JPH1087398A - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
- Publication number
- JPH1087398A JPH1087398A JP24300796A JP24300796A JPH1087398A JP H1087398 A JPH1087398 A JP H1087398A JP 24300796 A JP24300796 A JP 24300796A JP 24300796 A JP24300796 A JP 24300796A JP H1087398 A JPH1087398 A JP H1087398A
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- JP
- Japan
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- wafer
- susceptor
- dlc film
- film
- plane
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- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製作コストを抑え、ウエハの温度の面内均一
性を損なうことなく、ウエハを容易に取り出せるサセプ
タを実現する。 【解決手段】 従来のサセプタ２に相当する基体４の少
なくともウエハ１の載置面にＤＬＣ膜３を被覆したこと
を特徴とし、ＤＬＣ膜３は膜表面が微細な凹凸状である
ため、半導体装置の製造工程において、ＤＬＣ膜３上に
ウエハ１が載置されたサセプタ２を真空チャンバから大
気中に取り出した際に、ウエハ１とＤＬＣ膜３との間に
空気が侵入しやすくなり、ウエハ１をサセプタ２から容
易に取り出せる。また、ＤＬＣ膜３の表面が微細な凹凸
状であるため、ウエハ１の面内においてＤＬＣ膜３と平
均的な接触が得られ、サセプタ２からの熱がウエハ１の
面内に均一に伝わり、ウエハ１の温度の面内均一性を損
なうこともない。また、微細加工は必要なく、ＤＬＣ膜
３を被覆するだけであるため、製作コストを抑えられ
る。
性を損なうことなく、ウエハを容易に取り出せるサセプ
タを実現する。 【解決手段】 従来のサセプタ２に相当する基体４の少
なくともウエハ１の載置面にＤＬＣ膜３を被覆したこと
を特徴とし、ＤＬＣ膜３は膜表面が微細な凹凸状である
ため、半導体装置の製造工程において、ＤＬＣ膜３上に
ウエハ１が載置されたサセプタ２を真空チャンバから大
気中に取り出した際に、ウエハ１とＤＬＣ膜３との間に
空気が侵入しやすくなり、ウエハ１をサセプタ２から容
易に取り出せる。また、ＤＬＣ膜３の表面が微細な凹凸
状であるため、ウエハ１の面内においてＤＬＣ膜３と平
均的な接触が得られ、サセプタ２からの熱がウエハ１の
面内に均一に伝わり、ウエハ１の温度の面内均一性を損
なうこともない。また、微細加工は必要なく、ＤＬＣ膜
３を被覆するだけであるため、製作コストを抑えられ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
の製造装置に用いられるサセプタに関するものである。
の製造装置に用いられるサセプタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】サセプタは、スパッタリング装置やＣＶ
Ｄ装置等の半導体デバイスの製造装置に用いられ、ウエ
ハを保持するとともに、外部より高周波誘導加熱または
抵抗加熱などによって加熱され、それによって保持した
ウエハが加熱されるようになっている。従来のサセプタ
として、実公平７−４５５６４号公報に示されるものが
ある。これを図３，図４に示す。図３は第１の従来のサ
セプタを示す断面図であり、図４（ａ）は第２の従来の
サセプタを示す断面図、図４（ｂ）はその平面図であ
る。
Ｄ装置等の半導体デバイスの製造装置に用いられ、ウエ
ハを保持するとともに、外部より高周波誘導加熱または
抵抗加熱などによって加熱され、それによって保持した
ウエハが加熱されるようになっている。従来のサセプタ
として、実公平７−４５５６４号公報に示されるものが
ある。これを図３，図４に示す。図３は第１の従来のサ
セプタを示す断面図であり、図４（ａ）は第２の従来の
サセプタを示す断面図、図４（ｂ）はその平面図であ
る。
【０００３】図３に示す第１の従来のサセプタ２０で
は、ウエハ１の直径よりわずかに大きい落とし込みスペ
ース２１にウエハ１を載置していた。この構成では、ウ
エハ１の載置されたサセプタ２０を真空チャンバから大
気中に取り出し、ウエハ１をサセプタ２０から取り出す
際、ウエハ１とサセプタ２０との接触面に空気が侵入し
ないため、ウエハ１がサセプタ２０に密着して容易に取
り出すことができないという問題があった。
は、ウエハ１の直径よりわずかに大きい落とし込みスペ
ース２１にウエハ１を載置していた。この構成では、ウ
エハ１の載置されたサセプタ２０を真空チャンバから大
気中に取り出し、ウエハ１をサセプタ２０から取り出す
際、ウエハ１とサセプタ２０との接触面に空気が侵入し
ないため、ウエハ１がサセプタ２０に密着して容易に取
り出すことができないという問題があった。
【０００４】この問題を解決するために、図４に示す第
２の従来のサセプタ２２では、ウエハ載置領域２３の内
側から外側まで通じる幅および深さ１ｍｍ程度の通気溝
２４，２５を設けている。この構成により、真空チャン
バから大気中に取り出した際に、通気溝２４，２５から
ウエハ１とサセプタ２２との接触面に空気が侵入し、ウ
エハ１をサセプタ２２から容易に取り出すことができ
る。
２の従来のサセプタ２２では、ウエハ載置領域２３の内
側から外側まで通じる幅および深さ１ｍｍ程度の通気溝
２４，２５を設けている。この構成により、真空チャン
バから大気中に取り出した際に、通気溝２４，２５から
ウエハ１とサセプタ２２との接触面に空気が侵入し、ウ
エハ１をサセプタ２２から容易に取り出すことができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図４に示
す第２の従来のサセプタ２２は、通気溝２４，２５の加
工が微細加工のために製作コストが増大するという問題
があった。また、通気溝２４，２５を形成しているた
め、ウエハ１がその面内においてサセプタ２２と平均的
な接触が得られず、加熱されたサセプタ２２からの熱が
ウエハ１の面内に均一に伝わらず、ウエハ１の温度の面
内均一性が低下するという問題があった。
す第２の従来のサセプタ２２は、通気溝２４，２５の加
工が微細加工のために製作コストが増大するという問題
があった。また、通気溝２４，２５を形成しているた
め、ウエハ１がその面内においてサセプタ２２と平均的
な接触が得られず、加熱されたサセプタ２２からの熱が
ウエハ１の面内に均一に伝わらず、ウエハ１の温度の面
内均一性が低下するという問題があった。
【０００６】この発明の目的は、製作コストを抑えられ
るとともに、ウエハの温度の面内均一性を損なうことな
く、ウエハを容易に取り出すことができるサセプタを提
供することである。
るとともに、ウエハの温度の面内均一性を損なうことな
く、ウエハを容易に取り出すことができるサセプタを提
供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のサセプタ
は、ウエハを載置するサセプタにおいて、少なくともウ
エハ載置面にダイヤモンド・ライク・カーボン膜（以下
「ＤＬＣ（ｄｉａｍｏｎｄ ｌｉｋｅ ｃａｒｂｏｎ）
膜」という）を被覆したことを特徴とする。この構成に
よれば、ウエハ載置面に被覆したＤＬＣ膜は膜表面が微
細な凹凸状であり、半導体デバイスの製造工程におい
て、ＤＬＣ膜上にウエハが載置されたサセプタを真空チ
ャンバから大気中に取り出した際に、ウエハと表面が微
細な凹凸状のＤＬＣ膜との間に空気が侵入しやすくなる
ため、ウエハをサセプタから容易に取り出すことができ
る。また、ウエハと接触するＤＬＣ膜の表面が微細な凹
凸状であるため、ウエハの面内においてＤＬＣ膜と平均
的な接触が得られ、サセプタからの熱がウエハの面内に
均一に伝わり、ウエハの温度の面内均一性を損なうこと
もない。また、このサセプタは、製作コストの増大する
微細加工は必要なく、ＤＬＣ膜を被覆しているだけであ
り、製作コストを抑えることができる。
は、ウエハを載置するサセプタにおいて、少なくともウ
エハ載置面にダイヤモンド・ライク・カーボン膜（以下
「ＤＬＣ（ｄｉａｍｏｎｄ ｌｉｋｅ ｃａｒｂｏｎ）
膜」という）を被覆したことを特徴とする。この構成に
よれば、ウエハ載置面に被覆したＤＬＣ膜は膜表面が微
細な凹凸状であり、半導体デバイスの製造工程におい
て、ＤＬＣ膜上にウエハが載置されたサセプタを真空チ
ャンバから大気中に取り出した際に、ウエハと表面が微
細な凹凸状のＤＬＣ膜との間に空気が侵入しやすくなる
ため、ウエハをサセプタから容易に取り出すことができ
る。また、ウエハと接触するＤＬＣ膜の表面が微細な凹
凸状であるため、ウエハの面内においてＤＬＣ膜と平均
的な接触が得られ、サセプタからの熱がウエハの面内に
均一に伝わり、ウエハの温度の面内均一性を損なうこと
もない。また、このサセプタは、製作コストの増大する
微細加工は必要なく、ＤＬＣ膜を被覆しているだけであ
り、製作コストを抑えることができる。
【０００８】請求項２記載のサセプタは、請求項１記載
のサセプタにおいて、ＤＬＣ膜が、プラズマＣＶＤ法に
より形成した薄膜からなる。このように、プラズマＣＶ
Ｄ法によるＤＬＣ膜は、低温での形成が可能となり、ま
た、良質なＤＬＣ膜を得ることができる。
のサセプタにおいて、ＤＬＣ膜が、プラズマＣＶＤ法に
より形成した薄膜からなる。このように、プラズマＣＶ
Ｄ法によるＤＬＣ膜は、低温での形成が可能となり、ま
た、良質なＤＬＣ膜を得ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明する。図１はこの発明の実施の形態のサセプタ
を示す断面図である。図１において、１はウエハ、２は
サセプタ、３はＤＬＣ膜、４は基体であり、基体４は図
３の従来のサセプタ２０に相当する。
いて説明する。図１はこの発明の実施の形態のサセプタ
を示す断面図である。図１において、１はウエハ、２は
サセプタ、３はＤＬＣ膜、４は基体であり、基体４は図
３の従来のサセプタ２０に相当する。
【００１０】この実施の形態のサセプタ２は、基体４の
少なくともウエハ１の載置面にＤＬＣ膜３を被覆したこ
とを特徴とする。このＤＬＣ膜３は、プラズマＣＶＤ法
により形成している。なお、図１では、ＤＬＣ膜３を基
体４の上面全面に形成しているが、少なくともウエハ１
が基体４と接触する領域に形成してあればよい。ここ
で、ＤＬＣ膜３の形成方法を図２を参照しながら説明す
る。図２はＤＬＣ膜の成膜装置の構成図である。ここで
は成膜装置として平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い
ている。図２において、５は真空チャンバ、６は接地電
極、７はヒータ８を内蔵した高周波電極、９は高周波電
源、１０はマッチングボックス、１１は排気ポンプ、１
２はプロセスガスボンベ、１３は圧力調整弁、１４はマ
スフローコントローラ、１５はＤＬＣ膜を形成する基材
である。なお、基材１５は図１の基体４を構成するもの
である。
少なくともウエハ１の載置面にＤＬＣ膜３を被覆したこ
とを特徴とする。このＤＬＣ膜３は、プラズマＣＶＤ法
により形成している。なお、図１では、ＤＬＣ膜３を基
体４の上面全面に形成しているが、少なくともウエハ１
が基体４と接触する領域に形成してあればよい。ここ
で、ＤＬＣ膜３の形成方法を図２を参照しながら説明す
る。図２はＤＬＣ膜の成膜装置の構成図である。ここで
は成膜装置として平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い
ている。図２において、５は真空チャンバ、６は接地電
極、７はヒータ８を内蔵した高周波電極、９は高周波電
源、１０はマッチングボックス、１１は排気ポンプ、１
２はプロセスガスボンベ、１３は圧力調整弁、１４はマ
スフローコントローラ、１５はＤＬＣ膜を形成する基材
である。なお、基材１５は図１の基体４を構成するもの
である。
【００１１】この成膜装置は、真空チャンバ５内に接地
電極６と高周波電極７とを平行に設置し、接地電極６を
グラウンドに接続し、高周波電極７をマッチングボック
ス１０を介して高周波電源９に接続している。そして、
真空チャンバ５には、真空チャンバ５内のガスを排気す
る排気ポンプ１１と、真空チャンバ５内にプロセスガス
を導入するガス導入部とが接続されている。ガス導入部
には、プロセスガスボンベ１２からのプロセスガスの流
量制御が可能なようにマスフローコントローラ１４を設
けている。
電極６と高周波電極７とを平行に設置し、接地電極６を
グラウンドに接続し、高周波電極７をマッチングボック
ス１０を介して高周波電源９に接続している。そして、
真空チャンバ５には、真空チャンバ５内のガスを排気す
る排気ポンプ１１と、真空チャンバ５内にプロセスガス
を導入するガス導入部とが接続されている。ガス導入部
には、プロセスガスボンベ１２からのプロセスガスの流
量制御が可能なようにマスフローコントローラ１４を設
けている。
【００１２】基材１５としては、炭素プレートを用いた
場合と、アルミプレートを用いた場合についての条件
を、以下に説明するが、どちらの場合も以下に示す同一
の条件で成膜することができる。また、接地電極６およ
び高周波電極７のサイズはφ２８０ｍｍであり、基材１
５のサイズはφ１５０ｍｍ，厚さ５ｍｍのものを用いて
いる。
場合と、アルミプレートを用いた場合についての条件
を、以下に説明するが、どちらの場合も以下に示す同一
の条件で成膜することができる。また、接地電極６およ
び高周波電極７のサイズはφ２８０ｍｍであり、基材１
５のサイズはφ１５０ｍｍ，厚さ５ｍｍのものを用いて
いる。
【００１３】高周波電極７上にＤＬＣ膜を形成する基材
１５を設置し、まず、基材１５に付着している汚染物質
等を除去し、密着性の良いＤＬＣ膜を形成するために前
処理を行う。この前処理の条件は、例えば処理ガスとし
てＨ2 ガスを流量５０ｓｃｃｍ、高周波電力１５０Ｗ、
自己バイアス電圧−８０Ｖ、所定周波数１３．５６ＭＨ
ｚ、電極サイズφ２８０ｍｍ、基材温度２５℃、チャン
バ内圧力０．１Ｔｏｒｒ、処理時間１０分で行う。な
お、処理ガスとしては、Ｈ2 ガスの他、Ｏ2 ガスやフッ
素化合物ガス等を用いてもよい。
１５を設置し、まず、基材１５に付着している汚染物質
等を除去し、密着性の良いＤＬＣ膜を形成するために前
処理を行う。この前処理の条件は、例えば処理ガスとし
てＨ2 ガスを流量５０ｓｃｃｍ、高周波電力１５０Ｗ、
自己バイアス電圧−８０Ｖ、所定周波数１３．５６ＭＨ
ｚ、電極サイズφ２８０ｍｍ、基材温度２５℃、チャン
バ内圧力０．１Ｔｏｒｒ、処理時間１０分で行う。な
お、処理ガスとしては、Ｈ2 ガスの他、Ｏ2 ガスやフッ
素化合物ガス等を用いてもよい。
【００１４】つぎに、ＤＬＣ膜を形成するが、このとき
の条件は、成膜真空度０．１Ｔｏｒｒ、高周波電力１０
０Ｗ、ＣＨ4 ガスを流量５０ｓｃｃｍ、成膜時間３０分
で行う。ここで、ＤＬＣ膜の成膜前と成膜後の摩擦係数
について調べると、基材１５として炭素プレートを用い
た場合には、ＤＬＣ膜の成膜前は０．５で、成膜後には
０．２と小さくなり、同様にアルミプレートを用いた場
合にも、ＤＬＣ膜の成膜前は０．７で、成膜後には０．
２と小さくなっていた。なお、摩擦係数は、材質がアル
ミニウムで先端形状が直径１８ｍｍの弧をえがいたピン
を用い、荷重１０ｇで２０ｍｍ／ｓｅｃで移動させたと
きの摩擦係数である。
の条件は、成膜真空度０．１Ｔｏｒｒ、高周波電力１０
０Ｗ、ＣＨ4 ガスを流量５０ｓｃｃｍ、成膜時間３０分
で行う。ここで、ＤＬＣ膜の成膜前と成膜後の摩擦係数
について調べると、基材１５として炭素プレートを用い
た場合には、ＤＬＣ膜の成膜前は０．５で、成膜後には
０．２と小さくなり、同様にアルミプレートを用いた場
合にも、ＤＬＣ膜の成膜前は０．７で、成膜後には０．
２と小さくなっていた。なお、摩擦係数は、材質がアル
ミニウムで先端形状が直径１８ｍｍの弧をえがいたピン
を用い、荷重１０ｇで２０ｍｍ／ｓｅｃで移動させたと
きの摩擦係数である。
【００１５】このように、ＤＬＣ膜を成膜することによ
り摩擦係数が小さくなるのは、ＤＬＣ膜の膜表面が微細
な凹凸状になっていることと、膜表面の活性エネルギー
が低いためである。したがって、図１のように、膜表面
が微細な凹凸状となるＤＬＣ膜３を基体４のウエハ載置
面に形成したサセプタ２を用いることにより、半導体デ
バイスの製造工程において、ウエハ１が載置されたサセ
プタ２を真空チャンバから大気中に取り出した際に、ウ
エハ１と表面が微細な凹凸状のＤＬＣ膜３との間に空気
が侵入しやすくなるため、ウエハ１をサセプタ２から容
易に取り出すことができる。また、ウエハ１と接触する
ＤＬＣ膜３の表面が微細な凹凸状であるため、ウエハ１
の面内においてＤＬＣ膜３と平均的な接触が得られ、サ
セプタ２からの熱がウエハ１の面内に均一に伝わり、ウ
エハの温度の面内均一性を損なうこともない。また、こ
のサセプタ２は、図３の従来のサセプタ２０に相当する
基体４に、ＤＬＣ膜３を被覆しているだけであり、図４
のように通気溝２４，２５を形成するといった製作コス
トの増大する微細加工は必要なく、製作コストを抑える
ことができる。
り摩擦係数が小さくなるのは、ＤＬＣ膜の膜表面が微細
な凹凸状になっていることと、膜表面の活性エネルギー
が低いためである。したがって、図１のように、膜表面
が微細な凹凸状となるＤＬＣ膜３を基体４のウエハ載置
面に形成したサセプタ２を用いることにより、半導体デ
バイスの製造工程において、ウエハ１が載置されたサセ
プタ２を真空チャンバから大気中に取り出した際に、ウ
エハ１と表面が微細な凹凸状のＤＬＣ膜３との間に空気
が侵入しやすくなるため、ウエハ１をサセプタ２から容
易に取り出すことができる。また、ウエハ１と接触する
ＤＬＣ膜３の表面が微細な凹凸状であるため、ウエハ１
の面内においてＤＬＣ膜３と平均的な接触が得られ、サ
セプタ２からの熱がウエハ１の面内に均一に伝わり、ウ
エハの温度の面内均一性を損なうこともない。また、こ
のサセプタ２は、図３の従来のサセプタ２０に相当する
基体４に、ＤＬＣ膜３を被覆しているだけであり、図４
のように通気溝２４，２５を形成するといった製作コス
トの増大する微細加工は必要なく、製作コストを抑える
ことができる。
【００１６】なお、ＤＬＣ膜３で被覆される基体４とし
ては、図２で基材１５として用いた炭素、アルミ以外
に、他の金属、セラミックス等を用いることができる。
また、ＤＬＣ膜３は、４００℃以上でグラファイト状に
変質して膜が粉状となるため、サセプタ２としての使用
温度は、４００℃未満が好ましく、３５０℃以下がより
好ましい。
ては、図２で基材１５として用いた炭素、アルミ以外
に、他の金属、セラミックス等を用いることができる。
また、ＤＬＣ膜３は、４００℃以上でグラファイト状に
変質して膜が粉状となるため、サセプタ２としての使用
温度は、４００℃未満が好ましく、３５０℃以下がより
好ましい。
【００１７】
【発明の効果】この発明のサセプタは、少なくともウエ
ハ載置面にＤＬＣ膜を被覆したことを特徴とし、このＤ
ＬＣ膜は膜表面が微細な凹凸状であり、半導体デバイス
の製造工程において、ＤＬＣ膜上にウエハが載置された
サセプタを真空チャンバから大気中に取り出した際に、
ウエハと表面が微細な凹凸状のＤＬＣ膜との間に空気が
侵入しやすくなるため、ウエハをサセプタから容易に取
り出すことができる。また、ウエハと接触するＤＬＣ膜
の表面が微細な凹凸状であるため、ウエハの面内におい
てＤＬＣ膜と平均的な接触が得られ、サセプタからの熱
がウエハの面内に均一に伝わり、ウエハの温度の面内均
一性を損なうこともない。また、このサセプタは、製作
コストの増大する微細加工は必要なく、ＤＬＣ膜を被覆
しているだけであり、製作コストを抑えることができ
る。
ハ載置面にＤＬＣ膜を被覆したことを特徴とし、このＤ
ＬＣ膜は膜表面が微細な凹凸状であり、半導体デバイス
の製造工程において、ＤＬＣ膜上にウエハが載置された
サセプタを真空チャンバから大気中に取り出した際に、
ウエハと表面が微細な凹凸状のＤＬＣ膜との間に空気が
侵入しやすくなるため、ウエハをサセプタから容易に取
り出すことができる。また、ウエハと接触するＤＬＣ膜
の表面が微細な凹凸状であるため、ウエハの面内におい
てＤＬＣ膜と平均的な接触が得られ、サセプタからの熱
がウエハの面内に均一に伝わり、ウエハの温度の面内均
一性を損なうこともない。また、このサセプタは、製作
コストの増大する微細加工は必要なく、ＤＬＣ膜を被覆
しているだけであり、製作コストを抑えることができ
る。
【図１】この発明の実施の形態のサセプタを示す断面図
である。
である。
【図２】この発明の実施の形態におけるＤＬＣ膜を形成
する成膜装置の構成図である。
する成膜装置の構成図である。
【図３】第１の従来のサセプタを示す断面図である。
【図４】第２の従来のサセプタを示す断面図および平面
図である。
図である。
１ ウエハ ２ サセプタ ３ ＤＬＣ膜 ４ 基体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｃ３０Ｂ 25/12 Ｃ３０Ｂ 25/12
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハを載置するサセプタにおいて、少
なくともウエハ載置面にダイヤモンド・ライク・カーボ
ン膜を被覆したことを特徴とするサセプタ。 - 【請求項２】 ダイヤモンド・ライク・カーボン膜は、
プラズマＣＶＤ法により形成した薄膜からなる請求項１
記載のサセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24300796A JPH1087398A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24300796A JPH1087398A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1087398A true JPH1087398A (ja) | 1998-04-07 |
Family
ID=17097510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24300796A Pending JPH1087398A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1087398A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110714225A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-01-21 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种金刚石生长托盘和系统 |
-
1996
- 1996-09-13 JP JP24300796A patent/JPH1087398A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110714225A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-01-21 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种金刚石生长托盘和系统 |
| CN110714225B (zh) * | 2019-10-31 | 2021-10-01 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种金刚石生长托盘和系统 |
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