JPH1092987A - 半導体装置の冷却構造 - Google Patents
半導体装置の冷却構造Info
- Publication number
- JPH1092987A JPH1092987A JP24298196A JP24298196A JPH1092987A JP H1092987 A JPH1092987 A JP H1092987A JP 24298196 A JP24298196 A JP 24298196A JP 24298196 A JP24298196 A JP 24298196A JP H1092987 A JPH1092987 A JP H1092987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- substance
- cooling structure
- frame
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 本発明は、構造が簡単で冷却効率、即ち温度
上昇の抑制効果に優れ、小型化が可能な半導体装置の冷
却構造を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体装置１の冷却構造は、耐
熱温度Ｔ（℃）の半導体装置に、Ｔ−５０≦ｔ≦Ｔなる
熱的転移点ｔ（℃）を持つ物質３を、直接又は間接的に
接して配設している。
上昇の抑制効果に優れ、小型化が可能な半導体装置の冷
却構造を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体装置１の冷却構造は、耐
熱温度Ｔ（℃）の半導体装置に、Ｔ−５０≦ｔ≦Ｔなる
熱的転移点ｔ（℃）を持つ物質３を、直接又は間接的に
接して配設している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーダイオー
ド、パワートランジスタ等の素子、及びこれらを組み込
んだマイクロプロセッサ等の高電力半導体装置の冷却構
造に関するものである。
ド、パワートランジスタ等の素子、及びこれらを組み込
んだマイクロプロセッサ等の高電力半導体装置の冷却構
造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上記のような素子又は半導体装置（以
下、半導体装置という。）では、温度上昇が装置自体を
破壊するため冷却はきわめて重要である。従来、半導体
装置の冷却構造としては、一般に冷却用のフィンを備え
た放熱板を半導体装置に接するように配設したものが知
られている。
下、半導体装置という。）では、温度上昇が装置自体を
破壊するため冷却はきわめて重要である。従来、半導体
装置の冷却構造としては、一般に冷却用のフィンを備え
た放熱板を半導体装置に接するように配設したものが知
られている。
【０００３】この放熱板は、熱伝導性が高いほど冷却効
率がよいことから、アルミニウム、アルミニウム合金等
の金属や、セラミックス等が用いられているが、近年の
半導体装置の高速化、大容量化による発熱量の増大化に
伴い、放熱板を大型化したり、冷却用フィンの形状を複
雑にしてその放熱用表面積を大きくしたり、また、強制
冷却用のファンを別に設ける等の工夫がなされている。
率がよいことから、アルミニウム、アルミニウム合金等
の金属や、セラミックス等が用いられているが、近年の
半導体装置の高速化、大容量化による発熱量の増大化に
伴い、放熱板を大型化したり、冷却用フィンの形状を複
雑にしてその放熱用表面積を大きくしたり、また、強制
冷却用のファンを別に設ける等の工夫がなされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の半導体装置の冷却構造では、放熱板の大型化、複雑化
等のためにコスト高となるうえに、それらを組み込む電
子機器の小型化を妨げる等の不利がある。本発明者は、
上記従来の冷却構造の問題点に鑑み、半導体装置の冷却
構造を大きくせずに半導体装置の温度上昇を抑制するた
めには、物質の持つ潜熱を利用した冷却構造にすればよ
いことに着眼した。したがって、本発明の課題は、物質
の持つ潜熱を利用し、構造が簡単で冷却効率、即ち温度
上昇の抑制効果に優れ、小型化が可能な半導体装置の冷
却構造を提供することにある。
の半導体装置の冷却構造では、放熱板の大型化、複雑化
等のためにコスト高となるうえに、それらを組み込む電
子機器の小型化を妨げる等の不利がある。本発明者は、
上記従来の冷却構造の問題点に鑑み、半導体装置の冷却
構造を大きくせずに半導体装置の温度上昇を抑制するた
めには、物質の持つ潜熱を利用した冷却構造にすればよ
いことに着眼した。したがって、本発明の課題は、物質
の持つ潜熱を利用し、構造が簡単で冷却効率、即ち温度
上昇の抑制効果に優れ、小型化が可能な半導体装置の冷
却構造を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の冷
却構造では、半導体装置の耐熱温度Ｔ（℃）に対し、Ｔ
−５０≦ｔ≦Ｔなる熱的転移点ｔ（℃）を持つ物質を、
半導体装置に直接又は間接的に接するように配設してい
る。本発明の半導体装置の冷却構造に用いられる物質の
熱的転移としては、融点、ガラス転移点、沸点等がある
が、使用環境を考慮し、取り扱いが容易であり、また熱
量も大きな融点とすることが最も好ましい。
却構造では、半導体装置の耐熱温度Ｔ（℃）に対し、Ｔ
−５０≦ｔ≦Ｔなる熱的転移点ｔ（℃）を持つ物質を、
半導体装置に直接又は間接的に接するように配設してい
る。本発明の半導体装置の冷却構造に用いられる物質の
熱的転移としては、融点、ガラス転移点、沸点等がある
が、使用環境を考慮し、取り扱いが容易であり、また熱
量も大きな融点とすることが最も好ましい。
【０００６】半導体装置の耐熱温度Ｔ（℃）に対し、Ｔ
−５０≦ｔ≦Ｔなる熱的転移点ｔ（℃）を持つ物質（以
下、転移物質という。）としては、Ｔが８５℃の場合、
融点が３５〜８５℃の範囲にある物質とすれば良い。こ
のような物質としては、例えば、ナフタレン（融点８
０．２℃）、アセトアミド（同８１．９℃）、クロロ酢
酸（同６０．８℃）、トリクロロ酢酸（同５９．１
℃）、ｌ，２，４，５，−テトラメチルベンゼン（同７
９．２℃）、パルミチン酸（同５４．８℃）、グリコー
ル酸（同７７．８℃）やナフタレンとカテコール（同７
２．５℃）、ナフタレンとフェナントレンの共融混合物
（同５１．０℃）、ヒドロキノンとショウノウ（同４
９．１℃）、ヒドロキノンとアセトアニリド（同７７．
５℃）、ピロガロールとｐ−トルイジン（同５３．８
℃：ｐ−トルイジン５８モル％、同３６℃：ｐ−トルイ
ジン８７．８モル％、ｏ−フェニレンジアミンとｍ−ア
ミノフェノール（同６３℃）等が挙げられるが、この中
でも、毒性が少なく、安価で取り扱いが容易なナフタレ
ンを用いることが好ましい。上記転移物質は単独で用い
ても良く、また複数を組み合わせて用いても良いが、複
数を組み合わせた場合には、複数段階の温度で温度上昇
の抑制を図ることができるのでより好ましい。
−５０≦ｔ≦Ｔなる熱的転移点ｔ（℃）を持つ物質（以
下、転移物質という。）としては、Ｔが８５℃の場合、
融点が３５〜８５℃の範囲にある物質とすれば良い。こ
のような物質としては、例えば、ナフタレン（融点８
０．２℃）、アセトアミド（同８１．９℃）、クロロ酢
酸（同６０．８℃）、トリクロロ酢酸（同５９．１
℃）、ｌ，２，４，５，−テトラメチルベンゼン（同７
９．２℃）、パルミチン酸（同５４．８℃）、グリコー
ル酸（同７７．８℃）やナフタレンとカテコール（同７
２．５℃）、ナフタレンとフェナントレンの共融混合物
（同５１．０℃）、ヒドロキノンとショウノウ（同４
９．１℃）、ヒドロキノンとアセトアニリド（同７７．
５℃）、ピロガロールとｐ−トルイジン（同５３．８
℃：ｐ−トルイジン５８モル％、同３６℃：ｐ−トルイ
ジン８７．８モル％、ｏ−フェニレンジアミンとｍ−ア
ミノフェノール（同６３℃）等が挙げられるが、この中
でも、毒性が少なく、安価で取り扱いが容易なナフタレ
ンを用いることが好ましい。上記転移物質は単独で用い
ても良く、また複数を組み合わせて用いても良いが、複
数を組み合わせた場合には、複数段階の温度で温度上昇
の抑制を図ることができるのでより好ましい。
【０００７】本発明の冷却構造に用いられる転移物質の
熱的転移点ｔが、Ｔ−５０≦ｔ≦Ｔの範囲内にない場
合、即ちＴ−５０（℃）より低いと、熱的転移が起きる
のが早過ぎ、肝心なときに温度上昇の抑制効果を発揮し
ないおそれがあり、また、熱的転移点ｔが、Ｔ（℃）よ
り高いと、温度上昇の抑制効果を発揮しないまま半導体
装置の耐熱温度を超えてしまう。
熱的転移点ｔが、Ｔ−５０≦ｔ≦Ｔの範囲内にない場
合、即ちＴ−５０（℃）より低いと、熱的転移が起きる
のが早過ぎ、肝心なときに温度上昇の抑制効果を発揮し
ないおそれがあり、また、熱的転移点ｔが、Ｔ（℃）よ
り高いと、温度上昇の抑制効果を発揮しないまま半導体
装置の耐熱温度を超えてしまう。
【０００８】また、転移物質の量は、少なすぎると転移
がすぐに完了してしまうので温度上昇の抑制効果が弱
く、多過ぎると半導体装置の冷却構造全体が大きくなっ
て好ましくないので、適用しようとする半導体装置や、
併用する冷却構造に応じて適宜選択して決定することが
良い。例えば、半導体装置が、耐熱温度が１０５℃で、
発熱量が稼働時１８０Ｊ／分、待機時ｌＪ／分以下、通
常使用時の連続稼働時間が３分程度のもので、転移物質
としてナフタレンを選択した場合には、ナフタレンの量
は、５〜２０ｇ程度が好ましい。
がすぐに完了してしまうので温度上昇の抑制効果が弱
く、多過ぎると半導体装置の冷却構造全体が大きくなっ
て好ましくないので、適用しようとする半導体装置や、
併用する冷却構造に応じて適宜選択して決定することが
良い。例えば、半導体装置が、耐熱温度が１０５℃で、
発熱量が稼働時１８０Ｊ／分、待機時ｌＪ／分以下、通
常使用時の連続稼働時間が３分程度のもので、転移物質
としてナフタレンを選択した場合には、ナフタレンの量
は、５〜２０ｇ程度が好ましい。
【０００９】本発明の半導体装置の冷却構造は、上記転
移物質を直接あるいは容器の底壁等を介して間接的に半
導体装置に接して配設する。転移物質を直接的に半導体
装置に接して配設する例としては、半導体装置の上面
に、従来公知の熱伝導率の高い適宜の材料、例えば、ア
ルミニウム、アルミニウム合金、アルミナ、窒化アルミ
ニウム等からなる底の無い枠を接着剤を用いて設け、そ
の枠中に溶融させた転移物質を入れ、枠の上面に上記同
様の材料からなる蓋をして密封する方法が一例として挙
げられる。
移物質を直接あるいは容器の底壁等を介して間接的に半
導体装置に接して配設する。転移物質を直接的に半導体
装置に接して配設する例としては、半導体装置の上面
に、従来公知の熱伝導率の高い適宜の材料、例えば、ア
ルミニウム、アルミニウム合金、アルミナ、窒化アルミ
ニウム等からなる底の無い枠を接着剤を用いて設け、そ
の枠中に溶融させた転移物質を入れ、枠の上面に上記同
様の材料からなる蓋をして密封する方法が一例として挙
げられる。
【００１０】また、転移物質を間接的に半導体装置に接
して配設する例としては、上記同様の熱伝導率の高い材
料からなる冷却用フィン付き容器に、溶融させた転移物
質を注入封止し、この容器を半導体装置上に接着配置す
る方法がある。この際、使用する接着剤としては、アル
ミナ（Ａｌ2 ０3 ）、ベリリア（ＢｅＯ）、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）等の熱伝導性付
与フィラーを含む接着剤を使用することが良く、また、
密着性を良くするために、上記熱伝導性付与フィラーを
含むシリコーンゴム、フッ素ゴム等のシートを介して接
着して配置しても良い。なお、組立時のハンドリング、
製品として使用した際の転移物費の外部への流出を防止
する点からは、上記後者の間接的に配置する例のものが
望ましい。転移物質を直接的に配置するにしても、また
間接的に接して配置するにしても、例えばナフタレンの
ような、昇華性を有する物質を使用する場合は、昇華に
対応できるだけの耐圧性の密閉構造を適宜選択して採用
することが望ましい。本発明の半導体装置の冷却構造
は、さらに放熱板、強制冷却用のファン等、従来公知の
他の冷却装置と併用してもよく、これにより冷却効果を
一層高めることができる。
して配設する例としては、上記同様の熱伝導率の高い材
料からなる冷却用フィン付き容器に、溶融させた転移物
質を注入封止し、この容器を半導体装置上に接着配置す
る方法がある。この際、使用する接着剤としては、アル
