JPH11118571A - 質量流量センサ - Google Patents
質量流量センサInfo
- Publication number
- JPH11118571A JPH11118571A JP10229699A JP22969998A JPH11118571A JP H11118571 A JPH11118571 A JP H11118571A JP 10229699 A JP10229699 A JP 10229699A JP 22969998 A JP22969998 A JP 22969998A JP H11118571 A JPH11118571 A JP H11118571A
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- JP
- Japan
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- mass flow
- flow sensor
- resistance
- resistor
- membrane
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6845—Micromachined devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
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- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F25/00—Testing or calibration of apparatus for measuring volume, volume flow or liquid level or for metering by volume
- G01F25/10—Testing or calibration of apparatus for measuring volume, volume flow or liquid level or for metering by volume of flowmeters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 緊定領域における膜の破損を確実に検知す
る。 【解決手段】 薄い担体が強固な担体に結合されてい
る、前記薄い担体の緊定領域に、薄い担体の破損を検知
するための抵抗が設けられており、該破損検知のための
抵抗が、緊定領域に破損が生じた場合に中断されるよう
になっているようにした。
る。 【解決手段】 薄い担体が強固な担体に結合されてい
る、前記薄い担体の緊定領域に、薄い担体の破損を検知
するための抵抗が設けられており、該破損検知のための
抵抗が、緊定領域に破損が生じた場合に中断されるよう
になっているようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄い担体と、該薄
い担体に配置された抵抗素子とを備えた質量流量センサ
であって、前記薄い担体が、小さな熱伝導率を有してい
て且つ機械的に強固な厚い担体に固定されている形式の
ものに関する。
い担体に配置された抵抗素子とを備えた質量流量センサ
であって、前記薄い担体が、小さな熱伝導率を有してい
て且つ機械的に強固な厚い担体に固定されている形式の
ものに関する。
【０００２】
【従来の技術】米国特許第４８８９８８号明細書に基づ
き、抵抗素子が配置された薄い担体を有する質量流量セ
ンサが既に公知である。前記の薄い担体は、機械的に強
固な厚い担体に固定されている。この薄い単体は、電気
的な膜として形成されており、この膜は、シリコンから
成る厚い担体に固定されている。この膜には複数の抵抗
素子が配置されているが、これらの抵抗素子の内のひと
つも、緊定領域における膜の破損を検知することができ
るようには、配置されていない。
き、抵抗素子が配置された薄い担体を有する質量流量セ
ンサが既に公知である。前記の薄い担体は、機械的に強
固な厚い担体に固定されている。この薄い単体は、電気
的な膜として形成されており、この膜は、シリコンから
成る厚い担体に固定されている。この膜には複数の抵抗
素子が配置されているが、これらの抵抗素子の内のひと
つも、緊定領域における膜の破損を検知することができ
るようには、配置されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、緊定
領域における膜の破損を確実に検知することである。
領域における膜の破損を確実に検知することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明では、薄い担体が強固な担体に結合されてい
る、前記薄い担体の緊定領域に、薄い担体の破損を検知
するための抵抗が設けられており、該破損検知のための
抵抗が、緊定領域に破損が生じた場合に中断されるよう
になっているようにした。
に本発明では、薄い担体が強固な担体に結合されてい
る、前記薄い担体の緊定領域に、薄い担体の破損を検知
するための抵抗が設けられており、該破損検知のための
抵抗が、緊定領域に破損が生じた場合に中断されるよう
になっているようにした。
【０００５】
