキス-［メチレン-3-（3’,5’-ジ−tert-ブチル-4’-
ヒドロキシフェニル）プロピネート］メタン、ビス［3,
3’-ビス-（4’-ヒドロキシ-3’-tert-ブチルフェニ
ル）ブチリックアシッド］グリコールエステル等のフェ
ノール系酸化防止剤、ジステリアルチオジプロピオネー
ト、等の硫黄系酸化防止剤、トリス（2,4-ジ-tert-ブチ
ルフェニル）ホスファイト等のリン系酸化防止剤等が挙
げられる。
のうち、最も代表的なものは、酸化防止剤を亜鉛蒸着膜
の上に蒸着して形成される薄膜である。蒸着法により使
用できる酸化防止剤としては、例えば2,2’-メチレンビ
ス（4-メチル-6-tert-ブチルフェノール）、2,2’-メチ
レンビス（4-エチル-6-tert-ブチルフェノール）、2,
2’-エチリデンビス（4,6-ジ-tert-ブチルフェノー
ル）、4,4’チオビス（6-tert-ブチル-o-クレゾー
ル）、4,4’ブチリデンビス（6-tert-ブチル-m-クレゾ
ール）、2,5-ジ-tert-ブチルヒドロキノン、2,5-ジ-ter
t-アミルヒドロキノン、2-tert-ブチル-6-（3-tert-ブ
チル-2-ヒドロキシ-5-メチルベンゼル）-4-メチルフェ
ニルアクリレート、2-［1-（2-ヒドロキシ-3,5-ジ-tert
-ペンチルフェニル）エチル］-4,6-ジ-tert-ペンチルフ
ェニルアクリレート、1,1-ビス（2-ヒドロキシ-3,5-ジ
メチルフェニル）-6,6-ジメチルヘプタン、4-メチル-2,
6ジ-tert-ブチルフェノール、4,4’チオビス（2,6-ジ-t
ert-ブチルフェノール）、2,2’-チオビス（4,4’-ジ-t
ert-オクチルフェノール）、4,4’-チオビス（2-メチル
-6-tert-ブチルフェノール）、4,4’-ブチリデンビス
（6-tert-ブチル-m-クレゾール）、1-［α-メチル-α-
（4’-ヒドロキシフェニル）エチル］-4-［α’,α’-
ビス（4’’-ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、
1,1,3-トリス（2-メチル-4-ヒドロキシ-5-シクロヘキシ
ルフェニル）ブタン、1,3,5-トリス（4-tert-ブチル-3-
ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンゼル）イソシアヌル酸、
1,3,5-トリス（3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシベン
ジル）イソシアヌル酸、4,4-ブチリデンビス（6-tert-
ブチル-m-クレゾール）、3-（3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒ
ドロキシフェニル）プロピオン酸オクタデシルエステ
ル、チオビス［2-（4-ヒドロキシ-3,5-ジ-tert-ブチル
フェニル）プロピオン酸エチル］、1,3,5-トリス（3,5-
ジ-tert-ブチル-4ヒドロキシベンジル）-2,4,6-トリメ
チルベンゼン、1,1,3-トリス（2-メチル-4-ヒドロキシ-
5-tert-ブチルフェニル）ブタン、4,4’-チオビス（3-
メチルフェノール）、4,4’-ジヒドロキシ-3,3’,5,5’
-テトラブロモジフェニルスルホン、4,4’-ジヒドロキ
シ-3,3’,5,5’-テトラメチルジフェニルスルホン、2,
2’-ビス（4-ヒドロキシ-3,5-ジブロモフェニル）プロ
パン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ-3,5-ジクロロフェニ
ル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ-3,,5- ジメチ
ルフェニル）プロパン、ブチル化ヒドロキシアニゾー
ル、2,6-ジ-tert-ブチル-4-エチルフェノール、3,9-ビ
ス［1,1-ジメチル-2-［β-（3-tert-ブチル-4-ヒドロキ