ミナ（Ａｌ2 ０3 ）、ベリリア（ＢｅＯ）、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）等の熱伝導性付
与フィラーを含む接着剤を使用することが良く、また、
密着性を良くするために、上記熱伝導性付与フィラーを
含むシリコーンゴム、フッ素ゴム等のシートを介して接
着して配置しても良い。なお、組立時のハンドリング、
製品として使用した際の転移物費の外部への流出を防止
する点からは、上記後者の間接的に配置する例のものが
望ましい。転移物質を直接的に配置するにしても、また
間接的に接して配置するにしても、例えばナフタレンの
ような、昇華性を有する物質を使用する場合は、昇華に
対応できるだけの耐圧性の密閉構造を適宜選択して採用
することが望ましい。本発明の半導体装置の冷却構造
は、さらに放熱板、強制冷却用のファン等、従来公知の
他の冷却装置と併用してもよく、これにより冷却効果を
一層高めることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、例
示した図面に基づいて説明する。図１は、本発明に係る
半導体装置の冷却構造の転移物質を半導体装置に直載し
たものの一例を示す模式的断面図であり、図２は、転移
物質を半導体装置に間接的に載置したものの一例を示す
模式的断面図である。図１に示す冷却構造は、半導体装
置１の上面にアルミニウム製の底の無い枠２を配設して
接着し、その枠２内に転移物質３を溶融させて流し込
み、固化させ、枠２上にアルミニウム製の蓋４をして密
封している。なお、図１では、蓋４には、放熱用ないし
冷却用フィンのないものを示したが、このものは図２に
見られるようにフィンを設けたものであっても良い。ま
た、蓋４は、枠２端面に載置したものを示したが、これ
は枠壁にメスネジを蓋４に、オスネジを設けて螺着（シ
ールネジ）しても良い。
示した図面に基づいて説明する。図１は、本発明に係る
半導体装置の冷却構造の転移物質を半導体装置に直載し
たものの一例を示す模式的断面図であり、図２は、転移
物質を半導体装置に間接的に載置したものの一例を示す
模式的断面図である。図１に示す冷却構造は、半導体装
置１の上面にアルミニウム製の底の無い枠２を配設して
接着し、その枠２内に転移物質３を溶融させて流し込
み、固化させ、枠２上にアルミニウム製の蓋４をして密
封している。なお、図１では、蓋４には、放熱用ないし
冷却用フィンのないものを示したが、このものは図２に
見られるようにフィンを設けたものであっても良い。ま
た、蓋４は、枠２端面に載置したものを示したが、これ
は枠壁にメスネジを蓋４に、オスネジを設けて螺着（シ
ールネジ）しても良い。
【００１２】また、図２で示す冷却構造は、上面に冷却
用フィン５を設けた冷却用容器６に、溶融させた転移物
質３’を流し込み、固化させたり、あるいは予め容器収
納部形状と同形としたものを嵌め込んだりして密封した
もので、これを半導体装置１’の上面に熱伝導性の接着
剤等で接着させている。以上のように本発明の冷却構造
では、転移物質３，３’を直接あるいは間接的に半導体
装置に接して配設させた構造とすることにより、転移物
質の持つ潜熱により半導体装置の温度上昇を抑制するこ
とができると共に冷却構造をコンパクトなものとするこ
とができる。
用フィン５を設けた冷却用容器６に、溶融させた転移物
質３’を流し込み、固化させたり、あるいは予め容器収
納部形状と同形としたものを嵌め込んだりして密封した
もので、これを半導体装置１’の上面に熱伝導性の接着
剤等で接着させている。以上のように本発明の冷却構造
では、転移物質３，３’を直接あるいは間接的に半導体
装置に接して配設させた構造とすることにより、転移物
質の持つ潜熱により半導体装置の温度上昇を抑制するこ
とができると共に冷却構造をコンパクトなものとするこ
とができる。
【００１３】
【実施例】次に本発明の半導体装置の冷却構造における
実施例、比較例を挙げる。 ［実施例１］図１に示したと同様に、ＣＰＵボード上の
マイクロプロセッサ（動作電力２Ｗ、耐熱温度１０５
℃、２０ｍｍ□）１の上面に、アルミニウム製の底の無
い（高さ５ｍｍ、厚さｌｍｍ）枠２をエポキシ樹脂系接
着剤で接着し、この枠２の中に、８５℃で溶融させたナ
