JPH11123591A - フラックス入りワイヤを再結晶アニールにより製造するための方法 - Google Patents

フラックス入りワイヤを再結晶アニールにより製造するための方法

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JPH11123591A
JPH11123591A JP10226759A JP22675998A JPH11123591A JP H11123591 A JPH11123591 A JP H11123591A JP 10226759 A JP10226759 A JP 10226759A JP 22675998 A JP22675998 A JP 22675998A JP H11123591 A JPH11123591 A JP H11123591A
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powder
high frequency
cored wire
temperature
recrystallization
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JP10226759A
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Christian Bonnet
クリスティヤン・ボネ
Denis Astier
ドゥニ・アスティエ
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Lincoln Electric Co France SA
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La Soudure Autogene Francaise
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    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/40Making wire or rods for soldering or welding
    • B23K35/406Filled tubular wire or rods
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D9/00Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor
    • C21D9/52Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor for wires; for strips ; for rods of unlimited length
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    • C21D9/56Continuous furnaces for strip or wire
    • C21D9/60Continuous furnaces for strip or wire with induction heating
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    • C21D9/08Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor for tubular bodies or pipes
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Abstract

(57)【要約】 【課題】フラックス入りワイヤのような充填要素を含む
金属管の効果的な再結晶アニールを行わせ、金属管に含
まれる充填要素に悪影響を与えないか与えても非常にわ
ずかであるところの方法を提供する。 【解決手段】高周波誘導加熱により行われる少なくとも
1つの再結晶アニール工程を含み、該高周波が少なくと
も10kHzであることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、1以上の再結晶ア
ニール工程を含む、充填要素を充填した溶接金属管、特
に溶接のためのフラックス入りワイヤを製造するための
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、充填要素を含んでいても、含んで
いなくてもよい金属管、例えばフラックス入り溶接用ワ
イヤの径を減少させようとする場合、金属管を圧延およ
び/または引き抜く1またはそれ以上の工程に金属管を
供している。
【0003】しかしながら、圧延および/または引き抜
きによる金属管の径の減少は、加工硬化という金属学的
現象を生じさせることも知られている。
【0004】加工硬化の程度が増加すると、すなわち、
管の総減少比が増加すると、材料の硬さが増加し、破壊
することなく後の変形を受けるその能力が減少する。
【0005】いいかえると、それを超えると管の破壊が
生じるところのある閾値もしくは臨界的な減少が存在す
る。
【0006】現在、この閾値もしくは臨界比を超えて管
を圧延および/または引き抜くことを続けることを可能
とするために、材料の構造が、当該構造を再結晶アニー
ルにより再生されている。
【0007】この目的のために、管の材料は、いわゆる
再結晶温度を超える温度に熱せられる。
【0008】この再結晶温度は、金属管を構成する材料
の性質に依存する。
【0009】すなわち、例えば、再結晶温度は、軟鋼の
場合には約600℃であり、オーステナイト型ステンレ
ス鋼の場合には約750℃である。
【0010】通常、この再結晶アニール操作は、バッチ
炉において、または連続炉において行われる。
【0011】再結晶温度を超える保持時間は、数時間
(バッチ炉の場合)から数分(連続炉の場合)にわた
る。
【0012】しかしながら、フラックス入りワイヤのよ
うな、充填要素を充填した金属管をそのような再結晶ア
ニール操作に供させる場合、充填要素内に含有される種
々の成分の少なくとも一部間で望ましくない化学反応が
生じる。
【0013】すなわち、ルチル型フラックス入り溶接ワ
イヤは、一般に、フラックス入りワイヤのシースと合金
化して溶接部に所望の機械強度に合った化学的組成を与
える鉄粉末および鉄合金粉末と、電気アークの安定性を
改善させ得るイオン化性元素と、その性質特に融点、粘
度および表面張力がこのタイプのフラックス入りワイヤ
の操作特性の原となるところのスラグを形成することを
意図されたTiO2 、Al2 3 またはSiO2 のよう
な酸化物と、被着した溶融金属の酸素含有率を低下さ
せ、溶接部の靭性を改善させ得るMg、AlまたはAl
Mgのような強力な脱酸素材との混合物からなる充填要
素を含有する。
【0014】さて、そのような粉末混合物が、これを含
有する管の外シースの再結晶アニール処理中に、高温、
例えば700℃に高められると、多かれ少なかれ完結ま
で至る酸化還元反応が充填粉末の種々の成分間で生じ、
これらの反応は、当該ワイヤをその意図された用途にと
って不適切なものとする。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、フラックス入りワイヤのような充填要素を含む金属
管の効果的な再結晶アニールを行わせ、金属管に含まれ
る充填要素に悪影響を与えないか与えても非常にわずか
であるところの方法を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく、
本発明は、充填要素を含む金属管を製造するための方法
であって、高周波誘導加熱により行われる少なくとも1
つの再結晶アニール工程を含み、該高周波が少なくとも
10kHzであることを特徴とする金属管の製造方法を
提供する。
【0017】本発明の方法は、以下の特徴:高周波が、
少なくとも100kHz、好ましくは、約250kHz
ないし約500kHzであること;少なくとも1つの再
結晶アニール工程が、圧延(rolling)および/または
引き抜き(drawing)による金属管の直径を減少させる
少なくとも1つの工程の後に行われること;1の再結晶
アニール工程後に、金属管を冷却する少なくとも1つの
工程を含むこと;再結晶温度が、700℃以上、好まし
くは750℃以上であること;金属管中の充填要素が、
鉄粉末、フェロシリコン粉末、シリコマンガン粉末、マ
ンガン粉末、フェロシリコチタン粉末、マグネシウム粉
末、アルミニウム粉末およびそれらの混合物からなる群
の中から選ばれた少なくとも1種の金属粉末を含むこ
と;金属管が、フラックス入りワイヤであることの1ま
たはそれ以上を含み得る。
【0018】本発明は、また、上記製造方法により製造
され得るフラックス入りワイヤをも提供し、このワイヤ
は、軟鋼で作られたシースを備え得る。
【0019】そのようなワイヤは、TIG、MIG、M
AG、サブマージアークもしくは縦型(vertical)エレ
クトロスラグ溶接法のような溶接法の実施に使用するこ
とができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
【0021】より具体的には、本発明者らは、管状シー
スの再生、すなわち再結晶アニールは、1またはそれ以
上の引き抜きおよび/または圧延工程を受けた金属管を
高周波誘導インダクタを用いることにより効果的に行う
