JP2008262882A - 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法 - Google Patents
荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008262882A JP2008262882A JP2007106654A JP2007106654A JP2008262882A JP 2008262882 A JP2008262882 A JP 2008262882A JP 2007106654 A JP2007106654 A JP 2007106654A JP 2007106654 A JP2007106654 A JP 2007106654A JP 2008262882 A JP2008262882 A JP 2008262882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- scanning
- image
- electron
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】 電子線走査の振り戻し変更時、一次電子線のランディングエネルギーを変えることで、帯電の影響を除去または抑制する。
【選択図】図2
Description
画像処理部33では、ウェハ3内で場所の異なる同一パターンの画像を比較し、欠陥部を抽出する。そして、抽出した欠陥の座標データと、欠陥部の画像を検査結果として記憶する。この検査結果は随時、画像表示部34にてウェハ3内の欠陥分布、及び欠陥画像としてユーザが確認することができる。ここに示した半導体パターン検査装置では、常に最適な検査が行われるよう検査システム制御部90が、検査するウェハのパターン及びプロセスの情報、検査条件、検査領域、欠陥検出の閾値等を記憶し、装置全体を一括に管理及び制御する。また、検査システム制御部90が電子ビームのXY走査を制御する偏向制御部53とリターディング電源42を連動して制御することで、図2に示す電子ビーム走査を実現する。
30:画像形成部、31:ADコンバータ部、32:光ファイバ、33:画像処理部、34:画像表示部、
40:ステージ制御部、42:リターディング電源、43:ステージ駆動部、44:ステージコントローラ、
50:SEM制御部、51:SEM用電子銃電源、52:レンズ制御部、53:偏向制御部、
60:帯電制御システム部、61:帯電制御装置、62:制御電極電源、
70:試料準備室、71:バルブ、
80:真空排気システム部、
90:検査システム制御部、91:測長システム制御部
201:観察領域、202:像取得走査、203:帯電除去走査
600:コンタクトホール、601:パターン形状(上面図)、602:二次電子像(正常)、603:二次電子像(異常)。
Claims (4)
- 電子ビームを走査して、試料から放出される二次電子信号から、二次電子像を取得する走査型電子顕微鏡において、
観察用のリターディング電圧を設定し、1回だけ試料上を電子ビームで走査した後、電子ビームを振り戻す際に、観察用のリターディング電圧とは異なるリターディング電圧を設定し、試料上を電子ビームで走査することを繰り返して、二次電子像を取得することを特徴とする走査型電子顕微鏡。 - 電子ビームを走査して、試料から放出される二次電子信号から、二次電子像を取得する二次電子像取得方法において、
観察用のリターディング電圧を設定し、試料上を電子ビームで1ライン走査し、
当該電子ビームを前記1ライン走査の開始位置に戻す際に、前記リターディング電圧を試料の帯電を除去するような電圧に再設定し、
前記1ライン走査と、リターディング電圧の再設定を繰り返すことにより、観察により生じた帯電を除去しつつ、前記二次電子像を取得することを特徴とする二次電子像取得方法。 - 請求項2に記載の二次電子像取得方法において、
前記リターディング電圧を試料の材質に応じて変化させることを特徴とする二次電子像取得方法。 - 請求項1に記載の走査型電子顕微鏡において、
観察用のリターディング電圧と電子ビームを振り戻す際のリターディング電圧の差が、3kV以内であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007106654A JP2008262882A (ja) | 2007-04-16 | 2007-04-16 | 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007106654A JP2008262882A (ja) | 2007-04-16 | 2007-04-16 | 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008262882A true JP2008262882A (ja) | 2008-10-30 |
Family
ID=39985182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007106654A Pending JP2008262882A (ja) | 2007-04-16 | 2007-04-16 | 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008262882A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100258722A1 (en) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | Wei Fang | Charged particle beam imaging assembly and imaging method thereof |
JP2011003480A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Hitachi High-Technologies Corp | Sem式外観検査装置およびその画像信号処理方法 |
WO2013038961A1 (ja) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
US11011348B2 (en) | 2017-01-17 | 2021-05-18 | Hitachi High-Tech Corporation | Scanning electron microscope and sample observation method using scanning electron microscope |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4895767A (ja) * | 1972-03-17 | 1973-12-07 | ||
JP2002524827A (ja) * | 1998-09-03 | 2002-08-06 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 走査型電子ビーム顕微鏡 |
JP2003142019A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-16 | Applied Materials Inc | 基板検査方法及び基板検査装置 |
JP2006114426A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料観察方法及び電子顕微鏡 |
-
2007
- 2007-04-16 JP JP2007106654A patent/JP2008262882A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4895767A (ja) * | 1972-03-17 | 1973-12-07 | ||
JP2002524827A (ja) * | 1998-09-03 | 2002-08-06 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 走査型電子ビーム顕微鏡 |
JP2003142019A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-16 | Applied Materials Inc | 基板検査方法及び基板検査装置 |
JP2006114426A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料観察方法及び電子顕微鏡 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100258722A1 (en) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | Wei Fang | Charged particle beam imaging assembly and imaging method thereof |
US8884224B2 (en) * | 2009-04-08 | 2014-11-11 | Hermes Microvision, Inc. | Charged particle beam imaging assembly and imaging method thereof |
JP2011003480A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Hitachi High-Technologies Corp | Sem式外観検査装置およびその画像信号処理方法 |
WO2013038961A1 (ja) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
US11011348B2 (en) | 2017-01-17 | 2021-05-18 | Hitachi High-Tech Corporation | Scanning electron microscope and sample observation method using scanning electron microscope |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5241168B2 (ja) | 電子顕微鏡 | |
JP2003202217A (ja) | パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置 | |
JP2008215969A (ja) | 荷電粒子線応用装置 | |
JP2000357483A (ja) | 荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置並びに荷電粒子線装置 | |
JP4504946B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JPH1151886A (ja) | 電子ビームを用いた検査方法及び検査装置 | |
JP2005292157A (ja) | ウェハ欠陥検査方法及びウェハ欠陥検査装置 | |
JP3984870B2 (ja) | ウェハ欠陥検査方法及びウェハ欠陥検査装置 | |
JP4528317B2 (ja) | 走査電子顕微鏡を備えた外観検査装置及び走査電子顕微鏡を用いた画像生成方法 | |
US7282711B2 (en) | Multiple electron beam device | |
JP2008262882A (ja) | 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法 | |
JP3611724B2 (ja) | パターン検査装置およびパターン検査方法 | |
JP2000286310A (ja) | パターン欠陥検査方法および検査装置 | |
JP2001148232A (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
JP2004342470A (ja) | 半導体検査装置および半導体査方法 | |
JP3950891B2 (ja) | パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置 | |
JP4658783B2 (ja) | 試料像形成方法 | |
JPH11260306A (ja) | 電子ビーム検査装置およびその方法ならびに荷電粒子線応用装置およびその方法 | |
JP4178003B2 (ja) | 半導体回路パターンの検査装置 | |
JP2000215834A (ja) | 荷電粒子線を用いた検査装置および検査方法 | |
JP7394599B2 (ja) | リターディング電圧を用いた電子線検査装置 | |
JP4702472B2 (ja) | 電子ビームを用いた検査方法及び検査装置 | |
JPH07296759A (ja) | 半導体素子の観察方法及びそれに用いる走査形電子顕微鏡 | |
JP4853581B2 (ja) | 電子ビームを用いた検査方法及び検査装置 | |
JP4400614B2 (ja) | 電子ビームを用いた検査方法及び検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091228 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111011 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120221 |