フタレン３を２．２ｇ注入した後、エポキシ樹脂系接着
剤で、厚さ１ｍｍ、２０ｍｍ□のアルミニウム製の蓋４
をして密封して、本発明の半導体装置の冷却構造を作製
した。次いで、この冷却構造を用いて、周囲の気温２７
℃で、マイクロプロセッサ１の表面の定常温度を測定し
たところ、８０℃を保っていた。
実施例、比較例を挙げる。 ［実施例１］図１に示したと同様に、ＣＰＵボード上の
マイクロプロセッサ（動作電力２Ｗ、耐熱温度１０５
℃、２０ｍｍ□）１の上面に、アルミニウム製の底の無
い（高さ５ｍｍ、厚さｌｍｍ）枠２をエポキシ樹脂系接
着剤で接着し、この枠２の中に、８５℃で溶融させたナ
フタレン３を２．２ｇ注入した後、エポキシ樹脂系接着
剤で、厚さ１ｍｍ、２０ｍｍ□のアルミニウム製の蓋４
をして密封して、本発明の半導体装置の冷却構造を作製
した。次いで、この冷却構造を用いて、周囲の気温２７
℃で、マイクロプロセッサ１の表面の定常温度を測定し
たところ、８０℃を保っていた。
【００１４】［比較例１］実施例１に対し、同じマイク
ロプロセッサ１を用い、ナフタレンの替わりに、四臭化
スズ（融点２９．８℃）を使用し、マイクロプロセッサ
１の表面の定常温度を測定したところ、作動上限を超え
て、１３２℃まで上昇した。
ロプロセッサ１を用い、ナフタレンの替わりに、四臭化
スズ（融点２９．８℃）を使用し、マイクロプロセッサ
１の表面の定常温度を測定したところ、作動上限を超え
て、１３２℃まで上昇した。
【００１５】［実施例２］図２に示したと同様に、冷却
用フィン５（厚さ１ｍｍ、高さ３ｍｍ、間隔１ｍｍ、枚
数１６枚）を備えたアルミニウム製の冷却用容器６（外
寸高さ１２ｍｍ、３１ｍｍ×３１ｍｍ、内寸高さ７ｍ
ｍ、２９ｍｍ×２９ｍｍ、肉厚１ｍｍ）の注入口（図示
せず）から、ナフタレン３’を７．２ｇ注入し、溶接に
より注入口を塞いだ。これを熱伝導性シリコーンゴム系
接着剤を介して、ＣＰＵボード上のマイクロプロセッサ
（動作電力５Ｗ、耐熱温度１０５℃、３０ｍｍ□）１’
の上面に接着して、本発明の半導体装置の冷却構造を作
製した。この冷却構造を用いて、周囲の気温２７゜Ｃ
で、マイクロプロセッサ１’の表面の定常温度を測定し
たところ、８０℃を保っていた。
用フィン５（厚さ１ｍｍ、高さ３ｍｍ、間隔１ｍｍ、枚
数１６枚）を備えたアルミニウム製の冷却用容器６（外
寸高さ１２ｍｍ、３１ｍｍ×３１ｍｍ、内寸高さ７ｍ
ｍ、２９ｍｍ×２９ｍｍ、肉厚１ｍｍ）の注入口（図示
せず）から、ナフタレン３’を７．２ｇ注入し、溶接に
より注入口を塞いだ。これを熱伝導性シリコーンゴム系
接着剤を介して、ＣＰＵボード上のマイクロプロセッサ
（動作電力５Ｗ、耐熱温度１０５℃、３０ｍｍ□）１’
の上面に接着して、本発明の半導体装置の冷却構造を作
製した。この冷却構造を用いて、周囲の気温２７゜Ｃ
で、マイクロプロセッサ１’の表面の定常温度を測定し
たところ、８０℃を保っていた。
【００１６】［比較例２］実施例２に対し、ナフタレン
のかわりに四臭化チタン（融点３８．２℃）を使用し、
マイクロプロセッサ１’の表面の定常温度を測定したと
ころ、作動上限を超えて、１４３℃まで上昇した。以上
の結果より、本発明の冷却構造による温度上昇の抑制効
果が顕著であることが判る。
のかわりに四臭化チタン（融点３８．２℃）を使用し、
マイクロプロセッサ１’の表面の定常温度を測定したと
ころ、作動上限を超えて、１４３℃まで上昇した。以上
の結果より、本発明の冷却構造による温度上昇の抑制効
果が顕著であることが判る。
【００１７】［実施例３］窒化アルミニウムを５０％含
むＰＰＳ樹脂（ガラス転移点８５℃）を用いて、冷却用
フィン（厚さ１ｍｍ、高さ３ｍｍ、間隔１ｍｍ、枚数１
６枚）を上面に備えた、外寸高さ１２ｍｍ、３１ｍｍ×
３１ｍｍ冷却用成形体を作製し、実施例２で使用したマ
イクロプロセッサの上面に、熱伝導性シリコーンゴムか
らなる放熱シート（厚さ０．３ｍｍ）をシリコーン系接
着剤（厚さ２０μｍ）を用いて接着し、本発明の半導体
装置の冷却構造を作製した。この冷却構造を用いて、周
囲の気温２７℃でマイクロプロセッサの表面の定常温度
を測定したところ、８５℃を保っていた。
むＰＰＳ樹脂（ガラス転移点８５℃）を用いて、冷却用
フィン（厚さ１ｍｍ、高さ３ｍｍ、間隔１ｍｍ、枚数１
