JPH1087313A - 粉末ケイ素のドーピング装置 - Google Patents
粉末ケイ素のドーピング装置Info
- Publication number
- JPH1087313A JPH1087313A JP9130876A JP13087697A JPH1087313A JP H1087313 A JPH1087313 A JP H1087313A JP 9130876 A JP9130876 A JP 9130876A JP 13087697 A JP13087697 A JP 13087697A JP H1087313 A JPH1087313 A JP H1087313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- receiving means
- granules
- dopant
- fine particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/50—Solid solutions
- C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
- C01P2002/54—Solid solutions containing elements as dopants one element only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドーピング作業の効率を損なわずに、均質な
ドーピングを行うことができるケイ素粉末のドーピング
装置を提供する。 【解決手段】 本発明は、ケイ素のスートの微粒子また
は予め作られたケイ素の細粒の受入れ手段と、前記のス
ートの微粒子を細粒に凝集し、さらに前記の細粒を稠密
化するのに十分な温度にするために、前記受入れ手段の
中に入れられている前記微粒子（あるいは前記細粒）の
加熱手段と、ドーパントの前駆気体を前記受入れ手段に
供給する手段とを含むケイ素の粉末のドーピング装置で
ある。前記受入れ手段が可動であり、受入れ手段の中に
入れられた前記の細粒の各々が、外側表面のほぼ全体が
前記の前駆気体を含む雰囲気にさらされるような運動に
よって活性化されることを特徴としている。
ドーピングを行うことができるケイ素粉末のドーピング
装置を提供する。 【解決手段】 本発明は、ケイ素のスートの微粒子また
は予め作られたケイ素の細粒の受入れ手段と、前記のス
ートの微粒子を細粒に凝集し、さらに前記の細粒を稠密
化するのに十分な温度にするために、前記受入れ手段の
中に入れられている前記微粒子（あるいは前記細粒）の
加熱手段と、ドーパントの前駆気体を前記受入れ手段に
供給する手段とを含むケイ素の粉末のドーピング装置で
ある。前記受入れ手段が可動であり、受入れ手段の中に
入れられた前記の細粒の各々が、外側表面のほぼ全体が
前記の前駆気体を含む雰囲気にさらされるような運動に
よって活性化されることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は粉末ケイ素のドーピ
ング装置に関するものである。一般的に、本発明による
装置を用いて得られる粉末は、いかなるタイプの用途に
おいても使用することができ、とりわけ光ファイバのプ
レフォーム（preformes）を製造するのに使用すること
ができる。
ング装置に関するものである。一般的に、本発明による
装置を用いて得られる粉末は、いかなるタイプの用途に
おいても使用することができ、とりわけ光ファイバのプ
レフォーム（preformes）を製造するのに使用すること
ができる。
【０００２】ドーピングとは、ケイ素の分子の中に、そ
れらの特性を変えるための一つまたは複数の元素の分子
を組み込むという作業を意味している。特に、光ファイ
バの分野では、当該のケイ素がそれぞれ、たとえば、光
ファイバの芯を構成するためのものか、光学的被覆を構
成するためのものかによって、その屈折率を増大あるい
は減少させることによって変化させるためのドーパント
（dopant）がケイ素の中に組み込まれる。ドーパントと
して、たとえば、ケイ素の屈折率を増大させるためには
ゲルマニウムを、屈折率を減少させるためにはフッ素を
使うことができる。
れらの特性を変えるための一つまたは複数の元素の分子
を組み込むという作業を意味している。特に、光ファイ
バの分野では、当該のケイ素がそれぞれ、たとえば、光
ファイバの芯を構成するためのものか、光学的被覆を構
成するためのものかによって、その屈折率を増大あるい
は減少させることによって変化させるためのドーパント
（dopant）がケイ素の中に組み込まれる。ドーパントと
して、たとえば、ケイ素の屈折率を増大させるためには
ゲルマニウムを、屈折率を減少させるためにはフッ素を
使うことができる。
【０００３】特に光ファイバの製造のために使用できる
状態にあるケイ素は、ある程度の大きさをもち、稠密化
されたあるいは稠密化されていない粒子でできた粉末の
形状を有している。
状態にあるケイ素は、ある程度の大きさをもち、稠密化
されたあるいは稠密化されていない粒子でできた粉末の
形状を有している。
【０００４】ケイ素の粒子が稠密化されている場合は、
たとえば、ＭＣＶＤ法（改良化学的気相付着法(Modifie
d Chemical Vapor Deposition)）によって製造された光
ファイバのプレフォームのプラズマ挿入を行うために使
用される。
たとえば、ＭＣＶＤ法（改良化学的気相付着法(Modifie
d Chemical Vapor Deposition)）によって製造された光
ファイバのプレフォームのプラズマ挿入を行うために使
用される。
【０００５】ケイ素の粒子が稠密化されていない場合に
は、一般的に稠密化されたケイ素粒子よりも小さく、た
とえば、ＶＡＤ法（軸方向気相付着法(Vapor Axial Dep
osition)）またはＯＶＤ法（外部気相付着法(Outside V
apor Deposition)）によってプレフォームを製造するた
めに使用することができる。
は、一般的に稠密化されたケイ素粒子よりも小さく、た
とえば、ＶＡＤ法（軸方向気相付着法(Vapor Axial Dep
osition)）またはＯＶＤ法（外部気相付着法(Outside V
apor Deposition)）によってプレフォームを製造するた
めに使用することができる。
【０００６】本発明はまったくこれらの方法に限定され
るわけではなく、これらの方法はすべてあくまで例示的
なものであり、いずれも光ファイバの分野の技術者によ
って良く知られている方法であることから、ここではこ
れ以上詳細な説明を行わない。
るわけではなく、これらの方法はすべてあくまで例示的
なものであり、いずれも光ファイバの分野の技術者によ
って良く知られている方法であることから、ここではこ
れ以上詳細な説明を行わない。
【０００７】稠密化されたケイ素の粒子は、一般に大き
さは０．１から１００ｎｍである非常に小さな粒子の形
の稠密化されていないケイ素の粒子からつくりだされ
る。この場合、ケイ素の粉末はスート（suie）と呼ばれ
る。ケイ素のスートは、技術者によって良く知られてい
るさまざまな方法で得ることができる。たとえば、四塩
化ケイ素ＳｉＣｌ4のようなケイ素の前駆気体の熱の存
在による酸化によって製造することができる。稠密化さ
れたケイ素の粒子の製造のために、ケイ素の小さな微粒
子は、細粒を形成するために凝集され、さらにこれらの
細粒は、得られた粒子が稠密になるように、それらを構
成するさまざまな微粒子間に存在する空隙を取り除くこ
とができる加熱によって固められる。これらの粒子は一
般に１ミクロンより大きいサイズである。
さは０．１から１００ｎｍである非常に小さな粒子の形
の稠密化されていないケイ素の粒子からつくりだされ
る。この場合、ケイ素の粉末はスート（suie）と呼ばれ
る。ケイ素のスートは、技術者によって良く知られてい
るさまざまな方法で得ることができる。たとえば、四塩
化ケイ素ＳｉＣｌ4のようなケイ素の前駆気体の熱の存
在による酸化によって製造することができる。稠密化さ
れたケイ素の粒子の製造のために、ケイ素の小さな微粒
子は、細粒を形成するために凝集され、さらにこれらの
細粒は、得られた粒子が稠密になるように、それらを構
成するさまざまな微粒子間に存在する空隙を取り除くこ
とができる加熱によって固められる。これらの粒子は一
般に１ミクロンより大きいサイズである。
【０００８】稠密化されたケイ素の粒子の製造の中間段
階におけるケイ素の微粒子をケイ素の細粒と呼ぶ。
階におけるケイ素の微粒子をケイ素の細粒と呼ぶ。
【０００９】ドーピングされたケイ素の粒子の粉末を得
るために使用される従来の方法は、望ましいドーパント
の前駆気体を含む雰囲気の下で、細粒の稠密化作業を行
うというものである。このように、ケイ素の細粒のフッ
化を行うために、六フッ化イオウＳＦ6または四フッ化
ケイ素ＳｉＦ4のようなフッ化気体を含む雰囲気の下で
稠密化が行われる。稠密化されていないケイ素の細粒
は、稠密化を行うことができる温度にするために炉の中
に置かれたるつぼの中に入れられ、炉には、望ましいド
ーパントの前駆気体が供給される。ドーピングは、ケイ
素の細粒におけるドーパントＦ2の分子の拡散によって
生じる。この結果、ＳｉＯ2-xＦ2xタイプの錯体分子が
形成される。
るために使用される従来の方法は、望ましいドーパント
の前駆気体を含む雰囲気の下で、細粒の稠密化作業を行
うというものである。このように、ケイ素の細粒のフッ
化を行うために、六フッ化イオウＳＦ6または四フッ化
ケイ素ＳｉＦ4のようなフッ化気体を含む雰囲気の下で
稠密化が行われる。稠密化されていないケイ素の細粒
は、稠密化を行うことができる温度にするために炉の中
に置かれたるつぼの中に入れられ、炉には、望ましいド
ーパントの前駆気体が供給される。ドーピングは、ケイ
素の細粒におけるドーパントＦ2の分子の拡散によって
生じる。この結果、ＳｉＯ2-xＦ2xタイプの錯体分子が
形成される。
【００１０】このタイプのプロセスを実施するためのる
つぼ型装置にはいくつかの問題がある。
つぼ型装置にはいくつかの問題がある。
【００１１】最も大きな問題は、均質なドーピングを得
るために、必要な処理時間が非常に長く、ドーピング効
率が非常に悪いという欠点があることである。処理時間
を短くすると、効率が上がるが、ドーピングは不均質に
なってしまう。ところで、ケイ素の粒子の不均質なドー
ピングは、たとえば、光ファイバの製造に応用するため
には、これらの光ファイバの伝送という観点での性能に
関して受け入れられない屈折率のばらつきを招いてしま
う。
るために、必要な処理時間が非常に長く、ドーピング効
率が非常に悪いという欠点があることである。処理時間
を短くすると、効率が上がるが、ドーピングは不均質に
なってしまう。ところで、ケイ素の粒子の不均質なドー
ピングは、たとえば、光ファイバの製造に応用するため
には、これらの光ファイバの伝送という観点での性能に
関して受け入れられない屈折率のばらつきを招いてしま
う。
【００１２】もう一つの重大な問題は、ドーピングが静
的に行われ、そのため、炉の温度上昇の第一段階と、温
度がほぼ安定した第二の処理段階とさらに、ドーピング
され稠密化された粒子を回収することができる前に温度
を下げる最終段階を必要とするという点に由来してい
る。このため、プロセスは連続的に実施することができ
ないので、効率という点でもまた不利である。
的に行われ、そのため、炉の温度上昇の第一段階と、温
度がほぼ安定した第二の処理段階とさらに、ドーピング
され稠密化された粒子を回収することができる前に温度
を下げる最終段階を必要とするという点に由来してい
る。このため、プロセスは連続的に実施することができ
ないので、効率という点でもまた不利である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ドー
ピング作業の効率を損なわずに、光ファイバの製造にお
けるケイ素の使用と両立する均質なドーピングを行うこ
とができるケイ素粉末のドーピング装置を提供すること
である。
ピング作業の効率を損なわずに、光ファイバの製造にお
けるケイ素の使用と両立する均質なドーピングを行うこ
とができるケイ素粉末のドーピング装置を提供すること
である。
【００１４】本発明のもう一つの目的は、連続的なドー
ピングを行うことができるケイ素粉末のドーピング装置
を提供することである。
ピングを行うことができるケイ素粉末のドーピング装置
を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、以下
を備えた、ドーパントを用いたケイ素の粉末のドーピン
グ装置を提案する。
を備えた、ドーパントを用いたケイ素の粉末のドーピン
グ装置を提案する。
【００１６】− ケイ素スートの粒子の受入れ手段、 − 前記の受入れ手段を、前記のスートによる微粒子を
細粒に凝集し、さらに前記細粒を稠密化するのに十分な
温度にするために、それらの受入れ手段の中に入れられ
ている前記粒子の加熱手段、及び − 前記の細粒が前駆気体を含む雰囲気の下で加熱され
るように、前記のドーパントの前駆気体を前記受入れ手
段に供給する手段。この結果、ドーピングされ稠密化さ
れたケイ素の粒子を得るためにそれらの稠密化の最中に
前記の細粒の中に前記のドーパントが組込まれる。
細粒に凝集し、さらに前記細粒を稠密化するのに十分な
温度にするために、それらの受入れ手段の中に入れられ
ている前記粒子の加熱手段、及び − 前記の細粒が前駆気体を含む雰囲気の下で加熱され
るように、前記のドーパントの前駆気体を前記受入れ手
段に供給する手段。この結果、ドーピングされ稠密化さ
れたケイ素の粒子を得るためにそれらの稠密化の最中に
前記の細粒の中に前記のドーパントが組込まれる。
【００１７】さらに本発明による装置は、前記の受入れ
手段の運動中に、その中に入れられている前記細粒の各
々が、その外側表面のほぼ全体が前記の前駆気体を含む
雰囲気にさらされるような運動によって活性化されるよ
うに、前記受入れ手段が可動型であるという特徴をもっ
ている。
手段の運動中に、その中に入れられている前記細粒の各
々が、その外側表面のほぼ全体が前記の前駆気体を含む
雰囲気にさらされるような運動によって活性化されるよ
うに、前記受入れ手段が可動型であるという特徴をもっ
ている。
【００１８】本発明はまた、以下を備えたドーパントを
用いたケイ素の粉末のドーピング装置を提案する。
用いたケイ素の粉末のドーピング装置を提案する。
【００１９】− 予め作られたケイ素の細粒の受入れ手
段、 − 前記受入れ手段を、稠密化を可能にするのに十分な
温度にするためにそれらの手段の中に入れられている前
記細粒の加熱手段、 − 前記の細粒が前駆気体を含む雰囲気の下で加熱され
るように、前記のドーパントの前駆気体を前記受入れ手
段に供給する手段。この結果、ドーピングされ稠密化さ
れたケイ素の粒子を得るためにそれらの稠密化の最中に
前記の細粒の中に前記のドーパントが組込まれる。
段、 − 前記受入れ手段を、稠密化を可能にするのに十分な
温度にするためにそれらの手段の中に入れられている前
記細粒の加熱手段、 − 前記の細粒が前駆気体を含む雰囲気の下で加熱され
るように、前記のドーパントの前駆気体を前記受入れ手
段に供給する手段。この結果、ドーピングされ稠密化さ
れたケイ素の粒子を得るためにそれらの稠密化の最中に
前記の細粒の中に前記のドーパントが組込まれる。
【００２０】さらに本発明による装置は、前記受入れ手
段の運動中に、その中に入れられている前記細粒の各々
が、その外側表面のほぼ全体が前記の前駆気体を含む雰
囲気にさらされるような運動によって活性化されるよう
に、前記受入れ手段が可動型であるという特徴をもって
いる。
段の運動中に、その中に入れられている前記細粒の各々
が、その外側表面のほぼ全体が前記の前駆気体を含む雰
囲気にさらされるような運動によって活性化されるよう
に、前記受入れ手段が可動型であるという特徴をもって
いる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の装置によって、細粒が稠
密化中に動き回ることから、サイズや、受入手段の中で
の最初の位置に関係なく、すべての細粒が、ドーパント
の前駆気体の作用を受ける。したがって、到達しにく
く、また到達するのに時間のかかる細粒はもはや存在し
なくなる。ドーピングは、ドーピング作業効率が損なわ
れずに均等に行われる。
密化中に動き回ることから、サイズや、受入手段の中で
の最初の位置に関係なく、すべての細粒が、ドーパント
の前駆気体の作用を受ける。したがって、到達しにく
く、また到達するのに時間のかかる細粒はもはや存在し
なくなる。ドーピングは、ドーピング作業効率が損なわ
れずに均等に行われる。
【００２２】受入れ手段は、回転運動することが好まし
い。この結果、細粒はそれらの手段の表面を転がり、前
駆気体の作用に対して一層効果的にさらされることがで
きる。このことは、受入れ手段がほぼ管状の形である場
合には、さらに容易に行われる。
い。この結果、細粒はそれらの手段の表面を転がり、前
駆気体の作用に対して一層効果的にさらされることがで
きる。このことは、受入れ手段がほぼ管状の形である場
合には、さらに容易に行われる。
【００２３】本発明のもう一つの特性によれば、受入れ
手段は、ケイ素のスートの微粒子またはケイ素の細粒の
粒子の入口と、ドーピングされ稠密化されたケイ素の粒
子の出口を備えており、入口は出口と切り離されてい
る。この結果、細粒の運動と組み合わされることによっ
て、連続処理を行うことができる。
手段は、ケイ素のスートの微粒子またはケイ素の細粒の
粒子の入口と、ドーピングされ稠密化されたケイ素の粒
子の出口を備えており、入口は出口と切り離されてい
る。この結果、細粒の運動と組み合わされることによっ
て、連続処理を行うことができる。
【００２４】その一方で、細粒が、重力によって入口か
ら出口に向かって運ばれるように受入れ手段を配置する
ことができる。すなわち、受入れ手段を水平に対して傾
斜させることもできる。このことから、細粒の表面全体
を前駆気体を含む雰囲気にさらす効率が一層改善され
る。
ら出口に向かって運ばれるように受入れ手段を配置する
ことができる。すなわち、受入れ手段を水平に対して傾
斜させることもできる。このことから、細粒の表面全体
を前駆気体を含む雰囲気にさらす効率が一層改善され
る。
【００２５】最後に、前駆気体は、細粒に対して逆流循
環するように受入れ手段の中に入れられる。その結果ド
ーピングのより良い均質性が得られる。
環するように受入れ手段の中に入れられる。その結果ド
ーピングのより良い均質性が得られる。
【００２６】ドーパントがフッ素である場合には、前駆
気体は、六フッ化イオウＳＦ6、四フッ化ケイ素Ｓｉ
Ｆ4、フレオン（freon）の中から選択される。
気体は、六フッ化イオウＳＦ6、四フッ化ケイ素Ｓｉ
Ｆ4、フレオン（freon）の中から選択される。
【００２７】ドーパントが塩素である場合には、前駆気
体は塩酸ＨＣｌ、気体塩素Ｃｌ2またはＳＯＣｌ2の中か
ら選択される。
体は塩酸ＨＣｌ、気体塩素Ｃｌ2またはＳＯＣｌ2の中か
ら選択される。
【００２８】上記の気体を混ぜ合わせて塩素とフッ素の
混合ドーパントをつくることもできる。
混合ドーパントをつくることもできる。
【００２９】限定的でなく例示的なものとして、本発明
の装置の他の特性及び利点を以下に説明する。
の装置の他の特性及び利点を以下に説明する。
【００３０】添付のすべての図面において、共通のエレ
メントには同じ参照番号が記されている。
メントには同じ参照番号が記されている。
【００３１】図１から４に表わされている本発明の第一
の実施の形態による装置１００は、以下の三つの部分で
構成されている：ケイ素のスートの粉末または予め作ら
れたケイ素の細粒の供給部分１０１と、ドーピングされ
稠密化されたケイ素の粒子の回収部分１０３と、さらに
その両者の間に位置し、ケイ素スートの粉末の凝集（ケ
イ素スートから始める場合）、ドーピング、稠密化作業
を行うためのメイン本体１０２である。供給部分１０１
は、図１ではメイン本体１０２の左側に、回収部分１０
３はその右側に位置している。
の実施の形態による装置１００は、以下の三つの部分で
構成されている：ケイ素のスートの粉末または予め作ら
れたケイ素の細粒の供給部分１０１と、ドーピングされ
稠密化されたケイ素の粒子の回収部分１０３と、さらに
その両者の間に位置し、ケイ素スートの粉末の凝集（ケ
イ素スートから始める場合）、ドーピング、稠密化作業
を行うためのメイン本体１０２である。供給部分１０１
は、図１ではメイン本体１０２の左側に、回収部分１０
３はその右側に位置している。
【００３２】ケイ素スートの粉末またはケイ素の細粒の
供給部分１０１は、ケイ素のスートまたは細粒２を入れ
る容器１を有しており、この容器１は、ケイ素のスート
または細粒２の均質な分配を行うことができるようにそ
の軸３０の周りの回転運動によって活性化されるたとえ
ば螺旋ネジ３のような、ケイ素のスートまたは細粒の分
配手段につながっている。
供給部分１０１は、ケイ素のスートまたは細粒２を入れ
る容器１を有しており、この容器１は、ケイ素のスート
または細粒２の均質な分配を行うことができるようにそ
の軸３０の周りの回転運動によって活性化されるたとえ
ば螺旋ネジ３のような、ケイ素のスートまたは細粒の分
配手段につながっている。
【００３３】フレーム１０５に取付けられた装置１００
のメイン本体１０２は、たとえばアルミでできたパイプ