シ-5-メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］
2,4,8,10-テトラオキサスピロ［5,5］ウンデカン、テト
ラキス-［メチレン-3-（3’,5’-ジ−tert-ブチル-4’-
ヒドロキシフェニル）プロピネート］メタン、ビス［3,
3’-ビス-（4’-ヒドロキシ-3’-tert-ブチルフェニ
ル）ブチリックアシッド］グリコールエステル等のフェ
ノール系酸化防止剤、ジステリアルチオジプロピオネー
ト、等の硫黄系酸化防止剤、トリス（2,4-ジ-tert-ブチ
ルフェニル）ホスファイト等のリン系酸化防止剤等が挙
げられる。
【００１０】もちろんこれらに限定されるものではな
く、また必要に応じて２種以上を併用する事も可能であ
る。これらの酸化防止剤薄膜をコンデンサ用亜鉛蒸着基
材表面に形成させることにより、すぐれた耐湿性、保存
性を示す。上記酸化防止剤薄膜は１０〜１０００Åの厚
さで設けられるもので、厚さが１０Åに満たない場合に
は、表面保護の効果が薄く、１０００Åを越える場合は
耐湿性が向上するが生産性が悪く製造コストが高価にな
る。好ましい厚さは５０〜５００Åの範囲である。
く、また必要に応じて２種以上を併用する事も可能であ
る。これらの酸化防止剤薄膜をコンデンサ用亜鉛蒸着基
材表面に形成させることにより、すぐれた耐湿性、保存
性を示す。上記酸化防止剤薄膜は１０〜１０００Åの厚
さで設けられるもので、厚さが１０Åに満たない場合に
は、表面保護の効果が薄く、１０００Åを越える場合は
耐湿性が向上するが生産性が悪く製造コストが高価にな
る。好ましい厚さは５０〜５００Åの範囲である。
【００１１】本発明の亜鉛蒸着基材は、基体の少なくと
も片面に銅、アルミニウム等からなる亜鉛核付層を形成
し、該亜鉛核付層上に亜鉛蒸着膜を形成し、次いで該亜
鉛蒸着膜上に酸化防止剤を含有する薄膜を形成する事に
より製造される。特に好ましくは、核付層の形成、亜鉛
蒸着膜の形成、および酸化防止剤を含有する薄膜の形成
を同一の真空蒸着機内において行う。核付層の形成は、
基体となるフィルム又はコンデンサ薄紙を真空蒸着機内
に供給し、銅、アルミニウム等を予備蒸着させる、次い
で亜鉛の本蒸着をさせる。亜鉛蒸着は厚さが５０〜６０
０Åの範囲になるように行われる。
も片面に銅、アルミニウム等からなる亜鉛核付層を形成
し、該亜鉛核付層上に亜鉛蒸着膜を形成し、次いで該亜
鉛蒸着膜上に酸化防止剤を含有する薄膜を形成する事に
より製造される。特に好ましくは、核付層の形成、亜鉛
蒸着膜の形成、および酸化防止剤を含有する薄膜の形成
を同一の真空蒸着機内において行う。核付層の形成は、
基体となるフィルム又はコンデンサ薄紙を真空蒸着機内
に供給し、銅、アルミニウム等を予備蒸着させる、次い
で亜鉛の本蒸着をさせる。亜鉛蒸着は厚さが５０〜６０
０Åの範囲になるように行われる。
【００１２】亜鉛蒸着膜形成後に酸化防止剤を含有する
薄膜が形成される。該薄膜の原料となる酸化防止剤は真
空蒸着機内に設け、加熱する事により蒸着する事ができ
る。この場合、該薄膜の厚さは蒸発量によって定まる
が、この蒸発量は加熱温度を制御することにより容易に
コントロールできる。この方法によるときわめて薄く、
しかも均一な薄膜を容易に形成する事ができる。また、
本発明によれば、前記核付、亜鉛蒸着工程ならびに酸化
防止剤を含有する薄膜の形成は、基体の両面に施す事が
可能であり、そのようにすれば、基材の両面に亜鉛蒸着
膜と酸化防止剤を含有する薄膜とを有する蒸着基材を得
ることができる。
薄膜が形成される。該薄膜の原料となる酸化防止剤は真
空蒸着機内に設け、加熱する事により蒸着する事ができ
る。この場合、該薄膜の厚さは蒸発量によって定まる
が、この蒸発量は加熱温度を制御することにより容易に
コントロールできる。この方法によるときわめて薄く、
しかも均一な薄膜を容易に形成する事ができる。また、
本発明によれば、前記核付、亜鉛蒸着工程ならびに酸化
防止剤を含有する薄膜の形成は、基体の両面に施す事が
可能であり、そのようにすれば、基材の両面に亜鉛蒸着
