JPH1079642A - フィルタ回路 - Google Patents

フィルタ回路

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Publication number
JPH1079642A
JPH1079642A JP9186177A JP18617797A JPH1079642A JP H1079642 A JPH1079642 A JP H1079642A JP 9186177 A JP9186177 A JP 9186177A JP 18617797 A JP18617797 A JP 18617797A JP H1079642 A JPH1079642 A JP H1079642A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistor
filter
capacitor
partial
amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9186177A
Other languages
English (en)
Inventor
Stephan Dr Weber
ヴェーバー シュテファン
Volker Dr Thomas
トーマス フォルカー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPH1079642A publication Critical patent/JPH1079642A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/04Frequency selective two-port networks
    • H03H11/12Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback
    • H03H11/126Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback using a single operational amplifier

Landscapes

  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来技術に対して改善されたフィルタ回路を
提供することである。 【解決手段】 上記課題は、フィルタ回路が、集積回路
技術によって形成される、高オーム抵抗素子及びキャパ
シタンスを有する第1の部分フィルタを有し、さらに、
これに前置接続され別個に構成される、低オーム抵抗素
子及び前記キャパシタンスより大きいキャパシタンスを
有する第2の部分フィルタを有することによって解決さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフィルタ回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】集積回路に関連してしばしば比較的高次
のフィルタ回路が必要とされる。この比較的高次のフィ
ルタ回路は、例えばU.Tietze, Ch.Schenk, Electronic
Circuits-Design and Applications, Berlin, Heidelbe
rg 1991の376〜379頁から公知であるように、複
数の1次又は2次の部分フィルタのカスケード接続によ
って実現される。この場合部分フィルタはそれぞれそれ
自体はアクティブフィルタとして設計される。このフィ
ルタには通常は所定の比較的厳密なトレランスが要求さ
れ、このトレランスの要求は標準的な集積技術によって
は達成できない。さらに、低いカットオフ周波数におい
て、大きいキャパシタンス及び抵抗により比較的大きな
チップ面積が必要とされる。きわめて高いオーム抵抗の
使用は、それ自体でたいてい大きなトレランスの他に次
のような不利な点も有する。すなわち、常に存在するバ
イアス電流の方が、望ましくないオフセット電圧よりも
はるかに強く表面化してしまうという不利な点を有す
る。このため、例えば大きな時定数を有する精密なフィ
ルタを実現する場合、これまでは集積された増幅器に接
続された外部抵抗及びキャパシタンスが使用された。し
かし、これは高次のフィルタにおいて多くの接続ピンを
必要とし、さらに個々の増幅器のオフセット電圧が相応
に加算されてしまう。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は従来技
術に対して改善されたフィルタ回路を提供することであ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題は、フィルタ回
路が、集積回路技術によって形成される、高オーム抵抗
素子及びキャパシタンスを有する第1の部分フィルタ、
ならびに、これに前置接続され別個に構成される、低オ
ーム抵抗素子及び前記キャパシタンスより大きいキャパ
シタンスを有する第2の部分フィルタを有することによ
って解決される。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明を次に図面のただ1つの図
に図示された実施例にもとづいて詳しく説明する。
【0006】実施例として示されたフィルタは、例えば
入力信号1の直流成分をフィルタリングするために非常
に低いカットオフ周波数を有する4次ローパスフィルタ
である。このフィルタは2つの部分フィルタ2〜5及び
6〜10から構成されている。このうちフィルタ6〜1
0は完全に集積技術によって形成されており、フィルタ
2〜5は別個の構成素子によってこの集積回路の外部に
構成されている。
【0007】詳細に説明すれば、部分フィルタ6〜10
は簡単な正帰還を有する2次アクティブフィルタであ
る。この場合、キャパシタンス9が増幅器10の入力側
と基準電位11との間に接続されることによって、増幅
器10の入力側でこのキャパシタンス9が並列に接続さ
れる。この増幅器10の入力側は、さらに抵抗8を介し
て接合点に導かれている。この接合点は一方でコンデン
サ7を介して出力信号12を供給する増幅器10の出力
側に接続され、他方で抵抗6を介して接続ピン13に接
続されている。
【0008】外部では、この接続ピン13はコンデンサ
5を介して基準電位11に接続され、さらに抵抗4を介
して接合点に接続されている。この接合点自体は、コン
デンサ3を介して基準電位11に接続され、さらに抵抗
2を介して入力信号1を供給する接続ピン14に接続さ
れている。従って、この部分フィルタ2〜5は2つの相
前後して接続された1次ローパスフィルタによって構成
されている。この場合、抵抗2は抵抗4よりもはるかに
低いオーム抵抗で実現されており、そしてこれに相応し
てコンデンサ3のキャパシタンスはコンデンサ5のキャ
パシタンスよりもはるかに大きい。
【0009】また、抵抗4と比べて抵抗6及び8は非常
に高いオーム抵抗を有し、同様にコンデンサ7及び9の
キャパシタンスは、コンデンサ5のキャパシタンスより
非常に小さい。抵抗2、4、6、8の値の段階付けは次
のように行う。すなわち、抵抗2の値と抵抗4の値との
比が1:10であり、抵抗6及び8の値と抵抗4の値と
の比が同様に1:10であるように行う。
【0010】信号1及び12は、結局は部分フィルタ6
〜10を含む回路15の内部信号である。この信号1
は、この場合回路15の別の回路部分から供給され、信
号12はこの別の回路部分に再び供給される。
【0011】本発明のフィルタ回路は、例えば小さいト
レランス及び大きな時定数の問題のない実現というよう
な外部フィルタの利点と、必要なスペースの小ささ及び
わずかな接続ピンというような集積フィルタの利点とを
結合させる。そのほかに、外部素子と集積素子との特別
な組み合わせによって、外部回路だけによる実現に比べ
ても、集積回路だけによる実現に比べてもオフセット電
圧が最小限に抑えられる。これはとりわけ次のことによ
って達成される。すなわち、低オーム抵抗の外部素子が
バイアス電流に基づいてわずかなオフセット電圧を形成
することによって達成される。さらに、1つの増幅器素
子のみを使用することによって、アクティブに形成され
たオフセット電圧が小さく保持される。これに対して、
集積された抵抗は高オーム抵抗である。これは、チップ
面積を節約し、さらに外部の部分フィルタに比較的負荷
をかけない。外部の部分フィルタのQが最大に保持され
たままなので、外部の部分フィルタへの負荷がわずかで
あることは有利である。
【0012】最後に付け加えておくが、外部フィルタの
パッシブな構成は、ほんの少数の接続ピンしか必要とし
ない。本発明の実施例では接続ピンは2つだけである。
【図面の簡単な説明】
【図1】低いカットオフ周波数を有する本発明の4次ロ
ーパスフィルタの回路図である。
【符号の説明】 1 入力信号 2 抵抗 3 コンデンサ 4 抵抗 5 コンデンサ 6 抵抗 7 コンデンサ 8 抵抗 9 コンデンサ 10 増幅器 11 基準電位 12 出力信号 13 接合ピン 14 接合ピン 15 回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 集積回路技術によって形成され、高オー
    ム抵抗素子(6,8)及びキャパシタンス(7,9)を
    有する第1の部分フィルタ(6〜10)を有し、 さらに、これらに前置接続され別個に構成される、低オ
    ーム抵抗素子(2,4)及び前記キャパシタンス(7,
    9)より大きいキャパシタンス(3,5)を有する第2
    の部分フィルタ(2〜5)を有するフィルタ回路。
JP9186177A 1996-07-12 1997-07-11 フィルタ回路 Pending JPH1079642A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19628255.1 1996-07-12
DE19628255A DE19628255C2 (de) 1996-07-12 1996-07-12 Filterschaltung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1079642A true JPH1079642A (ja) 1998-03-24

Family

ID=7799730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9186177A Pending JPH1079642A (ja) 1996-07-12 1997-07-11 フィルタ回路

Country Status (5)

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US (1) US5929698A (ja)
EP (1) EP0818885A3 (ja)
JP (1) JPH1079642A (ja)
CN (1) CN1173078A (ja)
DE (1) DE19628255C2 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
DE19628255A1 (de) 1998-01-15
US5929698A (en) 1999-07-27
CN1173078A (zh) 1998-02-11
DE19628255C2 (de) 1998-05-28
EP0818885A2 (de) 1998-01-14
EP0818885A3 (de) 2000-01-05

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Effective date: 20030612