４の集合体を有しているが、これらは、それぞれの軸４
０が円筒５１を定めるように（図４参照）、互いに平行
に配置され、ケイ素のスートまたは細粒２の受入れ手段
として役立ち、パイプ４の軸４０は軸３０に平行になっ
ている。パイプの集合体４は、フレーム１０５に支えら
れている回転駆動手段５によって、軸３０及び４０に平
行な円筒５１の軸である共通軸５０の周りを回転駆動さ
れるようにサポート４５の中に取付けられている。この
回転によって、パイプ４の各々の一端４１（図２参照）
は、分配手段３と次々に連絡して行く。この結果、ケイ
素のスートまたは細粒２は、受入れパイプ４の中に入れ
られる。
のメイン本体１０２は、たとえばアルミでできたパイプ
４の集合体を有しているが、これらは、それぞれの軸４
０が円筒５１を定めるように（図４参照）、互いに平行
に配置され、ケイ素のスートまたは細粒２の受入れ手段
として役立ち、パイプ４の軸４０は軸３０に平行になっ
ている。パイプの集合体４は、フレーム１０５に支えら
れている回転駆動手段５によって、軸３０及び４０に平
行な円筒５１の軸である共通軸５０の周りを回転駆動さ
れるようにサポート４５の中に取付けられている。この
回転によって、パイプ４の各々の一端４１（図２参照）
は、分配手段３と次々に連絡して行く。この結果、ケイ
素のスートまたは細粒２は、受入れパイプ４の中に入れ
られる。
【００３４】パイプ４の端部４１はすべて、閉鎖されて
いるエンクロージャ（enceinte）１０の中に通じてお
り、供給手段３もまたこのエンクロージャ１０の中に通
じている点に注目してほしい。
いるエンクロージャ（enceinte）１０の中に通じてお
り、供給手段３もまたこのエンクロージャ１０の中に通
じている点に注目してほしい。
【００３５】さらに、パイプ４は、その長さの大部分
が、フレーム１０５に支えられている炉６に取り囲まれ
ており、この炉６は、軸５０に沿った各先端に、パイプ
４を通して、それらをともに回転させるための開口部
（ここには記されていない）を有しており、この開口部
の中に、受入れパイプ４を熱するための加熱用電極６０
が差込まれている。パイプ４の先端４１は、装置１００
の供給部分１０１において炉６の外に位置し、先端４１
の反対側にあるパイプ４の先端４２（図３参照）もまた
同じように、装置１００の回収部分１０３において炉６
の外に位置している。
が、フレーム１０５に支えられている炉６に取り囲まれ
ており、この炉６は、軸５０に沿った各先端に、パイプ
４を通して、それらをともに回転させるための開口部
（ここには記されていない）を有しており、この開口部
の中に、受入れパイプ４を熱するための加熱用電極６０
が差込まれている。パイプ４の先端４１は、装置１００
の供給部分１０１において炉６の外に位置し、先端４１
の反対側にあるパイプ４の先端４２（図３参照）もまた
同じように、装置１００の回収部分１０３において炉６
の外に位置している。
【００３６】装置１００の回収部分１０３は、ケイ素を
ドーピングするのに用いられるドーパントの前駆気体の
供給手段７を備えている。この前駆気体としては、たと
えば六フッ化イオウＳＦ6または四フッ化ケイ素ＳｉＦ4
のようなフッ化ガスを使用することができる。供給手段
７は、閉鎖されたエンクロージャ１１の中に通じてお
り、パイプ４の先端４２もまた、これらのすべてのパイ
プに前駆気体が供給されるように、このエンクロージャ
の中に通じている。こうして、ドーパントの前駆気体が
注入され、ケイ素の細粒に対して逆流するように循環す
る。その結果、前駆気体がケイ素の細粒と同じ方向に流
れる場合よりも優れたドーピングの均質性が得られる。
ドーピングするのに用いられるドーパントの前駆気体の
供給手段７を備えている。この前駆気体としては、たと
えば六フッ化イオウＳＦ6または四フッ化ケイ素ＳｉＦ4
のようなフッ化ガスを使用することができる。供給手段
７は、閉鎖されたエンクロージャ１１の中に通じてお
り、パイプ４の先端４２もまた、これらのすべてのパイ
プに前駆気体が供給されるように、このエンクロージャ
の中に通じている。こうして、ドーパントの前駆気体が
注入され、ケイ素の細粒に対して逆流するように循環す
る。その結果、前駆気体がケイ素の細粒と同じ方向に流
れる場合よりも優れたドーピングの均質性が得られる。
【００３７】エンクロージャ１１は、その下部におい
て、稠密化されドーピングされたケイ素の粒子９の回収
容器８に連絡している。この容器８は、装置１００の回
収部分１０３の中に存在する。
て、稠密化されドーピングされたケイ素の粒子９の回収
容器８に連絡している。この容器８は、装置１００の回
収部分１０３の中に存在する。
【００３８】ドーピング反応による気体状の反応物質
は、装置１００の供給部分１０１のレベルに位置するパ
イプ４の先端４１によって、さらに、エンクロージャ１
０に連絡している排出手段１２によってこの装置１００
から外に出される。
は、装置１００の供給部分１０１のレベルに位置するパ
イプ４の先端４１によって、さらに、エンクロージャ１
０に連絡している排出手段１２によってこの装置１００
から外に出される。
【００３９】ここで、ケイ素のスート２のドーピングの
ための本発明による装置１００の動作について説明しよ
う。
ための本発明による装置１００の動作について説明しよ
う。
【００４０】稠密化されていないケイ素のスート２は、
受入パイプ４の先端４１によって装置１００の中に入れ
られ、このパイプ４の中で、炉６によって加熱される。
それと同時に、望ましいドーパントの前駆気体（先の例
においてはフッ素）が、供給手段７によって、さらに受
入パイプ４の先端４２によってこの装置内に入れられ
る。
受入パイプ４の先端４１によって装置１００の中に入れ
られ、このパイプ４の中で、炉６によって加熱される。
それと同時に、望ましいドーパントの前駆気体（先の例
においてはフッ素）が、供給手段７によって、さらに受
入パイプ４の先端４２によってこの装置内に入れられ
る。
【００４１】加熱は高温で行われる。フッ素によるドー
ピングを行う場合には、およそ１３５０℃で行われるの
が典型である。このことによって、ケイ素のスート２を
構成している非常に細かい粒子が凝集されて、多孔性の
ケイ素の細粒を形成し、この細粒の中に前駆気体から生
じるドーパントが組込まれる。それと同時に、このよう
にドーピングされた細粒は固められてドーピング及び稠
密化されたケイ素の粒子９を形成し、その粒子が容器８
の中で回収される。
ピングを行う場合には、およそ１３５０℃で行われるの
が典型である。このことによって、ケイ素のスート２を
構成している非常に細かい粒子が凝集されて、多孔性の
ケイ素の細粒を形成し、この細粒の中に前駆気体から生
じるドーパントが組込まれる。それと同時に、このよう
にドーピングされた細粒は固められてドーピング及び稠
密化されたケイ素の粒子９を形成し、その粒子が容器８
の中で回収される。
【００４２】プロセスの実施中に軸５０の周りをパイプ
４の集合体が回転することによって、ケイ素の細粒は、
パイプ４の内側表面に対して動き回るので、その結果、
表面全体がドーパント気体の作用にさらされる。
４の集合体が回転することによって、ケイ素の細粒は、
パイプ４の内側表面に対して動き回るので、その結果、
表面全体がドーパント気体の作用にさらされる。
【００４３】このように、本発明による装置によって、
ケイ素のあらゆる粒子が均質にドーピングされる。これ
は従来の技術による装置では得られないことである。さ
らに、あらゆるケイ素の粒子は、ほぼ同時にドーパント
気体にさらされ、その結果、プロセスの効率も、従来の
技術による静的な装置を使用するプロセスに比べて改善
される。
ケイ素のあらゆる粒子が均質にドーピングされる。これ
は従来の技術による装置では得られないことである。さ
らに、あらゆるケイ素の粒子は、ほぼ同時にドーパント
気体にさらされ、その結果、プロセスの効率も、従来の
技術による静的な装置を使用するプロセスに比べて改善
される。
【００４４】受入パイプが回転することから、細粒はそ
の内側表面を転がり、それによって処理が容易になる。
しかも、本発明によれば、各細粒の表面全体がドーパン
ト気体の作用にさらされることから、受入れ手段の表面
はどんな形状であってもよく、またどんなタイプの駆動
運動も選択することができる。
の内側表面を転がり、それによって処理が容易になる。
しかも、本発明によれば、各細粒の表面全体がドーパン
ト気体の作用にさらされることから、受入れ手段の表面
はどんな形状であってもよく、またどんなタイプの駆動
運動も選択することができる。
【００４５】ここで、図５と関連させて、本発明の第二
の実施の形態による装置５００を見てみよう。
の実施の形態による装置５００を見てみよう。
【００４６】装置５００もまた三つの部分で構成されて
いる。ケイ素のスートの粉末の供給部分５０１と、ドー
ピングされ稠密化されたケイ素の粒子の回収部分５０３
と、それら両者の間に位置し、ケイ素のスートの粉末を
凝集、ドーピング、稠密化作業を行うことができるメイ
ン本体５０２である。供給部分５０１は、図５ではメイ
ン本体５０２の左側に位置し、回収部分５０３はその右
側に位置している。
いる。ケイ素のスートの粉末の供給部分５０１と、ドー
ピングされ稠密化されたケイ素の粒子の回収部分５０３
と、それら両者の間に位置し、ケイ素のスートの粉末を
凝集、ドーピング、稠密化作業を行うことができるメイ
ン本体５０２である。供給部分５０１は、図５ではメイ
ン本体５０２の左側に位置し、回収部分５０３はその右
側に位置している。
【００４７】ケイ素のスートの粉末の供給部分５０１
は、ケイ素のスート５１２を含む容器５１１を備えてお
り、この容器５１１は、ケイ素のスート５１２の均質な
分配を行うことができるようにその軸５３０の周りの回
転運動によって活性化される螺旋ネジ５１３のような、
ケイ素のスートまたは細粒の分配手段につながってい
る。
は、ケイ素のスート５１２を含む容器５１１を備えてお
り、この容器５１１は、ケイ素のスート５１２の均質な
分配を行うことができるようにその軸５３０の周りの回
転運動によって活性化される螺旋ネジ５１３のような、
ケイ素のスートまたは細粒の分配手段につながってい
る。
【００４８】フレーム５０５に取付けられている装置５
００のメイン本体５０２は、たとえばアルミでできたパ
イプ５０４を有しており、このパイプは、ケイ素のスー
ト５１２の受入れ手段として役立ち、パイプ５０４の軸
５４０は軸５３０に一致している。パイプ５０４は、フ
レーム５０５によって支えられている回転駆動手段５５
０によってその軸５４０の周りを回転駆動される。パイ
プ５０４の一端５４１は、分配手段５１３に連絡してい
る。この結果、ケイ素のスート２は、受入れパイプ５０
４の中に入れられる。
００のメイン本体５０２は、たとえばアルミでできたパ
イプ５０４を有しており、このパイプは、ケイ素のスー
ト５１２の受入れ手段として役立ち、パイプ５０４の軸
５４０は軸５３０に一致している。パイプ５０４は、フ
レーム５０５によって支えられている回転駆動手段５５
０によってその軸５４０の周りを回転駆動される。パイ
プ５０４の一端５４１は、分配手段５１３に連絡してい
る。この結果、ケイ素のスート２は、受入れパイプ５０
４の中に入れられる。
【００４９】パイプ５０４の先端５４１は閉鎖されたエ
ンクロージャ５１０の中に通じており、供給手段５１３
もまたこのエンクロージャの中に通じている点に注目し
て欲しい。
ンクロージャ５１０の中に通じており、供給手段５１３
もまたこのエンクロージャの中に通じている点に注目し
て欲しい。
【００５０】さらに、パイプ５０４は、その長さの大部
分が、フレーム５0５に支えられている炉５０６に取り
囲まれており、この炉６は、軸５４０に沿った各先端に
は、パイプ５０４を通し、それを回転させるための開口
部（ここには記されていない）を有しており、この開口
部の中に、受入れパイプ５０４を熱するための加熱用電
極５６０が差込まれる。パイプ５０４の先端５４１は、
装置１００の供給部分５０１において炉５０６の外に位
置し、先端５４１の反対側にあるパイプ５０４の先端５
４２もまた同じように、装置５００の回収部分５０３に
おいて炉５０６の外に位置している。
分が、フレーム５0５に支えられている炉５０６に取り
囲まれており、この炉６は、軸５４０に沿った各先端に
は、パイプ５０４を通し、それを回転させるための開口
部（ここには記されていない）を有しており、この開口
部の中に、受入れパイプ５０４を熱するための加熱用電
極５６０が差込まれる。パイプ５０４の先端５４１は、
装置１００の供給部分５０１において炉５０６の外に位
置し、先端５４１の反対側にあるパイプ５０４の先端５
４２もまた同じように、装置５００の回収部分５０３に
おいて炉５０６の外に位置している。
【００５１】装置５００の回収部分５０３は、ケイ素を
ドーピングするのに用いられるドーパントの前駆気体の
供給手段５０７を備えている。この前駆気体としては、
たとえば六フッ化イオウＳＦ6または四フッ化ケイ素Ｓ
ｉＦ4のようなフッ化ガスを使用することができる。供
給手段５０７は、閉鎖されたエンクロージャ５１４の中
に通じており、パイプ５０４の先端５４２もまた、これ
らのすべてのパイプに前駆気体が供給されるように、こ
のエンクロージャの中に通じている。こうして、望まし
いドーパントの前駆気体が注入され、ケイ素のスート５
１２に対して逆流するように循環する。その結果、優れ
たドーピングの均質性が得られる。
ドーピングするのに用いられるドーパントの前駆気体の
供給手段５０７を備えている。この前駆気体としては、
たとえば六フッ化イオウＳＦ6または四フッ化ケイ素Ｓ
ｉＦ4のようなフッ化ガスを使用することができる。供
給手段５０７は、閉鎖されたエンクロージャ５１４の中
に通じており、パイプ５０４の先端５４２もまた、これ
らのすべてのパイプに前駆気体が供給されるように、こ
のエンクロージャの中に通じている。こうして、望まし
いドーパントの前駆気体が注入され、ケイ素のスート５
１２に対して逆流するように循環する。その結果、優れ
たドーピングの均質性が得られる。
【００５２】エンクロージャ５１４は、その下部におい
て、稠密化されドーピングされたケイ素の粒子５０９の
回収容器５０８に連絡している。この容器５０８は、装
置５００の回収部分５０３の中に存在する。