ことができること、およびこのように操作することによ
り、当該金属管中に含まれている充填要素または粉末は
ほとんど影響を受けないか、受けてもほんのわずかであ
ることを立証した。
【0022】これは、「スキン」深さとも呼ばれる高周
波電流の侵入深さが、以下の式:
【数1】 (ここで、μ=μ0 μr であって、物質(材料)(ここ
では、金属管のシース)の透磁率(H・m-1)であり、
μ0 は、自由空間の透磁率(4π×10-7H・m-1)で
あり、μr は、物質の比透磁率であり、ρは、物質の抵
抗率(Ω・m)であり、fは、誘導電流の周波数(H
z)である)により規定されるからである。
【0023】ジュール効果加熱エネルギーのほぼ87%
が、誘導された電流によりこのスキン深さに放出され
る。
【0024】すなわち、所定の物質について、スキン深
さは、従って、インダクタ中の電流の周波数の平方根に
反比例する。
【0025】鋼の場合には、スキン深さは、また、温度
の関数でもある。透磁率は、温度に依存するからであ
る。
【0026】例えば、高周波電流についてのスキン深さ
は、1kHzの周波数の場合、周囲温度(約20℃)で
0.7mmであり、1000℃で17mmであるのに対
し、10kHzの周波数の場合には、同じ温度で、それ
ぞれ、0.2mmおよび5.4mmであり、250kH
zの周波数の場合には、同じ温度で、それぞれ、0.0
4mmおよび1.1mmである。
【0027】溶接のためのフラックス入りワイヤの製造
において、再結晶アニールは、フラックス入りワイヤの
直径が約4mmであるとき、すなわち平均で約1.1m
mのシース厚について行われる。
【0028】上記事項を考慮して、フラックス入りワイ
ヤに含まれる充填要素の加熱を最小にし、かつ種々の成
分間の化学反応を回避するか最小にするためには、十分
に高い周波数、すなわち少なくとも1kHzの高周波を
用いて管状シースの外側部分を加熱することが必要なだ
けであり、管状シースの残りは、再結晶温度を超える温
度に熱伝導により本質的に加熱される。
【0029】いいかえると、本発明者らは、このように
本方法を実施することにより、フラックス入りワイヤに
含まれる充填要素の温度の上昇は、当該充填要素の種々
の成分間での望ましくない化学反応を生じさせるには十
分でないことを立証した。
【0030】
【実施例】以下、例示のみであって本発明を限定するも
のではない例を助けとして本発明をより詳しく説明す
る。
【0031】例 以下の試験は、構造用鋼を溶接するための種々のタイプ
のフラックス入りワイヤについて行った。これらワイヤ
は、約0.04%の炭素含有率を有する軟鋼で作られた
シースを備えるものであった。
【0032】再結晶アニールは、4mmおよび4.7m
mの直径まで引き抜かれおよび/または圧延されたワイ
ヤについて、250kHzおよび500kHzの周波数
で行い、インダクタのパワーは、フラックス入りワイヤ
の表面上で種々の温度が到達するように調節する。
【0033】再結晶アニール工程の後、フラックス入り
ワイヤを周囲温度までの自然冷却に供するか、または水
を噴霧することにより冷却する。
【0034】これら種々の処理の後、試料を取り出し
て、硬さを測定し、かつ金属組織学を用いて、再結晶が
実際に生じたかどうかを調べる。
【0035】得られた結果を下記表1に示す。
【0036】
【表1】
【0037】これらの試験において、フラックス入りワ
イヤの直径、充填要素の性質および使用した高周波のい
かんに拘わらず類似の結果が得られた。
【0038】しかしながら、上記表1からわかるよう
に、到達した温度は、管状シースの再結晶に対して大き
な効果を有することが証明されている。
【0039】これは、これらの非常に迅速な熱処理条件
の下では、その間の温度が一般にわずか600℃である
ところの連続炉もしくはバッチ炉における通常の処理中
よりも高い温度(少なくとも750℃)に到達すること
が必要であることが明らかであるからである。
【0040】さらに、硬さの測定は、到達した温度が管
状シースを再結晶させた場合、その結果の軟化、すなわ
ち非再結晶状態と再結晶状態とにおける硬さの差は、管
状シースの炭素含有率が非常に低いにも拘わらず、選択
した冷却モードに依存して、非常に異なることを示して
いる。
【0041】より具体的には、水噴霧により冷却された
再結晶フラックス入りワイヤは、再結晶にも拘わらず比
較的高い硬さを維持し、その後は、破壊することなく
1.2mmの直径まで引き抜くことができなかったが、
自然に、すなわち周囲大気との熱交換により冷却された
フラックス入りワイヤは、より低い硬さを有し、破壊す
ることなく上記直径1.2mmまで引き抜くことができ
た。
【0042】直径1.2mmまで引き抜かれたそのよう
なワイヤを、バッチ炉中600℃で1時間の通常の再結
晶処理を受けたフラックス入りワイヤと、および同じ充
填要素を含有し、かつ5mmの直径でワイヤが成形され
粉末が充填されるならば中間の熱処理を必要としないと
ころの「ケメトロン(Chemetron)」法により製造され
たワイヤと比較した。
【0043】これらの比較試験から、高周波によりアニ
ールされ、自然冷却された本発明のワイヤは、操作の観
点から、「ケメトロン」法を用いて得られた非アニール
ワイヤと類似の挙動を示すこと、バッチ炉で処理された
ワイヤは、はるかに不安定は電気アークおよびはるかに
大きなスパッタ度をもたらし、それゆえ、本発明による
ワイヤの操作特性よりも顕著に劣る操作特性をもたら
し、それにより、フラックス入りワイヤの充填要素を構
成する種々の要素が通常の方法を用いた再結晶アニール
に供されたときのそれらの間の反応の問題が存在するこ
とが確認されることがわかる。
【0044】いいかえると、高周波再結晶アニールを行
った後、十分に遅い(緩慢な)冷却を行うことにより、
管状シースの効果的な再結晶が行え、すなわち後者を再
生させることができ、該管が、破壊を起こすことなく後
に引き抜きおよび/または圧延を受けることを可能と
し、同時に、フラックス入りワイヤが溶接法に使用され
る場合にフラックス入りワイヤの操作品質を保証し、高
周波再結晶アニール熱処理により充填要素の性質は影響
を受けない。
【0045】本発明によれば、100kHzよりも大き
な周波数が好ましく、例えば250ないし500kHz
である。
【0046】しかしながら、より低い周波数を使用する
ことも可能である。しかし、使用し得る最小周波数は、
10kHz未満であるべきでない。
【0047】これは、このように操作することにより、
管が低温にあるとき、エネルギーのほとんど(87%)
がジュール効果により管の厚さの外側4分の1中に放出
され、700℃で厚さの3分の1をわずか超えるまで達
し(透磁率の変動のため)、温度がキューリー点(鋼の
場合には、769℃)に達し、これを超えると、全厚さ
にわたるからである。
【0048】選択した冷却モードに依存して、再結晶ア
ニール後の材料の硬さに関して観察される差は、選択し
た2つのモード(自然冷却または水噴霧)に置ける冷却
速度の差により説明することができる。
【0049】これは、冷却が「自然」である場合、フラ
ックス入りワイヤがアニール温度(700℃より高い)
から約400℃に達するためにはほぼ30秒を要する
が、水噴霧による冷却の場合、周囲温度までの冷却には
約1秒であるからである。
【0050】追加の試験(試験1ないし4)は、再結晶
および周囲温度(T0 )までの冷却の後の最終硬さ(最
終ビッカース硬さ)が、実は、再結晶温度と約400℃
の温度との間の冷却時間により主に決定されることを示
した。
【0051】すなわち、以下の表2に示す試験結果は、
工業的観点から、アニール温度(TA )から約400℃
までの冷却には、自然冷却(静止空気)のみを、さもな
ければやや加速された冷却(例えば、水を噴霧すること
による)を使用し、ほぼ周囲温度に等しい材料の温度を
得るために、この冷却を水のような冷却剤を噴霧するこ
とによる追加の冷却により補充し、冷却ループにおける
「バッファー」ワイヤの長さを最小にすることによりこ
れを行うことが有利であることを示している。
【0052】
【表2】
【0053】従って、管の冷却は、ほぼ再結晶温度(T
R )から中間温度までの少なくとも1つの緩慢な冷却工
程、および、場合により、中間温度から周囲温度
(T0 )までの少なくとも1つの迅速な冷却工程を含む
ことが好ましい。
【0054】有利には、緩慢な冷却工程は、少なくとも
10秒、好ましくは少なくとも20秒続行され、および
/または迅速な冷却は、冷却材を用いて、好ましくは水
を噴霧することにより行われる。
【0055】通常、中間温度が、300℃ないし550
℃、好ましくは約400℃である。
【0056】有利には、誘導加熱工程および/または緩
慢な冷却工程の少なくとも一部は、管の表面酸化を回避
または最小とするために、不活性保護雰囲気中で行われ
る。
【0057】使用する不活性保護ガスは、窒素、アルゴ
ンもしくはこれら2種のガスの少なくとも一方を含むガ
ス混合物、または当業者に知られている他のガスもしく
はガス混合物である。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 充填要素を含む金属管を製造するための
    方法であって、高周波誘導加熱により行われる少なくと
    も1つの再結晶アニール工程を含み、該高周波が少なく
    とも10kHzであることを特徴とする金属管の製造方
    法。
  2. 【請求項2】 高周波が、少なくとも100kHzであ
