JPH108239A - 電子部品の電極形成方法およびそれに用いる電極形成装置 - Google Patents
電子部品の電極形成方法およびそれに用いる電極形成装置Info
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- JPH108239A JPH108239A JP17600296A JP17600296A JPH108239A JP H108239 A JPH108239 A JP H108239A JP 17600296 A JP17600296 A JP 17600296A JP 17600296 A JP17600296 A JP 17600296A JP H108239 A JPH108239 A JP H108239A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱変形に起因する電極パターン不良が極めて
少なく、かつ、強度低下の少ない電子部品の電極形成方
法および電極形成装置を提供する。 【解決手段】 この電子部品の電極形成装置１０は、成
膜孔２０およびマスキング部２２を有する成膜パターン
マスク１６を含む。成膜パターンマスク１６には、マス
キング部２２の長さ方向の両側に、たとえば矩形の逃が
し孔２６を設けることにより、マスキング部２２と逃が
し孔２６との間に、その両端部が固定され固定端とされ
た、所謂、固定ばり状の可撓部３０が形成される。成膜
処理時のマスキング支部２２とその周辺部との温度差に
起因するマスキング部２２内の熱応力は、可撓部３０が
逃がし孔２６方向に撓むことによって吸収される。
少なく、かつ、強度低下の少ない電子部品の電極形成方
法および電極形成装置を提供する。 【解決手段】 この電子部品の電極形成装置１０は、成
膜孔２０およびマスキング部２２を有する成膜パターン
マスク１６を含む。成膜パターンマスク１６には、マス
キング部２２の長さ方向の両側に、たとえば矩形の逃が
し孔２６を設けることにより、マスキング部２２と逃が
し孔２６との間に、その両端部が固定され固定端とされ
た、所謂、固定ばり状の可撓部３０が形成される。成膜
処理時のマスキング支部２２とその周辺部との温度差に
起因するマスキング部２２内の熱応力は、可撓部３０が
逃がし孔２６方向に撓むことによって吸収される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子部品の電極
形成方法およびそれに用いる電極形成装置に関し、特
に、基板に電極が形成される、たとえば発振子、共振子
などの電子部品の電極形成方法およびそれに用いる電極
形成装置に関する。
形成方法およびそれに用いる電極形成装置に関し、特
に、基板に電極が形成される、たとえば発振子、共振子
などの電子部品の電極形成方法およびそれに用いる電極
形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は、この発明の背景となる従来の蒸
着用マスクの一例を示す平面図である。この蒸着用マス
ク１は、たとえば矩形の金属平板２を含む。金属平板２
には、所定の位置に複数の開口部３が設けられている。
これらの開口部３，・・・，３は、第１のマスキング部
としての機能を有する複数の仕切部１ｂにより仕切ら
れ、それらの仕切り部１ｂは第２のマスキング部として
の機能を有する周辺部１ａへと接続される。
着用マスクの一例を示す平面図である。この蒸着用マス
ク１は、たとえば矩形の金属平板２を含む。金属平板２
には、所定の位置に複数の開口部３が設けられている。
これらの開口部３，・・・，３は、第１のマスキング部
としての機能を有する複数の仕切部１ｂにより仕切ら
れ、それらの仕切り部１ｂは第２のマスキング部として
の機能を有する周辺部１ａへと接続される。
【０００３】このような蒸着用マスク１では、開口部３
を仕切る仕切部１ｂはその幅が細いため、蒸着時の熱伝
導による放熱量が小さい。また、通常、周辺部１ａは、
この蒸着用マスク１を搭載するための保持部となるの
で、その保持部分から熱が放出される。そのため、仕切
部１ｂの温度が周辺部１ａの温度よりも高くなり、仕切
部１ｂの熱膨張量が周辺部１ａの熱膨張量よりも大きく
なる。しかも、仕切部１ｂの剛性は、周辺部１ａの剛性
よりも小さいので、仕切部１ｂが熱変形し、仕切部１ｂ
とたとえば基板として形成されるワークとの間に隙間が
生じる。そのため、その隙間に電極膜となる電極材料が
入り込む。この場合、電極パターンの一部に不良部分、
所謂、電極パターン不良（俗称：ボケ）が発生してしま
う。
を仕切る仕切部１ｂはその幅が細いため、蒸着時の熱伝
導による放熱量が小さい。また、通常、周辺部１ａは、
この蒸着用マスク１を搭載するための保持部となるの
で、その保持部分から熱が放出される。そのため、仕切
部１ｂの温度が周辺部１ａの温度よりも高くなり、仕切
部１ｂの熱膨張量が周辺部１ａの熱膨張量よりも大きく
なる。しかも、仕切部１ｂの剛性は、周辺部１ａの剛性
よりも小さいので、仕切部１ｂが熱変形し、仕切部１ｂ
とたとえば基板として形成されるワークとの間に隙間が
生じる。そのため、その隙間に電極膜となる電極材料が
入り込む。この場合、電極パターンの一部に不良部分、
所謂、電極パターン不良（俗称：ボケ）が発生してしま
う。
【０００４】そこで、この電極パターン不良を緩和する
ために、言い換えると、仕切部１ｂとその周辺部１ａと
の温度差に起因する仕切部１ｂの熱変形を緩和するため
に、たとえば図１０に示すように、周辺部１ａの周囲に
切込み４を設けた蒸着用マスク１が提案されている。こ
の蒸着用マスクは、この発明の背景となり、特開昭６１
−１３０４８０号に開示されている。この蒸着用マスク
１は、図９の従来例と比べて、特に、複数の切込み４
が、開口部３から金属平板２の端部に至り、かつ、金属
平板２のほぼ中心を通る直線に沿うよに設けられてい
る。図１０に示す蒸着用マスク１では、蒸着時におい
て、仕切部１ｂと周辺部１ａとの熱膨張量の差が切込み
４によって吸収されるため、図９に示す蒸着用マスク１
に比べて、電極パターン不良をある程度小さくすること
ができる。
ために、言い換えると、仕切部１ｂとその周辺部１ａと
の温度差に起因する仕切部１ｂの熱変形を緩和するため
に、たとえば図１０に示すように、周辺部１ａの周囲に
切込み４を設けた蒸着用マスク１が提案されている。こ
の蒸着用マスクは、この発明の背景となり、特開昭６１
−１３０４８０号に開示されている。この蒸着用マスク
１は、図９の従来例と比べて、特に、複数の切込み４
が、開口部３から金属平板２の端部に至り、かつ、金属
平板２のほぼ中心を通る直線に沿うよに設けられてい
る。図１０に示す蒸着用マスク１では、蒸着時におい
て、仕切部１ｂと周辺部１ａとの熱膨張量の差が切込み
４によって吸収されるため、図９に示す蒸着用マスク１
に比べて、電極パターン不良をある程度小さくすること
ができる。
【０００５】図１１および図１２は、実開昭６３−７３
３５０号に開示され、さらにこの発明の背景となる従来
のスパッタリングマスクの一例を示す平面図である。図
１２のスパッタリングマスク１は、たとえば矩形枠状の
マスク枠５を含む。マスク枠５の中央には、複数の矩形
のスパッタ孔６ａ，・・・，６ａを有する円形状のマス
ク部６が配置される。マスク部６は、マスク枠５の各辺
５ａ，５ｂ，５ｃおよび５ｄの中央からマスク部６へと
延びてマスク部６と連結する支え部７ａ，７ｂ，７ｃお
よび７ｄによって支持されている。支え部７ａ〜７ｄに
は、たとえば半円状の切欠き部からなる逃がし溝８ａ〜
８ｄが形成されている。また、マスク枠５には、マスク
枠５の各辺５ａ〜５ｄと支え部７ａ〜７ｄとマスク部６
との協働作用により、４つのダミー孔９が設けられてい
る。一方、図１２のスパッタリングマスク１は、図１１
のスパッタリングマスク１に比べて、マスク部６が方形
状に形成され、特に、マスク部６を支持する支え部に、
逃がし溝８ａ〜８ｄを設けていない支え部７ｅ，７ｆ，
７ｇおよび７ｈがさらに配設されている。図１１および
図１２に示すスパッタリングマスク１では、スパッタリ
ング時において、マスク部６が熱膨張して拡がったとき
に、その膨張力を逃がし溝８ａ〜８ｄによって吸収する
ことができるため、電極パターン不良を小さくすること
ができる。
３５０号に開示され、さらにこの発明の背景となる従来
のスパッタリングマスクの一例を示す平面図である。図
１２のスパッタリングマスク１は、たとえば矩形枠状の
マスク枠５を含む。マスク枠５の中央には、複数の矩形
のスパッタ孔６ａ，・・・，６ａを有する円形状のマス
ク部６が配置される。マスク部６は、マスク枠５の各辺
５ａ，５ｂ，５ｃおよび５ｄの中央からマスク部６へと
延びてマスク部６と連結する支え部７ａ，７ｂ，７ｃお
