JP2004094069A

JP2004094069A - Mask inspection apparatus

Info

Publication number: JP2004094069A
Application number: JP2002257347A
Authority: JP
Inventors: Hajime Yamamoto; 山本　一
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2002-09-03
Filing date: 2002-09-03
Publication date: 2004-03-25

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask inspection apparatus which can safely hold a mask. <P>SOLUTION: A reticle 10 is supported on the lower side by a pin 106 and pressed to a butting piece 104b of a pressing piece 104 and abutted against the inclined face 105b of a pressing piece 105 so that the reticle is held as positioned with respect to a chuck 102. The reticle in this state is carried together with the chuck 102 onto a stage 101, where the pin 106 is raised to press and suck the reticle 10 to the chuck 102 and then lowered. After the reticle 10 is measured, the pin 106 is again raised to support the reticle 10 on the lower side to send down the reticle to the supporting position of the pressing pieces 104, 105. Then the reticle in this state is carried out of the stage 101 together with the chuck 102. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス等の原版であるマスク（レチクルを含む）の検査装置に関する。特には、マスクを安全に保持することができるマスク検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路等のリソグラフィ工程では、マスク上に形成された原版パターンを、露光装置を用いてウェハ（感応基板）上に露光転写する。ここで、レチクルのパターン位置に欠陥や歪みがあると、転写露光したパターンの位置や形状の正確さ（露光精度）が低下する。このような事態となるのを防ぐため、マスクのパターン位置誤差（ｉｍａｇｅ　　ｐｌａｃｅｍｅｎｔエラー，ＩＰエラー）や欠陥、歪みについて検査し、不良の生じているレチクルを排除するようにしている。あるいは、露光装置側に適当な補正手段（像形状補正レンズや偏向器）がある場合には、レチクル上のパターンの誤差が、このパターンの像には表れないように補正することもできる。
【０００３】
ところで、デバイスパターンのさらなる微細化に対応すべく、電子線露光によるウェハ量産技術の開発が進められているが、電子線露光におけるマスク（レチクル）の構造に伴うマスク検査上の課題がある。ここで、まず、ウェハの量産露光に適用が可能と考えられている分割転写式の電子線投影露光技術について説明する。
【０００４】
図３は、分割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系を示す図である。
【０００５】
光学系の最上流に配置される電子銃１は、下方に向けて電子線を照射する。電子線１の下方にはコンデンサレンズ２，３が備えられており、電子線はこれらのコンデンサレンズ２，３によって収束されブランキンク開口７にクロスオーバーｃ．ｏ．を結像する。
【０００６】
コンデンサレンズ３の下には、矩形開口４が備えられている。この矩形開口（照射ビーム形成開口）４は、レチクル（マスク）１０の一つのサブフィールド（露光の１単位となるパターン小領域）を照射する照明ビームのみを通過させる。この開口４の像は、レンズ９によってレチクル１０に結像される。
【０００７】
ビーム成形開口４の下方には、ブランキング偏光器５が配置されている。偏光器５は、必要時に照明ビームを偏向させてブランキング開口７の非開口部に当て、ビームがレチクル１０に当たらないようにする。
ブランキング開口７の下には、照明ビーム偏向器８が配置されている。この偏向器８は、主に照明ビームを図４の横方向（Ｘ方向）に順次走査して、照明光学系の視野内にあるレチクル１０のサブフィールドの照明を行う。偏向器８の下方には、照明レンズ９が配置されている。照明レンズ９は、レチクル１０上にビーム成形開口４を結像させる。
【０００８】
レチクル１０は、実際には光軸垂直面内（Ｘ−Ｙ面）に広がっており（図４を参照しつつ後述）、多数のサブフィールドを有する。レチクル１０上には、全体として一個の半導体デバイスチップをなすパターン（チップパターン）が形成されている。レチクル１０は、移動可能なレチクルステージ１１上に保持される。レチクル１０をレチクルステージ１１上で光軸垂直方向（ＸＹ方向）に動かすことにより、照明光学系の視野よりも広い範囲に広がるレチクル上の各サブフィールドを照明することができる。
【０００９】
レチクルステージ１１には、レーザ干渉計を用いた位置検出器１２が付設されており、レチクルステージ１１の位置をリアルタイムで正確に把握することができる。
【００１０】
レチクルステージ１１の下方には、投影レンズ１５及び１９を含む投影光学系が設けられている。レチクル１０の一つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ１５、１９、偏向器１６によってウェハ２３上の所定の位置に結像される。ウェハ２３上には、適当なレジストが塗布されており、レジストに電子線のドーズが与えられ、レチクル上のパターンが縮小されてウェハ２３上に転写される。
【００１１】
レチクル１０とウェハ２３の間を縮小比率で内分する点にクロスオーバーｃ．ｏ．が形成され、同クロスオーバー位置にはコントラスト開口１８が設けられている。コントラスト開口１８は、レチクル１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ２３に到達しないように遮断する。
【００１２】
ウェハ２３の直上には反射電子検出器２２が配置されている。反射電子検出器２２は、ウェハ２３の被露光面や、ステージ上のマークで反射される電子の量を検出する。例えばレチクル１０上のマークパターンを通過したビームでウェハ２３上のマークを走査し、その際のマークからの反射電子を検出することにより、レチクル１０とウェハ２３との相対的位置関係を知ることができる。
【００１３】
ウェハ２３は、図示せぬ静電チャックを介して、ＸＹ方向に移動可能なウェハステージ上２４に載置されている。上記レチクルステージ１１とウェハステージ２４とを、互いに逆の方向に同期走査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるチップパターン内の各部を順次露光することができる。なお、ウェハステージ２４上にも、上述のレチクルステージ１１と同様の位置検出器２５が装備されている。
【００１４】
上記各レンズ２，３，９，１５，１９及び各偏向器５，８，１６は、各々のコイル電源制御部２ａ，３ａ９ａ１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、１６ａを介してコントローラ３１により制御される。また、レチクルステージ１１及びウェハステージ２４も、ステージ制御部１１ａ、２４ａを介して、コントローラ３１により制御される。ステージ位置検出器１２，２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェイス１２ａ、２５ａを介してコントローラ３１に信号を送る。また、反射電子検出器２２も同様のインターフェイス２２ａを介してコントローラ３１に信号を送る。
【００１５】
コントローラ３１は、ステージ位置の制御誤差や投影ビームの位置誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器１６で補正する。これによりレチクル１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ２３上の目標位置に正確に転写される。そして、ウェハ２３上で各サブフィールド像がつなぎ合わされて、レチクル上のチップパターン全体がウェハに転写される。
【００１６】
次に分割転写式の電子線投影露光に用いられるレチクルについて図４を参照しつつ説明する。
図４は、電子線投影露光用のレチクルの構成例を模式的に示す図である。（Ａ）は全体の平面図であり、（Ｂ）は一部の斜視図であり、（Ｃ）は一つの小メンブレン領域の平面図である。このようなレチクルは、例えばシリコンウェハに電子線描画・エッチングを行うことにより製作できる。
【００１７】
図４（Ａ）には、レチクル１０における全体のパターン分割配置状態が示されている。同図中に多数の正方形４１で示される領域が、一つのサブフィールドに対応したパターン領域を含む小メンブレン領域である。同領域４１の厚さは、例えば１〜２μｍである。図４（Ｃ）に示すように、小メンブレン領域４１は、中央部のパターン領域（サブフィールド）４２と、その周囲の額縁状の非パターン領域（スカート）４３とからなる。サブフィールド４２は、転写すべきパターンの形成された部分である。スカート４３はパターンの形成されていない部分であり、照明ビームの縁の部分が当たる。パターン形成の形態としては、メンブレンに孔明き部を設けるステンシルタイプと、電子線の高散乱体からなるパターン層をメンブレン上に形成する散乱メンブレンタイプとがある。このメンブレン領域４１の下面が本明細書にいうパターン面（パターン領域）である。
【００１８】
小メンブレン領域４１の周囲の直交する格子状のグリレージ（マイナーストラット、支持体層）４５と呼ばれる部分は、レチクルの機械強度を保つための梁である。グリレージ４５の厚さは、例えば０．７ｍｍである。上述のメンブレン小領域４１は、グリレージ４５の下端と同一のレベルで広がっている。図４（Ａ）に示すように、図の横方向（Ｘ方向）に多数の小メンブレン領域４１が並んで一つのグループ（エレクトリカルストライプ４４）をなし、そのようなエレクトリカルストライプ４４が図の縦方向（Ｙ方向）に多数並んで１つのメカニカルストライプ４９を形成している。エレクトリカルストライプ４４の長さ（メカニカルストライプ４９の幅）は照明光学系の偏向可能視野の大きさによって制限される。
【００１９】
メカニカルストライプ４９は、Ｘ方向に並列に複数存在する。隣り合うメカニカルストライプ４９の間に示されている幅の太い梁は、レチクル全体のたわみを小さく保つためのストラット（メジャーストラット，支持体層）４７である。ストラット４７はグリレージ４５と一体である。レチクル１０の外周縁部５０は円形であり、グリレージ４５やストラット４７と同じ厚さである。この外周縁部５０が、レチクルステージ１１上でレチクル保持装置（チャック）１１ｂ（図５参照）に保持するマスク保持部５０である。
【００２０】
次に、レチクル１０の電子線露光装置内での取り付け方について説明する。
図５は、電子線露光装置内のレチクルステージ１１に保持されたレチクル１０と投影光学系２６を概略的に示す図である。レチクルステージ１１にはマスク保持装置１１ｂが設けられている。マスク保持装置１１ｂは、例えば、リング形状の静電吸着チャックである。分割転写方式のマスク（レチクル）１０は、露光装置内では、レチクル１０のパターン面１０ａが下向きにされ、マスク保持装置（以下、チャックともいう）１１ｂに保持される。具体的には、チャック１１ｂの保持面（上面）１１ｃにマスク１０の保持部（外周縁部）５０の下面５０ａが静電吸着される。露光装置での保持状態において、レチクル１０のパターン面（小メンブレン領域４１の下面）１０ａは下向きとなっている。
【００２１】
これは、以下の理由による。通常、露光装置内では、レチクル１０が上方に、ウェハ２３が下方に位置する。ここで、レチクル１０のパターン面１０ａを上向き、すなわちグリレージやストラット（支持体層）を下向きに保持すると、小メンブレン領域４１を通過したパターンビームがグリレージやストラットの脇を通ることになる。すると、ビームがグリレージやストラットの帯電による影響を受け、ビーム偏向するおそれがある。そこで、パターンビームが上記支持体層の影響を受けないようにするため、パターン面１０ａが下向きにされるのである。
【００２２】
次に、レチクル１０のマスク検査装置内での取り付け方について説明する。
図６は、従来より用いられているマスク検査装置を概略的に示す模式図である。このマスク検査装置は、ＸＹステージ７１や、ＸＹステージ７１上にレチクル１０を保持するマスク保持装置７１ｂを有する。マスク保持装置７１ｂは、例えば、リング形状の静電吸着チャックである。また、ＸＹステージ７１上には、レチクル１０のパターン面１０ａの像を取得して検査する検査光学系を有する。検査光学系は、対物レンズ７２やマスク１０からの反射光を検出する検出器７３を含む。
【００２３】
検査対象であるレチクル１０は、マスク保持装置（チャック）７１ｂ上に載せられる。この状態でチャック７１ｂごとステージ７１上まで搬送（自動搬送）される。レチクル１０が搬送された後、チャック７１ｂの吸着力が発生する。そして、レチクル１０はチャック７１ｂに静電吸着により保持される。具体的には、レチクル１０は、マスク保持部５０のこの状態における下面５０ｂがチャック７１ｂの保持面（上面）７１ｃに静電吸着される。この検査装置内での保持状態において、レチクル１０のパターン面１０ａは上向きとなっている。
【００２４】
検査装置内でレチクル１０のパターン面１０ａが上向きにされ支持体層４５側からチャックに保持されるのは、以下の理由による。通常、マスク検査装置の検出系（手段）は、レチクル１０の上方に位置する。そして、サブフィールドの位置を示すためのマークは、マイナーストラット（ｍｉｎｏｒ　　ｓｔｒｕｔ，支持体層）４５のパターン面１０ａ側の面に形成されている。パターン面１０ａを下向き、すなわち、ストラット（支持体層）４５を上向きに保持すると、マークが上（検出系）から見えずその位置を計測できない。このため、マスク検査装置ではパターン面１０ａを上向きにするのである。
【００２５】
上記検査装置でのレチクル１０の保持状態は、露光装置内でレチクル１０のパターン面１０ａを下向きにして、露光装置のチャック１１ｂへの吸着面５０ａを静電吸着していたのと異なる。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のマスク（レチクル）を、検査装置において、パターン面を上向きにしたまま、マスクをつり下げるような状態でマスク保持部のパターン面側を静電吸着によりチャックで保持することも考えられる。この場合、露光装置におけるのと同様に、検査装置でもマスク保持部のパターン面側がチャックにより保持される。したがって、この場合は、検査装置と露光装置におけるマスク保持状態の差は、重力（自重）により撓むマスクの方向のみが異なることになる。重力方向の違いによるマスク上のパターンの位置座標変化は、例えば変形解析等の結果から予測（補正）可能である。そして、検査装置での計測結果から予測されるパターンの位置変化を補正することにより、露光装置に保持した状態におけるパターンの位置座標を精度良く予測することが可能である。
【００２７】
しかし、上記のようにパターン面を上向きにしたままマスクをつり下げるような状態でパターン面側をチャックで吸着保持する場合、以下の課題がある。それは、チャックの吸着力が発生していない状態ではマスクが落下してしまうことである。これでは、マスクをチャックごと搬送することができない。そうすると、検査装置内でマスクの計測を行う際にチャックごとの自動搬送を含めることができなくなり、検査効率が悪くなる。その上、自動搬送まで含めた精密な計測ができないと検査精度に悪影響を及ぼすことが懸念される。
【００２８】
さらに、ステージ上で、マスクがチャックに吸着保持された状態においても、何らかの事故が発生しチャックの吸着力が途絶えた場合には、マスクが落下するおそれがある。これでは、落下によりマスクが破損してしまうといった重大な事故に繋がるおそれがある。
【００２９】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、マスクを安全に保持することができるマスク検査装置を提供することにある。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るマスク検査装置は、感応基板上に露光転写すべきデバイスパターンが形成されたマスク上のパターンの位置及び／又は欠陥を検査する装置であって、前記マスクを吊すような形態で前記マスクの周辺部（保持部）を保持する保持手段と、該保持手段の下方において前記マスクを機械的に支持するマスクサポート機構と、を具備することを特徴とする。
【００３１】
マスクを吊すような形態で保持する検査装置で、マスクサポート機構によりマスクを機械的に支持する。これにより、マスク検査装置の保持手段に吸着力が発生していないときでも、マスクが落下するのを防ぐので、安全にマスク検査できる。
【００３２】
さらに、マスクが落下することなく、ステージ上に保持手段ごとマスクを搬送できるので、効率よくマスク検査を行える。
【００３３】
また、検査装置でマスクを吊すような形態でパターン面側から保持することにより、露光装置におけるマスクの面と同じ側が保持される。つまり、露光装置での保持状態に近似した状態でマスク検査が行える。よって、露光装置でのパターンの位置座標を精度良く知ることができる。
【００３４】
本発明のマスク検査装置では、前記マスクサポート機構が、昇降式となっていることが好ましい。
【００３５】
マスクがマスク検査装置の保持手段に保持されるまで、マスクサポート機構が上昇してマスクを機械的にサポートする。マスクが保持手段に保持されている間は、マスクサポート機構が降下してマスクに機械的に触れない。このようにマスクサポート機構が昇降式になっている。マスクの計測中に、マスクサポート機構がマスクに触れないので、マスクの計測精度に影響を与えず、高精度な計測をすることができる。
【００３６】
本発明のマスク検査装置では、前記サポート機構が、検査対象であるマスクの位置決め機構を兼ねることが好ましい。
【００３７】
マスクサポート機構が、マスク検査装置の保持手段に対するマスクの位置決めも行うので、マスクを保持手段に保持する際に、マスクと保持手段との位置関係がばらつかない。よって、マスクの搬送から保持手段への保持を経て計測に至る一連の動作を正確かつスムーズに行うことができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態にかかるマスク検査装置のマスク保持部（周辺部）周辺を側方から見た概略的な断面図である。また、図２は、このマスク検査装置の一連の動作を示す図である。
図１及び図２を参照して、はじめにマスク検査装置の構成について説明する。
【００３９】
マスク検査装置は、ＸＹステージ１０１上にマスク（レチクル）１０を保持する保持手段（チャック）１０２と、レチクル１０を機械的に支持するサポート機構１０４，１０５，１０６，１０７とを有する。チャック１０２の上方には、レチクル１０のパターン面１０ａの像を取得して検査する検査光学系（図６参照）が備えられる。
【００４０】
図１に示されるように、ＸＹステージ１０１上の支柱１０１’の上面には、球形のルビーボール１０３が、はめ込まれている。ルビーボール１０３は、ある円周上に１２０°振り分けで３個設けられている。リング状のチャック１０２は、このルビーボール１０３上に３点で支持される。チャックの下面１０２ａには、レチクル１０を吸着する吸着面１０２ｂが設けられる。チャック１０２には、図示せぬ真空（Ｖａｃ）配管が接続されている。この真空配管を介して、チャック１０２の吸着面１０２ｂに真空による吸着力を発生させる。レチクル１０のマスク保持部（周辺部）５０の上面５０ａが、チャック１０２の吸着面１０２ｂに吸着する。このとき、レチクル１０のパターン面１０ａは上向きである。図１では、レチクル１０がチャック１０２に吸着された状態が示されている。
【００４１】
サポート機構は、押さえ金具１０４，１０５と、ピン１０６と、ピン駆動部１０７とを備える。ピン１０６及びピン駆動部１０７は図１で省略されており、図２にのみ示されている。押さえ金具１０４，１０５は、チャック１０２の下面１０２ａから下方に突き出すように設けられる。これらの押さえ金具１０４，１０５は、レチクル１０を支持すると共に、レチクル１０のチャック１０２への位置決めも行っている。詳しく言えば、図の右側の片方の押さえ金具１０４の下部は内側に突出しており（内突部１０４ｃ）、同部１０４ｃの上面には、階段状の当てコマ１０４ｂが形成されている。図の左側のもう片方の押さえ金具１０５の下部も内側に突出しており（内突部１０５ｃ）、同部１０５ｃの上面には、傾斜面１０５ｂが形成されている。（当てコマは形成されず、フリーとなっている。）レチクル１０の保持部５０の一端１０ｂは、押さえ金具１０４の当てコマ１０４ｂ（階段状の面）に押し当てられる。レチクルの保持部５０のもう一端１０ｃは、押さえ金具１０５の傾斜面１０５ｂに添えられる。こうして、レチクル１０は、押え金具１０４，１０５によりＸＹ方向に移動しないように支持される。当てコマ１０４ｂの位置は、チャック１０２に対して固定されているので、上述のように、レチクル１０を押さえ金具１０４，１０５に支持すると、レチクル１０がチャック１０２に位置決めされることになる。
【００４２】
押さえ金具１０４の当てコマ１０４ｂ（階段状の面）からチャック１０２の下面１０２ａまでの間隔ｄ１は、レチクル１０の厚みｄ２より大きい。したがって、レチクル１０がチャック１０２に吸着された状態（図２（ｃ）参照）では、レチクル１０は押さえ金具１０４，１０５と接触しない。
【００４３】
押さえ金具１０４，１０５の下面１０４ａ，１０５ａには、押え金具１０４と押え金具１０５との間を橋渡しするようにピン駆動部１０７が設けられる。このピン駆動部１０７の上面１０７ａに、チャック１０２方向に向かって（図２で上向きに）ピン１０６は伸びるように設けられている。ピン１０６は、レチクル１０を下方から機械的に支持する。具体的には、図２（Ａ）で示されるように、ピン１０６は、押え金具１０４，１０５に保持されたレチクル１０のマスク保持部５０を下方から支持できるように、ピン駆動部１０７の上面１０７ａの保持部５０に対応する位置に、例えば２個所設けられる。ピン１０６は、例えばピエゾ素子等の圧電素子により駆動され、昇降可能である。図２（Ａ）（Ｅ）には、レチクル１０が押さえ金具１０４，１０５に支持されると共に、ピン１０６により下方から機械的に支持（サポート）されている状態が示される。
【００４４】
次に、マスク検査装置の動作について図２を参照しつつ説明する。
まず、レチクル１０を、マスク検査装置内で押さえ金具１０４，１０５により支持すると共に、ピン１０６により下方から支持する。このとき、上述したように、レチクル１０の保持部５０の一端１０ｂは押さえ金具１０４の当てコマ１０４ｂに押し当てられ、レチクル１０の保持部５０のもう一端１０ｃは押さえ金具１０５の傾斜面１０５ｂに添えられている。この状態（押さえ金具１０４，１０５による支持位置）では、チャック１０２に対してレチクル１０はＸＹ方向に位置決めがなされている。この状態で、チャック１０２ごとステージ１０１上に搬送する（図２（Ａ））。
【００４５】
レチクル１０をステージ１０１上に載置した後、チャック１０２の吸着面１０２ｂにＶａｃ配管を介して吸着力を発生させる。一方、レチクル１０を下から支持しているピン１０６を上昇させ、レチクル１０を押さえ金具１０４，１０５による支持位置から持ち上げて、チャック１０２の吸着面１０２ｂに接触させる（図２（Ｂ））。
【００４６】
レチクル１０のマスク保持部５０の上面５０ａが吸着面１０２ｂに吸着すると、ピン１０６は下降する（図２（Ｃ））。レチクル１０の計測中は、レチクル１０は、チャック１０２のみと接触しており、ピン１０６や押さえ金具１０４，１０５とは接触しない。これは、上述したように、当てコマ１０４ｂからチャック１０２の上面１０２ａまでの間隔ｄ１がレチクル１０の厚みｄ２より大きいからである。これにより、計測中に、レチクル１０に余分な力が加えられることが無い。
【００４７】
計測が終了すると、ピン１０６が再び上昇し、レチクル１０を下から支持する（図２（Ｄ））。チャック１０２の吸着力が消された後、ピン１０６は、レチクル１０を押さえ金具１０４，１０５の支持位置まで下降させる。この状態で、チャック１０２ごとレチクル１０をステージ１０１上から搬出する（図２（Ｅ））。
【００４８】
上記実施の形態によれば、マスクサポート機構によりレチクル１０を下から機械的に支持するので、チャック１０２に吸着力が発生していないときでも、レチクル１０が落下しない。よって、安全にマスク検査が行える。
【００４９】
また、マスク検査装置では、マスクを吊すような形態でパターン面１０ａ側からチャック１０２に保持する。これで、露光装置におけるレチクル１０の面と同じ側の面が保持される。この場合、検査装置と露光装置とにおけるマスク保持状態の差は、重力（自重）により撓むマスクの方向のみが異なることになる。重力方向の違いによるマスク上のパターンの位置座標変化は、例えば変形解析等の結果から予測（補正）可能である。よって、露光装置でのパターンの位置座標を精度良く知ることができる。
【００５０】
レチクル１０の計測中等、レチクル１０がチャック１０２に吸着された状態では、ピン１０６や押さえ金具１０４，１０５がレチクル１０に接触しない。よって、マスクに余分な力が加えられることが無く、計測精度に悪影響を与えないので、高精度な計測が期待できる。
【００５１】
マスクサポート機構が、チャック１０２に対するレチクル１０の位置決めも兼ねるので、レチクル１０をチャック１０２に保持する際に、両者の位置関係がばらつかない。よって、レチクル１０の搬送から搬出までの一連の動作を正確かつスムーズに行うことができる。
【００５２】
これらの一連の動作を自動搬送で行うとによりさらに効率の向上を図ることができる。
【００５３】
尚、上記実施の形態では、レチクル１０をチャック１０２に真空吸着させているが、静電吸着等、他の吸着手段を用いることができる。
【００５４】
また、ピン１０６はピエゾ素子等の圧電素子により駆動したが、これに限られず、他の駆動手段を用いることができる。
さらに、ピン１０６はピン駆動部１０７上に２個所設けられたが、レチクル１０の保持部５０を下方から機械的に支持できればよく、例えばさらに複数個所設けてもよい。
【００５５】
また、検査装置のルビーボール１０３は３個所設けられたが、これに限られない。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、マスク検査装置でマスクを安全に保持すると共に効率よく計測でき、精度の良いパターンの位置座標を予測することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかるマスク検査装置の一部分を側方から見た概略的な断面図である。
【図２】本実施の形態にかかるマスク検査装置の動作機構を示す側方から見た概略的な断面図である。
【図３】分割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系を示す図である。
【図４】電子線投影露光用のレチクルの構成例を模式的に示す図である。
【図５】電子線露光装置内のレチクルステージに保持されたレチクルと投影光学系を概略的に示す図である。
【図６】従来より用いられているマスク検査装置を概略的に示す模式図である。
【符号の説明】
１０　　レチクル　　　　　　　　　　　　　１０ａ　　パターン面
１０ｂ，１０ｃ　　一端　　　　　　　　　　５０　　マスク保持部
５０ａ　　上面　　　　　　　　　　　　　　１０１　　ＸＹステージ
１０２　　チャック
１０２ａ，１０４ａ，１０５ａ　下面　　　　１０２ｂ　　吸着面
１０３　　ルビーボール　　　　　　　　　　１０４，１０５　　押さえ金具
１０４ｃ，１０５ｃ　　内突部　　　　　　　１０４ｂ　　当てコマ
１０５ｂ　　傾斜面　　　　　　　　　　　　１０６　　ピン
１０７　　ピン駆動部　　　　　　　　　　　１０７ａ　　　　上面[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an inspection apparatus for a mask (including a reticle) that is an original of a semiconductor device or the like. In particular, the present invention relates to a mask inspection device that can hold a mask safely.
[0002]
[Prior art]
In a lithography process for a semiconductor integrated circuit or the like, an original pattern formed on a mask is exposed and transferred onto a wafer (sensitive substrate) using an exposure apparatus. Here, if there is a defect or distortion in the pattern position of the reticle, accuracy (exposure accuracy) of the position and shape of the transferred and exposed pattern is reduced. In order to prevent such a situation, a mask reticle is inspected for pattern position errors (image placement errors, IP errors), defects, and distortions, and a defective reticle is eliminated. Alternatively, when an appropriate correction means (image shape correction lens or deflector) is provided on the exposure apparatus side, correction can be performed so that a pattern error on the reticle does not appear in an image of this pattern.
[0003]
By the way, in order to cope with further miniaturization of the device pattern, development of a wafer mass production technology by electron beam exposure has been advanced, but there is a problem in mask inspection due to a mask (reticle) structure in electron beam exposure. Here, a division transfer type electron beam projection exposure technique which is considered to be applicable to mass production exposure of a wafer will be described first.
[0004]
FIG. 3 is a diagram showing an image forming relationship and a control system in the entire optical system of the electron beam projection exposure apparatus of the division transfer system.
[0005]
The electron gun 1 arranged at the uppermost stream of the optical system emits an electron beam downward. Condenser lenses 2 and 3 are provided below the electron beam 1, and the electron beam is converged by these condenser lenses 2 and 3 and crossed over the blanking aperture 7. o. Is imaged.
[0006]
Below the condenser lens 3, a rectangular opening 4 is provided. The rectangular aperture (irradiation beam forming aperture) 4 allows only an illumination beam for irradiating one subfield (a pattern small area to be one unit of exposure) of the reticle (mask) 10 to pass. The image of the opening 4 is formed on the reticle 10 by the lens 9.
[0007]
Below the beam shaping aperture 4, a blanking polarizer 5 is arranged. The polarizer 5 deflects the illumination beam as needed to strike the non-opening of the blanking aperture 7 so that the beam does not strike the reticle 10.
An illumination beam deflector 8 is arranged below the blanking opening 7. The deflector 8 mainly scans the illumination beam sequentially in the horizontal direction (X direction) in FIG. 4 to illuminate the subfield of the reticle 10 within the field of view of the illumination optical system. An illumination lens 9 is arranged below the deflector 8. The illumination lens 9 forms an image of the beam shaping aperture 4 on the reticle 10.
[0008]
The reticle 10 actually extends in a plane perpendicular to the optical axis (XY plane) (described later with reference to FIG. 4), and has a number of subfields. On the reticle 10, a pattern (chip pattern) forming one semiconductor device chip as a whole is formed. The reticle 10 is held on a movable reticle stage 11. By moving the reticle 10 on the reticle stage 11 in the direction perpendicular to the optical axis (XY directions), it is possible to illuminate each subfield on the reticle spread over a wider area than the field of view of the illumination optical system.
[0009]
The reticle stage 11 is provided with a position detector 12 using a laser interferometer, so that the position of the reticle stage 11 can be accurately grasped in real time.
[0010]
Below the reticle stage 11, a projection optical system including projection lenses 15 and 19 is provided. The electron beam passing through one subfield of the reticle 10 is imaged at a predetermined position on the wafer 23 by the projection lenses 15 and 19 and the deflector 16. An appropriate resist is applied on the wafer 23, an electron beam is given to the resist, and the pattern on the reticle is reduced and transferred onto the wafer 23.
[0011]
Crossover at the point where the reticle 10 and the wafer 23 are internally divided at the reduction ratio c. o. Are formed, and a contrast opening 18 is provided at the crossover position. The contrast aperture 18 blocks the electron beam scattered by the non-pattern portion of the reticle 10 from reaching the wafer 23.
[0012]
The backscattered electron detector 22 is disposed immediately above the wafer 23. The backscattered electron detector 22 detects the amount of electrons reflected by the exposed surface of the wafer 23 and the mark on the stage. For example, by scanning a mark on the wafer 23 with a beam that has passed a mark pattern on the reticle 10 and detecting reflected electrons from the mark at that time, the relative positional relationship between the reticle 10 and the wafer 23 can be known. it can.
[0013]
The wafer 23 is placed on a wafer stage 24 movable in the X and Y directions via an electrostatic chuck (not shown). By synchronously scanning the reticle stage 11 and the wafer stage 24 in directions opposite to each other, each part in the chip pattern extending beyond the field of view of the projection optical system can be sequentially exposed. Note that a position detector 25 similar to the reticle stage 11 described above is also provided on the wafer stage 24.
[0014]
The lenses 2, 3, 9, 15, 19 and the deflectors 5, 8, 16 are controlled by a controller 31 via respective coil power supply controllers 2a, 3a 9a 15a, 19a and 5a, 8a, 16a. The reticle stage 11 and the wafer stage 24 are also controlled by the controller 31 via the stage controllers 11a and 24a. The stage position detectors 12, 25 send signals to the controller 31 via interfaces 12a, 25a including an amplifier and an A / D converter. The backscattered electron detector 22 also sends a signal to the controller 31 via the same interface 22a.
[0015]
The controller 31 grasps the control error of the stage position and the position error of the projection beam, and corrects the error by the image position adjusting deflector 16. Thus, the reduced image of the subfield on the reticle 10 is accurately transferred to the target position on the wafer 23. Then, the subfield images are joined on the wafer 23, and the entire chip pattern on the reticle is transferred to the wafer.
[0016]
Next, a reticle used for the split transfer type electron beam projection exposure will be described with reference to FIG.
FIG. 4 is a diagram schematically showing a configuration example of a reticle for electron beam projection exposure. (A) is an overall plan view, (B) is a partial perspective view, and (C) is a plan view of one small membrane region. Such a reticle can be manufactured, for example, by drawing and etching an electron beam on a silicon wafer.
[0017]
FIG. 4A shows the entire pattern divided arrangement state of the reticle 10. An area indicated by a large number of squares 41 in the figure is a small membrane area including a pattern area corresponding to one subfield. The thickness of the region 41 is, for example, 1 to 2 μm. As shown in FIG. 4C, the small membrane region 41 is composed of a central pattern region (subfield) 42 and a surrounding frame-shaped non-pattern region (skirt) 43. The subfield 42 is a portion where a pattern to be transferred is formed. The skirt 43 is a portion where no pattern is formed, and corresponds to an edge portion of the illumination beam. As a form of pattern formation, there are a stencil type in which a perforated portion is provided in the membrane and a scattering membrane type in which a pattern layer made of a high electron beam scatterer is formed on the membrane. The lower surface of the membrane region 41 is the pattern surface (pattern region) referred to in this specification.
[0018]
An orthogonal lattice-like grate (minor strut, support layer) 45 around the small membrane region 41 is a beam for maintaining the mechanical strength of the reticle. The thickness of the grenage 45 is, for example, 0.7 mm. The above-mentioned small membrane area 41 extends at the same level as the lower end of the grid 45. As shown in FIG. 4A, a number of small membrane regions 41 are arranged side by side in the horizontal direction (X direction) of the figure to form one group (electrical stripe 44), and such an electrical stripe 44 is formed in the vertical direction of the figure. One mechanical stripe 49 is formed side by side in a large number in the (Y direction). The length of the electrical stripe 44 (the width of the mechanical stripe 49) is limited by the size of the deflectable visual field of the illumination optical system.
[0019]
A plurality of mechanical stripes 49 exist in parallel in the X direction. The wide beam shown between the adjacent mechanical stripes 49 is a strut (major strut, support layer) 47 for keeping the deflection of the entire reticle small. The strut 47 is integral with the grenage 45. The outer peripheral edge portion 50 of the reticle 10 is circular and has the same thickness as the grenage 45 and the strut 47. The outer peripheral edge 50 is a mask holding unit 50 that holds the reticle on the reticle stage 11 by a reticle holding device (chuck) 11b (see FIG. 5).
[0020]
Next, how to mount the reticle 10 in the electron beam exposure apparatus will be described.
FIG. 5 is a diagram schematically showing the reticle 10 and the projection optical system 26 held on the reticle stage 11 in the electron beam exposure apparatus. The reticle stage 11 is provided with a mask holding device 11b. The mask holding device 11b is, for example, a ring-shaped electrostatic chuck. In the exposure apparatus, the mask (reticle) 10 of the division transfer system is held by a mask holding device (hereinafter, also referred to as a chuck) 11b with the pattern surface 10a of the reticle 10 facing downward. Specifically, the lower surface 50a of the holding portion (outer peripheral portion) 50 of the mask 10 is electrostatically attracted to the holding surface (upper surface) 11c of the chuck 11b. In the holding state in the exposure apparatus, the pattern surface (the lower surface of the small membrane region 41) 10a of the reticle 10 faces downward.
[0021]
This is for the following reason. Usually, in the exposure apparatus, the reticle 10 is located above and the wafer 23 is located below. Here, when the pattern surface 10a of the reticle 10 is held upward, that is, the grate or strut (support layer) is held downward, the pattern beam that has passed through the small membrane region 41 passes by the grate or strut. Then, the beam may be affected by the charging of the grenage and strut, and the beam may be deflected. In order to prevent the pattern beam from being affected by the support layer, the pattern surface 10a is turned downward.
[0022]
Next, how to mount the reticle 10 in the mask inspection apparatus will be described.
FIG. 6 is a schematic diagram schematically showing a mask inspection apparatus conventionally used. This mask inspection apparatus has an XY stage 71 and a mask holding device 71b that holds the reticle 10 on the XY stage 71. The mask holding device 71b is, for example, a ring-shaped electrostatic chuck. Further, on the XY stage 71, an inspection optical system for acquiring and inspecting an image of the pattern surface 10a of the reticle 10 is provided. The inspection optical system includes a detector 73 that detects light reflected from the objective lens 72 and the mask 10.
[0023]
The reticle 10 to be inspected is placed on a mask holding device (chuck) 71b. In this state, the entire chuck 71b is transported (automatically transported) onto the stage 71. After the reticle 10 is conveyed, a chucking force of the chuck 71b is generated. Then, the reticle 10 is held on the chuck 71b by electrostatic attraction. Specifically, in reticle 10, lower surface 50b of mask holder 50 in this state is electrostatically attracted to holding surface (upper surface) 71c of chuck 71b. In the holding state in the inspection device, the pattern surface 10a of the reticle 10 is upward.
[0024]
The reason that the pattern surface 10a of the reticle 10 is turned upward in the inspection apparatus and held on the chuck from the support layer 45 side is as follows. Usually, the detection system (means) of the mask inspection apparatus is located above the reticle 10. A mark for indicating the position of the subfield is formed on the surface of the minor strut (support layer) 45 on the pattern surface 10a side. When the pattern surface 10a is held downward, that is, when the strut (support layer) 45 is held upward, the mark cannot be seen from above (detection system) and its position cannot be measured. For this reason, in the mask inspection apparatus, the pattern surface 10a faces upward.
[0025]
The holding state of the reticle 10 in the inspection apparatus is different from that in which the pattern surface 10a of the reticle 10 is turned downward in the exposure apparatus and the suction surface 50a to the chuck 11b of the exposure apparatus is electrostatically sucked.
[0026]
[Problems to be solved by the invention]
It is also conceivable that the above-mentioned mask (reticle) is held by a chuck by electrostatic attraction on the pattern surface side of the mask holding unit in a state where the mask is hung while the pattern surface is facing upward in the inspection apparatus. In this case, similarly to the exposure apparatus, the pattern surface side of the mask holding unit is held by the chuck in the inspection apparatus. Therefore, in this case, the difference between the mask holding state in the inspection apparatus and the mask holding state in the exposure apparatus is different only in the direction of the mask that is deflected by gravity (own weight). The change in the position coordinates of the pattern on the mask due to the difference in the direction of gravity can be predicted (corrected) from the result of, for example, deformation analysis. Then, by correcting the change in the position of the pattern predicted from the measurement result of the inspection apparatus, it is possible to accurately predict the position coordinates of the pattern held in the exposure apparatus.
[0027]
However, when the pattern surface side is sucked and held by the chuck while the mask is suspended with the pattern surface facing upward as described above, there are the following problems. That is, the mask falls when the chucking force of the chuck is not generated. In this case, the mask cannot be transported together with the chuck. Then, when the mask is measured in the inspection apparatus, it is not possible to include the automatic conveyance for each chuck, and the inspection efficiency is deteriorated. In addition, there is a concern that inspection accuracy may be adversely affected if precise measurement including automatic conveyance is not possible.
[0028]
Furthermore, even when the mask is held on the chuck by suction on the stage, if any accident occurs and the chucking force of the chuck stops, the mask may fall. This may lead to a serious accident such as the mask being damaged by falling.
[0029]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a mask inspection apparatus that can hold a mask safely.
[0030]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problem, a mask inspection apparatus according to the present invention is an apparatus for inspecting a position and / or a defect of a pattern on a mask on which a device pattern to be exposed and transferred on a sensitive substrate is formed. A holding means for holding a peripheral portion (holding portion) of the mask in such a manner that the mask is suspended, and a mask support mechanism for mechanically supporting the mask below the holding means.
[0031]
An inspection device that holds a mask in a suspended form, and mechanically supports the mask by a mask support mechanism. This prevents the mask from dropping even when no suction force is generated in the holding unit of the mask inspection apparatus, so that the mask can be inspected safely.
[0032]
Further, the mask can be transported together with the holding means on the stage without dropping the mask, so that the mask inspection can be performed efficiently.
[0033]
Further, by holding the mask from the pattern surface side in such a manner that the mask is hung by the inspection device, the same side as the mask surface in the exposure device is held. That is, the mask inspection can be performed in a state similar to the holding state in the exposure apparatus. Therefore, the position coordinates of the pattern in the exposure apparatus can be known with high accuracy.
[0034]
In the mask inspection apparatus according to the aspect of the invention, it is preferable that the mask support mechanism be of an elevating type.
[0035]
Until the mask is held by the holding means of the mask inspection apparatus, the mask support mechanism is raised to mechanically support the mask. While the mask is held by the holding means, the mask support mechanism descends and does not mechanically touch the mask. As described above, the mask support mechanism is of an elevating type. Since the mask support mechanism does not touch the mask during measurement of the mask, high-precision measurement can be performed without affecting the measurement accuracy of the mask.
[0036]
In the mask inspection apparatus of the present invention, it is preferable that the support mechanism also functions as a positioning mechanism for a mask to be inspected.
[0037]
Since the mask support mechanism also positions the mask with respect to the holding means of the mask inspection apparatus, when holding the mask on the holding means, the positional relationship between the mask and the holding means does not vary. Therefore, a series of operations from the transfer of the mask to the measurement through the holding by the holding means can be performed accurately and smoothly.
[0038]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the periphery of a mask holding portion (peripheral portion) of a mask inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, as viewed from the side. FIG. 2 is a diagram showing a series of operations of the mask inspection apparatus.
First, the configuration of the mask inspection apparatus will be described with reference to FIGS.
[0039]
The mask inspection apparatus includes holding means (chuck) 102 for holding a mask (reticle) 10 on an XY stage 101, and support mechanisms 104, 105, 106, and 107 for mechanically supporting the reticle 10. Above the chuck 102, an inspection optical system (see FIG. 6) for acquiring and inspecting an image of the pattern surface 10a of the reticle 10 is provided.
[0040]
As shown in FIG. 1, a spherical ruby ball 103 is fitted on the upper surface of a support 101 ′ on an XY stage 101. The three ruby balls 103 are provided on a certain circumference at 120 ° distribution. The ring-shaped chuck 102 is supported on the ruby ball 103 at three points. A suction surface 102b for sucking the reticle 10 is provided on the lower surface 102a of the chuck. A vacuum (Vac) pipe (not shown) is connected to the chuck 102. Through this vacuum pipe, a suction force by vacuum is generated on the suction surface 102b of the chuck 102. The upper surface 50a of the mask holding portion (peripheral portion) 50 of the reticle 10 is attracted to the attracting surface 102b of the chuck 102. At this time, the pattern surface 10a of the reticle 10 faces upward. FIG. 1 shows a state where reticle 10 is attracted to chuck 102.
[0041]
The support mechanism includes holding metal fittings 104 and 105, a pin 106, and a pin driving unit 107. The pin 106 and the pin driver 107 are omitted in FIG. 1 and are shown only in FIG. The holding members 104 and 105 are provided so as to protrude downward from the lower surface 102 a of the chuck 102. These holding members 104 and 105 support the reticle 10 and also position the reticle 10 on the chuck 102. More specifically, the lower part of one holding metal fitting 104 on the right side of the drawing projects inward (inner projection 104c), and a step-like contact piece 104b is formed on the upper surface of the same holding part 104c. The lower part of the other holding member 105 on the left side of the figure also protrudes inward (inner projection 105c), and an inclined surface 105b is formed on the upper surface of the same portion 105c. (A contact piece is not formed but is free.) One end 10b of the holding portion 50 of the reticle 10 is pressed against a contact piece 104b (a stepped surface) of the holding metal member 104. The other end 10 c of the reticle holding portion 50 is attached to the inclined surface 105 b of the holding member 105. In this manner, the reticle 10 is supported by the holding members 104 and 105 so as not to move in the XY directions. Since the position of the contact piece 104b is fixed to the chuck 102, as described above, when the reticle 10 is supported by the holding metal fittings 104 and 105, the reticle 10 is positioned on the chuck 102.
[0042]
The distance d1 from the contact piece 104b (stepped surface) of the holding member 104 to the lower surface 102a of the chuck 102 is larger than the thickness d2 of the reticle 10. Therefore, when the reticle 10 is attracted to the chuck 102 (see FIG. 2C), the reticle 10 does not come into contact with the holding members 104 and 105.
[0043]
On the lower surfaces 104a and 105a of the holding members 104 and 105, a pin driving unit 107 is provided so as to bridge between the holding member 104 and the holding member 105. The pin 106 is provided on the upper surface 107a of the pin driving unit 107 so as to extend toward the chuck 102 (upward in FIG. 2). The pin 106 mechanically supports the reticle 10 from below. Specifically, as shown in FIG. 2A, the pin 106 is provided on an upper surface of the pin driving unit 107 so as to support the mask holding unit 50 of the reticle 10 held by the holding members 104 and 105 from below. For example, two portions are provided at positions corresponding to the holding portions 50 of the 107a. The pin 106 is driven by a piezoelectric element such as a piezo element, and can be moved up and down. FIGS. 2A and 2E show a state in which the reticle 10 is supported by the holding metal fittings 104 and 105 and is mechanically supported (supported) from below by the pins 106.
[0044]
Next, the operation of the mask inspection apparatus will be described with reference to FIG.
First, the reticle 10 is supported by the holding metal fittings 104 and 105 in the mask inspection apparatus and supported from below by the pin 106. At this time, as described above, one end 10b of the holding portion 50 of the reticle 10 is pressed against the contact piece 104b of the holding member 104, and the other end 10c of the holding portion 50 of the reticle 10 is attached to the inclined surface 105b of the holding member 105. Have been. In this state (the position supported by the holding members 104 and 105), the reticle 10 is positioned with respect to the chuck 102 in the XY directions. In this state, the chuck 102 is transported together with the chuck 102 onto the stage 101 (FIG. 2A).
[0045]
After placing the reticle 10 on the stage 101, a suction force is generated on the suction surface 102b of the chuck 102 via a Vac pipe. On the other hand, the pin 106 supporting the reticle 10 from below is raised, and the reticle 10 is lifted from the position supported by the holding metal fittings 104 and 105, and is brought into contact with the suction surface 102b of the chuck 102 (FIG. 2B).
[0046]
When the upper surface 50a of the mask holding unit 50 of the reticle 10 is attracted to the attracting surface 102b, the pins 106 are lowered (FIG. 2C). During the measurement of the reticle 10, the reticle 10 is in contact with only the chuck 102 and does not contact the pin 106 or the holding members 104, 105. This is because the distance d1 from the contact piece 104b to the upper surface 102a of the chuck 102 is larger than the thickness d2 of the reticle 10, as described above. Thus, no extra force is applied to the reticle 10 during measurement.
[0047]
When the measurement is completed, the pin 106 moves up again to support the reticle 10 from below (FIG. 2D). After the chucking force of the chuck 102 is eliminated, the pin 106 lowers the reticle 10 to the position where the holding members 104 and 105 are supported. In this state, the reticle 10 is carried out of the stage 101 together with the chuck 102 (FIG. 2E).
[0048]
According to the above embodiment, since the reticle 10 is mechanically supported from below by the mask support mechanism, the reticle 10 does not fall even when the chuck 102 has no suction force. Therefore, mask inspection can be performed safely.
[0049]
In the mask inspection apparatus, the mask is held on the chuck 102 from the side of the pattern surface 10a in a manner of hanging the mask. Thus, the surface on the same side as the surface of the reticle 10 in the exposure apparatus is held. In this case, the difference between the mask holding state in the inspection apparatus and the mask holding state in the exposure apparatus is different only in the direction of the mask that is bent by gravity (own weight). The change in the position coordinates of the pattern on the mask due to the difference in the direction of gravity can be predicted (corrected) from the result of, for example, deformation analysis. Therefore, the position coordinates of the pattern in the exposure apparatus can be known with high accuracy.
[0050]
When the reticle 10 is attracted to the chuck 102, such as during measurement of the reticle 10, the pins 106 and the holding members 104 and 105 do not contact the reticle 10. Therefore, no extra force is applied to the mask and the measurement accuracy is not adversely affected, so that highly accurate measurement can be expected.
[0051]
Since the mask support mechanism also serves to position the reticle 10 with respect to the chuck 102, when the reticle 10 is held on the chuck 102, the positional relationship between the two does not vary. Therefore, a series of operations from transport of the reticle 10 to unloading can be performed accurately and smoothly.
[0052]
The efficiency can be further improved by performing these series of operations by automatic conveyance.
[0053]
In the above-described embodiment, the reticle 10 is vacuum-sucked to the chuck 102, but other suction means such as electrostatic suction can be used.
[0054]
In addition, although the pin 106 is driven by a piezoelectric element such as a piezo element, the present invention is not limited to this, and other driving means can be used.
Further, although the two pins 106 are provided on the pin driving unit 107, it is sufficient that the holding unit 50 of the reticle 10 can be mechanically supported from below. For example, a plurality of pins may be provided.
[0055]
Further, three ruby balls 103 of the inspection device are provided, but the present invention is not limited to this.
[0056]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a mask inspection apparatus can hold a mask safely, measure efficiently, and accurately predict the position coordinates of a pattern.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic sectional view of a part of a mask inspection apparatus according to an embodiment of the present invention as viewed from a side.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an operation mechanism of the mask inspection apparatus according to the embodiment as viewed from the side.
FIG. 3 is a diagram showing an image forming relationship and a control system in the entire optical system of the electron beam projection exposure apparatus of the division transfer system.
FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a configuration example of a reticle for electron beam projection exposure.
FIG. 5 is a diagram schematically showing a reticle held on a reticle stage in the electron beam exposure apparatus and a projection optical system.
FIG. 6 is a schematic view schematically showing a mask inspection apparatus conventionally used.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Reticle 10a Pattern surface 10b, 10c One end 50 Mask holding part 50a Upper surface 101 XY stage 102 Chuck 102a, 104a, 105a Lower surface 102b Suction surface 103 Ruby ball 104, 105 Holder 104c, 105c Inner projection 104b Contact piece 105b Inclined surface 106 Pin 107 Pin driver 107a Upper surface

Claims

An apparatus for inspecting a position and / or a defect of a pattern on a mask on which a device pattern to be exposed and transferred on a sensitive substrate is formed,
Holding means for holding a peripheral portion (holding portion) of the mask in a manner such that the mask is suspended;
A mask support mechanism for mechanically supporting the mask below the holding means;
A mask inspection apparatus comprising:

The mask inspection apparatus according to claim 1, wherein the mask support mechanism is of a lifting type.

The mask inspection apparatus according to claim 1, wherein the support mechanism also functions as a positioning mechanism for a mask to be inspected.