CN116073780B - 弹性波装置的制作方法、谐振器以及滤波器 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 83
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 83
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 187
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 87
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 80
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 69
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 description 38
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- -1 scandium aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
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Abstract
本申请提供一种弹性波装置的制作方法，提供一压电晶圆，压电晶圆具有第一区域和第二区域；在压电晶圆上形成第一光刻图形层，部分压电晶圆露出第一光刻图形层；在第一光刻图形层上以及露出的压电晶圆上形成第一金属膜；在第一金属膜上形成第二光刻图形层，位于第二区域内的第一金属膜露出第二光刻图形层；在第二光刻图形层上以及露出第二光刻图形层的第一金属膜上形成第二金属膜；剥离第一光刻图形层以及第二光刻图形层，以在第一区域形成第一电极图案，以及在第二区域形成第二电极图案。因此，通过上述制作方法形成的第二电极图案不存在套刻偏差，保证了形成的弹性波装置的性能。本申请还提供一种谐振器以及一种滤波器。
Description
技术领域
本申请涉及射频技术领域，尤其涉及一种弹性波装置的制作方法、一种谐振器以及一种滤波器。
背景技术
弹性波装置利用声-电换能器的特征对压电基片表面上传播的声信号进行处理。弹性波装置具有成本低、体积小和功能多等优点，因此在雷达、通信、导航、识别等领域获得了广泛的应用。
弹性波装置上具有不同厚度的电极图案，以在弹性波装置内形成声速差，从而将声波能量约束在弹性波装置内部，提高了弹性波装置的品质因数值。现有技术中，形成不同厚度的电极图案需要两次光刻工艺，第一光刻工艺形成厚度1的电极图案，第二光刻工艺形成厚度2的电极图案。但是，第二次光刻工艺的曝光位置与第一次光刻工艺的曝光位置容易出现套刻偏移，形成的两个厚度的电极图案的形状、尺寸与相对位置不同于设计形状、尺寸与相对位置，进而致使弹性波装置不能很好地约束声波能量或不能约束声波能量，降低了弹性波装置的品质因数值以及性能。
因此，如何解决现有技术中形成弹性波装置的工艺存在的缺陷是亟待解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种弹性波装置的制作方法、一种谐振器以及一种滤波器，其旨在解决现有技术中形成弹性波装置的工艺存在的缺陷导致弹性波装置的品质因数值降低的问题。
为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种弹性波装置的制作方法，所述弹性波装置的制作方法包括：
提供一压电晶圆，所述压电晶圆至少具有第一区域和第二区域；
在所述压电晶圆上形成具有第一镂空图案和第二镂空图案的第一光刻图形层，所述第一镂空图案位于所述第一区域，所述第二镂空图案位于所述第二区域，所述第一镂空图案以及所述第二镂空图案使得部分所述压电晶圆露出所述第一光刻图形层；
在所述第一光刻图形层上以及露出所述第一光刻图形层的所述压电晶圆上形成具有第一厚度的第一金属膜；
在所述第一金属膜上形成具有开窗的第二光刻图形层，所述开窗位于所述第二区域，使得位于所述第二区域内的所述第一金属膜露出所述第二光刻图形层；
在所述第二光刻图形层上以及露出所述第二光刻图形层的所述第一金属膜上形成具有第二厚度的第二金属膜；
剥离所述第一光刻图形层以及所述第二光刻图形层，以在所述第一区域形成具有第一厚度的第一电极图案，以及在所述第二区域形成具有第三厚度的第二电极图案，其中，所述第三厚度为所述第一厚度与所述第二厚度之和。
综上所述，本申请实施例提供的弹性波装置的制作方法包括：提供一压电晶圆，所述压电晶圆至少具有第一区域和第二区域；在所述压电晶圆上形成第一光刻图形层，部分所述压电晶圆露出所述第一光刻图形层；在所述第一光刻图形层上以及露出所述第一光刻图形层的所述压电晶圆上形成具有第一厚度的第一金属膜；在所述第一金属膜上形成第二光刻图形层，位于所述第二区域内的所述第一金属膜露出所述第二光刻图形层；在所述第二光刻图形层上以及露出所述第二光刻图形层的所述第一金属膜上形成具有第二厚度的第二金属膜；剥离所述第一光刻图形层以及所述第二光刻图形层，以在所述第一区域形成具有第一厚度的第一电极图案，以及在所述第二区域形成具有第三厚度的第二电极图案，其中，所述第三厚度为所述第一厚度与所述第二厚度之和。因此，通过上述制作方法形成的所述第二电极图案不存在套刻偏差，保证了形成的弹性波装置的性能，同时，上述制作方法可以避免光刻胶涂覆不均匀的问题，保证了形成的弹性波装置的性能的一致性。而且，上述的制作方法只有一次剥离，降低了所述第一电极图案与所述第二电极图案被腐蚀的程度，极大程度地保证了形成的弹性波装置的性能。
在示例性实施方式中，所述在所述压电晶圆上形成具有第一镂空图案和第二镂空图案的第一光刻图形层，包括：
在所述压电晶圆上依次形成第一光刻胶层、支撑层以及第二光刻胶层；
在所述第二光刻胶层上形成第一光刻图形；
以所述第一光刻图形作为基础，在所述支撑层以及所述第一光刻胶层上形成第二光刻图形；
去除所述第二光刻胶层，形成由所述第一光刻胶层和所述支撑层构成的第一光刻图形层，其中，位于所述第一区域内的所述第二光刻图形形成第一镂空图案，位于所述第二区域内的所述第二光刻图形形成第二镂空图案。
在示例性实施方式中，所述在所述第一金属膜上形成具有开窗的第二光刻图形层，包括：
在所述第一金属膜上形成所述第二光刻图形层；
在所述第二光刻图形层上形成所述开窗。
在示例性实施方式中，所述第二光刻图形包括相间隔设置的多个光刻胶结构，所述光刻胶结构面对所述压电晶圆一端的宽度小于所述光刻胶结构背对所述压电晶圆一端的宽度。
在示例性实施方式中，所述第一光刻胶层的厚度大于所述第三厚度。
在示例性实施方式中，所述支撑层的厚度为30nm至100nm。
在示例性实施方式中，所述第二光刻胶层40的厚度小于所述第一光刻胶层的厚度。
在示例性实施方式中，第二光刻胶层的厚度为200nm至500nm。
在示例性实施方式中，第二光刻图形层的上表面高于位于第一光刻图形层上的第一金属膜的上表面。
在示例性实施方式中，所述第一电极图案为谐振器的叉指换能器，所述第二电极图案为所述谐振器的反射栅。
在示例性实施方式中，所述第一电极图案至少包括第一谐振器的叉指换能器，所述第二电极图案至少包括第二谐振器的叉指换能器。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种谐振器，所述谐振器包括叉指换能器和位于所述叉指换能器两侧的反射栅，所述叉指换能器的电极厚度和所述反射栅的电极指厚度不同，所述叉指换能器和所述反射栅由上述的弹性波装置的制作方法所形成。
综上所述，本申请实施例提供谐振器包括叉指换能器以及反射栅，所述叉指换能器和所述反射栅由上述的弹性波装置的制作方法所形成。因此，所述反射栅不存在套刻偏差，保证了所述谐振器的性能，同时，上述制作方法可以避免光刻胶涂覆不均匀的问题，保证了形成的谐振器的性能的一致性。而且，上述的制作方法只有一次剥离，降低了所述第一电极图案与所述第二电极图案被腐蚀的程度，极大程度地保证了形成的谐振器的性能。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种滤波器，所述滤波器包括由上述的弹性波装置的制作方法形成弹性波装置。
综上所述，本申请实施例提供的滤波器包括由上述的弹性波装置的制作方法形成弹性波装置。所述弹性波装置包括第一电极图案与第二电极图案，所述第二电极图案不存在套刻偏差，保证了所述谐振器的性能，同时，上述制作方法可以避免光刻胶涂覆不均匀的问题，保证了形成的弹性波装置的性能的一致性。而且，上述的制作方法只有一次剥离，降低了所述第一电极图案与所述第二电极图案被腐蚀的程度，极大程度地保证了形成的弹性波装置的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的流程示意图；
图2为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S10形成的对应结构示意图；
图3为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S20形成的对应结构示意图；
图4为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S30形成的对应结构示意图；
图5为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S40形成的对应结构示意图；
图6为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S50形成的对应结构示意图；
图7为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S60形成的对应结构示意图；
图8为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S20的流程示意图；
图9为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S21形成的对应结构示意图；
图10为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S22形成的对应结构示意图；
图11为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S40的流程示意图；
图12为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S41形成的对应结构示意图；
图13为本申请实施例提供的一种谐振器的结构示意图；
图14为本申请实施例公开的一种滤波器的结构示意图。
附图标记说明：
10-压电晶圆；11-第一区域；12-第二区域；30-第一光刻图形层；31-第一镂空图案；32-第二镂空图案；35-第一光刻胶层；36-支撑层；40-第二光刻胶层；41-第一光刻图形；50-第一金属膜；60-第二光刻图形层；61-开窗；70-第二金属膜；100-弹性波装置；130-第一电极图案；140-第二电极图案；200-谐振器；210-叉指换能器；230-反射栅；351-光刻胶结构；500-滤波器；IN-输入端；OUT-输出端；Bl-串联支路；B2-并联支路；GND-接地端。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。本申请中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本申请，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，本申请中使用的术语“包括”、“可以包括”、“包含”、或“可以包含”表示公开的相应功能、操作、元件等的存在，并不限制其他的一个或多个更多功能、操作、元件等。此外，术语“包括”或“包含”表示存在说明书中公开的相应特征、数目、步骤、操作、元素、部件或其组合，而并不排除存在或添加一个或多个其他特征、数目、步骤、操作、元素、部件或其组合，意图在于覆盖不排他的包含。还需要理解的是，本文中描述的“至少一个”的含义是一个及其以上，例如一个、两个或三个等，而“多个”的含义是至少两个，例如两个或三个等，除非另有明确具体的限定。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
本申请实施例提供一种弹性波装置的制作方法，请参阅图1，图1为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的流程示意图，所述弹性波装置的制作方法的至少可以包括以下步骤。
S10、提供一压电晶圆，所述压电晶圆至少具有第一区域和第二区域。
具体为，请参阅图2，图2为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S10形成的对应结构示意图。所述压电晶圆10至少具有第一区域11和第二区域12，所述第一区域11与所述第二区域12相邻接设置。
在示例性实施方式中，所述压电晶圆10可包括铌酸锂、钽酸锂、石英、四硼酸锂、铌酸钾、锗酸铋、锆钛酸铅、氮化铝、氮化铝钪、氮化镓、氧化锌等压电晶圆以及键合在其他基底上的各类压电晶圆，本申请对此不作具体限制。
可以理解的是，所述压电晶圆10还包括其他区域，所述第一区域11和所述第二区域12用于形成电极图案。
在示例性实施方式中，所述第一区域11与所述第二区域12的数量均可为多个。
在示例性实施方式中，本申请提供的弹性波装置的制作方法还可用于形成三个以及三个以上不同厚度的电极图案。形成三个以及三个以上不同厚度的电极图案也属于本申请的保护范围之内。
S20、在所述压电晶圆上形成具有第一镂空图案和第二镂空图案的第一光刻图形层，所述第一镂空图案位于所述第一区域，所述第二镂空图案位于所述第二区域，所述第一镂空图案以及所述第二镂空图案使得部分所述压电晶圆露出所述第一光刻图形层。
具体为，请参阅图3，图3为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S20形成的对应结构示意图。在所述压电晶圆10上形成具有第一镂空图案31和第二镂空图案32的第一光刻图形层30，所述第一镂空图案31位于所述第一区域11，所述第二镂空图案32位于所述第二区域12，所述第一镂空图案31以及所述第二镂空图案32使得部分所述压电晶圆10露出所述第一光刻图形层30。
在示例性实施方式中，所述第一镂空图案31与所述第二镂空图案32可通过光刻工艺形成。
S30、在所述第一光刻图形层上以及露出所述第一光刻图形层的所述压电晶圆上形成具有第一厚度的第一金属膜。
具体为，请参阅图4，图4为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S30形成的对应结构示意图。在所述第一光刻图形层30上以及露出所述第一光刻图形层30的所述压电晶圆10上形成具有第一厚度的第一金属膜50。
在示例性实施方式中，通过蒸发或溅射镀膜工艺形成所述第一金属膜50。所述第一金属膜50可以是一层结构也可以是多层结构，本申请对此不作具体限定。当所述第一金属膜50是多层结构时，所述第一金属膜50底层的材料包括钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)等金属材料中的一种或几种组合，所述第一金属膜50顶层的材料包括金、银、铜、铂、铝、钨中任意一种或多种。可以理解的是，多个所述第一金属膜50的多层结构可一起形成，所述第一金属膜50透过所述第一镂空图案31与所述第二镂空图案32形成于所述压电晶圆10上。
在示例性实施方式中，所述第一金属膜50的多层结构的材料可相同或不相同。
S40、在所述第一金属膜上形成具有开窗的第二光刻图形层，所述开窗位于所述第二区域，使得位于所述第二区域内的所述第一金属膜露出所述第二光刻图形层。
具体为，请参阅图5，图5为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S40形成的对应结构示意图。在所述第一金属膜50上形成具有开窗61的第二光刻图形层60，所述开窗61位于所述第二区域12，使得位于所述第二区域12内的所述第一金属膜50露出所述第二光刻图形层60。
在示例性实施方式中，在所述第二区域12内，位于所述压电晶圆10上的所述第一金属膜50露出所述第二光刻图形层60，位于所述第一光刻图形层30上的所述第一金属膜50露出所述第二光刻图形层60。
S50、在所述第二光刻图形层上以及露出所述第二光刻图形层的所述第一金属膜上形成具有第二厚度的第二金属膜。
具体为，请参阅图6，图6为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S50形成的对应结构示意图。通过蒸发或溅射镀膜工艺在所述第二光刻图形层60上以及露出所述第二光刻图形层60的所述第一金属膜50上形成具有第二厚度的第二金属膜70。
在示例性实施方式中，所述第二金属膜70的厚度可以所述第一金属膜50的厚度相同或不相同，本申请对此不作具体限制。
在示例性实施方式中，所述第二金属膜70可以是一层结构也可以是多层结构，本申请对此不作具体限定。当所述第二金属膜70是多层结构时，所述第二金属膜70底层的材料包括钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)等金属材料中的一种或几种组合，所述第一金属膜50顶层的材料包括金、银、铜、铂、铝、钨中任意一种或多种。可以理解的是，多个所述第二金属膜70的多层结构可一起形成，所述第二金属膜70透过所述第二镂空图案32形成于所述第一金属膜50上。
在示例性实施方式中，所述第二金属膜70的多层结构的材料可相同或不相同。
S60、剥离所述第一光刻图形层以及所述第二光刻图形层，以在所述第一区域形成具有第一厚度的第一电极图案，以及在所述第二区域形成具有第三厚度的第二电极图案，其中，所述第三厚度为所述第一厚度与所述第二厚度之和。
具体为，请参阅图7，图7为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S60形成的对应结构示意图。通过相应的溶剂剥离所述第一光刻图形层30以及所述第二光刻图形层60，以在所述第一区域11形成具有第一厚度的第一电极图案130，以及在所述第二区域12形成具有第三厚度的第二电极图案140，其中，所述第三厚度为所述第一厚度与所述第二厚度之和。
可以理解的是，该溶剂只溶解所述第一光刻胶层以及所述第二光刻图形层，不会溶解或腐蚀金属。
在示例性实施方式中，位于所述第一区域11内的所述第一金属膜50为所述第一电极图案130，位于所述第二区域12内的所述第一金属膜50以及所述第二金属膜70为所述第二电极图案140。
可以理解的是，所述第一电极图案130与所述第一镂空图案31的镂空部分所形成的图案相同，所述第二电极图案140在所述压电晶圆10上的正投影的形状与所述第二镂空图案32的形状相同。
在示例性实施方式中，本申请提供的弹性波装置的制作方法只进行一次剥离工艺。
可以理解的是，现有技术中的弹性波装置的制作方法是通过第一次光刻工艺、镀膜工艺以及剥离工艺形成较薄的电极图案，然后再通过第二次光刻工艺、镀膜工艺以及剥离工艺形成较厚的电极图案。当第二次光刻工艺的曝光位置与第一次光刻工艺的曝光位置出现套刻偏移，那么形成的较厚的电极图案的形状、尺寸以及相对位置与设计的形状、尺寸以及相对位置存在偏差，导致形成的电极图案的精度较低且一致性较低，进而导致声波的传播方向出现偏差或反射波的方向出现偏差，降低了弹性波装置性能。同时，由于首先形成较薄的电极图案已经存在，在第二次光刻工艺的涂覆光刻胶的过程中，难以涂覆出厚度均匀的光刻胶，导致曝光、显影后的光刻胶之间的宽度不均匀，进而致使形成较厚的电极图案的尺寸不均匀，影响弹性波装置性能的一致性。现有技术的弹性波装置的制作方法通过两次剥离工艺，会增加电极图案被腐蚀的程度。其中：套刻偏差包括X轴、Y轴及扭曲等偏差。
还可以理解的是，本申请的弹性波装置的制作方法首先在第一光刻图形层上形成与所述第一电极图案130对应的所述第一镂空图案31以及形成与所述第二电极图案140对应的所述第二镂空图案32。通过蒸发或溅射镀膜的工艺形成所述第一金属膜50，在不剥离的情况下在第一金属膜50上形成具有开窗61的所述第二光刻图形层60，使得所述第二镂空图案32露出。然后再通过蒸发或溅射镀膜工艺在形成所述第二金属膜70。最后，通过一次剥离得到所述第一电极图案130与所述第二电极图案140。与现有技术相比，本申请的弹性波装置的制作方法形成的所述第一电极图案130与所述第二电极图案140的精度更高、一致性更好，所述第二电极图案140形成于所述第一电极图案130上，不存在套刻偏差，保证了形成的弹性波装置的性能。同时，本申请的弹性波装置的制作方法还可以避免现有技术中在第二次光刻工艺的涂覆光刻胶的过程中光刻胶涂覆不均匀的问题，保证了形成的弹性波装置的性能的一致性。而且，本申请的弹性波装置的制作方法只有一次剥离，降低了所述第一电极图案130与所述第二电极图案140被腐蚀的程度，极大程度地保证了形成的弹性波装置的性能。同时，本申请在所述第二区域12的所述第二光刻图形层60进行开窗，使得所述第二区域的所述第一金属膜50暴露出来的，相比于二次套刻来说，对精度要求没那么高，制作弹性波装置的工艺难度会有所降低。
在本申请实施方式中，请参阅图8，图8为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S20的流程示意图，所述步骤S20至少可以包括以下步骤。
S21、在所述压电晶圆上依次形成第一光刻胶层、支撑层以及第二光刻胶层。
具体为，请参阅图9，图9为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S21形成的对应结构示意图。在所述压电晶圆10上依次形成第一光刻胶层35、支撑层36以及第二光刻胶层40。
在示例性实施方式中，通过涂胶设备在所述压电晶圆10上涂覆一层正性光刻胶，烘干后得到第一光刻胶层35。
在示例性实施方式中，所述第一光刻胶层35的厚度大于所述第三厚度。
在示例性实施方式中，所述第一光刻胶层35的厚度与所述第三厚度的差值为30nm至500nm，例如，30nm、50nm、100nm、140nm、200nm、300nm、370nm、400nm、450nm、500nm、或其他数值，本申请对此不作具体限制。
在示例性实施方式中，通过蒸发、溅射或其他镀膜工艺在所述第一光刻胶层35上形成支撑层36。所述支撑层36用于在步骤S30中支撑所述第一金属膜50，避免所述第一金属膜50直接形成于所述第一光刻胶层35上造成所述第一光刻胶层35坍塌。
在示例性实施方式中，所述支撑层36的厚度为30nm至100nm，例如，30nm、40nm、45nm、50nm、60nm、72nm、78nm、80nm、90nm、100nm、或其他数值，本申请对此不作具体限制。可以理解的是，所述支撑层36的厚度低于30nm，容易导致所述支撑层36在后续工艺中坍塌，所述支撑层36的厚度大于100nm，容易导致形成的所述第一镂空图案31与所述第二镂空图案32的实际尺寸较难控制，进而与设计尺寸产生偏差。
在示例性实施方式中，所述第一光刻胶层35与所述支撑层36构成了所述第一光刻图形层30。
在示例性实施方式中，所述支撑层36的材料包括氮化硅、二氧化硅、氮化钛等各类介质薄膜或各类金属(包括合金材料)膜层中的一种或多种组合，本申请对此不作具体限制。
在示例性实施方式中，通过涂胶设备在所述支撑层36上涂覆一层正性光刻胶，烘干后得到所述第二光刻胶层40。
在示例性实施方式中，所述第二光刻胶层40的厚度小于所述第一光刻胶层35的厚度，且所述第二光刻胶层40的厚度为200nm至500nm，例如，200nm、240nm、300nm、350nm、400nm、500nm、或其他数值，本申请对此不作具体限制。可以理解的是，所述第二光刻胶层40的厚度小于200nm，在光刻工艺的刻蚀制程中容易导致整个所述第二光刻胶层40被刻蚀穿，进而导致所述第二光刻胶层40失去了屏蔽作用，所述第二光刻工艺的厚度大于500nm，使得形成的光刻图形的分辨率较低。其中，当形成光刻图形的分辨率较好时，使得形成的所述第一电极图案130与所述第二电极图案140的宽度更窄，更窄的所述第一电极图案130与所述第二电极图案140有益于形成高频率的弹性波装置，而且，当形成光刻图形的分辨率较好时还可以使得所述第一电极图案130的宽度以及所述第二电极图案140的宽度具有更好的一致性。
S22、在所述第二光刻胶层40上形成第一光刻图形41。
具体为，请参阅图10，图10为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S22形成的对应结构示意图。依次通过曝光工艺以及显影工艺在所述第二光刻胶层40上形成第一光刻图形41。
S23、以所述第一光刻图形作为基础，在所述支撑层以及所述第一光刻胶层上形成第二光刻图形。
具体为，请参阅图3，以所述第一光刻图形41作为基础，在所述支撑层36以及所述第一光刻胶层35上形成第二光刻图形(图未标)。
在示例性实施方式中，通过刻蚀工艺(干法刻蚀或湿法腐蚀)在所述支撑层36上形成所述第二光刻图形，并通过曝光工艺以及显影工艺在所述第一光刻胶层35上形成所述第二光刻图形。
在示例性实施方式中，所述第二光刻图形包括相间隔设置的多个光刻胶结构351，所述光刻胶结构351面对所述压电晶圆10一端的宽度小于所述光刻胶结构351背对所述压电晶圆10一端的宽度。可以理解的是，多个所述光刻胶结构351可以避免剥离后形成的所述第一电极图案130以及所述第二电极图案140产生金属毛刺等不良现象。
S24、去除所述第二光刻胶层，形成由所述第一光刻胶层和所述支撑层构成的第一光刻图形层，其中，位于所述第一区域内的所述第二光刻图形形成第一镂空图案，位于所述第二区域内的所述第二光刻图形形成第二镂空图案。
具体为，请参阅图3，去除所述第二光刻胶层40，形成由所述第一光刻胶层35和所述支撑层36构成的第一光刻图形层30，其中，位于所述第一区域11内的所述第二光刻图形形成第一镂空图案31，位于所述第二区域12内的所述第二光刻图形形成第二镂空图案32。
在本申请实施方式中，请参阅图11，图11为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S40的流程示意图，所述步骤S40至少可以包括以下步骤。
S41、在所述第一金属膜上形成所述第二光刻图形层。
具体为，请参阅图12，图12为本申请实施例公开的一种弹性波装置的制作方法的步骤S41形成的对应结构示意图。在所述第一金属膜50上形成所述第二光刻图形层60。
在示例性实施方式中，通过涂胶设备在所述第一金属膜50上涂覆正性光刻胶，烘干后得到所述第二光刻图形层60。
在示例性实施方式中，所述第二光刻图形层60的上表面高于位于所述第一光刻图形层30上的第一金属膜50的上表面，且所述第二光刻图形层60与所述压电晶圆10接触的部分的厚度比所述第一光刻图形层30的厚度大。由于直接位于所述压电晶圆10上的所述第一金属膜50的高度低于位于所述第一光刻图形30上的所述第一金属膜50的高度，为避免所述第二光刻图形层60在所述第二区域12凹陷，导致形成的所述开窗61的形状与尺寸出现偏差，因此，设置所述第二光刻图形层60的上表面高于位于所述第一光刻图形层30上的第一金属膜50的上表面，以提高形成所述开窗61的精度。其中，上表面为所述第一金属膜50背对所述压电晶圆10的表面。
S42、在所述第二光刻图形层上形成所述开窗。
具体为，请参阅图5，通过套刻工艺对所述第二区域12的所述第二光刻图形层60进行曝光，显影后在所述第二光刻图形层60上形成所述开窗61。
在示例性实施方式中，掩模板的白色部分为曝光区域，所述曝光区域与所述第二区域12相对应。
在本申请一实施方式中，所述第一电极图案130为谐振器的叉指换能器，所述第二电极图案140为所述谐振器的反射栅。本申请的弹性波装置的制作方法可以形成谐振器的叉指换能器与反射栅。
在本申请另一实施方式中，所述第一电极图案130至少包括第一谐振器的叉指换能器，所述第二电极图案140至少包括第二谐振器的叉指换能器。本申请的弹性波装置的制作方法可以形成不同谐振器的叉指换能器或不同谐振器的反射栅，本申请对此不作具体限制。
综上所述，本申请实施例提供的弹性波装置的制作方法包括：提供一压电晶圆10，所述压电晶圆10至少具有第一区域11和第二区域12；在所述压电晶圆10上形成第一光刻图形层30，部分所述压电晶圆10露出所述第一光刻图形层30；在所述第一光刻图形层30上以及露出所述第一光刻图形层30的所述压电晶圆10上形成第一金属膜50；在所述第一金属膜50上形成第二光刻图形层60，位于所述第二区域12内的所述第一金属膜50露出所述第二光刻图形层60；在所述第二光刻图形层60上以及露出的所述第一金属膜50上形成第二金属膜70；剥离所述第一光刻图形层30以及所述第二光刻图形层60，以在所述第一区域11形成具有第一厚度的第一电极图案130，以及在所述第二区域12形成具有第三厚度的第二电极图案140。因此，通过上述制作方法形成的所述第二电极图案140不存在套刻偏差，保证了形成的弹性波装置的性能，同时，上述制作方法可以避免光刻胶涂覆不均匀的问题，保证了形成的弹性波装置的性能的一致性。而且，上述的制作方法只有一次剥离，降低了所述第一电极图案130与所述第二电极图案140被腐蚀的程度，极大程度地保证了形成的弹性波装置的性能。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种谐振器，请参阅图13，图13为本申请实施例提供的一种谐振器的结构示意图。本申请实施例提供的谐振器200包括叉指换能器210和位于所述叉指换能器210两侧的反射栅230，所述叉指换能器210的电极指厚度和所述反射栅230的电极指厚度不同，所述叉指换能器210和所述反射栅230由图1-图12所示的弹性波装置的制作方法所形成，所述叉指换能器210为所述第一电极图案130，所述反射栅230为所述第二电极图案140。所述谐振器200与弹性波装置的制作方法相同之处的描述，请参阅弹性波装置的制作方法的相关描述，在此不再赘述。
在示例性实施方式中，所述谐振器200还包括温度补偿层，所述温度补偿层将所述叉指换能器罩设于所述压电晶圆10上。所述温度补偿层用于调节所述谐振器200的温度频率系数，以避免由于温度的变化导致的谐振器的谐振频率改变。
在示例性实施方式中，所述温度补偿层可以是具有正的温度系数，以补偿所述压电晶圆10的负温度系数。所述温度补偿层的材料包括但不限于采用二氧化硅、含氟的二氧化硅以及氮化硅类含硅介质膜等。
在示例性实施方式中，所述谐振器200还可以包括钝化层(图未示)和/或调频层(图未示)，所述钝化层和/或所述调频层位于所述温度补偿层背对所述压电晶圆10的一侧，所述钝化层与所述调频层的材料包括但不限于氮化硅(Si3N4)等。
在示例性实施方式中，所述谐振器200可以是温度补偿型声表面波滤波器(Temperature Compensated SAW，TC-SAW)或横向激励薄膜体声波谐振器(X-Film BulkAcoustic Resonator，X-BAR)等具有叉指换能器以及反射栅结构的谐振器，本申请对此不作具体限制。
综上所述，本申请提供的谐振器200包括叉指换能器210以及反射栅230，所述叉指换能器210的电极指厚度和所述反射栅230的电极指厚度不同，所述叉指换能器210和所述反射栅230由弹性波装置的制作方法所形成。因此，所述反射栅230不存在套刻偏差，保证了所述谐振器200的性能，同时，上述制作方法可以避免光刻胶涂覆不均匀的问题，保证了形成的谐振器的性能的一致性。而且，上述的制作方法只有一次剥离，降低了所述第一电极图案130与所述第二电极图案140被腐蚀的程度，极大程度地保证了形成的谐振器的性能。基于同样的发明构思，本申请还提供一种滤波器，请参阅图14，图14为本申请实施例公开的一种滤波器的结构示意图。本申请实施例提供的滤波器500包括由上述的弹性波装置的制作方法形成弹性波装置100。所述滤波器500与弹性波装置的制作方法相同之处的描述，请参阅弹性波装置的制作方法的相关描述，在此不再赘述。
在本申请实施方式中，所述滤波器500可以是梯形结构滤波器，可以包括输入端IN、输出端OUT、串联支路Bl以及至少一个并联支路B2。其中，所述串联支路Bl连接在所述输入端IN和所述输出端OUT之间，所述并联支路B2的一端与所述串联支路Bl连接，另一端与接地端GND连接；所述串联支路Bl中设置有至少两个串联的所述弹性波装置100，各并联支路B2中设置有并联的所述弹性波装置100。滤波器中为保证合适的有效机电耦合系数的同时兼顾通带杂波的抑制，通常包括至少两个不同电极厚度的谐振器，可以一个是串联支路的一个是并联支路的，两个是串联，两个是并联。进一步地，电极厚度较小的可以是串联谐振器，电极厚度较大的可以是并联的谐振器。
综上所述，本申请实施例提供的滤波器500包括由上述的弹性波装置的制作方法形成弹性波装置100。所述弹性波装置100包括第一电极图案130与第二电极图案140，所述第二电极图案140不存在套刻偏差，保证了所述谐振器200的性能。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种电子设备，包括基板以及上述的滤波器500，所述滤波器500倒装于所述基板上，并与所述基板电连接。
在示例性实施方式中，所述基板可为印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)。
在示例性实施方式中，所述电子设备包括但不局限于：LED面板、平板电脑、笔记本电脑、导航仪、手机和电子手表等任何具有PCB板的电子设备或者部件，本申请对此不作具体限制。
可以理解地，所述电子设备还可包含诸如个人数字助理(Personal DigitalAssistant，PDA)和/或音乐播放器功能的电子设备，诸如手机、平板电脑、具备无线通讯功能的可穿戴电子设备(如智能手表)等。上述电子设备也可以是其它电子装置，诸如具有触敏表面(例如触控面板)的膝上型计算机(Laptop)等。在一些实施例中，所述电子设备可以具有通信功能，即可以通过2G(第二代手机通信技术规格)、3G(第三代手机通信技术规格)、4G(第四代手机通信技术规格)、5G(第五代手机通信技术规格)或W-LAN(无线局域网)或今后可能出现的通信方式与网络建立通信。为简明起见，对此本申请实施例不做进一步限定。
综上所述，本申请实施例提供的电子设备包括基板以及滤波器，所述滤波器500包括由上述的弹性波装置的制作方法形成弹性波装置100。所述弹性波装置100包括第一电极图案130与第二电极图案140，所述第二电极图案140不存在套刻偏差，保证了所述谐振器200的性能，同时，上述制作方法可以避免光刻胶涂覆不均匀的问题，保证了形成的弹性波装置的性能的一致性。而且，上述的制作方法只有一次剥离，降低了所述第一电极图案130与所述第二电极图案140被腐蚀的程度，极大程度地保证了形成的弹性波装置的性能。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。本领域的一般技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分方法，并依本申请权利要求所作的等同变化，仍属于本申请所涵盖的范围。
Claims (13)
1.一种弹性波装置的制作方法，其特征在于，包括：
提供一压电晶圆，所述压电晶圆至少具有第一区域和第二区域；
在所述压电晶圆上形成具有第一镂空图案和第二镂空图案的第一光刻图形层，所述第一镂空图案位于所述第一区域，所述第二镂空图案位于所述第二区域，所述第一镂空图案以及所述第二镂空图案使得部分所述压电晶圆露出所述第一光刻图形层；
在所述第一光刻图形层上以及露出所述第一光刻图形层的所述压电晶圆上形成具有第一厚度的第一金属膜；
在所述第一金属膜上形成具有开窗的第二光刻图形层，所述开窗位于所述第二区域，使得位于所述第二区域内的所述第一金属膜露出所述第二光刻图形层；
在所述第二光刻图形层上以及露出所述第二光刻图形层的所述第一金属膜上形成具有第二厚度的第二金属膜；
剥离所述第一光刻图形层以及所述第二光刻图形层，以在所述第一区域形成具有第一厚度的第一电极图案，以及在所述第二区域形成具有第三厚度的第二电极图案，其中，所述第三厚度为所述第一厚度与所述第二厚度之和。
2.如权利要求1所述的弹性波装置的制作方法，其特征在于，所述在所述压电晶圆上形成具有第一镂空图案和第二镂空图案的第一光刻图形层，包括：
在所述压电晶圆上依次形成第一光刻胶层、支撑层以及第二光刻胶层；
在所述第二光刻胶层上形成第一光刻图形；
以所述第一光刻图形作为基础，在所述支撑层以及所述第一光刻胶层上形成第二光刻图形；
去除所述第二光刻胶层，形成由所述第一光刻胶层和所述支撑层构成的第一光刻图形层，其中，位于所述第一区域内的所述第二光刻图形形成第一镂空图案，位于所述第二区域内的所述第二光刻图形形成第二镂空图案。
3.如权利要求1所述的弹性波装置的制作方法，其特征在于，所述在所述第一金属膜上形成具有开窗的第二光刻图形层，包括：
在所述第一金属膜上形成所述第二光刻图形层；
在所述第二光刻图形层上形成所述开窗。
4.如权利要求2所述的弹性波装置的制作方法，其特征在于，所述第二光刻图形包括相间隔设置的多个光刻胶结构，所述光刻胶结构面对所述压电晶圆一端的宽度小于所述光刻胶结构背对所述压电晶圆一端的宽度。
5.如权利要求2所述的弹性波装置的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度大于所述第三厚度。
6.如权利要求2所述的弹性波装置的制作方法，其特征在于，所述支撑层的厚度为30nm至100nm。
7.如权利要求2所述的弹性波装置的制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度小于所述第一光刻胶层的厚度。
8.如权利要求7所述的弹性波装置的制作方法，其特征在于，第二光刻胶层的厚度为200nm至500nm。
9.如权利要求1所述的弹性波装置的制作方法，其特征在于，第二光刻图形层的上表面高于位于第一光刻图形层上的第一金属膜的上表面。
10.如权利要求1所述的弹性波装置的制作方法，其特征在于，所述第一电极图案为谐振器的叉指换能器，所述第二电极图案为所述谐振器的反射栅。
11.如权利要求1所述的弹性波装置的制作方法，其特征在于，所述第一电极图案至少包括第一谐振器的叉指换能器，所述第二电极图案至少包括第二谐振器的叉指换能器。
12.一种谐振器，其特征在于，包括叉指换能器和位于所述叉指换能器两侧的反射栅，所述叉指换能器的电极厚度和所述反射栅的电极指厚度不同，所述叉指换能器和所述反射栅由权利要求1-9任一项所述的弹性波装置的制作方法所形成。
13.一种滤波器，其特征在于，包括由权利要求1-9任一项所述的弹性波装置的制作方法形成弹性波装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116073780B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232254A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP2010028517A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置の製造方法及び弾性波装置 |
| KR20190132174A (ko) * | 2018-05-17 | 2019-11-27 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법 |
| CN113676152A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-11-19 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种弹性波谐振器及其制备方法 |
| CN114982128A (zh) * | 2020-05-12 | 2022-08-30 | 华为技术有限公司 | 声表面波滤波器的制作方法及声表面波滤波器 |
| CN115314018A (zh) * | 2022-08-16 | 2022-11-08 | 天通瑞宏科技有限公司 | 一种声表面波滤波器及其制备方法 |
| CN115425941A (zh) * | 2022-07-30 | 2022-12-02 | 锐石创芯(重庆)科技有限公司 | 谐振器、滤波器及电子设备 |
-
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232254A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP2010028517A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置の製造方法及び弾性波装置 |
| KR20190132174A (ko) * | 2018-05-17 | 2019-11-27 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법 |
| CN114982128A (zh) * | 2020-05-12 | 2022-08-30 | 华为技术有限公司 | 声表面波滤波器的制作方法及声表面波滤波器 |
| CN113676152A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-11-19 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种弹性波谐振器及其制备方法 |
| CN115425941A (zh) * | 2022-07-30 | 2022-12-02 | 锐石创芯(重庆)科技有限公司 | 谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN115314018A (zh) * | 2022-08-16 | 2022-11-08 | 天通瑞宏科技有限公司 | 一种声表面波滤波器及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116073780A (zh) | 2023-05-05 |
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