    ることを特徴とする請求項1記載の製造方法。
  3. 【請求項3】 高周波が、約250kHzないし約50
    0kHzであることを特徴とする請求項1または2記載
    の製造方法。
  4. 【請求項4】 少なくとも1つの再結晶アニール工程
    が、圧延および/または引き抜きによる金属管の直径を
    減少させる少なくとも1つの工程の後に行われることを
    特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載の製造
    方法。
  5. 【請求項5】 1の再結晶アニール工程後に、金属管を
    冷却する少なくとも1つの工程を含むことを特徴とする
    請求項1ないし4のいずれか1項記載の製造方法。
  6. 【請求項6】 金属管の冷却が、ほぼ再結晶温度から中
    間温度への緩慢な冷却工程と、場合により、ほぼ該中間
    温度から周囲温度への迅速な冷却工程を含むことを特徴
    とする請求項5記載の製造方法。
  7. 【請求項7】 緩慢な冷却工程が、少なくとも10秒、
    好ましくは少なくとも20秒続行され、および/または
    迅速な冷却が、冷却材を用いて、好ましくは水を噴霧す
    ることにより行われることを特徴とする請求項6記載の
    製造方法。
  8. 【請求項8】 中間温度が、300℃ないし550℃、
    好ましくは約400℃であることを特徴とする請求項6
    記載の製造方法。
  9. 【請求項9】 再結晶温度が、700℃以上、好ましく
    は750℃以上であることを特徴とする請求項1ないし
    8のいずれか1項記載の製造方法。
  10. 【請求項10】 金属管中の充填要素が、鉄粉末、フェ
    ロシリコン粉末、シリコマンガン粉末、マンガン粉末、
    フェロシリコチタン粉末、マグネシウム粉末、アルミニ
    ウム粉末およびそれらの混合物からなる群の中から選ば
    れた少なくとも1種の粉末を含むことを特徴とする請求
    項1ないし9のいずれか1項記載の製造方法。
  11. 【請求項11】 金属管が、フラックス入りワイヤであ
    ることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1項
    記載の製造方法。
  12. 【請求項12】 誘導加熱工程のおよび/または緩慢な
    冷却工程の少なくとも一部が不活性保護雰囲気中で行わ
    れることを特徴とする請求項1ないし11のいずれか1
    項記載の製造方法。
  13. 【請求項13】 請求項1ないし12のいずれか1項記
    載の製造方法により製造されたフラックス入りワイヤ。
  14. 【請求項14】 軟鋼で作られたシースを備える請求項
    13記載のワイヤ。
  15. 【請求項15】 アーク溶接法を実施するための請求項
    13または14記載のワイヤの使用。
  16. 【請求項16】 請求項13または14記載のワイヤを
    使用し得るTIG、MIG、MAG、サブマージアーク
    もしくは縦型エレクトロスラグ溶接法。
JP10226759A 1997-08-12 1998-08-11 フラックス入りワイヤを再結晶アニールにより製造するための方法 Pending JPH11123591A (ja)

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FR9710292 1997-08-12
FR9710292A FR2767338A1 (fr) 1997-08-12 1997-08-12 Procede de fabrication d'un fil fourre avec recuit de recristallisation

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ID=9510246

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JP (1) JPH11123591A (ja)
KR (1) KR19990023483A (ja)
AR (1) AR013405A1 (ja)
AU (1) AU729937B2 (ja)
BR (1) BR9803142A (ja)
CA (1) CA2245046A1 (ja)
FR (1) FR2767338A1 (ja)
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TW (1) TW402537B (ja)

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