よび７ｄによって支持されている。支え部７ａ〜７ｄに
は、たとえば半円状の切欠き部からなる逃がし溝８ａ〜
８ｄが形成されている。また、マスク枠５には、マスク
枠５の各辺５ａ〜５ｄと支え部７ａ〜７ｄとマスク部６
との協働作用により、４つのダミー孔９が設けられてい
る。一方、図１２のスパッタリングマスク１は、図１１
のスパッタリングマスク１に比べて、マスク部６が方形
状に形成され、特に、マスク部６を支持する支え部に、
逃がし溝８ａ〜８ｄを設けていない支え部７ｅ，７ｆ，
７ｇおよび７ｈがさらに配設されている。図１１および
図１２に示すスパッタリングマスク１では、スパッタリ
ング時において、マスク部６が熱膨張して拡がったとき
に、その膨張力を逃がし溝８ａ〜８ｄによって吸収する
ことができるため、電極パターン不良を小さくすること
ができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６１−１３０４８０号に開示されている図１０の蒸着用
マスク１の構造では、蒸着時において、切込み４部分に
も電極材料が入り込むため、所望する電極パターンを正
確に得ることができない。また、蒸着時の熱膨張による
圧縮応力が大きい場合、図１０の２点鎖線で示すよう
に、金属平板２の変形に伴い開口部３の形状が変形して
しまうので、これまた、所望する電極パターンを正確に
得ることができない。
６１−１３０４８０号に開示されている図１０の蒸着用
マスク１の構造では、蒸着時において、切込み４部分に
も電極材料が入り込むため、所望する電極パターンを正
確に得ることができない。また、蒸着時の熱膨張による
圧縮応力が大きい場合、図１０の２点鎖線で示すよう
に、金属平板２の変形に伴い開口部３の形状が変形して
しまうので、これまた、所望する電極パターンを正確に
得ることができない。
【０００７】一方、実開昭６３−７３３５０号に開示さ
れている図１１のスパッタリングマスク１では、マスク
部６を支持する幅寸法の狭い支え部７ａ〜７ｄに逃がし
溝８ａ〜８ｄが形成されているので、支え部７ａ〜７ｄ
ひいてはマスク部６の機械的強度が弱くなり、マスク部
６を正確に支持することができない恐れがある。さら
に、マスク自体の取扱いも困難なものとなる。
れている図１１のスパッタリングマスク１では、マスク
部６を支持する幅寸法の狭い支え部７ａ〜７ｄに逃がし
溝８ａ〜８ｄが形成されているので、支え部７ａ〜７ｄ
ひいてはマスク部６の機械的強度が弱くなり、マスク部
６を正確に支持することができない恐れがある。さら
に、マスク自体の取扱いも困難なものとなる。
【０００８】また、図１２のスパッタリングマスク１で
は、逃がし溝のない支え部７ｅ〜７ｈがあるため、スパ
ッタリング時の熱膨張による圧縮応力を吸収するという
効果を達成できない。したがって、実開昭６３−７３３
５０号に開示されている図１２のスパッタリングマスク
１でも、所望する電極パターンを正確に得ることができ
ない。
は、逃がし溝のない支え部７ｅ〜７ｈがあるため、スパ
ッタリング時の熱膨張による圧縮応力を吸収するという
効果を達成できない。したがって、実開昭６３−７３３
５０号に開示されている図１２のスパッタリングマスク
１でも、所望する電極パターンを正確に得ることができ
ない。
【０００９】それゆえに、この発明の主たる目的は、熱
変形に起因する電極パターン不良が極めて少なく、か
つ、強度低下の少ない電子部品の電極形成方法およびそ
れに用いる電極形成装置を提供することである。
変形に起因する電極パターン不良が極めて少なく、か
つ、強度低下の少ない電子部品の電極形成方法およびそ
れに用いる電極形成装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、マスクを用いてワークに電極となる材料を付着させ
る電子部品の電極形成方法であって、ワークを準備する
工程と、ワークの主面上にマスクを配置する工程と、マ
スクの主面側から電極となる電極材料を付与する工程と
を含み、マスクは、材料をワークに付着させるために配
設された複数の成膜孔と、ワークの所定の部分に接触
し、前記ワークの所定の部分を遮蔽するマスキング部
と、成膜孔の近傍で隣合う成膜孔間を跨がるように両端
が固定されて配設され、マスキング部の熱変形を吸収す
る固定ばり状の可撓部とを含む、電子部品の電極形成方
法である。請求項２に記載の発明は、可撓部が成膜孔の
近傍に逃がし孔を設けることによって構成される、請求
項１に記載の電子部品の電極形成方法である。請求項３
に記載の発明は、可撓部が成膜孔の近傍に切欠き部を設
けることによって構成される、請求項１に記載の電子部
品の電極形成方法である。請求項４に記載の発明は、可
撓部が隣合う成膜孔間のマスキング部の中心線に対して
対称に配設される、請求項１ないし請求項３のいずれか
に記載の電子部品の電極形成方法である。請求項５に記
載の発明は、可撓部がマスキング部の両側に配置され、
可撓部の長さをＡ（ｍｍ）、可撓部の幅をＣ（ｍｍ）、
マスキング部の全長を２Ｌ（ｍｍ）、マスキング部の幅
を２Ｂ（ｍｍ）、マスキング部の最高温度とマスキング
部の周辺部の温度との温度差をΔＴ（℃）、マスクの厚
みをｈ（ｍｍ）、マスクの材料の熱膨張係数をα（１／
℃）とすると、 を満足する、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載
の電子部品の電極形成方法である。請求項６に記載の発
明は、可撓部がマスキング部の片端に配置され、可撓部
の長さをＡ（ｍｍ）、可撓部の幅をＣ（ｍｍ）、マスキ
ング部の全長を２Ｌ（ｍｍ）、マスキング部の幅を２Ｂ
（ｍｍ）、マスキング部の最高温度とマスキング部の周
囲の温度との温度差をΔＴ（℃）、マスクの厚みをｈ
（ｍｍ）、マスクの材料の熱膨張係数をα（１／℃）と
すると、 を満足する、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載
の電子部品の電極形成方法である。請求項７に記載の発
明は、マスクを用いてワークに電極となる材料を付着さ
せる電子部品の電極形成装置であって、マスクは、材料
をワークに付着させるために配設された複数の成膜孔
と、ワークの所定の部分に接触し、前記ワークの所定の
部分を遮蔽するマスキング部と、成膜孔の近傍で隣合う
成膜孔間を跨がるように両端が固定されて配設され、マ
スキング部の熱変形を吸収する固定ばり状の可撓部とを
含む、電子部品の電極形成装置である。請求項８に記載
の発明は、可撓部が成膜孔の近傍に逃がし孔を設けるこ
とによって構成される、請求項７に記載の電子部品の電
極形成装置である。請求項９に記載の発明は、可撓部が
成膜孔の近傍に切欠き部を設けることによって構成され
る、請求項７に記載の電子部品の電極形成装置である。
請求項１０に記載の発明は、可撓部が隣合う成膜孔間の
マスキング部の中心線に対して対称に配設される、請求
項７ないし請求項９のいずれかに記載の電子部品の電極
形成装置である。請求項１１に記載の発明は、可撓部が
マスキング部の両側に配置され、可撓部の長さをＡ（ｍ
ｍ）、可撓部の幅をＣ（ｍｍ）、マスキング部の全長を
２Ｌ（ｍｍ）、マスキング部の幅を２Ｂ（ｍｍ）、マス
キング部の最高温度とマスキング部の周辺部の温度との
温度差をΔＴ（℃）、マスクの厚みをｈ（ｍｍ）、マス
クの材料の熱膨張係数をα（１／℃）とすると、 を満足する、請求項７ないし請求項１０のいずれかに記
載の電子部品の電極形成装置である。請求項１２に記載
の発明は、可撓部がマスキング部の片側に配置され、可
撓部の長さをＡ（ｍｍ）、可撓部の幅をＣ（ｍｍ）、マ
スキング部の全長を２Ｌ（ｍｍ）、マスキング部の幅を
２Ｂ（ｍｍ）、マスキング部の最高温度とマスキング部
の周辺部の温度との温度差をΔＴ（℃）、マスクの厚み
をｈ（ｍｍ）、マスクの材料の熱膨張係数をα（１／
℃）とすると、 を満足する、請求項７ないし請求項１０のいずれかに記
載の電子部品の電極形成装置である。
は、マスクを用いてワークに電極となる材料を付着させ
る電子部品の電極形成方法であって、ワークを準備する
工程と、ワークの主面上にマスクを配置する工程と、マ
スクの主面側から電極となる電極材料を付与する工程と
を含み、マスクは、材料をワークに付着させるために配
設された複数の成膜孔と、ワークの所定の部分に接触
し、前記ワークの所定の部分を遮蔽するマスキング部
と、成膜孔の近傍で隣合う成膜孔間を跨がるように両端
が固定されて配設され、マスキング部の熱変形を吸収す
る固定ばり状の可撓部とを含む、電子部品の電極形成方
法である。請求項２に記載の発明は、可撓部が成膜孔の
近傍に逃がし孔を設けることによって構成される、請求
項１に記載の電子部品の電極形成方法である。請求項３
に記載の発明は、可撓部が成膜孔の近傍に切欠き部を設
けることによって構成される、請求項１に記載の電子部