【発明の効果】請求項１の特徴部に記載の本発明による
質量流量センサは、従来のものに比べて、薄い担体の緊
定領域における膜の破損を確実に検知することができる
という利点を有している。従って、このような形式の質
量流量センサは診断能力を有している、即ち、抵抗素子
が配置されている薄い担体が、機械的にまだ損傷されて
いないかを検出することができる。従ってこのような形
式のセンサは、安全基準が遵守される環境、例えば自動
車の吸気管においても使用できる。
質量流量センサは、従来のものに比べて、薄い担体の緊
定領域における膜の破損を確実に検知することができる
という利点を有している。従って、このような形式の質
量流量センサは診断能力を有している、即ち、抵抗素子
が配置されている薄い担体が、機械的にまだ損傷されて
いないかを検出することができる。従ってこのような形
式のセンサは、安全基準が遵守される環境、例えば自動
車の吸気管においても使用できる。
【０００６】請求項２以下に記載の構成手段により、請
求項１に記載の質量流量センサの有利な改良が可能とな
る。
求項１に記載の質量流量センサの有利な改良が可能とな
る。
【０００７】機械的負荷の大きな領域に破損検知のため
の抵抗を配置することにより、破損が直ちに検知される
ということが保証される。それというのも、破損はこれ
らの箇所に最初に生ずるからである。このような形式の
破損検知のための抵抗は、縦長の緊定領域において、有
利には長手方向に対して直角に配置される。破損検知の
ための抵抗は、有利には抵抗素子と同じ材料から成る薄
膜抵抗として形成されると有利である。破損検知のため
の抵抗と抵抗素子とは、有利には同じ材料層からパター
ン化される。特に、機械的に強固な担体がシリコンから
形成されている場合は、薄い担体のために、酸化珪素、
窒化珪素、又はこの２つの材料の複合物が特に適してい
る。有利な一例としては、フレーム状の強固な担体の全
辺によって緊定されている方形の膜が挙げられる。その
場合、破損検知のための抵抗は、メアンダ状の抵抗とし
て縦側に形成されるか、又は方形の膜の三辺を包囲する
メアンダ状の抵抗として形成される。
の抵抗を配置することにより、破損が直ちに検知される
ということが保証される。それというのも、破損はこれ
らの箇所に最初に生ずるからである。このような形式の
破損検知のための抵抗は、縦長の緊定領域において、有
利には長手方向に対して直角に配置される。破損検知の
ための抵抗は、有利には抵抗素子と同じ材料から成る薄
膜抵抗として形成されると有利である。破損検知のため
の抵抗と抵抗素子とは、有利には同じ材料層からパター
ン化される。特に、機械的に強固な担体がシリコンから
形成されている場合は、薄い担体のために、酸化珪素、
窒化珪素、又はこの２つの材料の複合物が特に適してい
る。有利な一例としては、フレーム状の強固な担体の全
辺によって緊定されている方形の膜が挙げられる。その
場合、破損検知のための抵抗は、メアンダ状の抵抗とし
て縦側に形成されるか、又は方形の膜の三辺を包囲する
メアンダ状の抵抗として形成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面につき詳しく説明する。
面につき詳しく説明する。
【０００９】図１には、質量流量センサ１の平面図が示
されている。この質量流量センサ１は、単結晶シリコン
から成るフレーム２と、このフレーム内で緊定された誘
電性の膜３とを有している。この誘電性の膜３には、抵
抗素子４が配置されており、この抵抗素子４は、フレー
ム２に設けられた２つの接触領域６に導体路５を介して
接続されている。このような形式の配置は、米国特許第
４８８９８８号明細書に基づき既に公知の配置形式に相
応する。両接触領域６の間に電圧を印加することによ
り、導体路５を介して電流が抵抗素子４を通って導かれ
る。この電流は、抵抗素子４を加熱しひいては膜３をも
加熱する。この膜３は流過する空気量によって冷却さ
れ、しかもこの冷却は、抵抗素子４の抵抗を計測するこ
とによって検出することができる。前掲の米国特許第４
８８９８８号明細書に記載されているように、やはり抵
抗素子として形成されている更に別の温度計測エレメン
トを、膜３に配置することができる。既に前掲の米国特
許第４８８９８８号明細書に説明されているように、製
造にあたっては、プレート状のシリコン基板に、有利に
は酸化珪素、窒化珪素、又はこの２つの材料の複合物か
ら成る薄層が被着される。次いで、誘電性の膜のための
この層において、抵抗素子４のための金属層が全面的に
析出させられる。次いでパターン化によって、抵抗素子
４が金属層から形成される。その後更に、別の被覆層を
被着することができる。
されている。この質量流量センサ１は、単結晶シリコン
から成るフレーム２と、このフレーム内で緊定された誘
電性の膜３とを有している。この誘電性の膜３には、抵
抗素子４が配置されており、この抵抗素子４は、フレー
ム２に設けられた２つの接触領域６に導体路５を介して
接続されている。このような形式の配置は、米国特許第
４８８９８８号明細書に基づき既に公知の配置形式に相
応する。両接触領域６の間に電圧を印加することによ
り、導体路５を介して電流が抵抗素子４を通って導かれ
る。この電流は、抵抗素子４を加熱しひいては膜３をも
加熱する。この膜３は流過する空気量によって冷却さ
