JPH1098829A - Ｐｔｃ素子を用いた保護回路及び保護回路用の保護素子 - Google Patents
Ｐｔｃ素子を用いた保護回路及び保護回路用の保護素子Info
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- JPH1098829A JPH1098829A JP25121496A JP25121496A JPH1098829A JP H1098829 A JPH1098829 A JP H1098829A JP 25121496 A JP25121496 A JP 25121496A JP 25121496 A JP25121496 A JP 25121496A JP H1098829 A JPH1098829 A JP H1098829A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＰＴＣ素子を用いた充電器用の保護回路及び保
護素子に係り、特に少なくとも２個のＰＴＣ素子を互に
熱結合状態に密着させて、充電器の出力電圧が異常のと
きにＰＴＣ素子を高速に高抵抗状態に遷移させ、二次電
池の充電電流及び逆流電流を抑制すること。 【解決手段】印加電圧が規定値以上になったときに導電
状態になる電圧応動手段Ｚと、この動作に応じてオン制
御されるスイッチング手段Ｔｒと、このスイッチング手
段Ｔｒに接続されたＰＴＣ素子を具備する充電器の保護
回路において、少なくとも２個のＰＴＣ素子Ｐ1 、Ｐ2
を互に熱結合状態に密着配置する。
護素子に係り、特に少なくとも２個のＰＴＣ素子を互に
熱結合状態に密着させて、充電器の出力電圧が異常のと
きにＰＴＣ素子を高速に高抵抗状態に遷移させ、二次電
池の充電電流及び逆流電流を抑制すること。 【解決手段】印加電圧が規定値以上になったときに導電
状態になる電圧応動手段Ｚと、この動作に応じてオン制
御されるスイッチング手段Ｔｒと、このスイッチング手
段Ｔｒに接続されたＰＴＣ素子を具備する充電器の保護
回路において、少なくとも２個のＰＴＣ素子Ｐ1 、Ｐ2
を互に熱結合状態に密着配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＰＴＣ（Ｐｏｓｉｔ
ｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅ
ｎｔ）素子を用いた保護回路及び保護素子に係り、特に
少なくとも２個のＰＴＣ素子を互いに熱結合状態に密着
させた保護素子及びこれを使用した保護回路に関する。
ｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅ
ｎｔ）素子を用いた保護回路及び保護素子に係り、特に
少なくとも２個のＰＴＣ素子を互いに熱結合状態に密着
させた保護素子及びこれを使用した保護回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＴＣ素子は、図１０（Ａ）に示す如
く；その比抵抗ρの温度係数が正の値を示すのみなら
ず、ある特定温度すなわちキュリー温度に達すると急激
に大きくなり、大きな抵抗値を示すものとなる。ＰＴＣ
素子としては、例えばポリエチレンやポリフッ化ビニリ
デンのような熱可塑性の結晶性ポリマーにカーボンブラ
ックや金属粉末等の導電粒子を加えてこれを混合し、平
板状に成形して、その両側に電極を形成したものが最近
使用される。
く；その比抵抗ρの温度係数が正の値を示すのみなら
ず、ある特定温度すなわちキュリー温度に達すると急激
に大きくなり、大きな抵抗値を示すものとなる。ＰＴＣ
素子としては、例えばポリエチレンやポリフッ化ビニリ
デンのような熱可塑性の結晶性ポリマーにカーボンブラ
ックや金属粉末等の導電粒子を加えてこれを混合し、平
板状に成形して、その両側に電極を形成したものが最近
使用される。
【０００３】このような結晶性ポリマーに導電粒子を加
えたものは、平常状態では導電粒子が接触しており、低
い抵抗値を示す。しかしこれに電流が流れて発熱する
と、結晶性ポリマーの熱膨張率が導電粒子の熱膨張率よ
りも１桁位大きいため、導電粒子間の接触状態が分離さ
れて急激に抵抗値が大きくなる性質を有する。そして図
１０（Ａ）に示す如き抵抗温度特性を示す。
えたものは、平常状態では導電粒子が接触しており、低
い抵抗値を示す。しかしこれに電流が流れて発熱する
と、結晶性ポリマーの熱膨張率が導電粒子の熱膨張率よ
りも１桁位大きいため、導電粒子間の接触状態が分離さ
れて急激に抵抗値が大きくなる性質を有する。そして図
１０（Ａ）に示す如き抵抗温度特性を示す。
【０００４】なおＰＴＣ素子の抵抗Ｒ（Ω）は、図１０
（Ｂ）に示す如く、ＰＴＣ素子の体積固有抵抗をρ（Ω
−ｃｍ）、ＰＴＣ素子の厚さをｔ（ｃｍ）、電極有効面
積をＳ（ｃｍ2 ）としたとき、 Ｒ＝ρ・ｔ／Ｓ で得られる。
（Ｂ）に示す如く、ＰＴＣ素子の体積固有抵抗をρ（Ω
−ｃｍ）、ＰＴＣ素子の厚さをｔ（ｃｍ）、電極有効面
積をＳ（ｃｍ2 ）としたとき、 Ｒ＝ρ・ｔ／Ｓ で得られる。
【０００５】このように抵抗値がキュリー点で大きな値
を持つためＰＴＣ素子は例えば充電可能な電池に対する
充電器に関する保護回路等にも、特開平８−１７２００
１号公報に記載されているように、使用されている。
を持つためＰＴＣ素子は例えば充電可能な電池に対する
充電器に関する保護回路等にも、特開平８−１７２００
１号公報に記載されているように、使用されている。
【０００６】この保護回路では、図１１（Ａ）に示す如
く、ツエナーダイオードＺ及びトランジスタからなるス
イッチング素子Ｔｒを有する検知回路を設け、このスイ
ッチング素子にヒータ３２を接続する。そしてこのヒー
タ３２により加熱されるＰＴＣ素子３１を二次電池の充
電回路上に接続する。なおヒータ３２は回路基板上にフ
ェノール樹脂系のカーボンペーストをスクリーン印刷に
より形成される。
く、ツエナーダイオードＺ及びトランジスタからなるス
イッチング素子Ｔｒを有する検知回路を設け、このスイ
ッチング素子にヒータ３２を接続する。そしてこのヒー
タ３２により加熱されるＰＴＣ素子３１を二次電池の充
電回路上に接続する。なおヒータ３２は回路基板上にフ
ェノール樹脂系のカーボンペーストをスクリーン印刷に
より形成される。
【０００７】充電器３３の出力電圧が異常に大きくなる
と、ツエナーダイオードＺが導通してスイッチング素子
を構成するトランジスタＴｒにベース・エミッタ電流が
流れ、ヒータ３２に電流が流れて発熱し、ＰＴＣ素子３
１を加熱し、ＰＴＣ素子３１の抵抗値が高くなり、二次
電池３４に異常電圧に基づく大電流の流入を防止する。
と、ツエナーダイオードＺが導通してスイッチング素子
を構成するトランジスタＴｒにベース・エミッタ電流が
流れ、ヒータ３２に電流が流れて発熱し、ＰＴＣ素子３
１を加熱し、ＰＴＣ素子３１の抵抗値が高くなり、二次
電池３４に異常電圧に基づく大電流の流入を防止する。
【０００８】しかし図１１（Ａ）では、端子ｈ−ｉ間に
接続された二次電池３４から逆流する放電電流によりヒ
ータ３２が焼損する欠点があった。これを改善するため
図１１（Ｂ）に示す如く、ＰＴＣ素子３５とＰＴＣ素子
３６を二次電池の充電回路上に設け、このＰＴＣ素子３
５、３６の接続点とスイッチング素子を構成するトラン
ジスタＴｒの間にヒータ３７を設ける。ヒータ３７はＰ
ＴＣ素子３５を加熱する加熱抵抗Ｒ１と、ＰＴＣ素子３
６を加熱する加熱抵抗Ｒ２により構成される。
接続された二次電池３４から逆流する放電電流によりヒ
ータ３２が焼損する欠点があった。これを改善するため
図１１（Ｂ）に示す如く、ＰＴＣ素子３５とＰＴＣ素子
３６を二次電池の充電回路上に設け、このＰＴＣ素子３
５、３６の接続点とスイッチング素子を構成するトラン
ジスタＴｒの間にヒータ３７を設ける。ヒータ３７はＰ
ＴＣ素子３５を加熱する加熱抵抗Ｒ１と、ＰＴＣ素子３
６を加熱する加熱抵抗Ｒ２により構成される。
【０００９】従って、充電器３３の出力電圧が異常に大
きくなれば、ツエナーダイオードＺが導通してトランジ
スタＴｒが導通状態となり、ヒータ３７によって加熱さ
れてＰＴＣ素子３５、３６の抵抗値が高くなり、二次電
池３４に充電器３３の出力電圧異常に基づく大電流の流
入を防止する。
きくなれば、ツエナーダイオードＺが導通してトランジ
スタＴｒが導通状態となり、ヒータ３７によって加熱さ
れてＰＴＣ素子３５、３６の抵抗値が高くなり、二次電
池３４に充電器３３の出力電圧異常に基づく大電流の流
入を防止する。
【００１０】またトランジスタＴｒが導通状態のときに
二次電池３４から放電電流が逆流しても、ＰＴＣ素子３
６及びヒータ３７を経由して流れる電流によりヒータ３
７が発熱し、ＰＴＣ素子３６が加熱されて高抵抗とな
り、二次電池３４から異常な大電流の流れることが防止
される。
二次電池３４から放電電流が逆流しても、ＰＴＣ素子３
６及びヒータ３７を経由して流れる電流によりヒータ３
７が発熱し、ＰＴＣ素子３６が加熱されて高抵抗とな
り、二次電池３４から異常な大電流の流れることが防止
される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このようにＰＴＣ素子
により二次電池の保護回路を構成するとき、図１１
（Ａ）、（Ｂ）に示すいずれの場合でも、基板上に印刷
されたヒータとＰＴＣ素子とを熱的に結合して使用して
いるため、ＰＴＣ素子を動作させるための熱効率が悪
く、昇温速度に欠ける点があった。しかもヒータを基板
に印刷するため、製造コストが非常に高くついていた。
により二次電池の保護回路を構成するとき、図１１
（Ａ）、（Ｂ）に示すいずれの場合でも、基板上に印刷
されたヒータとＰＴＣ素子とを熱的に結合して使用して
いるため、ＰＴＣ素子を動作させるための熱効率が悪
く、昇温速度に欠ける点があった。しかもヒータを基板
に印刷するため、製造コストが非常に高くついていた。
【００１２】従って本発明の目的は、このような欠点を
改善したＰＴＣ素子を用いた保護素子及び保護回路を提
供することである。
改善したＰＴＣ素子を用いた保護素子及び保護回路を提
供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、少なくとも２枚のＰＴＣ素子を互に熱
結合状態に密着させて保護素子を構成する。この保護素
子を、少なくとも１個のＰＴＣ素子を充電回路側に配置
し、１個のＰＴＣ素子をスイッチング素子側に配置す
る。
め、本発明では、少なくとも２枚のＰＴＣ素子を互に熱
結合状態に密着させて保護素子を構成する。この保護素
子を、少なくとも１個のＰＴＣ素子を充電回路側に配置
し、１個のＰＴＣ素子をスイッチング素子側に配置す
る。
【００１４】このように構成することにより一方のＰＴ
Ｃ素子に流れる電流により発熱したとき、この発熱が他
方のＰＴＣ素子に伝達されて発熱するので、昇温速度を
早くすることができるのみならず、二次電池がスイッチ
ング素子の導通状態により逆流放電する場合でも、ＰＴ
Ｃ素子をこの放電回路に挿入することができるので、放
電電流を抑制することができ、二次電池から異常な大電
流が放電することを防止できる。
Ｃ素子に流れる電流により発熱したとき、この発熱が他
方のＰＴＣ素子に伝達されて発熱するので、昇温速度を
早くすることができるのみならず、二次電池がスイッチ
ング素子の導通状態により逆流放電する場合でも、ＰＴ
Ｃ素子をこの放電回路に挿入することができるので、放
電電流を抑制することができ、二次電池から異常な大電
