JPH11111210A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
走査電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPH11111210A JPH11111210A JP9271294A JP27129497A JPH11111210A JP H11111210 A JPH11111210 A JP H11111210A JP 9271294 A JP9271294 A JP 9271294A JP 27129497 A JP27129497 A JP 27129497A JP H11111210 A JPH11111210 A JP H11111210A
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- JP
- Japan
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- sample
- scanning
- electron beam
- voltage
- electron microscope
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料表面の絶縁性部分と導電性部分とを明確
に区別して観察することができる走査電子顕微鏡を実現
する。 【解決手段】 試料５の基板１２には、発振器１１から
周期的に変化する電圧が印加される。試料５の基板１２
に周期的に変化する電圧を印加しても、試料５の表面が
絶縁物の場合には、その絶縁物から発生する２次電子の
強度はほとんど変化しない。一方、試料表面が導電性で
あると、試料表面がプラスの電位の期間は、その試料表
面からの２次電子の発生は抑えられ、２次電子の信号量
は減少する。逆に、試料表面がマイナスの電位の期間
は、２次電子の発生は増強され、信号量は増加する。こ
の結果、試料５に印加する電圧を水平走査信号に同期さ
せて変調し、試料の各位置において同一位相で同じ電圧
が印加されるように同期させると、試料表面の導電性物
質の部分は、像の輝度の変化が縦縞として現れる。
に区別して観察することができる走査電子顕微鏡を実現
する。 【解決手段】 試料５の基板１２には、発振器１１から
周期的に変化する電圧が印加される。試料５の基板１２
に周期的に変化する電圧を印加しても、試料５の表面が
絶縁物の場合には、その絶縁物から発生する２次電子の
強度はほとんど変化しない。一方、試料表面が導電性で
あると、試料表面がプラスの電位の期間は、その試料表
面からの２次電子の発生は抑えられ、２次電子の信号量
は減少する。逆に、試料表面がマイナスの電位の期間
は、２次電子の発生は増強され、信号量は増加する。こ
の結果、試料５に印加する電圧を水平走査信号に同期さ
せて変調し、試料の各位置において同一位相で同じ電圧
が印加されるように同期させると、試料表面の導電性物
質の部分は、像の輝度の変化が縦縞として現れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料表面の絶縁性
物質の有無を検査するに好適な走査電子顕微鏡に関す
る。
物質の有無を検査するに好適な走査電子顕微鏡に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体等の上に酸化物等の絶縁物
が付いた試料を観察するために走査電子顕微鏡が用いら
れている。走査電子顕微鏡では、電子銃から発生し加速
された電子ビームをコンデンサレンズと対物レンズで試
料上に集束し、更に電子ビームを２次元的に走査するよ
うにしている。
が付いた試料を観察するために走査電子顕微鏡が用いら
れている。走査電子顕微鏡では、電子銃から発生し加速
された電子ビームをコンデンサレンズと対物レンズで試
料上に集束し、更に電子ビームを２次元的に走査するよ
うにしている。
【０００３】そして、試料への電子ビームの照射によっ
て発生した、例えば２次電子を検出し、検出信号を電子
ビームの走査に同期した陰極線管に供給して試料の電子
ビームの走査領域の２次電子像を得るようにしている。
て発生した、例えば２次電子を検出し、検出信号を電子
ビームの走査に同期した陰極線管に供給して試料の電子
ビームの走査領域の２次電子像を得るようにしている。
【０００４】このような走査電子顕微鏡で、半導体等の
試料表面に酸化物等の絶縁物が付いた試料を観察する
際、電子銃の加速電圧を試料のチャージアップが発生し
にくい１ｋＶ付近の低加速電圧としたり、２次電子の発
生効率が１に近付き、入射電子のチャージアップとバラ
ンスするよう試料を傾斜させて観察している。
試料表面に酸化物等の絶縁物が付いた試料を観察する
際、電子銃の加速電圧を試料のチャージアップが発生し
にくい１ｋＶ付近の低加速電圧としたり、２次電子の発
生効率が１に近付き、入射電子のチャージアップとバラ
ンスするよう試料を傾斜させて観察している。
【０００５】一方、試料の表面状態、すなわち、表面酸
化物（酸化シリコン及びレジスト）等がエッチング処理
等によって取り除かれているかどうかを走査電子顕微鏡
像によって検査したいという要求がある。特に、最近で
は、半導体試料上に形成されたコンタクトホールから酸
化物が完全に取り除かれているかどうかの検査に走査電
子顕微鏡が用いられている。
化物（酸化シリコン及びレジスト）等がエッチング処理
等によって取り除かれているかどうかを走査電子顕微鏡
像によって検査したいという要求がある。特に、最近で
は、半導体試料上に形成されたコンタクトホールから酸
化物が完全に取り除かれているかどうかの検査に走査電
子顕微鏡が用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記要求に対して、従
来は試料の特定部位がチャージアップするかどうかで酸
化物等が取り除かれているかどうか観察していた。ま
た、より詳細に検査・観察するために、試料室の真空度
を上げ、試料から発生する２次電子のうちのオージェ電
子を検出し、オージェ電子のエネルギーにより、酸素が
検出されているかどうかで酸化物の有無を調べていた。
来は試料の特定部位がチャージアップするかどうかで酸
化物等が取り除かれているかどうか観察していた。ま
た、より詳細に検査・観察するために、試料室の真空度
を上げ、試料から発生する２次電子のうちのオージェ電
子を検出し、オージェ電子のエネルギーにより、酸素が
検出されているかどうかで酸化物の有無を調べていた。
【０００７】このように従来においては、試料表面が絶
縁物か導電性物質であるかは、オージェ電子を用いた方
式を除いては、絶縁性物質におけるチャージアップの不
確かな情報で判断するしか方法がなかった。すなわち、
観察像上で、チャージアップの発生している領域は、例
えば、輝度が高くなるが、輝度が高い領域が本当に絶縁
物領域かどうかは、熟練者でなければ明確に判断するこ
とができない場合が多い。
縁物か導電性物質であるかは、オージェ電子を用いた方
式を除いては、絶縁性物質におけるチャージアップの不
確かな情報で判断するしか方法がなかった。すなわち、
観察像上で、チャージアップの発生している領域は、例
えば、輝度が高くなるが、輝度が高い領域が本当に絶縁
物領域かどうかは、熟練者でなければ明確に判断するこ
とができない場合が多い。
【０００８】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、試料表面の絶縁性部分と導電性部
分とを明確に区別して観察することができる走査電子顕
微鏡を実現するにある。
もので、その目的は、試料表面の絶縁性部分と導電性部
分とを明確に区別して観察することができる走査電子顕
微鏡を実現するにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づく走査
電子顕微鏡は、電子ビームを細く絞って試料上に照射す
ると共に、試料上で電子ビームを２次元的に走査し、試
料への荷電粒子ビームの照射によって得られた信号を検
出し、検出信号に基づいて試料の走査像を表示するよう
にした走査電子顕微鏡において、電子ビームの試料上の
走査に同期して試料に周期的に変化する電圧を印加する
ようにしたことを特徴としている。
電子顕微鏡は、電子ビームを細く絞って試料上に照射す
ると共に、試料上で電子ビームを２次元的に走査し、試
料への荷電粒子ビームの照射によって得られた信号を検
出し、検出信号に基づいて試料の走査像を表示するよう
にした走査電子顕微鏡において、電子ビームの試料上の
走査に同期して試料に周期的に変化する電圧を印加する
ようにしたことを特徴としている。
【００１０】第１の発明では、電子ビームの試料上の走
査に同期して試料に周期的に変化する電圧を印加して、
試料表面の導電性領域の像に特有の模様が生じるように
し、試料表面の導電性領域と絶縁性領域との区別を明確
にする。
査に同期して試料に周期的に変化する電圧を印加して、
試料表面の導電性領域の像に特有の模様が生じるように
し、試料表面の導電性領域と絶縁性領域との区別を明確
にする。
【００１１】第２の発明では、第１の発明において、試
料に印加する周期的に変化する電圧を、電子ビームの水
平方向の走査信号に同期させる。第３の発明では、第１
の発明において、試料に印加する周期的に変化する電圧
を、電子ビームの垂直方向の走査信号に同期させる。
料に印加する周期的に変化する電圧を、電子ビームの水
平方向の走査信号に同期させる。第３の発明では、第１
の発明において、試料に印加する周期的に変化する電圧
を、電子ビームの垂直方向の走査信号に同期させる。
【００１２】第４の発明では、第１の発明において、試
料に印加する周期的に変化する電圧を、電子ビームの水
平方向と垂直方向の走査信号に同期させる。
料に印加する周期的に変化する電圧を、電子ビームの水
平方向と垂直方向の走査信号に同期させる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に基づく走
査電子顕微鏡の一例を示している。図中１は電子銃であ
り、電子銃１から発生した電子ビーム２は、コンデンサ
レンズ３、対物レンズ４によって試料５上に細く集束さ
れる。また、試料５に照射される電子ビーム２は、走査
コイル６によって２次元的に走査される。走査コイル６
には走査信号発生器７から走査信号が供給される。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に基づく走
査電子顕微鏡の一例を示している。図中１は電子銃であ
り、電子銃１から発生した電子ビーム２は、コンデンサ
レンズ３、対物レンズ４によって試料５上に細く集束さ
れる。また、試料５に照射される電子ビーム２は、走査
コイル６によって２次元的に走査される。走査コイル６
には走査信号発生器７から走査信号が供給される。
【００１４】試料５への電子ビーム２の照射によって発
生した２次電子は、２次電子検出器８によって検出され
る。検出器８の検出信号は、増幅器９によって増幅され
た後、陰極線管１０に供給される。
生した２次電子は、２次電子検出器８によって検出され
る。検出器８の検出信号は、増幅器９によって増幅され
た後、陰極線管１０に供給される。
【００１５】試料５には、発振器１１から電圧が印加さ
れるように構成されているが、発振器１１からの電圧は
走査信号発生器７からの走査信号によって変調されてい
る。図２に試料５部分の拡大図を示すが、試料５には半
導体基板（シリコンウエハ）１２上に絶縁性の酸化物の
層１３が形成されている。また、半導体基板１２上の一
部には、エッチングによっても取り除けなかった酸化物
の残り１４が存在している。このような構成の動作を次
に説明する。
れるように構成されているが、発振器１１からの電圧は
走査信号発生器７からの走査信号によって変調されてい
る。図２に試料５部分の拡大図を示すが、試料５には半
導体基板（シリコンウエハ）１２上に絶縁性の酸化物の
層１３が形成されている。また、半導体基板１２上の一
部には、エッチングによっても取り除けなかった酸化物
の残り１４が存在している。このような構成の動作を次
に説明する。
【００１６】電子銃１から発生し加速された電子ビーム
２は、コンデンサレンズ３、対物レンズ４によって試料
５に細く集束されると共に、走査コイル６により走査さ
れ、その結果、試料上の電子ビームの所定領域は細く絞
られた電子ビームによって走査される。
２は、コンデンサレンズ３、対物レンズ４によって試料
５に細く集束されると共に、走査コイル６により走査さ
れ、その結果、試料上の電子ビームの所定領域は細く絞
られた電子ビームによって走査される。
【００１７】この電子ビームの走査にともなって発生し
た２次電子は、２次電子検出器８によって検出される。
検出された信号は、走査信号発生器７からの走査信号に
同期した陰極線管１０に輝度変調信号として供給される
ことから、陰極線管１０には、試料５の走査２次電子像
が表示される。
た２次電子は、２次電子検出器８によって検出される。
検出された信号は、走査信号発生器７からの走査信号に
同期した陰極線管１０に輝度変調信号として供給される
ことから、陰極線管１０には、試料５の走査２次電子像
が表示される。
【００１８】さて、上記した像の取得に際して、試料５
の基板１２には、発振器１１から周期的に変化する電圧
が印加されている。この周期的電圧の印加は、図３に示
すように、例えば、走査信号発生器７からの走査信号の
水平走査信号に同期して行われる。図３において、
（ａ）は水平走査信号、（ｂ）は発振器１１からの電圧
信号である。
の基板１２には、発振器１１から周期的に変化する電圧
が印加されている。この周期的電圧の印加は、図３に示
すように、例えば、走査信号発生器７からの走査信号の
水平走査信号に同期して行われる。図３において、
（ａ）は水平走査信号、（ｂ）は発振器１１からの電圧
信号である。
【００１９】ここで、試料５の基板１２に周期的に変化
する電圧を印加しても、試料５の表面が酸化シリコン等
の絶縁物１３の領域では、その絶縁物１３から発生する
２次電子の強度はほとんど変化しない。
する電圧を印加しても、試料５の表面が酸化シリコン等
の絶縁物１３の領域では、その絶縁物１３から発生する
２次電子の強度はほとんど変化しない。
【００２０】一方、試料表面が導電性で、その電位が変
化していると、試料表面がプラスの電位の期間は、その
試料表面からの２次電子の発生は抑えられ、２次電子の
信号量は減少する。逆に、試料表面がマイナスの電位の
期間は、その試料表面からの２次電子の発生は増強さ
れ、２次電子の信号量は増加する。
化していると、試料表面がプラスの電位の期間は、その
試料表面からの２次電子の発生は抑えられ、２次電子の
信号量は減少する。逆に、試料表面がマイナスの電位の
期間は、その試料表面からの２次電子の発生は増強さ
れ、２次電子の信号量は増加する。
【００２１】この結果、試料５に印加する電圧を水平走
査信号に同期させて変調し、試料の各位置において同一
位相で同じ電圧が印加されるように同期させると、試料
表面の導電性物質の部分は、像の輝度の変化が縦縞とし
て現れる。
査信号に同期させて変調し、試料の各位置において同一
位相で同じ電圧が印加されるように同期させると、試料
表面の導電性物質の部分は、像の輝度の変化が縦縞とし
て現れる。
【００２２】すなわち、試料走査領域のＸ方向（水平方
向）の特定位置では、常に電子ビームの走査によってそ
の位置に電子ビームが照射される時にはプラスの電圧が
印加され、また、別のＸ方向の特定位置では、常に電子
ビームの走査によってその位置に電子ビームが照射され
る時にはマイナスの電圧が印加されることになる。
向）の特定位置では、常に電子ビームの走査によってそ
の位置に電子ビームが照射される時にはプラスの電圧が
印加され、また、別のＸ方向の特定位置では、常に電子
ビームの走査によってその位置に電子ビームが照射され
る時にはマイナスの電圧が印加されることになる。
【００２３】図４はこのような電子ビームの走査と試料
への電圧の印加によって得られた走査像の一例を示して
いる。図中帯状の領域Ｓ１はシリコンウエハ上の絶縁物
がエッチングにより帯状に取り除かれ、半導体部分（導
電性部分）が表面に現れている領域である。
への電圧の印加によって得られた走査像の一例を示して
いる。図中帯状の領域Ｓ１はシリコンウエハ上の絶縁物
がエッチングにより帯状に取り除かれ、半導体部分（導
電性部分）が表面に現れている領域である。
【００２４】この領域Ｓ１では、上記したように、Ｘ方
向の特定位置では、常に電子ビームが照射される時には
プラスの電圧が印加され、別のＸ方向の特定位置では、
常に電子ビームが照射される時にはマイナスの電圧が印
加されていることから、像の輝度の変化が縦縞として現
れている。
向の特定位置では、常に電子ビームが照射される時には
プラスの電圧が印加され、別のＸ方向の特定位置では、
常に電子ビームが照射される時にはマイナスの電圧が印
加されていることから、像の輝度の変化が縦縞として現
れている。
【００２５】図中円形の領域Ｓ２も、シリコンウエハ上
の酸化物がエッチングにより取り除かれ、半導体部分が
表面に現れている領域である。この領域では、上記した
ように、Ｘ方向の特定位置では、常に電子ビームが照射
される時にはプラスの電圧が印加され、別のＸ方向の特
定位置では、常に電子ビームが照射される時にはマイナ
スの電圧が印加されていることから、像の輝度の変化が
縦縞として現れている。
の酸化物がエッチングにより取り除かれ、半導体部分が
表面に現れている領域である。この領域では、上記した
ように、Ｘ方向の特定位置では、常に電子ビームが照射
される時にはプラスの電圧が印加され、別のＸ方向の特
定位置では、常に電子ビームが照射される時にはマイナ
スの電圧が印加されていることから、像の輝度の変化が
縦縞として現れている。
【００２６】また、図中円形の領域Ｓ３は、シリコンウ
エハ上の酸化物がエッチングにより完全には取り除かれ
ておらず、酸化物の残渣の存在する領域である。したが
って、表面が絶縁物であるため、縦縞模様が現れること
なく、その領域全面は一定の輝度で表示がなされる。
エハ上の酸化物がエッチングにより完全には取り除かれ
ておらず、酸化物の残渣の存在する領域である。したが
って、表面が絶縁物であるため、縦縞模様が現れること
なく、その領域全面は一定の輝度で表示がなされる。
【００２７】このように、試料表面が導電性の領域は縞
模様で表示され、試料表面が絶縁性の領域は縞模様とな
らないため、陰極線管１０の画面を観察することによ
り、例えば、酸化物の残渣の検査を簡単に明確に行うこ
とができる。
模様で表示され、試料表面が絶縁性の領域は縞模様とな
らないため、陰極線管１０の画面を観察することによ
り、例えば、酸化物の残渣の検査を簡単に明確に行うこ
とができる。
【００２８】上記した実施の形態では、試料５に印加す
る周期的な電圧を水平方向の走査信号に同期して発生さ
せるようにしたが、周期的な電圧を垂直方向の走査信号
に同期して低周波で試料に印加しても良い。この場合、
図５に示すように試料表面が導電性を有している領域Ｓ
１，Ｓ２は横縞模様となる。
る周期的な電圧を水平方向の走査信号に同期して発生さ
せるようにしたが、周期的な電圧を垂直方向の走査信号
に同期して低周波で試料に印加しても良い。この場合、
図５に示すように試料表面が導電性を有している領域Ｓ
１，Ｓ２は横縞模様となる。
【００２９】図６は、試料５に印加する電圧を水平方向
の走査信号と垂直方向の走査信号の両方に同期させた場
合の像を示している。この場合には、導電性の試料表面
領域Ｓ１，Ｓ２では、格子状の模様が得られる。
の走査信号と垂直方向の走査信号の両方に同期させた場
合の像を示している。この場合には、導電性の試料表面
領域Ｓ１，Ｓ２では、格子状の模様が得られる。
【００３０】以上本発明の実施の形態を詳述したが、本
発明はこの形態に限定されない。例えば、２次電子を検
出するようにしたが、反射電子を検出しても良い。ま
た、試料に印加する電圧を正弦波状に変化させたが、パ
ルス状に変化させても良い。パルス状の変化では、より
縞模様が明確となる。
発明はこの形態に限定されない。例えば、２次電子を検
出するようにしたが、反射電子を検出しても良い。ま
た、試料に印加する電圧を正弦波状に変化させたが、パ
ルス状に変化させても良い。パルス状の変化では、より
縞模様が明確となる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく走
査電子顕微鏡おいては、電子ビームの試料上の走査に同
期して試料に周期的に変化する電圧を印加するようにし
たので、試料表面の導電性領域の像に特有の模様を生じ
させることができ、試料表面の導電性領域と絶縁性領域
との区別を明確にすることができる。その結果、例え
ば、半導体試料の検査で、コンタクトホール等の部分の
酸化物の残渣の有無の検査を、熟練を要せず効率良く行
うことができる。
査電子顕微鏡おいては、電子ビームの試料上の走査に同
期して試料に周期的に変化する電圧を印加するようにし
たので、試料表面の導電性領域の像に特有の模様を生じ
させることができ、試料表面の導電性領域と絶縁性領域
との区別を明確にすることができる。その結果、例え
ば、半導体試料の検査で、コンタクトホール等の部分の
酸化物の残渣の有無の検査を、熟練を要せず効率良く行
うことができる。
【図１】本発明に基づく走査電子顕微鏡の一例を示す図
である。
である。
【図２】図１における試料の拡大図である。
【図３】電子ビームの水平走査信号と試料に印加する電
圧の周期的変化を示す図である。
圧の周期的変化を示す図である。
【図４】水平走査信号に同期して試料に電圧を印加した
場合の走査像を示す図である。
場合の走査像を示す図である。
【図５】垂直走査信号に同期して試料に電圧を印加した
場合の走査像を示す図である。
場合の走査像を示す図である。
【図６】水平走査信号と垂直走査信号に同期して試料に
電圧を印加した場合の走査像を示す図である。
電圧を印加した場合の走査像を示す図である。
１ 電子銃 ２ 一次電子ビーム ３ コンデンサレンズ ４ 対物レンズ ５ 試料 ６ 走査コイル ７ 走査信号発生器 ８ ２次電子検出器 ９ 増幅器 １０ 陰極線管 １１ 発振器
Claims (4)
- 【請求項１】 電子ビームを細く絞って試料上に照射す
ると共に、試料上で電子ビームを２次元的に走査し、試
料への荷電粒子ビームの照射によって得られた信号を検
出し、検出信号に基づいて試料の走査像を表示するよう
にした走査電子顕微鏡において、電子ビームの試料上の
走査に同期して試料に周期的に変化する電圧を印加する
ようにした走査電子顕微鏡。 - 【請求項２】 試料に印加される周期的に変化する電圧
は、電子ビームの水平方向の走査信号に同期している請
求項１記載の走査電子顕微鏡。 - 【請求項３】 試料に印加される周期的に変化する電圧
は、電子ビームの垂直方向の走査信号に同期している請
求項１記載の走査電子顕微鏡。 - 【請求項４】 試料に印加される周期的に変化する電圧
は、電子ビームの水平方向と垂直方向の走査信号に同期
している請求項１記載の走査電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9271294A JPH11111210A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9271294A JPH11111210A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111210A true JPH11111210A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17498051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9271294A Withdrawn JPH11111210A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111210A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014119350A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-07 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線検出器および荷電粒子線装置ならびに荷電粒子線検出器 |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP9271294A patent/JPH11111210A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014119350A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-07 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線検出器および荷電粒子線装置ならびに荷電粒子線検出器 |
| CN104956461A (zh) * | 2013-01-31 | 2015-09-30 | 株式会社日立高新技术 | 复合带电粒子束检测器、带电粒子束装置以及带电粒子束检测器 |
| US9761409B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-09-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Composite charged particle detector, charged particle beam device, and charged particle detector |
| US10128081B2 (en) | 2013-01-31 | 2018-11-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Composite charged particle beam detector, charged particle beam device, and charged particle beam detector |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |