JPH11124675A

JPH11124675A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH11124675A
Application number: JP9283512A
Authority: JP
Inventors: Naohito Inoue; 尚人井上; Tomohiko Yamamoto; 智彦山本
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-10-16
Filing date: 1997-10-16
Publication date: 1999-05-11
Anticipated expiration: 2017-10-16
Also published as: US6106631A; JP3386986B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来のプラズマ処理装置の利点を損なうこと
なく、故障が少なく、高速処理が可能で、さらに部品点
数が少なく、処理室のレアウトの自由度の高いプラズマ
処理装置を提供する。【解決手段】処理室５０内にサセプタ２、シャドーフ
レーム５を備えプラズマ放電により基板支持トレーによ
り支持された基板に処理を施すプラズマ処理装置であっ
て、シャドーフレーム５が、処理室内壁部６に設けられ
たガイド機構により移動可能に配設されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板、ガラス
基板等の絶縁基板の表面に成膜、エッチング、アッシン
グ等のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ワープロ、パソコン、テレビ等の
表示装置として、液晶表示パネルが多く用いられるよう
になってきている。液晶表示パネルは、ガラス等の透光
性基板上に金属や半導体等の多数の薄膜を形成し、これ
をフォトリソグラフィによって所望の形状にパターニン
グすることによって得られる２枚の電極基板を、互いの
電極形成面を向かい合わせて所定の間を保って貼り合わ
せ、その間隙に液晶を封入した構造となっていた。

【０００３】透光性基板上に、所望の形状に金属や半導
体等の多数の薄膜を形成する過程で行われる成膜、エッ
チング、アッシング等の処理は、従来、図１２に示すよ
うなプラズマ処理装置の処理室で行われていた。

【０００４】図１２において、基板７は、処理室５０と
連結する真空または大気系から、図示しない搬送ロボッ
トによって処理室５０に搬入される。一般的に、搬送ロ
ボットのアームは水平な状態に保持され、その上に基板
７が乗せらている。基板７を、搬送ロボットを使用して
処理室５０に搬入する場合、サセプタ２と基板７の間に
アームを挿入するための空間を確保する必要がある。こ
のため、サセプタ２と独立して上下移動可能な押し上げ
ピン１が、少なくとも基板７より内側の領域に４個以上
配置されている。さらに、基板の心出しを行うために、
サセプタ７と押し上げピン１のどちらとも独立で移動可
能な心出しピン３が配置されることもある。この心出し
ピン３により、基板７とプラズマ処理の蒸着マスクとな
るシャドーフレーム５が整列される。シャドーフレーム
５は、基板７上面の周囲を数ミリ取り囲んでカバーする
もので、これにより基板７の端部及び裏側を蒸着から保
護することができる。

【０００５】処理が開始される前には、サセプタ２は上
方向に移動しつつ、基板７とシャドーフレーム５を押し
上げる。この時、心出しピン３と押し上げピン１は独立
に移動して、サセプタ２の表面が基板７に面接触可能な
位置まで待避する。

【０００６】プラズマ処理が終了すると、サセプタ２は
下方向に移動するが、その時シャドーフレーム５は処理
室５０の内壁６の受け部６ａにて止まり、基板７から離
れる。

【０００７】生産現場においては、繰り返し精度が要求
されるため、心出しピン３などを用いて正確に基板の受
け渡しを行うプラズマ処理装置が必須で、例えば特開平
６−３４０９７５号公報には、心出しピン３が、サセプ
タ２と独立して動くことで心出しを行い、基板７を毎回
正確に心出しすることを可能にする構成が開示されてい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラズマ処理装置には以下の問題点があった。まず、処
理時に基板７とシャドーフレーム５を押し上げるため
に、サセプタ２を可動式にする必要があり、処理室５０
のサセプタ２側に大掛かりな移動機構を設ける必要があ
った。特に処理室５０が枚葉式の装置構成である場合に
は、基板毎に移動を繰り返すため、真空部と大気中との
境界部分のシール材やリング部において、故障が発生し
易くなっていた。

【０００９】また、心出しピン３は、小さい基板のずれ
に対しては心出し可能であるが、大きい基板のずれに対
してはむしろ基板に余計な力を加えることになり、成膜
等の処理を行う場合、基板が大きく反って処理ができな
いという問題点があった。

【００１０】また、シャドーフレーム５は、処理室５０
の内壁６の受け部６ａに緩く乗っているだけなので、基
板７のマスクとして機能するためには荷重を与える必要
があった。また、処理室５０の水平度は精度の高いもの
が要求されていた。

【００１１】さらに、シャドーフレーム５と基板７は、
処理毎に接触を繰り返すため、基板７が特にガラスの場
合、処理前後の移動を高速で行えなかった。

【００１２】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、従来のプラズマ処理装置の利点
を損なうことなく、故障が少なく、高速処理が可能で、
さらに部品点数が少なく、処理室のレアウトの自由度の
高いプラズマ処理装置を提供するものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、サセプタ、シ
ャドーフレームを備えプラズマ放電により基板に処理を
施すプラズマ処理装置において、基板が基板支持トレー
により支持されることを特徴とする。

【００１４】また、シャドーフレームが、プラズマ処理
室の内壁部に移動可能に配設されることを特徴とする。

【００１５】また、サセプタが、処理室内に固定されて
いることを特徴とする。

【００１６】また、シャドーフレームと基板支持トレー
が、基板の心出しのための形状を有することを特徴とす
る。

【００１７】また、基板支持トレーが、サセプタ部に設
けられた押し上げ部材により移動されることを特徴とす
る。

【００１８】また、基板支持トレーが、プラズマ処理室
内においてロック状態で支持されることを特徴とする。

【００１９】さらに、１つのプラズマ処理室が、複数の
基板を処理可能に形成されていることを特徴とする。

【００２０】以下、本発明の作用について説明する。本
発明の構成によれば、基板が基板支持トレーにより支持
されるため、基板が反ることなく確実に支持される。ま
た、基板の搬出入が基板支持トレーに支持された状態で
行われるので、移動が高速且つ円滑に行える。

【００２１】また、シャドーフレームが、処理室内壁部
に設けられたガイド機構により移動されるので心出しが
確実に行える。

【００２２】また、サセプタが処理室内に固定されてい
るため、サセプタ側に大掛かりなサセプタ移動機構を設
ける必要がなく構造を簡単にできる。

【００２３】また、シャドーフレームと基板とが直接触
れることがないため、処理室内での基板の移動が高速で
行える。

【００２４】また、押し上げ部材が、基板直接ではなく
基板支持トレーを移動させるため、基板に傷をつけるこ
となく円滑に移動が行える。

【００２５】また、基板支持トレーがロック状態で支持
されるため、基板の固定が確実に行え、基板を水平状態
ではなく垂直状態にして処理することができるのでプラ
ズマ処理装置構成の自由度が増す。

【００２６】また、１つの処理室で複数の基板の処理が
できるため、同時多処理が可能となり処理の高速化によ
る生産性の向上が図れるとともに、部品点数を削減して
装置のコストの低減が図れる。

【００２７】

【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、図面を参照して本発明の実施形態
１について説明する。尚、従来技術と同一部分には同一
符号を付して説明する。図１は、本発明の実施の形態１
のプラズマ処理装置の処理室の構成を示す断面図で、基
板７がはめ込まれた基板支持トレー４が処理室５０に搬
入されて、シャドーフレーム５が基板支持トレー４に覆
い被さった状態を示す。以下この状態に至るまでの工程
を図２、図３を参照して説明する。図２の（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）は、基板７が基板支持トレー４に固定さ
れるまでの手順を示す斜視図である。基板７は、処理室
５０以外の別の部屋または、大気中で基板支持トレー４
に固定される。基板支持トレー４は、図２（ａ）に示す
ように、基板７をはめ込むための溝を形成した基板はめ
込み部分４ａと、基板７をはめ込む時に外側に開く複数
の基板押さえ部４ｂとからなる。また、基板支持トレー
４の基板押さえ部４ｂには押し上げピンとの接触部４ｃ
も形成されている。