６枚）を上面に備えた、外寸高さ１２ｍｍ、３１ｍｍ×
３１ｍｍ冷却用成形体を作製し、実施例２で使用したマ
イクロプロセッサの上面に、熱伝導性シリコーンゴムか
らなる放熱シート（厚さ０．３ｍｍ）をシリコーン系接
着剤（厚さ２０μｍ）を用いて接着し、本発明の半導体
装置の冷却構造を作製した。この冷却構造を用いて、周
囲の気温２７℃でマイクロプロセッサの表面の定常温度
を測定したところ、８５℃を保っていた。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、温度上昇の抑制効果に
優れた半導体装置の冷却構造が得られるので、冷却装置
の小型化、単純化を図ることができ、また、これを組み
込んだ装置全体の小型化、軽量化、低コスト化が可能と
なると共に、半導体装置の動作信頼性の高いものが得ら
れる。
優れた半導体装置の冷却構造が得られるので、冷却装置
の小型化、単純化を図ることができ、また、これを組み
込んだ装置全体の小型化、軽量化、低コスト化が可能と
なると共に、半導体装置の動作信頼性の高いものが得ら
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の冷却構造の転移物質
を半導体装置に直載したものの一例を示す模式的断面図
である。
を半導体装置に直載したものの一例を示す模式的断面図
である。
【図２】本発明に係る半導体装置の冷却構造の転移物質
を、容器の底壁を介して半導体装置に間接的に載置した
ものの一例を示す模式的断面図である。
を、容器の底壁を介して半導体装置に間接的に載置した
ものの一例を示す模式的断面図である。
【符号の説明】 １，１’ 半導体装置、 ２ 枠、 ３，３’ 転移物質、 ４ 蓋、 ５ 冷却用フィン、 ６ 冷却用容器。
Claims (1)
- 【請求項１】 耐熱温度Ｔ（℃）の半導体装置に、Ｔ−
５０≦ｔ≦Ｔなる熱的転移点ｔ（℃）を持つ物質を、直
接又は間接的に接して、配設してなることを特徴とする
半導体装置の冷却構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24298196A JPH1092987A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 半導体装置の冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24298196A JPH1092987A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 半導体装置の冷却構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092987A true JPH1092987A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17097127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24298196A Pending JPH1092987A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 半導体装置の冷却構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092987A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015118784A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | 株式会社村田製作所 | 絶縁性セラミック粒子 |
| WO2015118783A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | 株式会社村田製作所 | 冷却デバイス |
| WO2016056185A1 (ja) * | 2014-10-08 | 2016-04-14 | 株式会社デンソー | 蓄熱システム |
