JPH0831513B2 - Adsorber substrate - Google Patents

Adsorber substrate

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JPH0831513B2
JPH0831513B2 JP63039206A JP3920688A JPH0831513B2 JP H0831513 B2 JPH0831513 B2 JP H0831513B2 JP 63039206 A JP63039206 A JP 63039206A JP 3920688 A JP3920688 A JP 3920688A JP H0831513 B2 JPH0831513 B2 JP H0831513B2
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正昭 青山
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子や液晶素子等を製造するための半導体ウェハ、もしくはガラスプレート等の基板を平坦に吸着固定する装置に関し、特に基板の自動受け渡し機構と組み合わせるのに好適な吸着装置に関する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention [relates] The semiconductor wafer for fabricating semiconductor devices or liquid crystal element or the like or relates to a device for flat suction fixing the substrate of glass plate, in particular an automatic substrate regarding suitable adsorption apparatus for combination with delivery mechanism.

〔従来の技術〕 [Prior art]

従来より投影型露光装置、X線露光装置、半導体ウェハ検査装置、レーザリペア装置等では、加工又は検査すべきウェハ等の基板を平坦に保持するために、真空吸着ホルダーが使われている。 Projection exposure apparatus conventionally, X-rays exposure apparatus, a semiconductor wafer inspection device, the laser repair apparatus, etc., in order to held flat substrates such as a wafer to be processed or inspected, vacuum suction holder is used.

第4図(A)、(B)は従来の吸着ホルダーの代表的な構造を示す平面図と部分断面図である。 FIG. 4 (A), (B) is a plan view and a partial sectional view showing a typical structure of a conventional suction holder. 第4図(A)、(B)において、リニアガイド1に沿って矢印E方向に直線移動するスライダー2には、2本のフォーク部3a、3bが設けられ、水平面内で一次元的にウェハを搬送する。 FIG. 4 (A), (B), the the slider 2 to move linearly in the direction of the arrow E along the linear guide 1, two fork portions 3a, 3b are provided, one-dimensionally wafer in a horizontal plane to convey the.

フォーク部3a、3bの上面にはウェハを載置して固定する吸着孔4a、4bが形成される。 Suction holes 4a fork portion 3a, on the upper surface of the 3b for fixing by mounting the wafer, 4b are formed. 2次元に移動するウェハステージSTは予めローディング位置(第4図(A)の位置)に位置決めされる。 Wafer stage ST which moves in two dimensions is positioned in advance loading position (position of FIG. 4 (A)). フォーク部3a、3b上のウェハはステージSTの上に設けられたウェハホルダーWHの真上の位置まで運ばれる。 Fork 3a, the wafer on 3b is conveyed to a position directly above the wafer holder WH provided on the stage ST.

ウェハホルダーWHの載置面5には細い溝6が環状に複数本形成され、この細い溝6はウェハ裏面を吸着するために真空源によって減圧される。 Narrow grooves 6 in the mounting surface 5 of the wafer holder WH is a plurality of annularly formed, the narrow grooves 6 is depressurized by the vacuum source to adsorb the wafer backside. さらにウェハホルダー In addition wafer holder
WHの載置面5の中央部には、センターアップ部7が上下動可能に設けられている。 At the center of the mounting face 5 of WH, center-up unit 7 is vertically movable. さて、フォーク部3a、3bが所定の位置にくると、第4図(B)に示すようにセンターアップ部7が載置面5、及びフォーク部3a、3bよりも上方に移動し、ウェハWを受け取る。 Now, when the fork portion 3a, 3b comes into place, moves FIG. 4 (B) to the center-up portion 7 is the mounting surface 5 as shown, and the fork portion 3a, above the in 3b, the wafer W the receive.