【００２８】基板７は、図２（ｂ）に示すように、大気
中において、図示しない基板搬送機構により基板押さえ
部４ｂが外側に広げられると、別の基板搬送機構により
基板はめ込み部分４ａの溝にはめ込まれる。次に、外側
に広げられていた基板押さえ部４ｂが、基板支持トレー
４に内蔵されたバネ等の機構により、内側に戻され、図
２（ｃ）に示すように基板７が固定される。基板支持ト
レー４への基板取り付け方法は、この方法に限定される
ものではない。

【００２９】図３は、処理室５０内部の構成を示す分解
斜視図である。図１、図３において、基板支持トレー４
に固定された基板７は、搬送ロボットによって処理室５
０に挿入され、押し上げピン１によって基板支持トレー
４の４ｃ部分が押し上げられる。処理室５０から搬送ロ
ボットのアームが退出すると、押し上げピン１がサセプ
タ２側に移動し、基板７の裏面がサセプタ２の表面と接
触する。サセプタ２の基板支持トレー４の基板押さえ部
４ｂと対向する部分は、サセプタ２と基板７の面同士が
十分接触できるよう、基板支持トレー４の基板押さえ部
４ｂを避けて１段低く形成されている。また、基板押さ
え部４ｂは、基板支持トレー４を心出し可能な形状を有
している。これにより、基板支持トレー４は心出しされ
て、サセプタ２の上に置かれる。

【００３０】次に、シャドーフレーム５のガイドピン部
５ａが処理室側面の内壁６に少なくとも４ケ所以上に形
成されたガイド穴にガイドされ、基板支持トレー４を覆
うように移動し、基板７のマスクとなる。このとき、シ
ャドーフレーム５はガイドにより大まかに整列され、基
板７を押さえるときは、基板支持トレー４によって更に
精度よく整列されて基板７のマスクとなる。即ち、シャ
ドーフレーム５は、基板支持トレー４と整合可能な凹部
を有する。

【００３１】次に、シャドーフレーム５が、基板７の裏
面がサセプタ２と接触する位置まで基板支持トレー４を
押さえつける。この後、プラズマ処理が施された基板７
は、上記説明の逆の順番で、搬送ロボットによって処理
室５０から搬出される。

【００３２】図１、図３において、処理室５０内のサセ
プタ２、処理室５０の内壁６、シャワープレート８は固
定されている。また、シャドーフレーム５は上下方向に
移動可能であり、基板７が固定された基板支持トレー４
は、処理室５０外から、搬送ロボットにより搬出入が可
能な構造となっている。

【００３３】図４に、本実施形態１のプラズマ処理装置
の全体構成図を示す。図４の装置は、真空搬送ロボット
５３を中心に保有する多角形のトラスファチャンバ５２
の任意の各辺に、サセプタ２および図示しないシャドー
フレーム等を保有する処理室５０を１つ以上配置し、さ
らに別の任意の各辺にロードロック室５１を配置した構
成となっている。この構成は、プラズマ処理において処
理室の真空度を維持し、品質の高いプラズマ処理を行う
のに適している。つまり、この構成により処理室５０
は、基板７の出し入れ時に毎回大気開放され再び真空に
なるロードロック室５１とは直接結合されず、間にトラ
ンスファチャンバ５２を介在しているため、処理室５０
の真空度の維持や、大気開放されるロードロック室５１
からの微小な塵を持ち込みにくいという点で有利な構成
である。

【００３４】次に、基板７の流れについて、図１、図
２、図３、図４に従って説明する。図２に示すように、
図示しない大気ロボットにより、基板７は基板支持トレ
ー４に固定される。基板支持トレー４に固定された基板
７は、大気搬送系により図４の大気とロードロック室５
１との遮断用ゲートバルブ９ａの前に搬送される。次
に、図示しないゲートバルブ９ａの蓋が開き、ロードロ
ック室５１は大気開放される。このときロードロック室
５１とトランスファチャンバ５２との遮断用ゲートバル
ブ９ｂの図示しない蓋は閉鎖されている。

【００３５】大気搬送系例えばアームにより基板支持ト
レー４に固定された基板７は、ロードロック室５１に１
枚以上挿入される。規定の枚数が挿入された後、アーム
がロードロック室のゲートバルブ９ａから大気側に待避
するとすぐ、ゲートバルブ９ａの蓋は閉じて、ロードロ
ック室５１の真空引きが始まる。ロードロック室５１が
規定の真空度まで到達するとゲートバルブ９ｂの蓋が開
く。次いで、真空搬送ロボット５３がゲートバルブ９ｂ
をくぐりぬける位置まで伸びて、基板支持トレー４に固
定された基板７をトランスファチャンバ５２の側に搬送
すると、ゲートバルブ９ｂの蓋は閉じる。次に、真空搬
送ロボット５３は、基板支持トレー４に固定された基板
７をトランスファチャンバ５２内の所定の処理室の前ま
で搬送する。次に、図示しないゲートバルブ９ｃの蓋が
開き真空搬送ロボット５３により基板支持トレー４に固
定された基板７が処理室５０内に搬送される。

【００３６】次に、図３における押し上げピン１が上が
ることにより、基板支持トレー４に固定された基板７は
図４における真空搬送ロボット５３から持ち上がり、そ
の後真空搬送ロボット５３は直ちに処理室５０から待避
する。真空搬送ロボット５３が待避するとすぐにゲート
バルブ９ｃの蓋は閉じる。以上の工程においては基板７
は大気中から基板支持トレー４に固定された状態で処理
室５０まで搬送される。

【００３７】以下に、処理室５０内でプラズマ処理が始
まるまでの工程について説明する。図１において、基板
７を固定しているトレー４を押し上げているピン１は、
図４における真空搬送ロボット５３が処理室５０から待
避するとすぐに下がって基板７の裏面はサセプタ２と接
触する。次に、シャドーフレーム５が基板支持トレー４
を覆い隠すように下がって基板支持トレー４と基板７を
押さえつける。この状態でサセプタ２内の図示しないヒ
ーター機構により、基板７が規定の温度と温度分布の状
態となるまで、加熱が続けられる。規定の状態となる
と、所定のプラズマ処理が開始される。プラズマ処理が
終了すると上記の逆の工程を経て、基板支持トレー４に
固定された基板７は、大気中まで搬送される。

【００３８】図５に、本実施形態１のプラズマ処理装置
の別の例の全体構成図を示す。図５は、基本的には図４
と同じ構成であるため、ここでは異なる部分についてだ
け説明する。まず、処理室５０は、図４のものとは異な
り縦方向に複数段積層されている。また、ロードロック
室５１からトランスファチャンバ５２を経由しての複数
の処理室５０への基板７の搬送は同時に行われるため、
複数のアームを保有する真空搬送ロボット５３が使用さ
れる。このような構成にすることでフットプリントを稼
ぐとともに処理時間の短縮を図ることができる。

【００３９】（実施形態２）実施形態２は、実施形態１
における基板支持トレー４が押し上げピン１と重力に関
係なく保持される構造としたもので、保持機構として
は、例えば電磁石、永久磁石、機械的な機構等を用いる
ことができる。こうすることで、基板７を縦にした状態
で一連の処理を実行できるよう処理室を配置形成でき
る。

【００４０】この場合、基板支持トレー４の受け渡しを
行う際に、重力により基板支持トレー４が処理室５０の
中で外れないように基板支持トレー４を固定する機構が
必要である。その一例として、機械的な保持機構による
固定方法を図６に示す。図６（ａ）は基板支持トレー４
と押し上げピン１の関係を示す側面図で、図６（ｂ），
（ｃ）は基板支持トレー４のロック機構部４ｃの拡大図
で、図６（ｂ）は押し上げピン１に基板支持トレー４が
押し込まれた直後の状態を示す断面図、図６（ｃ）は押
し上げピン１が回転して基板支持トレー４をロックした
状態を示す断面図である。

【００４１】基板支持トレー４は、電磁石を利用した基
板支持トレー搬送ロボットのアームにより処理室５０内
に搬入される。このとき、アームの電磁石と基板支持ト
レー４の接触面は基板支持トレー４のガラスはめ込み部
４ａの基板処理面側の枠部分とする。この状態で、押し
上げピン１と基板支持トレー４は抜き差し可能な状態に
ある。押し上げピン１は基板支持トレー４を押し込んだ
後基板支持トレー４を固定するために回転させるが、押
し上げピン１には回転することにより側面の一部の径が
変化するよう溝が形成されているので、押し上げピン１
を回転させたときに基板支持トレー４に内蔵された押し
上げピンロック機構１０が作動して基板支持トレー４が
固定される。基板支持トレー４を取り外す場合には、再
び押し上げピン１を回転させてロック状態を解除するこ
とで、容易に取り外すことができる。処理室５０の全体
構成は、図１において押し上げピン１部の構成を図６に
示すような押し上げピンロック機構１０を有する構成に
変えたものであるため、ここでは説明を省略する。

【００４２】図７に示すように、縦型構造の処理室５０
内において、サセプタ２を処理室５０の中央部に設け、
その両側に基板の処理面が外側になるように、基板支持
トレー４、シャドーフレーム５等をそれぞれ配置とする
ことで、サセプタ２とゲートバルブ９とを共通化して１
処理室で２枚の基板を処理することが可能となる。ま
た、図８に示すように、縦型構造の処理室５０内におい
て、ガス供給部１１を処理室５０の中央部に設け、その
両側に基板の処理面が内側になるように、サセプタ２、
基板支持トレー４、シャドーフレーム５等を配置するこ
とで、ガス供給部１１とゲートバルブ９を共通化して１
処理室で２枚の基板を処理することが可能となる。

【００４３】図９、図１０に、上記図７または図８に示
した処理室５０を使用したプラズマ処理装置の全体構成
の具体例を示す。図において、図７または図８に示した
処理室５０を複数ユニット配置し、処理室５０複数個毎
を１ブロックとした複数のロードロック室５１を配置す
る。このロードロック室５１は、基板７の搬出入時には
大気解放され、大気とトランスファチャンバ５２とを結
合するためのものである。トランスファチャンバ５２内
には、基板７を受け渡しする真空搬送ロボット５３が配
置されている。基板７付き基板支持トレー４は、２つ以
上同時に処理室５０に搬送されるが、図９に示したプラ
ズマ処理装置では、処理室５０と真空搬送ロボット５３
との受け渡し方向は垂直方向である。また、図１０に示
したプラズマ処理装置では、処理室５０と真空搬送ロボ
ット５３との受け渡し方向は水平方向である。

【００４４】図１１に、図９のプラズマ処理装置の概略
を説明するための側面及び正面の要部を示した図を示
す。側面図は図９の斜視図においてプラズマ処理装置を
ｙ方向に見た図面であり、正面図は装置をｘ方向に見た
図面である。すなわち、図１１には、プラズマ処理装置
の側面図及び側面図に示されているロードロック室５１
部分の断面を示す正面図が描かれている。

【００４５】次に、基板７の流れについて図２、図６、
図８、図９と図１１に従って説明する。図２に示すよう
に、基板７は図示しない大気搬送ロボットにより基板支
持トレー４に固定される。図１１（ａ）に示すように、
大気搬送ロボット５４により基板支持トレー４に固定さ
れた基板７は、図９の大気とロードロック室５１との遮
断用ゲートバルブ９ａの前に搬送される。ゲートバルブ
９ａの蓋が開き、ロードロック室５１は大気開放され
る。基板支持トレー４に固定された基板７は、ロードロ
ック室５１に挿入される。挿入された基板支持トレー４
に固定された基板７は、ロードロック室５１内に設けら
れた図６に示すところのトレー保持機構により保持され
る。このときロードロック室５１とトランスファチャン
バ５２との遮断用ゲートバルブ９ｂの蓋は閉鎖されてい
る。大気搬送ロボット５４がロードロック室５１のゲー
トバルブ９ａから大気側に待避するとすぐ、ゲートバル
ブ９ａの蓋は閉じて、ロードロック室５１の真空引きが
始まる。ロードロック室５１が規定の真空度まで到達す
ると図９におけるゲートバルブ９ｂの蓋が開く。図１１
（ｂ）に示すように、真空搬送ロボット５３ｃと５３ｄ
がゲートバルブ９ｂをくぐりぬける位置まで移動して、
トレーに固定された基板７をトランスファチャンバ５２
の側に搬送すると、図９におけるゲートバルブ９ｂの蓋
は閉じる。図１１（ｃ）〜図１１（ｄ）に示すように、
真空搬送ロボット５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄは図
９におけるｘ方向に移動し、図１１（ａ）、図１１
（ｂ）で行った工程を繰り返し、真空搬送ロボット５３
ａと５３ｂにも、基板支持トレー４に固定された基板を
搬送させる。図１１（ｅ）に示すように、図９における
ゲートバルブ９ｃの蓋が開き、真空搬送ロボット５３
ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄにより基板支持トレー４に
固定された複数の基板７は、同時に処理室５０に搬送さ
れる。

【００４６】次に、図８における押し上げピン１が移動
し、図６に示すところのトレー保持機構の作用により基
板支持トレー４に固定された基板７は、図１１における
真空搬送ロボット５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄから
処理室５０側に移動する。次に図１１（ｆ）に示すよう
に、真空搬送ロボット５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄ
は直ちに処理室５０から待避する。真空搬送ロボット５
３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄが待避するとすぐに図９
におけるゲートバルブ９ｃの蓋は閉じる。以上の工程に
おいて、基板７は大気中から基板支持トレー４に固定さ
れた後、処理室５０まで搬送される。

【００４７】以下に、処理室５０内でプラズマ処理が始
まるまでの工程について説明する。図８において、基板
７を固定している基板支持トレー４を固定しているピン
１は、図１１における真空搬送ロボット５３ａ、５３
ｂ、５３ｃ、５３ｄが処理室５０から待避するとすぐに
移動し、基板７の裏面がサセプタ２と接触する。次に、
シャドーフレーム５が基板支持トレー４を覆い隠すよう
に移動して基板支持トレー４と基板７を押さえつける。
この状態でサセプタ２内の図示しないヒーター機構によ
り、基板７が規定の温度と温度分布の状態となるまで、
加熱が続けられる。規定の状態となると、所定のプラズ
マ処理が開始される。プラズマ処理が終了すると上記の
逆の工程を経て、基板支持トレー４に固定された基板７
は、大気中まで搬送される。

【００４８】

【発明の効果】本発明の構成によれば、基板が基板支持
トレーにより支持されるため、基板が反ることなく確実
に支持される。また、基板の搬出入が基板支持トレーに
支持された状態で行われるので、移動が高速且つ円滑に
行える。

