JPH11111819A - Wafer fixing method and light exposing device - Google Patents

Wafer fixing method and light exposing device

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JPH11111819A
JPH11111819A JP9265807A JP26580797A JPH11111819A JP H11111819 A JPH11111819 A JP H11111819A JP 9265807 A JP9265807 A JP 9265807A JP 26580797 A JP26580797 A JP 26580797A JP H11111819 A JPH11111819 A JP H11111819A
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JP
Japan
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wafer
exposure
exposure apparatus
fixing
method
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Withdrawn
Application number
JP9265807A
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Japanese (ja)
Inventor
Keiji Imai
啓二 今井
Original Assignee
Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd
旭化成マイクロシステム株式会社
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70691Handling of masks or wafers
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To permit a wafer fixing method in which a wafer is hard to be bent by a foreign matter and local focus position deviations are hard to occur, by a method wherein only a marginal part of a wafer is brought into contact with an light exposing pedestal of a light exposing device and the marginal part of the wafer is fixed to the light exposing pedestal.
SOLUTION: A light exposing pedestal 1 is a circular pedestal having the substantially same plane shape as a wafer W, and a marginal part of the light exposing pedestal 1 is a standing member of a height about several mm to form a ring type chuck 2. A plurality of attracting holes 2a for attracting and holding the wafer W are punched ranging over the entire periphery at an upper end of the ring type chuck 2 when the wafer W is brought into contact therewith. A first pump 21 is operated by a controller 23, and the wafer W is attracted by an attraction hole 2a, whereby the wafer W is fixed onto the light exposing pedestal 1. As a result, only the marginal part of the wafer W comes into contact with the ring type chuck 2 of the light exposing pedestal 1, and the other portion is held into non-contact with the light exposing pedestal l.
COPYRIGHT: (C)1999,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハーを露光装置内の露光台上に固定する方法並びにその露光装置に関し、特に露光時に、ウェハー表面に撓みが生じることの無いように固定することができるウェハーの固定方法並びに露光装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method and the exposure apparatus to secure the wafer onto the exposure table in the exposure device, in particular during exposure is fixed so as not to deflect the wafer surface occurs to fixed method and exposure apparatus of the wafer.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来の露光装置が有する露光台は図7及び図8に示すような構造を有していた。 BACKGROUND ART exposure stand conventional exposure apparatus has had a structure as shown in FIGS. 図7( a) は第1従来例の露光台の平面図を、同図( b) は同従来例の、ウェハーを載置した状態の露光台の側断面図を示す。 7 (a) is a plan view of a light exposure base of the first conventional example, (b) shows a side sectional view of a light exposure base state of mounting of the prior art, the wafer. また、図8( a) は第2従来例の露光台の平面図を、同図( b) は同じく、ウェハーを載置した状態の露光台の側断面図を示す。 Further, FIG. 8 (a) is a plan view of a light exposure base of the second conventional example, FIG. (B) is likewise shows a side sectional view of a light exposure base in a state of placing the wafer.

【0003】図7(a) に示すように、第1従来例の露光台51は平面がウェハーと略同じ形状を有する円形台である。 [0003] As shown in FIG. 7 (a), the exposure table 51 in the first conventional example is a carousel which planes have a substantially same shape as the wafer. この露光台51は、その周縁部が高くなってリング型チャック52が形成されており、中央部は低くなって空間 The exposure table 51, the ring-type chuck 52 periphery becomes higher is formed, the central portion becomes lower space
54が形成されている。 54 is formed. また、この空間54にはリング型チャック52と同じ高さの多数の支持突起53がマトリクス状に配置されている。 Also, a number of support protrusions 53 of the same height as the ring type chuck 52 are arranged in a matrix in the space 54.

【0004】このため、図7( b) に示すように、ウェハーWを露光台51に載せた状態にあっては、ウェハーW [0004] Therefore, as shown in FIG. 7 (b), it is in a state carrying the wafer W to the exposure stage 51, the wafer W
はリング状チャック52と多数の支持突起53とにより支持されることになり、空間54はウェハーWと露光台51とに挟まれた気密空間となる。 Will be supported by a number of supporting projections 53 and ring-shaped chuck 52, the space 54 is an airtight space sandwiched between the wafer W and the exposure table 51. なお、円形のウェハーWは、 In addition, the circular wafer W,
位置決めの必要性から一端を欠いて、ここにオリエンテーションフラット(以下、オリフラという)と呼ばれる切り欠き部を形成するが、露光台51のリング型チャック It lacks one end the need for positioning, where the orientation flat (hereinafter referred to as the orientation flat) forms a notch portion called ring chucks exposure table 51
52もこの形状に合わせるように、フラット部52aが形成されている。 52 so as to match this shape, flat portion 52a is formed.

【0005】以上のようにウェハーWを露光台51上の所定位置に載置した状態で、吸引ポンプ55を用いて空間54 [0005] In a state where the wafer W is placed on the predetermined position on the exposure stage 51 as described above, using a suction pump 55 space 54
の空気を抜くと、空間54が低圧になって、ウェハーWを露光台51上に吸引固定することができる。 When removing the air, it is possible to space 54 becomes the low pressure, sucks secure the wafer W on exposure table 51.

【0006】また、図8( a) 、( b) に示す第2従来例の露光台61は、第1従来例と同様に、周縁部が高くなってリング型チャック62が形成され、中央部が低くなって空間64が形成されている。 [0006] FIG. 8 (a), the exposure table 61 in the second conventional example shown in (b), similarly to the first conventional example, the ring-type chuck 62 becomes higher peripheral portion is formed, the central portion It is formed a space 64 is low. また、ウェハーWのオリフラを一致させるためのフラット部62aも同様に形成されている。 Also formed similarly flat portion 62a to match the orientation flat of the wafer W.

