JPH11112263A - 弾性表面波素子の製造方法、レチクル、および露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精度で生産性の高い弾性表面波素子の製造
方法を提供する。 【解決手段】 １個の弾性表面波素子を構成する電極パ
ターンが複数に分割して描画してあるレチクル１０の第
１の領域１０ａにはＩＤＴ１１のマスクパターンが配設
され、第２の領域１０ｂに反射器１２ａのマスクパター
ンが配設され、第３の領域１０ｃには反射器１２ｂのマ
スクパターンが配設されている。このレチクル１０の第
１の領域１０ａにより、ウエハ２１の素子領域２４ごと
に第１の領域２４ａを露光し、ついで、第２の領域１０
ｂにより第２の領域２４ｂを露光しさらに、レチクル１
０の第３の領域１０ｃにより第３の領域２４ｃを露光す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波フィル
タ、弾性表面波共振子などの弾性表面波素子の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、例えば移動体通信分野では弾性表
面波フィルタ、弾性表面波共振子等の弾性表面波素子の
利用が盛んである。

【０００３】これは、弾性表面波素子が、小型で表面実
装に対応可能であるため、現在利用されている様々な移
動体通信のシステムに対して柔軟に適応することができ
るためである。弾性表面波素子はこのような特徴を生か
し、例えば通信システムのＲＦ段やＩＦ段の周波数フィ
ルタとして用いられている。

【０００４】様々なシステムの要求、特に周波数に対応
するために、弾性表面波素子では、圧電性基板上の金属
電極の線幅やピッチを可変することにより対応する。具
体的には例えば数百ＭＨｚ〜ＧＨｚ帯の高い周波数に対
応するためには、弾性表面波素子のフィルタの電極線幅
やピッチを狭幅化することにより対応する。

【０００５】ここで、弾性表面波素子の一般的な製造方
法について説明する。弾性表面波素子は水晶、タンタル
酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四硼酸リチウムなどを
所定カット角で切り出した圧電性基板上にＡｌあるいは
Ａｌ−Ｃｕ系合金などの導電性膜をスパッタ法などによ
り成膜する。次に成膜された導電性膜をパターニングし
てＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄ
ｕｃｅｒ）、反射器、引き回し配線などを含む電極パタ
ーンにパターニングする。このパターニングは、例えば
圧電性基板上に成膜した導電性膜上にフォトレジストを
塗布し、形成する弾性表面波素子の単位素子分の電極パ
ターンが約５倍の大きさで描画されているマスク（以下
これをレチクルと呼ぶ）を縮小露光装置で５分の１に縮
小して、フォトレジスト上に転写する。ここで単位素子
とは、ダイシング工程で分離されて１個の弾性表面波素
子として機能する電極単位のことである。そして、現像
液により露光された部分のフォトレジストを取り除く。
さらに例えばリン酸を含む混酸のエッチング液によりフ
ォトレジストのない部分の導電性膜をエッチング除去す
る。最後に残っているフォトレジストを除去することに
よりパターニングは完了する。

【０００６】パターニングを終えたウエハ状態の圧電性
基板は、ダイシングにより個々のチップに切り出された
後、外囲器と呼ばれるパッケージにマウントされ、Ａ
ｌ、Ａｕなどのボンディングワイヤーを用いたワイヤボ
ンディング、Ａｕなどの導電性バンプを用いたフリップ
チップボンディング等により、弾性表面波素子とパッケ
ージとの電気的な接続を行う。最後に、パッケージに金
属のリッドを被せて気密封止することにより弾性表面波
装置が完成する。

【０００７】しかしながら、従来の製造方法には以下の
ような問題点があった。すなわち、従来の弾性表面波素
子の製造方法において、露光工程で用いられるレチクル
には、単位素子分の弾性表面波素子の金属電極パターン
が描画されている。そして露光工程では縮小光学系を備
えた露光装置を用いて、この単位素子分の電極パターン
ごとにウエハ上に成膜したレジストを露光していた。

【０００８】図１９は従来から用いられていた弾性表面
波素子の電極パターンが形成されたレチクルの例を概略
的に示す図である。レチクル９１には１対の櫛歯状電極
が対向噛み合わせ配置されたＩＤＴ１０１と、このＩＤ
Ｔ１０１が励振する弾性表面波の励振方向に配設された
反射器１０２ａ、１０２ｂとを有する弾性表面波素子の
電極パターン１００を透光性ガラス基板などに描画形成
してものである。レチクル９１に形成された弾性表面波
素子の電極パターン１００は、例えば実際の寸法の５倍
の大きさなどに拡大して描画されている。

【０００９】また図２０は図１９に例示したレチクルを
用いてウエハ上に形成されたレジストを露光する様子を
概略的に示す図である。ウエハ９２上には導電性膜９３
が成膜されており、導電性膜９３上にはフォトレジスト
９４が形成されている。図示しない光源から照射される
例えば紫外光などの照射光９１は、ブラインド９６によ
りレチクル９１に描画された電極パターン１００を含む
ような範囲に絞られて、レチクル９１に入射する。レチ
クル９１を通過した光は図示しない縮小光学系により実
際のスケールに縮小されてレジスト９４に入射する。し
たがってレジスト９４は、レチクル９１に形成された電
極パターン１００の縮小パターンに露光される。通常ウ
エハ上には多数の素子を形成しダイシング等により分離
するから、露光はウエハ上に形成される素子の数に対応
した回数だけ行われる。なお図２０では、レチクル９１
は図１９のＢＢに沿った断面を示している。

【００１０】このような縮小露光装置では、自動焦点機
構によりレチクル９１の中心に焦点が合うように自動的
に調整される。このため、レチクル９１の中心近傍の電
極パターン１００は焦点深度に余裕があり、レジスト９
４上に高い解像度を有するパターンを形成することがで
きる。これに対して、レチクル９１の中心から離れるに
したがい、ウエハの歪みとの関係から、ウエハに焦点深
度以上の変位を有する反りなどの変形があった場合に
は、露光される電極パターンの解像度は低くなってしま
い、ときには解像不良となることもある。この解像不能
となった部分は現像してもレジスト９４が残るため、導
電性膜９３のエッチングもできず、生産性を低下させる
大きな原因となっていた。

【００１１】これらの問題は弾性表面波素子のパターン
ピッチが粗い場合には特に問題とはならなかったが、近
年の高周波帯域の利用に伴う弾性表面波素子の電極ピッ
チの微細化により大きな問題となっている。例えば中心
周波数が約３１３．２ＭＨｚの弾性表面波素子の場合、
弾性表面波素子の長手方向（一般に弾性表面波の伝搬方
向と平行な方向である）の長さは約１０．７ｍｍ程度に
達するが、電極パターンの電極幅は約１．２５μｍ程
度、電極の配設ピッチは約２．５μｍ程度と非常に微細
なものとなっている。このように微細な電極パターンを
有する弾性表面波素子を製造する際に、解像度の低下に
よる精度の悪化、解像不良によるパターニングの不可能
などの問題が生じている。 このように従来の弾性表面
波素子の製造方法では、露光工程での露光装置の焦点深
度以上に圧電性基板の歪みが大きい場合には、フォトレ
ジストが完全に露光されない露光不良を生じてしまう。
レジストの露光不良は、パターニング不良や、導電性膜
のパターニング異常による電極のショートを引き起こ
し、弾性表面波素子の生産性を低下させる大きな原因と
なっている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題を解決するためになされたものである。すなわち本発
明は、非常に微細な電極パターンを有する弾性表面波素
子を、高い精度で製造することができる弾性表面波素子
の製造方法を提供することを目的とする。また本発明
は、非常に微細な電極パターンを有する弾性表面波素子
を、高い生産性で製造することができる弾性表面波素子
の製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】本発明は高精度の露光を行うことができる
レチクルを提供することを目的とする。また本発明は、
１枚のウエハ上に複数の異なる弾性表面波素子を形成す
ることができるレチクルを提供することを目的とする。

【００１４】本発明は高精度で露光を行うことができる
露光装置を提供することを目的とする。また露光不良を
なくし生産性を向上することができる露光装置を提供す
ることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため本発明は以下のような構成を採用している。

【００１６】本発明の弾性表面波素子の製造方法は、ウ
エハ上に第１の領域と第２の領域を有するレジストを積
層する工程と、第１の領域と第２の領域とを有する弾性
表面波素子のパターンが形成されたレチクルの前記第１
の領域に光を照射して前記レジストの前記第１の領域を
露光する工程と、前記レチクルの前記第２の領域に光を
照射して前記レジストの前記第２の領域を露光する工程
とを有することを特徴とする。ここで第１の領域と第２
の領域はウエハ上に複数有するようにしてもよい。また
例えばウエハ上に複数の素子領域を配設し、個々の素子
領域内を複数に分割して露光するように第１の領域、第
２の領域を形成するようにしてもよい。前記レジストは
前記第１の領域と前記第２の領域とを複数有し、前記第
２の工程は前記第１の領域の露光をすべて終えた後に行
うようにしてもよい。すなわち、ウエハには複数の素子
領域が構成されているから、各素子領域の第１の領域を
ウエハ全体にわたって順次露光し、ついで各素子領域の
第２の領域をウエハ全体にわたって順次露光するように
してもよい。

【００１７】本発明の弾性表面波素子の製造方法は、ウ
エハ上に第１の領域と第２の領域を有するレジストを積
層する工程と、弾性表面波素子を構成する第１の電極パ
ターンが形成された第１のレチクルに光を照射して前記
レジストの前記第１の領域を露光する工程と、前記弾性
表面波素子を構成する第２の電極パターンが描画された
第２のレチクルにより前記レジストの前記第２の領域を
露光する工程とを有することを特徴とする。この方法で
は１個の弾性表面波素子を露光するときに、複数のレチ
クルを交換しながら露光するものである。このような構
成を採用することにより、歪みの小さなレチクル上の領
域のみにマスクパターンを配設することができる。

【００１８】本発明のレチクルは、弾性表面波素子を構
成するＩＤＴまたは反射器から選択された第１の要素と
第２の要素のマスクパターンが配設されたレチクルにお
いて、前記第１の要素の前記マスクパターンおよび前記
第２の要素の前記マスクパターンとは、前記第１の要素
および前記第２の要素の弾性表面波の励振方向、受信方
向または反射方向が実質的に平行になるように、かつ、
前記レチクルの中央部からの距離がほぼ等しくなるよう
に配置されたことを特徴とする。すなわちこのレチクル
は、実際に構成する弾性表面波素子の電極パターンの構
成要素に対応するマスクパターンが、実際のレイアウト
とは異なって配設されているものである。１個の弾性表
面波素子を構成するＩＤＴ、反射器、引き回し電極など
の要素は１枚のレチクル上に離散的に配設するようにし
てもよいし、複数枚のレチクルの分割配置するようにし
てもよい。