膜と酸化防止剤を含有する薄膜とを有する蒸着基材を得
ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細
に説明する。
に説明する。
【００１４】＜耐湿性の評価＞ （１）外観変化 ４０℃９０％ＲＨ（相対湿度）４８時間、および７０℃
６５％ＲＨ４８時間の雰囲気に放置した後の亜鉛蒸着膜
の外観変化を目視により観察し、結果を表１に示す。
６５％ＲＨ４８時間の雰囲気に放置した後の亜鉛蒸着膜
の外観変化を目視により観察し、結果を表１に示す。
【００１５】（２）膜抵抗値変化 初期の膜抵抗値および４０℃９０％ＲＨ４８時間、およ
び７０℃６５％ＲＨ４８時間の雰囲気に放置した後の膜
抵抗値を、三菱油化株式会社製抵抗計LoresuteAPを用い
て測定し、次の計算式で膜抵抗値変化を算出し、結果を
表１に示す。膜抵抗変化（％）＝｛（４８時間後の膜抵
抗値−初期の膜抵抗値）／初期の膜抵抗値｝×１００
び７０℃６５％ＲＨ４８時間の雰囲気に放置した後の膜
抵抗値を、三菱油化株式会社製抵抗計LoresuteAPを用い
て測定し、次の計算式で膜抵抗値変化を算出し、結果を
表１に示す。膜抵抗変化（％）＝｛（４８時間後の膜抵
抗値−初期の膜抵抗値）／初期の膜抵抗値｝×１００
【００１６】＜実施例１＞厚さ９μｍのポリエチレンテ
レフタレートフィルムの片面に、真空度０．１３Ｐａに
おいて、銅を亜鉛の核付け剤として真空蒸着した後、続
いて亜鉛を３００Åの厚さ（膜抵抗値：４Ω）に蒸着し
た。さらに亜鉛の真空蒸着を行ったのと同一の真空蒸着
機内で、酸化防止剤1,1,3-トリス（2-メチル-4-ヒドロ
キシ−５−シクロヘキシルフェニル）ブタン「商品名：
ARKLS DH-43、旭電化製」を真空蒸着し、膜厚１００Å
の酸化防止剤薄膜を形成し本発明のコンデンサ用亜鉛蒸
着基材を作成した。外観変化、膜抵抗値変化を表１に示
す。
レフタレートフィルムの片面に、真空度０．１３Ｐａに
おいて、銅を亜鉛の核付け剤として真空蒸着した後、続
いて亜鉛を３００Åの厚さ（膜抵抗値：４Ω）に蒸着し
た。さらに亜鉛の真空蒸着を行ったのと同一の真空蒸着
機内で、酸化防止剤1,1,3-トリス（2-メチル-4-ヒドロ
キシ−５−シクロヘキシルフェニル）ブタン「商品名：
ARKLS DH-43、旭電化製」を真空蒸着し、膜厚１００Å
の酸化防止剤薄膜を形成し本発明のコンデンサ用亜鉛蒸
着基材を作成した。外観変化、膜抵抗値変化を表１に示
す。
【００１７】＜実施例２＞実施例1と同様に亜鉛蒸着し
た後、酸化防止剤1,1,3-トリス（2-メチル-4-ヒドロキ
シ−５−シクロヘキシルフェニル）ブタン「商品名：AR
KLS DH-43、旭電化製」を真空蒸着し、膜厚３００Åの
酸化防止剤薄膜を形成し本発明のコンデンサ用亜鉛蒸着
基材を作成した。外観変化、膜抵抗値変化を表１に示
す。
た後、酸化防止剤1,1,3-トリス（2-メチル-4-ヒドロキ
シ−５−シクロヘキシルフェニル）ブタン「商品名：AR
KLS DH-43、旭電化製」を真空蒸着し、膜厚３００Åの
酸化防止剤薄膜を形成し本発明のコンデンサ用亜鉛蒸着
基材を作成した。外観変化、膜抵抗値変化を表１に示
す。
【００１８】＜実施例３＞実施例1と同様に亜鉛蒸着し
た後、酸化防止剤1,1,3-トリス（2-メチル-4-ヒドロキ
シ−５−シクロヘキシルフェニル）ブタン「商品名：AR
KLS DH-43、旭電化製」を真空蒸着し、膜厚５００Åの
酸化防止剤薄膜を形成し本発明のコンデンサ用亜鉛蒸着
基材を作成した。外観変化、膜抵抗値変化を表１に示
す。
た後、酸化防止剤1,1,3-トリス（2-メチル-4-ヒドロキ
シ−５−シクロヘキシルフェニル）ブタン「商品名：AR
KLS DH-43、旭電化製」を真空蒸着し、膜厚５００Åの
酸化防止剤薄膜を形成し本発明のコンデンサ用亜鉛蒸着
基材を作成した。外観変化、膜抵抗値変化を表１に示
す。
【００１９】＜実施例４＞実施例１と同様に亜鉛蒸着し
た後、酸化防止剤1,1,3-トリス（2-メチル-4-ヒドロキ
シ−５−シクロヘキシルフェニル）ブタン「商品名：AR
KLS DH-43、旭電化製」を真空蒸着し、膜厚１０００Å
の酸化防止剤薄膜を形成し本発明のコンデンサ用亜鉛蒸
着基材を作成した。外観変化、膜抵抗値変化を表１に示
す。
た後、酸化防止剤1,1,3-トリス（2-メチル-4-ヒドロキ
シ−５−シクロヘキシルフェニル）ブタン「商品名：AR
KLS DH-43、旭電化製」を真空蒸着し、膜厚１０００Å
の酸化防止剤薄膜を形成し本発明のコンデンサ用亜鉛蒸
着基材を作成した。外観変化、膜抵抗値変化を表１に示
す。
【００２０】＜実施例５＞実施例１と同様に亜鉛蒸着し
た後、酸化防止剤3,9-ビス［1,1-ジメチル-2-［β-（3-
tert-ブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル）プロピ
オニルオキシ］エチル］2,4,8,10-テトラオキサスピロ
［5,5］ウンデカン、「商品名：スミライザーGA-80、住
友化学製」を真空蒸着し、膜厚１０００Åの酸化防止剤
薄膜を形成し本発明のコンデンサ用亜鉛蒸着基材を作成
した。外観変化、膜抵抗値変化を表１に示す。
た後、酸化防止剤3,9-ビス［1,1-ジメチル-2-［β-（3-
tert-ブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル）プロピ
オニルオキシ］エチル］2,4,8,10-テトラオキサスピロ
［5,5］ウンデカン、「商品名：スミライザーGA-80、住
友化学製」を真空蒸着し、膜厚１０００Åの酸化防止剤
薄膜を形成し本発明のコンデンサ用亜鉛蒸着基材を作成
した。外観変化、膜抵抗値変化を表１に示す。
【００２１】＜比較例１＞厚さ９μｍのポリエチレンテ
レフタレートフィルムの片面に、真空度０．１３Ｐａに
おいて、銅を亜鉛の核付け剤として真空蒸着した後、続
いて亜鉛を３００Åの厚さ（膜抵抗値：４Ω）に蒸着
し、表面保護層を形成しないコンデンサ用亜鉛蒸着基材
を作成した。外観変化、膜抵抗値変化を表１に示す。
レフタレートフィルムの片面に、真空度０．１３Ｐａに
おいて、銅を亜鉛の核付け剤として真空蒸着した後、続
いて亜鉛を３００Åの厚さ（膜抵抗値：４Ω）に蒸着
し、表面保護層を形成しないコンデンサ用亜鉛蒸着基材
を作成した。外観変化、膜抵抗値変化を表１に示す。
【００２２】＜比較例２＞厚さ５μｍのポリエチレンテ
レフタレートフィルムの片面に、真空度０．１３Ｐａに
おいて、銅を亜鉛の核付け剤として真空蒸着した後、続
いて亜鉛を３００Åの厚さ（膜抵抗値：４Ω）に蒸着し
た。さらに亜鉛の真空蒸着を行ったのと同一の真空蒸着
機内で、メチルフェニルポリシロキサン（シリコーンオ
イル）を真空蒸着し、膜厚２０Åの保護層を形成しコン
デンサ用亜鉛蒸着基材を作成した。外観変化、膜抵抗値
変化を表１に示す。
レフタレートフィルムの片面に、真空度０．１３Ｐａに
おいて、銅を亜鉛の核付け剤として真空蒸着した後、続
いて亜鉛を３００Åの厚さ（膜抵抗値：４Ω）に蒸着し
た。さらに亜鉛の真空蒸着を行ったのと同一の真空蒸着
機内で、メチルフェニルポリシロキサン（シリコーンオ
イル）を真空蒸着し、膜厚２０Åの保護層を形成しコン
デンサ用亜鉛蒸着基材を作成した。外観変化、膜抵抗値
変化を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、実用上満足のできる耐
湿性を有する亜鉛蒸着コンデンサを提供するための新規
なコンデンサ用亜鉛蒸着基材およびその製造方法を提供
することができる。
湿性を有する亜鉛蒸着コンデンサを提供するための新規
なコンデンサ用亜鉛蒸着基材およびその製造方法を提供
することができる。
フロントページの続き (72)発明者 村田 守 岐阜県中津川市中津川3465−１王子製紙株 式会社中津工場内 (72)発明者 矢守 恒文 兵庫県尼崎市常光寺４−３−１王子製紙株 式会社尼崎研究センター内
Claims (3)
- 【請求項１】 基体の少なくとも片面に亜鉛蒸着膜を形
成し、その表面に酸化防止剤を含有する薄膜を設けたコ
ンデンサ用亜鉛蒸着基材。 - 【請求項２】 真空蒸着機内において基体の少なくとも
片面に亜鉛蒸着膜を形成し、次いで同一の真空蒸着機内
で酸化防止剤を亜鉛蒸着膜の上に蒸着することにより酸
化防止剤の薄膜を設けることを特徴とする、コンデンサ
用亜鉛蒸着基材の製造方法。 - 【請求項３】 酸化防止剤が1,1,3-トリス（2-メチル−
４−ヒドロキシ−5-シクロヘキシルフェニル）ブタン、
3,9-ビス［1,1-ジメチル-2-［β-（3-tert-ブチル-4-ヒ
ドロキシ-5-メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エ
チル］2,4,8,10-テトラオキサスピロ［5,5］ウンデカン
から選ばれた少なくとも一種である請求項２に記載のコ
ンデンサ用亜鉛蒸着基材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9304051A JPH11144994A (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | コンデンサ用亜鉛蒸着基材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9304051A JPH11144994A (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | コンデンサ用亜鉛蒸着基材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11144994A true JPH11144994A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=17928459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9304051A Pending JPH11144994A (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | コンデンサ用亜鉛蒸着基材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11144994A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004218050A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Toyo Kohan Co Ltd | めっき鋼板用後処理液、それを用いた後処理めっき鋼板、およびその製造方法 |
| JP2004218051A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Toyo Kohan Co Ltd | 後処理めっき鋼板 |
| JP2019204936A (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フィルムコンデンサ |
-
1997
- 1997-11-06 JP JP9304051A patent/JPH11144994A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004218050A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Toyo Kohan Co Ltd | めっき鋼板用後処理液、それを用いた後処理めっき鋼板、およびその製造方法 |
| JP2004218051A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Toyo Kohan Co Ltd | 後処理めっき鋼板 |
| JP2019204936A (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フィルムコンデンサ |
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