品の電極形成方法である。請求項４に記載の発明は、可
撓部が隣合う成膜孔間のマスキング部の中心線に対して
対称に配設される、請求項１ないし請求項３のいずれか
に記載の電子部品の電極形成方法である。請求項５に記
載の発明は、可撓部がマスキング部の両側に配置され、
可撓部の長さをＡ（ｍｍ）、可撓部の幅をＣ（ｍｍ）、
マスキング部の全長を２Ｌ（ｍｍ）、マスキング部の幅
を２Ｂ（ｍｍ）、マスキング部の最高温度とマスキング
部の周辺部の温度との温度差をΔＴ（℃）、マスクの厚
みをｈ（ｍｍ）、マスクの材料の熱膨張係数をα（１／
℃）とすると、 を満足する、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載
の電子部品の電極形成方法である。請求項６に記載の発
明は、可撓部がマスキング部の片端に配置され、可撓部
の長さをＡ（ｍｍ）、可撓部の幅をＣ（ｍｍ）、マスキ
ング部の全長を２Ｌ（ｍｍ）、マスキング部の幅を２Ｂ
（ｍｍ）、マスキング部の最高温度とマスキング部の周
囲の温度との温度差をΔＴ（℃）、マスクの厚みをｈ
（ｍｍ）、マスクの材料の熱膨張係数をα（１／℃）と
すると、 を満足する、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載
の電子部品の電極形成方法である。請求項７に記載の発
明は、マスクを用いてワークに電極となる材料を付着さ
せる電子部品の電極形成装置であって、マスクは、材料
をワークに付着させるために配設された複数の成膜孔
と、ワークの所定の部分に接触し、前記ワークの所定の
部分を遮蔽するマスキング部と、成膜孔の近傍で隣合う
成膜孔間を跨がるように両端が固定されて配設され、マ
スキング部の熱変形を吸収する固定ばり状の可撓部とを
含む、電子部品の電極形成装置である。請求項８に記載
の発明は、可撓部が成膜孔の近傍に逃がし孔を設けるこ
とによって構成される、請求項７に記載の電子部品の電
極形成装置である。請求項９に記載の発明は、可撓部が
成膜孔の近傍に切欠き部を設けることによって構成され
る、請求項７に記載の電子部品の電極形成装置である。
請求項１０に記載の発明は、可撓部が隣合う成膜孔間の
マスキング部の中心線に対して対称に配設される、請求
項７ないし請求項９のいずれかに記載の電子部品の電極
形成装置である。請求項１１に記載の発明は、可撓部が
マスキング部の両側に配置され、可撓部の長さをＡ（ｍ
ｍ）、可撓部の幅をＣ（ｍｍ）、マスキング部の全長を
２Ｌ（ｍｍ）、マスキング部の幅を２Ｂ（ｍｍ）、マス
キング部の最高温度とマスキング部の周辺部の温度との
温度差をΔＴ（℃）、マスクの厚みをｈ（ｍｍ）、マス
クの材料の熱膨張係数をα（１／℃）とすると、 を満足する、請求項７ないし請求項１０のいずれかに記
載の電子部品の電極形成装置である。請求項１２に記載
の発明は、可撓部がマスキング部の片側に配置され、可
撓部の長さをＡ（ｍｍ）、可撓部の幅をＣ（ｍｍ）、マ
スキング部の全長を２Ｌ（ｍｍ）、マスキング部の幅を
２Ｂ（ｍｍ）、マスキング部の最高温度とマスキング部
の周辺部の温度との温度差をΔＴ（℃）、マスクの厚み
をｈ（ｍｍ）、マスクの材料の熱膨張係数をα（１／
℃）とすると、 を満足する、請求項７ないし請求項１０のいずれかに記
載の電子部品の電極形成装置である。
【００１１】
【作用】請求項１〜請求項１２に記載の発明において、
マスキング部とその周辺部との温度差に起因するマスキ
ング部内の熱応力、すなわち、熱膨張が拘束されること
による圧縮応力によって生じる熱変形は、可撓部が撓む
ことによって吸収され緩和される。特に、請求項２およ
び請求項８に記載の発明では、逃げ孔方向に可撓部が撓
むことによって、マスキング部の熱変形が吸収される。
また、請求項３および請求項９に記載の発明では、切欠
き部方向に可撓部が撓むことによって、マスキング部の
熱変形が吸収される。また、請求項５および請求項１１
に記載の発明では、マスキング部の両側に可撓部が配置
され、請求項５および請求項１１で示された式を満足す
ることにより、マスキング部の熱変形がさらに良くな
る。さらに、請求項６および請求項１２に記載の発明で
は、マスキング部の片側に可撓部が配置され、請求項６
および請求項１２で示された式を満足することにより、
マスキング部の熱変形がさらに良くなる。
マスキング部とその周辺部との温度差に起因するマスキ
ング部内の熱応力、すなわち、熱膨張が拘束されること
による圧縮応力によって生じる熱変形は、可撓部が撓む
ことによって吸収され緩和される。特に、請求項２およ
び請求項８に記載の発明では、逃げ孔方向に可撓部が撓
むことによって、マスキング部の熱変形が吸収される。
また、請求項３および請求項９に記載の発明では、切欠
き部方向に可撓部が撓むことによって、マスキング部の
熱変形が吸収される。また、請求項５および請求項１１
に記載の発明では、マスキング部の両側に可撓部が配置
され、請求項５および請求項１１で示された式を満足す
ることにより、マスキング部の熱変形がさらに良くな
る。さらに、請求項６および請求項１２に記載の発明で
は、マスキング部の片側に可撓部が配置され、請求項６
および請求項１２で示された式を満足することにより、
マスキング部の熱変形がさらに良くなる。
【００１２】
【発明の効果】請求項１〜請求項１２に記載の発明によ
れば、上記作用により、マスキング部のワーク主面に垂
直な方向の変形である座屈を緩和し、マスキング部とマ
スキング部により遮蔽されるワークの所定の部分との密
着が損なわれない。したがって、電極パターンの端部に
滲みのない正確な電極パターンをワークに形成すること
ができる。さらに、請求項１〜請求項１２に記載の発明
によれば、従来例に示すように、マスク自体の強度が極
端に低くなることもない。すなわち、この発明によれ
ば、熱変形に起因する電極パターン不良が極めて少な
く、かつ、強度低下の少ない電子部品の電極形成方法お
よびそれに用いる電極形成装置が得られる。
れば、上記作用により、マスキング部のワーク主面に垂
直な方向の変形である座屈を緩和し、マスキング部とマ
スキング部により遮蔽されるワークの所定の部分との密
着が損なわれない。したがって、電極パターンの端部に
滲みのない正確な電極パターンをワークに形成すること
ができる。さらに、請求項１〜請求項１２に記載の発明
によれば、従来例に示すように、マスク自体の強度が極
端に低くなることもない。すなわち、この発明によれ
ば、熱変形に起因する電極パターン不良が極めて少な
く、かつ、強度低下の少ない電子部品の電極形成方法お
よびそれに用いる電極形成装置が得られる。
【００１３】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１４】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
り、図２はその分解斜視図であり、図３はその一部を切
欠いた要部平面図である。この実施例の説明では、ま
ず、この発明の電子部品の電極形成装置について説明す
る。この電子部品の電極形成装置１０は、たとえば矩形
板状のワークホルダー１２を含む。ワークホルダー１２
は、たとえば矩形の複数の保持穴１４，１４，・・・，
１４を有する。これらの保持穴１４は、ワークＷ，Ｗ，
・・・，Ｗを保持するためのものであり、ワークホルダ
ー１２の一方主面から他方主面に貫通して設けられる。
複数の保持穴１４は、ワークホルダー１２の縦横に所定
の間隔を隔てて設けられているが、図１および図２中で
は、中間部に配設される複数の保持穴１４，・・・，１
４の図示は省略している。
り、図２はその分解斜視図であり、図３はその一部を切
欠いた要部平面図である。この実施例の説明では、ま
ず、この発明の電子部品の電極形成装置について説明す
る。この電子部品の電極形成装置１０は、たとえば矩形
板状のワークホルダー１２を含む。ワークホルダー１２
は、たとえば矩形の複数の保持穴１４，１４，・・・，
１４を有する。これらの保持穴１４は、ワークＷ，Ｗ，
・・・，Ｗを保持するためのものであり、ワークホルダ
ー１２の一方主面から他方主面に貫通して設けられる。
複数の保持穴１４は、ワークホルダー１２の縦横に所定
の間隔を隔てて設けられているが、図１および図２中で
は、中間部に配設される複数の保持穴１４，・・・，１
４の図示は省略している。
【００１５】ワークホルダー１２の一方主面側および他
方主面側には、それぞれ、マスクとして、たとえば矩形
板状の成膜パターンマスク１６および１８が配設され
る。成膜パターン１６および１８は同じ構造を有するの
で、一方の成膜パターンマスク１６について説明する。
成膜パターンマスク１６は、たとえば短冊形の複数の成
膜孔２０，２０，・・・，２０を有する。これらの成膜
孔２０は、ワークＷ，Ｗ，・・・，Ｗの一方主面に所定
の成膜パターンを形成するためのものであり、成膜パタ
ーンマスク１６の一方主面から他方主面に貫通して設け
られる。この実施例では、たとえば横並びに配置される
２つ１組の成膜孔２０，２０が、成膜パターンマスク１
６の長さ方向に延びて設けられる。２つ１組の成膜孔２
０，２０は、成膜パターンマスク１６の縦横に所定の間
隔を隔てて、複数組設けられている。複数の成膜孔２０
は、成膜パターンマスク１６の縦横に所定の間隔を隔て
て設けられているが、図１および図２中では、中間部に
配設される複数の成膜孔２０，・・・，２０の図示は省
略している。
方主面側には、それぞれ、マスクとして、たとえば矩形
板状の成膜パターンマスク１６および１８が配設され
る。成膜パターン１６および１８は同じ構造を有するの
で、一方の成膜パターンマスク１６について説明する。
成膜パターンマスク１６は、たとえば短冊形の複数の成
膜孔２０，２０，・・・，２０を有する。これらの成膜
孔２０は、ワークＷ，Ｗ，・・・，Ｗの一方主面に所定
の成膜パターンを形成するためのものであり、成膜パタ
ーンマスク１６の一方主面から他方主面に貫通して設け
られる。この実施例では、たとえば横並びに配置される
２つ１組の成膜孔２０，２０が、成膜パターンマスク１
６の長さ方向に延びて設けられる。２つ１組の成膜孔２
０，２０は、成膜パターンマスク１６の縦横に所定の間
隔を隔てて、複数組設けられている。複数の成膜孔２０
は、成膜パターンマスク１６の縦横に所定の間隔を隔て
て設けられているが、図１および図２中では、中間部に
配設される複数の成膜孔２０，・・・，２０の図示は省
略している。
【００１６】成膜パターンマスク１６には、たとえば図
３および図４に示すように、複数の成膜孔２０，２０の
周囲に第１のマスキング部２２および第２のマスキング
部２４が形成される。この場合、各組の成膜孔２０，２
０の一方の成膜孔２０の横方向の一端と横並びに隣合う
他方の成膜孔２０の横方向の一端との間に、第１のマス
キング部２２が形成される。また、各組の成膜孔２０，
２０の一方の成膜孔２０の長さ方向の一端と縦並びに隣
合う他方の成膜孔２０の長さ方向の一端との間に、第２
のマスキング部２４が形成される。
３および図４に示すように、複数の成膜孔２０，２０の
周囲に第１のマスキング部２２および第２のマスキング
部２４が形成される。この場合、各組の成膜孔２０，２
０の一方の成膜孔２０の横方向の一端と横並びに隣合う
他方の成膜孔２０の横方向の一端との間に、第１のマス
キング部２２が形成される。また、各組の成膜孔２０，
２０の一方の成膜孔２０の長さ方向の一端と縦並びに隣
合う他方の成膜孔２０の長さ方向の一端との間に、第２
のマスキング部２４が形成される。
【００１７】この実施例では、第１のマスキング部２２
がメインのマスキング機能を有するマスキング部として
構成され、第２のマスキング部２４がサブのマスキング
機能を有するマスキング部として構成されている。
がメインのマスキング機能を有するマスキング部として
構成され、第２のマスキング部２４がサブのマスキング
機能を有するマスキング部として構成されている。
【００１８】さらに、成膜パターンマスク１６には、第
１のマスキング部２２の近傍で、この場合、第１のマス
キング部２２の長さ方向の一端側および他端側に、それ
ぞれ、１組の第１の逃がし孔２６，２６が部分的に配設
される。一方，他方の第１の逃がし孔２６，２６は、そ
れぞれ、横並びの成膜孔２０，２０間を跨がるように配
設される。この実施例では、特にたとえば図４に示すよ
うに、第１のマスキング２２の全長が、２Ｌ（ｍｍ）に
形成され、その幅が２Ｂ（ｍｍ）に形成される。また、
逃がし孔２６，２６は、それぞれ、第１のマスキング部
２２の横方向の一端および他端から、Ａ（ｍｍ）の距離
だけ、成膜孔２０，２０の横方向に延びて突き出し設け
られる。なお、この実施例では、第１のマスキング部２
２の厚みｈ（ｍｍ）が、成膜パターンマスク１６および
１８の厚みと同じに形成され、その厚みｈ（ｍｍ）に対
して、第１のマスキング部２２の全長２Ｌ（ｍｍ）およ
び幅２Ｂ（ｍｍ）の方が大きく形成されている。
１のマスキング部２２の近傍で、この場合、第１のマス
キング部２２の長さ方向の一端側および他端側に、それ
ぞれ、１組の第１の逃がし孔２６，２６が部分的に配設
される。一方，他方の第１の逃がし孔２６，２６は、そ
れぞれ、横並びの成膜孔２０，２０間を跨がるように配
設される。この実施例では、特にたとえば図４に示すよ
うに、第１のマスキング２２の全長が、２Ｌ（ｍｍ）に
形成され、その幅が２Ｂ（ｍｍ）に形成される。また、
逃がし孔２６，２６は、それぞれ、第１のマスキング部
２２の横方向の一端および他端から、Ａ（ｍｍ）の距離
だけ、成膜孔２０，２０の横方向に延びて突き出し設け
られる。なお、この実施例では、第１のマスキング部２
２の厚みｈ（ｍｍ）が、成膜パターンマスク１６および
１８の厚みと同じに形成され、その厚みｈ（ｍｍ）に対
して、第１のマスキング部２２の全長２Ｌ（ｍｍ）およ
び幅２Ｂ（ｍｍ）の方が大きく形成されている。
【００１９】この実施例では、第１のマスキング２２の
長さ方向の両側に第１の逃がし孔２６，２６が設けられ
るため、両側の逃がし孔２６と第１のマスキング部２２
との間には、細長い矩形のその両端が固定されている、
所謂、固定ばり状の可撓部３０，３０が形成される。こ
の場合、第１のマスキング部２２の横方向の一端および
他端から、Ａ（ｍｍ）の距離だけ、成膜孔２０，２０の
横方向に延びて突き出し設けられた部分をそれぞれ可撓
部３０，３０の長さとすると、可撓部３０，３０の長さ
はＡ（ｍｍ）に形成され、可撓部３０，３０の幅はＣ
（ｍｍ）に形成される。また、逃がし孔２６，２６の全
長は、〔ａ＋ｂ〕（ｍｍ）に形成される。この実施例で
は、第１のマスキング部２２の中心軸をＸ、第１の逃が
し孔２６，２６の長さ方向の一端および他端から中心軸
Ｘまでの距離をそれぞれａ（ｍｍ）およびｂ（ｍｍ）と
したとき、ａ＝ｂに形成される。これを言い換えると、
可撓部３０，３０は、その長さが中心軸Ｘを中心にし
て、左右均等に形成されている。つまり、隣合う成膜孔
２０，２０間の第１のマスキング部２２の幅方向の中心
線に対して対称に配設されている。
長さ方向の両側に第１の逃がし孔２６，２６が設けられ
るため、両側の逃がし孔２６と第１のマスキング部２２
との間には、細長い矩形のその両端が固定されている、
所謂、固定ばり状の可撓部３０，３０が形成される。こ
の場合、第１のマスキング部２２の横方向の一端および
他端から、Ａ（ｍｍ）の距離だけ、成膜孔２０，２０の
横方向に延びて突き出し設けられた部分をそれぞれ可撓
部３０，３０の長さとすると、可撓部３０，３０の長さ
はＡ（ｍｍ）に形成され、可撓部３０，３０の幅はＣ
（ｍｍ）に形成される。また、逃がし孔２６，２６の全
長は、〔ａ＋ｂ〕（ｍｍ）に形成される。この実施例で
は、第１のマスキング部２２の中心軸をＸ、第１の逃が
し孔２６，２６の長さ方向の一端および他端から中心軸
Ｘまでの距離をそれぞれａ（ｍｍ）およびｂ（ｍｍ）と
したとき、ａ＝ｂに形成される。これを言い換えると、
可撓部３０，３０は、その長さが中心軸Ｘを中心にし
て、左右均等に形成されている。つまり、隣合う成膜孔
２０，２０間の第１のマスキング部２２の幅方向の中心
線に対して対称に配設されている。
【００２０】さらに、成膜パターンマスク１６には、第
２のマスキング部２４の近傍で、この場合、第２のマス
キング部２４の長さ方向の一端側および他端側に、１組
の第２の逃がし孔２８，２８が、それぞれ、部分的に配
設される。一方，他方の第２の逃がし孔２８，２８は、
それぞれ、縦並びの成膜孔２０，２０間を跨がるように
配設される。
２のマスキング部２４の近傍で、この場合、第２のマス
キング部２４の長さ方向の一端側および他端側に、１組
の第２の逃がし孔２８，２８が、それぞれ、部分的に配
設される。一方，他方の第２の逃がし孔２８，２８は、
それぞれ、縦並びの成膜孔２０，２０間を跨がるように
配設される。
【００２１】同様にして、ワークホルダー１２の他方主
面側には、成膜パターンマスク１８が配設される。な
お、この実施例では、ワークホルダー１２，成膜パター
ンマスク１６および１８が、ほぼ同じ大きさに形成さ
れ、それぞれ、互いに対応する位置に位置決め孔（図示
せず）が設けられている。
面側には、成膜パターンマスク１８が配設される。な
お、この実施例では、ワークホルダー１２，成膜パター
ンマスク１６および１８が、ほぼ同じ大きさに形成さ
れ、それぞれ、互いに対応する位置に位置決め孔（図示
せず）が設けられている。
【００２２】ワークホルダー１２は、２つの成膜パター
ンマスク１６および１８の間に挟持された状態で、位置
決めピンを有するマスクホルダー（図示せず）に装着さ
れる。この場合、成膜パターンマスク１８，ワークホル
ダー１２および成膜パターンマスク１６が、順次、マス
クホルダー（図示せず）の位置決めピンに嵌め込まれ、
マスクホルダー（図示せず）に装着される。
ンマスク１６および１８の間に挟持された状態で、位置
決めピンを有するマスクホルダー（図示せず）に装着さ
れる。この場合、成膜パターンマスク１８，ワークホル
ダー１２および成膜パターンマスク１６が、順次、マス
クホルダー（図示せず）の位置決めピンに嵌め込まれ、
マスクホルダー（図示せず）に装着される。
【００２３】次に、上述のワークホルダー１２，成膜パ
ターンマスク１６および１８を含む電子部品の電極形成
装置１０を用いた電子部品の電極形成方法について説明
する。まず、基板となる矩形板状の複数のワークＷが準
備される。これらのワークＷには、圧電セラミックスな
どが用いられる。また、ワークホルダー１２，成膜パタ
ーンマスク１６および１８が準備される。
ターンマスク１６および１８を含む電子部品の電極形成
装置１０を用いた電子部品の電極形成方法について説明
する。まず、基板となる矩形板状の複数のワークＷが準
備される。これらのワークＷには、圧電セラミックスな
どが用いられる。また、ワークホルダー１２，成膜パタ
ーンマスク１６および１８が準備される。
【００２４】そして、複数のワークＷは、ワークホルダ
ー１２の保持穴１４に嵌め込まれて保持される。また、
ワークホルダー１２の表面側および裏面側には、成膜パ
ターンマスク１６および１８が配置される。さらに、成
膜パターンマスク１６および１８間にワークＷを保持し
たワークホルダー１２を挟持した状態で、それらの部材
１６，１２，１８がマスクホルダー（図示せず）に装着
される。それによって、ワークＷが所定の位置に位置決
めされる。
ー１２の保持穴１４に嵌め込まれて保持される。また、
ワークホルダー１２の表面側および裏面側には、成膜パ
ターンマスク１６および１８が配置される。さらに、成
膜パターンマスク１６および１８間にワークＷを保持し
たワークホルダー１２を挟持した状態で、それらの部材
１６，１２，１８がマスクホルダー（図示せず）に装着
される。それによって、ワークＷが所定の位置に位置決
めされる。
【００２５】それから、ワークホルダー１２，成膜パタ
ーンマスク１６および１８をマスクホルダー（図示せ
ず）にセットした状態で、たとえばスパッタリング，蒸
着，その他の成膜方法によって、ワークＷの表面および
裏面に成膜処理が施される。そのため、ワークＷの表面
および裏面には、それぞれ、成膜パターンマスク１６お
よび１８の成膜孔２０を通して露出された部分に電極材
料が付着する。また、ワークＷの表面および裏面の電極
不要部分は、成膜パターンマスク１６および１８の成膜
孔２０を除く部分、つまり、第１のマスキング部２２お
よび第２のマスキング部２４によって遮蔽されるため、
電極材料が付着しない。したがって、ワークＷの表面お
よび裏面には、それぞれ、電極となる所望の成膜パター
ンが形成される。
ーンマスク１６および１８をマスクホルダー（図示せ
ず）にセットした状態で、たとえばスパッタリング，蒸
着，その他の成膜方法によって、ワークＷの表面および
裏面に成膜処理が施される。そのため、ワークＷの表面
および裏面には、それぞれ、成膜パターンマスク１６お
よび１８の成膜孔２０を通して露出された部分に電極材
料が付着する。また、ワークＷの表面および裏面の電極
不要部分は、成膜パターンマスク１６および１８の成膜
孔２０を除く部分、つまり、第１のマスキング部２２お
よび第２のマスキング部２４によって遮蔽されるため、
電極材料が付着しない。したがって、ワークＷの表面お
よび裏面には、それぞれ、電極となる所望の成膜パター
ンが形成される。
【００２６】この実施例では、特に、成膜パターンマス
ク１６，１８の第１のマスキング部２２の長さ方向の両
側に逃がし孔２６，２６を配設することにより、第１の
マスキング部２２の長さ方向の両側に、その両端が固定
され固定端となる、所謂、固定ばり状の可撓部３０，３
０が形成されているので、成膜処理時に発生する第１の
マスキング部２２内の熱応力、つまり、第１のマスキン
グ部２２とその周辺部との温度差に起因する第１のマス
キング部２２の熱変形を可撓部３０，３０によって吸収
し緩和することができる。この場合、第１のマスキング
部２２は、可撓部３０，３０を介してその周辺部、つま
り、第２のマスキング部２４と接続されており、たとえ
ば図５に示すように、可撓部３０，３０が逃がし孔２
６，２６方向に撓むことによって、第１のマスキング部
２２の熱変形を吸収し緩和することができるという緩和
効果が得られる。
ク１６，１８の第１のマスキング部２２の長さ方向の両
側に逃がし孔２６，２６を配設することにより、第１の
マスキング部２２の長さ方向の両側に、その両端が固定
され固定端となる、所謂、固定ばり状の可撓部３０，３
０が形成されているので、成膜処理時に発生する第１の
マスキング部２２内の熱応力、つまり、第１のマスキン
グ部２２とその周辺部との温度差に起因する第１のマス
キング部２２の熱変形を可撓部３０，３０によって吸収
し緩和することができる。この場合、第１のマスキング
部２２は、可撓部３０，３０を介してその周辺部、つま
り、第２のマスキング部２４と接続されており、たとえ
ば図５に示すように、可撓部３０，３０が逃がし孔２
６，２６方向に撓むことによって、第１のマスキング部
２２の熱変形を吸収し緩和することができるという緩和
効果が得られる。
【００２７】そこで、上述の緩和効果について、本願発
明の発明者が鋭意検討したところ、理論式およびＦＥＭ
シュミレーションによって、可撓部３０，３０の形状，
材料などのパラメータと、第１のマスキング部２２内に
緩和しきれずに残留する圧縮応力σ（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）
との関係は、たとえば図４に示すように、第１のマスキ
ング部２２の長さ方向の両側に固定ばり状の可撓部３
０，３０を配設した場合で、上記可撓部３０，３０の長
さをＡ（ｍｍ）、上記第１のマスキング部２２の幅を２
Ｂ（ｍｍ）、上記可撓部３０，３０の幅をＣ（ｍｍ）、
上記第１のマスキング部２２の長さを２Ｌ（ｍｍ）、上
記第１のマスキング部２２の最高温度と上記第１のマス
キング部２２の周辺部の温度との温度差をΔＴ（℃）、
上記第１のマスキング部２２の厚みをｈ（ｍｍ）、上記
第１のマスキング部２２の材料の熱膨張係数をα（１／
℃）、上記第１のマスキング部２２の縦弾性係数をＥ
（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）とすると、概ね、次の〔式１〕で表
せることがわかった。
明の発明者が鋭意検討したところ、理論式およびＦＥＭ
シュミレーションによって、可撓部３０，３０の形状，
材料などのパラメータと、第１のマスキング部２２内に
緩和しきれずに残留する圧縮応力σ（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）
との関係は、たとえば図４に示すように、第１のマスキ
ング部２２の長さ方向の両側に固定ばり状の可撓部３
０，３０を配設した場合で、上記可撓部３０，３０の長
さをＡ（ｍｍ）、上記第１のマスキング部２２の幅を２
Ｂ（ｍｍ）、上記可撓部３０，３０の幅をＣ（ｍｍ）、
上記第１のマスキング部２２の長さを２Ｌ（ｍｍ）、上
記第１のマスキング部２２の最高温度と上記第１のマス
キング部２２の周辺部の温度との温度差をΔＴ（℃）、
上記第１のマスキング部２２の厚みをｈ（ｍｍ）、上記
第１のマスキング部２２の材料の熱膨張係数をα（１／
℃）、上記第１のマスキング部２２の縦弾性係数をＥ
（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）とすると、概ね、次の〔式１〕で表
せることがわかった。
【００２８】
【００２９】一方、第１のマスキング部２２の形状を長
方形の断面をもつ長柱と見れば、この第１のマスキング
部２２が座屈をおこし変形を生じ始める圧縮応力σ
k （ｋｇｆ／ｍｍ2 ）は、オイラーの式より、次の〔式
２〕となる。但し、この場合、第１のマスキング部２２
の長さ方向の両端は、固定端と仮定している。
方形の断面をもつ長柱と見れば、この第１のマスキング
部２２が座屈をおこし変形を生じ始める圧縮応力σ
k （ｋｇｆ／ｍｍ2 ）は、オイラーの式より、次の〔式
２〕となる。但し、この場合、第１のマスキング部２２
の長さ方向の両端は、固定端と仮定している。
【００３０】
【００３１】本願発明の発明者は、第１のマスキング部
２２内に緩和しきれずに残留する圧縮応力σ（ｋｇｆ／
ｍｍ2 ）と第１のマスキング部２２が座屈をおこし変形
を生じ始める圧縮応力σk （ｋｇｆ／ｍｍ2 ）との比、
つまり、σ／σk が、電極パターン不良（俗称：ボケ）
の有無を決定すると想定した。すなわち、σ／σk は次
の〔式３〕になると想定した。
２２内に緩和しきれずに残留する圧縮応力σ（ｋｇｆ／
ｍｍ2 ）と第１のマスキング部２２が座屈をおこし変形
を生じ始める圧縮応力σk （ｋｇｆ／ｍｍ2 ）との比、
つまり、σ／σk が、電極パターン不良（俗称：ボケ）
の有無を決定すると想定した。すなわち、σ／σk は次
の〔式３〕になると想定した。
【００３２】
【００３３】そこで、σ／σk の比と電極パターン不良
（俗称：ボケ）の有無との関係を以下の実験例によっ
て、調査した。 〔実験例〕この実験例では、成膜パターンマスク１６
（１８）の厚みｈ＝０．３（ｍｍ）とし、さらに、たと
えば図４において、Ｌ＝１４．７（ｍｍ）、Ｃ＝０．３
（ｍｍ）、α＝１８×１０-6（１／℃）（材料：ＳＵＳ
３０４相当）、ΔＴ＝１８０℃（実側値）とし、さら
に、ＡおよびＢの寸法を適当に設定して、成膜パターン
マスクを試作した。そして、その成膜パターンマスクを
用いて、ワークＷに成膜処理を施した。その実験結果を
図６のグラフに示す。図６中の実線および破線は、上記
可撓部３０，３０の長さＡ（ｍｍ）をパラメータとし
て、上記〔式３〕の計算結果を表したものである。この
場合、ＮＧ−dataのプロット点は、電極パターン不良
（俗称：ボケ）が発生したことを示し、Ｇ−dataのプロ
ット点は、電極パターン不良（俗称：ボケ）が発生して
いないことを示している。
（俗称：ボケ）の有無との関係を以下の実験例によっ
て、調査した。 〔実験例〕この実験例では、成膜パターンマスク１６
（１８）の厚みｈ＝０．３（ｍｍ）とし、さらに、たと
えば図４において、Ｌ＝１４．７（ｍｍ）、Ｃ＝０．３
（ｍｍ）、α＝１８×１０-6（１／℃）（材料：ＳＵＳ
３０４相当）、ΔＴ＝１８０℃（実側値）とし、さら
に、ＡおよびＢの寸法を適当に設定して、成膜パターン
マスクを試作した。そして、その成膜パターンマスクを
用いて、ワークＷに成膜処理を施した。その実験結果を
図６のグラフに示す。図６中の実線および破線は、上記
可撓部３０，３０の長さＡ（ｍｍ）をパラメータとし
て、上記〔式３〕の計算結果を表したものである。この
場合、ＮＧ−dataのプロット点は、電極パターン不良
（俗称：ボケ）が発生したことを示し、Ｇ−dataのプロ
ット点は、電極パターン不良（俗称：ボケ）が発生して
いないことを示している。
【００３４】図６の実験結果から明らかなように、３．
０≧σ／σk の関係を満足する場合、電極パターン不良
（俗称：ボケ）が発生していないことが実証された。こ
の場合、上記〔式３〕の値が３．０以下になるように、
第１のマスキング部２２，逃がし孔２６，２６および可
撓支部３０，３０を有する成膜パターンマスク１６，１
８の形状および材料を設計すれば、成膜処理時の電極パ
ターン不良（俗称：ボケ）を防止することができる。す
なわち、上記〔式３〕を満足する成膜パターンマスクを
用いれば、成膜処理時の第１のマスキング部２２とその
周辺部との温度差に起因する第１のマスキング支部２２
の熱変形は、可撓部３０，３０が逃がし孔２６，２６方
向に撓むことによって、第１のマスキング部２２の熱変
形を吸収し緩和できる。
０≧σ／σk の関係を満足する場合、電極パターン不良
（俗称：ボケ）が発生していないことが実証された。こ
の場合、上記〔式３〕の値が３．０以下になるように、
第１のマスキング部２２，逃がし孔２６，２６および可
撓支部３０，３０を有する成膜パターンマスク１６，１
８の形状および材料を設計すれば、成膜処理時の電極パ
ターン不良（俗称：ボケ）を防止することができる。す
なわち、上記〔式３〕を満足する成膜パターンマスクを
用いれば、成膜処理時の第１のマスキング部２２とその
周辺部との温度差に起因する第１のマスキング支部２２
の熱変形は、可撓部３０，３０が逃がし孔２６，２６方
向に撓むことによって、第１のマスキング部２２の熱変
形を吸収し緩和できる。
【００３５】したがって、この実施例では、ワークＷ
と、成膜パターンマスク１６，１８の成膜孔２０を除く
部分、特に、第１のマスキング部２２との間に隙間が発
生することを防止できる。そのため、この実施例では、
ワークＷと前記隙間との間に電極材料が入り込むことに
よって生じる電極パターン不良（俗称：ボケ）を防止す
ることができる。すなわち、上述の実施例では、ワーク
Ｗに正確に電極パターンを形成することができ、パター
ンエッジも鮮明となる。それゆえ、この実施例の電極形
成装置を用いた電極形成方法により形成された電極を有
する基板を用いれば、電気的特性が安定で信頼性に富ん
だ電子部品を作製することができる。
と、成膜パターンマスク１６，１８の成膜孔２０を除く
部分、特に、第１のマスキング部２２との間に隙間が発
生することを防止できる。そのため、この実施例では、
ワークＷと前記隙間との間に電極材料が入り込むことに
よって生じる電極パターン不良（俗称：ボケ）を防止す
ることができる。すなわち、上述の実施例では、ワーク
Ｗに正確に電極パターンを形成することができ、パター
ンエッジも鮮明となる。それゆえ、この実施例の電極形
成装置を用いた電極形成方法により形成された電極を有
する基板を用いれば、電気的特性が安定で信頼性に富ん
だ電子部品を作製することができる。
【００３６】上述の実施例では、第１のマスキング部２
２の長さ方向の両側に可撓部３０，３０を配設したが、
第１のマスキング部２２の長さ方向の片側にだけ可撓部
３０を配設した場合、上記〔式１〕のＬを２Ｌとすれば
よいため、σ／σk は次の〔式４〕になると想定され
る。
２の長さ方向の両側に可撓部３０，３０を配設したが、
第１のマスキング部２２の長さ方向の片側にだけ可撓部
３０を配設した場合、上記〔式１〕のＬを２Ｌとすれば
よいため、σ／σk は次の〔式４〕になると想定され
る。
【００３７】
【００３８】この場合においても、第１のマスキング部
２２の熱変形を吸収し緩和するためには、３．０≧σ／
σk の関係を満足することが好ましい。
２２の熱変形を吸収し緩和するためには、３．０≧σ／
σk の関係を満足することが好ましい。
【００３９】図７はこの発明の他の実施例を示す要部平
面図である。この実施例は、図１〜図４等に示す実施例
と比べて、特に、第１のマスキング部の幅が一様でな
い。すなわち、図７に示す実施例では、図４などに示す
第１のマスキング支部２２と比べて、第１のマスキング
部３２の長さ方向の中間部に、たとえば矩形の突出部３
４，３４が形成され、第１のマスキング部３２の幅寸法
が一定していない。この場合、第１のマスキング部３２
の幅の最も小さい部分の寸法をマスキング部の幅２Ｂ
（ｍｍ）に設定することにより上記〔式３〕の応力計算
を行い、より安全に成膜パターンマスクを設計すればよ
い。
面図である。この実施例は、図１〜図４等に示す実施例
と比べて、特に、第１のマスキング部の幅が一様でな
い。すなわち、図７に示す実施例では、図４などに示す
第１のマスキング支部２２と比べて、第１のマスキング
部３２の長さ方向の中間部に、たとえば矩形の突出部３
４，３４が形成され、第１のマスキング部３２の幅寸法
が一定していない。この場合、第１のマスキング部３２
の幅の最も小さい部分の寸法をマスキング部の幅２Ｂ
（ｍｍ）に設定することにより上記〔式３〕の応力計算
を行い、より安全に成膜パターンマスクを設計すればよ
い。
【００４０】図８はこの発明のさらに他の実施例を示す
要部平面図である。この実施例は、図１〜図４等に示す
実施例と比べて、特に、複数の第１のマスキング部が隣
接して形成されている。すなわち、図８に示す実施例で
は、図４などに示す単独で配設された第１のマスキング
支部２２と比べて、たとえば２つの第１のマスキング部
３６ａおよび３６ｂが、他の第１の逃がし孔３８を介し
て、横方向に隣接して配設されている。そのため、図８
に示す実施例では、２つの第１のマスキング部３６ａお
よび３６ｂの長さ方向の両側に、それぞれ、単独の可撓
部３０を形成することができない。したがって、図８に
示す実施例では、２つの第１のマスキング部３６ａおよ
び３６ｂの長さ方向の両側において、それぞれ、１つの
可撓部３０を共用する構成となっている。この場合、第
１のマスキング部３６ａおよび３６ｂのマスキング幅の
寸法（ｍｍ）は、２Ｂ−２Ｂ0 として設定され、上記
〔式３〕の応力計算が行われる。なお、図８に示す実施
例では、マスキング部が２つの第１のマスキング部３６
ａおよび３６ｂで形成されたが、たとえば３つ以上に形
成された場合でも、同様の方法でマスキング部の幅寸法
を設定し、上記〔式３〕の応力計算を行うことにより、
成膜パターンマスクを設計すればよい。
要部平面図である。この実施例は、図１〜図４等に示す
実施例と比べて、特に、複数の第１のマスキング部が隣
接して形成されている。すなわち、図８に示す実施例で
は、図４などに示す単独で配設された第１のマスキング
支部２２と比べて、たとえば２つの第１のマスキング部
３６ａおよび３６ｂが、他の第１の逃がし孔３８を介し
て、横方向に隣接して配設されている。そのため、図８
に示す実施例では、２つの第１のマスキング部３６ａお
よび３６ｂの長さ方向の両側に、それぞれ、単独の可撓
部３０を形成することができない。したがって、図８に
示す実施例では、２つの第１のマスキング部３６ａおよ
び３６ｂの長さ方向の両側において、それぞれ、１つの
可撓部３０を共用する構成となっている。この場合、第
１のマスキング部３６ａおよび３６ｂのマスキング幅の
寸法（ｍｍ）は、２Ｂ−２Ｂ0 として設定され、上記
〔式３〕の応力計算が行われる。なお、図８に示す実施
例では、マスキング部が２つの第１のマスキング部３６
ａおよび３６ｂで形成されたが、たとえば３つ以上に形
成された場合でも、同様の方法でマスキング部の幅寸法
を設定し、上記〔式３〕の応力計算を行うことにより、
成膜パターンマスクを設計すればよい。
【００４１】なお、上述の各実施例では、成膜孔の近傍
に逃がし孔を配設することによって可撓部を形成した
が、たとえば図３および図４の第１の逃がし孔２６およ
び第２の逃がし孔２８に変えて、たとえば成膜パターン
マスク１６（１８）の長さ方向および幅方向の一端から
成膜孔２０，２０の近傍にかけて、切欠き部を配設する
ことによって、可撓部をそれぞれ形成するようにしても
よい。また、上述の各実施例では、成膜パターンマスク
１６および１８に設けられた成膜孔２０が矩形に形成さ
れたが、それは単なる例示であって、成膜孔の形状は、
所望する電極パターンの形状に応じて、他の形状に任意
に変更してもよい。また、ワークＷの形状に応じて、ワ
ークホルダー１２の形状も、適宜、変更可能である。
に逃がし孔を配設することによって可撓部を形成した
が、たとえば図３および図４の第１の逃がし孔２６およ
び第２の逃がし孔２８に変えて、たとえば成膜パターン
マスク１６（１８）の長さ方向および幅方向の一端から
成膜孔２０，２０の近傍にかけて、切欠き部を配設する
ことによって、可撓部をそれぞれ形成するようにしても
よい。また、上述の各実施例では、成膜パターンマスク
１６および１８に設けられた成膜孔２０が矩形に形成さ
れたが、それは単なる例示であって、成膜孔の形状は、
所望する電極パターンの形状に応じて、他の形状に任意
に変更してもよい。また、ワークＷの形状に応じて、ワ
ークホルダー１２の形状も、適宜、変更可能である。
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】この発明の一実施例を示す分解斜視図である。
【図３】この発明の一実施例を示す一部を切欠いた要部
平面図である。
平面図である。
【図４】この発明の一実施例を示す要部平面図である。
【図５】図１〜図４の実施例における可撓部の作用を示
す図解図であり、（Ａ）は熱変形前の状態を示し、
（Ｂ）熱変形時を示すものである。
す図解図であり、（Ａ）は熱変形前の状態を示し、
（Ｂ）熱変形時を示すものである。
【図６】電極パターン不良の発生の有無と応力比との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図７】この発明の他の実施例を示す要部平面図であ
る。
る。
【図８】この発明のさらに他の実施例を示す要部平面図
である。
である。
【図９】この発明の背景となる従来の蒸着用マスクの一
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図１０】この発明の背景となる従来の蒸着用マスクの
他の例を示す平面図である。
他の例を示す平面図である。
【図１１】この発明の背景となる従来のスパッタリング
マスクの一例を示す平面図である。
マスクの一例を示す平面図である。
【図１２】この発明の背景となる従来のスパッタリング
マスクの他の例を示す平面図である。
マスクの他の例を示す平面図である。
１０ 電子部品の電極形成装置 １２ ワークホルダー １４ 保持穴 １６，１８ 成膜パターンマスク ２０ 成膜孔 ２２ 第１のマスキング部 ２４ 第２のマスキング部 ２６ 第１の逃がし孔 ２８ 第２の逃がし孔 ３０ 可撓部 ３２ 他の第１のマスキング部 ３４ 突出部 ３６ａ，３６ｂ さらに他の第１のマスキング部 ３８ 他の第１の逃がし孔 Ａ 可撓部の長さ（ｍｍ） ２Ｂ 第１のマスキング部の幅（ｍｍ） Ｃ 可撓部の幅（ｍｍ） ２Ｌ 第１のマスキング部の全長（ｍｍ） ｈ 第１のマスキング部の厚み（ｍｍ） ΔＴ 成膜処理時における第１のマスキング部の最高温
度とその周辺部との温度差 α 第１のマスキング部の熱膨張係数（１／℃） Ｅ 第１のマスキング部の縦弾性係数（ｋｇｆ／ｍ
ｍ2 ） σ 第１のマスキング部２２内に緩和しきれずに残留す
る圧縮応力（ｋｇｆ／ｍｍ2 ） σk 第１のマスキング部２２が座屈をおこし変形を生
じ始める圧縮応力（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）
度とその周辺部との温度差 α 第１のマスキング部の熱膨張係数（１／℃） Ｅ 第１のマスキング部の縦弾性係数（ｋｇｆ／ｍ
ｍ2 ） σ 第１のマスキング部２２内に緩和しきれずに残留す
る圧縮応力（ｋｇｆ／ｍｍ2 ） σk 第１のマスキング部２２が座屈をおこし変形を生
じ始める圧縮応力（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 3/02 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ
Claims (12)
- 【請求項１】 マスクを用いてワークに電極となる材料
を付着させる電子部品の電極形成方法であって、 ワークを準備する工程、 前記ワークの主面上に前記マスクを配置する工程、およ
び前記マスクの主面側から電極となる電極材料を付与す
る工程を含み、 前記マスクは、 前記材料を前記ワークに付着させるために配設された複
数の成膜孔、 前記ワークの所定の部分に接触し、前記ワークの所定の
部分を遮蔽するマスキング部、および前記成膜孔の近傍
で隣合う前記成膜孔間を跨がるように両端が固定されて
配設され、前記マスキング部の熱変形を吸収する固定ば
り状の可撓部を含む、電子部品の電極形成方法。 - 【請求項２】 前記可撓部は、前記成膜孔の近傍に逃が
し孔を設けることによって構成される、請求項１に記載
の電子部品の電極形成方法。 - 【請求項３】 前記可撓部は、前記成膜孔の近傍に切欠
き部を設けることによって構成される、請求項１に記載
の電子部品の電極形成方法。 - 【請求項４】 前記可撓部は、隣合う前記成膜孔間の前
記マスキング部の中心線に対して対称に配設される、請
求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品の電
極形成方法。 - 【請求項５】 前記可撓部は、前記マスキング部の両側
に配置され、 前記可撓部の長さをＡ（ｍｍ）、前記可撓部の幅をＣ
（ｍｍ）、前記マスキング部の全長を２Ｌ（ｍｍ）、前
記マスキング部の幅を２Ｂ（ｍｍ）、前記マスキング部
の最高温度と前記マスキング部の周辺部の温度との温度
差をΔＴ（℃）、前記マスクの厚みをｈ（ｍｍ）、前記
マスクの材料の熱膨張係数をα（１／℃）とすると、 を満足する、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載
の電子部品の電極形成方法。 - 【請求項６】 前記可撓部は、前記マスキング部の片端
に配置され、 可撓部の長さをＡ（ｍｍ）、前記可撓部の幅をＣ（ｍ
ｍ）、前記マスキング部の全長を２Ｌ（ｍｍ）、前記マ
スキング部の幅を２Ｂ（ｍｍ）、前記マスキング部の最
高温度と前記マスキング部の周囲の温度との温度差をΔ
Ｔ（℃）、前記マスクの厚みをｈ（ｍｍ）、前記マスク
の材料の熱膨張係数をα（１／℃）とすると、 を満足する、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載
の電子部品の電極形成方法。 - 【請求項７】 マスクを用いてワークに電極となる材料
を付着させる電子部品の電極形成装置であって、 前記マスクは、 前記材料を前記ワークに付着させるために配設された複
数の成膜孔、 前記ワークの所定の部分に接触し、前記ワークの所定の
部分を遮蔽するマスキング部、および前記成膜孔の近傍
で隣合う前記成膜孔間を跨がるように両端が固定されて
配設され、前記マスキング部の熱変形を吸収する固定ば