| JP2017130494A (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 株式会社豊田中央研究所 | ヒートスプレッダ |
| US9868672B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic material |
-
1996
- 1996-09-13 JP JP24298196A patent/JPH1092987A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015118784A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | 株式会社村田製作所 | 絶縁性セラミック粒子 |
| WO2015118783A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | 株式会社村田製作所 | 冷却デバイス |
| JPWO2015118783A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | 冷却デバイス |
| US9868672B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic material |
| WO2016056185A1 (ja) * | 2014-10-08 | 2016-04-14 | 株式会社デンソー | 蓄熱システム |
| JP2016075442A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 株式会社デンソー | 蓄熱システム |
| JP2017130494A (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 株式会社豊田中央研究所 | ヒートスプレッダ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6049458A (en) | Protective cap for thermal grease of heat sink | |
| JP2927081B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP4029822B2 (ja) | 電子回路装置 | |
| US20040100771A1 (en) | Heat-dissipating device | |
| JP2005044953A (ja) | 電力変換装置 | |
| JPH1092987A (ja) | 半導体装置の冷却構造 | |
| JP2003314936A (ja) | 冷却装置 | |
| JPH08213521A (ja) | 半導体装置の冷却構造 | |
| JP2004152905A (ja) | 冷却素子およびそれを用いた発熱素子デバイス | |
| JPH1195871A (ja) | 電子機器の放熱構造 | |
| JPH04101450A (ja) | 冷却装置 | |
| JPH0342512B2 (ja) | ||
| JP2002278481A (ja) | Ｌｅｄ表示ユニットおよびその製造方法 | |
| JPS6144450Y2 (ja) | ||
| CN221041112U (zh) | 一种用于车载逆变器mos管的散热结构 | |
| JPH04106965A (ja) | 冷却装置 | |
| JPS5598849A (en) | Heat pipe type cooler | |
| JPS6489351A (en) | Semiconductor package | |
| JP2011097824A (ja) | 電力変換装置 | |
| JPH11307698A (ja) | 放熱スペーサー | |
| JPS5864055A (ja) | 液冷モジユ−ル | |
| JPH11307700A (ja) | 放熱スペーサー | |
| JPS6355215B2 (ja) | ||
| JPH1187576A (ja) | 基 板 | |
| TW200803697A (en) | Heat dissipation assembly |