て、稠密化されドーピングされたケイ素の粒子５０９の
回収容器５０８に連絡している。この容器５０８は、装
置５００の回収部分５０３の中に存在する。
【００５３】ドーピング反応による気体状の反応物質
は、装置５００の供給部分５０１のレベルに位置するパ
イプ５０４の先端５４１によって、さらに、エンクロー
ジャ５１０に連絡している排出手段５１５によってこの
装置５００から外に出される。
は、装置５００の供給部分５０１のレベルに位置するパ
イプ５０４の先端５４１によって、さらに、エンクロー
ジャ５１０に連絡している排出手段５１５によってこの
装置５００から外に出される。
【００５４】ケイ素のスート５１２のドーピングのため
の本発明による装置５００の動作は、ケイ素のスート２
のドーピングのための図１から４の装置１００の動作と
同様である。装置５００の利点は、装置１００の利点と
同じである。
の本発明による装置５００の動作は、ケイ素のスート２
のドーピングのための図１から４の装置１００の動作と
同様である。装置５００の利点は、装置１００の利点と
同じである。
【００５５】予め作られたケイ素の細粒２のドーピング
のための本発明による装置１００と５００の動作は、細
粒が予め作られていることから、凝集が行われない点を
除けば、上述した作動と同じである。
のための本発明による装置１００と５００の動作は、細
粒が予め作られていることから、凝集が行われない点を
除けば、上述した作動と同じである。
【００５６】もちろん、本発明はこれまでに説明してき
た実施の形態に限定されるものではない。
た実施の形態に限定されるものではない。
【００５７】とりわけ、装置１００または５００が、あ
るいは少なくともそのメイン本体１０２または５０２
が、たとえばケイ素のスートの入口とドーピングされた
粒子の出口との間で、およそ３から５°の角度で、水平
に対して低方に傾いている場合には、得られたドーピン
グケイ素の粒子の均質性をさらに改善することができる
であろう。
るいは少なくともそのメイン本体１０２または５０２
が、たとえばケイ素のスートの入口とドーピングされた
粒子の出口との間で、およそ３から５°の角度で、水平
に対して低方に傾いている場合には、得られたドーピン
グケイ素の粒子の均質性をさらに改善することができる
であろう。
【００５８】ここに挙げた実施の形態においては、入口
と出口が切り離されているが、必ずしもそうでなくても
よい。しかしながら、入口と出口を切り離すことによっ
て、ドーピングされ、稠密化されたケイ素の粒子の出口
を、光ファイバのプレフォームの製造装置に結びついた
ケイ素の分配装置につなげることで、たとえばこのよう
なプレフォームの製造とともに連続したドーピングを行
うことができる。
と出口が切り離されているが、必ずしもそうでなくても
よい。しかしながら、入口と出口を切り離すことによっ
て、ドーピングされ、稠密化されたケイ素の粒子の出口
を、光ファイバのプレフォームの製造装置に結びついた
ケイ素の分配装置につなげることで、たとえばこのよう
なプレフォームの製造とともに連続したドーピングを行
うことができる。
【００５９】受入れパイプを構成する材質は、特に、ケ
イ素をドーピングに使用する炭素やフッ素や他のドーパ
ントを含む誘導体の作用及び摩耗に対する耐久性があれ
ば、どんな材質でも構わない。
イ素をドーピングに使用する炭素やフッ素や他のドーパ
ントを含む誘導体の作用及び摩耗に対する耐久性があれ
ば、どんな材質でも構わない。
【００６０】本発明による装置の中に入れられるケイ素
のスートまたは細粒の温度は、特に前駆気体の流量に応
じて選択されなければならない。処理時間は、受入れ手
段の中の細粒の運動速度に応じて異なり、この運動速度
自体も受入れ手段の傾斜に応じて異なる。
のスートまたは細粒の温度は、特に前駆気体の流量に応
じて選択されなければならない。処理時間は、受入れ手
段の中の細粒の運動速度に応じて異なり、この運動速度
自体も受入れ手段の傾斜に応じて異なる。
【００６１】最後に、本発明の範囲を逸脱しない限りあ
らゆる手段を同等の何らかの手段に置き換えることがで
きる。
らゆる手段を同等の何らかの手段に置き換えることがで
きる。
【図１】本発明の第一の実施の形態による装置の部分的
な縦断面の概略図である。
な縦断面の概略図である。
【図２】図１の部分ＩＩの拡大図である。
【図３】図１の部分ＩＩＩの拡大図である。
【図４】図１の装置のメイン本体の部分的横断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の第二の実施の形態による装置の部分的
な縦断面の概略図である。
な縦断面の概略図である。
２、５１２ ケイ素のスートの微粒子 ４、５０４ 受入れ手段 ６、５６０ 加熱手段 ７、５０７ 供給する手段 ９、５０９ ケイ素の粒子 ４１、５４１ 入口 ４２、５４２ 出口
Claims (8)
- 【請求項１】 ドーパントを用いたケイ素粉末のドーピ
ング装置であって、該装置が、 ケイ素のスートの微粒子（２、５１２）の受入れ手段
（４、５０４）と、 前記スートの微粒子を細粒に凝集し、前記細粒を稠密化
するのに十分な温度にするために前記受入れ手段（４、
５０４）の中に入れられる前記微粒子（２、５１２）の
加熱手段（６、５６０）と、 前記細粒が、前駆気体を含む雰囲気の下で加熱されるよ
うに、前記のドーパントの前記前駆気体を前記受入れ手
段（４、５０４）に供給する手段（７、５０７）とを備
え、この結果、ドーピングされ稠密化されたケイ素の粒
子（９、５０９）を得るために稠密化を行っている間に
前記細粒の中に前記ドーパントを組み入れることができ
る装置であって、 前記受入れ手段が可動であり、前記受入れ手段（４、５
０４）の運動の最中に、前記受入れ手段の中に入れられ
た前記の細粒の各々が、外側表面のほぼ全体が前記の前
駆気体を含む雰囲気にさらされるような運動によって活
性化されることを特徴としている装置。 - 【請求項２】 ドーパントを用いたケイ素粉末のドーピ
ング装置であって、該装置が、 予め作られたケイ素の細粒の受入れ手段（４，５０４）
と、 前記細粒を稠密化するのに十分な温度にするために前記
受入れ手段（４、５０４）の中に入れられる前記細粒の
加熱手段（６、５６０）と、 前記細粒が、前駆気体を含む雰囲気の下で加熱されるよ
うに、前記のドーパントの前駆気体を前記受入れ手段
（４、５０４）に供給する手段（７、５０７）とを備
え、この結果、ドーピングされ稠密化されたケイ素の粒
子（９、５０９）を得るために稠密化を行っている間に
前記細粒の中に前記ドーパントを組み入れることができ
る装置であって、 前記受入れ手段が可動であり、前記受入れ手段（４、５
０４）の運動の最中に、前記受入れ手段の中に入れられ
た前記の細粒の各々が、外側表面のほぼ全体が前記の前
駆気体を含む雰囲気にさらされるような運動によって活
性化されることを特徴としている装置。 - 【請求項３】 前記受入れ手段（４、５０４）が回転運
動することを特徴とする請求項１または２に記載の装
置。 - 【請求項４】 前記受入れ手段（４、５０４）がほぼ管
状であり、ケイ素の微粒子または細粒が対応する一本ま
たは数本のパイプの内部に入れられることを特徴とする
請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項５】 前記受入れ手段（４、５０４）がケイ素
のスートの微粒子またはケイ素の細粒（２、５１２）の
入口（４１、５４１）と、ドーピングされ固められたケ
イ素の粒子（９、５０９）の出口（４２、５４２）を備
えており、前記入口（４１、５４１）と前記出口（４
２、５４２）が切り離されていることを特徴とする請求
項１から４のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項６】 前記受入れ手段（４、５０４）が、前記
細粒が前記入口（４１、５４１）から前記出口（４２、
５４２）に向かって重力によって駆動されるように、配
置されていることを特徴とする請求項５に記載の装置。 - 【請求項７】 前記受入れ手段（４、５０４）が水平に
対して傾いていることを特徴とする請求項５または６に
記載の装置。 - 【請求項８】 前記の前駆気体が、前記細粒に対して逆
流循環するように前記受入れ手段（４、５０４）中に入
れられることを特徴とする請求項６または７に記載の装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9606272A FR2749005B1 (fr) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | Dispositif de dopage d'une poudre de silice |
| FR9606272 | 1996-05-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1087313A true JPH1087313A (ja) | 1998-04-07 |
| JP4101324B2 JP4101324B2 (ja) | 2008-06-18 |
Family
ID=9492303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13087697A Expired - Fee Related JP4101324B2 (ja) | 1996-05-21 | 1997-05-21 | 粉末シリカのドーピング装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6007786A (ja) |
| EP (1) | EP0808799B1 (ja) |
| JP (1) | JP4101324B2 (ja) |
| CA (1) | CA2207122A1 (ja) |
| DE (1) | DE69702570T2 (ja) |
| FR (1) | FR2749005B1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020083739A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Pandelisev Kiril A. | Hot substrate deposition fiber optic preforms and preform components process and apparatus |
| US20020083740A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Pandelisev Kiril A. | Process and apparatus for production of silica grain having desired properties and their fiber optic and semiconductor application |
| US7797966B2 (en) * | 2000-12-29 | 2010-09-21 | Single Crystal Technologies, Inc. | Hot substrate deposition of fused silica |
| US20020173416A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-11-21 | Ellison Adam J. | Dispersal of optically active ions in glass |
| FR2825357B1 (fr) * | 2001-05-31 | 2004-04-30 | Cit Alcatel | Procede de dopage de la silice par du fluor |
| US20030027055A1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-02-06 | Ball Laura J. | Method and feedstock for making photomask material |
| US20030027054A1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-02-06 | Ball Laura J. | Method for making photomask material by plasma induction |
| US7052541B2 (en) | 2002-06-19 | 2006-05-30 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Color compositions |
| US20040187525A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-09-30 | Coffey Calvin T. | Method and apparatus for making soot |
| US7793612B2 (en) * | 2003-08-01 | 2010-09-14 | Silica Tech, Llc | Ring plasma jet method and apparatus for making an optical fiber preform |
| US7425235B2 (en) | 2005-02-11 | 2008-09-16 | The Board Of Regents Of The University Of Texas System | Color compositions and methods of manufacture |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62182127A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 石英系光フアイバ用母材の製造方法 |
| IT1219404B (it) * | 1988-06-27 | 1990-05-11 | Sip | Procedimento e apparecchiatura per la fabbricazione di fibre ottiche in silice |
| FR2693451B1 (fr) * | 1992-07-07 | 1994-08-19 | Alcatel Nv | Procédé de fabrication d'une poudre de silice et application d'une telle poudre à la réalisation d'une préforme pour fibre optique. |
-
1996
- 1996-05-21 FR FR9606272A patent/FR2749005B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-15 DE DE69702570T patent/DE69702570T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-15 EP EP97401080A patent/EP0808799B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-20 US US08/862,172 patent/US6007786A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-20 CA CA002207122A patent/CA2207122A1/fr not_active Abandoned
- 1997-05-21 JP JP13087697A patent/JP4101324B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4101324B2 (ja) | 2008-06-18 |
| EP0808799B1 (fr) | 2000-07-19 |
| CA2207122A1 (fr) | 1997-11-21 |
| EP0808799A1 (fr) | 1997-11-26 |
| US6007786A (en) | 1999-12-28 |
| FR2749005A1 (fr) | 1997-11-28 |
| DE69702570T2 (de) | 2001-04-19 |
| FR2749005B1 (fr) | 1998-07-10 |
| DE69702570D1 (de) | 2000-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0656326B1 (en) | Method for making an optical fiber from a preform | |
| US3982916A (en) | Method for forming optical fiber preform | |
| TW476738B (en) | Large MCVD preform for singlemode fiber and method for making same | |
| JPH1087313A (ja) | 粉末ケイ素のドーピング装置 | |
| CN103755135B (zh) | 一种光纤预制棒外包层高效制备方法及其设备 | |
| CN103153887B (zh) | 用于生产合成石英玻璃颗粒的方法 | |
| US20030221459A1 (en) | Method for forming an optical waveguide fiber preform | |
| EP0196671B1 (en) | Method of producing glass preform for optical fiber | |
| US5279633A (en) | Method of producing a glass body | |
| JP2007513862A (ja) | アルカリがドープされた光ファイバ、そのプリフォームおよびその作成方法 | |
| CN1243811A (zh) | 分层纤芯光波导预制棒的制造方法 | |
| CN105683102A (zh) | 由具有高硅酸含量的钛和氟掺杂玻璃制造坯料的方法 | |
| JPS6172646A (ja) | 光学的導波管の製造法 | |
| EP0629590B1 (en) | Process for producing glass preform for optical fiber | |
| CN1229290C (zh) | 核心不含羟基基团的光纤预制体的制作方法 | |
| WO2003057634A1 (en) | Method for offline collapsing a preform | |
| US20050144988A1 (en) | Apparatus for heating optical fiber preform and method for manufacturing optical fiber preform | |
| US20020194878A1 (en) | Method of manufacturing a fluorine-doped silica powder | |
| CN1235821C (zh) | 用于制造光纤预制体的外部气相沉积装置和采用该装置制造光纤预制体的方法 | |
| KR100545813B1 (ko) | 탈수 및 탈염소공정을 포함하는 수정화학기상증착공법을 이용한 광섬유 프리폼 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 광섬유 | |
| KR100521955B1 (ko) | 프리히팅 과정을 포함하는 수정화학기상증착공법을 이용한 광섬유 프리폼의 제조방법 및 장치 | |
| EP3156378B1 (en) | A method for etching a primary preform | |
| US20050000252A1 (en) | Method and apparatus for fabricating optical fiber preform using double torch in mcvd | |
| JP3579919B2 (ja) | 光ファイバ用母材の製造方法 | |
| US20040099013A1 (en) | Optical fibers and methods of fabrication |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040510 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20040813 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070907 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080311 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080319 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |