JPH1111929A - 超高純度シリカ粉の製造方法および該製造方法で得られた超高純度シリカ粉 - Google Patents
超高純度シリカ粉の製造方法および該製造方法で得られた超高純度シリカ粉Info
- Publication number
- JPH1111929A JPH1111929A JP17917697A JP17917697A JPH1111929A JP H1111929 A JPH1111929 A JP H1111929A JP 17917697 A JP17917697 A JP 17917697A JP 17917697 A JP17917697 A JP 17917697A JP H1111929 A JPH1111929 A JP H1111929A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- silica gel
- purity
- silica powder
- inorganic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/10—Forming beads
- C03B19/1005—Forming solid beads
- C03B19/106—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction
- C03B19/1065—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction by liquid phase reactions, e.g. by means of a gel phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
- C03B2201/03—Impurity concentration specified
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
る超高純度のシリカ粉、特に単結晶引上げ用ルツボの製
造原料としても有用なシリカ粉の製造方法および該製造
方法で得られた超高純度シリカ粉を提供すること。 【解決手段】珪酸アルカリ水溶液から生成した高純度含
水シリカゲルを80℃未満の無機酸で処理したのち、8
0℃以上の硝酸、塩酸又はそれらの混酸から選ばれた無
機酸で処理し、次いで1000℃以上の温度で焼成する
ことを特徴とする超高純度シリカ粉の製造方法および該
製造方法で得られた超高純度シリカ粉。
Description
造方法および該製造方法で得られた超高純度シリカ粉、
さらに詳しくは半導体工業や光通信工業で用いるシリカ
ガラスの原料として、またLSIの製造に用いる封止剤
用充填物として、さらに単結晶引上げ用シリカガラスル
ツボの製造原料として有用な超高純度シリカ粉の製造方
法および該製造方法で得られた超高純度シリカ粉に関す
る。
いるシリカガラス原料としては、高純度の天然石英(水
晶)を微粉砕した結晶質シリカ粉が用いられてきた。し
かしながら前記高純度の天然石英は資源的にも少ない上
に枯渇の問題がある。そのため資源的に制限の少ない原
料によるシリカ粉の研究が盛んに行われ、例えば高度に
蒸留純化した化学薬品であるエトキシシランやメトキシ
シランのような珪酸エステルや四塩化珪素の加水分解で
生成したシリカゲルから高純度シリカ粉を製造する方法
が提案された。しかし、前記原料の珪酸エステル等は高
価でコスト高となるため、より安価な原料である珪酸ア
ルカリ水溶液(水ガラス)を原料とする高純度シリカ粉
の製造が検討され研究されたが、珪酸アルカリ水溶液中
にはナトリウムを始めとして各種不純物が多く含まれて
おり、従来の製造方法ではそれらの不純物を十分に除去
することができず半導体工業や光通信工業の分野で使用
するシリカガラスの原料としては不向きであった。そこ
で、前記不純物を除去し高純度のシリカ粉を製造する方
法が、例えば特開昭59ー54632号公報、特公平5
ー5766号公報、特公平5−35087号公報、特公
平7ー57685号公報等で提案されている。前記提案
の製造方法で得られたシリカ粉はアルカリ金属、アルカ
リ土類金属、遷移金属元素、放射性元素などの不純物が
除去され高純度ではあるが、半導体工業や光通信工業の
分野で使用するシリカガラスの製造原料とするには未だ
充分な純度とはいいがたく、特に単結晶引上げ用ルツボ
の製造に使用するには鉄元素濃度が高すぎる欠点があっ
た。
発明者等は鋭意研究を続けた結果、上記各公報等に記載
の方法で得られた高純度含水シリカゲルをさらに80℃
未満の無機酸で処理したのち、80℃以上の硝酸、塩酸
又はそれらの混酸から選ばれた無機酸で処理し、それを
焼成することで超高純度、特に鉄元素濃度が80ppb
以下のシリカ粉を製造できることを見出し、本発明を完
成したものである。すなわち、
提供することを目的とする。
素の含有量が80ppb以下の超高純度シリカ粉を提供
することを目的とする。
明は、珪酸アルカリ水溶液から生成した高純度含水シリ
カゲルを80℃未満の無機酸で処理したのち、80℃以
上の硝酸、塩酸又はそれらの混酸から選ばれた無機酸で
処理し、次いで1000℃以上の温度で焼成することを
特徴とする超高純度シリカ粉の製造方法および該製造方
法で得られた超高純度シリカ粉に係る。
ルカリ水溶液から生成した高純度含水シリカゲルを80
℃未満の無機酸で処理したのち、80℃以上の硝酸、塩
酸又はそれらの混酸から選ばれた無機酸で処理(以下無
機酸の2段階処理という)したのち、純水で洗浄、乾燥
し、次いで1000℃以上の温度で焼成する超高純度の
シリカ粉を製造する方法であるが、前記「珪酸アルカリ
水溶液」とは、液状の水ガラスであって、アルカリと珪
酸系ガラスの濃厚水溶液のことをいう。また、「無機
酸」とは各種の一般的な無機酸及びそれらの混酸をい
い、二酸化珪素を溶かすフッ化水素酸は含まない。特に
好適な無機酸としては、硫酸、塩酸、硝酸ならびに塩酸
及び/または硝酸とその他の無機酸を任意の割合で含有
する混酸が挙げられる。前記無機酸は含水シリカゲルの
形成や無機酸の2段階処理において使用されるが、使用
無機酸は同一でもまた異なっていてもよい。好ましく
は、無機酸の種類により抽出し易い元素が異なるところ
から無機酸の2段階処理の第1段目と第2段目で無機酸
を異ならせるのが好ましい。前記無機酸の2段階処理に
あっては、第1段目の処理を80℃未満、好ましくは4
0〜75℃の温度で行う。第1段目の処理を80℃以上
の温度で行うと不純物の抽出が良好に行われ有利である
が、1次粒子の成長を伴い、第2段目での鉄元素の抽出
を困難にする。また、第2段目の処理では塩酸、硝酸又
はそれらの混酸から選ばれた無機酸を用い、抽出温度8
0℃以上で処理する。このように処理温度が高く、しか
も鉄元素の抽出能力の高い塩酸、硝酸又はそれらの混酸
から選ばれた無機酸を使用することから、第1段目で不
純物の抽出を終えた含水シリカゲル中の鉄元素が良好に
抽出され、該鉄元素濃度が80ppb以下となる。前記
無機酸の2段階処理における無機酸の濃度は1〜30重
量%、好ましくは5〜15重量%の範囲がよく、またそ
の処理時間は1〜20時間、好ましくは3〜10時間が
よい。
シリカゲルの製造方法としては、例えば特開昭59ー5
4632号公報記載の珪酸アルカリの水溶液を水素イオ
ン濃度1.5以下の強酸性で処理する方法、或は特公平
5−35087号公報、特公平7−57685号公報等
に記載の珪酸アルカリの水溶液をノズルから無機酸紡糸
浴に紡出して繊維状ゲル中空体又は中実体を得る方法な
どが挙げられるれる。
粒子とその間隙をなす細孔の集合体として構成されてい
るが、不純物の抽出はこれら1次粒子内に存在する不純
物元素を細孔を通してシリカゲルの外へ移動させる操作
である。1次粒子はシリカ分子の密な集合体であるか
ら、不純物の抽出速度は1次粒子の大きさにコントロー
ルされ、1次粒子の粒子径が小さければ小さい程抽出が
有利となる。
(1)
粒子径(nm)である)の関係がある。
ルの比表面積が400m2/g以上となると不純物の抽
出が容易になるが、反対に比表面積が400m2/g未
満では1次粒子径が成長し過ぎ微量なレベルでの不純物
の抽出が困難となることがわかっている。そのため、本
発明にあっては含水シリカゲルの比表面積を400m2
/g以上とする。前記比表面積はマイクロトラックベー
タソープ自動表面積計モデル4200(日揮装株式会社
製)を用いたBET法で測定するのがよい。
機酸処理で、溶出した鉄元素濃度が含水シリカゲル中の
二酸化珪素1グラム当たり10ナノグラムを超える場合
には、無機酸を新たに取り替えた上で前記無機酸処理を
複数回繰り返し、鉄元素濃度を含水シリカゲル中の二酸
化珪素1グラム当たり10ナノグラム以下とするのがよ
い。前記高純度の含水シリカゲルを焼成することで鉄元
素濃度80ppb以下の超高純度のシリカ粉が製造でき
る。これは、含水シリカゲルの表層部近傍の鉄元素が浸
出されても中心部分では鉄元素が残るため、製造された
シリカ粉中の平均鉄元素濃度は80ppb以下となるこ
とによる。
を多くする程鉄元素が多く抽出できるが、その反面処理
できるシリカゲル量が少なくなるので、両者のバランス
を配慮した使用量の範囲が選ばれる。通常、使用する無
機酸の濃度範囲は1〜30重量%、好ましくは5〜15
重量%、さらに好ましくは7〜12重量%である。一
方、含有シリカゲルに関しては二酸化珪素基準で3〜3
0重量%、好ましくは5〜20重量%、さらに好ましく
は7〜15重量%である。
鉄元素濃度が80ppb以下と超高純度であるところか
ら半導体工業で使用する各種部材の原料、LSIの製造
に用いる封止剤用充填物はもとより単結晶引上げ用ルツ
ボの製造用原料としても有効に使用できる。前記シリカ
粉を用いた単結晶引上げ用ルツボの製造にあってはルツ
ボ全体を前記シリカ粉で形成してもよいが、回転してい
る型内に結晶質天然石英粉を供給してルツボ形状の粉体
層を形成し、粉体層の内面から加熱して前記粉体層を溶
融させて製造した多気泡のルツボ基体内を高温雰囲気に
し、そこに前記シリカ粉を供給し、部分的に溶融させな
がら付着させて透明シリカガラス層を形成してもよい。
細に説明するが、本発明はそれにより限定されるもので
はない。
度を300センチポイズとした。この水ガラス8リット
ルをポンプで加圧し、濾過機(目開き70μm)を経て
ノズル(孔径0.2mm、孔数50個)を通して、50
℃に保持された15重量%硫酸水溶液300リットルを
入れた凝固浴中に毎分24mの速度で紡出して繊維状シ
リカを得た。この繊維状シリカを酸含有液として10倍
量の新たに調製した15重量%硫酸水溶液中に浸漬して
温度75℃で約1時間攪拌して不純物の抽出を行い、繊
維状含水シリカを分離した。次いで前記繊維状含水シリ
カを10倍量の純水を用いて4回洗浄したのち濾過して
繊維状含水シリカゲルを得、その10グラムを分取して
50℃で減圧乾燥したのちBET法で比表面積を測定し
たところ700m2/gであった。一方、繊維状含水シ
リカゲルを1グラム分取して電気炉で1200℃で焼成
したところ0.55グラムの二酸化珪素を得た。
きフッ素樹脂容器にとり、20%硫酸を10ml加えて
蓋をし、ステンレス製鞘容器内に挿入し密封し、75℃
で4時間加熱した。冷却後硫酸中の鉄元素濃度を測定し
たところ120ナノグラムであった。この含水シリカゲ
ル2グラムには1.1グラムの二酸化珪素に相当するシ
リカが含まれているから、二酸化珪素1グラム当たり1
09ナノグラムの鉄元素が溶出していることがわかる。
この繊維状含水シリカゲルを抽出水からデカンテーショ
ンにより分離し、20%塩酸を10ミリリットル加え
て、95℃で4時間加熱処理を繰り返した。抽出された
鉄元素は二酸化珪素1グラム当たり10ナノグラム以下
であった。得られた繊維状含水シリカゲルを濾別し乾燥
したのち1200℃で焼成してシリカ粉を得た。該シリ
カ粉中の鉄元素濃度を測定したところ60ppbであっ
た。
っくりと50℃に保持した15重量%の硫酸水溶液1リ
ットルを入れたフッ素樹脂製ビーカーに滴下した。滴下
終了後攪拌しながら30分保持した。得られた塊状シリ
カを、酸含有液として10倍量の新たに調製した15重
量%硫酸水溶液中に浸漬して温度75℃で約1時間攪拌
して不純物の抽出を行い、含水シリカを酸含有液から分
離した。前記含水シリカを10倍量の純水を用いて4回
洗浄したのち濾過して塊状含水シリカゲルを分離した。
これを実施例1と同様に蓋付きフッ素樹脂容器中に入れ
20%硝酸を用いて95℃で4時間加熱処理を行った。
得られたシリカ粉中の鉄元素濃度は40ppbであっ
た。
とした以外、実施例1と同様の処理を繰り返したとこ
ろ、得られたシリカ粉中の鉄元素濃度は400ppbで
あった。
95℃とした以外、実施例1と同様の処理を繰り返した
ところ、得られたシリカ粉中の鉄元素濃度は300pp
bであった。
比表面積300m2/gの繊維状含水シリカゲルとし、
実施例1と同一条件での無機酸処理を行った。得られた
繊維状含水シリカゲル中の鉄元素濃度を測定したところ
500ppbであった。さらに3回前記処理を繰り返し
たが鉄元素濃度は500ppbのままであった。
ppb以下とすることができるとともに、放射性元素濃
度を1ppb以下にできる。このように超高純度である
上に鉄元素濃度が80ppb以下であるところから半導
体工業で使用する各種部材の原料として、またLSIの
製造に用いる封止剤用充填物として、さらに単結晶引き
上げ用ルツボの製造原料として有効に利用できる。
Claims (6)
- 【請求項1】珪酸アルカリ水溶液から生成した高純度含
水シリカゲルを80℃未満の無機酸で処理したのち、8
0℃以上の硝酸、塩酸又はそれらの混酸から選ばれた無
機酸で処理し、次いで1000℃以上の温度で焼成する
ことを特徴とする超高純度シリカ粉の製造方法。 - 【請求項2】80℃未満の無機酸処理と80℃以上の硝
酸、塩酸又はそれらの混酸から選ばれた無機酸による処
理とで無機酸を違えることを特徴とする請求項1記載の
超高純度シリカ粉の製造方法。 - 【請求項3】80℃以上の硝酸、塩酸又はそれらの混酸
から選ばれた無機酸による処理を無機酸に抽出される鉄
元素濃度が含水シリカゲル中の二酸化珪素1グラム当た
り10ナノグラム以下となるまで繰り返すことを特徴と
する請求項1又は2記載の超高純度シリカ粉の製造方
法。 - 【請求項4】高純度含水シリカゲルの比表面積が400
m/g以上であることを特徴とする請求項1ないし3の
いずれか1記載の超高純度シリカ粉の製造方法。 - 【請求項5】高純度含水シリカゲルが珪酸アルカリの水
溶液を無機酸の紡糸浴に紡出して生成した高純度繊維状
シリカゲルであることを特徴とする請求項1ないし4の
いずれか1記載の超高純度シリカ粉の製造方法。 - 【請求項6】請求項1記載の製造方法で得られた超高純
度シリカ粉であって、鉄元素濃度が80ppb以下であ
ることを特徴とする超高純度シリカ粉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17917697A JP4000399B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 超高純度シリカ粉の製造方法および該製造方法で得られた超高純度シリカ粉並びにそれを用いた石英ガラスルツボ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17917697A JP4000399B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 超高純度シリカ粉の製造方法および該製造方法で得られた超高純度シリカ粉並びにそれを用いた石英ガラスルツボ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1111929A true JPH1111929A (ja) | 1999-01-19 |
JP4000399B2 JP4000399B2 (ja) | 2007-10-31 |
Family
ID=16061275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17917697A Expired - Lifetime JP4000399B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 超高純度シリカ粉の製造方法および該製造方法で得られた超高純度シリカ粉並びにそれを用いた石英ガラスルツボ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4000399B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003002473A1 (fr) * | 2001-06-27 | 2003-01-09 | M. Watanabe & Co., Ltd. | Particules de silice vitreuse synthetique de grande purete |
US7140201B2 (en) | 1999-12-28 | 2006-11-28 | M. Watanabe & Co., Ltd. | Method for producing silica particles |
JP2013209243A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Taiheiyo Cement Corp | 高純度シリカの製造方法 |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP17917697A patent/JP4000399B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7140201B2 (en) | 1999-12-28 | 2006-11-28 | M. Watanabe & Co., Ltd. | Method for producing silica particles |
WO2003002473A1 (fr) * | 2001-06-27 | 2003-01-09 | M. Watanabe & Co., Ltd. | Particules de silice vitreuse synthetique de grande purete |
JP2013209243A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Taiheiyo Cement Corp | 高純度シリカの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4000399B2 (ja) | 2007-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4676964A (en) | Process for purifying silica | |
JPH05506420A (ja) | 高純度溶融シリカの製造方法 | |
TWI221149B (en) | Method for producing synthetic quartz glass | |
JPS60204613A (ja) | 高純度シリカゲルの製造方法 | |
JPH0481526B2 (ja) | ||
JPS61158810A (ja) | 高純度シリカゾルの製造法 | |
TW200930663A (en) | Method of recycling fluoride from a waste solution including hydrofluoric acid to produce fluosilicate | |
CN108675310A (zh) | 以氟硅酸为原料制备超纯石英砂的方法 | |
JPH1111929A (ja) | 超高純度シリカ粉の製造方法および該製造方法で得られた超高純度シリカ粉 | |
JP4070154B2 (ja) | 超高純度シリカ粉及びその製造方法、並びに前記超高純度シリカ粉を用いた単結晶引上げ用シリカガラスルツボ | |
GB2222823A (en) | A process for producing high purity silica | |
US4693878A (en) | Process for the production of soluble alkali silicates | |
JP2733863B2 (ja) | 球状シリカの製造方法 | |
CN108793176A (zh) | 以四氟化硅为原料制备超纯石英砂的方法 | |
JP4649677B2 (ja) | 高純度シリカ粒子の製造方法、これにより得られた高純度シリカ粒子及びこれを用いた高純度石英ガラス粒子の製造方法 | |
JPS60180911A (ja) | 高純度シリカおよびその製造法 | |
JPS6117416A (ja) | 高純度シリカおよびその製造方法 | |
JPH0516372B2 (ja) | ||
JPH0457606B2 (ja) | ||
US3445199A (en) | Preparation of zirconium compounds | |
JP3318988B2 (ja) | ジルコニウム塩化物水溶液の製造法 | |
JPH01278424A (ja) | アンチモン酸ソーダの製造法 | |
JPH0234528A (ja) | 石英ガラスの製造方法 | |
CN118702115A (zh) | 一种高纯石英砂及其制备方法 | |
JPH03223107A (ja) | 球状シリカの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040517 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060925 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070724 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070725 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130824 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |