JPH1093199A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH1093199A5
JPH1093199A5 JP1997197627A JP19762797A JPH1093199A5 JP H1093199 A5 JPH1093199 A5 JP H1093199A5 JP 1997197627 A JP1997197627 A JP 1997197627A JP 19762797 A JP19762797 A JP 19762797A JP H1093199 A5 JPH1093199 A5 JP H1093199A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
emitting device
semiconductor light
compound semiconductor
gallium nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1997197627A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPH1093199A (ja
JP3988961B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP19762797A priority Critical patent/JP3988961B2/ja
Priority claimed from JP19762797A external-priority patent/JP3988961B2/ja
Publication of JPH1093199A publication Critical patent/JPH1093199A/ja
Publication of JPH1093199A5 publication Critical patent/JPH1093199A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3988961B2 publication Critical patent/JP3988961B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP19762797A 1996-07-25 1997-07-23 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3988961B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19762797A JP3988961B2 (ja) 1996-07-25 1997-07-23 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19670796 1996-07-25
JP8-196707 1996-07-25
JP19762797A JP3988961B2 (ja) 1996-07-25 1997-07-23 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPH1093199A JPH1093199A (ja) 1998-04-10
JPH1093199A5 true JPH1093199A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) 2005-05-19
JP3988961B2 JP3988961B2 (ja) 2007-10-10

Family

ID=26509921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19762797A Expired - Fee Related JP3988961B2 (ja) 1996-07-25 1997-07-23 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3988961B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3459607B2 (ja) 1999-03-24 2003-10-20 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子およびその製造方法
CN100379105C (zh) 2003-06-27 2008-04-02 日亚化学工业株式会社 具有电流狭窄层的氮化物半导体激光器元件及其制造方法
JP4534435B2 (ja) * 2003-06-27 2010-09-01 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
JP4534444B2 (ja) * 2003-07-10 2010-09-01 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
JP2007234796A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法
JP4821390B2 (ja) * 2006-03-17 2011-11-24 日本電気株式会社 自励発振型半導体レーザ
JP4954691B2 (ja) 2006-12-13 2012-06-20 パナソニック株式会社 窒化物半導体レーザ装置の製造方法及び窒化物半導体レーザ装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3957359B2 (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
CN100452582C (zh) 半导体激光器及其生产方法
JP3917223B2 (ja) 半導体発光素子の製法
JPH1056236A (ja) ３族窒化物半導体レーザ素子
JPH1093199A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
US6503769B2 (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
JPH10335701A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP3432909B2 (ja) 半導体レーザ
EP0929109B1 (en) Method for manufacturing a semiconductor light emitting device
JP2003046117A (ja) 半導体発光素子の製造方法
JPH11204833A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP3778769B2 (ja) 化合物半導体表面の安定化方法、それを用いた半導体レーザ素子の製造方法、および半導体レーザ素子等の半導体素子
JP2001007443A (ja) 半導体発光装置の製造方法
JPH11340573A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JPH0513881A (ja) 半導体レーザの製造方法
JP3767031B2 (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JPH0137871B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP4826019B2 (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
JP3219969B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP2004055881A (ja) 光半導体装置の製造方法
TW439335B (en) A semiconductor laser and the fabrication method thereof
JPH05275802A (ja) 半導体レーザの製造方法
JPS6025287A (ja) 化合物半導体装置およびその製造方法
JPH0138390B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JPS61184894A (ja) 半導体光素子