この状態でセンターアップ部7はウェハWの裏面を真空吸着し、フォーク部3a、3bは再び第4図(A)の位置まで戻る。 Center-up section 7 in this state, the vacuum suction the rear surface of the wafer W, the fork portion 3a, 3b is returned to the position again FIG. 4 (A). そして最後にセンターアップ部7を載置面5 And finally placing the center-up section 7 surface 5
よりも下方に移動させ、ウェハWをホルダーWHの載置面5に受け渡し、溝6を減圧してウェハWを吸着固定する。 Is moved downward than transferring the wafer W on the mounting surface 5 of the holder WH, adsorbs fix the wafer W by vacuum grooves 6. これによってウェハWは載置面5の平面度にならって平坦化矯正される。 This wafer W is flattened corrected following the flatness of the mounting surface 5. また載置面5上のウェハWを取り出すときは、全く逆のシーケンスが行なわれる。 Also, when taking out the wafer W on the mounting surface 5, the opposite sequence is performed at all. ただし搬出専用に別のフォーク部を設け、搬入方向(矢印E方向)と異なる方向へウェハWを送り出してもよい。 However provided another fork portion to discharge only, carrying direction may send out the wafer W to (arrow E) and different directions.

〔発明が解決しようとする問題点〕 [Problems to be Solved by the Invention]

上記従来のウェハホルダーでは、ウェハWを安定に、 In the conventional wafer holder, stably and the wafer W,
かつ正確に受け渡しさせるために、センサーアップ部7 And in order to accurately transfer the sensor up section 7
のウェハ載置面は比較的大きな面積を必要とした。 The wafer mounting surface required a relatively large area. このためウェハホルダーの中心部には比較的大きな貫通穴が設けられる。 Relatively large through-hole is provided in the center of this for a wafer holder. このことはウェハホルダーWHの載置面5の中央部、すなわちウェハ中心部に真空吸着による矯正力が作用しないことを意味する。 This means that the central portion of the mounting surface 5 of the wafer holder WH, i.e. straightening force by the vacuum suction to the wafer center does not act. 近年、ウェハの大口径化がすすみ、各種プロセスの影響で、数十ミクロン、あるいは数百ミクロンのオーダでウェハがそったり、歪んだりしてくることによる悪影響が問題となってきた。 In recent years, large diameter of the wafer process proceeds, under the influence of various processes, or along the wafer in a few tens of microns or several hundred microns of the order, the negative effects of to come or distorted has become a problem. このように変形の激しいウェハは、ウェハホルダーへの吸着力を大きくしないと、平坦化矯正が不十分なまま加工(露光、レーザリペア等)されてしまう。 The intense wafer variation as, if not increase the adsorption force of the wafer holder, will be processed while flattening correction insufficient (exposure, laser repair, etc.). ところが従来のものでは、ウェハ中央部にまったく吸着力が働いていないため、ウェハの中央が載置面5から盛り上がり、ウェハ周辺部から1〜3cm程度の部分が載置面5に密着し、さらにウェハ周辺では載置面5から浮き上がったような状態で吸着固定されてしまう。 But the conventional and for not working at all suction force to the wafer central portion, raised from the surface 5 placing the center of the wafer, in close contact with the surface 5 placing the portion of about 1~3cm from the wafer periphery, and further in the peripheral wafer thus it sucked and secured in such a state that lifted from mounting surface 5. 現在の投影型露光装置(ステッパー)の投影レンズの焦点深度はたかだか± The depth of focus of the projection lens of the current projection exposure apparatus (stepper) is at most ±
1μm程度のレンズしかなく、平坦化矯正が不十分なままだと、レチクル(マスク)パターンの投影像面(最良結像面)とウェハ上の1つのショット領域内の面とが相対的に大きく傾くこととなり、半導体素子等の製造に大きな障害となってしまう。 There is only 1μm about the lens, if you leave the flattening correction insufficient, a reticle (mask) the projected image plane of the pattern (the best image plane) and one surface of the shot area on the wafer is relatively large will be inclined, it becomes a major obstacle to the fabrication of semiconductor devices.

そこで本発明では、従来のようにウェハ等の基板の自動搬送の際の安定性と確実性を維持しまま、基板全面でほぼ均一な平坦化矯正力の得られる吸着装置を提供することを目的とする。 Accordingly, in the present invention, intended to remain maintaining conventional manner the stability and reliability during the automatic transfer of a substrate such as a wafer, to provide a suction device capable of obtaining substantially uniform flattening correction force at the entire surface of the substrate to.

〔問題点を解決する為の手段〕 [Means for solving the problem]

上記問題点を解決する為に、本発明ではウェハホルダー等の載置台のほぼ中央付近に複数の小さな貫通穴を互いに所定量だけ離して設け、この貫通穴の夫々に貫入して基板の受け渡しを行なう複数の支持部材を、従来のセンターアップ部と同等の機能として設けるようにした。 In order to solve the above problems, the present invention provided apart by a predetermined amount from each other a plurality of small through holes near the center of the mounting table such as a wafer holder, a transfer of the substrate to penetrate the respective of the through hole a plurality of support members to perform and be provided as equal to the conventional center-up portion of the function.
さらに実施例で説明するように支持部材を3本にし、これら3本で囲まれた載置面の領域にも真空吸着及び平坦化矯正のために必要な局在化された複数の凸部を形成するようにした。 Furthermore the three support members as described in the examples, a plurality of protrusions that are localized necessary for vacuum suction and flattening correction in the region of the mounting surface surrounded by these three It was to be formed.

〔作 用〕 [For work]

本発明によれば、複数の支持部材が通る貫通穴が互いに離れているため、その間の領域に真空吸着力を発生させる凸部(凹部)を形成できるため、全面に渡って均一な平坦化が可能となる。 According to the present invention, since the through hole through a plurality of support members are separated from each other, it is possible to form a convex portion (concave portion) for generating a vacuum suction force in the area between them, uniform planarization over the entire surface It can become.

〔実施例〕 〔Example〕

第1図(A)、(B)は本発明の実施例による吸着装置の平面図と部分断面図であり、第1図(B)は第1図(A)の1−B矢視断面である。 Figure 1 (A), (B) is a plan view and a partial sectional view of a suction device according to an embodiment of the present invention, in 1-B cross-sectional view taken along line of FIG. 1 (B) the first figure (A) is there. 第1図(A)に示すようにウェハホルダーWHは金属の円盤であり、その上面にはウェハWの平面形状に合わせて、円周部5aと直線的なフラット部5bとを有する載置面5が形成されている。 The wafer holder WH as shown in FIG. 1 (A) is a disc of metal, on the upper surface thereof in accordance with the planar shape of the wafer W, the mounting and a circumferential portion 5a and the straight flat portion 5b surface 5 is formed. 載置面5の中心(ウェハ中心)O 1をセンターとする直径L Diameter L of the center of the mounting surface 5 (wafer center) O 1 and center
の円CC上にほぼ3等分された位置の夫々には、直径Rの貫通穴10a、10b、10cが設けられている。 Each A of approximately 3 equally divided positions on a circle CC, through holes 10a having a diameter R, 10b, 10c are provided. ここで載置面5の円周部5aの直径をDとすると、直径LはDよりも十分小さく定められ、かつL≧2Rとなるように定められている。 And D the diameter of the circumference 5a of the surface 5 mounting where the diameter L is defined as defined sufficiently smaller than D, and an L ≧ 2R. さらに中心O 1をセンサーとする直径(L+R)の円は、第4図に示した2本のフォーク部3a、3bの間隔よりも小さくなるように定められる。 Diameter circle (L + R) further to the center O 1 and sensors, two fork portions 3a shown in FIG. 4, is determined to be smaller than the gap 3b. また各貫通穴10a、1 The respective through holes 10a, 1
0b、10cの周辺にはウェハWの裏面と接触する環状のリム(微小凸部)11a、11b、11cが形成され、リム11a、11 0b, an annular rim (minute projections) in contact with the rear surface of the wafer W is around the 10c 11a, 11b, 11c are formed, the rim 11a, 11
b、11cの上面は載置面5の円周部5a及びフラット部5bの外側の上面と精密に同一面(基準面)になるように作られている。 b, the upper surface of 11c is designed to precisely and upper surface of the outer circumferential portion 5a and the flat portion 5b of the mounting face 5 flush against (reference surface). 従って載置面5の直径DをウェハWの外形(国際規格により統一されている)よりもわずかに(2 Thus the diameter D of the mounting surface 5 (which is unified by the International Standards) wafer W outline slightly than (2
〜3mm程度)に小さなものにしておくと、載置面5、すなわちリム11a、11b、11cの各々の外側で、かつ円周部5 If it left small things about to 3 mm), the mounting surface 5, i.e. the rim 11a, 11b, on the outside of each 11c, and the circumferential portion 5
a、フラット部5bで囲まれた円側の領域の全てが、ウェハWによっておおわれることになる。 a, all the circles side of the area surrounded by the flat portion 5b becomes to be covered by the wafer W. そこで載置面5内の任意の位置に、1つもしくは複数の真空吸着孔(第1 So at any position of the mounting face 5, one or more vacuum suction holes (first
図(A)では4ケ所)12a、12b、12c、12dを設けると、 Figure (A) in 4 places) 12a, 12b, 12c, if provided 12d,
ウェハWの裏面は載置面5に吸着固定される。 The rear surface of the wafer W is sucked and secured on the mounting surface 5.