【００１９】本発明の露光装置は、第１の領域と第２の
領域とを有するレジストが成膜されたウエハを保持する
保持手段と、前記レジストを感光させる光源と、前記光
源と前記ウエハ保持手段との間に配設され、第１の領域
と第２の領域とを有する弾性表面波素子のマスクパター
ンが形成されたレチクルと、前記光源と前記レチクルと
の間に配設され、前記レチクルの前記第１の領域または
前記第２の領域が選択的に照射されるように前記光源光
を遮光する遮光手段と、前記レチクルの前記第１の領域
に前記光源光が照射されたとき前記レジストの前記第１
の領域が露光されるように、かつ前記レチクルの前記第
２の領域に前記光源光が照射されたとき前記レジストの
前記第２の領域が露光されるように、前記光源、前記遮
光手段、前記レチクル、または前記ウエハの位置関係を
調節する手段とを具備したことを特徴とする。

【００２０】すなわち本発明は、例えば弾性表面波素子
などのように、基板上に電極パターンが離散的に配置さ
れる構成の素子等をフォトエッチングプロセスを用いて
製造する際に、電極パターンを分割して複数段階にわた
って露光することにより、レジスト上に精度の高い像を
結び、露光不良を低減したものである。例えば弾性表面
波素子は、圧電性基板上で電気信号を弾性表面波に変換
し、伝搬する弾性表面波素子を受信して電気信号に再変
換したり、また伝搬する弾性表面波を反射器で共振させ
たりして用いる素子であり、例えば励振ＩＤＴと受信Ｉ
ＤＴ、ＩＤＴと反射器とは離散的に分離して配設される
ことから、これらの要素ごとに複数段階に分離してパタ
ーニングを行うことができる。

【００２１】また、圧電性基板と前記圧電性基板上に弾
性表面波を励振するための電極を有する弾性表面波素子
の製造方法において、導電性膜を積層する第１の工程
と、前記導電性膜上にフォトレジストを積層する第２の
工程と、前記フォトレジストに、前記電極に対応したマ
スクパターンを描画したレチクルを通して紫外線を露光
する第３の工程と、露光されたフォトレジストを除去し
てフォトレジストのパターンを形成する第４の工程と、
前記フォトレジストのパターンをマスクとして前記導電
成膜をエッチングする第５の工程と、前記フォトレジス
トを剥離する第６の工程とを有し、前記第３の工程は、
電極パターンがレチクル上に複数の領域に分割されて描
画されており、露光時に分割された領域を組み合わせて
１つの素子を形成するように露光するようにしてもよ
い。

【００２２】また、圧電性基板と前記圧電性基板上に弾
性表面波を励振するための電極を有する弾性表面波素子
の製造方法において、導電性膜を積層する第１の工程
と、前記導電性膜上にフォトレジストを積層する第２の
工程と、前記フォトレジストに、前記電極に対応したマ
スクパターンを描画したレチクルを通して紫外線を、露
光する第３の工程と、露光された部分のフォトレジスト
を除去してフォトレジストのパターンを形成する第４の
工程と、前記フォトレジストのパターンをマスクとして
電極をエッチングする第５の工程と、前記フォトレジス
トを剥離する第６の工程とからなり、前記第３の工程
は、１つの弾性表面波素子全体を複数の領域に分割し、
各領域を各々分けてマスクパターンを描画したレチクル
用いて露光するようにしてもよい。

【００２３】また、圧電性基板と前記圧電性基板上に弾
性表面波を励振するための電極を有する弾性表面波素子
の製造方法において、導電性膜を積層する第１の工程
と、前記導電性膜上にフォトレジストを積層する第２の
工程と、前記フォトレジストに、前記電極に対応したマ
スクパターンを描画したレチクルを通して紫外線を露光
する第３の工程と、露光された部分のフォトレジストを
除去してフォトレジストのパターンを形成する第４の工
程と、前記フォトレジストのパターンをマスクとして電
極をエッチングする第５の工程と、前記フォトレジスト
を剥離する第６の工程とを有し、前記レチクルは、１つ
の弾性表面波素子の電極パターンに対応したマスクパタ
ーンが複数のレチクルに分解されて描画されており、レ
チクルを交換して第２の工程から第６の工程までを複数
回繰り返すことにより、単位素子領域の電極パターンを
形成するようにしてもよい。

【００２４】また、圧電性基板と前記圧電性基板上に弾
性表面波を励振するための電極を有する弾性表面波素子
の製造方法において、導電性膜を積層する第１の工程
と、前記導電性膜上にフォトレジストを積層する第２の
工程と、前記フォトレジストに、前記電極に対応したマ
スクパターンを描画したレチクルを通して紫外線を露光
する第３の工程と、露光された部分のフォトレジストを
除去してフォトレジストのパターンを形成する第４の工
程と、前記フォトレジストのパターンをマスクとして電
極をエッチングする第５の工程と、前記フォトレジスト
を剥離する第６の工程とを有し、前記第３の工程では、
電極パターンに対応したマスクパターンがレチクル上の
複数の領域に分割されて描画されており、露光時に分割
された領域を組み合わせて１つの素子を形成した四辺形
の弾性表面波素子において、マスクパターンの分割方向
は、弾性表面波素子の長手辺に垂直な方向に分割するよ
うにしてもよい。

