JPH1079646A - マルチバンドチューナ用の切換え可能バンドパスフィルタ - Google Patents
マルチバンドチューナ用の切換え可能バンドパスフィルタInfo
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- JPH1079646A JPH1079646A JP9183315A JP18331597A JPH1079646A JP H1079646 A JPH1079646 A JP H1079646A JP 9183315 A JP9183315 A JP 9183315A JP 18331597 A JP18331597 A JP 18331597A JP H1079646 A JPH1079646 A JP H1079646A
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- band
- switching
- bandpass filter
- switchable
- capacitance
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0123—Frequency selective two-port networks comprising distributed impedance elements together with lumped impedance elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
- H03J5/244—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means
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- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
Landscapes
- Filters And Equalizers (AREA)
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 阻止状態において満足な通過帯域減衰を有す
るマルチバンドチューナ用切換え可能バンドパスフィル
タを提供することにある。 【解決手段】 高い通過帯域減衰を達成するために、バ
ンドパスフィルタ(1,2,3) の少なくとも一つの共振回路
の周波数同調用の少なくとも一つのキャパシタンスダイ
オード(39,42;70,73;99,103)と、入力側及び出力側に配
置されたスイッチングダイオード(31,32;61,62;91,92)
とを具え、前記スイッチングダイオードがDC電圧によ
り阻止状態又は導通状態のいづれかに切り換え可能であ
る切換え可能バンドパスフィルタにおいて、前記キャパ
シタンスダイオード(39,42;70,73;99,103)がバンドパス
フィルタ(1,2,3) を阻止するためにも使用可能であり、
前記キャパシタンスダイオード(39,42;70,73;99,103)が
バンドパスフィルタ(1,2,3)の共振回路内に、スイッチ
ング電位に依存して、前記共振回路をスイッチング電位
に結合するように組み込まれていることを特徴とする。
るマルチバンドチューナ用切換え可能バンドパスフィル
タを提供することにある。 【解決手段】 高い通過帯域減衰を達成するために、バ
ンドパスフィルタ(1,2,3) の少なくとも一つの共振回路
の周波数同調用の少なくとも一つのキャパシタンスダイ
オード(39,42;70,73;99,103)と、入力側及び出力側に配
置されたスイッチングダイオード(31,32;61,62;91,92)
とを具え、前記スイッチングダイオードがDC電圧によ
り阻止状態又は導通状態のいづれかに切り換え可能であ
る切換え可能バンドパスフィルタにおいて、前記キャパ
シタンスダイオード(39,42;70,73;99,103)がバンドパス
フィルタ(1,2,3) を阻止するためにも使用可能であり、
前記キャパシタンスダイオード(39,42;70,73;99,103)が
バンドパスフィルタ(1,2,3)の共振回路内に、スイッチ
ング電位に依存して、前記共振回路をスイッチング電位
に結合するように組み込まれていることを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチバンドチュ
ーナ用の切換え可能バンドパスフィルタであって、バン
ドパスフィルタの少なくとも一つの共振回路の周波数同
調用の少なくとも一つのキャパシタンスダイオードと、
入力側及び出力側に配置されたスイッチングダイオード
とを具え、前記スイッチングダイオードがDC電圧によ
り阻止状態又は導通状態のいづれかに切り換え可能であ
る切換え可能バンドパスフィルタに関するものである。
ーナ用の切換え可能バンドパスフィルタであって、バン
ドパスフィルタの少なくとも一つの共振回路の周波数同
調用の少なくとも一つのキャパシタンスダイオードと、
入力側及び出力側に配置されたスイッチングダイオード
とを具え、前記スイッチングダイオードがDC電圧によ
り阻止状態又は導通状態のいづれかに切り換え可能であ
る切換え可能バンドパスフィルタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】2つの並列配置の切換え可能バンドパス
フィルタを含むチューナ回路がドイツ国特許明細書39
39741号に開示されている。この回路では、切換え
をバンドパスフィルタの入力側及び出力側に配置された
スイッチングダイオードにより達成している。更に、バ
ンドパスフィルタの同調用キャパシタンスダイオードが
これらのバンドパスフィルタ内に設けられている。スイ
ッチングダイオードはバンドパスフィルタ間の減結合を
改善しうるが、阻止されたバンドパスフィルタも比較的