さて、3つの貫通穴10a、10b、10cの各々には、第1 Now, three through holes 10a, 10b, each of 10c is first
図(B)で示すように、3本の支持部材14a、14b、14c As shown in Figure (B), 3 support members 14a, 14b, 14c
を貫入させ、上下動機構16によって一体に上下動するような構成にする。 Was penetration, a configuration such that vertical movement together by vertical movement mechanism 16. 上下動機構16は駆動源18によってシーケンスに応じて適宜駆動される。 Vertical movement mechanism 16 is driven appropriately according to the sequence by a drive source 18.

支持部材14a、14b、14cは本実施例では円柱状であり、その上端面は同一面になるように構成され、各上端面には、図のようにウェハWを保持する際に、排気パイプ21、吸気路20を介して真空吸着する吸着孔が設けられている。 Supporting members 14a, 14b, 14c has a cylindrical shape in the present embodiment, the upper end surface thereof is configured to be in the same plane, each upper end surface, when holding the wafer W as shown in the figure, the exhaust pipe 21, the suction holes to vacuum suction is provided through an intake passage 20. この3本の支持部材14a、14b、14cの上端面は、ウェハWの自動受け渡しの際は、第4図(B)に示したセンターアップ部7と同様に載置面5から一定量上方に持ち上げられ、ウェハWを載置面5に吸着する際は支持部材14a、14b、14cの各上端面が載置面5(正確にはリム11a、11b、11cの上面)よりも下方に沈み込むまで降下される。 The three support members 14a, 14b, the upper end surface of 14c the time of automatic transfer of the wafer W is a predetermined amount upward from FIG. 4 (B) center-up unit 7 similarly to the mounting surface 5 shown in lifted, when adsorbed on surface 5 mounting the wafer W is supported members 14a, 14b, each upper end surface mounting surface 5 (to be precise the rim 11a, 11b, the upper surface of 11c) of 14c sinks below the until it is dropped.

尚、吸気孔12a、12b、12c、12dの各々はパイプ23を介して共通の給排気源につながれる。 The intake holes 12a, 12b, 12c, each of 12d are connected to a common air supply and exhaust source via a pipe 23. これは、ウェハWを吸着した後、パイプ23の真空源(排気源)との連通を遮断しても、ウェハWの裏面空隙はただちに大気にリークされることがないため、吸気孔12a、12b、12c、12dから一時的に陽圧の空気をウェハ裏面へ供給することでウェハWの載置面5からの取りはずしを容易、かつ迅速にするためである。 This is because after the adsorption of the wafer W, even if cuts off the communication between the vacuum source of the pipe 23 (the exhaust source), the back surface voids of the wafer W is never immediately leaked to the atmosphere, the intake holes 12a, 12b , 12c, facilitates the removal from the surface 5 the mounting of the wafer W temporarily the positive pressure air from 12d by supplying to the wafer back surface, and in order to quickly.

ところで、第1図(A)、(B)に示した載置面5の全面には例えば第2図(A)、(B)に示すような微小凸部50がほぼ一定の間隔で多数形成されている。 Incidentally, FIG. 1 (A), (B) the indicated placing the entire surface, for example a second view of the surface 5 (A), a large number at a substantially constant spacing minute projections 50, as shown in (B) It is. 第2図(A)は第1図(A)で示したリム11aと中心O 1とを含む一部分の平面形状を表わし、第2図(B)はリム11a FIG. 2 (A) represents a planar shape of a portion including a rim 11a and the center O 1 shown in FIG. 1 (A), FIG. 2 (B) is a rim 11a
を含む一部分の断面形状を表わす。 It represents the portion of the sectional shape including a. 微小凸部50は中心O 1 Minute projections 50 center O 1
をセンターとするほぼ一定間隔毎の同心円上に位置するように配列され、その同心円の周方向の長さと、径方向の幅は、ともに加工上の安定性が維持される範囲でなくべく小さくなるように定められる。 The arranged to be positioned on a concentric circle of each substantially constant distance to the center, and the circumferential length of the concentric circles, the radial width is smaller order not both range stability on the work is maintained It is defined as. 第2図(B)に示すように各微小凸部50の上面はリム11a(11b、11c及び円周部5a、フラット部5b)と上面と同一の基準面RFに一致するように形成されている。 Top rim 11a of the minute projections 50 as shown in FIG. 2 (B) (11b, 11c and circumferential portion 5a, the flat portion 5b) are formed to match the same reference plane RF and the upper surface there. 基準平面RFに対する面精度は、装置の仕様によって異なるが、最もきびしいものでは全面で±1μm以内というものもある。 Surface accuracy with respect to the reference plane RF is different depending on the specifications of the apparatus, is the most severe and some that within ± 1 [mu] m on the entire surface. また微小凸部 The minute projections
50の上面の中心O 1を通る径方向の幅P 1と凸部に挟まれた凹部の幅P 2との比(P 2 /P 1 )は極端に大きくならなければよい。 The ratio of the width P 2 of the recess flanked by the width P 1 and the convex portion in the radial direction passing through the center O 1 of the upper surface of the 50 (P 2 / P 1) may be not become extremely large. 一例として通常の6インチ程度のウェハに対してはP 1 =0.5〜2mm、P 2 =1〜6mmの範囲で良好な平坦化矯正が行なわれた。 P 1 = 0.5 to 2 mm for regular 6-inch about the wafer, good flattening correction in the range of P 2 = 1 to 6 mm was made by way of example. また微小凸部50は周方向についても細かく分断された状態で形成されるが、例えば1/4円周分、あるいは1/3円周分だけ連続した円弧状とし、同一径の円弧と円弧の接続部は通気のために凹部にしておいてもよい。 The minute projections 50 are formed in finely divided state also in the circumferential direction, and for example, 1/4 the circumferential component, or 1/3 circumference amount corresponding continuous arcuate, having the same diameter arcs and arc connections may be set to the concave portion for ventilation.

以上のように微小凸部によってウェハWの裏面を支持するのは、ウェハWと凸部(基準面RF)との間に異物が挟み込まれる確率を著しく小さくするためである。 Or to support the rear surface of the wafer W by minute projections as, in order to significantly reduce the probability that foreign matter is sandwiched between the wafer W and the convex portion (reference plane RF). すなわち載置面5の全面積に対して、ウェハ裏面と接触する凸部(基準面RF)の総面積を数%〜十数%に低下させるためである。 That the total area of ​​the mounting surface 5, in order to reduce a few percent to several tens of% of total area of ​​the projection (reference plane RF) in contact with the wafer backside.

この第2図(A)からも明らかなように、貫通穴10 As it is clear from FIG. 2 (A), through-holes 10
a、10b、10cに囲まれた中心領域においても複数の微小凸部50が形成されるため、その中心領域でも十分な吸着力が得られる。 a, 10b, since the plurality of fine convex portions 50 are also formed in the central region surrounded by 10c, sufficient suction force can be obtained even in the central region. また凸部50の周囲の凹部は、本実施例の場合、載置面5の全面のどこにおいても連通しているため、吸気孔12a、12b、12c、12dは、例えば中心O 1の1ケ所だけにしても吸着が可能である。 The recess surrounding the convex portion 50 in the case of this embodiment, the mounting order in communication anywhere in the entire surface 5, the intake holes 12a, 12b, 12c, 12d, for example one location of the center O 1 even if only to a possible adsorption.

第3図は微小凸部の変形例であり、小さな矩形の凸部 Figure 3 is a modification of the minute projections, small rectangular protrusion
52をx、y方向に一定ピッチでマトリックス状に形成したものである。 52 x, is obtained by forming in a matrix at a constant pitch in the y-direction. この場合も、凸部52の上面の寸法範囲0. Again, size range of the upper surface of the protrusion 52 0.
5〜2mm、凸部52と52の間の凹部の寸法範囲を1〜6mmとして、任意の組み合わせが可能である。 5~2Mm, the size range of concave portions between the convex portions 52 and 52 as 1 to 6 mm, any combination is possible.

ところで第4図(A)、(B)で示したステージSTがステッパー(投影型露光装置、X線露光装置等)のステッピングステージの場合、ステージSTは転写すべき回路パターンの寸法(ショットサイズ)に応じて一定ピッチずつx、y方向にステッピングしていく。 Meanwhile FIG. 4 (A), the stage ST shown in (B) is a stepper (projection exposure apparatus, X-rays exposure apparatus or the like) when the stepping stage, the stage ST is the size of a circuit pattern to be transferred (shot size) by a predetermined pitch in accordance with the x, we continue to stepping in the y-direction. 投影レンズを用いたステッパーでは、1回のステッピングによって露光できる最大領域は、1/5縮小投影レンズの場合、通常は15mm×15mm(21φ)の大きさである。 The stepper using a projection lens, the maximum area can be exposed by one stepping in the case of 1/5 reduction projection lens, usually the size of 15mm × 15mm (21φ). X線露光ではプロキシミティー方式を採用するため光学系による転写領域の制限はないものの、実用上の観点から20mm×20mm程度に定められている。 Although not limited in the transfer area by the optical system to adopt proximity method in X-ray exposure, it is determined from the practical point of view to about 20 mm × 20 mm.

このためウェハW上の各ショットの配列によっては、 Depending sequence of each shot on the order the wafer W,
ある特定のショット領域の直下に貫通穴10a、10b、10c Through holes 10a just under the certain shot area, 10b, 10c
のいずれか1つが位置することも起り得る。 One of but may also occur that position. この場合、 in this case,
その特定のショット領域の全面に対しては貫通穴によって吸着力が作用しないことになり、最悪の場合はそのショット領域が解像不良を起してしまう。 Its relative the entire surface of a particular shot area will not affect the suction force by the through hole, the worst case would the shot area cause poor resolution. そこで貫通穴10 Therefore, the through-hole 10
a、10b、10cの径寸法R(又は面積)は、転写すべきショット領域の寸法(又は面積)よりも小さくなるように、好ましくはショット領域(矩形)の対角線の長さの a, 10b, 10c of the diameter R (or area), so as to be smaller than the size of the shot area to be transferred (or area), preferably diagonal shot area (rectangle) length of
2/3以下になるように定めるとよい。 2/3 may determine to be less than.

また3ケ所の貫通穴10a、10b、10cで囲まれた内側の領域は、その他の領域と同等の吸着力が得られることが望ましい。 The 3 places of the through holes 10a, 10b, inside the area surrounded by 10c is that the same suction force and other areas can be obtained desirable. ところが貫通穴10a、10b、10cの夫々を中心O However the through holes 10a, central 10b, 10c respectively of O
1に近づけすぎると、中心部領域での凸部50、52の数、 Too close to 1, the number of the projections 50 and 52 in the center region,
すなわち凹部の面積が少なくなってくるため、必然的に吸着力が低下する。 That is, the area of ​​the recess becomes smaller, inevitably adsorption force decreases. このため、かならずL≧2Rの条件を満たすようにする。 Therefore, always to satisfy the condition of L ≧ 2R. さらに3つの貫通穴10a、10b、10c Further three through holes 10a, 10b, 10c
に内接する円、又は直径Lの円CCを考えたとき、この円の最小径は1つのショット領域を概ね含む程度の大きさに定めておくとよい。 Circle inscribed in, or when considering circle CC with a diameter L, the smallest diameter of this circle is a good idea to set the size that contains approximately one shot area.

以上のようにウェハ上のショット領域毎にステップアンドリピート方式で露光する場合に、貫通穴の径R、円 When exposed in a step-and-repeat system for each shot area on the wafer as described above, the diameter R, the circle of the through hole
CCの径L等の関係をショット領域の寸法を考慮して最適的に決めることで、各ショット領域の夫々を最良の解像条件で露光することができる。 The relationship between the diameter L etc. CC taking into account the size of the shot area is optimally to decide it, it can be exposed to each of the respective shot areas in the best resolution condition.

さらに本実施例の構成によって、ウェハ吸着時のウェハフラットネスは最良に矯正されるため、例えウェハ固有の厚みムラ、テーパ等のために、ウェハホルダーWHをレベリング(傾斜)させるとしても、その量が少なくなり、レベリング動作によるスループットの低下を極めて小さく押えることができる。 Furthermore the structure of this embodiment, since the wafer flatness at the wafer adsorption is corrected best, wafers specific thickness unevenness even, because of the taper or the like, even to the wafer holder WH is leveled (inclined), the amount is reduced, it is possible to suppress extremely small decrease in throughput due to the leveling operation.

また本実施例では、ウェハの平坦化矯正を例示したが、液晶表示素子(テレビ画面)等を作り込む大型のガラスプレートを吸着する場合も同様に適用できる。 In the present embodiment has been described by way of flattening correction of the wafer can be applied similarly also adsorb a large glass plate to fabricate a liquid crystal display device (TV screen), or the like. 本実施例では支持部材を3本としたが、ウェハ裏面との接触面が細長い矩形状をした上面を有する板状の支持部材の2本を、互いに平行に一定間隔だけ離して設けてもよい。 Although the three support members in the present embodiment, the two plate-like support member having an upper surface which contact surface has an elongated rectangular shape with the wafer back surface, may be provided apart parallel constant distance from each other . この場合、載置面5上には2本の支持部材が貫入するスリット状の貫通穴が2つ形成される。 In this case, on the mounting surface 5 is slit-shaped through-hole two support members penetrates is two forms.

さらに支持部材(14a、14b、14c)は載置台としてのウェハホルダーWHに対して上下動するものとしたが、装置によってはウェハホルダーWHの方を支持部材に対して上下動させてもよい。 Further support members (14a, 14b, 14c) has been assumed to move up and down relative to the wafer holder WH as the mounting table may be moved vertically towards the wafer holder WH with respect to the support member by the device.

〔発明の効果〕 〔Effect of the invention〕

以上本発明によれば、基板を載置して吸着する実効的な面積を、従来のものと比較して大きく取れるとともに、吸着力を発生しない部分が分散されているため、基板の全面にわたってほぼ均一な平坦化矯正力が得られる。 According to the present invention above, the effective area of ​​suction by placing a substrate, together they made large as compared with conventional, since the portion which does not generate suction force is distributed substantially over the entire surface of the substrate uniform planarization corrective force. このため平面度の悪いウェハ等を確実に矯正することができる。 Therefore it is possible to reliably correct the bad wafer or the like flatness. 特に現在、生産現場で使われはじめた8インチ等の大口径ウェハにおいては、ウェハのそり量も大きくなるため、本発明の構成を採用することで、確実な平坦化、安定な受け渡し動作の両方を十分な精度で維持することができる。 Especially now, in a large-diameter wafer, such as 8 inches began used in production site, both for also increases warpage of the wafer, by employing the configuration of the present invention, reliable flattening, stable delivery operation the can be maintained with sufficient accuracy.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

第1図(A)は本発明の実施例による吸着装置の載置台の構成を示す平面図、第1図(B)は第1図(A)の1 Figure 1 (A) is a plan view showing the configuration of the mounting table of the adsorption device according to an embodiment of the present invention, 1 of FIG. 1 (B) the first figure (A)
−B矢視断面を示す部分断面図、第2図(A)は載置面の一部分の構成を示す平面図、第2図(B)は第2図(A)の一部分の断面構造を示す断面図、第3図は載置面の構造の他の例を示す平面図、第4図(A)、第4図(B)は従来の吸着装置の構造を示す平面図と部分断面図である。 Partial cross-sectional view showing a -B cross section taken along a second view (A) is a plan view showing a configuration of a portion of the mounting surface, FIG. 2 (B) shows a sectional structure of a portion of FIG. 2 (A) sectional view, FIG. 3 is a plan view showing another example of the structure of the mounting surface, FIG. 4 (a), FIG. 4 (B) is a plan view and a partial sectional view showing the structure of a conventional suction device is there. 〔主要部分の符号の説明〕 W……ウェハ、WH……ウェハホルダー、 5……載置面、7……センターアップ部、 10a、10b、10c……貫通穴、 14a、14b、14c……支持部材、 16……上下動機構、50、52……微小凸部、 [Main part of the description of the code] W ...... wafer, WH ...... wafer holder, 5 ...... mounting surface, 7 ...... center-up unit, 10a, 10b, 10c ...... through holes, 14a, 14b, 14c ...... support member 16 ...... vertical movement mechanism, 50, 52 ...... fine convex portion,