【００２５】また、圧電性基板と前記圧電性基板上に弾
性表面波を励振するための電極を有する弾性表面波素子
の製造方法において、導電性膜を積層する第１の工程
と、前記導電性膜上にフォトレジストを積層する第２の
工程と、前記フォトレジストに、前記電極に対応したマ
スクパターンを描画したレチクルを通して紫外線を露光
する第３の工程と、露光された部分のフォトレジストを
除去してフォトレジストのパターンを形成する第４の工
程と、前記フォトレジストのパターンをマスクとして電
極をエッチングする第５の工程と、前記フォトレジスト
を剥離する第６の工程とを有し、前記第３の工程は、電
極パターンに対応したマスクパターンがレチクル上の複
数の領域に分割されて描画されており、露光時に分割さ
れた領域を組み合わせて１つの素子を形成した弾性表面
波素子において、マスクパターンの分割位置は、弾性表
面波素子を構成するＩＤＴとＩＤＴの間で行うようにし
てもよい。

【００２６】また、圧電性基板と前記圧電性基板上に弾
性表面波を励振するための櫛歯状電極と、前記櫛歯状電
極の両側に励振された弾性表面波を反射するためのグレ
ーティング状の反射器電極とを有し、前記電極の形成
は、導電性膜を積層する第１の工程と、前記導電性膜上
にフォトレジストを積層する第２の工程と、前記フォト
レジストに、前記電極に対応したマスクパターンを描画
したレチクルを通して紫外線を、露光する第３の工程
と、露光された部分のフォトレジストを除去してフォト
レジストのバターンを形成する第４の工程と、前記フォ
トレジストのパターンをマスクとして電極をエッチング
する第５の工程と、前記フォトレジストを剥離する第６
の工程とを有し、前記第３の工程は電極パターンに対応
したマスクパターンがレチクル上に複数の領域に分割さ
れて描画されており、露光時に分割された領域を組み合
わせて１つの素子を形成した弾性表面波素子において、
電極パターンの分割は、反射器電極上で行うようにして
もよい。

【００２７】また、圧電性基板と、前記圧電性基板上に
弾性表面波を励振するための共振子型電極を複数配置
し、前記電極は、導電性膜を積層する第１の工程と、前
記導電性膜上にフォトレジストを積層する第２の工程
と、前記フォトレジストに、前記電極に対応したマスク
パターンを描画したレチクルを通して紫外線を、露光す
る第３の工程と、露光された部分のフォトレジストを除
去してフォトレジストのパターンを形成する第４の工程
と、前記フォトレジストのパターンをマスクとして電極
をエッチングする第５の工程と、前記フォトレジストを
剥離する第６の工程とを有し、前記第３の工程は、電極
パターンに対応したマスクパターンがレチクル上に複数
の領域に分割されて描画されており、露光時に分割され
た領域を組み合わせて１つの素子を形成した共振子型の
弾性表面波素子において、電極パターンの分割位置は共
振子電極と共振子電極の間で行うようにしてもよい。

【００２８】すなわち、本発明は、露光時に弾性表面波
素子の全体を一度に露光するのではなく、分割したパタ
ーンを描画したレチクルを各々露光して、圧電性基板上
でーつの素子となるように露光することを特徴とする。
このような構成を採用することにより、圧電性基板の歪
みに伴う焦点のずれの発生を抑えることが可能となり、
焦点深度内で高精度の露光を行うことができるため、従
来のようなレジスト残りや導電性膜残りによる電極のシ
ョートをなくすことができる。また本発明によれば、非
常に微細な電極パターンを有する弾性表面波素子を、高
い精度で製造することができる。また非常に微細な電極
パターンを有する弾性表面波素子を高い生産性で製造す
ることができる。したがって弾性表面波素子を高い生産
性で製造することができる。また本発明のレチクルによ
れば、非常に微細なマスクパターンを高精度で露光する
ことができる。またレチクル上に形成された複数のマス
クパターンを組み合わせながら露光することにより、１
枚のウエハ上に複数の異なる弾性表面波素子を形成する
ことができ。また本発明の露光装置によれば非常に微細
なパターンを高精度で露光することができる。また露光
不良が低減し、生産性を向上することができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下に本発明についてさらに詳細
に説明する。

【００３０】（実施形態１）図１は弾性表面波素子の電
極パターンを描画した本発明のレチクルを概略的に示す
図である。このレチクル１０は、ガラスなどの透光性基
板上に弾性表面波素子の電極パターンを形成したもので
あり、１枚のレチクル１０には、１個の弾性表面波素子
を構成する電極パターンが複数に分割して描画してあ
る。この例ではレチクルの第１の領域１０ａにＩＤＴ１
１のマスクパターンが配設され、第２の領域１０ｂに反
射器１２ａのマスクパターンが配設され、第３の領域１
０ｃには反射器１２ｂのマスクパターンが配設されてい
る。この場合、ＩＤＴ１１、反射器１２ａ、反射器１２
ｂとは、弾性表面波素子上に実際に配設される際の相互
の位置関係とは異なる位置関係でレチクル上に形成され
ている。ただし、レチクルの回転動作を最小限度にとど
めるため、ＩＤＴ１１、反射器１２ａ、反射器１２ｂな
どの電極のマスクパターンは弾性表面波の励振、受信、
反射方向が平行になるように配設している。

【００３１】このように本発明では、レチクル１０の中
心部に近いほどレジスト上で良好な解像度を得ることが
できることに着目し、弾性表面波素子の構成要素である
ＩＤＴ１１、反射器１２ａ、反射器１２ｂとを、レチク
ル１０の中心部からの距離ができるだけ等しくなるよう
に中心部に偏在させて形成している。またこのレチクル
１０も、マスクパターンは実際の縮尺の例えば５倍のス
ケールで描画されており、露光する際には露光装置の縮
小光学系で実際の縮尺に縮小されてレジストにそのパタ
ーンを転写する。そして本発明の弾性表面波素子の製造
方法では、このようなレチクル１０の第１の領域１０
ａ、第２の領域１０ｂ、第３の領域１０ｃを複数段階に
分離してレジストを露光することにより、精度の高い露
光を行うことができる。

【００３２】図１９に例示したような従来から用いられ
ていたレチクルでは、１個の弾性表面波素子として機能
する電極パターンと相似形状のマスクパターンが描画さ
れている。従来の弾性表面波素子の製造方法では、この
レチクルを用いてウエハ上の単位素子領域ごとに露光を
行っていたため、レチクルの周辺部にも電極パターンを
形成せざるを得ず、このレチクルで一括露光する場合に
は露光不良が非常に生じやすい。

【００３３】（実施形態２）本発明の弾性表面波素子の
製造方法の例について図２〜図８により説明する。図
２、図７は本発明の弾性表面波素子の製造方法を説明す
るための図である。まず、例えば、水晶、タンタル酸リ
チウム、ニオブ酸リチウム、四硼酸リチウムなどの圧電
性材料からなるウエハ２１を用意し（図２（ａ））、例
えばＡｌにＣｕを０．５ｗｔ％添加した導電性膜２２を
スパッタ法などにより成膜する（図２（ｂ））。次に成
膜された導電性膜２２上に感光性を有するレジスト２３
をスピンコートなどにより均一に成膜する（図２
（ｃ））。感光性レジストはポジ型でもよいしネガ型で
もよく、必要に応じて用いるようにすればよい。

【００３４】そして例えば図１に例示したような本発明
のレチクルを露光装置にセットし、紫外光を照射してレ
チクル１０に形成したマスクパターンをレジスト２１に
写しとる。

【００３５】図３はウエハ２１の平面構成を模式的に示
す図である。ウエハ２１上には複数の素子領域２４があ
り、この素子領域２４ごとに１個の弾性表面波素子が形
成され、後工程で各素子ごとに分離される。各素子領域
２４はレチクル１０に形成された電極パターンの分割に
対応して第１の領域２４ａ、第２の領域２４ｂ、第３の
領域２４ｃから構成されている。そして、レチクル１０
の第１の領域１０ａによりウエハ２１の第１の領域２４
ａ上に成膜されたレジスト２３を露光し、ついでレチク
ル１０の第２の領域１０ｂによりウエハ２１の第１の領
域２４ｂ上に成膜されたレジスト２３を露光し、さらに
レチクル１０の第３の領域１０ｃによりウエハ２１の第
３の領域２４ｃ上に成膜されたレジスト２３を露光す
る。すなわち露光は、３分割したパターンを各々露光し
て、素子領域２４上に成膜したレジスト上で１つの弾性
表面波素子となるように、例えば圧電性基板を載置した
露光装置のＸＹステージを移動させて行うようにしても
よい。

【００３６】図４、図５、図６は本発明のレチクルをセ
ットした露光装置によりレジストを露光する様子を模式
的に示す図である。ここでレチクル１０は図１のＡＡ線
のそった断面を示している。まず、レチクル１０の第１
の領域１０ａにより、ウエハ２１の素子領域２４ごとに
第１の領域２４ａ上のレジスト２３を露光する（図
４）。レチクル１０の第１の領域１０ａを露光している
ときには、レチクル１０の他の領域が露光されないよう
に、第２の領域１０ｂ、第３の領域１０ｃはブラインド
２５で光源光が通過しないよう遮蔽する。またレチクル
１０上に配設した複数の領域の境界領域は分離しておく
ことが好ましい。これは、複数の領域が連続して形成さ
れていると、ブラインドによる遮蔽では完全に分離する
ことが困難になるからである。ついで、レチクル１０の
第２の領域１０ｂにより、ウエハ２１の素子領域２４ご
とに第２の領域２４ｂ上のレジスト２３を露光する（図
５）。レチクル１０の第２の領域１０ｂを露光している
ときには、レチクル１０の他の領域が露光されないよう
に、第１の領域１０ａ、第３の領域１０ｃはブラインド
２５で光源光が通過しないよう遮蔽する。さらに、レチ
クル１０の第３の領域１０ｃにより、ウエハ２１の素子
領域２４ごとに第３の領域２４ｃ上のレジスト２３を露
光する（図６）。レチクル１０の第３の領域１０ｃを露
光しているときには、レチクル１０の他の領域が露光さ
れないように、第１の領域１０ａ、第２の領域１０ｂは
ブラインド２５で光源光が通過しないよう遮蔽する。こ
のようにウエハ２１上のすべての素子領域２４にわたっ
てレチクル１０に形成された電極パターンを写し取る。

【００３７】図７は本発明の弾性表面波素子の製造方法
を説明するための図である。図７（ｄ）は露光が終了し
た状態を示している。この後、現像液により露光された
部分のレジスト２３を取り除いて、マスクパターンのと
おりに導電性膜２２を露出させ（図７（ｅ））、さらに
例えばリン酸を含む混酸のエッチング液によりレジスト
２３の除去された部分の導電成膜２２を除去する（図７
（ｆ））。最後に電極パターン上に残っているレジスト
を除去することによりパターニングは完了する（図７
（ｇ））。

【００３８】図８はパターニングが完了した本発明の弾
性表面波素子を概略的に示す図である。図中３１はレチ
クルの第１の領域１０ａのマスクパターンを用いたフォ
トエッチングプロセスにより形成したＩＤＴであり、３
２ａはレチクルの第２の領域１０ｂのマスクパターンを
用いたフォトエッチングプロセスにより形成した反射器
であり、３２ｂはレチクルの第３の領域１０ｃのマスク
パターンを用いたフォトエッチングプロセスにより形成
した反射器である。また３１ａ、３１ｂは入出力端子で
ある。このように本発明の弾性表面波素子の製造方法で
は、高い解像度が得られるレチクル、ウエハの中心部に
できるだけ近い位置に弾性表面波素子の構成要素のマス
クパターンを配設し、これらのマスクパターンにより多
段階に露光を行うことにより、露光不良を極めて少なく
し、高精度の弾性表面波素子を高い生産性で製造するこ
とができる。 （実施形態３）実施形態１、実施形態２では、図１に例
示したように１枚のレチクル１０上に複数のマスクパタ
ーンを描画した例を示したが、弾性表面波素子の構成要
素のマスクパターンを複数のレチクル上に形成するよう
にしてもよい。

【００３９】図９、図１０、図１１は例えば図８に例示
したような１個の弾性表面波素子を構成する構成要素の
マスクパターンをそれぞれ別々のレチクルに形成した例
を概略的に示す図である。図９は第１のレチクル３１を
概略的に示す図であり、図１０は第２のレチクル３２を
概略的に示す図であり、図３は第３のレチクルを概略的
に示す図である。第１のレチクル３１にはＩＤＴ３１に
対応するマスクパターン１１が形成されており、第２の
レチクル３２には反射器３２ａに対応するマスクパター
ン１２ａが形成されており、第３のレチクル３３には反
射器３２ｂに対応するマスクパターン１２ｂが形成され
ている。マスクパターンは、各レチクルの中央部近傍に
描画されており、露光装置で露光するときにレジスト上
に解像度の高い像を結ぶことができるようになってい
る。

【００４０】この場合、露光装置内で第１のレチクル３
１によりまずウエハ１１の素子領域２４の第１の領域２
４ａを露光し、ついで、ウエハは露光装置内に保持した
ままレチクルを交換して第２のレチクル３２によりウエ
ハ１１の素子領域２４の第２の領域２４ｂを露光し、さ
らにレチクルを入れ替えて第３のレチクル３３によりウ
エハ１１の素子領域２４の第３の領域２４ｃを露光す
る。すなわち、１個の素子領域２４は３枚のレチクルに
より３回にわたって露光されることになる。ここでは１
個の素子領域を３分割して露光する例を示したが、２分
割でも４分割以上でも本発明は全く同様に適用すること
ができる。

【００４１】上述では、分割されたマスクパターンを、
段階的に露光したあとに、現像、エッチング、レジスト
剥離は一括して行う例を説明したが、１つのマスクパタ
ーンを露光するごとに、現像、エッチング、レジスト剥
離を行うようにしてもよい。例えば素子領域２４のうち
第１の領域２４ａの露光、現像、エッチング、レジスト
剥離を行い、ついで第２の領域２４ｂの露光、現像、エ
ッチング、レジスト剥離を行うようにしてもよい。この
とき、最初に露光した領域のパターニングと同時に、次
の領域を露光するときの位置合わせを行うためのアライ
メントマークを電極パターンの一部として形成しておく
ようにしてもよい。２回目以降の露光は、最初に形成し
たこのアライメントマークを目印にして行うことによ
り、複数回の露光による電極パターンのずれを極小とす
ることができる。位置合わせの方法については例えば縮
小露光装置の自動位置合わせ機構を用いるようにすれば
高精度での位置合わせを行うことができる。

【００４２】（実施形態４）次に弾性表面波素子のマス
クパターンの分割について説明する。

【００４３】図１２は弾性表面波素子の例を概略的に示
す図である。

【００４４】この弾性表面波素子３０は、例えばＸ方向
（長手方向）約１０．７ｍｍ、Ｙ方向約１．５１ｍｍの
矩形をしている。ＩＤＴ３１、反射器３２ａ、３２ｂの
電極ピッチを約２．５μｍとする。また、電極ピッチ
２．５μｍの時の縮小露光装置の焦点深度を１μｍとす
る。

【００４５】図１３と図１４は、図１２に例示した弾性
表面波素子の厚さ方向の歪みを模式的に示す図である。
図１３では図１２のＸ３−Ｘ４線に沿って切った時の弾
性表面波素子３０の断面を、図１４では図１２のＹ１−
Ｙ２線に沿って切つた時の弾性表面波素子３０の断面を
それぞれ示している。また、図１３と図１４において、
Ｚ軸は弾性表面波素子の厚さ方向の変位、つまり歪みの
変位を表す。また、点線は焦点深度の値である１μｍの
値を示している。

【００４６】弾性表面波素子３０の長手方向（弾性表面
波の励振方向）の長さは約１０．７ｍｍ程度と長いた
め、斜線を付した弾性表面波素子の端部領域３０ｘ、３
０ｙがの中心部に対する変位が、露光装置の焦点深度で
ある１μｍを越えている。前述のようにこのような領域
では露光不良を生じ、レジスト残りが発生してしまう。
一方、図１４に示した弾性表面波素子の短辺方向では、
その長さが短いのため弾性表面波素子中心部からの変位
が１μｍの焦点深度値を越える領域はない。したがって
くこの方向の歪みでは露光不良の問題は発生しない。つ
まり変位が大きくなる弾性表面波素子の長手方向と垂直
な方向にマスクパターンを分割した方が、本発明の効果
をより効果的に得ることができることがわかる。

【００４７】図１５、図１６は弾性表面波素子の長手方
向と垂直な方向に３分割した場合の変位を説明するため
の図である。図１５の弾性表面波素子３０を、第１の領
域２４ａ、第２の領域２４ｂ、第３の領域２４ｃに分割
して露光すれば、図１６のように各領域とも焦点深度で
ある１μｍを越える変位を有する領域がなくなり、レジ
スト残りなどの不良は発生しない。なお、ここでは弾性
表面波素子の外形形状が矩形の場合についてべたが、形
状はどのようなものでもよい。いずれの場合でも、歪み
の変位が累積する長手方向について分割するほうが効果
が高い。

【００４８】（実施形態５）つぎに弾性表面波素子の電
極パターンとマスクパターンの分割位置の関係について
説明する。まず、図１２のようなＩＤＴ３１と、このＩ
ＤＴ３１の弾性表面波素子の励振方向に沿って両隣に配
設したグレーティング形状の反射電極１２ａ、１２ｂと
を備えた共振子型の弾性表面波素子３０を取り上げて考
察する。この共振子型弾性表面波素子３０の場合、これ
まで各実施形態で説明してきたように、反射電極１２
ａ、１２ｂにて分割するほうが好ましい。これは次のよ
うな理由による。すなわちＩＤＴ３１は１対の櫛歯型電
極が対向噛合配置されたものであるから、動作時には隣
接する電極指３１ｆでは電位が異なることになる。ＩＤ
Ｔ３１にて分割すると、例えば複数回にわたる露光の際
のアライメント誤差などにより電極指３１ｆの位置がず
れた場合、隣接する電極指３１ｆ間でショートする可能
性があるためである。これに対し反射電極１２ａ、乃至
反射電極１２ｂで分割した場合には、アライメントが多
少ずれたとしても反射電極１２ａ、１２ｂは全て同電位
であるためにショートせず、アライメンと誤差に対する
マージンが大きいためである。

【００４９】図１７はトランスバーサル型の弾性表面波
素子（弾性表面波フィルタ）を概略的に示す図である。
この弾性表面波素子３３は、入力側ＩＤＴ３４と出力側
ＩＤＴ３５とが各一つ存在する構造であり、入力側ＩＤ
Ｔ３４で電気信号を弾性表面波に変換し、出力側ＩＤＴ
３５では入力側ＩＤＴが励振した弾性表面波を受信して
電気信号に変換する。このとき入力ＩＤＴ３４や出力側
ＩＤＴ３５内でマスクパターンを分割した場合、露光時
のマスクパターンのアライメン卜誤差により、電極ピッ
チがずれる場合が考えられ、上述した共振子型弾性表面
波素子と同様の問題を生じやすい。 したがってこのよ
うな構造の場合、図１７のように、マスクパターンの分
割位置は入力側ＩＤＴと出力側ＩＤＴとの間の弾性表面
波の伝搬路上で行うようにすればよい。このように分割
することにより電極ピッチのずれ、電極のショートを防
ぐことができる。

【００５０】図１８はラダー型の弾性表面波素子を概略
的に示す図である。このラダー型の弾性表面波素子３６
は、複数の弾性表面波共振子３７直列椀と並列椀とに組
み合わせた構造を有している。この場合、弾性表面波共
振子内の電極で分割した場合、前記したように組み合わ
せ時のアライメント誤差により電極指のピッチが変わっ
たり、電極指間のショートを引き起こすことがある。し
たがって、ラダー型の弾性表面波素子構造においては、
弾性表面波共振子と弾性表面波共振子を繋ぐ引き回し電
極（櫛歯状電極の電極指と接続されたバスバーを含む）
３８で分割することが好適である。引き回し電極３８で
は、アライメント誤差が生じても、弾性表面波素子とし
ての特性への影響がないから、マスクパターンを分割す
るの箇所として好適であることがわかる。このように本
発明の製造方法にしたがって製造した弾性表面波素子、
本発明のレチクルを用いて製造した弾性表面波素子、本
発明の露光装置を用いて製造した弾性表面波素子は、反
射器、引き回し電極等の電極パターンにアライメント誤
差に起因する不整合が見られる（不整合の変位がゼロの
場合も含む）が弾性表面波素子の特性には影響しないよ
うにすることができる。

【００５１】上述した各実施形態では、単位素子領域内
を分割して露光した例を説明したが、これは本発明の実
施形態を簡便に説明するために記したもので、分割され
たマスクパターンに例えば隣接する素子領域など、複数
の弾性表面波素子を構成するマスクパターンが含まれて
いても、本発明は同様に適用することができる。

【００５２】なお上述の説明では弾性表面波素子の製造
工程を取り上げて説明したが、本発明はこれに限ること
なく、例えば半導体素子、液晶表示素子、回路基板など
電極パターンが基板上に離散的に分布した構造をレチク
ルを用いる露光する製造プロセスであれば好適に適用す
ることができる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非常に微細な電極パターンを有する弾性表面波素子を、
高い精度で製造することができる。また非常に微細な電
極パターンを有する弾性表面波素子を高い生産性で製造
することができる。したがって弾性表面波素子を高い生
産性で製造することができる。また本発明のレチクルに
よれば、非常に微細なマスクパターンを高精度で露光す
ることができる。またレチクル上に形成された複数のマ
スクパターンを組み合わせながら露光することにより、
１枚のウエハ上に複数の異なる弾性表面波素子を形成す
ることができ。また本発明の露光装置によれば非常に微
細なパターンを高精度で露光することができる。また露
光不良が低減し、生産性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のレチクルを概略的に示す図。

【図２】本発明の弾性表面波素子の製造方法を説明する
ための図。

【図３】複数分割された素子領域を複数有するウエハの
平面構成を模式的に示す図。

【図４】本発明のレチクルをセットした露光装置により
レジストを露光する様子を模式的に示す図。

【図５】本発明のレチクルをセットした露光装置により
レジストを露光する様子を模式的に示す図。

【図６】本発明のレチクルをセットした露光装置により
レジストを露光する様子を模式的に示す図。

【図７】本発明の弾性表面波素子の製造方法を説明する
ための図。

【図８】パターニングが完了した本発明の弾性表面波素
子を概略的に示す図。

【図９】１個の弾性表面波素子を構成する構成要素のマ
スクパターンをそれぞれ別々のレチクルに形成した例を
概略的に示す図。

【図１０】１個の弾性表面波素子を構成する構成要素の
マスクパターンをそれぞれ別々のレチクルに形成した例
を概略的に示す図。

【図１１】１個の弾性表面波素子を構成する構成要素の
マスクパターンをそれぞれ別々のレチクルに形成した例
を概略的に示す図。

【図１２】弾性表面波素子の例を概略的に示す図

【図１３】図１２に例示した弾性表面波素子の厚さ方向
の歪みを模式的に示す図。

【図１４】図１２に例示した弾性表面波素子の厚さ方向
の歪みを模式的に示す図。

【図１５】弾性表面波素子の長手方向と垂直な方向に３
分割した場合の変位を説明するための図。

【図１６】弾性表面波素子の長手方向と垂直な方向に３
分割した場合の変位を説明するための図。

【図１７】トランスバーサル型の弾性表面波素子（弾性
表面波フィルタ）を概略的に示す図。

【図１８】ラダー型の弾性表面波素子を概略的に示す
図。

【図１９】従来の弾性表面波素子のレチクルを概略的に
示す図。

【図２０】図１９に例示したレチクルを用いてウエハ上
に形成されたレジストを露光する様子を概略的に示す
図。

【符号の説明】

１０…………レチクル １０ａ………第１の領域 １０ｂ………第２の領域 １０ｃ………第３の領域 １１…………ＩＤＴのマスクパターン １２ａ………反射器のマスクパターン １２ｂ………反射器のマスクパターン ２１…………ウエハ ２２…………導電性膜 ２３…………レジスト ２４…………素子領域 ２４ａ………第１の領域 ２４ｂ………第２の領域 ２４ｃ………第３の領域 ２５…………ブラインド（遮光手段） ３０…………弾性表面波素子 ３０ｘ………長手方向の端部領域 ３０ｙ………長手方向の端部領域 ３１…………ＩＤＴ ３２ａ………反射器 ３２ｂ………反射器 ３３…………トランスバーサル型弾性表面波素子（フィ
ルタ） ３４…………入力側ＩＤＴ ３５…………出力側ＩＤＴ３５ ３６…………ラダー型の弾性表面波素子 ３７…………弾性表面波共振子 ３８…………引き回し電極

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハ上に第１の領域と第２の領域を有
   するレジストを積層する工程と、 第１の領域と第２の領域とを有する弾性表面波素子のパ
   ターンが形成されたレチクルの前記第１の領域に光を照
   射して前記レジストの前記第１の領域を露光する工程
   と、 前記レチクルの前記第２の領域に光を照射して前記レジ
   ストの前記第２の領域を露光する工程とを有することを
   特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
2. 【請求項２】 前記レジストは前記第１の領域と前記第
   ２の領域とを複数有し、前記第２の工程は前記第１の領
   域の露光をすべて終えた後に行うことを特徴とする請求
   項１に記載の弾性表面波素子の製造方法。
3. 【請求項３】 ウエハ上に第１の領域と第２の領域を有
   するレジストを積層する工程と、 弾性表面波素子を構成する第１の電極パターンが形成さ
   れた第１のレチクルに光を照射して前記レジストの前記
   第１の領域を露光する工程と、 前記弾性表面波素子を構成する第２の電極パターンが描
   画された第２のレチクルにより前記レジストの前記第２
   の領域を露光する工程とを有することを特徴とする弾性
   表面波素子の製造方法。
4. 【請求項４】 弾性表面波素子を構成するＩＤＴまたは
   反射器から選択された第１の要素と第２の要素のマスク
   パターンが配設されたレチクルにおいて、 前記第１の要素の前記マスクパターンおよび前記第２の
   要素の前記マスクパターンとは、前記第１の要素および
   前記第２の要素の弾性表面波の励振方向、受信方向また
   は反射方向が実質的に平行になるように、かつ、前記レ
   チクルの中央部からの距離がほぼ等しくなるように配置
   されたことを特徴とするレチクル。
5. 【請求項５】 第１の領域と第２の領域とを有するレジ
   ストが成膜されたウエハを保持する保持手段と、 前記レジストを感光させる光源と、 前記光源と前記ウエハ保持手段との間に配設され、第１
   の領域と第２の領域とを有する弾性表面波素子のマスク
   パターンが形成されたレチクルと、 前記光源と前記レチクルとの間に配設され、前記レチク
   ルの前記第１の領域または前記第２の領域が選択的に照
   射されるように前記光源光を遮光する遮光手段と、 前記レチクルの前記第１の領域に前記光源光が照射され
   たとき前記レジストの前記第１の領域が露光されるよう
   に、かつ前記レチクルの前記第２の領域に前記光源光が
   照射されたとき前記レジストの前記第２の領域が露光さ
   れるように、前記光源、前記遮光手段、前記レチクル、
   または前記ウエハの位置関係を調節する手段とを具備し
   たことを特徴とする露光装置。