JPH11100295A - ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜方法、および成膜装置 - Google Patents
ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜方法、および成膜装置Info
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- JPH11100295A JPH11100295A JP26170397A JP26170397A JPH11100295A JP H11100295 A JPH11100295 A JP H11100295A JP 26170397 A JP26170397 A JP 26170397A JP 26170397 A JP26170397 A JP 26170397A JP H11100295 A JPH11100295 A JP H11100295A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のダイヤモンド膜またはＤＬＣ膜の成膜
方法によれば、良質な膜を再現性よく成膜することはで
きなかった。 【解決手段】 グラファイトターゲット３をレーザ光で
照射し、基板７上にダイヤモンド膜またはＤＬＣ膜をレ
ーザアブレーション法により成膜する成膜方法ないし成
膜装置において、レーザ光としては波長１９３ｎｍのＡ
ｒＦエキシマレーザが使用され、上記グラファイトター
ゲット３と上記基板７とは相互に６ｃｍ以上離間してレ
ーザ照射雰囲気中に配置され、レーザ照射雰囲気中に水
素ガスが供給され、そして基板７の温度は、成膜中にお
いて４００℃以上に保たれるようにした。
方法によれば、良質な膜を再現性よく成膜することはで
きなかった。 【解決手段】 グラファイトターゲット３をレーザ光で
照射し、基板７上にダイヤモンド膜またはＤＬＣ膜をレ
ーザアブレーション法により成膜する成膜方法ないし成
膜装置において、レーザ光としては波長１９３ｎｍのＡ
ｒＦエキシマレーザが使用され、上記グラファイトター
ゲット３と上記基板７とは相互に６ｃｍ以上離間してレ
ーザ照射雰囲気中に配置され、レーザ照射雰囲気中に水
素ガスが供給され、そして基板７の温度は、成膜中にお
いて４００℃以上に保たれるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤモンド膜ま
たはダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）膜のレーザアブレー
ション法を用いた成膜方法に関するものである。
たはダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）膜のレーザアブレー
ション法を用いた成膜方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは、硬く、化学的安定性に
優れ、高温での電気的特性の劣化が少なく、かつ熱伝導
度が高いという性質を有するため、コーティング材料、
耐環境デバイスあるいはヒートシンクとしての応用に向
けた研究が盛んに進められてきた。
優れ、高温での電気的特性の劣化が少なく、かつ熱伝導
度が高いという性質を有するため、コーティング材料、
耐環境デバイスあるいはヒートシンクとしての応用に向
けた研究が盛んに進められてきた。
【０００３】さらに、最近になってダイヤモンド膜は、
優れた電子放出特性も有していることが見出され（例え
ば、F.J. Himpsel, et al."Quantum photoyield of dia
mond(III) −A stable negative-affinity emitter" Ph
ys. Rev. B, 20 624 (1979)参照）、この方面において
も、一層盛んに研究が進められている。
優れた電子放出特性も有していることが見出され（例え
ば、F.J. Himpsel, et al."Quantum photoyield of dia
mond(III) −A stable negative-affinity emitter" Ph
ys. Rev. B, 20 624 (1979)参照）、この方面において
も、一層盛んに研究が進められている。
【０００４】また、ダイヤモンド状炭素（以下、ＤＬＣ
という）膜は、ダイヤモンドと類似の性質を有し、しか
も非晶質であるため、結晶質のダイヤモンドよりはるか
に容易に人工的に成膜できることから、天然あるいは人
工のダイヤモンドに劣らぬ注目を集め、その成膜方法や
応用に関する研究が活発に行なわれている。特に、構造
的には非晶質性を保ったまま、その他の性質がダイヤモ
ンドに近くなるようなＤＬＣの成膜法が現在の研究の中
心である。
という）膜は、ダイヤモンドと類似の性質を有し、しか
も非晶質であるため、結晶質のダイヤモンドよりはるか
に容易に人工的に成膜できることから、天然あるいは人
工のダイヤモンドに劣らぬ注目を集め、その成膜方法や
応用に関する研究が活発に行なわれている。特に、構造
的には非晶質性を保ったまま、その他の性質がダイヤモ
ンドに近くなるようなＤＬＣの成膜法が現在の研究の中
心である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、ダイヤモンド膜
やＤＬＣ膜を人工的に成膜するには、化学的気相堆積法
（ＣＶＤ）が中心となっていた。この方法では、およそ
８００℃以上の高温のプロセスが必要とされ、また成膜
速度が遅いという欠点があった。この欠点を克服するた
めにレーザアブレーション法が提案され、近年、ＣＶＤ
法により成膜した膜と同様の性質を有する薄膜が成膜さ
れるようになってきている（例えば、Fulin Xiong et a
l. "Pulsed laser deposition of amorphous diamond-l
ike carbonfilms with ArF (193nm) excimer laser" J.