り状の可撓部を含む、電子部品の電極形成装置。 - 【請求項８】 前記可撓部は、前記成膜孔の近傍に逃が
し孔を設けることによって構成される、請求項７に記載
の電子部品の電極形成装置。 - 【請求項９】 前記可撓部は、前記成膜孔の近傍に切欠
き部を設けることによって構成される、請求項７に記載
の電子部品の電極形成装置。 - 【請求項１０】 前記可撓部は、隣合う前記成膜孔間の
前記マスキング部の中心線に対して対称に配設される、
請求項７ないし請求項９のいずれかに記載の電子部品の
電極形成装置。 - 【請求項１１】 前記可撓部は、前記マスキング部の両
側に配置され、 前記可撓部の長さをＡ（ｍｍ）、前記可撓部の幅をＣ
（ｍｍ）、前記マスキング部の全長を２Ｌ（ｍｍ）、前
記マスキング部の幅を２Ｂ（ｍｍ）、前記マスキング部
の最高温度と前記マスキング部の周辺部の温度との温度
差をΔＴ（℃）、前記マスクの厚みをｈ（ｍｍ）、前記
マスクの材料の熱膨張係数をα（１／℃）とすると、 を満足する、請求項７ないし請求項１０のいずれかに記
載の電子部品の電極形成装置。 - 【請求項１２】 前記可撓部は、前記マスキング部の片
側に配置され、 前記可撓部の長さをＡ（ｍｍ）、前記可撓部の幅をＣ
（ｍｍ）、前記マスキング部の全長を２Ｌ（ｍｍ）、前
記マスキング部の幅を２Ｂ（ｍｍ）、前記マスキング部
の最高温度と前記マスキング部の周辺部の温度との温度
差をΔＴ（℃）、前記マスクの厚みをｈ（ｍｍ）、前記
マスクの材料の熱膨張係数をα（１／℃）とすると、 を満足する、請求項７ないし請求項１０のいずれかに記
載の電子部品の電極形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17600296A JP3298418B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 電子部品の電極形成方法およびそれに用いる電極形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17600296A JP3298418B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 電子部品の電極形成方法およびそれに用いる電極形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH108239A true JPH108239A (ja) | 1998-01-13 |
| JP3298418B2 JP3298418B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=16006001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17600296A Expired - Lifetime JP3298418B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 電子部品の電極形成方法およびそれに用いる電極形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3298418B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426461A1 (en) * | 2002-11-29 | 2004-06-09 | Samsung NEC Mobile Display Co. Ltd. | Mask for coating by vacuum evaporation |
| JP2005163111A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Sony Corp | 蒸着マスクおよびその製造方法 |
| JP2007051342A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Toyota Industries Corp | フレーム |
| JP2007065439A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電気光学装置用マスク部材 |
| US7268406B2 (en) | 2005-07-20 | 2007-09-11 | Seiko Epson Corporation | Mask, mask chip, manufacturing method of mask, manufacturing method of mask chip, and electronic device |
-
1996
- 1996-06-14 JP JP17600296A patent/JP3298418B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426461A1 (en) * | 2002-11-29 | 2004-06-09 | Samsung NEC Mobile Display Co. Ltd. | Mask for coating by vacuum evaporation |
| KR100922753B1 (ko) | 2002-11-29 | 2009-10-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 마스크, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조방법 및 유기 전계 발광 소자 |
| US7837528B2 (en) | 2002-11-29 | 2010-11-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporation mask, method of fabricating organic electroluminescent device using the same, and organic electroluminescent device |
| US8334649B2 (en) | 2002-11-29 | 2012-12-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Evaporation mask, method of fabricating organic electroluminescent device using the same, and organic electroluminescent device |
| JP2005163111A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Sony Corp | 蒸着マスクおよびその製造方法 |
| CN100421283C (zh) * | 2003-12-02 | 2008-09-24 | 索尼株式会社 | 淀积掩模及其制造方法 |
| US7704326B2 (en) | 2003-12-02 | 2010-04-27 | Sony Corporation | Deposition mask and manufacturing method thereof |
| JP4608874B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2011-01-12 | ソニー株式会社 | 蒸着マスクおよびその製造方法 |
| KR101128419B1 (ko) * | 2003-12-02 | 2012-03-27 | 소니 가부시키가이샤 | 증착 마스크와 그 제조 방법 |
| US7268406B2 (en) | 2005-07-20 | 2007-09-11 | Seiko Epson Corporation | Mask, mask chip, manufacturing method of mask, manufacturing method of mask chip, and electronic device |
| JP2007051342A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Toyota Industries Corp | フレーム |
| JP2007065439A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電気光学装置用マスク部材 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3298418B2 (ja) | 2002-07-02 |
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