【００４９】また、シャドーフレームが処理室内壁部に
設けられたガイド機構により移動されるので、心出しが
確実に行える。

【００５０】また、サセプタが処理室内に固定されてい
るため、サセプタ側に大掛かりなサセプタ移動機構を設
ける必要がなく構造を簡単にできる。

【００５１】また、シャドーフレームと基板とが直接触
れることがないため、処理室内での基板の移動が高速で
行える。

【００５２】また、押し上げ部材が、基板直接ではなく
基板支持トレーを移動させるため、基板に傷をつけるこ
となく円滑に移動が行える。

【００５３】また、基板支持トレーがロック状態で支持
されるため、基板の固定が確実に行える。さらに基板を
水平状態ではなく垂直状態にして処理することができる
ので、プラズマ処理装置構成の自由度が増す。

【００５４】また、１つの処理室で複数の基板の処理が
できるため、同時多処理が可能となり処理の高速化によ
る生産性の向上が図れるとともに、部品点数を削減して
装置のコストの低減が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１のプラズマ処理装置の処理室を示す
断面図である。

【図２】基板が基板支持トレーに固定されるまでの手順
を説明する斜視図である。

【図３】処理室内部の構成を示す分解斜視図である。

【図４】実施形態１のプラズマ処理装置の全体を示す図
である。

【図５】実施形態１の別のプラズマ処理装置の全体を示
す図である。

【図６】実施形態２のプラズマ処理装置の処理室におけ
る基板支持トレーの固定方法を示す図で、（ａ）は基板
支持トレーと押し上げピンの関係を示す側面図、（ｂ）
（ｂ）は押し上げピンに基板支持トレーが押し込まれた
直後の状態を示す拡大断面図、（ｃ）は押し上げピンが
回転して基板支持トレーをロックした状態を示す拡大断
面図である。

【図７】実施形態２の処理室の他の例を示す断面図であ
る。

【図８】実施形態２のさらに別の例を示す断面図であ
る。

【図９】本発明の処理室を使用する基板上下挿入型プラ
ズマ処理装置の構成を示す斜視図である。

【図１０】本発明の処理室を使用する基板左右挿入型プ
ラズマ処理装置の構成を示す斜視図である。

【図１１】実施形態２のプラズマ処理装置の全体を示す
図である。

【図１２】従来のプラズマ処理装置の処理室の構成を示
す断面図である。

【符号の説明】

１押し上げピン２サセプタ３心出しピン４基板支持トレー４ａ基板支持トレーの基板はめ込み部４ｂ基板支持トレーの基板押え部４ｃ基板支持トレーの基板押え部の押し出しピンとの
接触部５シャドーフレーム６処理室側面の内壁６ａ処理室側面内壁の受け部７基板８シャワープレート９ゲートバルブ９ａ大気とロードロック室の遮断用ゲートバルブ９ｂロードロック室とトランスファチャンバの遮断用
ゲートバルブ９ｃトランスファチャンバと処理室の遮断用ゲートバ
ルブ１０押し上げピンロック機構１１ガス供給部５０処理室５１ロードロック室５２トランスファチャンバ５３真空搬送ロボット５４大気搬送ロボット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理室内にサセプタ、シャドーフレーム
を備えプラズマ放電により基板に処理を施すプラズマ処
理装置において、上記基板が基板支持トレーにより支持されることを特徴
とするプラズマ処理装置。
【請求項２】上記シャドーフレームが、処理室内壁部
に設けられたガイド機構により移動可能に配設されてい
ることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】上記サセプタが、上記処理室内に固定さ
れていることを特徴とする請求項１または２記載のプラ
ズマ処理装置。
【請求項４】上記シャドーフレーム及び上記基板支持
トレーが、上記基板の心出しのための形状を有すること
を特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】上記基板支持トレーが、上記サセプタ部
に設けられた押し上げ部材により移動されることを特徴
とする請求項３または４記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】上記基板支持トレーが、処理室内におい
てロック状態で支持されることを特徴とする請求項３乃
至５の何れかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】１つのプラズマ処理室が、複数の基板を
処理可能に形成されていることを特徴とする請求項６記
載のプラズマ処理装置。