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】平坦化矯正すべき基板の外形とほぼ同形の載置面を有し、該載置面の全面に局在化された凸部をほぼ均等な分布で形成し、該局在化された凸部の囲りの凹部を減圧することによって前記基板の裏面を前記複数の凸部の上面で規定される基準面にならわせて吸着する載置台を備えた装置であって、前記載置台には前記載置面を貫通した複数の貫通穴が相互に離間して設けられ、前記載置面に前記基板の裏面を接触させて載置するとともに、前記基板の裏面を前記載置面から所定量だけ離すために、前記複数の貫通穴の夫々に貫入して前記載置台と相対的に上下動する複数の支持部材と;該複数の支持部材の夫々の上端面に設けられ、前記基板が前記載置面から離れているとき、前記基板の裏面を吸着する吸気孔とを備えたことを特 1. A has a mounting surface substantially the same shape as the outer shape of the substrate to be corrected planarization, to form a convex portion that is localized on the entire surface of the placing surface in a substantially uniform distribution, the localization an apparatus having a mounting stage for adsorption Narawase the back surface of the substrate to a reference plane defined by the upper surface of the plurality of convex portions by reducing the pressure of the recesses of 囲Ri convex portion, before a plurality of through-holes penetrating through the placement surface for placing table is provided apart from each other, as well as placed in contact with the back surface of the substrate to the mounting surface, prefixed wherein the back surface of the substrate to release from the surface by a predetermined amount, a plurality of support members and the relative vertical movement between the mounting table intruded into each of the plurality of through-holes; provided at the upper end face of each of the plurality of support members, when the substrate is away from the mounting surface, especially in that it comprises a suction hole for sucking the rear surface of the substrate とする基板の吸着装置。 Suction device for the substrate to be.
  2. 【請求項2】前記複数の貫通穴の夫々は、前記載置面のほぼ中央に設定された直径Lの円上の3ケ所にほぼ等角度間隔で形成され、前記載置面は円形基板にあわせて直径Dのほぼ円形に形成され、前記3ケ所の各貫通穴の径寸法をRとしたとき、 D>L≧2R を満し、前記3ケ所の貫通穴で内包された領域及び各貫通穴の間の領域に前記局在化された凸部の複数が形成されていることを特徴とする請求項(1)記載の装置。 Wherein each of said plurality of through holes s are formed at substantially almost equal angular intervals 3 places on the circle of the center of the set diameter L of the mounting surface, the mounting surface is a circular substrate together are formed substantially circular shape with a diameter D, the 3 when the diameter of the through hole of the places were the R, D> L ≧ 2R to satisfy the said third places enclosed region and each through a through-hole the apparatus of claim 1, wherein a plurality is formed of the localized protrusion in a region between the holes.
  3. 【請求項3】ステップアンドリピート方式でマスクのパターンを感応基板の小領域の夫々に順次転写するために、該感応基板を保持して2次元的にステッピングする可動ステージに前記吸着装置を設ける場合に、前記3ケ所の貫通穴の夫々の位置する直径Lの円の最小径が前記感応基板上の転写すべき小領域を含む程度の大きさに定められていることを特徴とする請求項(2)記載の装置。 To 3. for sequentially transferring the pattern of the mask to each of the small areas of the sensitive substrate in a step-and-repeat method, when providing the suction device to the movable stage to two-dimensionally stepping holding the sensitive substrate to, claims, characterized in that the minimum diameter of a circle having a diameter L of the respective positions of the through holes of the three places are determined to a size enough to contain a small area to be transferred on the sensitive substrate ( 2) apparatus according.
  4. 【請求項4】前記3ケ所の貫通穴の夫々の面積を、前記感応基板上に1回のステッピング時に転写し得る最大の領域の面積よりも小さく定めたことを特徴とする請求項(3)記載の装置。 4. A claim, characterized in that the area of ​​each of the through holes of the three places, defined smaller than the area of ​​the largest area that can be transferred at one time stepping on the sensitive substrate (3) the apparatus according.
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