低い通過帯域減衰を有するために、スイッチオンされて
いるバンドパスフィルタの信号が2つのバンドパスフィ
ルタの接続点に現れるのみならず、見かけ上スイッチオ
フされているバンドパスフィルタの信号も十分に減衰さ
れずに現れる。従って、阻止されたバンドパスフィルタ
により処理された周波数レンジは十分に減衰されない。
フィルタを含むチューナ回路がドイツ国特許明細書39
39741号に開示されている。この回路では、切換え
をバンドパスフィルタの入力側及び出力側に配置された
スイッチングダイオードにより達成している。更に、バ
ンドパスフィルタの同調用キャパシタンスダイオードが
これらのバンドパスフィルタ内に設けられている。スイ
ッチングダイオードはバンドパスフィルタ間の減結合を
改善しうるが、阻止されたバンドパスフィルタも比較的
低い通過帯域減衰を有するために、スイッチオンされて
いるバンドパスフィルタの信号が2つのバンドパスフィ
ルタの接続点に現れるのみならず、見かけ上スイッチオ
フされているバンドパスフィルタの信号も十分に減衰さ
れずに現れる。従って、阻止されたバンドパスフィルタ
により処理された周波数レンジは十分に減衰されない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、満足
な相互減結合を有するのみならず阻止状態において満足
な通過帯域減衰も有する切換え可能バンドパスフィルタ
を提供することにある。
な相互減結合を有するのみならず阻止状態において満足
な通過帯域減衰も有する切換え可能バンドパスフィルタ
を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、この目的を達
成するために、頭書に記載の切換え可能バンドパスフィ
ルタにおいて、前記キャパシタンスダイオードがバンド
パスフィルタを阻止するためにも使用可能であり、前記
キャパシタンスダイオードがバンドパスフィルタの共振
回路内に、スイッチング電位に依存して、共振回路をス
イッチング電位に結合するように組み込まれていること
を特徴とする。
成するために、頭書に記載の切換え可能バンドパスフィ
ルタにおいて、前記キャパシタンスダイオードがバンド
パスフィルタを阻止するためにも使用可能であり、前記
キャパシタンスダイオードがバンドパスフィルタの共振
回路内に、スイッチング電位に依存して、共振回路をス
イッチング電位に結合するように組み込まれていること
を特徴とする。
【0005】本発明バンドパスフィルタにおいてはキャ
パシタンスダイオードがバンドパスフィルタの周波数同
調にも使用される。この目的のために、可変電圧を供給
し、この電圧に依存してキャパシタンスダイオードのキ
ャパシタンスを変化させ、従ってバンドパスフィルタの
共振回路の共振周波数を変化させる。更に、キャパシタ
ンスダイオードはバンドパスフィルタの阻止状態の改
善、即ち特に通過帯域減衰の増大にも使用される。この
目的のために、キャパシタンスダイオードを、スイッチ
ング電位の供給後に、このダイオードがバンドパスフィ
ルタの共振回路をスイッチング電位点に結合するように
配置接続する。その結果として、スイッチングダイオー
ドの存在のもかかわらずバンドパスフィルタに到達する
すべての信号成分がスイッチング電位点を経て排出され
る。この手段はバンドパスフィルタの阻止状態における
通過帯域減衰を相当程度改善し、この手段により50〜
60dBの通過帯域減衰を達成することができる。
パシタンスダイオードがバンドパスフィルタの周波数同
調にも使用される。この目的のために、可変電圧を供給
し、この電圧に依存してキャパシタンスダイオードのキ
ャパシタンスを変化させ、従ってバンドパスフィルタの
共振回路の共振周波数を変化させる。更に、キャパシタ
ンスダイオードはバンドパスフィルタの阻止状態の改
善、即ち特に通過帯域減衰の増大にも使用される。この
目的のために、キャパシタンスダイオードを、スイッチ
ング電位の供給後に、このダイオードがバンドパスフィ
ルタの共振回路をスイッチング電位点に結合するように
配置接続する。その結果として、スイッチングダイオー
ドの存在のもかかわらずバンドパスフィルタに到達する
すべての信号成分がスイッチング電位点を経て排出され
る。この手段はバンドパスフィルタの阻止状態における
通過帯域減衰を相当程度改善し、この手段により50〜
60dBの通過帯域減衰を達成することができる。
【0006】本発明の一実施例では、バンドパスフィル
タを阻止するために、キャパシタンスダイオードがスイ
ッチング電位により導通状態にスイッチされ、このダイ
オードが共振回路をスイッチング電位に結合するように
構成されていることを特徴とする。
タを阻止するために、キャパシタンスダイオードがスイ
ッチング電位により導通状態にスイッチされ、このダイ
オードが共振回路をスイッチング電位に結合するように
構成されていることを特徴とする。
【0007】キャパシタンスダイオードは、特に、スイ
ッチング電位の供給により導通状態にスイッチされ、共
振回路内に存在する電圧又は信号をスイッチ電位点に結
合するように配置接続することができる。この状態で
は、キャパシタンスダイオードは低インピーダンスで動
作し、スイッチング電位が供給されない場合には、この
ダイオードはそのキャパシタンスが印加同調電圧に依存
して変化しうる範囲内で動作することができる。
ッチング電位の供給により導通状態にスイッチされ、共
振回路内に存在する電圧又は信号をスイッチ電位点に結
合するように配置接続することができる。この状態で
は、キャパシタンスダイオードは低インピーダンスで動
作し、スイッチング電位が供給されない場合には、この
ダイオードはそのキャパシタンスが印加同調電圧に依存
して変化しうる範囲内で動作することができる。
【0008】本発明の他の実施例では、キャパシタンス
ダイオードはそのアノード側において正のDC電圧に結
合され、そのカソード側においてスイッチング電位に結
合されるとともに少なくとも一つのキャパシタ経て基準
電位に結合されていることを特徴とする。
ダイオードはそのアノード側において正のDC電圧に結
合され、そのカソード側においてスイッチング電位に結
合されるとともに少なくとも一つのキャパシタ経て基準
電位に結合されていることを特徴とする。
【0009】バンドパスフィルタが阻止状態でない場合
には、キャパシタダイオードは導通/非導通遷移領域内
で動作する。電圧を変化させることにより、キャパシタ
ンスが変化し、このダイオードをバンドパスフィルタの
共振回路の同調用に使用することができる。カソード側
のスイッチング電位が活性化されると、キャパシタンス
ダイオードは完全に導通し、共振回路内に存在する交流
電圧を基準電位点を経て排出する。
には、キャパシタダイオードは導通/非導通遷移領域内
で動作する。電圧を変化させることにより、キャパシタ
ンスが変化し、このダイオードをバンドパスフィルタの
共振回路の同調用に使用することができる。カソード側
のスイッチング電位が活性化されると、キャパシタンス
ダイオードは完全に導通し、共振回路内に存在する交流
電圧を基準電位点を経て排出する。
【0010】バンドパスフィルタの非阻止状態では、キ
ャパシタンスダイオードはバンドパスフィルタの共振回
路の一部を構成する。この目的のために、本発明の他の
実施例では、キャパシタンスダイオードがそのアノード
側において共振回路の少なくともインピーダンスに結合
されていることを特徴とする。
ャパシタンスダイオードはバンドパスフィルタの共振回
路の一部を構成する。この目的のために、本発明の他の
実施例では、キャパシタンスダイオードがそのアノード
側において共振回路の少なくともインピーダンスに結合
されていることを特徴とする。
【0011】バンドパスフィルタの非阻止状態では、キ
ャパシタンスダイオードはバンドパスフィルタの周波数
同調用に使用される。この目的のために、本発明の他の
実施例では、バンドパスフィルタの周波数同調用の同調
電圧がキャパシタンスダイオードのカソードに供給され
ることを特徴とする。この同調電圧に応じて、キャパシ
タンスダイオードがそのキャパシタンスを変化する。
ャパシタンスダイオードはバンドパスフィルタの周波数
同調用に使用される。この目的のために、本発明の他の
実施例では、バンドパスフィルタの周波数同調用の同調
電圧がキャパシタンスダイオードのカソードに供給され
ることを特徴とする。この同調電圧に応じて、キャパシ
タンスダイオードがそのキャパシタンスを変化する。
【0012】切換え可能バンドパスフィルタの上述の利
点は、このフィルタをマルチバンドチューナに使用する
とき特に顕著になる。このようなチューナにおいては、
複数のバンドパスフィルタが一般に並列に配置されてい
る。本発明のバンドパスフィルタはこのような場合にお
いてバンドパスフィルタの満足な相互減結合を達成する
のみならず、阻止されたバンドパスフィルタの満足な通
過帯域減衰も達成する。特に、このようなマルチバンド
チューナに対する本発明の他の実施例では、少なくとも
2つの切換え可能バンドパスフィルタの前に広帯域増幅
器が設けられていることを特徴とする。
点は、このフィルタをマルチバンドチューナに使用する
とき特に顕著になる。このようなチューナにおいては、
複数のバンドパスフィルタが一般に並列に配置されてい
る。本発明のバンドパスフィルタはこのような場合にお
いてバンドパスフィルタの満足な相互減結合を達成する
のみならず、阻止されたバンドパスフィルタの満足な通
過帯域減衰も達成する。特に、このようなマルチバンド
チューナに対する本発明の他の実施例では、少なくとも
2つの切換え可能バンドパスフィルタの前に広帯域増幅
器が設けられていることを特徴とする。
【0013】広帯域増幅器の低インピーダンスのため
に、スイッチングダイオードの効果が更に向上し、これ
らのダイオードが一層良好に阻止され、バンドパスフィ
ルタ間の一層良好な減結合が達成される。
に、スイッチングダイオードの効果が更に向上し、これ
らのダイオードが一層良好に阻止され、バンドパスフィ
ルタ間の一層良好な減結合が達成される。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明のこれらの特徴及び他の特
徴は以下に記載する実施例の説明から明らかになる。
徴は以下に記載する実施例の説明から明らかになる。
【0015】図1は3つの並列配置の切換え可能バンド
パスフィルタ1、2及び3を具えるマルチバンドチュー
ナを示す。これらの3つのバンドパスフィルタは本発明
の構成を有するとともに、それぞれ異なる周波数レンジ
に対応している。一時に3つのバンドパスフィルタ1、
2及び3の1つのみが駆動され、他の2つのバンドパス
フィルタは阻止される。阻止状態では、これらのバンド
パスフィルタは入力端子に存在する信号に対し最大の通
過帯域減衰を有する必要がある。更に、相互影響を除去
するために、バンドパスフィルタ相互を満足に減結合す
る必要がある。
パスフィルタ1、2及び3を具えるマルチバンドチュー
ナを示す。これらの3つのバンドパスフィルタは本発明
の構成を有するとともに、それぞれ異なる周波数レンジ
に対応している。一時に3つのバンドパスフィルタ1、
2及び3の1つのみが駆動され、他の2つのバンドパス
フィルタは阻止される。阻止状態では、これらのバンド
パスフィルタは入力端子に存在する信号に対し最大の通
過帯域減衰を有する必要がある。更に、相互影響を除去
するために、バンドパスフィルタ相互を満足に減結合す
る必要がある。
【0016】RF入力信号が図に示すチューナのアンテ
ナ入力端子ANT INに供給される。この入力信号は結合キ
ャパシタ4を経てPNPトランジスタ5のベースに受信
され、このトランジスタのエミッタは抵抗6を経て基準
電位に結合する。この入力段は、トランジスタ5のコレ
クタと、キャパシタ4とトランジスタ5のベースとの接
