JPH1092684A - 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH1092684A JPH1092684A JP8240458A JP24045896A JPH1092684A JP H1092684 A JPH1092684 A JP H1092684A JP 8240458 A JP8240458 A JP 8240458A JP 24045896 A JP24045896 A JP 24045896A JP H1092684 A JPH1092684 A JP H1092684A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高誘電率で特性のバラツキの小さい粒界絶縁
型半導体磁器コンデンサを提供する。 【解決手段】 単位結晶粒子の定方向径のＣＶ値が６０
％以下である粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ。セラミ
ックス粉末に焼結性改善剤を配合した原料を成形，焼成
して半導体磁器素地を得、これに絶縁化剤を熱拡散させ
て粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造するに当り、
焼結性改善剤として火炎加水分解法により得られたＳｉ
Ｏ2 及び／又はＡｌ2 Ｏ3 粉体を用いる。
型半導体磁器コンデンサを提供する。 【解決手段】 単位結晶粒子の定方向径のＣＶ値が６０
％以下である粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ。セラミ
ックス粉末に焼結性改善剤を配合した原料を成形，焼成
して半導体磁器素地を得、これに絶縁化剤を熱拡散させ
て粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造するに当り、
焼結性改善剤として火炎加水分解法により得られたＳｉ
Ｏ2 及び／又はＡｌ2 Ｏ3 粉体を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は粒界絶縁型半導体磁
器コンデンサ及びその製造方法に係り、特に、高誘電率
で特性のバラツキの小さい粒界絶縁型半導体磁器コンデ
ンサ及びその製造方法に関するものである。
器コンデンサ及びその製造方法に係り、特に、高誘電率
で特性のバラツキの小さい粒界絶縁型半導体磁器コンデ
ンサ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ、例え
ば、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）又はチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）系半導体磁器組成物を用
いた粒界絶縁型半導体磁器コンデンサは、一般に、次の
ようにして製造される。
ば、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）又はチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）系半導体磁器組成物を用
いた粒界絶縁型半導体磁器コンデンサは、一般に、次の
ようにして製造される。
【０００３】即ち、まず、主成分のＳｒＴｉＯ3 又はＢ
ａＴｉＯ3 に、半導体化剤としてのＤｙ，Ｂｉ，Ｎｄ，
Ｌａ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗなどの酸化物、炭酸塩、しゅう酸
塩等と、特性改善剤としてのＣｕ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇｅなどの酸化物、炭酸塩、しゅう酸塩
と、焼結性改善剤としてのシリカ（ＳｉＯ2 ）、アルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、アルミノケイ酸塩等とを所定割合に
て混合する。次いで、有機バインダーを添加混合して所
定の形状に成形し、得られる成形体を大気中で焼成して
脱脂した後、還元雰囲気中で焼成することにより半導体
磁器素地を製造する。得られた半導体磁器素地にＰｂ，
Ｂｉ，Ｃｕ，Ｍｎ等の金属酸化物からなる粒界絶縁化剤
を熱拡散させ、最後にこの面に電極を形成して粒界絶縁
型半導体磁器コンデンサとする。
ａＴｉＯ3 に、半導体化剤としてのＤｙ，Ｂｉ，Ｎｄ，
Ｌａ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗなどの酸化物、炭酸塩、しゅう酸
塩等と、特性改善剤としてのＣｕ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇｅなどの酸化物、炭酸塩、しゅう酸塩
と、焼結性改善剤としてのシリカ（ＳｉＯ2 ）、アルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、アルミノケイ酸塩等とを所定割合に
て混合する。次いで、有機バインダーを添加混合して所
定の形状に成形し、得られる成形体を大気中で焼成して
脱脂した後、還元雰囲気中で焼成することにより半導体
磁器素地を製造する。得られた半導体磁器素地にＰｂ，
Ｂｉ，Ｃｕ，Ｍｎ等の金属酸化物からなる粒界絶縁化剤
を熱拡散させ、最後にこの面に電極を形成して粒界絶縁
型半導体磁器コンデンサとする。
【０００４】従来、上記半導体磁器素地の製造に使用さ
れる焼結性改善剤のＳｉＯ2 源及びＡｌ2 Ｏ3 源として
は、一般的には湿式法で工業的に精製されたＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、アルミノ珪酸塩などの粉体が用いられてお
り、還元焼成時における素地の焼結性改善に相応の効果
を発揮している。
れる焼結性改善剤のＳｉＯ2 源及びＡｌ2 Ｏ3 源として
は、一般的には湿式法で工業的に精製されたＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、アルミノ珪酸塩などの粉体が用いられてお
り、還元焼成時における素地の焼結性改善に相応の効果
を発揮している。
【０００５】なお、湿式法によりＳｉＯ2 粉体を工業的
に得る方法としては、珪酸ナトリウムを加水分解して珪
酸水和物を生成させ、これを乾燥し、必要に応じ粉砕、
分級する方法が行われている。
に得る方法としては、珪酸ナトリウムを加水分解して珪
酸水和物を生成させ、これを乾燥し、必要に応じ粉砕、
分級する方法が行われている。
【０００６】Ａｌ2 Ｏ3 粉体も、アルミン酸ナトリウム
を原料とし、上記と同様にして製造されている。
を原料とし、上記と同様にして製造されている。
【０００７】また、Ａｌ2 Ｏ3 粉体を製造する方法とし
ては、例えばボーキサイトから精製したＡｌ（ＯＨ）3
を仮焼することにより得られた平均粒径５０〜８０μｍ
のＡｌ2 Ｏ3 の凝集ないし集塊粒子を、ボールミルや振
動ボールミルなどを用いて乾式粉砕する方法もある。
ては、例えばボーキサイトから精製したＡｌ（ＯＨ）3
を仮焼することにより得られた平均粒径５０〜８０μｍ
のＡｌ2 Ｏ3 の凝集ないし集塊粒子を、ボールミルや振
動ボールミルなどを用いて乾式粉砕する方法もある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のＳｉＯ2 粉体、
Ａｌ2 Ｏ3 粉体の製造方法では、凝集粒子ないし集塊粒
子の平均粒径を微細にすることが困難であり、また、そ
の最大粒径も大きい。例えば、上記湿式法で工業的に得
られるＳｉＯ2 粉体の凝集粒子ないし集塊粒子の平均粒
径は約１〜４０μｍである。
Ａｌ2 Ｏ3 粉体の製造方法では、凝集粒子ないし集塊粒
子の平均粒径を微細にすることが困難であり、また、そ
の最大粒径も大きい。例えば、上記湿式法で工業的に得
られるＳｉＯ2 粉体の凝集粒子ないし集塊粒子の平均粒
径は約１〜４０μｍである。
【０００９】このように比較的大きな凝集粒子又は集塊
粒子を含む焼結性改善剤を、粒界絶縁型半導体磁器組成
物を構成する他の調合材料と共に湿式混合すると、調製
された原料中には、粒径の大きな該凝集粒子ないし集塊
粒子が点在することになる。
粒子を含む焼結性改善剤を、粒界絶縁型半導体磁器組成
物を構成する他の調合材料と共に湿式混合すると、調製
された原料中には、粒径の大きな該凝集粒子ないし集塊
粒子が点在することになる。
【００１０】原料中の焼結性改善剤であるＳｉＯ2 やＡ
ｌ2 Ｏ3 は、還元焼成した際にＳｒＴｉＯ3 又はＢａＴ
ｉＯ3 の結晶粒内部には入り込まず、結晶の粒界部分に
偏在するので、原料中にＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ3 の粗粒
が点在すると、得られる半導体磁器素地の結晶粒子間の
距離（即ちコンデンサを形成した時の電極間距離）が部
分的に不均一化し、誘電率のバラツキが大きくなる。
ｌ2 Ｏ3 は、還元焼成した際にＳｒＴｉＯ3 又はＢａＴ
ｉＯ3 の結晶粒内部には入り込まず、結晶の粒界部分に
偏在するので、原料中にＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ3 の粗粒
が点在すると、得られる半導体磁器素地の結晶粒子間の
距離（即ちコンデンサを形成した時の電極間距離）が部
分的に不均一化し、誘電率のバラツキが大きくなる。
【００１１】なお、湿式法で得られたＳｉＯ2 やＡｌ2
Ｏ3 粉体から、凝集粒子ないし集塊粒子の平均粒径が１
μｍ以下の超微粒粉体を得る方法として、ジェットミル
と乾式気流分級機を組み合わせた乾式閉回路粉砕装置で
処理することが考えられるが、この方法によると、粉体
と装置内壁との摩擦などにより不純物が混入する。ま
た、粉体の単位製品重量当たりの消費動力（電力）が大
きいという問題もある。
Ｏ3 粉体から、凝集粒子ないし集塊粒子の平均粒径が１
μｍ以下の超微粒粉体を得る方法として、ジェットミル
と乾式気流分級機を組み合わせた乾式閉回路粉砕装置で
処理することが考えられるが、この方法によると、粉体
と装置内壁との摩擦などにより不純物が混入する。ま
た、粉体の単位製品重量当たりの消費動力（電力）が大
きいという問題もある。
【００１２】また、湿式法では高純度品（純度９９．９
％以上）の製造が困難である。例えば、湿式法ＳｉＯ2
粉体には硫酸イオン、アルカリイオン、アルカリ土類イ
オンなどの不純物が約１〜２％程度含まれている。この
ように不純物を含んだ粉体を焼結性改善剤として用いる
と、得られる半導体磁器の結晶の大きさが不均一化す
る。
％以上）の製造が困難である。例えば、湿式法ＳｉＯ2
粉体には硫酸イオン、アルカリイオン、アルカリ土類イ
オンなどの不純物が約１〜２％程度含まれている。この
ように不純物を含んだ粉体を焼結性改善剤として用いる
と、得られる半導体磁器の結晶の大きさが不均一化す
る。
【００１３】このような原因によって結晶粒子間の距離
や結晶粒径が不均一化すると、結晶粒の粒界部分に特定
の金属酸化物からなる絶縁化剤を熱拡散して得られる粒
界絶縁型半導体磁器コンデンサにあっては、誘電率が低
下すると共に、特性のバラツキが大きくなる。
や結晶粒径が不均一化すると、結晶粒の粒界部分に特定
の金属酸化物からなる絶縁化剤を熱拡散して得られる粒
界絶縁型半導体磁器コンデンサにあっては、誘電率が低
下すると共に、特性のバラツキが大きくなる。
【００１４】なお、ボーキサイトから得られたＡｌ2 Ｏ
3 の凝集粒子ないし集塊粒子を乾式粉砕するＡｌ2 Ｏ3
粉体の製造方法でも、上記湿式法粉体の場合と同様に不
純物が混入するという問題がある。
3 の凝集粒子ないし集塊粒子を乾式粉砕するＡｌ2 Ｏ3
粉体の製造方法でも、上記湿式法粉体の場合と同様に不
純物が混入するという問題がある。
【００１５】本発明は上記従来の問題点を解決し、誘電
率が高く特性のバラツキが小さい粒界絶縁型半導体磁器
コンデンサ及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
率が高く特性のバラツキが小さい粒界絶縁型半導体磁器
コンデンサ及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の粒界絶縁型半導
体磁器コンデンサは、磁器素地の単位結晶粒子の定方向
径のＣＶ値が６０％以下であることを特徴とする。
体磁器コンデンサは、磁器素地の単位結晶粒子の定方向
径のＣＶ値が６０％以下であることを特徴とする。
【００１７】なお、本発明において、単位結晶粒子の定
方向径とは、結晶粒子を撮影した写真や顕微鏡視野にお
いて任意の一定方向を選び、その視野中の各粒子を、こ
の方向に平行な２本の直線ではさんだ時の間隔を言う。
即ち、図３に示す如く、定方向としてＬ方向を選び、各
結晶粒子１に対してこのＬ方向の２本の接線を引き、こ
の接線間の距離ＤP を定方向径とする。
方向径とは、結晶粒子を撮影した写真や顕微鏡視野にお
いて任意の一定方向を選び、その視野中の各粒子を、こ
の方向に平行な２本の直線ではさんだ時の間隔を言う。
即ち、図３に示す如く、定方向としてＬ方向を選び、各
結晶粒子１に対してこのＬ方向の２本の接線を引き、こ
の接線間の距離ＤP を定方向径とする。
【００１８】また、ＣＶ値とは、下記式で求められる値
である。
である。
【００１９】
【数１】
【００２０】このような粒界絶縁型半導体磁器コンデン
サは、セラミックス粉末に焼結性改善剤を配合してなる
原料を成形，焼成して半導体磁器素地を得、この半導体
磁器素地の表面に絶縁化剤を熱拡散させることにより粒
界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造する方法におい
て、前記焼結性改善剤として、火炎加水分解法により得
られたシリカ粉体及び／又はアルミナ粉体を用いること
により製造することができる。
サは、セラミックス粉末に焼結性改善剤を配合してなる
原料を成形，焼成して半導体磁器素地を得、この半導体
磁器素地の表面に絶縁化剤を熱拡散させることにより粒
界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造する方法におい
て、前記焼結性改善剤として、火炎加水分解法により得
られたシリカ粉体及び／又はアルミナ粉体を用いること
により製造することができる。
【００２１】火炎加水分解法によれば、純度９９．９％
以上の高純度で、凝集粒子ないし集塊粒子の平均粒径が
１μｍ以下の超微粒子のＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 粉体が
得られる。
以上の高純度で、凝集粒子ないし集塊粒子の平均粒径が
１μｍ以下の超微粒子のＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 粉体が
得られる。
【００２２】従って、このような高純度、超微粒子のＳ
ｉＯ2 及び／又はＡｌ2 Ｏ3 粉体を焼結性改善剤として
用いることにより、焼結性改善剤粉体が原料中で部分的
に偏在することなく、均一に分散したものとなる。この
結果、還元焼成により得られる半導体磁器素地は、単位
結晶粒子の定方向径のＣＶ値が６０％以下という極めて
均一な結晶粒子よりなり、しかも粒界層が著しく均一に
形成されたものとなる。従って、このような半導体磁器
素地に絶縁化剤を熱拡散して得られる粒界絶縁型半導体
磁器コンデンサは、誘電率が高く、特性のバラツキが小
さいものとなる。
ｉＯ2 及び／又はＡｌ2 Ｏ3 粉体を焼結性改善剤として
用いることにより、焼結性改善剤粉体が原料中で部分的
に偏在することなく、均一に分散したものとなる。この
結果、還元焼成により得られる半導体磁器素地は、単位
結晶粒子の定方向径のＣＶ値が６０％以下という極めて
均一な結晶粒子よりなり、しかも粒界層が著しく均一に
形成されたものとなる。従って、このような半導体磁器
素地に絶縁化剤を熱拡散して得られる粒界絶縁型半導体
磁器コンデンサは、誘電率が高く、特性のバラツキが小
さいものとなる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００２４】本発明の粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ
は、上記の通り磁器素地の単位結晶粒子の定方向径のＣ
Ｖ値が６０％以下、好ましくは５０％以下、特に好まし
くは４０％以下のものである。そして、このようにＣＶ
値を小さくするには、焼結性改善剤として火炎加水分解
法によるＳｉＯ2 及び／又はＡｌ2 Ｏ3 粉体を用いる。
は、上記の通り磁器素地の単位結晶粒子の定方向径のＣ
Ｖ値が６０％以下、好ましくは５０％以下、特に好まし
くは４０％以下のものである。そして、このようにＣＶ
値を小さくするには、焼結性改善剤として火炎加水分解
法によるＳｉＯ2 及び／又はＡｌ2 Ｏ3 粉体を用いる。
【００２５】火炎加水分解法による高純度・超微粒子の
ＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 粉体は、以下の反応を利用して
製造される。
ＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 粉体は、以下の反応を利用して
製造される。
【００２６】＜ＳｉＯ2 の場合＞ ＳｉＣｌ4 ＋２Ｈ2 Ｏ→ＳｉＯ2 ＋４ＨＣｌ ＜Ａｌ2 Ｏ3 の場合＞ ２ＡｌＣｌ3 ＋３Ｈ2 Ｏ→Ａｌ2 Ｏ3 ＋６ＨＣｌ 即ち、Ｓｉ及びＡｌの塩化物を、約１０００℃の酸素及
び水素ガス火炎中で反応させることにより、ＳｉＯ2 及
びＡｌ2 Ｏ3 を得る。反応の副産物として発生する塩化
水素（ＨＣｌ）は、ガス状であるから、固体のＳｉＯ2
及びＡｌ2 Ｏ3と容易に分離することができ、ＨＣｌの
目的物への混入は極めて少なく通常約２５０ｐｐｍ以下
である。
び水素ガス火炎中で反応させることにより、ＳｉＯ2 及
びＡｌ2 Ｏ3 を得る。反応の副産物として発生する塩化
水素（ＨＣｌ）は、ガス状であるから、固体のＳｉＯ2
及びＡｌ2 Ｏ3と容易に分離することができ、ＨＣｌの
目的物への混入は極めて少なく通常約２５０ｐｐｍ以下
である。
【００２７】従って、火炎加水分解法によれば、純度９
９．９％以上のＳｉＯ2 又はＡｌ2Ｏ3 粉体の製造が可
能であり、湿式法に比べて極めて高純度のものが得られ
る。また、火炎加水分解法は、湿式法のような乾燥・粉
砕工程が不要なため、強固に凝集又は集塊した粗粒は生
成しない。即ち、火炎加水分解法で得られたＳｉＯ2 又
はＡｌ2 Ｏ3 粉体は、直径５〜５０ｎｍ（ｎｍ＝１０-9
ｍ）の非常に細かい球状の一次粒子が、鎖状にゆるく集
塊した構造をしており、液体中などに容易に分散可能で
ある。この集塊粒子の平均粒径はほぼ１μｍ以下であ
り、また、ＢＥＴ法による比表面積も５０〜４００ｍ2
／ｇと極めて大きい。このような火炎加水分解法による
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 粉体は、粒界絶縁型半導体磁器組
成物の焼結性改善剤として配合された場合、他の調合原
料中で部分的に偏在することなく、極めて均一に分散す
るようになる。
９．９％以上のＳｉＯ2 又はＡｌ2Ｏ3 粉体の製造が可
能であり、湿式法に比べて極めて高純度のものが得られ
る。また、火炎加水分解法は、湿式法のような乾燥・粉
砕工程が不要なため、強固に凝集又は集塊した粗粒は生
成しない。即ち、火炎加水分解法で得られたＳｉＯ2 又
はＡｌ2 Ｏ3 粉体は、直径５〜５０ｎｍ（ｎｍ＝１０-9
ｍ）の非常に細かい球状の一次粒子が、鎖状にゆるく集
塊した構造をしており、液体中などに容易に分散可能で
ある。この集塊粒子の平均粒径はほぼ１μｍ以下であ
り、また、ＢＥＴ法による比表面積も５０〜４００ｍ2
／ｇと極めて大きい。このような火炎加水分解法による
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 粉体は、粒界絶縁型半導体磁器組
成物の焼結性改善剤として配合された場合、他の調合原
料中で部分的に偏在することなく、極めて均一に分散す
るようになる。
【００２８】なお、火炎加水分解法で得られたＳｉＯ2
又はＡｌ2 Ｏ3 粉体は、見掛けの比容積が１０００〜２
０００ｍｌ／１００ｇと極めて大きいので、調合時のハ
ンドリング上問題がある場合には、パールミル等を用い
て予め水などの液体に分散させても良い。
又はＡｌ2 Ｏ3 粉体は、見掛けの比容積が１０００〜２
０００ｍｌ／１００ｇと極めて大きいので、調合時のハ
ンドリング上問題がある場合には、パールミル等を用い
て予め水などの液体に分散させても良い。
【００２９】次に、このような火炎加水分解法によるＳ
ｉＯ2 及び／又はＡｌ2 Ｏ3 粉体を焼結性改善剤として
用い、本発明の粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造
する方法を説明する。
ｉＯ2 及び／又はＡｌ2 Ｏ3 粉体を焼結性改善剤として
用い、本発明の粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造
する方法を説明する。
【００３０】まず、主成分となるセラミックス粉体（例
えば、ＳｒＴｉＯ3 ，ＢａＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3 ，Ｍ
ｇＴｉＯ3 ）と、半導体化剤としてのＮｂ2 Ｏ5 ，ＷＯ
3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，
Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｓｎ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 等と、特性改善剤
としてのＭｎＣＯ3 ，ＣｕＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｏ
3 Ｏ4 ，ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＧｅＯ2 等と、焼結性改善剤
として上記火炎加水分解法によるＳｉＯ2 及び／又はＡ
ｌ2 Ｏ3 粉体とを、好ましくは下記の割合で混合して原
料粉体を調製する。
えば、ＳｒＴｉＯ3 ，ＢａＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3 ，Ｍ
ｇＴｉＯ3 ）と、半導体化剤としてのＮｂ2 Ｏ5 ，ＷＯ
3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，
Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｓｎ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 等と、特性改善剤
としてのＭｎＣＯ3 ，ＣｕＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｏ
3 Ｏ4 ，ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＧｅＯ2 等と、焼結性改善剤
として上記火炎加水分解法によるＳｉＯ2 及び／又はＡ
ｌ2 Ｏ3 粉体とを、好ましくは下記の割合で混合して原
料粉体を調製する。
【００３１】原料配合（モル％） 主成分：９５．８〜９９．７９とりわけ９８．１８〜９
８．９２ 半導体化剤：０．１〜２．０とりわけ０．２〜０．５ 特性改善剤：０．０１〜０．２とりわけ０．０８〜０．
１２ 焼結性改善剤：０．１〜２．０とりわけ０．８〜１．２ この原料粉体に有機バインダを適量添加して混合し、１
〜２ｔｏｎ／ｃｍ2 で所定形状に加圧成形し、得られた
成形体を大気中１０００〜１１５０℃で脱脂処理した
後、還元雰囲気中、例えば窒素及び水素雰囲気中、１３
５０〜１４５０℃で２〜６時間焼成して半導体磁器素地
を得る。この半導体磁器素地の結晶粒径の相加平均値は
５〜５０μｍとくに３０〜４０μｍであることが好まし
い。
８．９２ 半導体化剤：０．１〜２．０とりわけ０．２〜０．５ 特性改善剤：０．０１〜０．２とりわけ０．０８〜０．
１２ 焼結性改善剤：０．１〜２．０とりわけ０．８〜１．２ この原料粉体に有機バインダを適量添加して混合し、１
〜２ｔｏｎ／ｃｍ2 で所定形状に加圧成形し、得られた
成形体を大気中１０００〜１１５０℃で脱脂処理した
後、還元雰囲気中、例えば窒素及び水素雰囲気中、１３
５０〜１４５０℃で２〜６時間焼成して半導体磁器素地
を得る。この半導体磁器素地の結晶粒径の相加平均値は
５〜５０μｍとくに３０〜４０μｍであることが好まし
い。
【００３２】この半導体磁器素地の表面に、ＰｂＯ2 ，
ＢｉＯ3 ，ＣｕＯ，ＭｎＯ2 等の金属酸化物、ガラス成
分及び有機ビヒクル剤を配合してなる絶縁化剤ペースト
を塗布して、大気中１０５０〜１１５０℃で２〜６時間
焼成して焼結性改善剤の金属酸化物を熱拡散させて粒界
絶縁型半導体磁器とする。なお、この絶縁化剤ぺースト
としては、上記の金属酸化物粉末５０〜９５重量部とガ
ラス粉末５〜５０重量部との合計１００重量部に対し
て、有機ビヒクル剤２０〜６０重量部の混合物が好適で
ある。ガラスとしては、例えばＳｉＯ2 系、Ｂ2 Ｏ
3 系、Ｐ2 Ｏ5 系などを用いることができる。
ＢｉＯ3 ，ＣｕＯ，ＭｎＯ2 等の金属酸化物、ガラス成
分及び有機ビヒクル剤を配合してなる絶縁化剤ペースト
を塗布して、大気中１０５０〜１１５０℃で２〜６時間
焼成して焼結性改善剤の金属酸化物を熱拡散させて粒界
絶縁型半導体磁器とする。なお、この絶縁化剤ぺースト
としては、上記の金属酸化物粉末５０〜９５重量部とガ
ラス粉末５〜５０重量部との合計１００重量部に対し
て、有機ビヒクル剤２０〜６０重量部の混合物が好適で
ある。ガラスとしては、例えばＳｉＯ2 系、Ｂ2 Ｏ
3 系、Ｐ2 Ｏ5 系などを用いることができる。
【００３３】この絶縁化剤ペーストは、金属酸化物とし
て３×１０-5〜２×１０-4ｇ／ｍｍ2 とくに６×１０-5
〜１．２×１０-4ｇ／ｍｍ2 の割合にて塗付されるのが
好ましい。
て３×１０-5〜２×１０-4ｇ／ｍｍ2 とくに６×１０-5
〜１．２×１０-4ｇ／ｍｍ2 の割合にて塗付されるのが
好ましい。
【００３４】得られた粒界絶縁型半導体磁器にメッキや
導電ペーストの焼付け等によって電極を形成する。
導電ペーストの焼付け等によって電極を形成する。
【００３５】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００３６】実施例１ ＳｒＴｉＯ3 に半導体化剤としてのＮｂ2 Ｏ3 、Ｗ
Ｏ3 、特性改善剤としてのＭｎＣＯ3 、ＣｕＯ、焼結性
改善剤としての火炎加水分解法で得られたＳｉＯ2、Ａ
ｌ2 Ｏ3 を下記割合で秤量し、この原料配合物１００重
量部を純水２００重量部と共にボールミルで約２４時間
湿式混合粉砕した。
Ｏ3 、特性改善剤としてのＭｎＣＯ3 、ＣｕＯ、焼結性
改善剤としての火炎加水分解法で得られたＳｉＯ2、Ａ
ｌ2 Ｏ3 を下記割合で秤量し、この原料配合物１００重
量部を純水２００重量部と共にボールミルで約２４時間
湿式混合粉砕した。
【００３７】原料配合（モル％） ＳｉＴＯ3 ：９８．６ Ｎｂ2 Ｏ3 ：０．２ ＷＯ3 ：０．１ ＭｎＣＯ3 ：０．０４ ＣｕＯ ：０．０６ ＳｉＯ2 ：０．５ Ａｌ2 Ｏ3 ：０．５ なお、ＳｉＯ2 としては火炎加水分解法で得られたＳｉ
Ｏ2 （日本アエロジル社製，一次粒子の平均粒径１０．
７ｎｍ，凝集粒子ないし集塊粒子の平均粒径０．３μ
ｍ，純度９９．９８％）及びＡｌ2 Ｏ3 （デグサ社製，
一次粒子の平均粒径１１．９ｎｍ，凝集粒子ないし集塊
粒子の平均粒径０．２μｍ，純度９９．６５％）を用い
た。
Ｏ2 （日本アエロジル社製，一次粒子の平均粒径１０．
７ｎｍ，凝集粒子ないし集塊粒子の平均粒径０．３μ
ｍ，純度９９．９８％）及びＡｌ2 Ｏ3 （デグサ社製，
一次粒子の平均粒径１１．９ｎｍ，凝集粒子ないし集塊
粒子の平均粒径０．２μｍ，純度９９．６５％）を用い
た。
【００３８】得られた混合物を１２０℃で２４時間乾燥
後、乾燥物１００重量部に対して、有機バインダである
ＰＶＢ（ポリビニールブチラール）を２．５重量部添加
混合して成形原料とし、これを約２ｔｏｎ／ｃｍ2 の成
型圧力で、直径９ｍｍ，厚さ０．６ｍｍの円板状素地に
成形した。この素地を１０枚単位で積み重ねて耐火物セ
ッター上に複数配置し、１１５０℃で大気中焼成して脱
脂した後、１４３０℃の還元気流中（露点０℃にコント
ロールされたＮ2 ：Ｈ2 ＝３：１（体積比）のＮ2 及び
Ｈ2 の混合雰囲気）で４時間焼成することにより、直径
７．５ｍｍ，厚さ０．５ｍｍの円板状半導体磁器素地を
得た。
後、乾燥物１００重量部に対して、有機バインダである
ＰＶＢ（ポリビニールブチラール）を２．５重量部添加
混合して成形原料とし、これを約２ｔｏｎ／ｃｍ2 の成
型圧力で、直径９ｍｍ，厚さ０．６ｍｍの円板状素地に
成形した。この素地を１０枚単位で積み重ねて耐火物セ
ッター上に複数配置し、１１５０℃で大気中焼成して脱
脂した後、１４３０℃の還元気流中（露点０℃にコント
ロールされたＮ2 ：Ｈ2 ＝３：１（体積比）のＮ2 及び
Ｈ2 の混合雰囲気）で４時間焼成することにより、直径
７．５ｍｍ，厚さ０．５ｍｍの円板状半導体磁器素地を
得た。
【００３９】得られた素地の両円板主面上に、下記配合
の粒界絶縁化剤ペーストをスクリーン法で印刷し、これ
を１１２０℃で４時間大気中焼成することにより粒界絶
縁化剤を素地の結晶粒界素地に熱拡散させた。
の粒界絶縁化剤ペーストをスクリーン法で印刷し、これ
を１１２０℃で４時間大気中焼成することにより粒界絶
縁化剤を素地の結晶粒界素地に熱拡散させた。
【００４０】粒界絶縁化剤ペースト配合 Ｐｂ3 Ｏ4 ：４５重量％ ＭｎＯ2 ：５重量％ Ｂｉ2 Ｏ3 ：４０重量％ ＣｕＯ ：５重量％ ガラス成分（Ｂ2 Ｏ3 系ガラス）：５重量％ 有機ビヒクル剤（テルピネオール，樹脂ワニス）：Ｐｂ
3 Ｏ4 ，ＭｎＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＣｕＯ及びガラス成分
の合計１００重量部に対して３０重量部 なお、素地表
面に塗布される粒界絶縁化剤ペースト量は、金属酸化物
として８×１０-5ｇ／ｍｍ2 とした。また、焼成に当っ
ては、焼結性改善剤中の金属酸化物と同じ金属酸化物を
予め吸収飽和させたセッター上に素地を一枚ずつ配置
し、同様に処理した蓋付き耐火物容器に収納することに
より、粒界絶縁化剤のセッターへの吸収及び大気への揮
散を防止した。
3 Ｏ4 ，ＭｎＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＣｕＯ及びガラス成分
の合計１００重量部に対して３０重量部 なお、素地表
面に塗布される粒界絶縁化剤ペースト量は、金属酸化物
として８×１０-5ｇ／ｍｍ2 とした。また、焼成に当っ
ては、焼結性改善剤中の金属酸化物と同じ金属酸化物を
予め吸収飽和させたセッター上に素地を一枚ずつ配置
し、同様に処理した蓋付き耐火物容器に収納することに
より、粒界絶縁化剤のセッターへの吸収及び大気への揮
散を防止した。
【００４１】次に、得られた各素地の両主円板面に銀電
極ペーストをスクリーン法で印刷し、これを８１０℃で
５分間焼き付けることにより、直径６．７ｍｍの銀膜電
極を形成した。
極ペーストをスクリーン法で印刷し、これを８１０℃で
５分間焼き付けることにより、直径６．７ｍｍの銀膜電
極を形成した。
【００４２】この様にして得られた粒界絶縁型半導体磁
器コンデンサについて、単位結晶粒子の定方向径、静電
容量Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs 、誘電体損失ｔａｎδ
（％）、絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、
破壊電圧Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）を測定した。結果を表１に示
す。
器コンデンサについて、単位結晶粒子の定方向径、静電
容量Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs 、誘電体損失ｔａｎδ
（％）、絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、
破壊電圧Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）を測定した。結果を表１に示
す。
【００４３】なお、単位結晶粒子の定方向径は、図１に
示す還元焼成後の半導体磁器素地の実態顕微鏡写真（２
００倍）で測定した。静電容量Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs
及び誘電体損失ｔａｎδ（％）は、ＬＣＲメーター（Ｙ
ＨＰ社 ４２７４Ａ）を用いて１ｋＨｚ、１Ｖ、２５℃
の条件で測定した。絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）は、直流１６
Ｖ、２０秒間印加、２５℃の条件で測定した。破壊電圧
Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）は、耐圧試験器（ＫＩＫＵＳＵＩ Ｔ
ＯＳ５０５１）を用いて測定した。
示す還元焼成後の半導体磁器素地の実態顕微鏡写真（２
００倍）で測定した。静電容量Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs
及び誘電体損失ｔａｎδ（％）は、ＬＣＲメーター（Ｙ
ＨＰ社 ４２７４Ａ）を用いて１ｋＨｚ、１Ｖ、２５℃
の条件で測定した。絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）は、直流１６
Ｖ、２０秒間印加、２５℃の条件で測定した。破壊電圧
Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）は、耐圧試験器（ＫＩＫＵＳＵＩ Ｔ
ＯＳ５０５１）を用いて測定した。
【００４４】なお、測定試料数は２００個である。電気
特性におけるＣＶ値（％）も標準偏差σを平均値ａで除
した値σ／ａである。当然ながら、このＣＶ値（％）が
大きいほど測定試料間のバラツキが大きい。
特性におけるＣＶ値（％）も標準偏差σを平均値ａで除
した値σ／ａである。当然ながら、このＣＶ値（％）が
大きいほど測定試料間のバラツキが大きい。
【００４５】比較例１ 焼結性改善剤のＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ3 粉体として、湿
式法で工業的に得られたＳｉＯ2 （ヒューズレックス社
製，平均粒径９６ｎｍ，凝集粒子ないし集塊粒子の平均
粒径３８μｍ，純度９８．５％）及びＡｌ2 Ｏ3 （住友
化学社製，平均粒径１．５μｍ，凝集粒子ないし集塊粒
子の平均粒径５２μｍ，純度９８．８％）粉体を使用し
たこと以外は、実施例１と同様にして粒界絶縁型半導体
磁器コンデンサを製造し、同様に、単位結晶粒子の定方
向径、静電容量Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs 、誘電体損失ｔ
ａｎδ（％）、絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・
Ω）、破壊電圧Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）等を測定し、結果を表
１に示した。また、この比較例における還元焼成後の半
導体磁器素地の実態顕微鏡写真（２００倍）を図２に示
す。
式法で工業的に得られたＳｉＯ2 （ヒューズレックス社
製，平均粒径９６ｎｍ，凝集粒子ないし集塊粒子の平均
粒径３８μｍ，純度９８．５％）及びＡｌ2 Ｏ3 （住友
化学社製，平均粒径１．５μｍ，凝集粒子ないし集塊粒
子の平均粒径５２μｍ，純度９８．８％）粉体を使用し
たこと以外は、実施例１と同様にして粒界絶縁型半導体
磁器コンデンサを製造し、同様に、単位結晶粒子の定方
向径、静電容量Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs 、誘電体損失ｔ
ａｎδ（％）、絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・
Ω）、破壊電圧Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）等を測定し、結果を表
１に示した。また、この比較例における還元焼成後の半
導体磁器素地の実態顕微鏡写真（２００倍）を図２に示
す。
【００４６】実施例２ 実施例１において、焼結性改善剤として火炎加水分解法
により得られたＳｉＯ2 粉体のみを用いたこと以外は同
様にして粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造し、単
位結晶粒子の定方向径、静電容量Ｃ（ｐＦ）、誘電率ε
s 、誘電体損失ｔａｎδ（％）、絶縁抵抗ＩＲ（Ｍ
Ω）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、破壊電圧Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）
等の測定結果を表１に示した。
により得られたＳｉＯ2 粉体のみを用いたこと以外は同
様にして粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造し、単
位結晶粒子の定方向径、静電容量Ｃ（ｐＦ）、誘電率ε
s 、誘電体損失ｔａｎδ（％）、絶縁抵抗ＩＲ（Ｍ
Ω）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、破壊電圧Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）
等の測定結果を表１に示した。
【００４７】実施例３ 実施例１において、焼結性改善剤として火炎加水分解法
により得られたＡｌ2Ｏ3 粉体のみを用いたこと以外は
同様にして粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造し、
単位結晶粒子の定方向径、静電容量Ｃ（ｐＦ）、誘電率
εs 、誘電体損失ｔａｎδ（％）、絶縁抵抗ＩＲ（Ｍ
Ω）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、破壊電圧Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）
等の測定結果を表１に示した。
により得られたＡｌ2Ｏ3 粉体のみを用いたこと以外は
同様にして粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造し、
単位結晶粒子の定方向径、静電容量Ｃ（ｐＦ）、誘電率
εs 、誘電体損失ｔａｎδ（％）、絶縁抵抗ＩＲ（Ｍ
Ω）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、破壊電圧Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）
等の測定結果を表１に示した。
【００４８】実施例４ 実施例１においてＳｒＴｉＯ3 の代わりにＢａＴｉＯ3
を用いたこと以外は同様にして粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサを製造し、単位結晶粒子の定方向径、静電容量
Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs 、誘電体損失ｔａｎδ（％）、
絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、破壊電圧
Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）等の測定結果を表２に示した。
を用いたこと以外は同様にして粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサを製造し、単位結晶粒子の定方向径、静電容量
Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs 、誘電体損失ｔａｎδ（％）、
絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、破壊電圧
Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）等の測定結果を表２に示した。
【００４９】実施例５ 実施例２においてＳｒＴｉＯ3 の代わりにＢａＴｉＯ3
を用いたこと以外は同様にして粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサを製造し、単位結晶粒子の定方向径、静電容量
Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs 、誘電体損失ｔａｎδ（％）、
絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、破壊電圧
Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）等の測定結果を表２に示した。
を用いたこと以外は同様にして粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサを製造し、単位結晶粒子の定方向径、静電容量
Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs 、誘電体損失ｔａｎδ（％）、
絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、破壊電圧
Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）等の測定結果を表２に示した。
【００５０】実施例６ 実施例３においてＳｒＴｉＯ3 の代わりにＢａＴｉＯ3
を用いたこと以外は同様にして粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサを製造し、単位結晶粒子の定方向径、静電容量
Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs 、誘電体損失ｔａｎδ（％）、
絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、破壊電圧
Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）等の測定結果を表２に示した。
を用いたこと以外は同様にして粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサを製造し、単位結晶粒子の定方向径、静電容量
Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs 、誘電体損失ｔａｎδ（％）、
絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、破壊電圧
Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）等の測定結果を表２に示した。
【００５１】比較例２ 比較例１においてＳｒＴｉＯ3 の代わりにＢａＴｉＯ3
を用いたこと以外は同様にして粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサを製造し、単位結晶粒子の定方向径、静電容量
Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs 、誘電体損失ｔａｎδ（％）、
絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、破壊電圧
Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）等の測定結果を表２に示した。
を用いたこと以外は同様にして粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサを製造し、単位結晶粒子の定方向径、静電容量
Ｃ（ｐＦ）、誘電率εs 、誘電体損失ｔａｎδ（％）、
絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）、Ｃ・ＩＲ（Ｆ・Ω）、破壊電圧
Ｂ．Ｄ．Ｖ（Ｖ）等の測定結果を表２に示した。
【００５２】
【表１】
【００５３】
【表２】
【００５４】表１，２及び図１，２より明らかなよう
に、本発明によれば極めて均一な半導体結晶粒子及び粒
界層が形成される。そして、該結晶の粒界部分に絶縁化
剤の金属酸化物を熱拡散して得られる各実施例の粒界絶
縁型半導体磁器コンデンサは、比較例のものに比べ誘電
率εs が著しく高く、また、特性のバラツキが極めて小
さい。
に、本発明によれば極めて均一な半導体結晶粒子及び粒
界層が形成される。そして、該結晶の粒界部分に絶縁化
剤の金属酸化物を熱拡散して得られる各実施例の粒界絶
縁型半導体磁器コンデンサは、比較例のものに比べ誘電
率εs が著しく高く、また、特性のバラツキが極めて小
さい。
【００５５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の粒界絶縁型
半導体磁器コンデンサ及びその製造方法によれば、誘電
率が高く特性のバラツキの少ない粒界絶縁型半導体磁器
コンデンサが提供される。
半導体磁器コンデンサ及びその製造方法によれば、誘電
率が高く特性のバラツキの少ない粒界絶縁型半導体磁器
コンデンサが提供される。
【００５６】本発明によれば、コンデンサの小型化によ
る原料コスト低減、及び製品歩留まり向上による製造コ
スト低減が可能となり、低価格で高品質のコンデンサの
提供が可能となる。また、若干グレードの劣るセラミッ
クス原料を用いても、高グレード原料を用いた場合と同
様の優れた効果を得ることができ、コスト低減に有効で
ある。
る原料コスト低減、及び製品歩留まり向上による製造コ
スト低減が可能となり、低価格で高品質のコンデンサの
提供が可能となる。また、若干グレードの劣るセラミッ
クス原料を用いても、高グレード原料を用いた場合と同
様の優れた効果を得ることができ、コスト低減に有効で
ある。
【図１】実施例１で得られた還元焼成後の半導体磁器素
地の結晶構造を示す実態顕微鏡写真（２００倍）であ
る。
地の結晶構造を示す実態顕微鏡写真（２００倍）であ
る。
【図２】比較例１で得られた還元焼成後の半導体磁器素
地の結晶構造を示す実態顕微鏡写真（２００倍）であ
る。
地の結晶構造を示す実態顕微鏡写真（２００倍）であ
る。
【図３】単位結晶粒子の定方向径の測定方法を示す説明
図である。
図である。
１ 結晶粒子
Claims (4)
- 【請求項１】 磁器素地の単位結晶粒子の定方向径のＣ
Ｖ値が６０％以下であることを特徴とする粒界絶縁型半
導体磁器コンデンサ。 - 【請求項２】 請求項１において、セラミックス粉末に
焼結性改善剤を配合してなる原料を成形，焼成して得た
半導体磁器素地の表面に絶縁化剤を熱拡散させることに
より製造された粒界絶縁型半導体磁器コンデンサであっ
て、 前記焼結性改善剤として、火炎加水分解法により得られ
たシリカ粉体及び／又はアルミナ粉体を用いたことを特
徴とする粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ。 - 【請求項３】 セラミックス粉末に焼結性改善剤を配合
してなる原料を成形，焼成して半導体磁器素地を得、こ
の半導体磁器素地の表面に絶縁化剤を熱拡散させること
により粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造する方法
において、 前記焼結性改善剤として、火炎加水分解法により得られ
たシリカ粉体及び／又はアルミナ粉体を用いることを特
徴とする粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３において、半導体磁器がチタン
酸ストロンチウム系又はチタン酸バリウム系半導体磁器
であることを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器コンデン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8240458A JPH1092684A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8240458A JPH1092684A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092684A true JPH1092684A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17059808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8240458A Withdrawn JPH1092684A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092684A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076445A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| CN102649642A (zh) * | 2011-02-24 | 2012-08-29 | 株式会社村田制作所 | 晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法 |
| KR20190017655A (ko) * | 2017-08-10 | 2019-02-20 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| JP2019036708A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
-
1996
- 1996-09-11 JP JP8240458A patent/JPH1092684A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076445A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| CN102649642A (zh) * | 2011-02-24 | 2012-08-29 | 株式会社村田制作所 | 晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法 |
| KR20190017655A (ko) * | 2017-08-10 | 2019-02-20 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| JP2019036708A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031202 |