JPH11112067A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザ光源のバイアス電流をしきい値近傍ま
で増加させてもレーザ光源の寿命を損ねることのない画
像形成装置を提供する。 【解決手段】 バイアス電流印加手段を、レーザ発光の
しきい値近傍のバイアス電流を印加する第一のバイアス
電流印加手段と、この第一のバイアス電流印加手段のバ
イアス電流より小さい値のバイアス電流を印加する第二
のバイアス電流印加手段とから構成する。そして、画像
形成期間中は、スイッチ６４をオンして第一のバイアス
電流印加手段を選択し、前記期間以外の期間中は、スイ
ッチ６４をオフして第二のバイアス電流印加手段（オペ
アンプ５５，トランジスタ５６の回路）を選択する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画像形成装置に関
し、特にレーザ光源からの光変調されたレーザ光を感光
体や、静電記録媒体等の像担持体面上に導光して、その
面上に例えば静電潜像から成る画像を形成するようにし
た複写機，レーザビームプリンタ，ファクシミリ等の画
像形成装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の画像形成装置のレーザ駆
動回路は、たとえば図８に示すように構成されており、
定電流源９４により、レーザ５２に一定のＤＣ電流を流
しておき（この電流のことをバイアス電流と呼ぶ）、そ
れに加えて画像データによってスイッチ９６をＯＮして
電流源９５によりスイッチ電流を流すというのが一般的
な方式である。レーザにはしきい値電流なる変化点が存
在し、しきい値電流より小さい電流を加えただけでは、
レーザはレーザ発光せずに位相もばらばらな拡散光であ
るダイオード発光を行う。このダイオード発光中の光量
はレーザ発光時に比べ、極めて小さい。そして、しきい
値より大きい電流を流して初めてレーザ発光を行うので
ある。これは、レーザがレーザ発振を行うにはレーザ内
部のあるエネルギ準位を超える必要があるためで、この
エネルギ準位を超える電流を流しておけば、後はわずか
な電流量の増減で、レーザの発光量を制御することがで
きる。

【０００３】したがって、全くバイアス電流を流さない
時よりも、あらかじめ電流を流しておいてレーザ内部の
エネルギ準位を高めておき、そこから点灯に必要なスイ
ッチ電流を加えることによって、このエネルギ準位を超
えるのに要する時間が短くなり、レーザの発光特性の改
善を図ることができるわけである。このような理由か
ら、この種の装置のレーザ駆動回路においてはバイアス
電流を印加する手段をとっている。

【０００４】しかしながら、レーザには温度特性があ
り、このしきい値電流の大きさは、周囲温度（レーザの
チップ温度）によって大きく左右される。また、一般的
にレーザに内蔵されているＰＤ（フォトディテクタ）
（図８の５３参照）のダイオード発光時の出力は非常に
小さく、このバイアス電流量を制御するのは非常に困難
であった。したがって、しきい値電流近傍に固定のバイ
アス電流を設定すると、温度の変化によって誤発光を招
く恐れがあり、さらに従来機ではまだそれほどの高速な
微小パルスを制御する必要もなく、バイアス電流の設定
はしきい値電流の半分以下に固定して設定されていた。
そして、実際に感光体に潜像を形成するためのレーザ出
力のみ、内蔵のＰＤ出力を用いてＡＰＣ（Auto Power C
ontroll ）制御している。

【０００５】図８の回路では、５２〜５４，９１〜９
３，９５部がＡＰＣ制御回路を構成している。レーザ５
２の光出力の一部はフォトダイオード５３で電流に変換
され、電流電圧変換器５３で電圧に変換され、サンプル
ホールド回路９１でホールドされる。サンプルホールド
回路９１の信号はオペレーションアンプ９２にて基準電
圧発生器９３の基準電圧と比較され、その差の信号に応
じて電流源９５を制御する。これにより、レーザ５２の
光量は、前記基準電圧に対応した所望の値に制御され
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年、この種の画像形
成装置は、高速化や高精細化が進み、レーザ点灯のＯＮ
／ＯＦＦ周波数も上がる一方である。中には数ｎｓのパ
ルス幅の発光制御すら必要となっている。これほどの短
いパルス幅の発光を制御するとなると、レーザをドライ
ブするドライバの性能もさることながら、先述のバイア
ス電流をしきい値の近傍まで引き上げる必要が生じてく
る。そしてそのために、バイアス電流をしきい値近傍に
設定できるように、バイアス電流をも制御できる回路方
式が開発されてきた。

【０００７】しかしながら、ここで問題となるのがレー
ザ素子の寿命である。レーザ素子の寿命はそのレーザに
印加される電流量と印加時間及び素子の温度によって左
右される。レーザの劣化の仕方としては、レーザの発光
によるチップ内部の鏡面の光学的劣化と印加された電流
による熱損失から生じる半導体の電気的劣化に２通りあ
る。

【０００８】従来のレーザ駆動回路であれば、バイアス
電流の電流量が非常に小さく電気的劣化にもほとんど寄
与していなかったため、実際のレーザ発光時間を積算し
てレーザの寿命を算出していた。ところが、高速に微小
パルスを制御するために、しきい値近傍までバイアス電
流を印加すると、この電流量は実際に潜像形成のための
レーザ発光に必要な電流と差がなくなってくる。この電
流量はレーザの寿命に影響を及ぼす電流量である。ま
た、このような画像形成装置において、実際にレーザ発
光させる時間は感光体に潜像を形成する間だけである
が、画像形成のスタンバイのためにバイアス電流を印加
してバイアス発光している時間はその何倍も長い。よっ
て高速化及び高精細化を実現する画像形成装置において
は、従来のバイアス電流の印加方式を用いるとレーザの
寿命が極端に短くなるという問題が生じる。

【０００９】本発明は、このような状況のもとでなされ
たもので、レーザ光源のバイアス電流をしきい値近傍ま
で増加させてもレーザ光源の寿命を損ねることのない画
像形成装置を提供することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では画像形成装置を次の（１）〜（４）のと
おりに構成する。

【００１１】（１）レーザ光源からの光変調されたレー
ザ光により像坦持体面上を走査して画像を形成する画像
形成装置であって、前記レーザ光源にバイアス電流を印
加する第一のバイアス電流印加手段と、この第一のバイ
アス電流印加手段によって印加するバイアス電流より小
さい値のバイアス電流を前記レーザ光源に印加する第二
のバイアス電流印加手段と、前記像坦持体面上に画像を
形成する期間中は前記第一のバイアス電流印加手段を選
択し、それ以外の期間は主として前記第二のバイアス電
流印加手段を選択する選択手段とを備えた画像形成装
置。

【００１２】（２）レーザ光源からの光変調されたレー
ザ光により像坦持体面上を走査して画像を形成する画像
形成装置であって、前記レーザ光源にバイアス電流を印
加する第一のバイアス電流印加手段と、この第一のバイ
アス電流印加手段によって印加するバイアス電流より小
さい値のバイアス電流を前記レーザ光源に印加する第二
のバイアス電流印加手段と、前記レーザ光源を光変調す
る画像データにおける画像のある部分とない部分を判別
する判別手段と、前記像坦持体面上に画像を形成する期
間中は、前記判別手段で判別した画像のある部分では前
記第一のバイアス電流印加手段を選択し、画像のない部
分では前記第二のバイアス手段を選択し、前記画像を形
成する期間以外の期間は主として前記第二のバイアス電
流印加手段を選択する選択手段とを備えた画像形成装
置。

【００１３】（３）第一のバイアス電流印加手段は、Ａ
ＰＣ制御手段を有している前記（１）または（２）記載
の画像形成装置。

【００１４】（４）ＡＰＣ制御手段は、バイアス電流を
レーザ光源のしきい値近傍に制御するものである前記
（３）記載の画像形成装置。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を複写機
の実施例により詳しく説明する。本発明は複写機に限ら
ず、プリンタ，ファクシミリ等の画像形成装置において
同様に実施することができる。

【００１６】

【実施例】

（実施例１）図１は実施例１である“複写機”の構成を
示す装置全体の断面図である。基本的な動作について図
１を用いて説明する。原稿給紙装置１上に積載された原
稿は、１枚づつ順次原稿台ガラス２面上に搬送される。
原稿が搬送されると、スキャナユニット４のランプ３が
点灯し、かつスキャナユニット４が移動して原稿２を照
射する。原稿２の反射光はミラー５，６，７を介してレ
ンズ８を通過し、その後イメージセンサ部９に入力され
る。イメージセンサ部９に入力された画像信号は、直
接、あるいは、一旦図示しない画像メモリに記憶され、
再び読み出された後、露光制御部１０に入力される。照
射光によって感光ドラム１１上に作られた潜像は、現像
器１２、あるいは１３によって現像される。前記潜像形
成とタイミングを合わせて転写紙積載部１４、あるいは
１５より転写紙が搬送され、転写部１６において、現像
されたトナー像が転写される。転写されたトナー像は定
着部１７にて転写紙に定着された後、排紙部１８より装
置外部に排出される。

【００１７】図２は露光制御部１０の構成を示してい
る。図２において、３１は半導体レーザチップである。
半導体レーザチップ３１の内部にはレーザ光の一部を検
出するフォトダイオードが設けられ、このフォトダイオ
ードの検出信号を用いてレーザダイオードのＡＰＣ制御
を行う。レーザ３１から発したレーザビームはコリメー
タレンズ３５や絞り３２によりほぼ平行光となり、所定
のビーム径で回転多面鏡３３に入射する。

【００１８】回転多面鏡３３は、矢印のような方向に等
角速度の回転を行っており、この回転に伴って、入射し
た光ビームが連続的に角度を変える偏向ビームとなって
反射される。偏向ビームと成った光はｆ−θレンズ３４
により集光作用を受ける。一方、ｆ−θレンズ３４は同
時に走査の時間的な直線性を保証するような歪曲収差の
補正を行うために、光ビームは、像坦持体としての感光
ドラム１１上に図の矢印の方向に等速で走査される。な
お、３６は回転多面鏡３３からの反射光を検出するＢＤ
（ビームディテクト）センサであり、ＢＤセンサ３６の
検出信号は回転多面鏡３３の回転とデータの書き込みの
同期をとるための同期信号として用いられる。

【００１９】図３は、レーザ駆動回路の構成を示すブロ
ック図である。図３において、システムコントローラ７
３は、図１に示した本実施例装置の各部を制御する制御
回路、画像処理部７２は図１に示したイメージセンサ部
９で読み取られた画像信号を処理する処理回路である。
画像処理部７２ではイメージセンサ部９からの画像信号
を後述するＢＤ信号に同期して１ラインづつレーザ駆動
回路に供給したり、あるいは詳しく後述するように、半
導体レーザのＡＰＣ制御に必要なタイミング信号を作成
している。３１は図２に示した半導体レーザ５２のチッ
プであり、半導体レーザ５２とレーザ光の一部を検出す
るフォトダイオード５３からなっている。

【００２０】バイアス電流源６１，６２、パルス電流源
６０は半導体レーザ５２の駆動に用いられる電流源、ス
イッチ６３は画像信号に応じてオン，オフするスイッチ
である。ここで、スイッチ６３はハイレベル信号が入力
されるとオンし、半導体レーザ５２にはパルス電流源６
０で決められた電流が加算されて流れることになり点灯
する。また、スイッチ６３はローレベルが入力されると
オフし、半導体レーザ５２は消灯する。このように、ス
イッチ６３を画像信号に応じて制御することによって半
導体レーザ５２を駆動し、感光ドラム１１に光書き込み
を行う。

【００２１】また、オペアンプ５５，トランジスタ５
６，抵抗５７，５８，５９からなる回路はレーザ５２の
固定バイアス回路を形成する電流源で、電流量は抵抗５
７，５８の分圧比で設定され、通常１０ｍＡ程度の小さ
な電流量に設定されており、この電流源がレーザ５２の
第二のバイアス電流源である。第一のバイアス電流源
は、前記バイアス電流源６１とこの第二のバイアス電流
源を合わせたものとなる。本実施例装置において、プリ
ント動作を行わないスタンバイ状態の時には、通常レー
ザ５２は消灯している。そして、プリント動作時レーザ
５２は点灯するわけであるが、この時一定の発光量を保
つためにＡＰＣ制御が行われる。このＡＰＣ制御はレー
ザ光が回転多面鏡３３によって感光ドラム１１に走査さ
れる１ライン毎に行われ、これをラインＡＰＣ制御と呼
ぶ。また、このＡＰＣ制御はプリント動作中は、画像形
成に影響を及ぼさないように非画像領域において行われ
る。そして、バイアス電流をしきい値近傍に正確に設定
するために、本実施例においては、潜像形成に使用され
るレーザ５２のパワーに関してのみのＡＰＣ（以後トー
タルＡＰＣと呼ぶ）を行うのではなく、バイアス電流に
関してもＡＰＣ（以後バイアスＡＰＣと呼ぶ）を行って
いる。

【００２２】即ち、非画像領域において、まずバイアス
電流の設定を行うためにスイッチ６４，６５をオンし
（スイッチ６３はオフ）、レーザ５２に電流を供給して
点灯させ、この時これに同期してサンプルホールド回路
６６をサンプル状態とする。この時半導体レーザ５２の
レーザ光の一部がフォトダイオード５３で検出され、そ
の検出信号は電流電圧変換器５４で電圧信号に変換され
る。電流電圧変換器５４の出力信号は、サンプルホール
ド回路６６でサンプルされ、オペレーションアンプ６７
に供給される。

【００２３】オペレーションアンプ６７では、サンプル
ホールド回路６６の出力信号と基準電圧発生器６８の基
準電圧ＶｒｅｆＢを比較し、その差信号に応じてバイア
ス電流源６１の電流を制御する。即ち、基準電圧発生器
６８で基準電圧として設定されている目標の光量となる
ようにバイアス電流源６１の電流を制御することによっ
て半導体レーザ５２の光量が所望の光量となるようにＡ
ＰＣ制御を行う。この制御が終わるとサンプルホールド
回路６６はホールド状態となり、制御した値を保ったま
まレーザ５２にバイアス電流を供給することになる。

【００２４】ここで、バイアス電流源６２は、バイアス
ＡＰＣを行う際に、フォトダイオード５３の出力を用い
て制御できるようにレーザ５２を意図的にレーザ発光さ
せるための電流源であり、固定された一定の電流をレー
ザに供給する。したがってバイアスＡＰＣの期間のみス
イッチ６５はオンする。よって、バイアス電流源６１，
６２を加えた電流でバイアスＡＰＣ制御は行われるが、
実際にレーザを用いて画像形成を行う時のバイアス電流
は、バイアス電流源６１で供給される電流にトランジス
タ５６を流れる電流を加えた電流（第一のバイアス電流
源）となる。

【００２５】そしてまた、基準電圧発生器６８で設定さ
れている電圧は、バイアス電流源６２で加えられる電流
も加味した電圧であり、バイアスＡＰＣ後バイアス電流
源６２の電流が引かれた状態で、レーザ５２に印加され
るバイアス電流がそのレーザのしきい値近傍になるよう
に設定されている。

【００２６】バイアスＡＰＣの次にトータルＡＰＣが行
われる。当然このトータルＡＰＣも非画像領域において
行われる。即ち、バイアスＡＰＣ終了後スイッチ６３を
オンし（スイッチ６４はオン、スイッチ６５はオフ）、
レーザ５２に前記設定したバイアス電流に加え、パルス
電流源６０の電流を供給して点灯させ、この時これに同
期してサンプルホールド回路６９をサンプル状態とす
る。この時半導体レーザ５２のレーザ光の一部がフォト
ダイオード５３で検出され、その検出信号は電流電圧変
換器５４で電圧信号に変換される。電流電圧変換器５４
の出力信号はサンプルホールド回路６９でサンプルさ
れ、オペレーションアンプ７０に供給される。

【００２７】オペレーションアンプ７０では、サンプル
ホールド回路６９の出力信号と基準電圧発生器７１の基
準電圧ＶｒｅｆＴを比較し、その差信号に応じてパルス
電流源６０の電流を制御する。即ち、基準電圧発生器７
１で基準電圧として設定されている目標の光量となるよ
うにパルス電流源６０の電流を制御することによって半
導体レーザ５２の光量が所望の光量となるようにＡＰＣ
制御を行う。この制御が終わると、サンプルホールド回
路６９はホールド状態となり、制御した値を保ったまま
レーザ５２にパルス電流を供給することになる。

【００２８】一方、画像領域においては、既に述べたよ
うに、非画像領域における電流電圧変換器５４の出力信
号がサンプルホールド回路６６及び６９にホールドされ
ており、オペレーションアンプ６７及び７０ではホール
ドされた信号と基準電圧発生器６８及び７１によって、
バイアス電流及びパルス電流が設定され、半導体レーザ
５２の光量を制御する。

【００２９】図４に前述のラインＡＰＣのタイミングを
示す。サンプルホールド回路６６，６９は、ハイレベル
でサンプル状態、ローレベルでホールド状態となり、ス
イッチ６４，６５はハイレベルでオン、ローレベルでオ
フとなる。図４において、ＶＩＤＥＯ ＤＡＴＡの信号
が非画像領域においてＳ／Ｈ−Ｔと同期してハイレベル
となった後画像領域の前で、再度ハイレベルとなってい
るのは、前述のＢＤセンサ３６で同期信号を得るためで
ある。

【００３０】次に本実施例におけるレーザ５２へ印加す
るバイアス電流の制御について述べる。

【００３１】図５はＡ４サイズの用紙の２枚コピー時の
シーケンスを説明する図である。まず、操作部７４のコ
ピースタートキーが押されると、コピースタート信号が
画像処理部７２に入力される。ＣＯＰＹ ＳＴＡＲＴ信
号は、ハイレベルでＳＴＡＲＴを意味する。このＣＯＰ
Ｙ ＳＴＡＴＲ信号が画像処理部７２に入力されると、
本実施例の説明の冒頭に述べたように、システムコント
ローラ７３が本実施例の装置の各部分の駆動を制御し始
め本装置はコピー動作を開始する。この時のレーザ駆動
回路の動作の詳細を説明する。

【００３２】レーザ駆動回路は、まずＣＯＰＹ ＳＴＡ
ＴＲ信号を受けて、バイアスＡＰＣの引き込みを開始す
る。即ち、Ｓ／Ｈ−Ｂ信号，ＢＩＡＳ ＳＷ１信号及び
ＢＩＡＳ ＳＷ２信号がハイレベルとなり、レーザ５２
を点灯させて所望のバイアスレベルになるようにバイア
スＡＰＣを行う。一定時間後、バイアスレベルが所望の
レベルに達したところで、次にトータルＡＰＣの引き込
みに移行する。つまり、Ｓ／Ｈ−Ｂ信号，ＢＩＡＳ Ｓ
Ｗ１信号及びＢＩＡＳ ＳＷ２信号がローレベルとな
り、ＶＩＤＥＯ ＤＡＴＡ信号，Ｓ／Ｈ−Ｔ信号がハイ
レベルとなる。しかしながら、サンプルホールド回路の
ホールド能力には限りがあるので、トータルＡＰＣの引
き込みを行っている間にも、バイアスＡＰＣの制御をは
さむ。この期間においては、トータルＡＰＣはホールド
状態となっている。

【００３３】そして、一定時間後トータルＡＰＣの引き
込みが完了すると、ＢＤセンサ３６からの同期信号に基
づいてラインＡＰＣ制御に移行し、スタンバイ状態とな
る。この時の動作は詳細を前述してある。ただし、まだ
潜像形成のタイミングに至ってないので、高速な画像デ
ータのスイッチングは必要なく、ＢＩＡＳ ＳＷ１信号
はバイアスＡＰＣのタイミング以外ではローレベルとな
っており、レーザ５２に印加される電流は第二の電流手
段による少量の電流のみである。図５における潜像形成
タイミングは、ハイレベルで潜像を形成する期間を表
す。

【００３４】次に潜像を形成する期間においては、ライ
ンＡＰＣ制御を行いながら、ＶＩＤＥＯ ＤＡＴＡに画
像データが付加される。図５の画像形成期間におけるＶ
ＩＤＥＯ ＤＡＴＡの斜線部が画像データである。この
期間においては、レーザ５２は高速のスイッチングをす
る必要があるのでＢＩＡＳ ＳＷ１はハイレベルとな
り、レーザ５２にバイアス電流源６１からの電流も供給
され、バイアス電流はレーザ５２のしきい値近傍に設定
されることになる。そして、１枚目のコピーが終了する
と、レーザ駆動回路はスタンバイ状態となり、ラインＡ
ＰＣの動作を行いながら次の画像形成に備える。この期
間においては、ＢＩＡＳ ＳＷ１はローレベルとなり、
レーザ５２にはバイアスＡＰＣ期間以外少量のバイアス
電流のみ供給される。２枚目の潜像形成期間となると、
１枚目のコピー時と同じシーケンスでレーザ駆動回路が
制御されて画像が形成され、画像形成終了後レーザは消
灯する。

【００３５】以上説明したように、本実施例によれば、
レーザに電流を流す積算時間を大幅に減らすことができ
る。

【００３６】（実施例２）本実施例は、画像データにお
いて、画像のある部分とない部分を判別してバイアス電
流を制御する例である。

【００３７】図６は、実施例１における画像処理部７２
に対応する画像処理部の内部回路である。この画像処理
部以外の構成及び動作に関しては実施例１と同じである
ので、その動作説明は省略する。

【００３８】図６において、画像判別部８１はイメージ
センサ部９より送られてきた画像データにおいて、画像
のある部分とない部分を判別する画像判別手段である。
画像データはこの画像判別部８１を通り、１ラインのデ
ィレイ回路８７を通って画像メモリ８３へと転送され、
このタイミングで次の画像処理回路へ送られていく。ま
た、この画像判別部８１で画像の有無を判別された結果
はカウンタ８２へと送られる。ここで、この判別信号は
画像無しと判定された場合ハイレベルとなる。カウンタ
８２は、この入力がハイレベルとなった時からカウント
動作を開始し、本装置の１ライン走査の時間よりこの入
力のハイレベルの時間が長かったときにこのカウンタ８
２はハイレベルの信号を出力する。そしてカウンタ８２
は入力信号がローレベルになった時に出力もローレベル
となり、カウンタ自身はリセットされる。

【００３９】そしてこのカウンタ８２の出力は、Ｄ−フ
リップフロップ８８に入力される。フリップフロップ８
８は、ＢＤセンサ３６より出力されるＢＤ信号に同期し
て動作し、カウンタ８２出力のレベルによってＢＤ信号
同期でトグル動作を繰り返す（図７参照）。このＤ−フ
リップフロップ８８の出力信号が、前記画像メモリ８３
に画像データを取り込むタイミングと同じタイミングで
メモリ８５にとりこまれる。また、取り出されるタイミ
ングも画像メモリ８３から画像データが取り出されるタ
イミングと同じであり、メモリ８５の出力信号はインバ
ータ８９を通ってＡＮＤ回路８６に入り、ＢＩＡＳ Ｓ
Ｗ１とＡＮＤされ、この出力がレーザ回路にＢＩＡＳ
ＳＷ１ａとして送られる。これによってこの画像の有無
の信号は常にそれと対応した画像データと同じタイミン
グで、画像処理部からレーザ駆動回路へ送られることに
なる。

【００４０】これにより、画像形成期間中はＢＩＡＳ
ＳＷ１信号がハイレベルであるが、画像なしと判定され
たとき、バイアス電流源を第一のバイアス電流源から第
二のバイアス電流源に切り換え、レーザ５２のバイアス
電流を減らすことができる。

【００４１】以上説明したように、本実施例の構成をと
ることにより、実施例１の動作に加え、画像形成中の動
作においても画像がない場合はレーザに流す電流を減ら
すことができ、レーザへの電流印加時間の更なる短縮が
できるようになる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザの高速スイッチ動作のためにバイアス電流をしき
い値近傍まで増加させても、レーザの寿命を損ねること
がない。

【００４３】よって、レーザは、交換が比較的困難であ
るスキャナユニット内に、サービスパーツ等の設定部品
にすることなく配置でき、サービス性の向上に寄与する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１の構成を示す断面図

【図２】 露光制御部の構成を示す図

【図３】 レーザ駆動回路の構成を示すブロック図

【図４】 ラインＡＰＣのタイミングチャート

【図５】 シーケンス説明図

【図６】 実施例２の要部の構成を示す図

【図７】 シーケンス説明図

【図８】 従来例のレーザ駆動回路の構成を示すブロッ
ク図

【符号の説明】

５２ 半導体レーザ ５５ オペアンプ ５６ トランジスタ ６１ バイアス電流源 ６４ スイッチ ７２ 画像処理部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 秋生 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 田原 久嗣 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザ光源からの光変調されたレーザ光
   により像坦持体面上を走査して画像を形成する画像形成
   装置であって、前記レーザ光源にバイアス電流を印加す
   る第一のバイアス電流印加手段と、この第一のバイアス
   電流印加手段によって印加するバイアス電流より小さい
   値のバイアス電流を前記レーザ光源に印加する第二のバ
   イアス電流印加手段と、前記像坦持体面上に画像を形成
   する期間中は前記第一のバイアス電流印加手段を選択
   し、それ以外の期間は主として前記第二のバイアス電流
   印加手段を選択する選択手段とを備えたことを特徴とす
   る画像形成装置。
2. 【請求項２】 レーザ光源からの光変調されたレーザ光
   により像坦持体面上を走査して画像を形成する画像形成
   装置であって、前記レーザ光源にバイアス電流を印加す
   る第一のバイアス電流印加手段と、この第一のバイアス
   電流印加手段によって印加するバイアス電流より小さい
   値のバイアス電流を前記レーザ光源に印加する第二のバ
   イアス電流印加手段と、前記レーザ光源を光変調する画
   像データにおける画像のある部分とない部分を判別する
   判別手段と、前記像坦持体面上に画像を形成する期間中
   は、前記判別手段で判別した画像のある部分では前記第
   一のバイアス電流印加手段を選択し、画像のない部分で
   は前記第二のバイアス手段を選択し、前記画像を形成す
   る期間以外の期間は主として前記第二のバイアス電流印
   加手段を選択する選択手段とを備えたことを特徴とする
   画像形成装置。
3. 【請求項３】 第一のバイアス電流印加手段は、ＡＰＣ
   制御手段を有していることを特徴とする請求項１または
   請求項２記載の画像形成装置。
4. 【請求項４】 ＡＰＣ制御手段は、バイアス電流をレー
   ザ光源のしきい値近傍に制御するものであることを特徴
   とする請求項３記載の画像形成装置。