【0007】本従来例の露光台では、第1従来例の支持突起53の代りに同心円状の支持円条63が設けられており、ウェハーWを載置した場合、リング型チャック62及び支持円条63がこれを支持する。 [0007] In the exposure stage of the conventional example, concentric support Enjo 63 is provided instead of the first conventional example of the supporting projections 53, when placing the wafer W, the ring-type chuck 62 and support circular Article 63 is to support this.

【0008】そして、同様に、吸引ポンプ55を用いて空間64の空気を抜くと、その吸引力によりウェハーWは露光台61上に吸引固定される。 [0008] Then, similarly, when deflated space 64 using a suction pump 55, the wafer W by the suction force is the suction fixed on the exposure table 61. 本従来例の露光台61では、 In the exposure stage 61 of the prior art,
空間64が支持円条63のそれぞれにより複数の部屋に区切られるので、気密性をそれぞれの部屋で保つことができ、ウェハーのより確実な固定を行うことができる。 Since the space 64 is divided into a plurality of chambers by respective supporting Enjo 63, it is possible to maintain airtightness in each room, it is possible to perform a more secure fastening of the wafer.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】以上示した第1、第2 The shown above [0008] 1, second
従来例の露光台51、61上に固定されたウェハーWは、フォトレジストが塗布され、さらにリソグラフィー工程によりマスクパターンが転写される。 Wafer W which is fixed on the exposure stand 51, 61 of the conventional example, photoresist is applied, the mask pattern is transferred by the further lithography steps. ここで使用されるマスクパターンは、近年の半導体素子の高集積化に伴ってきわめて微細なものになっている。 Mask pattern used herein is adapted to extremely fine with the high integration of semiconductor devices in recent years.

【0010】このため、ウェハーWの裏面と接触する、 [0010] For this reason, in contact with the rear surface of the wafer W,
リング型チャック52、62、又は支持突起53、支持円条63 Ring chuck 52 and 62, or support protrusions 53, the support Enjo 63
の上面に10μmオーダー以上の異物(ゴミ)が存在した場合、この異物がウェハーWを歪ませて、マスクパターンが転写される表面に盛り上がりを生じさせてしまう。 If a foreign substance (dust) upper surface of the above 10μm order exists, this foreign matter distorts the wafer W, thereby causing the swelling on the surface of the mask pattern is transferred.
そして、この盛り上がりは、露光装置の投影光学系からのパターン像の焦点位置を狂わせるため、部分的にパターン像がウェハーW表面で結像しなくなり解像度悪化が生じる可能性があった。 Then, the swelling is due to derail the focal position of the pattern image from the projection optical system of the exposure apparatus, partly pattern image there is a possibility that imaging is no longer resolution deterioration may occur in the wafer W surface. このため、これら従来例の露光装置は、リソグラフィー工程時、パターン不良を引き起こし、大量の製品不良を生じさせる可能性があるという問題点を有していた。 Therefore, these conventional exposure apparatus, during the lithography process, cause pattern failure, there is a problem that can cause a large amount of product defects.

【0011】そこで、本発明の目的は、半導体の露光工程におけるウェハーの固定方法、並びにこれを実行する露光装置において、ウェハーが異物により歪みにくく、 [0011] Therefore, an object of the present invention, a wafer fixing method in a semiconductor exposure process, and an exposure apparatus for performing this, hardly distorted wafers by foreign substances,
曲部的な焦点位置ズレが生じにくいウェハーの固定方法並びに露光装置を提案することにある。 In the curved portion specific focus position deviation is to propose a fixing method and an exposure apparatus hardly wafer occur. また、本発明の別の目的は、ウェハーに撓みが生じる場合にこれを積極的に補正して、マスクパターン転写時の解像度を良好なものとすることができるウェハーの固定装置並びに露光装置を提案することにある。 Another object of the present invention corrects actively this when bending the wafer occurs, proposes a fixing apparatus and an exposure apparatus of the wafer the resolution at the time of the mask pattern transfer can be made good It is to.

【0012】 [0012]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本願発明のウェハーの固定方法は、ウェハーの周縁部のみを露光装置の露光台に接触させ、該ウェハーの周縁部を前記露光台に固定することにより、上記課題を解決している。 In order to solve the above problems SUMMARY OF THE INVENTION The method of the fixed wafer of the present invention, only the peripheral portion of the wafer is brought into contact with the exposed base of the exposure apparatus, the exposure table a peripheral portion of the wafer by fixing the, it solves the above problems.

【0013】また、ウェハーの固定方法であって、前記ウェハーの中央部と前記露光台との間に圧力調整室を設け、該圧力調整室に正圧または負圧を加えて圧力調整することで、ウェハーの中央部に生じた撓みを補正する構成とすることもできる。 Further, a fixing method of the wafer, the pressure adjusting chamber between the exposure table and the central portion of the wafer is provided, by pressure adjustment by adding positive or negative pressure to the pressure adjusting chamber It may be configured to correct the deflection occurring in the central portion of the wafer.

【0014】また、上記方法を具体化した装置として、 Further, as an apparatus embodying the above method,
前記露光台はウェハーの周縁部のみに接触し、該ウェハーの周縁部を固定する環状チャックを有する露光装置を構成することができる。 The exposure table is in contact only the peripheral portion of the wafer, it is possible to configure the exposure apparatus having an annular chuck for fixing the peripheral edge of the wafer.

【0015】さらに、環状チャックで囲まれた空間を、 [0015] In addition, a space surrounded by the annular chuck,
正圧または負圧を加えて圧力調整することにより前記ウェハーの中央部に生じた撓みを補正する圧力調整室とすれば、ウェハーに生じた撓みを積極的に補正できる露光装置を構成することができる。 If the pressure adjusting chamber to correct the deflection occurring in the central portion of the wafer by the pressure adjusted by adding a positive or negative pressure, that constitute the exposure apparatus capable of actively correcting the deflection caused in the wafer it can.

【0016】 [0016]

【発明の実施の形態】本願発明に係る連結装置の第1実施形態を図1乃至図4を用いて説明する。 The first embodiment of the coupling device according to the present invention DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION be described with reference to FIGS. 図1は本実施形態に係る露光装置の構造図、図2は同露光装置の露光台の平面図、図3は同露光装置の露光台の作動の説明図、図4は同露光装置の制御フローチャートである。 Figure 1 is the structure diagram of an exposure apparatus according to this embodiment, FIG. 2 is an exposure stand plan view of the exposure apparatus, FIG. 3 is an explanatory view of the operation of the exposure stand the exposure apparatus, FIG. 4 is a control of the exposure apparatus it is a flow chart.

【0017】本実施形態の露光装置Aは、ウェハーWを載置し、これを固定する露光台1と、レーザーまたは L The exposure apparatus A of this embodiment, by placing the wafer W, the exposure table 1 to fix this, laser or L
ED光等の照準によりウェハーWの表面の平坦度を測定する検査装置10とを有する。 And an inspection device 10 for measuring the flatness of the surface of the wafer W by the sighting of the ED light or the like. 露光装置Aは、他に、マスクの保持手段、投影手段等を有し、露光台1上のウェハーWの表面にマスクパターンを転写するための複合的な装置であるが、これら他の手段は図示しない。 Exposure apparatus A, the other, the holding means of the mask has a projection means and the like, but the surface of the wafer W on exposure table 1 is a complex device for transferring a mask pattern, these other means (not shown).

【0018】図1及び図2に示すように、露光台1は、 As shown in FIGS. 1 and 2, the exposure table 1,
ウェハーWと略同一の平面形状を有する直径15〜30 Diameter with a wafer W substantially the same planar shape 15-30
cm程度の円形台である。 A circular table of about cm. 露光台1の周縁部は高さ数m Periphery of the exposure table 1 is the number height m
m程度の立設片となって環状チャックであるリング型チャック2が形成される。 Ring chuck 2 is an annular chuck becomes m about standing piece is formed. このリング型チャック2の上端には、ウェハーWが接触した際、これを吸引して保持する吸引孔2aが全周に渡って複数穿孔されている。 The upper end of the ring chuck 2, when the wafer W is in contact, suction holes 2a are multiple perforations over the entire circumference to hold by suction this. なお、リング型チャック2はウェハーWのオリフラと一致するようにフラット部2bが設けられており、吸引孔2 Incidentally, the ring-type chuck 2 is flat section 2b is provided so as to match the orientation flat of the wafer W, the suction holes 2
aもこのフラット部2bにおいてはこれに沿って設けられている。 a is also provided along which in this flat portion 2b. また、リング型チャック2はチタン合金、またはセラミックにより形成され、その上面はウェハーW The ring-type chuck 2 is formed of titanium alloy or ceramic, and its upper surface wafer W
との密着性を高めるために、水平に仕上げられている。 To increase the adhesion between, are finished horizontally.

【0019】このリング型チャック2の下端に沿って、 [0019] Along the lower end of the ring chuck 2,
露光台1には底部3が形成され、この部分に圧力調整室4が形成される。 The exposure table 1 is formed the bottom 3, the pressure adjusting chamber 4 is formed in this portion. この底部3には放射状に複数の圧力調整孔3aが穿孔されている。 A plurality of pressure adjusting holes 3a radially are bored in the bottom part 3.

【0020】また、リング型チャック2にはその上端に突出可能な昇降ピン5が等角度で複数個所(本実施形態の場合は3個所)取り付けられており、この昇降ピン5 Further, mounted a plurality of locations at equal angles lifting pin 5 to be projectable at its upper end to a ring chuck 2 (3 places in this embodiment), the lifting pin 5
を上昇させた状態では、ウェハーWを載置した際、リング型チャック2との間に隙間Sを生じさせることができる構造となっている。 In the state of being elevated, when placing the wafer W, and a structure capable of producing a gap S between the ring chuck 2.

【0021】露光台1の外部には、吸引機能のみを有する第1ポンプ21が設けられており、通気路21aを介して、前記リング型チャック2の吸引孔2aに接続されている。 [0021] outside of the exposure table 1 is the first pump 21 is provided having only the suction function, via the air passage 21a, and is connected to the suction holes 2a of the ring chuck 2. また、加圧/吸引の切り替え可能な第2ポンプ22 Also, the possible switching of pressure / suction 2 pump 22
も並列に設けられており、通気路22aを介して前記底部3の圧力調整孔3aに接続されている。 Is also provided in parallel, it is connected to the pressure adjusting hole 3a of the bottom 3 through the air passage 22a.

【0022】露光台1上の検査装置10は、ウェハーW表面にレーザーまたは LED光等を照射する発信機11とウェハーW表面から反射したレーザー光を受光するセンサ12 The inspection device 10 on the exposure table 1, sensor 12 for receiving the laser beam reflected from the transmitter 11 and the wafer W surface is irradiated with laser or LED light and the like on the wafer W surface
とから構成され、十字計測してウェハーW表面の平坦度を計測する。 Is composed of a, to measure the flatness of the wafer W surface is cross measured. センサ12は制御装置23に接続され、センサ Sensor 12 is connected to the control device 23, the sensor
12の計測結果に基づいて、制御装置23により第2ポンプ Based on the 12 measurement results, the second pump by the controller 23
22が制御される。 22 is controlled. なお、制御装置23は第1ポンプ21にも接続され、第1ポンプ21は昇降ピン5や図示しないウェハーWの搬送手段とともにシークエンス制御される。 Incidentally, the control device 23 is also connected to the first pump 21, the first pump 21 is sequenced controlled together with the conveying means of the wafer W without and lifting pin 5 shown.

【0023】次に、本実施形態の露光装置の作動を、図3及び図4に基づいて説明する。 Next, the operation of the exposure device of the present embodiment will be described with reference to FIGS. まず、昇降ピン5上を上昇させた状態でウェハーWを露光台1上に降ろし、これを昇降ピン5によって支持させる(図1参照)。 First, it lowers the wafer W on exposure table 1 in the state of raising the upper lifting pin 5, thereby supporting the the lift pins 5 (see Figure 1). この時、ウェハーWは吸着式ハンド(図示せず)によりウェハーWの裏面を把持されて、所定位置へ位置決めされるが、吸着式ハンドは昇降ピン5によりリング型チャック2上に隙間が生じているので、干渉しないで進入、待避できる。 At this time, the wafer W is gripped back surface of the wafer W by the suction type hand (not shown), but is positioned to a predetermined position, the suction type hand is a gap on the ring chuck 2 by elevating pins 5 because there, entering without interference, it can be saved. その後、昇降ピン5を下降させ、リング型チャック2の上端にウェハーWの周縁部を当接させるようにこれを露光台1上に載置する。 Thereafter, the lifting pins 5 are lowered and placed on the exposure table 1 it so as to abut against a peripheral portion of the wafer W to the upper end of the ring chuck 2.

【0024】かかる状態で、図3( a) に示すように、 [0024] In this state, as shown in FIG. 3 (a),
制御装置23が第1ポンプ21を作動させ、吸引孔2aによりウェハーWを吸着することにより、これを露光台1上に固定する。 Controller 23 actuates the first pump 21, by adsorbing the wafer W by suction holes 2a, to fix this on the exposure table 1. これにより露光台1の圧力調整室4の上面はウェハーWによって塞がれ、リング型チャック2の上端とウェハーWの周縁部が全周囲に渡って密着するために、圧力調整室4は気密室となる。 Thus the upper surface of the pressure adjusting chamber 4 of the exposure table 1 is closed by the wafer W, to the periphery of the upper end and the wafer W of the ring-type chuck 2 is in close contact over the entire circumference, the pressure adjusting chamber 4 is airtight chamber to become.

【0025】ウェハーWはその中央部が支持されていないために、自重により撓む可能性があり、また、この露光工程に至る過程で熱処理等により撓みが発生する可能性がある。 The wafer W to the center portion is not supported, there is a possibility to flex under its own weight, also it is bent by heat treatment or the like in the process leading to the exposure step can occur. このため、図3( b) 、( c) に示すように、検査装置10の作動によりこの撓み(以下、ベンドという)を検出する。 Therefore, FIG. 3 (b), detecting (c), the this bending by the operation of the inspection apparatus 10 (hereinafter, referred to as bend). 具体的には、レーザーまたは LED光等の発信機11によりレーザー光等を照射し、反射したレーザー光等をセンサ12が受光して、ウェハーW表面の平坦度をスキャニングする。 Specifically, by irradiating a laser beam or the like by transmitter 11 such as a laser or LED light, the reflected laser beam or the like sensor 12 is received, scanning the flatness of the wafer W surface. このスキャニングはウェハーW表面を直交する二方向から十字に行い、ベンドが発生しているか、そして、ベントが発生している場合は、凸状なのか、凹状なのかを検知し、その歪量も同時に把握する。 Is this scanning is performed in a cross from two directions perpendicular to the wafer W surface, the bend occurs, and, if the vent is occurring, or convex of the senses or concave of the, also the amount of strain to grasp at the same time.

【0026】もしベントがウェハーWの表面に対して下方に生じている場合、すなわち凹状である場合は、図3 [0026] If the vent occurs downwardly with respect to the surface of the wafer W, ie, if it is concave, 3
( b) に示すように、制御装置23は第2ポンプ22を加圧モードで作動させ、正圧を付与する。 (B), the control unit 23 activates the second pump 22 in the pressure mode, to impart a positive pressure. 第2ポンプ22により送られた空気は露光台1の圧力調整室4の内圧を高め、これがウェハーWの中央部を上方に持ち上げて、凹みを矯正する。 Air sent by the second pump 22 increases the internal pressure of the pressure adjusting chamber 4 of the exposure table 1, which lifts the central portion of the wafer W upward to correct the recess. なお、上記した検査装置10による計測およびウェハーのスキャニングは、第2ポンプ22の作動中も行い、制御装置23はウェハーWの凹みが許容平坦度の範囲内に入った時点でこれを停止させる。 The measurement and wafer scanning by the inspection apparatus 10 described above is carried out even during the operation of the second pump 22, the control device 23 stops this when the recess of the wafer W is within the range of allowable flatness.