流が放電することを防止できる。
【００１５】
【実施の形態】本発明の一実施の形態を図１及び図４に
基づき説明する。図１は本発明の保護回路の一実施の形
態を示し、図４は本発明の保護素子の一実施の形態を示
す。図１において、１はＰＴＣ保護素子でありＰＴＣ素
子Ｐ1 、Ｐ2を有するもの、Ｚは電圧応動素子を構成す
るツエナーダイオード、Ｔｒはスイッチング素子を構成
するトランジスタ、Ｂは二次電池、Ｃは充電器である。
基づき説明する。図１は本発明の保護回路の一実施の形
態を示し、図４は本発明の保護素子の一実施の形態を示
す。図１において、１はＰＴＣ保護素子でありＰＴＣ素
子Ｐ1 、Ｐ2を有するもの、Ｚは電圧応動素子を構成す
るツエナーダイオード、Ｔｒはスイッチング素子を構成
するトランジスタ、Ｂは二次電池、Ｃは充電器である。
【００１６】ＰＴＣ保護素子１は、図４に示す如く、Ｐ
ＴＣ素子Ｐ1 、Ｐ2 を共通端子を構成するステンレス平
板端子４の両面に配置し、これをスプリング端子２、３
により弾性的に挟み込み、ポリマー製ケース５に組み込
んだものである。
ＴＣ素子Ｐ1 、Ｐ2 を共通端子を構成するステンレス平
板端子４の両面に配置し、これをスプリング端子２、３
により弾性的に挟み込み、ポリマー製ケース５に組み込
んだものである。
【００１７】ＰＴＣ素子Ｐ1 、Ｐ2 としては、結晶性ポ
リマーとして、融点１７０℃のポリフッ化ビニリデン
（ＰＶＤＦ）及び融点１５０℃のフッ素系多成分ポリマ
ー（テトラフロロエチレン、ヘキサフロロプロピレン、
ビニリデンフロライドの３成分系）を用いた。また導電
粒子としては、平均粒径０．６〜０．７μｍのタングス
テンカーバイト（ＷＣ）粉を使用した。
リマーとして、融点１７０℃のポリフッ化ビニリデン
（ＰＶＤＦ）及び融点１５０℃のフッ素系多成分ポリマ
ー（テトラフロロエチレン、ヘキサフロロプロピレン、
ビニリデンフロライドの３成分系）を用いた。また導電
粒子としては、平均粒径０．６〜０．７μｍのタングス
テンカーバイト（ＷＣ）粉を使用した。
【００１８】まず、フッ素系多成分ポリマーに対し、３
５体積％となるようにＷＣ粉をドライ混合した後に、２
００℃の加圧ニーダで１ｈ混練後、２００℃の熱プレス
で厚み０．３ｍｍのシート成形物を得た。さらにこのシ
ート成形物の両主面をＮｉ箔で挟んで２００℃の熱プレ
スによりＮｉ箔電極を形成し、最後にダイシングソーで
３×３ｍｍのチップ状にカットし、ＰＴＣ素子Ｐ1 を作
製した。
５体積％となるようにＷＣ粉をドライ混合した後に、２
００℃の加圧ニーダで１ｈ混練後、２００℃の熱プレス
で厚み０．３ｍｍのシート成形物を得た。さらにこのシ
ート成形物の両主面をＮｉ箔で挟んで２００℃の熱プレ
スによりＮｉ箔電極を形成し、最後にダイシングソーで
３×３ｍｍのチップ状にカットし、ＰＴＣ素子Ｐ1 を作
製した。
【００１９】同様に、ＰＶＤＦに対して、２２体積％と
なるようにＷＣ粉をドライ混合したあと、同じ条件で３
×３ｍｍのチップ状ＰＴＣ素子Ｐ2 を作製した。このよ
うにして得られたサンプルの特性は表１に示す通りであ
る。
なるようにＷＣ粉をドライ混合したあと、同じ条件で３
×３ｍｍのチップ状ＰＴＣ素子Ｐ2 を作製した。このよ
うにして得られたサンプルの特性は表１に示す通りであ
る。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１に示すＰＴＣ素子Ｐ1 、Ｐ2 の実施例
の温度−抵抗値特性の実測値グラフを図６に示す。この
ようにして得られたＰＴＣ素子Ｐ1 、Ｐ2 を、図４に示
す如く、Ｎｉメッキ＋Ｓｎメッキを施した０．１５ｍｍ
厚のステンレス平板端子４に、同様のステンレス製のス
プリング端子２、３により弾性的に挟み、外径５ｍｍ×
５ｍｍ×３．５ｍｍ（肉厚０．５ｍｍ）の液晶ポリマー
製ケース５に組み込んだ。そしてこのスプリング端子
２、３及びステンレス平板端子４の回路基板接続端子２
−Ｔ、３−Ｔ、４−Ｔを、図１（Ｂ）に示す如く、ツエ
ナーダイオードＺの入力端、トランジスタＴｒのコレク
タ側、二次電池Ｂ側の出力端Ｃにそれぞれ接続し、図１
（Ａ）に示す如き保護回路を構成した。
の温度−抵抗値特性の実測値グラフを図６に示す。この
ようにして得られたＰＴＣ素子Ｐ1 、Ｐ2 を、図４に示
す如く、Ｎｉメッキ＋Ｓｎメッキを施した０．１５ｍｍ
厚のステンレス平板端子４に、同様のステンレス製のス
プリング端子２、３により弾性的に挟み、外径５ｍｍ×
５ｍｍ×３．５ｍｍ（肉厚０．５ｍｍ）の液晶ポリマー
製ケース５に組み込んだ。そしてこのスプリング端子
２、３及びステンレス平板端子４の回路基板接続端子２
−Ｔ、３−Ｔ、４−Ｔを、図１（Ｂ）に示す如く、ツエ
ナーダイオードＺの入力端、トランジスタＴｒのコレク
タ側、二次電池Ｂ側の出力端Ｃにそれぞれ接続し、図１
（Ａ）に示す如き保護回路を構成した。
【００２２】図１において、ツエナーダイオードＺとト
ランジスタＴｒは電圧検知部を構成するものであり、ツ
エナーダイオードＺは、例えば端子ａ、ｂ間に５Ｖ以上
の電圧が印加されたときに導通して、トランジスタＴｒ
がオンになるように設定されている。
ランジスタＴｒは電圧検知部を構成するものであり、ツ
エナーダイオードＺは、例えば端子ａ、ｂ間に５Ｖ以上
の電圧が印加されたときに導通して、トランジスタＴｒ
がオンになるように設定されている。
【００２３】従って、図１に示す保護回路では、充電器
Ｃの出力が５Ｖ未満のとき、トランジスタＴｒがオフ状
態のため、ＰＴＣ素子Ｐ1 にのみ通電され、二次電池Ｂ
に対する充電が行われる。この場合ＰＴＣ素子Ｐ2 は無
通電状態である。
Ｃの出力が５Ｖ未満のとき、トランジスタＴｒがオフ状
態のため、ＰＴＣ素子Ｐ1 にのみ通電され、二次電池Ｂ
に対する充電が行われる。この場合ＰＴＣ素子Ｐ2 は無
通電状態である。
【００２４】しかし端子ａ、ｂ間に５Ｖ以上の電圧が印
加されると、トランジスタＴｒがオンとなってＰＴＣ素
子Ｐ2 が通電され瞬時に発熱するとともに ＰＴＣ素子
Ｐ1の抵抗値を急上昇させ、充電器Ｃからの出力電流を
遮断することを確認した。
加されると、トランジスタＴｒがオンとなってＰＴＣ素
子Ｐ2 が通電され瞬時に発熱するとともに ＰＴＣ素子
Ｐ1の抵抗値を急上昇させ、充電器Ｃからの出力電流を
遮断することを確認した。
【００２５】このときＰＴＣ素子Ｐ2 も、高抵抗状態に
あるので、トランジスタＴｒがオンになっていても、二
次電池Ｂの放電電流を微小電流にまで抑制する。このよ
うにしてツエナーダイオードＺが導通する異常状態が発
生しても充電器Ｃ及び二次電池Ｂの出力電流を瞬時に、
抑制することができる。
あるので、トランジスタＴｒがオンになっていても、二
次電池Ｂの放電電流を微小電流にまで抑制する。このよ
うにしてツエナーダイオードＺが導通する異常状態が発
生しても充電器Ｃ及び二次電池Ｂの出力電流を瞬時に、
抑制することができる。
【００２６】図１に示す場合は、二次電池Ｂの通常の充
放電時には、トランジスタＴｒがオフのため、ＰＴＣ素
子Ｐ1 にのみ通電されるので、ＰＴＣ素子Ｐ1 はできる
だけ抵抗値の低いもの、例えば１００ｍΩ以下で、好ま
しくは５０ｍΩ以下のものが望まれる。
放電時には、トランジスタＴｒがオフのため、ＰＴＣ素
子Ｐ1 にのみ通電されるので、ＰＴＣ素子Ｐ1 はできる
だけ抵抗値の低いもの、例えば１００ｍΩ以下で、好ま
しくは５０ｍΩ以下のものが望まれる。
【００２７】一方ＰＴＣ素子Ｐ2 は、異常電圧が印加さ
れた場合にのみトランジスタＴｒがオンとなって通電さ
れるため、ＰＴＣ素子Ｐ1 よりも高い抵抗（例えば数Ω
〜数１０Ω程度）で、好ましくはＰＴＣ素子Ｐ1 よりも
発熱温度が同じかまたは高いもの、例えばＰ1 ＝１００
℃、Ｐ2 ＝１２０℃のものが適している。従って、図７
に示す如き特性のもの、すなわち室温で使用する場合
は、室温での初期抵抗ＲＰ1 、ＲＰ2 はＲＰ1 ＜ＲＰ2
であり、その立上り部分の発熱温度ＴＰ1 、ＴＰ 2 はＴ
Ｐ1 ＜ＴＰ2 であることが望まれる。
れた場合にのみトランジスタＴｒがオンとなって通電さ
れるため、ＰＴＣ素子Ｐ1 よりも高い抵抗（例えば数Ω
〜数１０Ω程度）で、好ましくはＰＴＣ素子Ｐ1 よりも
発熱温度が同じかまたは高いもの、例えばＰ1 ＝１００
℃、Ｐ2 ＝１２０℃のものが適している。従って、図７
に示す如き特性のもの、すなわち室温で使用する場合
は、室温での初期抵抗ＲＰ1 、ＲＰ2 はＲＰ1 ＜ＲＰ2
であり、その立上り部分の発熱温度ＴＰ1 、ＴＰ 2 はＴ
Ｐ1 ＜ＴＰ2 であることが望まれる。
【００２８】このように構成することによ異常時におけ
る二次電池Ｂに対する充放電電流を制限した保護回路を
提供できる。なお、図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）におい
て、ＰＴＣ素子Ｐ1 、Ｐ2 の共通の端子はステンレス平
板端子４を使用しているが、リン青銅などの熱伝導の良
い材質の平板４′も使用することができる。この場合、
図４（Ｄ）に示す如く、回路基板と接続する回路基板接
続端子４′−Ｔ側に穴６を設けた熱狭窄部を形成して、
この回路基板接続端子４′−Ｔ部分に熱が伝わり難くす
ることが更に好ましい。
る二次電池Ｂに対する充放電電流を制限した保護回路を
提供できる。なお、図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）におい
て、ＰＴＣ素子Ｐ1 、Ｐ2 の共通の端子はステンレス平
板端子４を使用しているが、リン青銅などの熱伝導の良
い材質の平板４′も使用することができる。この場合、
図４（Ｄ）に示す如く、回路基板と接続する回路基板接
続端子４′−Ｔ側に穴６を設けた熱狭窄部を形成して、
この回路基板接続端子４′−Ｔ部分に熱が伝わり難くす
ることが更に好ましい。
【００２９】本発明の第二の実施の形態を図２に基づき
説明する。図２においては、二次電池Ｂの充放電回路
に、ＰＴＣ素子Ｐ1 ′、Ｐ2 ′が挿入される。従って通
常の充放電動作のときＰＴＣ素子Ｐ2 ′における損失を
小さくするためこの抵抗値を図１のＰＴＣ素子Ｐ2 より
も小さくすることが必要である。
説明する。図２においては、二次電池Ｂの充放電回路
に、ＰＴＣ素子Ｐ1 ′、Ｐ2 ′が挿入される。従って通
常の充放電動作のときＰＴＣ素子Ｐ2 ′における損失を
小さくするためこの抵抗値を図１のＰＴＣ素子Ｐ2 より
も小さくすることが必要である。
【００３０】ＰＴＣ保護素子１′は、前記図１の場合と
同様に２個のＰＴＣ素子Ｐ1 ′、Ｐ 2 ′により構成さ
れ、これらは共通端子を構成するステンレス平板端子４
と、スプリング端子２、３により弾性的に保持されてい
る。
同様に２個のＰＴＣ素子Ｐ1 ′、Ｐ 2 ′により構成さ
れ、これらは共通端子を構成するステンレス平板端子４
と、スプリング端子２、３により弾性的に保持されてい
る。
【００３１】ＰＴＣ素子Ｐ1 ′の初期抵抗値は３０ｍΩ
であり、ＰＴＣ素子Ｐ2 ′の初期抵抗は４０ｍΩであっ
た。このＰＴＣ素子Ｐ2 ′及び接続方法を除く回路定数
は、図１と同じである。
であり、ＰＴＣ素子Ｐ2 ′の初期抵抗は４０ｍΩであっ
た。このＰＴＣ素子Ｐ2 ′及び接続方法を除く回路定数
は、図１と同じである。
【００３２】いま、５Ｖ以上の異常電圧が端子ａ、ｂ間
に印加されたとき、ツエナーダイオードＺが導通して、
トランジスタＴｒもオンになり、このトランジスタＴｒ
にほぼ満充電状態の二次電池Ｂから逆流電流が流れるこ
とによりＰＴＣ素子Ｐ2 ′の方が先に動作して発熱し、
この発熱により数秒後にＰＴＣ素子Ｐ1 ′の抵抗値が急
上昇し、保護回路における回路電流が制限されることを
確認した。
に印加されたとき、ツエナーダイオードＺが導通して、
トランジスタＴｒもオンになり、このトランジスタＴｒ
にほぼ満充電状態の二次電池Ｂから逆流電流が流れるこ
とによりＰＴＣ素子Ｐ2 ′の方が先に動作して発熱し、
この発熱により数秒後にＰＴＣ素子Ｐ1 ′の抵抗値が急
上昇し、保護回路における回路電流が制限されることを
確認した。
【００３３】図２の場合は、通常の充放電時にＰＴＣ素
子Ｐ1 ′、Ｐ2 ′の両方に通電されるため、これらは抵
抗値の低いものが望まれる。ＰＴＣ素子Ｐ1 ′、Ｐ2 ′
は同じ素子（同じ抵抗値）であってもよく、またこれら
の抵抗値の和ＲＰ1 ′＋ＲＰ 2 ′が一定の範囲（例えば
７０ｍΩ以下）で抵抗値ＲＰ1 ′とＲＰ2 ′が異なって
いてもよい。
子Ｐ1 ′、Ｐ2 ′の両方に通電されるため、これらは抵
抗値の低いものが望まれる。ＰＴＣ素子Ｐ1 ′、Ｐ2 ′
は同じ素子（同じ抵抗値）であってもよく、またこれら
の抵抗値の和ＲＰ1 ′＋ＲＰ 2 ′が一定の範囲（例えば
７０ｍΩ以下）で抵抗値ＲＰ1 ′とＲＰ2 ′が異なって
いてもよい。
【００３４】またＰＴＣ素子Ｐ1 ′とＰ2 ′を熱的に接
触させているので、先に発熱動作したＰＴＣ素子の熱が
他の素子に伝わって高い抵抗値へと移行させるので、よ
り早く他方のＰＴＣ素子も高抵抗状態に動作させること
ができる。
触させているので、先に発熱動作したＰＴＣ素子の熱が
他の素子に伝わって高い抵抗値へと移行させるので、よ
り早く他方のＰＴＣ素子も高抵抗状態に動作させること
ができる。
【００３５】例えばＰＴＣ素子Ｐ1 ′が先に発熱動作し
た場合、ＰＴＣ素子Ｐ1 ′の熱がＰＴＣ素子Ｐ2 ′に伝
わり、ＰＴＣ素子Ｐ2 ′が高抵抗に推移する。従ってト
ランジスタＴｒがオン状態のために端子ｃ、ｄ間に接続
した二次電池Ｂの逆流を、ＰＴＣ素子Ｐ1 ′とＰ2 ′と
が非熱接触の場合に比べると、非常に早く防止すること
が可能になる。
た場合、ＰＴＣ素子Ｐ1 ′の熱がＰＴＣ素子Ｐ2 ′に伝
わり、ＰＴＣ素子Ｐ2 ′が高抵抗に推移する。従ってト
ランジスタＴｒがオン状態のために端子ｃ、ｄ間に接続
した二次電池Ｂの逆流を、ＰＴＣ素子Ｐ1 ′とＰ2 ′と
が非熱接触の場合に比べると、非常に早く防止すること
が可能になる。
【００３６】しかも図１の場合では、端子ａ、ｂ間に異
常電圧が印加されたとき、過渡的に二次電池Ｂにも異常
電圧が印加されるのに対し、図２の場合はＰＴＣ素子Ｐ
1 ′とＰ2 ′の抵抗値により、この二次電池に印加され
る電圧を分圧する効果をも合わせ持つものである。
常電圧が印加されたとき、過渡的に二次電池Ｂにも異常
電圧が印加されるのに対し、図２の場合はＰＴＣ素子Ｐ
1 ′とＰ2 ′の抵抗値により、この二次電池に印加され
る電圧を分圧する効果をも合わせ持つものである。
【００３７】本発明の第三の実施の形態を図３及び図５
に基づき説明する。図３は本発明の保護回路の第三の実
施の形態を示し、図５は、図３に示す保護回路に使用さ
れる、本発明の保護素子の第二の実施の形態を示す。
に基づき説明する。図３は本発明の保護回路の第三の実
施の形態を示し、図５は、図３に示す保護回路に使用さ
れる、本発明の保護素子の第二の実施の形態を示す。
【００３８】図３においては３個のＰＴＣ素子Ｐ3 、Ｐ
4 、Ｐ5 を使用するものである。そして図５に示す如
く、ＰＴＣ素子Ｐ5 とＰ3 、ＰＴＣ素子Ｐ5 とＰ4 がそ
れぞれ熱結合されているものである。ＰＴＣ素子Ｐ3 、
Ｐ4 は前記図１、図４に説明した、ＰＴＣ素子Ｐ1 と同
一組成で同形状のものを使用する。またＰＴＣ素子Ｐ5
は、前記図１、図４に説明したＰＴＣ素子Ｐ2 と同一組
成であって形状が８×８×０．３ｍｍにカットしたもの
を使用する。このときＰＴＣ素子Ｐ5 の初期抵抗値は
２．５Ωであった。
4 、Ｐ5 を使用するものである。そして図５に示す如
く、ＰＴＣ素子Ｐ5 とＰ3 、ＰＴＣ素子Ｐ5 とＰ4 がそ
れぞれ熱結合されているものである。ＰＴＣ素子Ｐ3 、
Ｐ4 は前記図１、図４に説明した、ＰＴＣ素子Ｐ1 と同
一組成で同形状のものを使用する。またＰＴＣ素子Ｐ5
は、前記図１、図４に説明したＰＴＣ素子Ｐ2 と同一組
成であって形状が８×８×０．３ｍｍにカットしたもの
を使用する。このときＰＴＣ素子Ｐ5 の初期抵抗値は
２．５Ωであった。
【００３９】これらＰＴＣ素子Ｐ3 、Ｐ4 、Ｐ5 を図５
に示す如く、スプリング端子１１、１２、１３によりス
テンレス平板１４上に弾性的に挟み込み、ポリマー製ケ
ース１５に組み込む。そしてスプリング端子１１、１
２、１３の回路基板接続端子１１−Ｔ、１２−Ｔ、１３
−Ｔを、図３（Ｂ）に示す如く、ツエナーダイオード
Ｚ、二次電池側の端子Ｃ、トランジスタＴｒのコレクタ
とそれぞれ接続し、図３（Ａ）に示す保護回路を構成す
る。
に示す如く、スプリング端子１１、１２、１３によりス
テンレス平板１４上に弾性的に挟み込み、ポリマー製ケ
ース１５に組み込む。そしてスプリング端子１１、１
２、１３の回路基板接続端子１１−Ｔ、１２−Ｔ、１３
−Ｔを、図３（Ｂ）に示す如く、ツエナーダイオード
Ｚ、二次電池側の端子Ｃ、トランジスタＴｒのコレクタ
とそれぞれ接続し、図３（Ａ）に示す保護回路を構成す
る。
【００４０】図３（Ａ）において、端子ａ、ｂ間にツエ
ナーダイオードＺのツエナー電圧を越える、例えば５Ｖ
の設定された以上の電圧が印加されると、トランジスタ
Ｔｒが導通状態となり、端子ａより、ＰＴＣ素子Ｐ3 →
ＰＴＣ素子Ｐ5 →トランジスタＴｒと電流が流れる。
ナーダイオードＺのツエナー電圧を越える、例えば５Ｖ
の設定された以上の電圧が印加されると、トランジスタ
Ｔｒが導通状態となり、端子ａより、ＰＴＣ素子Ｐ3 →
ＰＴＣ素子Ｐ5 →トランジスタＴｒと電流が流れる。
【００４１】この電流によりＰＴＣ素子Ｐ5 が自己発熱
して急激にＰＴＣ素子Ｐ5 自身の抵抗値を上昇させて前
記Ｐ3 →Ｐ5 →Ｔｒに流れる電流を制限する。このとき
ＰＴＣ素子Ｐ3 とＰ5 及びＰＴＣ素子Ｐ4 とＰ5 はとも
に熱的に結合しているため、これらのＰＴＣ素子は相乗
的に抵抗値を上昇させることができる。
して急激にＰＴＣ素子Ｐ5 自身の抵抗値を上昇させて前
記Ｐ3 →Ｐ5 →Ｔｒに流れる電流を制限する。このとき
ＰＴＣ素子Ｐ3 とＰ5 及びＰＴＣ素子Ｐ4 とＰ5 はとも
に熱的に結合しているため、これらのＰＴＣ素子は相乗
的に抵抗値を上昇させることができる。
【００４２】従って、トランジスタＴｒがオンのために
充電中の二次電池Ｂからの逆流についても、ＰＴＣ素子
Ｐ4 、Ｐ5 が充分に高い抵抗値に達しているため、この
逆流電流を防止することができる。
充電中の二次電池Ｂからの逆流についても、ＰＴＣ素子
Ｐ4 、Ｐ5 が充分に高い抵抗値に達しているため、この
逆流電流を防止することができる。
【００４３】図３の場合は、図１、図２の場合の機能を
あわせて持つ構成であり、通常の充放電時にはＰＴＣ素
子Ｐ3 とＰ4 に通電される。そして充電側の端子ａ、ｂ
に異常電圧が印加されたとき、ツエナーダイオードＺが
導通してトランジスタＴｒもオンとなり、ＰＴＣ素子Ｐ
5 に通電される。
あわせて持つ構成であり、通常の充放電時にはＰＴＣ素
子Ｐ3 とＰ4 に通電される。そして充電側の端子ａ、ｂ
に異常電圧が印加されたとき、ツエナーダイオードＺが
導通してトランジスタＴｒもオンとなり、ＰＴＣ素子Ｐ
5 に通電される。
【００４４】ＰＴＣ素子Ｐ3 とＰ5 及びＰＴＣ素子Ｐ4
とＰ5 を熱的に接触させた構成とし、かつＰＴＣ素子Ｐ
5 をヒータ目的としてこれをＰＴＣ素子Ｐ3 、Ｐ4 より
も発熱温度の高いものとした場合には、相乗的に各ＰＴ
Ｃ素子の抵抗値を上昇させることができるため、より確
実に充電器Ｃからの出力電流、二次電池Ｂからの逆流電
流を防止することができる。
とＰ5 を熱的に接触させた構成とし、かつＰＴＣ素子Ｐ
5 をヒータ目的としてこれをＰＴＣ素子Ｐ3 、Ｐ4 より
も発熱温度の高いものとした場合には、相乗的に各ＰＴ
Ｃ素子の抵抗値を上昇させることができるため、より確
実に充電器Ｃからの出力電流、二次電池Ｂからの逆流電
流を防止することができる。
【００４５】なお、前記図１〜図３にて説明した各ＰＴ
Ｃ素子の抵抗値及び動作時の発熱温度は、結晶性ポリマ
ーとこれに添加する導電粒子の組み合わせにおいて、結
晶性ポリマーの融点または導電粒子の添加量あるいはそ
の種類、形状等を調整することにより、自由に設定する
ことができる。
Ｃ素子の抵抗値及び動作時の発熱温度は、結晶性ポリマ
ーとこれに添加する導電粒子の組み合わせにおいて、結
晶性ポリマーの融点または導電粒子の添加量あるいはそ
の種類、形状等を調整することにより、自由に設定する
ことができる。
【００４６】前記図１〜図７に基づく本発明の各実施例
は一つの形態であり、各数値はこれに限定されるもので
はなく、樹脂や導電粒子の種類、ケースや端子の材質及
び形状、ＰＴＣ素子の形状や抵抗値は自由に設計でき
る。またＰＴＣ素子の個数は少なくとも２個以上であれ
ば制限はない。またＰＴＣ素子はケース内に配置するの
みならず、モールドして密封することもできる。
は一つの形態であり、各数値はこれに限定されるもので
はなく、樹脂や導電粒子の種類、ケースや端子の材質及
び形状、ＰＴＣ素子の形状や抵抗値は自由に設計でき
る。またＰＴＣ素子の個数は少なくとも２個以上であれ
ば制限はない。またＰＴＣ素子はケース内に配置するの
みならず、モールドして密封することもできる。
【００４７】なお本発明では、ツエナーダイオードの代
わりにバリスタを使用することもできる。またＰＴＣ素
子の熱結合は、共通の接続端子の両側にＰＴＣ素子をス
プリング端子で圧着した例について説明したが、勿論本
発明はこれに限定されるものではなく、図８に示す如
く、ＰＴＣ素子Ｐ10に例えば金属箔電極２１、２１を形
成し、ＰＴＣ素子Ｐ11にこれまた金属箔電極２１、２１
を形成して両通の平板端子２０に接触させる代わりに、
ＰＴＣ素子Ｐ10、Ｐ11の片面の電極を両面が粗面化され
た金属箔２２で一体に形成することもできる。これによ
り保護素子を小型化することができる。
わりにバリスタを使用することもできる。またＰＴＣ素
子の熱結合は、共通の接続端子の両側にＰＴＣ素子をス
プリング端子で圧着した例について説明したが、勿論本
発明はこれに限定されるものではなく、図８に示す如
く、ＰＴＣ素子Ｐ10に例えば金属箔電極２１、２１を形
成し、ＰＴＣ素子Ｐ11にこれまた金属箔電極２１、２１
を形成して両通の平板端子２０に接触させる代わりに、
ＰＴＣ素子Ｐ10、Ｐ11の片面の電極を両面が粗面化され
た金属箔２２で一体に形成することもできる。これによ
り保護素子を小型化することができる。
【００４８】また図９（Ａ）に示す如く、基板３０上に
回路パターン３１−０、３１−２、３１−３を形成し、
この基板３０上にＰＴＣ素子Ｐ12、Ｐ13を層状に密着形
成し、それぞれ電極３２、３３と回路パターン３１をリ
ード線３４、３５により接続することもできる。
回路パターン３１−０、３１−２、３１−３を形成し、
この基板３０上にＰＴＣ素子Ｐ12、Ｐ13を層状に密着形
成し、それぞれ電極３２、３３と回路パターン３１をリ
ード線３４、３５により接続することもできる。
【００４９】すなわち図９（Ａ）に示す如き、回路パタ
ーン３１−０、３１−２、３１−３を基板３０上に形成
する。回路パターン３１−０には、例えば図１の端子ａ