Mater. Res.８, 2265 (1993) 参照) 。
やＤＬＣ膜を人工的に成膜するには、化学的気相堆積法
（ＣＶＤ）が中心となっていた。この方法では、およそ
８００℃以上の高温のプロセスが必要とされ、また成膜
速度が遅いという欠点があった。この欠点を克服するた
めにレーザアブレーション法が提案され、近年、ＣＶＤ
法により成膜した膜と同様の性質を有する薄膜が成膜さ
れるようになってきている（例えば、Fulin Xiong et a
l. "Pulsed laser deposition of amorphous diamond-l
ike carbonfilms with ArF (193nm) excimer laser" J.
Mater. Res.８, 2265 (1993) 参照) 。
【０００６】しかし、上述したレーザアブレーション法
による従来のダイヤモンド膜ないしＤＬＣ膜の成膜にお
いては、未だ、成膜条件と得られた膜の特性との間の関
係が十分に解明されておらず、その結果、どのようにす
ればレーザアブレーション法による良好な性質を有する
人工のダイヤモンド膜またはＤＬＣ膜が得られるかが分
かっていない。
による従来のダイヤモンド膜ないしＤＬＣ膜の成膜にお
いては、未だ、成膜条件と得られた膜の特性との間の関
係が十分に解明されておらず、その結果、どのようにす
ればレーザアブレーション法による良好な性質を有する
人工のダイヤモンド膜またはＤＬＣ膜が得られるかが分
かっていない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、本発明者らが
レーザアブレーション法によって成膜したダイヤモンド
膜およびＤＬＣ膜について、それら膜の成膜条件と膜特
性との間の関係を突き止め、具体的には、成膜した膜の
ラマン分光測定結果に現れる２つのピーク（Ｄピークと
Ｇピーク）の強さの比が、ダイヤモンドの膜特性を表す
ということを突き止め、その結果に基づいて、良好な特
性を有するダイヤモンド膜およびＤＬＣ膜を成膜できる
よう使用するレーザ光の波長、基板−グラファイトター
ゲット間の距離、成膜時のレーザ照射雰囲気、基板温度
を最適の値に設定したものである。
レーザアブレーション法によって成膜したダイヤモンド
膜およびＤＬＣ膜について、それら膜の成膜条件と膜特
性との間の関係を突き止め、具体的には、成膜した膜の
ラマン分光測定結果に現れる２つのピーク（Ｄピークと
Ｇピーク）の強さの比が、ダイヤモンドの膜特性を表す
ということを突き止め、その結果に基づいて、良好な特
性を有するダイヤモンド膜およびＤＬＣ膜を成膜できる
よう使用するレーザ光の波長、基板−グラファイトター
ゲット間の距離、成膜時のレーザ照射雰囲気、基板温度
を最適の値に設定したものである。
【０００８】すなわち、本発明ダイヤモンド膜またはダ
イヤモンド状炭素膜の成膜方法は、グラファイトターゲ
ットをレーザ光で照射し、基板上にダイヤモンド膜また
はダイヤモンド状炭素膜をレーザアブレーション法によ
り成膜する成膜方法において、前記レーザ光としては、
波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザが使用され、前
記グラファイトターゲットと前記基板とは相互に６ｃｍ
以上離間してレーザ照射雰囲気中に配置され、前記レー
ザ照射雰囲気中には水素ガスが供給され、そして前記基
板の温度は、成膜中において４００℃以上に保たれるこ
とを特徴とするものである。
イヤモンド状炭素膜の成膜方法は、グラファイトターゲ
ットをレーザ光で照射し、基板上にダイヤモンド膜また
はダイヤモンド状炭素膜をレーザアブレーション法によ
り成膜する成膜方法において、前記レーザ光としては、
波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザが使用され、前
記グラファイトターゲットと前記基板とは相互に６ｃｍ
以上離間してレーザ照射雰囲気中に配置され、前記レー
ザ照射雰囲気中には水素ガスが供給され、そして前記基
板の温度は、成膜中において４００℃以上に保たれるこ
とを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明ダイヤモンド膜またはダイヤ
モンド状炭素膜の成膜方法は、前記水素ガスが活性化し
て供給されることを特徴とするものである。
モンド状炭素膜の成膜方法は、前記水素ガスが活性化し
て供給されることを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明ダイヤモンド膜またはダイヤ
モンド状炭素膜の成膜方法は、前記活性化がＥＣＲプラ
ズマにより与えられることを特徴とするものである。
モンド状炭素膜の成膜方法は、前記活性化がＥＣＲプラ
ズマにより与えられることを特徴とするものである。
【００１１】また、本発明ダイヤモンド膜またはダイヤ
モンド状炭素膜の成膜装置は、少なくともレーザ光源
と、内部にグラファイトターゲットと基板が配置され、
窓を通して前記レーザ光源からのレーザ光が前記グラフ
ァイトターゲットを照射するような構成の真空室とを具
え、前記グラファイトターゲットを前記レーザ光で照射
し、前記基板上にダイヤモンド膜またはダイヤモンド状
炭素膜をレーザアブレーション法により成膜する成膜装
置において、前記レーザ光としては、波長１９３ｎｍの
ＡｒＦエキシマレーザが使用され、前記グラファイトタ
ーゲットと前記基板とは相互に６ｃｍ以上離間してレー
ザ照射雰囲気中に配置され、前記レーザ照射雰囲気中に
は水素ガスが供給され、そして前記基板の温度は、成膜
中において４００℃以上に保たれることを特徴とするも
のである。
モンド状炭素膜の成膜装置は、少なくともレーザ光源
と、内部にグラファイトターゲットと基板が配置され、
窓を通して前記レーザ光源からのレーザ光が前記グラフ
ァイトターゲットを照射するような構成の真空室とを具
え、前記グラファイトターゲットを前記レーザ光で照射
し、前記基板上にダイヤモンド膜またはダイヤモンド状
炭素膜をレーザアブレーション法により成膜する成膜装
置において、前記レーザ光としては、波長１９３ｎｍの
ＡｒＦエキシマレーザが使用され、前記グラファイトタ
ーゲットと前記基板とは相互に６ｃｍ以上離間してレー
ザ照射雰囲気中に配置され、前記レーザ照射雰囲気中に
は水素ガスが供給され、そして前記基板の温度は、成膜
中において４００℃以上に保たれることを特徴とするも
のである。
【００１２】また、本発明ダイヤモンド膜またはダイヤ
モンド状炭素膜の成膜装置は、前記水素ガスが活性化し
て供給されることを特徴とするものである。
モンド状炭素膜の成膜装置は、前記水素ガスが活性化し
て供給されることを特徴とするものである。
【００１３】また、本発明ダイヤモンド膜またはダイヤ
モンド状炭素膜の成膜装置は、前記活性化がＥＣＲプラ
ズマにより与えられることを特徴とするものである。
モンド状炭素膜の成膜装置は、前記活性化がＥＣＲプラ
ズマにより与えられることを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照し、発明の
実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。図１は
本発明に適用されるダイヤモンド膜またはＤＬＣ膜の成
膜装置の一実施形態を概念図で示している。図１におい
て、１は、台上に置かれたレーザ光の発生源であり、こ
の発生源１から発生したレーザ光で真空室２中に配置さ
れたグラファイトターゲット３を集光照射するために、
レーザ光は集光レンズ４を介して気密を保持し透明な窓
５から真空室２に導入される。
実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。図１は
本発明に適用されるダイヤモンド膜またはＤＬＣ膜の成
膜装置の一実施形態を概念図で示している。図１におい
て、１は、台上に置かれたレーザ光の発生源であり、こ
の発生源１から発生したレーザ光で真空室２中に配置さ
れたグラファイトターゲット３を集光照射するために、
レーザ光は集光レンズ４を介して気密を保持し透明な窓
５から真空室２に導入される。
【００１５】この成膜装置においては、また、図示のよ
うに真空室２は排気され、かつ水素（Ｈ2 ）ガスが供給
され（水素ガスが供給されることは本発明の一構成要件
を有している）、また、レーザ光の照射によってグラフ
ァイトターゲット３から蒸発したグラファイトが被着す
る、ヒータ６で加熱された基板７が配置されている。
うに真空室２は排気され、かつ水素（Ｈ2 ）ガスが供給
され（水素ガスが供給されることは本発明の一構成要件
を有している）、また、レーザ光の照射によってグラフ
ァイトターゲット３から蒸発したグラファイトが被着す
る、ヒータ６で加熱された基板７が配置されている。
【００１６】なお、本発明においては、レーザ光は波長
１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザであり、相対するグ
ラファイトターゲット３と基板７とは６ｃｍ以上離間し
て配置されている。また、成膜中において、基板７はヒ
ータ６によって加熱され、４００℃以上に保たれている
ことも要件としている。
１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザであり、相対するグ
ラファイトターゲット３と基板７とは６ｃｍ以上離間し
て配置されている。また、成膜中において、基板７はヒ
ータ６によって加熱され、４００℃以上に保たれている
ことも要件としている。
【００１７】本発明者らは、上述した成膜装置を用いて
種々の成膜条件下で成膜実験を行った。以下に、４通り
の実験結果を、それぞれ実施例１から実施例４として説
明し、それから、本発明方法ないし装置が最適のもので
あることを説明する。
種々の成膜条件下で成膜実験を行った。以下に、４通り
の実験結果を、それぞれ実施例１から実施例４として説
明し、それから、本発明方法ないし装置が最適のもので
あることを説明する。
【００１８】実施例１：グラファイトターゲット３を照
射するレーザ光の波長として２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシ
マレーザ）および１９３ｎｍ（ＡｒＦエキシマレーザ）
を用いて成膜した場合にできたＤＬＣ膜のラマンスペク
トルを、それぞれ図２（ａ）および（ｂ）に示す。この
結果から、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを照
射した方（図２（ｂ））が、Ｄピーク（１３５０ｃｍ-1
付近）の強さとＧピーク（１５７０ｃｍ-1付近）の強さ
（単位：arb. units）との比が大きく、よりダイヤモン
ドに近いといえる。
射するレーザ光の波長として２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシ
マレーザ）および１９３ｎｍ（ＡｒＦエキシマレーザ）
を用いて成膜した場合にできたＤＬＣ膜のラマンスペク
トルを、それぞれ図２（ａ）および（ｂ）に示す。この
結果から、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを照
射した方（図２（ｂ））が、Ｄピーク（１３５０ｃｍ-1
付近）の強さとＧピーク（１５７０ｃｍ-1付近）の強さ
（単位：arb. units）との比が大きく、よりダイヤモン
ドに近いといえる。
【００１９】従って、使用するレーザ光の波長は短けれ
ば短いほど好ましいが、一方、波長が短くなると光学素
子および空気での吸収が著しく増大するため、ＡｒＦエ
キシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が実用的なレーザ光の
下限である。
ば短いほど好ましいが、一方、波長が短くなると光学素
子および空気での吸収が著しく増大するため、ＡｒＦエ
キシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が実用的なレーザ光の
下限である。
【００２０】実施例２：グラファイトターゲット３を照
射するレーザ光の波長を１９３ｎｍ（ＡｒＦエキシマレ
ーザ）とし、基板７とグラファイトターゲット３間の距
離ｄを５ｃｍにして成膜したＤＬＣ膜のラマンスペクト
ルと６ｃｍにして成膜したＤＬＣ膜のラマンスペクトル
とを、それぞれドット△および■で図３に示す。この結
果から、距離ｄが大きいほど、Ｄピークの強さとＧピー
クの強さとの比が大きく（△の場合の方が、■の場合よ
り大きい）、よりダイヤモンドに近いといえる。
射するレーザ光の波長を１９３ｎｍ（ＡｒＦエキシマレ
ーザ）とし、基板７とグラファイトターゲット３間の距
離ｄを５ｃｍにして成膜したＤＬＣ膜のラマンスペクト
ルと６ｃｍにして成膜したＤＬＣ膜のラマンスペクトル
とを、それぞれドット△および■で図３に示す。この結
果から、距離ｄが大きいほど、Ｄピークの強さとＧピー
クの強さとの比が大きく（△の場合の方が、■の場合よ
り大きい）、よりダイヤモンドに近いといえる。
【００２１】しかも、距離ｄを６ｃｍとして成膜した場
合のＤＬＣ膜のラマンスペクトルには、ダイヤモンド特
有の１３３２ｃｍ-1のピークが重畳されていて、この条
件で成膜した場合には、ＤＬＣ膜中にダイヤモンドと同
一特性の物質が含まれていることがわかる。このこと
は、ＲＨＥＥＤ（反射型高速電子線回折）測定によって
も確認された。
合のＤＬＣ膜のラマンスペクトルには、ダイヤモンド特
有の１３３２ｃｍ-1のピークが重畳されていて、この条
件で成膜した場合には、ＤＬＣ膜中にダイヤモンドと同
一特性の物質が含まれていることがわかる。このこと
は、ＲＨＥＥＤ（反射型高速電子線回折）測定によって
も確認された。
【００２２】実施例３：成膜時のレーザ照射雰囲気を、
真空（５×１０-7Ｔorr ）、水素ガス（５×１０-3
Ｔorr ）、ＥＣＲプラズマ（マイクロ波パワー５０
Ｗ）で分解した水素ガス（５×１０-3Ｔorr ）としてそ
れぞれ成膜したＤＬＣ膜のラマンスペクトルを、それぞ
れ一点鎖線、実線および破線で図４に示す。との場
合でのスペクトルの違いは小さいが、の場合ではＤピ
ークの強さとＧピークの強さとの比が大きくなってお
り、よりダイヤモンドに近いＤＬＣ膜が成膜されたとい
える。
真空（５×１０-7Ｔorr ）、水素ガス（５×１０-3
Ｔorr ）、ＥＣＲプラズマ（マイクロ波パワー５０
Ｗ）で分解した水素ガス（５×１０-3Ｔorr ）としてそ
れぞれ成膜したＤＬＣ膜のラマンスペクトルを、それぞ
れ一点鎖線、実線および破線で図４に示す。との場
合でのスペクトルの違いは小さいが、の場合ではＤピ
ークの強さとＧピークの強さとの比が大きくなってお
り、よりダイヤモンドに近いＤＬＣ膜が成膜されたとい
える。
【００２３】これは、水素ガスがグラファイト中の炭素
の二重結合を分解してダイヤモンド化を促進し、しかも
それはその効果が分子状の水素よりもプラズマで分解さ
れた水素の方が一層大きいことに基づいている。
の二重結合を分解してダイヤモンド化を促進し、しかも
それはその効果が分子状の水素よりもプラズマで分解さ
れた水素の方が一層大きいことに基づいている。
【００２４】実施例４：上述の実施例１、２、３はとも
に基板６の温度を４００℃にたもって成膜した場合であ
ったが、基板６を加熱せず室温のままで行った場合に
は、基板上にグラファイトの膜は形成されなかった。
に基板６の温度を４００℃にたもって成膜した場合であ
ったが、基板６を加熱せず室温のままで行った場合に
は、基板上にグラファイトの膜は形成されなかった。
【００２５】従って、成膜時の基板温度は高ければ高い
ほど好ましいが、一方では、耐熱性の低い基板を使用し
たいという要望もあることから、４００℃を実用的な下
限とした。
ほど好ましいが、一方では、耐熱性の低い基板を使用し
たいという要望もあることから、４００℃を実用的な下
限とした。
【００２６】
【発明の効果】本発明によるダイヤモンド膜またはＤＬ
Ｃ膜の成膜方法ないし成膜装置によれば、良質なダイヤ
モンド膜またはＤＬＣ膜を容易、かつ再現性よく成膜す
ることができる。また、本発明により成膜したダイヤモ
ンド膜またはＤＣＬ膜は、電子放出素子として用いるこ
とができるほか、さまざまな分野に用いることができ
る。
Ｃ膜の成膜方法ないし成膜装置によれば、良質なダイヤ
モンド膜またはＤＬＣ膜を容易、かつ再現性よく成膜す
ることができる。また、本発明により成膜したダイヤモ
ンド膜またはＤＣＬ膜は、電子放出素子として用いるこ
とができるほか、さまざまな分野に用いることができ
る。
【図１】本発明に適用されるダイヤモンド膜またはＤＬ
Ｃ膜の成膜装置の一実施形態を概念図で示している。
Ｃ膜の成膜装置の一実施形態を概念図で示している。
【図２】(ａ), (ｂ) に、グラファイトターゲットを照
射するレーザ光の波長をそれぞれ２４８ｎｍおよび１９
３ｎｍとして成膜した場合のＤＬＣ膜のラマンスペクト
ルを示している。
射するレーザ光の波長をそれぞれ２４８ｎｍおよび１９
３ｎｍとして成膜した場合のＤＬＣ膜のラマンスペクト
ルを示している。
【図３】ドット△および■により、基板とグラファイト
ターゲット間の距離をそれぞれ５ｃｍおよび６ｃｍとし
て成膜した場合のＤＬＣ膜のラマンスペクトルを示して
いる。
ターゲット間の距離をそれぞれ５ｃｍおよび６ｃｍとし
て成膜した場合のＤＬＣ膜のラマンスペクトルを示して
いる。
【図４】一点鎖線、実線および破線により、成膜時のレ
ーザ照射雰囲気をそれぞれ真空、水素ガス、およびＥＣ
Ｒプラズマで分解した水素ガスとして成膜した場合のＤ
ＬＣ膜のラマンスペクトルを示している。
ーザ照射雰囲気をそれぞれ真空、水素ガス、およびＥＣ
Ｒプラズマで分解した水素ガスとして成膜した場合のＤ
ＬＣ膜のラマンスペクトルを示している。
１ レーザ光の発生源 ２ 真空室 ３ グラファイトターゲット ４ 集光レンズ ５ 透明な窓 ６ ヒータ ７ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大西 弘幸 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 グラファイトターゲットをレーザ光で照
射し、基板上にダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭
素膜をレーザアブレーション法により成膜する成膜方法
において、 前記レーザ光としては、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシ
マレーザが使用され、 前記グラファイトターゲットと前記基板とは相互に６ｃ
ｍ以上離間してレーザ照射雰囲気中に配置され、 前記レーザ照射雰囲気中には水素ガスが供給され、そし
て前記基板の温度は、成膜中において４００℃以上に保
たれることを特徴とするダイヤモンド膜またはダイヤモ
ンド状炭素膜の成膜方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の成膜方法において、前記
水素ガスは活性化して供給されることを特徴とするダイ
ヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の成膜方法において、前記
活性化はＥＣＲプラズマにより与えられることを特徴と
するダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜
方法。 - 【請求項４】 少なくともレーザ光源と、内部にグラフ
ァイトターゲットと基板が配置され、窓を通して前記レ
ーザ光源からのレーザ光が前記グラファイトターゲット
を照射するような構成の真空室とを具え、前記グラファ
イトターゲットを前記レーザ光で照射し、前記基板上に
ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜をレーザア
ブレーション法により成膜する成膜装置において、 前記レーザ光としては、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシ
マレーザが使用され、 前記グラファイトターゲットと前記基板とは相互に６ｃ
ｍ以上離間してレーザ照射雰囲気中に配置され、 前記レーザ照射雰囲気中には水素ガスが供給され、そし
て前記基板の温度は、成膜中において４００℃以上に保
たれることを特徴とするダイヤモンド膜またはダイヤモ
ンド状炭素膜の成膜装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の成膜装置において、前記
水素ガスは活性化して供給されることを特徴とするダイ
ヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜装置。 - 【請求項６】 請求項５記載の成膜装置において、前記
活性化はＥＣＲプラズマにより与えられることを特徴と
するダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26170397A JPH11100295A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜方法、および成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26170397A JPH11100295A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜方法、および成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11100295A true JPH11100295A (ja) | 1999-04-13 |
Family
ID=17365547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26170397A Pending JPH11100295A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜方法、および成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11100295A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004526305A (ja) * | 2001-01-19 | 2004-08-26 | シェブロン ユー．エス．エー． インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクスにおけるダイヤモンドイド含有材料 |
| JP2015081358A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | 三井造船株式会社 | 皮膜形成装置及び皮膜形成方法 |
-
1997
- 1997-09-26 JP JP26170397A patent/JPH11100295A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004526305A (ja) * | 2001-01-19 | 2004-08-26 | シェブロン ユー．エス．エー． インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクスにおけるダイヤモンドイド含有材料 |
| JP2015081358A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | 三井造船株式会社 | 皮膜形成装置及び皮膜形成方法 |
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