【0027】また、ベントがウェハーWの表面に対して上方に生じている場合、すなわち凸状である場合は、図3( c) に示すように、制御装置23は第2ポンプ22を吸引モードで作動させ、負圧を付与する。 Further, if the vent is generated upwardly against the surface of the wafer W, if that is convex, as shown in FIG. 3 (c), the control device 23 the suction mode of the second pump 22 in is operated to impart a negative pressure. このことにより、圧力調整室4の内圧を下げ、ウェハーWの中央部を引き下げることによって、膨らみを矯正する。 Thus, lowering the internal pressure of the pressure regulating chamber 4, by pulling the central portion of the wafer W, to correct a bulge. 同様に、 Similarly,
並行した検査装置10による計測により、第2ポンプ22の停止タイミングは決定される。 The measurement by parallel inspection apparatus 10, the stop timing of the second pump 22 is determined.

【0028】以上述べた露光台1の作動を制御装置23による制御フローとして、図4を用いて再度説明する。 [0028] The control flow of the controller 23 the operation of the exposure table 1 described above, will be described again with reference to FIG.

【0029】まず、図示しない吸着式ハンドを用いてウェハーWをリング型チャック2上に載置させ(S1)、 Firstly, by mounting the wafer W on the ring chuck 2 by using a suction type hand (not shown) (S1),
次に、検査装置10を用いてウェハーW表面を十字にフォーカス計測することにより(S2)、この情報に基づいてベンド量(撓み量)を計測する(S3)。 Then, by measuring the focus of the wafer W surface in a cross using the inspection device 10 (S2), to measure the amount of bend (the amount of deflection) on the basis of this information (S3).

【0030】リソグラフィ工程でマスクパターンを転写する上で問題が生じないベンド量の範囲(トレランス) [0030] does not occur a problem in terms of transferring a mask pattern in a lithography process bend amount in the range (tolerance)
を予め設定しておき、上記計測量がトレランス内(許容範囲内)かどうかを判断する(S4)。 The previously set, the measurement amount is determined whether the tolerance (the tolerance) (S4). もし計測値がトレランス外にある場合は、ベンド量がプラス(凸状)かマイナス(凹状)かによってウェハーWの撓み形状を判断する(S5)。 If the measured value is outside the tolerance, the bend amount is determined deflection shape of the wafer W depending on whether positive (convex) or negative (concave) (S5).

【0031】以上の結果に基づき、ウェハーWの形状が凸状であり、膨らんでいると判断された場合は第2ポンプ22を吸引モードで作動させ、圧力調整室4内を低圧にしてウェハーWの中央部を引き込んで形状を補正する(S6)。 [0031] Based on the above results, the shape of the wafer W is convex shaped, bulging in the case where it is determined that is operated in the suction mode of the second pump 22, the wafer W by the pressure adjusting chamber 4 to a low pressure correcting the shape draws the central portion (S6). また、ウェハーWの形状が凹状であり、凹んでいると判断された場合は第2ポンプ22を加圧モードで作動させ、圧力調整室4内を高圧にしてウェハーWの中央部を上方に押圧して形状を補正する(S7)。 The shape of the wafer W is concave, recessed when it is determined that activates the second pump 22 in the pressure mode, pressing the central portion of the wafer W upward by a pressure adjusting chamber 4 to a high pressure shape to correct by (S7).

【0032】それぞれの補正作業が終了すると、検査装置10を用いて再度ベンド量を計測し(S8)、トレランス内かを判断する(S9)。 [0032] Each of the correction operation is completed, measure again bend amount using the inspection apparatus 10 (S8), it is determined whether the tolerance (S9). もし、上記補正作業にも関わらずトレランス外であった場合は、再度、S5に戻りベンド量の計測を行い、以下上記の作業を繰り返す。 If, in the case it was tolerant out despite the correction operation performed again to measure the bend amount returns to S5, repeat the above operations below.

【0033】S4における判断結果、並びにS9における判断結果がトレランス内であった場合は、ウェハーアラインメント作業、露光作業等を行う次のシーケンス制御へ移行し(S10)、その後、図示しない吸着式ハンドを用いてウェハーWを搬出して一連の作業を終了する(S11)。 The determination in S4 results, and if the determination in S9, was within tolerance, the wafer alignment operation, exposure operation or the like moves to the next sequence control for (S10), after which the adsorption type hand (not shown) and it ends the series of work to unload the wafer W using (S11).

【0034】以上説明したように、本実施形態の露光装置によれば、ウェハーWはその周縁部のみが露光台1のリング型チャック2に接触するのみで、その他の部分は露光台1と非接触状態が保たれる。 [0034] As described above, according to the exposure apparatus of the embodiment, wafer W is only only its periphery comes into contact with the ring-shaped chuck 2 exposure table 1, other portions exposure table 1 and the non contact state is maintained. このため、露光作業空間中にゴミ等の異物が存在しても、ウェハーWの裏面と露光台1の間に異物が挟み込まれて、ウェハーW表面の平坦度が悪化することを防止することができる。 Therefore, even if there is foreign matter such as dust during the exposure work space, foreign matter is sandwiched between the back surface and the exposure table 1 of the wafer W, it is possible to prevent the flatness of the wafer W surface is deteriorated it can.

【0035】加えて、本実施形態の露光装置では、圧力調整室を用いてより積極的にウェハーWのベンドを補正することができるために、ウェハーW表面の平坦度を向上させることができ、マスクパターンの解像度を良好なものとして、生産する半導体素子の歩留まりを改善することができる。 [0035] In addition, in the exposure apparatus of the present embodiment, in order to be able to correct the bend of more aggressively wafer W by using the pressure adjusting chamber, it is possible to improve the flatness of the wafer W surface, the resolution of the mask pattern as being good, it is possible to improve the yield of the semiconductor device to be produced.

【0036】本発明の第2実施形態並びに第3実施形態を図5及び図6を用いて説明する。 [0036] The second embodiment and the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 図5は第2実施形態に係るクランプ式露光台の説明図であり、また、図6は第3実施形態に係るクランプ式露光台の説明図である。 Figure 5 is an explanatory view of a clamp-type exposure stand according to the second embodiment, and FIG. 6 is an explanatory view of a clamp-type exposure stand according to the third embodiment.
これらの図に示される露光台31、41はウェハーWを吸引孔2aにより吸着固定していた第1実施形態の露光台1 Exposure table shown in these figures 31 and 41 is exposed base 1 of the first embodiment which has been adsorbed fixing the wafer W by suction holes 2a
と異なり、クランプを用いてウェハーWを固定する構造を有している。 Unlike, has a structure for fixing a wafer W using a clamp.

【0037】なお、これらの実施形態の露光台が組み込まれる露光装置は、第1実施形態と同様に、ウェハーW [0037] The exposure apparatus exposure stage of these embodiments is incorporated, as in the first embodiment, the wafer W
表面の平坦度を検査する検査装置、ウェハーWを搬送するための吸着式ハンドの干渉回避する昇降ピン、加圧/ Inspection apparatus for inspecting the flatness of the surface, lifting pins for interference avoidance adsorption type hand for transporting the wafer W, pressure /
吸引を切り替え可能なポンプ、さらに一連の作業を制御する制御装置等を有するが、図中省略する。 Possible pump switching the suction, has a control device or the like to further control a series of operations, it is omitted in FIG.

【0038】図5( a) は、第2実施形態に係る、ウェハーを載置した状態の露光台の平面図を示し、同図( [0038] FIG. 5 (a), according to the second embodiment, a plan view of a light exposure base in a state of mounting the wafer, and FIG. (
b) は同露光台の側断面図を示す。 b) shows a side sectional view of the exposure stage. 本実施形態の露光台 Exposure table of the present embodiment
31はリング型チャック32と底部33とを有し圧力調整室34 31 the pressure regulating chamber 34 and a ring-type chuck 32 and the bottom 33
を構成している。 Constitute a. また、底部33には圧力調整孔33aが複数穿孔されており、この圧力調整孔33aは、図示しない加圧/吸引の切り替え機構を有するポンプ(第1実施形態の第2ポンプに該当)に接続されている。 Further, the bottom portion 33 and the pressure adjusting hole 33a is more perforations, the pressure adjusting hole 33a is connected to a pump (corresponding to the second pump of the first embodiment) having a switching mechanism (not shown) pressure / suction It is.

【0039】リング型チャック32の外側には、その四方を囲むように複数(この場合は4つ)の爪型クランプ35 [0039] Outward of the ring-type chuck 32, the claw-type clamps of the plurality so as to surround the four sides (in this case four) 35
が配置されている。 There has been placed. この爪型クランプ35は、断面L字型であって、水平片35aがリング型チャック32に一部重なっており、昇降可能な機構を有する。 The claw-type clamps 35 is a cross-sectional L-shape, the horizontal piece 35a overlaps partially the ring chuck 32, having a vertically movable mechanism. そして、この爪型クランプ35を降下させることによって、ウェハーWの周縁部をリング型チャック32の上端との間に挟み込んでこれを固定することができる。 Then, by lowering the claw-type clamps 35, it is possible to fix this sandwich the peripheral portion of the wafer W between the upper end of the ring chuck 32.

【0040】本実施形態の露光台31を有する露光装置によれば、第1実施形態の露光装置に比べて、ウェハーW According to the exposure apparatus having a light exposure base 31 in the present embodiment, as compared with the exposure apparatus of the first embodiment, the wafer W
を吸着するためのポンプ(第1実施形態では第1ポンプ)並びに通気路を必要としないために、構造が簡単になるという利点を有する。 To pump for suction (in the first embodiment the first pump) does not require and vent path has the advantage that the structure is simplified. また、リング型チャック32の上面に吸引孔を開口する必要がないため、リング型チャック32の厚さを薄くすることが可能であり、ウェハーW Further, since it is not necessary to open the suction hole on the upper surface of the ring-type chuck 32, it is possible to reduce the thickness of the ring chuck 32, the wafer W
との露光台1との接触面積をさらに減らして、異物の影響をきわめて小さいものとすることができる。 Further reducing the contact area between the exposure table 1 and can be the influence of foreign substances and very small.

【0041】次に、図6を用いて、第3実施形態の露光台41を説明する。 Next, with reference to FIG. 6, illustrating a light exposure base 41 of the third embodiment. 同図( a) は、同実施形態の、ウェハーを載置した状態の露光台の平面図を示し、同図( b) FIG (a) is, in the embodiment, shows a plan view of a light exposure base in a state of mounting the wafer, and FIG. (B)
は同露光台の側断面図を示す。 Shows a side sectional view of the exposure stage. 露光台41が、リング型チャック42及び底部43とを有して、圧力調整室44を構成していることは、第2実施形態の露光台31と同様である。 Exposure stand 41 and a ring-type chuck 42 and a bottom 43, that constitutes the pressure adjusting chamber 44 is the same as the exposure stage 31 of the second embodiment.
また、底部43には圧力調整孔43aが複数穿孔されており、この圧力調整孔43aは、同様に図示しない加圧/吸引の切り替え機構を有するポンプに接続されている。 Further, the bottom portion 43 and the pressure adjusting hole 43a is more perforations, the pressure adjusting hole 43a is connected to a pump having a switching mechanism (not shown) similar pressure / suction.

【0042】この露光台41では、リング型チャック42の外周に沿って、リング型クランプ45が配置されている。 [0042] In the exposure stand 41, along the outer periphery of the ring-type chuck 42 is disposed a ring clamp 45.
このリング型クランプ45は断面L字型の環状体であって、その水平片45aの内径はリング型チャック42より小径であって、一部がリング型チャック42に重なる構造となっている。 The ring clamp 45 is an annular body of an L-shaped cross section, the inner diameter of the horizontal plate 45a is a smaller diameter than the ring type chuck 42, a part has a structure that overlaps the ring chuck 42. そして、このリング型クランプ45を降下させることにより、ウェハーW周縁部の全周囲をリング型チャック42の上端との間に挟み込むことができる。 Then, by lowering the ring clamp 45, it is possible to sandwich the entire circumference of the wafer W peripheral portion between the upper end of the ring chuck 42.

【0043】本実施形態の露光台41を有する露光装置によれば、リング型クランプ45がウェハーWの全周囲に渡ってリング型チャック42に固定するために、圧力調整室 [0043] According to the exposure apparatus having a light exposure base 41 in the present embodiment, in order to ring clamp 45 is fixed to the ring chuck 42 over the entire periphery of the wafer W, the pressure adjusting chamber
44の気密性をより高めることができる効果を有する。 It has the effect that it is possible to further enhance the airtightness of 44.

【0044】 [0044]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 As described in the foregoing, according to the present invention,
半導体の製造工程に行われるウェハーの固定方法、並びにそれを実行する露光装置において、ウェハーをその周縁部のみを接触させて露光台に固定することにより、両者間にゴミなどの異物が入りにくくすることができる。 Wafer fixing method which is performed in a semiconductor manufacturing process, and an exposure apparatus for performing it, by fixing the exposure table with the contacting only the periphery wafer is prevented from entering foreign matter such as dust between them be able to.
このため、ウェハーの露光工程において、ウェハーが異物により歪みにくく、曲部的な焦点位置ズレが生じにくいウェハーの固定方法並びに露光装置とすることができる。 Therefore, in the exposure process of the wafer, the wafer is hardly distorted by the foreign substance may be a fixing method and an exposure apparatus hardly wafer occur curved portion specific focal position shift.

【0045】また、さらに本発明のウェハーの固定方法並びに露光装置では、ウェハーと露光台との間に形成される圧力調整室に正圧または負圧をかけることにより、 Further, further fixing method and the exposure apparatus of the wafer of the present invention, by applying a positive or negative pressure in the pressure regulating chamber formed between the wafer and the exposure stage,
ウェハーの撓みを積極的に補正して、マスクパターン転写時の解像度をさらに良好なものとすることができる。 Actively correct the deflection of the wafer, the resolution at the time of the mask pattern transfer can be further improved ones.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】第1実施形態に係る露光装置の構造図である。 1 is a structural diagram of an exposure apparatus according to the first embodiment.

【図2】第1実施形態に係る露光装置の露光台の平面図である。 2 is a plan view of a light exposure base of the exposure apparatus according to the first embodiment.

【図3】第1実施形態に係る露光装置の作動の説明図である。 3 is an explanatory view of the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment.

【図4】第1実施形態に係る露光装置の制御フローチャートである。 4 is a control flowchart of an exposure apparatus according to the first embodiment.

【図5】第2実施形態に係る露光装置の露光台の説明図である。 5 is an explanatory diagram of a light exposure base of an exposure apparatus according to the second embodiment.

【図6】第3実施形態に係る露光装置の露光台の説明図である。 6 is an explanatory view of a light exposure base of the exposure apparatus according to the third embodiment.

【図7】第1従来例に係る露光装置の露光台の説明図である。 7 is an explanatory view of a light exposure base of the exposure apparatus according to a first conventional example.

【図8】第2従来例に係る露光装置の露光台の説明図である。 8 is an explanatory view of a light exposure base of the exposure apparatus according to a second conventional example.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

A …露光装置 W …ウェハー 1 …露光台 2 …リング型チャック(環状チャック) 2a …吸引孔 2b …フラット部 3 …底部 3a …圧力調整孔 4 …圧力調整室 5 …昇降ピン 10 …検査装置 11 …レーザー光または LED光等の発信機 12 …センサ 21 …第1ポンプ 21a …通気路 22 …第2ポンプ 22a …通気路 23 …制御装置 31 …露光台 32 …リング型チャック(環状チャック) 33 …底部 33a …圧力調整孔 34 …圧力調整室 35 …爪型クランプ 35a …水平片 41 …露光台 42 …リング型チャック(環状チャック) 43 …底部 43a …圧力調整孔 44 …圧力調整室 45 …リング型クランプ 45a …水平片 51 …露光台 52 …リング型チャック 52a …フラット部 53 …支持突起 54 …空間 55 …吸引ポンプ 61 …露光台 62 …リング型チャック 62a …フラット部 63 …支持円 A ... exposure apparatus W ... Wafer 1 ... exposure stand 2 ... ring chuck (annular chuck) 2a ... suction hole 2b ... flat portion 3 ... bottom 3a ... pressure adjusting hole 4 ... pressure adjusting chamber 5 ... lifting pin 10 ... inspection apparatus 11 ... laser light or LED light or the like transmitters of 12 ... sensor 21 ... first pump 21a ... air passage 22: second pump 22a ... ventilation channel 23 ... controller 31 ... light exposure base 32 ... ring chuck (annular chuck) 33 ... bottom 33a ... pressure adjusting hole 34 ... pressure adjusting chamber 35 ... claw-type clamps 35a ... horizontal plate 41 ... light exposure base 42 ... ring chuck (annular chuck) 43 ... bottom 43a ... pressure adjusting hole 44 ... pressure adjusting chamber 45 ... ring clamp 45a ... horizontal plate 51 ... light exposure base 52 ... ring chuck 52a ... flat portion 53 ... support projections 54 ... space 55 ... suction pump 61 ... light exposure base 62 ... ring chuck 62a ... flat portion 63 ... support circular 条 64 …空間 Article 64 ... space

Claims (10)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】露光装置にウェハーを固定する方法であって、前記ウェハーの周縁部のみを前記露光装置の露光台に接触させ、該ウェハーの周縁部を前記露光台に固定することを特徴としたウェハーの固定方法。 1. A method of securing a wafer in the exposure apparatus, only the peripheral portion of the wafer into contact with the exposure stage of the exposure apparatus, and characterized in that to fix the periphery of the wafer to the exposure table the method of fixing the wafer.
  2. 【請求項2】請求項1に記載したウェハーの固定方法であって、前記ウェハーの中央部と前記露光台との間を圧力調整室とし、該圧力調整室に正圧または負圧を加えて圧力調整することで、前記ウェハーの中央部に生じた撓みを補正することを特徴とするウェハーの固定方法。 2. A fixing method of the wafer according to claim 1, between the exposure table and the central portion of the wafer and the pressure adjusting chamber, the addition of positive or negative pressure to the pressure adjusting chamber by the pressure adjusting, fixing method of the wafer, characterized in that to correct the deflection occurring in the central portion of the wafer.
  3. 【請求項3】請求項2に記載したウェハーの固定方法であって、前記ウェハー周縁部の、前記露光台への固定は、真空チャック方式によることを特徴とするウェハーの固定方法。 3. A method of fixing a wafer according to claim 2, of the wafer peripheral portion, fixed to the exposure block, wafer fixing method, characterized in that by the vacuum chuck method.
  4. 【請求項4】請求項2に記載したウェハーの固定方法であって、前記ウェハー周縁部の、前記露光台への固定は、クランプ方式によることを特徴とするウェハーの固定方法。 4. A method of fixing a wafer according to claim 2, of the wafer peripheral portion, fixed to the exposure block, wafer fixing method, characterized in that by the clamp method.
  5. 【請求項5】請求項2に記載したウェハーの固定方法であって、前記圧力調整室の圧力調整による前記ウェハーの撓みの補正は、前記ウエハー表面を十字にフォーカス計測し、撓みの状態を判定した結果に基づいて行うことを特徴とするウェハーの固定方法。 5. A wafer fixing method according to claim 2, the correction of the deflection of the wafer by the pressure adjustment of the pressure regulating chamber is to focus measurement the wafer surface in a cross, determine the state of deflection wafer fixing method which comprises carrying out on the basis of the result.
  6. 【請求項6】ウェハーを露光台上に保持し、該ウェハーの表面にマスクにより電子回路パターンを転写する露光装置であって、前記露光台は前記ウェハーの周縁部のみに接触し、該ウェハー周辺部を固定する環状チャックを有することを特徴とする露光装置。 6. holds wafer on the exposure table, there is provided an exposure apparatus for transferring an electronic circuit pattern by a mask on a surface of the wafer, the exposure table is in contact only the peripheral portion of the wafer, the wafer periphery parts exposure apparatus characterized by having an annular chuck for fixing the.
  7. 【請求項7】請求項6に記載した露光装置であって、前記環状チャックで囲まれた空間を、正圧または負圧を加えて圧力調整することにより前記ウェハーの中央部に生じた撓みを補正する圧力調整室としたことを特徴とする露光装置。 7. An exposure apparatus according to claim 6, a space surrounded by said annular chuck, a deflection occurs in the central portion of the wafer by the pressure adjusted by adding a positive or negative pressure exposure apparatus being characterized in that the corrected pressure adjustment chamber.
  8. 【請求項8】請求項6に記載した露光装置であって、前記環状チャックは該環状チャックの上端に開口した吸引孔を有し、該吸引孔による真空チャック方式により前記ウェハーの周縁部を固定することを特徴とする露光装置。 8. An exposure apparatus according to claim 6, wherein the annular chuck has a suction hole which is open at the upper end of the annular chuck, fixing the peripheral portion of the wafer by vacuum chuck system by said suction holes exposure apparatus characterized by.
  9. 【請求項9】請求項6に記載した露光装置であって、前記環状チャックは該環状チャックの上方に昇降可能なクランプを有し、該クランプが環状チャックとの間に前記ウェハーを挟み込むクランプ方式により前記ウェハーの周縁部を固定することを特徴とする露光装置。 9. An exposure apparatus according to claim 6, wherein the annular chuck has a vertically movable clamp above the annular chuck, clamp type sandwiching said wafer between said clamp is an annular chuck exposure apparatus characterized by fixing the peripheral portion of the wafer by.
  10. 【請求項10】請求項6に記載した露光装置であって、 10. An exposure apparatus according to claim 6,
    前記圧力調整室の圧力調整による前記ウェハーの撓みの補正は、前記ウエハー表面を十字にフォーカス計測し、 Correction of the deflection of the wafer by the pressure adjustment of the pressure adjusting chamber, focus measures the wafer surface in a cross,
    撓みの状態を判定する制御装置の結果により行うことを特徴とする露光装置。 Exposure apparatus and performs as a result of the determining control the state of deflection.
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