続点との間に接続されたキャパシタ7、インダクタンス
8及び抵抗9の直列配置からなるフィルタを具える。キ
ャパシタ4とトランジスタ5のベースとの接続点は更に
抵抗10を経て電源電圧(5V)に結合する。トランジ
スタ5のコレクタは更にインダクタンス11及びキャパ
シタ12の直列配置を経て基準電位に結合する。
ナ入力端子ANT INに供給される。この入力信号は結合キ
ャパシタ4を経てPNPトランジスタ5のベースに受信
され、このトランジスタのエミッタは抵抗6を経て基準
電位に結合する。この入力段は、トランジスタ5のコレ
クタと、キャパシタ4とトランジスタ5のベースとの接
続点との間に接続されたキャパシタ7、インダクタンス
8及び抵抗9の直列配置からなるフィルタを具える。キ
ャパシタ4とトランジスタ5のベースとの接続点は更に
抵抗10を経て電源電圧(5V)に結合する。トランジ
スタ5のコレクタは更にインダクタンス11及びキャパ
シタ12の直列配置を経て基準電位に結合する。
【0017】トランジスタ5を具えるこの入力回路は一
構成要素として中心タップを有するインダクタンス13
からなるパワースプリッタを具える。トランジスタ5の
コレクタをキャパシタ14を経てこのインダクタンス1
3の中心タップに結合する。インダクタンス13の第1
終端タップが図にANT OUT で示す出力端子を構成し、こ
の出力端子にアンテナ入力信号を出力信号として出力す
る。このような回路は、例えばアンテナ入力信号をテレ
ビジョン受信機用の出力信号として付加的に使用可能に
する必要があるビデオレコーダに必要とされる。
構成要素として中心タップを有するインダクタンス13
からなるパワースプリッタを具える。トランジスタ5の
コレクタをキャパシタ14を経てこのインダクタンス1
3の中心タップに結合する。インダクタンス13の第1
終端タップが図にANT OUT で示す出力端子を構成し、こ
の出力端子にアンテナ入力信号を出力信号として出力す
る。このような回路は、例えばアンテナ入力信号をテレ
ビジョン受信機用の出力信号として付加的に使用可能に
する必要があるビデオレコーダに必要とされる。
【0018】インダクタンス13の第2終端タップは極
めて広帯域の予選択を実行するRF回路15に結合す
る。
めて広帯域の予選択を実行するRF回路15に結合す
る。
【0019】このRF回路15の後段に可調整利得又は
減衰を有する増幅器又は減衰素子16が位置する。この
増幅器又は減衰素子16は自動利得制御用の信号AGC
を受信し、この信号が増幅器又は減衰素子16をチュー
ナ回路素子(図示せず)に依存して所望の利得がチュー
ナに達成されるように制御する。
減衰を有する増幅器又は減衰素子16が位置する。この
増幅器又は減衰素子16は自動利得制御用の信号AGC
を受信し、この信号が増幅器又は減衰素子16をチュー
ナ回路素子(図示せず)に依存して所望の利得がチュー
ナに達成されるように制御する。
【0020】増幅器又は減衰素子16の後段に増幅トラ
ンジスタ18を有する広帯域増幅器17が位置する。こ
のトランジスタのベースを結合キャパシタ19を経て増
幅器又は減衰素子16に接続する。このベースを更に抵
抗20を経て基準電位に結合するとともに抵抗21を経
て電源電圧+5Vに結合する。トランジスタ18のエミ
ッタを抵抗22を基準電位に接続する。トランジスタ1
8のコレクタ及びベースをキャパシタ23及び抵抗24
を経て互いに結合する。コレクタを更にインダクタンス
25を経て電源電圧に結合する。
ンジスタ18を有する広帯域増幅器17が位置する。こ
のトランジスタのベースを結合キャパシタ19を経て増
幅器又は減衰素子16に接続する。このベースを更に抵
抗20を経て基準電位に結合するとともに抵抗21を経
て電源電圧+5Vに結合する。トランジスタ18のエミ
ッタを抵抗22を基準電位に接続する。トランジスタ1
8のコレクタ及びベースをキャパシタ23及び抵抗24
を経て互いに結合する。コレクタを更にインダクタンス
25を経て電源電圧に結合する。
【0021】トランジスタ18を有する広帯域増幅器1
7は好ましくは100オーム以下の低い入力及び出力イ
ンピーダンスを有する。これにより後続のバンドパスフ
ィルタの動作を向上させることがでる。特に、これらの
バンドパスフィルタを阻止状態において一層良好に減結
合させることができる。広帯域増幅器17の後段に3つ
の切換え可能で可同調のバンドパスフィルタ1、2及び
3を配置する。
7は好ましくは100オーム以下の低い入力及び出力イ
ンピーダンスを有する。これにより後続のバンドパスフ
ィルタの動作を向上させることがでる。特に、これらの
バンドパスフィルタを阻止状態において一層良好に減結
合させることができる。広帯域増幅器17の後段に3つ
の切換え可能で可同調のバンドパスフィルタ1、2及び
3を配置する。
【0022】第1バンドパスフィルタ1は入力側に配置
されたスイッチングダイオード31及び出力側に配置さ
れたスイッチングダイオード32を具える。スイッチン
グ電圧SAを入力側のスイッチングダイオード31の背
後にに抵抗33を経て供給することができる。出力側の
スイッチングダイオード32にも同様に抵抗34を経て
スイッチング電圧SAを供給する。スイッチング信号S
Aにより、入力側及び出力側のスイッチングダイオード
31及び32を阻止状態に切り換えて、フィルタの比較
的満足な相互減結合を達成することができる。しかし、
スイッチダイオード31及び32は依然としてバンドパ
スフィルタの極めて満足な通過帯域減衰をもたらさな
い。
されたスイッチングダイオード31及び出力側に配置さ
れたスイッチングダイオード32を具える。スイッチン
グ電圧SAを入力側のスイッチングダイオード31の背
後にに抵抗33を経て供給することができる。出力側の
スイッチングダイオード32にも同様に抵抗34を経て
スイッチング電圧SAを供給する。スイッチング信号S
Aにより、入力側及び出力側のスイッチングダイオード
31及び32を阻止状態に切り換えて、フィルタの比較
的満足な相互減結合を達成することができる。しかし、
スイッチダイオード31及び32は依然としてバンドパ
スフィルタの極めて満足な通過帯域減衰をもたらさな
い。
【0023】図に示すバンドパスフィルタ1はその入力
端に結合キャパシタ35を有し、その後に結合インダク
タンス36が位置する。このバンドパスフィルタ1の可
同調共振回路は、キャパシタ37を経て基準電位に結合
されたインダクタンス38と、このインダクタンスにア
ノードで結合されたキャパシタンスダイオード39と、
このダイオードのカソードに結合されたキャパシタ40
とからなる。インダクタンス38とキャパシタダイオー
ド39との接続点を結合インダクタンス36に接続す
る。
端に結合キャパシタ35を有し、その後に結合インダク
タンス36が位置する。このバンドパスフィルタ1の可
同調共振回路は、キャパシタ37を経て基準電位に結合
されたインダクタンス38と、このインダクタンスにア
ノードで結合されたキャパシタンスダイオード39と、
このダイオードのカソードに結合されたキャパシタ40
とからなる。インダクタンス38とキャパシタダイオー
ド39との接続点を結合インダクタンス36に接続す
る。
【0024】バンドパスフィルタフィルタ1は同様に構
成された第2の共振回路を更に具える。キャパシタ40
に接続されたキャパシタ41を設ける。このキャパシタ
41を第2キャパシタンスダイオード42のカソードに
結合し、このダイオードのアノードを共振回路インダク
タンス43に接続し、このインダクタンスをキャパシタ
ンス44を経て基準電位に結合する。
成された第2の共振回路を更に具える。キャパシタ40
に接続されたキャパシタ41を設ける。このキャパシタ
41を第2キャパシタンスダイオード42のカソードに
結合し、このダイオードのアノードを共振回路インダク
タンス43に接続し、このインダクタンスをキャパシタ
ンス44を経て基準電位に結合する。
【0025】キャパシタンス40及び41間の接続点を
キャパシタンス42を経て基準電位に結合する。出力側
において、バンドパスフィルタ1は低域通過フィルタを
具え、そのインダクタンス45をキャパシタンスダイオ
ード42のアノードと共振回路インダクタンス43との
接続点に結合する。このインダクタンスの出力側をキャ
パシタンス48を経て基準電位に結合する。その後にイ
ンダクタンス46及びキャパシタ47を有する低域通過
フィルタが続く。スイッチングダイオード32を結合キ
ャパシタ47の後に配置する。
キャパシタンス42を経て基準電位に結合する。出力側
において、バンドパスフィルタ1は低域通過フィルタを
具え、そのインダクタンス45をキャパシタンスダイオ
ード42のアノードと共振回路インダクタンス43との
接続点に結合する。このインダクタンスの出力側をキャ
パシタンス48を経て基準電位に結合する。その後にイ
ンダクタンス46及びキャパシタ47を有する低域通過
フィルタが続く。スイッチングダイオード32を結合キ
ャパシタ47の後に配置する。
【0026】両共振回路において、正電源電圧(5V)
が抵抗49及び50を経てインダクタンス38とキャパ
シタ37との接続点及びインダクタンス43とキャパシ
タ44との接続点に供給される。
が抵抗49及び50を経てインダクタンス38とキャパ
シタ37との接続点及びインダクタンス43とキャパシ
タ44との接続点に供給される。
【0027】更に、同調電圧A1 ,A2 が抵抗51及び
52を経てキャパシタンスダイオード39のカソードと
キャパシタ40との接続点及びキャパシタンスダイオー
ド42のカソードとキャパシタ41との接続点に供給さ
れる。
52を経てキャパシタンスダイオード39のカソードと
キャパシタ40との接続点及びキャパシタンスダイオー
ド42のカソードとキャパシタ41との接続点に供給さ
れる。
【0028】導通状態においては、スイッチング信号S
Aは不活性である。更に、同調電圧A1 及びA2 が供給
され、この電圧がキャパシタンスダイオード39及び4
2を阻止状態で動作させてそれらのキャパシタンスを変
化させる。こうして、共振回路の共振周波数を変化さ
せ、バンドパスフィルタを同調させることができる。
Aは不活性である。更に、同調電圧A1 及びA2 が供給
され、この電圧がキャパシタンスダイオード39及び4
2を阻止状態で動作させてそれらのキャパシタンスを変
化させる。こうして、共振回路の共振周波数を変化さ
せ、バンドパスフィルタを同調させることができる。
【0029】バンドパスフィルタ1を阻止するには、ス
イッチング信号SAを活性にする。その結果として、ダ
イオード31及び32が阻止状態に切り換えられる。同
調電圧の代わりに、好ましくは基準電位に近似する又は
それより低いスイッチング電位を入力端子A1 及びA2
に付加的に供給する。この場合、キャパシタンスダイオ
ード39及び42は導通状態に完全にスイッチされるた
め、バンドパスフィルタ1の共振回路内に存在する信号
が基準電位点を経て又はスイッチング電位点を経て流出
する。これによりバンドパスフィルタ1の満足な追加の
通過帯域減衰が達成される。
イッチング信号SAを活性にする。その結果として、ダ
イオード31及び32が阻止状態に切り換えられる。同
調電圧の代わりに、好ましくは基準電位に近似する又は
それより低いスイッチング電位を入力端子A1 及びA2
に付加的に供給する。この場合、キャパシタンスダイオ
ード39及び42は導通状態に完全にスイッチされるた
め、バンドパスフィルタ1の共振回路内に存在する信号
が基準電位点を経て又はスイッチング電位点を経て流出
する。これによりバンドパスフィルタ1の満足な追加の
通過帯域減衰が達成される。
【0030】図に示す実施例では、2つの他のバンドパ
スフィルタ2及び3が他の周波数レンジのために設けら
れている。
スフィルタ2及び3が他の周波数レンジのために設けら
れている。
【0031】バンドパスフィルタ2は入力側に配置され
たスイッチングダイオード61及び出力側に配置された
スイッチングダイオード62を具える。これらのダイオ
ードはそれぞれ抵抗63及び64を経てスイッチング信
号SBにより駆動することができる。
たスイッチングダイオード61及び出力側に配置された
スイッチングダイオード62を具える。これらのダイオ
ードはそれぞれ抵抗63及び64を経てスイッチング信
号SBにより駆動することができる。
【0032】バンドパスフィルタ2の可同調共振回路は
バンドパスフィルタ1のものと同一に構成する。バンド
パスフィルタ2は入力側及び出力側に結合インダクタン
ス65及び66及び結合キャパシタ67及び68を具え
る。共振回路もバンドパスフィルタ1のものと同一の構
成を有し、第1共振回路はインダクタンス69、キャパ
シタンスダイオード70及びキャパシタ71を具える。
第2共振回路はインダクタンス72、キャパシタンスダ
イオード73及びキャパシタ74を具える。キャパシタ
71及び74間の接続点をキャパシタ75を経て基準電
位に結合する。電源電圧をそれぞれ抵抗76及び77を
経て共振回路インダクタンス69と基準電位に結合され
たキャパシタ78との接続点及び共振回路インダクタン
ス72とキャパシタ79との接続点に供給する。出力側
に、バンドパスフィルタ2はインダクタンス80及びキ
ャパシタ81からなる低域通過フィルタも具える。同調
電圧B1 及びB2 又はスイッチング電位を抵抗82及び
83を経て供給する。
バンドパスフィルタ1のものと同一に構成する。バンド
パスフィルタ2は入力側及び出力側に結合インダクタン
ス65及び66及び結合キャパシタ67及び68を具え
る。共振回路もバンドパスフィルタ1のものと同一の構
成を有し、第1共振回路はインダクタンス69、キャパ
シタンスダイオード70及びキャパシタ71を具える。
第2共振回路はインダクタンス72、キャパシタンスダ
イオード73及びキャパシタ74を具える。キャパシタ
71及び74間の接続点をキャパシタ75を経て基準電
位に結合する。電源電圧をそれぞれ抵抗76及び77を
経て共振回路インダクタンス69と基準電位に結合され
たキャパシタ78との接続点及び共振回路インダクタン
ス72とキャパシタ79との接続点に供給する。出力側
に、バンドパスフィルタ2はインダクタンス80及びキ
ャパシタ81からなる低域通過フィルタも具える。同調
電圧B1 及びB2 又はスイッチング電位を抵抗82及び
83を経て供給する。
【0033】第3バンドパスフィルタ3も入力側に配置
されたスイッチングダイオード91及び出力側に配置さ
れたスイッチングダイオード92を具える。これらのダ
イオードはそれぞれ抵抗93及び94を経てスイッチン
グ信号SCによりスイッチすることができる。バンドパ
スフィルタ3も入力側に結合キャパシタ95及び結合イ
ンダクタンス96を具え、出力側に結合インダクタンス
97及び結合キャパシタ98を具える。インダクタンス
100と結合インダクタンス96にアノード側が接続さ
れたキャパシタンスダイオード99をバンドパスフィル
タ3の第1共振回路用に設ける。このキャパシタンスダ
イオード99のカソード側をキャパシタ101を経て基
準電位に結合するとともに、抵抗102を経て入力信号
C1 に結合する。この入力信号は同様に同調電圧又はス
イッチング電位にすることができる。
されたスイッチングダイオード91及び出力側に配置さ
れたスイッチングダイオード92を具える。これらのダ
イオードはそれぞれ抵抗93及び94を経てスイッチン
グ信号SCによりスイッチすることができる。バンドパ
スフィルタ3も入力側に結合キャパシタ95及び結合イ
ンダクタンス96を具え、出力側に結合インダクタンス
97及び結合キャパシタ98を具える。インダクタンス
100と結合インダクタンス96にアノード側が接続さ
れたキャパシタンスダイオード99をバンドパスフィル
タ3の第1共振回路用に設ける。このキャパシタンスダ
イオード99のカソード側をキャパシタ101を経て基
準電位に結合するとともに、抵抗102を経て入力信号
C1 に結合する。この入力信号は同様に同調電圧又はス
イッチング電位にすることができる。
【0034】第2共振回路用に、結合インダクタンス9
7と共振回路インダクタンス108にアノード側が結合
されたキャパシタンスダイオード103を設ける。キャ
パシタンスダイオード103もキャパシタ104を経て
基準電位に結合するとともに抵抗105を経て同調又は
スイッチング電位に結合する。
7と共振回路インダクタンス108にアノード側が結合
されたキャパシタンスダイオード103を設ける。キャ
パシタンスダイオード103もキャパシタ104を経て
基準電位に結合するとともに抵抗105を経て同調又は
スイッチング電位に結合する。
【0035】インダクタンス100及び108間の接続
点をキャパシタ106を経て基準電位に結合するととも
に、抵抗107を経て電源電圧(+5V)に結合する。
点をキャパシタ106を経て基準電位に結合するととも
に、抵抗107を経て電源電圧(+5V)に結合する。
【0036】バンドパスフィルタ3においても、入力端
子C1 ,C2 は同調電圧を受信し、キャパシタンスダイ
オード99及び103のキャパシタンスをこの電圧に依
存して変化させ、バンドパスフィルタ3の共振回路の同
調周波数を変化させることができる。しかし、スイッチ
ング電位を入力端子C1 ,C2 に供給すると、ダイオー
ド99及び103が導通状態に完全にスイッチされるた
め、すべての信号がスイッチング電位点を経て流出す
る。出力側において、3つのバンドパスフィルタ1、2
及び3はミクサ110に結合し、その出力端子から低周
波数信号NFを出力する。
子C1 ,C2 は同調電圧を受信し、キャパシタンスダイ
オード99及び103のキャパシタンスをこの電圧に依
存して変化させ、バンドパスフィルタ3の共振回路の同
調周波数を変化させることができる。しかし、スイッチ
ング電位を入力端子C1 ,C2 に供給すると、ダイオー
ド99及び103が導通状態に完全にスイッチされるた
め、すべての信号がスイッチング電位点を経て流出す
る。出力側において、3つのバンドパスフィルタ1、2
及び3はミクサ110に結合し、その出力端子から低周
波数信号NFを出力する。
【0037】3つのバンドパスフィルタ1、2及び3は
一時に一つバンドパスフィルタのみが駆動され、他の2
つのバンドパスフィルタは阻止状態にスイッチされる。
従って、阻止状態にスイッチされる他の2つのバンドパ
スフィルタは入力側及び出力側のスイッチングダイオー
ド31、61、91及び32、62、92に供給される
スイッチング信号SA,SB又はSCにより更に阻止さ
れる。これらのバンドパスフィルタの比較的満足な相互
減結合はこれらのスイッチングダイオードにより既に達
成されている。しかし、通過帯域減衰は不十分のままで
あるため、阻止されたバンドパスフィルタもまだ残留信
号を出力端子に出力する。
一時に一つバンドパスフィルタのみが駆動され、他の2
つのバンドパスフィルタは阻止状態にスイッチされる。
従って、阻止状態にスイッチされる他の2つのバンドパ
スフィルタは入力側及び出力側のスイッチングダイオー
ド31、61、91及び32、62、92に供給される
スイッチング信号SA,SB又はSCにより更に阻止さ
れる。これらのバンドパスフィルタの比較的満足な相互
減結合はこれらのスイッチングダイオードにより既に達
成されている。しかし、通過帯域減衰は不十分のままで
あるため、阻止されたバンドパスフィルタもまだ残留信
号を出力端子に出力する。
【0038】この通過帯域減衰を改善するために、キャ
パシタンスダイオード39、42、70、73及び9
9、103を、これらのダイオードが共振回路同調用の
キャパシタンスダイオードとして作用するのみならず、
バンドパスフィルタを阻止する、又はバンドパスフィル
タに供給された信号を排出する作用もするように接続配
置する。この目的のために、これらのキャパシタンスダ
イオードを、これらのダイオードが導通状態にスイッチ
され、フィルタ内の信号をスイッチング電位点を経て排
出するようにする。これは高い通過帯域減衰をもたらす
ため、回路内の不活性バンドパスフィルタは実際上もは
や何の動作もせず、スイッチオンされ活性化されたバン
ドパスフィルタのみが動作する。
パシタンスダイオード39、42、70、73及び9
9、103を、これらのダイオードが共振回路同調用の
キャパシタンスダイオードとして作用するのみならず、
バンドパスフィルタを阻止する、又はバンドパスフィル
タに供給された信号を排出する作用もするように接続配
置する。この目的のために、これらのキャパシタンスダ
イオードを、これらのダイオードが導通状態にスイッチ
され、フィルタ内の信号をスイッチング電位点を経て排
出するようにする。これは高い通過帯域減衰をもたらす
ため、回路内の不活性バンドパスフィルタは実際上もは
や何の動作もせず、スイッチオンされ活性化されたバン
ドパスフィルタのみが動作する。
【図1】並列に配置された本発明による3つの切換え可
能バンドパスフィルタを具えたマルチバンドチューナを
示す構成図である。
能バンドパスフィルタを具えたマルチバンドチューナを
示す構成図である。
1、2、3 切換え可能バンドパスフィルタ 31、32;61、62;91、92 スイッチングダ
イオード 39、42;70、73;99、103 キャパシタン
スダイオード 37〜40;69〜71、78;99〜101 第1共
振回路 41〜44;72〜74、79;103、104、10
8 第2共振回路 SA,SB,SC スイッチング電圧 A1 ,A2 ;B1 ,B2 ;C1 ,C2 同調電圧又はス
イッチング電位
イオード 39、42;70、73;99、103 キャパシタン
スダイオード 37〜40;69〜71、78;99〜101 第1共
振回路 41〜44;72〜74、79;103、104、10
8 第2共振回路 SA,SB,SC スイッチング電圧 A1 ,A2 ;B1 ,B2 ;C1 ,C2 同調電圧又はス
イッチング電位
Claims (10)
- 【請求項1】 マルチバンドチューナ用の切換え可能バ
ンドパスフィルタ(1,2,3) であって、バンドパスフィル
タ(1,2,3) の少なくとも一つの共振回路の周波数同調用
の少なくとも一つのキャパシタンスダイオード(39,42;7
0,73;99,103)と、入力側及び出力側に配置されたスイッ
チングダイオード(31,32;61,62;91,92) とを具え、前記
スイッチングダイオードがDC電圧により阻止状態又は
導通状態のいづれかに切り換え可能である切換え可能バ
ンドパスフィルタにおいて、前記キャパシタンスダイオ
ード(39,42;70,73;99,103)がバンドパスフィルタ(1,2,
3) を阻止するためにも使用可能であり、前記キャパシ
タンスダイオード(39,42;70,73;99,103)がバンドパスフ
ィルタ(1,2,3) の共振回路内に、スイッチング電位に依
存して、前記共振回路をスイッチング電位に結合するよ
うに組み込まれていることを特徴とする切換え可能バン
ドパスフィルタ。 - 【請求項2】 バンドパスフィルタ(1,2,3) を阻止する
ために、前記キャパシタンスダイオード(39,42;70,73;9
9,103)がスイッチング電位により導通状態にスイッチさ
れ、このダイオードが前記共振回路をスイッチング電位
に結合するように構成されていることを特徴とする請求
項1記載の切換え可能バンドパスフィルタ。 - 【請求項3】 前記キャパシタンスダイオード(39,42;7
0,73;99,103)がそのアノード側において正のDC電圧に
結合され、そのカソード側においてスイッチング電位に
結合されるとともに少なくとも一つのキャパシタ(42,7
5,106) 経て基準電位に結合されていることを特徴とす
る請求項1又は2記載の切換え可能バンドパスフィル
タ。 - 【請求項4】 前記キャパシタンスダイオード(39,42;7
0,73;99,103)がそのアノード側において前記共振回路の
少なくともインダクタンス(38,43,69,72,100,108) に結
合されていることを特徴とする請求項1〜3の何れかに
記載の切換え可能バンドパスフィルタ。 - 【請求項5】 スイッチング電位が不活性状態のとき、
バンドパスフィルタ(1,2,3) の周波数同調用の同調電圧
がキャパシタンスダイオード(39,42;70,73;99,103)のカ
ソードに供給されることを特徴とする請求項1〜4の何
れかに記載の切換え可能バンドパスフィルタ。 - 【請求項6】 少なくとも2つのキャパシタンスダイオ
ード(39,42;70,73;99,103)が設けられていることを特徴
とする請求項1〜5の何かに記載の切換え可能バンドパ
スフィルタ。 - 【請求項7】 請求項1〜6の何れかに記載の少なくと
も1つの切換え可能バンドパスフィルタを具えるマルチ
バンドチューナ。 - 【請求項8】 請求項1〜6の何れかに記載の少なくと
も2つの切換え可能バンドパスフィルタを具えるマルチ
バンドチューナにおいて、バンドパスフィルタ(1,2,3)
間の切換えが、一時に1つのバンドパスフィルタ(1,2,
3) のみが駆動され、他のバンドパスフィルタ(1,2,3)
がスイッチング電位により阻止状態に切り換えられるよ
うに行われることを特徴とするマルチバンドチューナ。 - 【請求項9】 キャパシタンスダイオード(39,42;70,7
3;99,103)により阻止状態にスイッチされるバンドパス
フィルタ(1,2,3) が更にスイッチングダイオード(31,3
2;61,62;91,92) によっても阻止されることを特徴とす
る請求項8記載のマルチバンドチューナ。 - 【請求項10】 少なくとも2つの切換え可能バンドパ
スフィルタ(1,2,3)の前に広帯域増幅器(17)を具えるこ
とを特徴とする請求項8又は9記載のマルチバンドチュ
ーナ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19628186:5 | 1996-07-12 | ||
DE19628186A DE19628186A1 (de) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Umschaltbares Bandfilter für Mehrband-Tuner |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1079646A true JPH1079646A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=7799688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9183315A Pending JPH1079646A (ja) | 1996-07-12 | 1997-07-09 | マルチバンドチューナ用の切換え可能バンドパスフィルタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6064866A (ja) |
EP (1) | EP0818888B1 (ja) |
JP (1) | JPH1079646A (ja) |
KR (1) | KR980012867A (ja) |
DE (2) | DE19628186A1 (ja) |
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KR100362451B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2002-11-23 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 튜너의 복동조회로 |
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-
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- 1996-07-12 DE DE19628186A patent/DE19628186A1/de not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-06-19 DE DE59702397T patent/DE59702397D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-19 EP EP97201866A patent/EP0818888B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-26 US US08/882,870 patent/US6064866A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-09 JP JP9183315A patent/JPH1079646A/ja active Pending
- 1997-07-12 KR KR1019970033083A patent/KR980012867A/ko not_active Application Discontinuation
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US6064866A (en) | 2000-05-16 |
EP0818888A1 (de) | 1998-01-14 |
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