JPH1094115A - 貫通形絶縁支持装置 - Google Patents
貫通形絶縁支持装置Info
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- JPH1094115A JPH1094115A JP8245963A JP24596396A JPH1094115A JP H1094115 A JPH1094115 A JP H1094115A JP 8245963 A JP8245963 A JP 8245963A JP 24596396 A JP24596396 A JP 24596396A JP H1094115 A JPH1094115 A JP H1094115A
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- insulating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電界強度を抑制して耐電圧特性を向上させ、
絶縁支持部の高さ方向の縮小化を図る。 【解決手段】 がいしベース16に固定される逆Ｕ字状が
いし12の開口部には、絶縁層14が形成されると共に、周
囲に絶縁層17が形成された主回路導体17が貫通される。
また、逆Ｕ字状がいし12には中央部に窪み13ａを設けた
電極13が埋め込まれ、接続電極13ｂを用いて主回路導体
15ａが固定される。
絶縁支持部の高さ方向の縮小化を図る。 【解決手段】 がいしベース16に固定される逆Ｕ字状が
いし12の開口部には、絶縁層14が形成されると共に、周
囲に絶縁層17が形成された主回路導体17が貫通される。
また、逆Ｕ字状がいし12には中央部に窪み13ａを設けた
電極13が埋め込まれ、接続電極13ｂを用いて主回路導体
15ａが固定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチギヤの収
納機器を相互接続する複数の主回路導体を支持固定する
貫通形絶縁支持装置に関する。
納機器を相互接続する複数の主回路導体を支持固定する
貫通形絶縁支持装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】代表的な受配電機器の一例を示す構成図
を図９に示す。同図において、外周を軟鋼板で気密に囲
まれた箱体１の内部は、ＳＦ6 ガスなどの絶縁ガス２が
密封されており、上方の室１ａには断路器３Ａ、下方に
室１ｂには遮断器３Ｂ及び上方の断路器３Ａと同形の断
路器３Ｃが収納されている。４は受電用のケーブルヘッ
ド、５は電力用ケーブル、６はケーブル５に貫通された
貫通形変流器であり、これにて受電されている。ここ
で、これらのガス中の収納機器は、主回路導体７により
相互が接続されている。また、主回路導体７は、がいし
ベース８に固定されたがいし９により支持固定されてい
る。なお、箱体１の天井部に設けた気中−ガスブッシン
グ10により、図面上下に列盤されている隣接盤の接続が
されている。
を図９に示す。同図において、外周を軟鋼板で気密に囲
まれた箱体１の内部は、ＳＦ6 ガスなどの絶縁ガス２が
密封されており、上方の室１ａには断路器３Ａ、下方に
室１ｂには遮断器３Ｂ及び上方の断路器３Ａと同形の断
路器３Ｃが収納されている。４は受電用のケーブルヘッ
ド、５は電力用ケーブル、６はケーブル５に貫通された
貫通形変流器であり、これにて受電されている。ここ
で、これらのガス中の収納機器は、主回路導体７により
相互が接続されている。また、主回路導体７は、がいし
ベース８に固定されたがいし９により支持固定されてい
る。なお、箱体１の天井部に設けた気中−ガスブッシン
グ10により、図面上下に列盤されている隣接盤の接続が
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなスイッチギ
ヤにおいて、主回路導体７は、箱体１のほぼ中間の高さ
に設けたケーブルヘッド４から下方の断路器３Ｃの下部
端子に接続され、その上部端子から遮断器３Ｂの下部端
子に接続される構成である。つまり、主回路導体７は断
路器３Ｃと遮断器３Ｂの間で往復することになる。な
お、遮断器３Ｂの上部端子からは上方の室１ａに接続さ
れている。
ヤにおいて、主回路導体７は、箱体１のほぼ中間の高さ
に設けたケーブルヘッド４から下方の断路器３Ｃの下部
端子に接続され、その上部端子から遮断器３Ｂの下部端
子に接続される構成である。つまり、主回路導体７は断
路器３Ｃと遮断器３Ｂの間で往復することになる。な
お、遮断器３Ｂの上部端子からは上方の室１ａに接続さ
れている。
【０００４】ここで、図９のＸ部の拡大図を図10に示
す。同図において、各接続導体７Ａ，７Ｂはそれぞれ個
々のがいし９に支持固定されており、がいし９は箱体１
に固定されたがいしベース８Ａ又は８Ｂに固定されてい
る。このように、収納機器に主回路導体７を設けて相互
を接続する構成は、例えば特開平5-219611号にも開示さ
れており、一般的に用いられるものである。
す。同図において、各接続導体７Ａ，７Ｂはそれぞれ個
々のがいし９に支持固定されており、がいし９は箱体１
に固定されたがいしベース８Ａ又は８Ｂに固定されてい
る。このように、収納機器に主回路導体７を設けて相互
を接続する構成は、例えば特開平5-219611号にも開示さ
れており、一般的に用いられるものである。
【０００５】ここで、配置された収納機器の絶縁ガス２
中の絶縁距離は、収納機器のスペースａと、主回路導体
７Ａを支持固定するがいし９の高さｂと、がいしベース
８Ａと主回路導体７Ｂ間のギャップｃと、主回路導体７
Ａを支持固定するがいし９の高さｄを全て加算したＬ１
が必要となる。この絶縁距離Ｌ１は、盤の奥行き寸法に
直接的に影響を与える。従って、主回路導体７Ａ，７Ｂ
などの電界緩和を行い絶縁距離の縮小化が図られている
が、構造的にａからｄまでの絶縁距離を保たなければな
らないので、盤の奥行き寸法の縮小化には限界があっ
た。これは、最近の趨勢である縮小化に逆行するもので
ある。本発明の目的は、複数の主回路導体を立体的に支
持固定し、がいしの高さ方向の縮小化を図る貫通形絶縁
支持装置を提供することにある。
中の絶縁距離は、収納機器のスペースａと、主回路導体
７Ａを支持固定するがいし９の高さｂと、がいしベース
８Ａと主回路導体７Ｂ間のギャップｃと、主回路導体７
Ａを支持固定するがいし９の高さｄを全て加算したＬ１
が必要となる。この絶縁距離Ｌ１は、盤の奥行き寸法に
直接的に影響を与える。従って、主回路導体７Ａ，７Ｂ
などの電界緩和を行い絶縁距離の縮小化が図られている
が、構造的にａからｄまでの絶縁距離を保たなければな
らないので、盤の奥行き寸法の縮小化には限界があっ
た。これは、最近の趨勢である縮小化に逆行するもので
ある。本発明の目的は、複数の主回路導体を立体的に支
持固定し、がいしの高さ方向の縮小化を図る貫通形絶縁
支持装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、両端が接地板に固定され、開口部には絶縁
層が形成された主回路導体を貫通させる絶縁支持部と、
絶縁支持部の開口部に形成された絶縁層に埋め込まれて
他の主回路導体を固定する電極とを有し、電極は貫通す
る主回路導体と対向する略中央部に窪みを備えて凹状と
され、絶縁層と一体でモールドしたことを要旨とする。
に本発明は、両端が接地板に固定され、開口部には絶縁
層が形成された主回路導体を貫通させる絶縁支持部と、
絶縁支持部の開口部に形成された絶縁層に埋め込まれて
他の主回路導体を固定する電極とを有し、電極は貫通す
る主回路導体と対向する略中央部に窪みを備えて凹状と
され、絶縁層と一体でモールドしたことを要旨とする。
【０００７】このような構成において、絶縁支持部の開
口部に形成された絶縁層に埋め込まれた電極の略中央部
に窪みを備えたことから、最大電界強度の位置が略中央
部から移動して低下するので、電極と対向する部分の絶
縁層表面の電界強度が抑制される。また、主回路導体に
絶縁層を形成させたことからも、絶縁層表面の電界強度
が抑制される。
口部に形成された絶縁層に埋め込まれた電極の略中央部
に窪みを備えたことから、最大電界強度の位置が略中央
部から移動して低下するので、電極と対向する部分の絶
縁層表面の電界強度が抑制される。また、主回路導体に
絶縁層を形成させたことからも、絶縁層表面の電界強度
が抑制される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の貫通形絶縁支持装
置の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本発
明の実施の形態を示す貫通形絶縁支持装置における主回
路導体の配置と固定を説明するための側面図である。同
図において、複数の主回路導体15ａ，15ｂは平行して配
置されており、収納機器に接続される主回路導体15ａ
は、箱体１に固定されたがいしベース16に取付けられた
逆Ｕ字状のがいし12の上部（がいしベース11とは反対
側）に支持固定される。また、箱体１側の主回路導体15
ｂは、逆Ｕ字状のがいし12の開口部を貫通して支持され
る。これにより、絶縁距離は、収納機器のスペースａ
と、主回路導体間15ａ，15ｂのギャップｃと、貫通させ
た主回路導体15ｂの絶縁距離ｄを加算したＬ２ですむこ
とになる。
置の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本発
明の実施の形態を示す貫通形絶縁支持装置における主回
路導体の配置と固定を説明するための側面図である。同
図において、複数の主回路導体15ａ，15ｂは平行して配
置されており、収納機器に接続される主回路導体15ａ
は、箱体１に固定されたがいしベース16に取付けられた
逆Ｕ字状のがいし12の上部（がいしベース11とは反対
側）に支持固定される。また、箱体１側の主回路導体15
ｂは、逆Ｕ字状のがいし12の開口部を貫通して支持され
る。これにより、絶縁距離は、収納機器のスペースａ
と、主回路導体間15ａ，15ｂのギャップｃと、貫通させ
た主回路導体15ｂの絶縁距離ｄを加算したＬ２ですむこ
とになる。
【０００９】また、主回路導体を縦からみた貫通部分の
断面図を図２に示す。逆Ｕ字状のがいしは、上部に電極
13が埋め込まれており、中央部に窪み13ａを持たせてい
る。また、絶縁層14には開口部14ａを形成させ、開口部
14ａに主回路導体15ｂを貫通させて両端部をがいしベー
ス16に固定している。主回路導体15ｂには、逆Ｕ字状の
がいし12と対向させて同軸状の絶縁層17を形成させ、が
いしベース16に固定している。なお、電極13には、接続
電極13ｂを用いて主回路導体15ａが固定されている。
断面図を図２に示す。逆Ｕ字状のがいしは、上部に電極
13が埋め込まれており、中央部に窪み13ａを持たせてい
る。また、絶縁層14には開口部14ａを形成させ、開口部
14ａに主回路導体15ｂを貫通させて両端部をがいしベー
ス16に固定している。主回路導体15ｂには、逆Ｕ字状の
がいし12と対向させて同軸状の絶縁層17を形成させ、が
いしベース16に固定している。なお、電極13には、接続
電極13ｂを用いて主回路導体15ａが固定されている。
【００１０】また、主回路導体を横からみた貫通部分を
図３に示す。主回路導体15ｂについて、逆Ｕ字状がいし
12を直線状に貫通させているが、絶縁層17が終わった部
分から上方に曲率半径Ｒを持たせて曲げている。ここ
で、絶縁層17は逆Ｕ字状のがいし12の幅以上の長さと
し、端部で主回路導体15ｂと接する部分の長さをｌ、角
度をθ、絶縁厚さをｔとすると、以下のような電界強度
特性が得られた。
図３に示す。主回路導体15ｂについて、逆Ｕ字状がいし
12を直線状に貫通させているが、絶縁層17が終わった部
分から上方に曲率半径Ｒを持たせて曲げている。ここ
で、絶縁層17は逆Ｕ字状のがいし12の幅以上の長さと
し、端部で主回路導体15ｂと接する部分の長さをｌ、角
度をθ、絶縁厚さをｔとすると、以下のような電界強度
特性が得られた。
【００１１】すなわち、埋め込み電極13のほぼ中央部に
窪み13ａを持たせているので、絶縁層14表面の電界強度
Ｅが低下する。これは、逆Ｕ字状のがいし12において、
最大電界強度が位置する個所は主回路導体15ｂが電極13
と対向する点であるので、この最短の線上の電極間距離
を広げることにより電界強度を抑制されるためである。
窪み13ａを持たせているので、絶縁層14表面の電界強度
Ｅが低下する。これは、逆Ｕ字状のがいし12において、
最大電界強度が位置する個所は主回路導体15ｂが電極13
と対向する点であるので、この最短の線上の電極間距離
を広げることにより電界強度を抑制されるためである。
【００１２】次に、逆Ｕ字状のがいし12に貫通させる主
回路導体15ｂの各部を検討し求めた構成を以下に示す。
図４は貫通させる主回路導体15ｂの絶縁層17の長さｌと
電界強度の関係を示す図である。同図において、絶縁層
17の長さｌを長くしていくと、電界強度の（ａ）絶対
値、（ｂ）接線成分、（ｃ）法線成分とも低下する。こ
れらの電界強度は、絶縁層17の端部の値である。ここ
で、横軸と平行に引いた直線（ｄ）は絶縁層17と電極13
の最短距離間に位置する最大電界強度であり、この最大
電界強度を下回る絶縁層の長さｌは10ｍｍ以上であるこ
とが分かる。また、この点では法線成分と接線成分が均
衡されているので、ガスギャップの電離と絶縁層沿面の
進展電界が同程度に抑制される。これより、絶縁層17の
長さは、逆Ｕ字状のがいしの幅より長く、10ｍｍ突出し
ていれば絶縁層17回りに位置する最大電界強度にならな
い。従って、耐電圧特性に影響を与えない絶縁層17の長
さにすることができる。なお、長さｌを10ｍｍ以上にで
きる場合は、電界強度が更に低下していくので耐電圧特
性に影響を与えなくなる。
回路導体15ｂの各部を検討し求めた構成を以下に示す。
図４は貫通させる主回路導体15ｂの絶縁層17の長さｌと
電界強度の関係を示す図である。同図において、絶縁層
17の長さｌを長くしていくと、電界強度の（ａ）絶対
値、（ｂ）接線成分、（ｃ）法線成分とも低下する。こ
れらの電界強度は、絶縁層17の端部の値である。ここ
で、横軸と平行に引いた直線（ｄ）は絶縁層17と電極13
の最短距離間に位置する最大電界強度であり、この最大
電界強度を下回る絶縁層の長さｌは10ｍｍ以上であるこ
とが分かる。また、この点では法線成分と接線成分が均
衡されているので、ガスギャップの電離と絶縁層沿面の
進展電界が同程度に抑制される。これより、絶縁層17の
長さは、逆Ｕ字状のがいしの幅より長く、10ｍｍ突出し
ていれば絶縁層17回りに位置する最大電界強度にならな
い。従って、耐電圧特性に影響を与えない絶縁層17の長
さにすることができる。なお、長さｌを10ｍｍ以上にで
きる場合は、電界強度が更に低下していくので耐電圧特
性に影響を与えなくなる。
【００１３】また、絶縁層17の角度θを変えたときの電
界強度を図５に示す。電界強度は、角度θが67度付近で
（ａ）の絶対値が低下し、（ｂ）の接線成分と（ｃ）の
法線成分が交差している。これは、ガスギャップの電離
に影響を与える法線成分と絶縁層17沿面の進展電界に影
響を与える接線成分が均衡されているので、耐電圧特性
が最も向上することになる。このことから、絶縁層17の
角度θを60〜70度とすればよいと考えられる。
界強度を図５に示す。電界強度は、角度θが67度付近で
（ａ）の絶対値が低下し、（ｂ）の接線成分と（ｃ）の
法線成分が交差している。これは、ガスギャップの電離
に影響を与える法線成分と絶縁層17沿面の進展電界に影
響を与える接線成分が均衡されているので、耐電圧特性
が最も向上することになる。このことから、絶縁層17の
角度θを60〜70度とすればよいと考えられる。
【００１４】また、絶縁層17の絶縁厚さｔを変えたとき
の電界強度を図６に示す。電界強度の絶対値であるが、
絶縁厚さｔが25ｍｍから30ｍｍの範囲で最低値を持つ特
性曲線となる。このため、この絶縁厚さの範囲では耐電
圧特性が最も向上することになる。絶縁層17が無い場合
のガスギャップｇとして絶縁層の比率を求めると、ｔ／
ｇ＝約40％となるが、30°〜45°であればよいと考えら
れる。
の電界強度を図６に示す。電界強度の絶対値であるが、
絶縁厚さｔが25ｍｍから30ｍｍの範囲で最低値を持つ特
性曲線となる。このため、この絶縁厚さの範囲では耐電
圧特性が最も向上することになる。絶縁層17が無い場合
のガスギャップｇとして絶縁層の比率を求めると、ｔ／
ｇ＝約40％となるが、30°〜45°であればよいと考えら
れる。
【００１５】ここで、絶縁層17の非誘電率は、互いの絶
縁層14，17を同等としたが、貫通する主回路導体15ｂ側
の絶縁層17の方の非誘電率を小さくすれば、電界強度が
更に低下する。これは、貫通する主回路導体15ｂが印加
された状態が最も電界強度が高くなり、最大電界強度が
電極13と対向する絶縁層17表面に位置するため、ガスギ
ャップの電位分担を抑制するために非誘電率を小さくす
れば効果ができるためである。
縁層14，17を同等としたが、貫通する主回路導体15ｂ側
の絶縁層17の方の非誘電率を小さくすれば、電界強度が
更に低下する。これは、貫通する主回路導体15ｂが印加
された状態が最も電界強度が高くなり、最大電界強度が
電極13と対向する絶縁層17表面に位置するため、ガスギ
ャップの電位分担を抑制するために非誘電率を小さくす
れば効果ができるためである。
【００１６】非誘電率を小さくすることは、例えばエポ
キシ樹脂ではシリカなどの充填材の粒径を小さくすれば
低くなる傾向にある。また、テフロンやポリエチレンな
どの低誘電率材料を用いてもよい。
キシ樹脂ではシリカなどの充填材の粒径を小さくすれば
低くなる傾向にある。また、テフロンやポリエチレンな
どの低誘電率材料を用いてもよい。
【００１７】貫通の主回路導体15ｂは、貫通部が直線状
となっているが、絶縁層17が終わった部分より曲率半径
Ｒを持たせて主回路導体15ｂの電界強度を若干上昇させ
ている。これにより、がいしベース16との耐電圧特性が
最も低くなる。従って、万が一過大のサージ電圧が侵入
してフラッシオーバを起こすとしたら、対地間で起こる
ことになり、上方の主回路導体15ａとの間で起こること
はない。つまり、同相極間や相間でフラッシオーバが起
きないので絶縁協調が取れた絶縁構成にすることができ
る。
となっているが、絶縁層17が終わった部分より曲率半径
Ｒを持たせて主回路導体15ｂの電界強度を若干上昇させ
ている。これにより、がいしベース16との耐電圧特性が
最も低くなる。従って、万が一過大のサージ電圧が侵入
してフラッシオーバを起こすとしたら、対地間で起こる
ことになり、上方の主回路導体15ａとの間で起こること
はない。つまり、同相極間や相間でフラッシオーバが起
きないので絶縁協調が取れた絶縁構成にすることができ
る。
【００１８】次に、貫通する主回路導体18の貫通部を細
径にした構成を図７に示す。絶縁層19は図３と同様な外
形でモールドにより設けられている。これにより、貫通
部の電界強度が抑制されて、高い耐電圧特性が得られ
る。
径にした構成を図７に示す。絶縁層19は図３と同様な外
形でモールドにより設けられている。これにより、貫通
部の電界強度が抑制されて、高い耐電圧特性が得られ
る。
【００１９】また、図８に絶縁層21の接地側に開口部21
ａを設けた構成を示す。主回路導体20は直線状である
が、図７のように貫通部を細径にしてもよい。これによ
り、絶縁層21がより同軸状になり電界強度の分布が乱れ
なくなり、耐電圧特性を安定させることができる。
ａを設けた構成を示す。主回路導体20は直線状である
が、図７のように貫通部を細径にしてもよい。これによ
り、絶縁層21がより同軸状になり電界強度の分布が乱れ
なくなり、耐電圧特性を安定させることができる。
【００２０】これらのことより、主回路導体の対地間絶
縁と導体間絶縁の絶縁距離を最小とすることができ、盤
の奥行き寸法の縮小化を図られる。他の実施例として、
複数の主回路導体が斜交または直角に配置される場合に
おいても、逆Ｕ字状のがいしを回転させて貫通する主回
路導体と平行させれば同様の効果があり縮小化が図れ
る。
縁と導体間絶縁の絶縁距離を最小とすることができ、盤
の奥行き寸法の縮小化を図られる。他の実施例として、
複数の主回路導体が斜交または直角に配置される場合に
おいても、逆Ｕ字状のがいしを回転させて貫通する主回
路導体と平行させれば同様の効果があり縮小化が図れ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、両端が
接地板に固定され、開口部には絶縁層が形成された主回
路導体を貫通させる絶縁支持部と、絶縁支持部の開口部
に形成された絶縁層に埋め込まれて他の主回路導体を固
定する電極とを有し、電極は貫通する主回路導体と対向
する略中央部に窪みを備えて凹状とされ、絶縁層と一体
でモールドしたので、電界強度を抑制して耐電圧特性を
向上させ、絶縁支持部の高さ方向の縮小化を図ることが
できる。
接地板に固定され、開口部には絶縁層が形成された主回
路導体を貫通させる絶縁支持部と、絶縁支持部の開口部
に形成された絶縁層に埋め込まれて他の主回路導体を固
定する電極とを有し、電極は貫通する主回路導体と対向
する略中央部に窪みを備えて凹状とされ、絶縁層と一体
でモールドしたので、電界強度を抑制して耐電圧特性を
向上させ、絶縁支持部の高さ方向の縮小化を図ることが
できる。
【図１】本発明の貫通形絶縁支持装置の第１の実施の形
態を示す主回路導体の配置と固定について説明するため
の側面図。
態を示す主回路導体の配置と固定について説明するため
の側面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態を示す貫通形絶縁支
持装置の縦方向からみた断面図。
持装置の縦方向からみた断面図。
【図３】本発明の第１の実施の形態を示す貫通形絶縁支
持装置の横方向からみた断面図。
持装置の横方向からみた断面図。
【図４】本発明の第１の実施の形態を示す貫通形絶縁支
持装置の電気的特性を説明するための図。
持装置の電気的特性を説明するための図。
【図５】本発明の第１の実施の形態を示す貫通形絶縁支
持装置の電気的特性を説明するための図。
持装置の電気的特性を説明するための図。
【図６】本発明の第１の実施の形態を示す貫通形絶縁支
持装置の電気的特性を説明するための図。
持装置の電気的特性を説明するための図。
【図７】本発明の第２の実施の形態を示す貫通形絶縁支
持装置に貫通される主回路電極の貫通部分の拡大断面
図。
持装置に貫通される主回路電極の貫通部分の拡大断面
図。
【図８】本発明の第３の実施の形態を示す貫通形絶縁支
持装置に貫通される主回路電極の貫通部分の拡大断面
図。
持装置に貫通される主回路電極の貫通部分の拡大断面
図。
【図９】従来の絶縁支持装置を説明するための図。
【図10】［図９］のＸ部の拡大断面図。
12…逆Ｕ字状がいし、13…電極、14，17，19，21…絶縁
層、15ａ，15ｂ，18，20…主回路導体
層、15ａ，15ｂ，18，20…主回路導体
Claims (9)
- 【請求項１】 両端が接地板に固定され、開口部には周
囲に絶縁層が形成された主回路導体を貫通させる絶縁支
持部と、絶縁支持部の開口部に形成された絶縁層に埋め
込まれて他の主回路導体を固定する電極とを有し、前記
電極は前記貫通する主回路導体と対向する略中央部に窪
みを備えて凹状とされ、絶縁層と一体でモールドしたこ
とを特徴とする貫通形絶縁支持装置。 - 【請求項２】 両端が接地板に固定され、開口部に主回
路導体を貫通させる絶縁支持部と、絶縁支持部に貫通さ
せた主回路導体に同軸状に形成された第１の絶縁層と、
前記絶縁支持部の開口部に形成された第２の絶縁層とを
有し、前記第２の絶縁層の内面で、該絶縁層と同一方向
の接地板に前記第１の絶縁層の突出部を固定させたこと
を特徴とする貫通形絶縁支持装置。 - 【請求項３】 前記第１の絶縁層の長さは、逆Ｕ字状の
がいしの幅より長く、10ｎｍ以上としたことを特徴とす
る請求項２記載の貫通形絶縁支持装置。 - 【請求項４】 前記第１の絶縁層は、貫通された主回路
導体と接する角度60〜70度で形成されたことを特徴とす
る請求項２記載の貫通形絶縁支持装置。 - 【請求項５】 前記第１の絶縁層は、該絶縁層の絶縁厚
さをｔとし、該絶縁層がない場合の前記第２の絶縁層と
のギャップをｇとしたとき、ｔ／ｇの比を30〜45％とし
たことを特徴とする請求項２記載の貫通形絶縁支持装
置。 - 【請求項６】 前記第１の絶縁層の非誘電率を前記第２
の絶縁層より小さくしたことを特徴とする請求項２記載
の貫通形絶縁支持装置。 - 【請求項７】 両端が接地板に固定され、開口部に絶縁
層を形成させた絶縁支持部に主回路導体が貫通され、該
主回路導体の所定部分には絶縁層を形成し、絶縁層が形
成されない部分は所定の曲率を持たせて曲げたことを特
徴とする貫通形絶縁支持装置。 - 【請求項８】 両端が接地板に固定され、開口部に絶縁
層を形成させた絶縁支持部に主回路導体を貫通させ、該
主回路導体の貫通部分は他の部分より細径にしたことを
特徴とする貫通形絶縁支持装置。 - 【請求項９】 両端が接地板に固定され、開口部に絶縁
層を形成させた絶縁支持部に主回路導体が貫通され、該
主回路導体と同軸上に絶縁層を形成させると共に該絶縁
層の支持固定部に開口部を設けたことを特徴とする貫通
形絶縁支持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24596396A JP3367838B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 貫通形絶縁支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24596396A JP3367838B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 貫通形絶縁支持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1094115A true JPH1094115A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3367838B2 JP3367838B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=17141453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24596396A Expired - Fee Related JP3367838B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 貫通形絶縁支持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3367838B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4865718B2 (ja) * | 2004-10-04 | 2012-02-01 | アレバ・ティー・アンド・ディー・アーゲー | 導電体用絶縁支持ディスク及び該ディスクを備える電気アセンブリ |
-
1996
- 1996-09-18 JP JP24596396A patent/JP3367838B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4865718B2 (ja) * | 2004-10-04 | 2012-02-01 | アレバ・ティー・アンド・ディー・アーゲー | 導電体用絶縁支持ディスク及び該ディスクを備える電気アセンブリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3367838B2 (ja) | 2003-01-20 |
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