JP2989576B2 - 電子線装置およびその観察方法 - Google Patents
電子線装置およびその観察方法Info
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- JP2989576B2 JP2989576B2 JP10074964A JP7496498A JP2989576B2 JP 2989576 B2 JP2989576 B2 JP 2989576B2 JP 10074964 A JP10074964 A JP 10074964A JP 7496498 A JP7496498 A JP 7496498A JP 2989576 B2 JP2989576 B2 JP 2989576B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査型の電子線装置
およびその観察方法に係り、特に、高アスペクト比のト
レンチやコンタクトホール等の凹部の底から発生する２
次電子を効率良く検出するのに好適な電子線装置および
その観察方法に関するものである。
およびその観察方法に係り、特に、高アスペクト比のト
レンチやコンタクトホール等の凹部の底から発生する２
次電子を効率良く検出するのに好適な電子線装置および
その観察方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体集積回路技術の進歩に伴っ
て、回路素子が３次元方向に形成されるようになってお
り、例えば、試料表面にはコンタクトホール、容量性キ
ャパシタや素子間分離のための深い孔や溝（以下、コン
タクトホールで代表する）が形成されるようになってき
ている。
て、回路素子が３次元方向に形成されるようになってお
り、例えば、試料表面にはコンタクトホール、容量性キ
ャパシタや素子間分離のための深い孔や溝（以下、コン
タクトホールで代表する）が形成されるようになってき
ている。
【０００３】ところが、このようなコンタクトホール内
に電子線を照射してその底部を観察しようとすると、コ
ンタクトホールの底部から放出された２次電子の大部分
はコンタクトホールの側壁に衝突して捕捉されてしま
う。したがって、２次電子がコンタクトホールから脱出
することができず、２次電子検出器まで到達できないの
で、コンタクトホールの底部を観察することができない
という問題があった。
に電子線を照射してその底部を観察しようとすると、コ
ンタクトホールの底部から放出された２次電子の大部分
はコンタクトホールの側壁に衝突して捕捉されてしま
う。したがって、２次電子がコンタクトホールから脱出
することができず、２次電子検出器まで到達できないの
で、コンタクトホールの底部を観察することができない
という問題があった。
【０００４】このような問題点を解決するために、例え
ば特開昭６２−９７２４６号公報では、２次電子をコン
タクトホールから引き出すための電極を対物レンズと試
料表面との間に設ける技術が提案されている。
ば特開昭６２−９７２４６号公報では、２次電子をコン
タクトホールから引き出すための電極を対物レンズと試
料表面との間に設ける技術が提案されている。
【０００５】また、特開昭６３−２７４０４９号公報で
は、対物レンズの磁極内に設けた円筒形状の電極に正の
電圧を印加して２次電子を対物レンズの電子源側に導く
技術が提案されている。
は、対物レンズの磁極内に設けた円筒形状の電極に正の
電圧を印加して２次電子を対物レンズの電子源側に導く
技術が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】コンタクトホールの底
部から放出された２次電子をコンタクトホールの外へ引
き出すためには、特にコンタクトホール開口部近傍の試
料表面が正に帯電していることが望ましい。これは、試
料表面が負に帯電（以下、チャージアップと表現する場
合もある）していると、２次電子の上昇が試料表面の負
の電荷によって妨げられ、２次電子がコンタクトホール
から脱出できなくなるためである。
部から放出された２次電子をコンタクトホールの外へ引
き出すためには、特にコンタクトホール開口部近傍の試
料表面が正に帯電していることが望ましい。これは、試
料表面が負に帯電（以下、チャージアップと表現する場
合もある）していると、２次電子の上昇が試料表面の負
の電荷によって妨げられ、２次電子がコンタクトホール
から脱出できなくなるためである。
【０００７】このような試料表面のチャージアップ現象
は、コンタクトホール開口部近傍の試料表面に電子線が
照射され、これにより発生した反射電子や二次電子の一
部が引き上げられること無く試料表面にとどまったり、
あるいはコンタクトホール底部から引き上げられた２次
電子の一部が試料表面の正の電荷に引き寄せられて試料
表面にとどまることによって生じるものと考えられる。
は、コンタクトホール開口部近傍の試料表面に電子線が
照射され、これにより発生した反射電子や二次電子の一
部が引き上げられること無く試料表面にとどまったり、
あるいはコンタクトホール底部から引き上げられた２次
電子の一部が試料表面の正の電荷に引き寄せられて試料
表面にとどまることによって生じるものと考えられる。
【０００８】本発明の目的は、上記した従来技術の問題
点を解決して、２次電子を効率良く検出できる状態を予
め認識し、最適な状態で観察を行えるようにした電子線
装置およびその観察方法を提供することにある。
点を解決して、２次電子を効率良く検出できる状態を予
め認識し、最適な状態で観察を行えるようにした電子線
装置およびその観察方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明では以下のような手段を講じた点に特徴
がある。 (1) 所望の観察領域を含む広い範囲で電子線スポットを
走査し、その時に得られる観察像の前記所望の観察領域
部分が周辺に比べて暗いときに、前記所望の観察領域表
面が正に帯電されていると判断するようにした。このよ
うな構成によれば、所望の観察領域表面の帯電状態を容
易に認識することができる。 (2) 所望の観察領域を含む広い範囲で電子線スポットを
走査し、その時に得られる観察像の前記所望の観察領域
部分が周辺に比べて暗いときに、前記所望の観察領域を
観察するようにした。このような構成によれば、所望の
観察領域表面が好ましい帯電状態にあるときに観察を行
えるようになる。
ために、本発明では以下のような手段を講じた点に特徴
がある。 (1) 所望の観察領域を含む広い範囲で電子線スポットを
走査し、その時に得られる観察像の前記所望の観察領域
部分が周辺に比べて暗いときに、前記所望の観察領域表
面が正に帯電されていると判断するようにした。このよ
うな構成によれば、所望の観察領域表面の帯電状態を容
易に認識することができる。 (2) 所望の観察領域を含む広い範囲で電子線スポットを
走査し、その時に得られる観察像の前記所望の観察領域
部分が周辺に比べて暗いときに、前記所望の観察領域を
観察するようにした。このような構成によれば、所望の
観察領域表面が好ましい帯電状態にあるときに観察を行
えるようになる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の観察方法が適用
される電子線測長装置の対物レンズ２および２次電子検
出器３０近傍の断面図である。
される電子線測長装置の対物レンズ２および２次電子検
出器３０近傍の断面図である。
【００１１】電子線６は対物レンズ２によって試料１２
上で収束される。対物レンズ２は、その漏れ出し磁場が
試料１２の表面で最大磁束密度を示すように、下磁極２
ｂの孔径が上磁極２ａの孔径よりも大きい下磁極開放形
となっている。このような対物レンズを用いれば、試料
１２をレンズ間隙の中に設置するインレンズ方式と同様
に短焦点レンズが得られ、球面収差係数や色収差係数が
著しく小さくなり、高分解能を得ることができる。
上で収束される。対物レンズ２は、その漏れ出し磁場が
試料１２の表面で最大磁束密度を示すように、下磁極２
ｂの孔径が上磁極２ａの孔径よりも大きい下磁極開放形
となっている。このような対物レンズを用いれば、試料
１２をレンズ間隙の中に設置するインレンズ方式と同様
に短焦点レンズが得られ、球面収差係数や色収差係数が
著しく小さくなり、高分解能を得ることができる。
【００１２】対物レンズ２の上磁極２ａには、その磁極
開口部の内側を貫通し、試料対向端にフランジ部７ｆを
有すると共に内部に電子線通過口を有する円筒形状の第
１電極７が絶縁膜２０を介して設置されている。
開口部の内側を貫通し、試料対向端にフランジ部７ｆを
有すると共に内部に電子線通過口を有する円筒形状の第
１電極７が絶縁膜２０を介して設置されている。
【００１３】第１電極７の上側開口部には、２次電子１
３を検出器３０側に引き出すためのグリッドメッシュ７
ａが張られている。グリッドメッシュ７ａの中央には、
電子線６の偏向通路を妨げないように開口部が設けられ
ている。この第１電極７は導入端子９を介して直流電源
１０に接続されている。
３を検出器３０側に引き出すためのグリッドメッシュ７
ａが張られている。グリッドメッシュ７ａの中央には、
電子線６の偏向通路を妨げないように開口部が設けられ
ている。この第１電極７は導入端子９を介して直流電源
１０に接続されている。
【００１４】第１電極７の上部には、リング状の第２電
極８が設置されており、第１電極７の場合と同様、その
下側開口部には、中央に開口部を有するグリッドメッシ
ュ８ａが張られている。この第２電極８は、導入端子９
を介して直流電源１１に接続されている。
極８が設置されており、第１電極７の場合と同様、その
下側開口部には、中央に開口部を有するグリッドメッシ
ュ８ａが張られている。この第２電極８は、導入端子９
を介して直流電源１１に接続されている。
【００１５】第２電極８の上部すなわち対物レンズ２の
電子源側には、アース電極３、シンチレータ４、および
ライトガイド５により構成された２次電子検出器３０が
設置されている。シンチレータ４には＋１０ｋＶの高電
圧が印加され、２次電子が加速されるようにしている。
電子源側には、アース電極３、シンチレータ４、および
ライトガイド５により構成された２次電子検出器３０が
設置されている。シンチレータ４には＋１０ｋＶの高電
圧が印加され、２次電子が加速されるようにしている。
【００１６】図２は、対物レンズ２および第１、第２電
極７、８の相互作用により、２次電子が対物レンズ２の
磁極開口部を通過して電子源側（検出器３０側）へ引き
出される様子を模式的に表した図であり、前記と同一の
符号は同一または同等部分を表している。
極７、８の相互作用により、２次電子が対物レンズ２の
磁極開口部を通過して電子源側（検出器３０側）へ引き
出される様子を模式的に表した図であり、前記と同一の
符号は同一または同等部分を表している。
【００１７】対物レンズ２は、上記したように、その漏
れ出し磁場が試料の表面１２ａで最大磁束密度を示すよ
うに下磁極開放形となっているので、観察領域近傍に
は、図中点線で示したような磁界Ｂが発生し、この磁界
Ｂにより、試料面１２ａ付近を中心線とするレンズ作用
が生じる。
れ出し磁場が試料の表面１２ａで最大磁束密度を示すよ
うに下磁極開放形となっているので、観察領域近傍に
は、図中点線で示したような磁界Ｂが発生し、この磁界
Ｂにより、試料面１２ａ付近を中心線とするレンズ作用
が生じる。
【００１８】このような構成において、試料１２に電子
線が照射され、コンタクトホール５０の開口部近傍の試
料表面から放出された２次電子は、第１電極７による電
界によって上方へ引き上げられる。このとき、２次電子
は対物レンズ２によるレンズ作用によって中心軸Ｘ上に
収束されるので、この２次電子は第１電極７に引き込ま
れることなく上方へ引き上げられる。さらに、この２次
電子は第１および第２電極７、８による電界によって対
物レンズの電子源側へ導かれる。
線が照射され、コンタクトホール５０の開口部近傍の試
料表面から放出された２次電子は、第１電極７による電
界によって上方へ引き上げられる。このとき、２次電子
は対物レンズ２によるレンズ作用によって中心軸Ｘ上に
収束されるので、この２次電子は第１電極７に引き込ま
れることなく上方へ引き上げられる。さらに、この２次
電子は第１および第２電極７、８による電界によって対
物レンズの電子源側へ導かれる。
【００１９】一方、コンタクトホール５０の底部５０ａ
から放出された２次電子１３は、第１電極７による電界
に引き上げられてコンタクトホール５０を脱出する。コ
ンタクトホール外に脱出した２次電子１３は、対物レン
ズ２によるレンズ作用によって中心軸Ｘ上に収束される
ので、試料表面の正電荷に引き寄せられることなく、上
方へ引き上げられる。
から放出された２次電子１３は、第１電極７による電界
に引き上げられてコンタクトホール５０を脱出する。コ
ンタクトホール外に脱出した２次電子１３は、対物レン
ズ２によるレンズ作用によって中心軸Ｘ上に収束される
ので、試料表面の正電荷に引き寄せられることなく、上
方へ引き上げられる。
【００２０】この結果、試料１２から放出された２次電
子１３は、第１電極７の電子線通過口、グリッドメッシ
ュ７ａの開口部等を経て対物レンズ２の電子源側へ引き
上げられ、検出器３０に検出されるようになる。
子１３は、第１電極７の電子線通過口、グリッドメッシ
ュ７ａの開口部等を経て対物レンズ２の電子源側へ引き
上げられ、検出器３０に検出されるようになる。
【００２１】上記した構成によれば、コンタクトホール
５０の開口部近傍から放出された２次電子、あるいはコ
ンタクトホールの底部５０ａから発生してコンタクトホ
ール外へ脱出した２次電子は、対物レンズが試料面に発
生する収束磁界により中心軸上へ収束されるので、第１
電極７に引き込まれたり試料表面の正電荷に捕らえられ
てしまうことなく、対物レンズの電子源側に導かれる。
したがって、検出器３０では、２次電子を効率良く検出
することが可能になる。
５０の開口部近傍から放出された２次電子、あるいはコ
ンタクトホールの底部５０ａから発生してコンタクトホ
ール外へ脱出した２次電子は、対物レンズが試料面に発
生する収束磁界により中心軸上へ収束されるので、第１
電極７に引き込まれたり試料表面の正電荷に捕らえられ
てしまうことなく、対物レンズの電子源側に導かれる。
したがって、検出器３０では、２次電子を効率良く検出
することが可能になる。
【００２２】さらに、２次電子が効率良く引き上げられ
ると試料表面のチャージアップが防止されるので、特
に、コンタクトホール５０の底部５０ａから放出される
２次電子１３を効率良く引き上げられるようになってコ
ンタクトホール底部の高分解能観察が可能になる。
ると試料表面のチャージアップが防止されるので、特
に、コンタクトホール５０の底部５０ａから放出される
２次電子１３を効率良く引き上げられるようになってコ
ンタクトホール底部の高分解能観察が可能になる。
【００２３】図３(a) は、上記した電子線測長装置が測
定対象としている試料の断面図である。シリコン基板１
２−１の主表面には二酸化シリコン膜１２−２が形成さ
れ、その上にはレジスト膜１２−３が積層されている。
レジスト膜１２−３を塗付し、光または電子線で露光し
て現像すると、レジスト部に露光パターンが形成され
る。さらに、エッチング処理を施すと二酸化シリコン膜
１２−２の不要部分がエッチングされ、シリコン基板１
２−１まで達するホール２０が形成される。同図(b) は
(a) のレジスト膜１２−３を除去した状態を示してい
る。
定対象としている試料の断面図である。シリコン基板１
２−１の主表面には二酸化シリコン膜１２−２が形成さ
れ、その上にはレジスト膜１２−３が積層されている。
レジスト膜１２−３を塗付し、光または電子線で露光し
て現像すると、レジスト部に露光パターンが形成され
る。さらに、エッチング処理を施すと二酸化シリコン膜
１２−２の不要部分がエッチングされ、シリコン基板１
２−１まで達するホール２０が形成される。同図(b) は
(a) のレジスト膜１２−３を除去した状態を示してい
る。
【００２４】図４は、上記した電子線測長装置が測定対
象としている他の試料の断面図であり、前記と同一の符
号は同一または同等部分を表している。図４の断面図
は、シリコン基板上にシリコン酸化膜１２−２を形成
し、その上にアルミニウム薄膜１２−４を蒸着して導体
膜を作り、その上にレジスト材１２−３を塗付して露光
し、シリコン酸化膜１２−２まで達するコンタクトホー
ルが形成された状態を示している。
象としている他の試料の断面図であり、前記と同一の符
号は同一または同等部分を表している。図４の断面図
は、シリコン基板上にシリコン酸化膜１２−２を形成
し、その上にアルミニウム薄膜１２−４を蒸着して導体
膜を作り、その上にレジスト材１２−３を塗付して露光
し、シリコン酸化膜１２−２まで達するコンタクトホー
ルが形成された状態を示している。
【００２５】このような導体および絶縁体による層構造
の試料に電子線６が照射されると、コンタクトホールの
底部から２次電子１３が発生する。この時、試料１２の
表面からも２次電子が発生するが、電子線６の入射電子
数より放出される２次電子の方が多い場合には試料表面
が正に帯電する。発明者等の実験結果によれば、試料表
面を正に帯電させる条件は、加速電圧を１ｋＶ以下とし
て電子線量を１０-11Ａ以下にすることである。
の試料に電子線６が照射されると、コンタクトホールの
底部から２次電子１３が発生する。この時、試料１２の
表面からも２次電子が発生するが、電子線６の入射電子
数より放出される２次電子の方が多い場合には試料表面
が正に帯電する。発明者等の実験結果によれば、試料表
面を正に帯電させる条件は、加速電圧を１ｋＶ以下とし
て電子線量を１０-11Ａ以下にすることである。
【００２６】なお、加速電圧を１ｋＶ以上にして、レジ
スト膜１２−３の表面を負に帯電させると、底５０ａか
らの２次電子はこの表面の負の電位に妨げられて脱出で
きず、全く検出できなくなることが実験的に確認されて
いる。
スト膜１２−３の表面を負に帯電させると、底５０ａか
らの２次電子はこの表面の負の電位に妨げられて脱出で
きず、全く検出できなくなることが実験的に確認されて
いる。
【００２７】上記した観察方法によれば、レジスト膜１
２−３あるいは二酸化シリコン膜１２−２の表面の帯電
状態を正に保つことができるので、コンタクトホール底
部から発生した２次電子１３を効率良く外部へ脱出させ
ることができる。
２−３あるいは二酸化シリコン膜１２−２の表面の帯電
状態を正に保つことができるので、コンタクトホール底
部から発生した２次電子１３を効率良く外部へ脱出させ
ることができる。
【００２８】なお、本実施形態では所望の観察領域を例
えば５万倍程度に拡大して観察した後、例えば５０００
倍程度に倍率を下げて、当該所望の観察領域を含む広い
領域を観察する。このとき、先に５万倍で観察した領域
が、その周辺よりも全体に暗くなっていれば、試料の表
面が正に帯電していると判断する。その理由は、試料表
面が正に帯電していると、試料表面から放出された２次
電子の多くが正の電位に引っぱられ、２次電子の検出量
が低下するためである。
えば５万倍程度に拡大して観察した後、例えば５０００
倍程度に倍率を下げて、当該所望の観察領域を含む広い
領域を観察する。このとき、先に５万倍で観察した領域
が、その周辺よりも全体に暗くなっていれば、試料の表
面が正に帯電していると判断する。その理由は、試料表
面が正に帯電していると、試料表面から放出された２次
電子の多くが正の電位に引っぱられ、２次電子の検出量
が低下するためである。
【００２９】所望の観察領域が、その周辺よりも暗くな
っているか否かは、オペレータがＣＲＴを参照して判断
したり、あるいは２次電子検出器３０による検出信号に
基づいて判断すれば良い。また、２次電子検出器３０に
よる検出信号に基づいて判断するのであれば、試料表面
が正に帯電しているか否かを、表示あるいは音等の適宜
の手段によりオペレータに告知するようにしても良い。
っているか否かは、オペレータがＣＲＴを参照して判断
したり、あるいは２次電子検出器３０による検出信号に
基づいて判断すれば良い。また、２次電子検出器３０に
よる検出信号に基づいて判断するのであれば、試料表面
が正に帯電しているか否かを、表示あるいは音等の適宜
の手段によりオペレータに告知するようにしても良い。
【００３０】このようにして所望の観察領域が正に帯電
していることが確認されたならば、再び倍率を５万倍に
戻して観察を行う。また、負に帯電していることが確認
されれば、適宜の手段を講じて観察領域を正に帯電さ
せ、その後、観察を行うようにすれば良い。
していることが確認されたならば、再び倍率を５万倍に
戻して観察を行う。また、負に帯電していることが確認
されれば、適宜の手段を講じて観察領域を正に帯電さ
せ、その後、観察を行うようにすれば良い。
【００３１】なお、第１電極７に印加される電圧は、電
子線６の加速電圧によっても異なるが５０Ｖ以上が効果
的であり、３００Ｖ〜３５０Ｖでは差異がなくなること
が実験により確認された。
子線６の加速電圧によっても異なるが５０Ｖ以上が効果
的であり、３００Ｖ〜３５０Ｖでは差異がなくなること
が実験により確認された。
【００３２】第２電極８には、アース電位から＋５０Ｖ
までの範囲の電圧を印加することにより、２次電子検出
効率を低下させることなく、コンタクトホールの底部５
０ａから２次電子信号を検出することができた。
までの範囲の電圧を印加することにより、２次電子検出
効率を低下させることなく、コンタクトホールの底部５
０ａから２次電子信号を検出することができた。
【００３３】実際には、各種の試料でも第２電極８への
印加電圧を３０Ｖ程度に固定して使用しても良い。ま
た、第２電極８に負の電圧を印加すると、２次電子信号
が全体的に減ってしまうがエネルギの高い２次電子や反
射電子のみが検出されるので、孔底あるいは深溝で反射
されてくる比較的高エネルギの信号が検出される。した
がって、底からの信号が相対的に大きくなり、底を観察
するのに良好な画像を得ることもできる。
印加電圧を３０Ｖ程度に固定して使用しても良い。ま
た、第２電極８に負の電圧を印加すると、２次電子信号
が全体的に減ってしまうがエネルギの高い２次電子や反
射電子のみが検出されるので、孔底あるいは深溝で反射
されてくる比較的高エネルギの信号が検出される。した
がって、底からの信号が相対的に大きくなり、底を観察
するのに良好な画像を得ることもできる。
【００３４】なお、良好が画像は電子線を１０フレーム
／秒以上の高速走査することにより得られ、１フレーム
／秒のような低速走査では、単位面積当たりの電子線照
射量が増えて実質的に電子線量が増えたことになるの
で、試料表面に負の帯電が生じ、孔の底を観察すること
ができなかった。
／秒以上の高速走査することにより得られ、１フレーム
／秒のような低速走査では、単位面積当たりの電子線照
射量が増えて実質的に電子線量が増えたことになるの
で、試料表面に負の帯電が生じ、孔の底を観察すること
ができなかった。
【００３５】この事実は、高速走査によって電子線走査
領域での試料表面の帯電状態が一様に正に保たれること
によると考えられ、コンタクトホール内の観察には高速
走査が必要であることが実験により確認された。実際の
装置では、テレビ周波数での走査として３０フレーム／
秒を選択すれば、電源周波数と同期した走査ができ、ま
た経済的である。
領域での試料表面の帯電状態が一様に正に保たれること
によると考えられ、コンタクトホール内の観察には高速
走査が必要であることが実験により確認された。実際の
装置では、テレビ周波数での走査として３０フレーム／
秒を選択すれば、電源周波数と同期した走査ができ、ま
た経済的である。
【００３６】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によれ
ば、２次電子を効率良く検出できる状態を予め認識し、
最適な状態で観察を行えるようにしたので、半導体製造
プロセスにおけるコンタクトホールの底や深溝の底部か
ら発生した２次電子信号を良好に検出することが可能と
なり、半導体プロセスの加工の良否判定に十分で良好な
画像が得られるようになる。
ば、２次電子を効率良く検出できる状態を予め認識し、
最適な状態で観察を行えるようにしたので、半導体製造
プロセスにおけるコンタクトホールの底や深溝の底部か
ら発生した２次電子信号を良好に検出することが可能と
なり、半導体プロセスの加工の良否判定に十分で良好な
画像が得られるようになる。
【図１】 電子線測長装置の部分断面図である。
【図２】 図１の構成による２次電子の動きを模式的に
表した図である。
表した図である。
【図３】 試料の構造の一例を示した断面図である。
【図４】 試料の構造の他の一例を示した断面図であ
る。
る。
２…対物レンズ、６…入射電子線、７…第１電極、８…
第２電極、９…導入端子、１０、１１…直流電源、１２
…試料、１３…２次電子、３０…２次電子検出器、５０
…コンタクトホール
第２電極、９…導入端子、１０、１１…直流電源、１２
…試料、１３…２次電子、３０…２次電子検出器、５０
…コンタクトホール
フロントページの続き (72)発明者 岩本 寛 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式 会社 日立製作所那珂工場内 (72)発明者 戸所 秀男 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式 会社 日立製作所那珂工場内 (72)発明者 菰田 孜 茨城県ひたちなか市堀口字長久保832番 地２ 日立計測エンジニアリング株式会 社内 (56)参考文献 特開 平１−151147（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−209647（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 37/22 H01J 37/244 H01J 37/28
Claims (3)
- 【請求項１】 所望の観察領域を含む広い範囲で電子線
スポットを走査し、その時に得られる観察像の前記所望
の観察領域部分が周辺に比べて暗いときに、前記所望の
観察領域表面が正に帯電されていると判断することを特
徴とする電子線装置の観察方法。 - 【請求項２】 所望の観察領域を含む広い範囲で電子線
スポットを走査し、その時に得られる観察像の前記所望
の観察領域部分が周辺に比べて暗いときに、前記所望の
観察領域を観察するようにしたことを特徴とする電子線
装置の観察方法。 - 【請求項３】 所望の観察領域を含む広い範囲で電子線
スポットを走査し、その際に得られる観察像の前記所望
の観察領域部分が周辺に比べて暗い場合、前記所望の観
察領域が帯電している旨を表示する手段を備えたことを
特徴とする電子線装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10074964A JP2989576B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 電子線装置およびその観察方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10074964A JP2989576B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 電子線装置およびその観察方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3335981A Division JP2911281B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 電子線装置およびその観察方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11112515A Division JP3110727B2 (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | 電子線装置の観察方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233185A JPH10233185A (ja) | 1998-09-02 |
| JP2989576B2 true JP2989576B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=13562507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10074964A Expired - Fee Related JP2989576B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 電子線装置およびその観察方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2989576B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6630667B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-10-07 | Nptest, Llc | Compact, high collection efficiency scintillator for secondary electron detection |
-
1998
- 1998-03-09 JP JP10074964A patent/JP2989576B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10233185A (ja) | 1998-09-02 |
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