JPH1112326A5 - - Google Patents

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US09/015,287 US6887644B1 (en) 1997-06-23 1998-01-29 Polymer compound for a chemical amplification resist and a fabrication process of a semiconductor device using such a chemical amplification resist
KR1019980004822A KR100250566B1 (ko) 1997-06-23 1998-02-17 산 감응성 중합체, 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법

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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6017680A (en) * 1997-08-05 2000-01-25 Hitachi, Ltd. Method for pattern formation and process for preparing semiconductor device
TWI225865B (en) * 1998-03-27 2005-01-01 Mitsubishi Rayon Co Copolymer, preparation thereof and resist composition
WO2000077575A1 (en) 1999-06-10 2000-12-21 Alliedsignal Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6824879B2 (en) 1999-06-10 2004-11-30 Honeywell International Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
JP5220253B2 (ja) * 1999-10-27 2013-06-26 株式会社ダイセル アダマンチル(メタ)アクリレート類の製造法
JP4282185B2 (ja) 1999-11-02 2009-06-17 株式会社東芝 フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
KR100495340B1 (ko) * 1999-12-21 2005-06-14 스미토모 쇼지 플라스틱 가부시키가이샤 베이스의 부분적 도금 방법
JP4576737B2 (ja) 2000-06-09 2010-11-10 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP4441104B2 (ja) 2000-11-27 2010-03-31 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
US6899995B2 (en) 2000-11-29 2005-05-31 E.I. Du Pont De Nemours And Company Protecting groups in polymers, photoresists and processes for microlithography
JP3945741B2 (ja) 2000-12-04 2007-07-18 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4697827B2 (ja) * 2001-01-30 2011-06-08 三菱レイヨン株式会社 化学増幅型レジスト用樹脂の精製方法および化学増幅型レジスト用樹脂
JP4524940B2 (ja) * 2001-03-15 2010-08-18 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP4393010B2 (ja) * 2001-04-10 2010-01-06 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 化学増幅レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US6844133B2 (en) * 2001-08-31 2005-01-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
AU2002227106A1 (en) 2001-11-15 2003-06-10 Honeywell International Inc. Spin-on anti-reflective coatings for photolithography
JP3895224B2 (ja) 2001-12-03 2007-03-22 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP4772288B2 (ja) 2003-06-05 2011-09-14 東京応化工業株式会社 ホトレジスト組成物用樹脂、ホトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
JP2005031233A (ja) 2003-07-09 2005-02-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物、積層体、及びレジストパターン形成方法
TWI300165B (en) * 2003-08-13 2008-08-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Resin for resist, positive resist composition and resist pattern formation method
JP4188265B2 (ja) 2003-10-23 2008-11-26 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
JP2005164633A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US7088010B2 (en) * 2003-12-18 2006-08-08 Intel Corporation Chip packaging compositions, packages and systems made therewith, and methods of making same
WO2005116768A1 (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
WO2005121193A1 (ja) 2004-06-08 2005-12-22 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. 重合体、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
JP2007186713A (ja) * 2007-03-29 2007-07-26 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物の製造方法
JP5364256B2 (ja) * 2007-06-13 2013-12-11 東京応化工業株式会社 化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5089303B2 (ja) * 2007-09-13 2012-12-05 三菱レイヨン株式会社 化学増幅型レジスト用樹脂
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
JP5764297B2 (ja) * 2010-03-31 2015-08-19 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法及び樹脂の精製方法
EP2472327A1 (en) 2010-12-30 2012-07-04 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoresists and methods for use thereof
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
JP5935328B2 (ja) * 2012-01-11 2016-06-15 三菱レイヨン株式会社 β位に置換基を持つラクトン構造を有する化合物または重合体の製造方法
US9694518B2 (en) * 2014-06-20 2017-07-04 The Regents Of The University Of Michigan Breath-activated images and anti-counterfeit authentication features formed of nanopillar arrays
JP6803842B2 (ja) 2015-04-13 2020-12-23 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. オプトエレクトロニクス用途のためのポリシロキサン製剤及びコーティング
WO2019159957A1 (ja) 2018-02-16 2019-08-22 Jnc株式会社 重合性化合物、重合性組成物、重合体及びフォトレジスト用組成物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3758514A (en) * 1971-10-15 1973-09-11 Mobil Oil Corp Substituted butyrolactones derived from non conjugated polyolefins
JPH05107762A (ja) 1991-10-18 1993-04-30 Fujitsu Ltd レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
JP3236073B2 (ja) 1992-06-16 2001-12-04 富士通株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JPH06324494A (ja) 1993-05-12 1994-11-25 Fujitsu Ltd パターン形成材料およびパターン形成方法
JP3353258B2 (ja) 1993-10-26 2002-12-03 富士通株式会社 遠紫外線用レジスト
JP3568599B2 (ja) 1993-12-28 2004-09-22 富士通株式会社 放射線感光材料及びパターン形成方法
JPH07196743A (ja) 1993-12-28 1995-08-01 Fujitsu Ltd 放射線感光材料及びパターン形成方法
JPH08262717A (ja) 1995-03-27 1996-10-11 Fujitsu Ltd レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JP3297272B2 (ja) 1995-07-14 2002-07-02 富士通株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
US6013416A (en) * 1995-06-28 2000-01-11 Fujitsu Limited Chemically amplified resist compositions and process for the formation of resist patterns
JP3748596B2 (ja) 1995-08-02 2006-02-22 富士通株式会社 レジスト材料及びレジストパターンの形成方法

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