れ、しかもこの冷却は、抵抗素子４の抵抗を計測するこ
とによって検出することができる。前掲の米国特許第４
８８９８８号明細書に記載されているように、やはり抵
抗素子として形成されている更に別の温度計測エレメン
トを、膜３に配置することができる。既に前掲の米国特
許第４８８９８８号明細書に説明されているように、製
造にあたっては、プレート状のシリコン基板に、有利に
は酸化珪素、窒化珪素、又はこの２つの材料の複合物か
ら成る薄層が被着される。次いで、誘電性の膜のための
この層において、抵抗素子４のための金属層が全面的に
析出させられる。次いでパターン化によって、抵抗素子
４が金属層から形成される。その後更に、別の被覆層を
被着することができる。
【００１０】抵抗素子４の放熱量をわずかに保つために
は、誘電性の膜３は極めて薄く形成されていて、１マイ
クロメートルよりも下のオーダで形成されるのが一般的
である。これに対して、フレーム２は、機械的に比較的
強固である。薄い膜３は一般に、この膜３の膜厚さより
もはるかに大きな領域に亘って張設されている。膜３の
上面及び下面に圧力差が生じると、この膜３に強い機械
的負荷がかけられる可能性がある。この機械的負荷は、
膜３の亀裂又は破損を生ぜしめる恐れがある。このよう
な破損は、図示の膜３の方形形状においては一般に、機
械的に強固なフレーム２のすぐ近くで方形の膜３の縦縁
で生ぜしめられる。つまり、以下に緊定領域と呼ばれる
この領域において最大の機械的な応力が生じるので、亀
裂又は破損は優先的にまずこれらの箇所で形成される。
このような亀裂又は破損は、膜３を破壊するか、又は膜
３の放熱特性を変化させる。それというのも、膜３は破
損領域において、熱的に最早フレーム２に結合されてい
ないからである。従って、質量流量センサのためには、
破損又は亀裂が膜３に生じているかどうかを検出するこ
とが望ましい。このためには本発明によれば、緊定領
域、即ち最大の機械的な応力が生じる領域に、破損検知
のための複数の抵抗７が配置される。破損検知のための
抵抗７は、フレーム２に設けられた複数の接続領域９に
導体路８を介してそれぞれ接続されている。破損検知の
ための抵抗７は、実施例ではメアンダ状の抵抗７として
形成されている。これらの抵抗７は、縦長のストリップ
として形成されている緊定領域を、この緊定領域に対し
て直角な方向で複数回横断している。この場合、膜３の
短小な破損ですら確実に検知される。それというのも、
破損検知のための抵抗７の少なくとも１つのメアンダ区
分が中断されるからである。従って、各接続領域９間の
抵抗測定により抵抗の急激な上昇が認められ、この抵抗
上昇は、膜３に生じた破損の確実なサインである。
は、誘電性の膜３は極めて薄く形成されていて、１マイ
クロメートルよりも下のオーダで形成されるのが一般的
である。これに対して、フレーム２は、機械的に比較的
強固である。薄い膜３は一般に、この膜３の膜厚さより
もはるかに大きな領域に亘って張設されている。膜３の
上面及び下面に圧力差が生じると、この膜３に強い機械
的負荷がかけられる可能性がある。この機械的負荷は、
膜３の亀裂又は破損を生ぜしめる恐れがある。このよう
な破損は、図示の膜３の方形形状においては一般に、機
械的に強固なフレーム２のすぐ近くで方形の膜３の縦縁
で生ぜしめられる。つまり、以下に緊定領域と呼ばれる
この領域において最大の機械的な応力が生じるので、亀
裂又は破損は優先的にまずこれらの箇所で形成される。
このような亀裂又は破損は、膜３を破壊するか、又は膜
３の放熱特性を変化させる。それというのも、膜３は破
損領域において、熱的に最早フレーム２に結合されてい
ないからである。従って、質量流量センサのためには、
破損又は亀裂が膜３に生じているかどうかを検出するこ
とが望ましい。このためには本発明によれば、緊定領
域、即ち最大の機械的な応力が生じる領域に、破損検知
のための複数の抵抗７が配置される。破損検知のための
抵抗７は、フレーム２に設けられた複数の接続領域９に
導体路８を介してそれぞれ接続されている。破損検知の
ための抵抗７は、実施例ではメアンダ状の抵抗７として
形成されている。これらの抵抗７は、縦長のストリップ
として形成されている緊定領域を、この緊定領域に対し
て直角な方向で複数回横断している。この場合、膜３の
短小な破損ですら確実に検知される。それというのも、
破損検知のための抵抗７の少なくとも１つのメアンダ区
分が中断されるからである。従って、各接続領域９間の
抵抗測定により抵抗の急激な上昇が認められ、この抵抗
上昇は、膜３に生じた破損の確実なサインである。
【００１１】破損検知のための抵抗７が、抵抗素子４と
同じ材料から形成されると有利である。これにより得ら
れる利点は、抵抗素子４も破損検知のための抵抗７も同
一の層から形成できる点にある。更に、導体路８，５と
接続領域６，９とを同じ層から形成することも、勿論可
能である。
同じ材料から形成されると有利である。これにより得ら
れる利点は、抵抗素子４も破損検知のための抵抗７も同
一の層から形成できる点にある。更に、導体路８，５と
接続領域６，９とを同じ層から形成することも、勿論可
能である。
【００１２】図３には、図１に示した質量流量センサの
横断面図が示されている。この図３に示した、フレーム
２と膜３と抵抗素子４と破損検知のための抵抗７との横
断面図から判るように、膜３とフレーム２との間の移行
領域には、それぞれ１つのシャープな縁部１０が形成さ
れている。これらの縁部１０は、切欠き効果を生ぜしめ
ひいては緊定領域における機械的な応力の発生を増大さ
せる。従って、膜３に機械的負荷がかけられた場合に
は、この負荷が点状の負荷でない限り又は膜３の任意の
箇所が弱化されている限り、通常亀裂又は破損が生じ、
この亀裂又は破損は優先的に前記のシャープな縁部１０
付近に生じる。まさしくこれらの領域が、メアンダ状に
形成されている破損検知のための抵抗７によって何度も
横切られているので、膜３に亀裂又は破損が生じた場合
には、抵抗７のメアンダ区分が確実に機械的に中断さ
れ、この結果、抵抗７の電気抵抗が著しく増大せしめら
れるようになる。
横断面図が示されている。この図３に示した、フレーム
２と膜３と抵抗素子４と破損検知のための抵抗７との横
断面図から判るように、膜３とフレーム２との間の移行
領域には、それぞれ１つのシャープな縁部１０が形成さ
れている。これらの縁部１０は、切欠き効果を生ぜしめ
ひいては緊定領域における機械的な応力の発生を増大さ
せる。従って、膜３に機械的負荷がかけられた場合に
は、この負荷が点状の負荷でない限り又は膜３の任意の
箇所が弱化されている限り、通常亀裂又は破損が生じ、
この亀裂又は破損は優先的に前記のシャープな縁部１０
付近に生じる。まさしくこれらの領域が、メアンダ状に
形成されている破損検知のための抵抗７によって何度も
横切られているので、膜３に亀裂又は破損が生じた場合
には、抵抗７のメアンダ区分が確実に機械的に中断さ
れ、この結果、抵抗７の電気抵抗が著しく増大せしめら
れるようになる。
【００１３】本発明は勿論、誘電性の膜のためだけに使
用されるのではなく、一般的に、機械的に強固な担体に
比較的薄い担体が固定されている場合にも使用され得
る。その場合、破損の危険性のある領域は常に緊定領域
である。即ち、機械的に強固な担体が薄い担体に移行す
る領域である。破損検知のための適当な抵抗を配置する
ことにより、一般にこの領域における破損を検知するこ
とができる。
用されるのではなく、一般的に、機械的に強固な担体に
比較的薄い担体が固定されている場合にも使用され得
る。その場合、破損の危険性のある領域は常に緊定領域
である。即ち、機械的に強固な担体が薄い担体に移行す
る領域である。破損検知のための適当な抵抗を配置する
ことにより、一般にこの領域における破損を検知するこ
とができる。
【００１４】図２には、本発明の別の実施例が示されて
いる。図示の質量流量センサ１は、やはり単結晶シリコ
ンから成るフレーム２を有しており、このフレーム２に
は、誘電性の材料から成る膜３が緊定されている。この
膜３には、やはり抵抗素子４が配置されている。しか
し、図１に示した質量流量センサとは異なり、破損検知
のための抵抗７は２つではなく、ただ１つしか設けられ
ていない。しかしこの抵抗７は、ほぼ全緊定領域にわた
って延びている。即ちこの抵抗７は、膜３をほとんど完
全に、少なくとも３辺において包囲している。抵抗素子
４の接触接続のための導体路５が配置されている領域の
みが開放される。このような配置形式により、唯一の抵
抗を用いて膜３のほぼ全緊定領域の破損を検査すること
ができる。
いる。図示の質量流量センサ１は、やはり単結晶シリコ
ンから成るフレーム２を有しており、このフレーム２に
は、誘電性の材料から成る膜３が緊定されている。この
膜３には、やはり抵抗素子４が配置されている。しか
し、図１に示した質量流量センサとは異なり、破損検知
のための抵抗７は２つではなく、ただ１つしか設けられ
ていない。しかしこの抵抗７は、ほぼ全緊定領域にわた
って延びている。即ちこの抵抗７は、膜３をほとんど完
全に、少なくとも３辺において包囲している。抵抗素子
４の接触接続のための導体路５が配置されている領域の
みが開放される。このような配置形式により、唯一の抵
抗を用いて膜３のほぼ全緊定領域の破損を検査すること
ができる。
【図１】本発明による質量流量センサの第１実施例の平
面図である。
面図である。
【図２】本発明による質量流量センサの第２実施例の平
面図である。
面図である。
【図３】質量流量センサの横断面図である。
１ 質量流量センサ、 ２ フレーム、 ３ 膜、 ４
抵抗素子、 ５ 導体路、 ６ 接続領域、 ７ 抵
抗、 ８ 導体路、 ９ 接続領域、 １０シャープな
縁部
抵抗素子、 ５ 導体路、 ６ 接続領域、 ７ 抵
抗、 ８ 導体路、 ９ 接続領域、 １０シャープな
縁部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴォルフガング ミュラー ドイツ連邦共和国 シュツットガルト ゾ ンマーハルデン シュトラーセ 38アー
Claims (8)
- 【請求項１】 薄い担体（３）と、該薄い担体（３）に
配置された抵抗素子（４）とを備えた質量流量センサ
（１）であって、前記薄い担体（３）が、小さな熱伝導
率を有していて且つ機械的に強固な厚い担体（２）に固
定されている形式のものにおいて、 薄い担体（３）が強固な担体（２）に結合されている、
前記薄い担体（３）の緊定領域に、薄い担体（３）の破
損を検知するための抵抗（７）が設けられており、該破
損検知のための抵抗が、緊定領域に破損が生じた場合に
中断されるようになっていることを特徴とする、質量流
量センサ。 - 【請求項２】 破損検知のための抵抗（７）が緊定領域
において、薄い担体（３）に機械的負荷がかけられた場
合に高い機械的な応力が発生せしめられる個所に配置さ
れている、請求項１記載の質量流量センサ。 - 【請求項３】 緊定領域が縦長に形成されており、破損
検知のための抵抗（７）の少なくとも一部分が、前記緊
定領域の長手方向に対してほぼ直角に延びている、請求
項１又は２記載の質量流量センサ。 - 【請求項４】 破損検知のための抵抗（７）が、薄膜抵
抗として形成されている、請求項１から３までのいずれ
か１項記載の質量流量センサ。 - 【請求項５】 抵抗素子（４）が、薄膜素子として形成
されていて、破損検知のための抵抗（７）のための材料
と同じ材料から成っている、請求項４記載の質量流量セ
ンサ。 - 【請求項６】 薄い担体が、酸化珪素、窒化珪素又はこ
の２つの材料の複合物から成る膜として形成されてお
り、強固な担体がシリコンから形成されている、請求項
１から５までのいずれか１項記載の質量流量センサ。 - 【請求項７】 前記膜が方形に形成されており、破損検
知のための抵抗（７）がメアンダ状の抵抗として方形の
前記膜の縦側に延びている、請求項６記載の質量流量セ
ンサ。 - 【請求項８】 薄い担体（３）が、方形の膜として形成
されており、抵抗（７）がメアンダ状の抵抗として、前
記膜（３）の少なくとも３辺に形成されている、請求項
６記載の質量流量センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19735666.4 | 1997-08-16 | ||
| DE19735666A DE19735666A1 (de) | 1997-08-16 | 1997-08-16 | Massenflußsensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11118571A true JPH11118571A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=7839248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10229699A Abandoned JPH11118571A (ja) | 1997-08-16 | 1998-08-14 | 質量流量センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6192749B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11118571A (ja) |
| KR (1) | KR19990023590A (ja) |
| DE (1) | DE19735666A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3433124B2 (ja) * | 1998-12-15 | 2003-08-04 | 株式会社日立製作所 | 熱式空気流量センサ |
| DE10210335A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-10-02 | Bosch Gmbh Robert | Membransensor |
| DE102012202035B4 (de) | 2012-02-10 | 2014-05-28 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement mit einer Membran |
| US9706322B2 (en) * | 2015-03-26 | 2017-07-11 | Honda Motor Co., Ltd. | System and method for leak detection in an engine sound transportation passageway |
| GB2558008B (en) * | 2016-12-20 | 2020-03-25 | Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd | MEMS device |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163673A (ja) * | 1987-09-18 | 1989-06-27 | Fujikura Ltd | 半導体装置の破断検知構造 |
| US4888988A (en) | 1987-12-23 | 1989-12-26 | Siemens-Bendix Automotive Electronics L.P. | Silicon based mass airflow sensor and its fabrication method |
| US4951510A (en) * | 1988-07-14 | 1990-08-28 | University Of Hawaii | Multidimensional force sensor |
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