に接続される端部３１−１が形成される。回路パターン
３１−２は図１の端子ｃに接続され、回路パターン３１
−３はトランジスタＴｒに接続される。
ーン３１−０、３１−２、３１−３を基板３０上に形成
する。回路パターン３１−０には、例えば図１の端子ａ
に接続される端部３１−１が形成される。回路パターン
３１−２は図１の端子ｃに接続され、回路パターン３１
−３はトランジスタＴｒに接続される。
【００５０】まず回路パターン３１−０上に、図９
（Ｂ）に示す如く、ペースト状のＰＴＣ材料を例えばド
クターブレード法で形成してＰＴＣ素子Ｐ13を形成し、
その上に電極３３を設ける。それから同様にＰＴＣ素子
Ｐ12を形成し電極３２を設ける。そして図９（Ｃ）に示
す如く、リード線３４により電極３２と回路パターン３
１−３間を接続し、リード線３５により電極３３と回路
パターン３１−２間を接続する。このように構成するこ
とにより、保護回路を小型化することができる。
（Ｂ）に示す如く、ペースト状のＰＴＣ材料を例えばド
クターブレード法で形成してＰＴＣ素子Ｐ13を形成し、
その上に電極３３を設ける。それから同様にＰＴＣ素子
Ｐ12を形成し電極３２を設ける。そして図９（Ｃ）に示
す如く、リード線３４により電極３２と回路パターン３
１−３間を接続し、リード線３５により電極３３と回路
パターン３１−２間を接続する。このように構成するこ
とにより、保護回路を小型化することができる。
【００５１】このように本発明は、例えばニッケル・カ
ドミウム電池、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池
等に好適な充電器の保護回路及びこの保護回路用に好適
な保護素子を提供することができる。
ドミウム電池、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池
等に好適な充電器の保護回路及びこの保護回路用に好適
な保護素子を提供することができる。
【００５２】また本発明におけるＰＴＣ素子は前記結晶
性高分子樹脂に導電性粒子をフィラーとして分散させた
もののみならず、例えばＢａＴｉＯ3 に希土類元素等を
添加して焼結したセラミック型のものを使用してもよ
い。
性高分子樹脂に導電性粒子をフィラーとして分散させた
もののみならず、例えばＢａＴｉＯ3 に希土類元素等を
添加して焼結したセラミック型のものを使用してもよ
い。
【００５３】
【発明の効果】本発明によればＰＴＣ素子を熱結合状態
に密着配置したので、通常の状態では抵抗値の少ない正
常の動作が可能であり、異常電圧が発生したときに、Ｐ
ＴＣ素子が非常に短時間で高抵抗状態になり過電圧、過
電流、逆流電流に対して安全な保護動作を行うことがで
きる。
に密着配置したので、通常の状態では抵抗値の少ない正
常の動作が可能であり、異常電圧が発生したときに、Ｐ
ＴＣ素子が非常に短時間で高抵抗状態になり過電圧、過
電流、逆流電流に対して安全な保護動作を行うことがで
きる。
【００５４】しかもＰＴＣ素子の１個は二次電池の充電
線路側に配置され、ＰＴＣ素子の１個が二次電池の逆流
線路側に配置されているので、正常状態ではＰＴＣ素子
の影響を小さくし、二次電池の逆流状態のときこれを正
確に抑制することができる。
線路側に配置され、ＰＴＣ素子の１個が二次電池の逆流
線路側に配置されているので、正常状態ではＰＴＣ素子
の影響を小さくし、二次電池の逆流状態のときこれを正
確に抑制することができる。
【００５５】また少なくとも２個のＰＴＣ素子を共通接
続電極面を介して熱結合状態に配置したので、ＰＴＣ素
子の発熱の相乗効果を利用した、動作時間の短い、小型
の保護回路用保護素子を提供することができる。
続電極面を介して熱結合状態に配置したので、ＰＴＣ素
子の発熱の相乗効果を利用した、動作時間の短い、小型
の保護回路用保護素子を提供することができる。
【００５６】さらにＰＴＣ素子を基板上に層状に密着さ
せて配置させたので、保護回路を非常に小型に構成でき
る。
せて配置させたので、保護回路を非常に小型に構成でき
る。
【図１】本発明の一実施の形態図である。
【図２】本発明の第二の実施の形態図である。
【図３】本発明の第三の実施の形態図である。
【図４】本発明の保護素子の形態（その１）である。
【図５】本発明の保護素子の形態（その２）である。
【図６】表１に示すＰＴＣ素子の特性図である。
【図７】ＰＴＣ素子の動作特性の概念図である。
【図８】本発明の保護素子の形態（その３）である。
【図９】本発明の保護素子の形態（その４）である。
【図１０】ＰＴＣ素子の説明図である。
【図１１】従来の充電器用の保護回路である。
１ ＰＴＣ保護素子 ２ スプリング端子 ３ スプリング端子 ４ ステンレス平板端子 ２−Ｔ 回路基板接続端子 ３−Ｔ 回路基板接続端子 ４−Ｔ 回路基板接続端子 Ｐ1 、Ｐ2 ＰＴＣ素子 Ｚ ツエナーダイオード Ｔｒ トランジスタ Ｂ 二次電池 Ｃ 充電器
Claims (4)
- 【請求項１】印加電圧が規定値以上になったときに導通
状態になる電圧応動手段と、この電圧応動手段の動作に
応じてオン制御されるスイッチング手段と、このスイッ
チング手段に接続されたＰＴＣ素子を具備する充電器の
保護回路において、 少なくとも２個のＰＴＣ素子を互に熱結合状態に密着配
置したことを特徴とする保護回路。 - 【請求項２】前記互に熱結合状態に密着配置したＰＴＣ
素子の１個は充電線路側に配置され、ＰＴＣ素子の１個
は前記スイッチング手段がオン状態のとき逆流線路側に
配置されたことを特徴とする請求項１記載の保護回路。 - 【請求項３】少なくとも２個のＰＴＣ素子を共通接続端
電極面を介して熱結合状態に配置したことを特徴とする
保護回路用の保護素子。 - 【請求項４】少なくとも２個のＰＴＣ素子を基板上に層
状に密着させて配置したことを特徴とする保護回路用の
保護素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25121496A JPH1098829A (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Ｐｔｃ素子を用いた保護回路及び保護回路用の保護素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25121496A JPH1098829A (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Ｐｔｃ素子を用いた保護回路及び保護回路用の保護素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098829A true JPH1098829A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17219405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25121496A Pending JPH1098829A (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Ｐｔｃ素子を用いた保護回路及び保護回路用の保護素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1098829A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001517371A (ja) * | 1997-03-27 | 2001-10-02 | リッテルフューズ，インコーポレイティド | リセット可能な自動回路保護装置 |
| US6331763B1 (en) | 1998-04-15 | 2001-12-18 | Tyco Electronics Corporation | Devices and methods for protection of rechargeable elements |
| US6556403B1 (en) | 1999-07-29 | 2003-04-29 | Sony Chemicals Corporation | Protective element |
| JP2003520420A (ja) * | 2000-01-11 | 2003-07-02 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 電気デバイス |
| WO2006121067A1 (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 保護回路、及び電池パック |
| KR100713341B1 (ko) * | 2005-04-08 | 2007-05-04 | 엘에스전선 주식회사 | 정전압 유지 및 과전류 차단 기능을 구비한 회로보호장치 |
| KR100783339B1 (ko) * | 1999-04-23 | 2007-12-07 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 과전류 보호장치 |
| KR101023850B1 (ko) * | 2005-01-27 | 2011-03-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차전지용 이차보호소자 |
| CN102064541A (zh) * | 1999-10-22 | 2011-05-18 | 泰科电子有限公司 | 用于保护可充电元件的装置及方法 |
| JP2013043903A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Kureha Corp | 所望のキュリー温度を有するポリマーの製造方法 |
| CN106487068A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-03-08 | 东莞新能德科技有限公司 | 过压保护系统及方法 |
| CN106876063A (zh) * | 2017-04-14 | 2017-06-20 | 上海长园维安电子线路保护有限公司 | 带有保护外壳的过电流保护元件 |
-
1996
- 1996-09-24 JP JP25121496A patent/JPH1098829A/ja active Pending
Cited By (16)
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| EP1073175A3 (en) * | 1999-07-29 | 2003-10-01 | Sony Chemicals Corporation | Protective element |
| CN100423393C (zh) * | 1999-07-29 | 2008-10-01 | 索尼化学&信息部件株式会社 | 保护电路 |
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| KR101023850B1 (ko) * | 2005-01-27 | 2011-03-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차전지용 이차보호소자 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000229 |