JPH1077084A - 帯電防止性に優れた記憶ディスク用ケース - Google Patents

帯電防止性に優れた記憶ディスク用ケース

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JPH1077084A
JPH1077084A JP9190424A JP19042497A JPH1077084A JP H1077084 A JPH1077084 A JP H1077084A JP 9190424 A JP9190424 A JP 9190424A JP 19042497 A JP19042497 A JP 19042497A JP H1077084 A JPH1077084 A JP H1077084A
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Toshikazu Mizutani
谷 敏 和 水
Jichio Deguchi
口 自治夫 出
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 離脱に伴う収納物への汚染も無く、層状剥離
の無い良好な外観を得ると共に、機械的強度並びに軽量
性を備えた、帯電防止性に優れた記憶ディスク用ケース
を得る。 【解決手段】 下記の成分（Ａ）１００重量部に対し、
成分（Ｂ）を３〜３０重量部及び成分（Ｃ）を５〜４０
重量部配合してなる熱可塑性樹脂組成物から構成される
帯電防止性に優れた記憶ディスク用ケース。 成分（Ａ）：ＭＦＲが１〜８０ｇ／１０分の結晶性プロ
ピレン系樹脂 成分（Ｂ）：オレフィン系共重合体エラストマー
（ｂ1 ）及びスチレン又はその誘導体・共役ジエンブロ
ック共重合体の水素添加物（ｂ2 ）から選ばれた熱可塑
性エラストマー 成分（Ｃ）：アクリルアミド系共重合体

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
クや磁気ディスク等の記憶ディスクの収納や搬送に用い
られるケースに関し、さらには、これら記憶ディスクの
収納や運搬時において発生する静電気を防止した、帯電
防止性に優れた記憶ディスク用ケースに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、結晶性プロピレン系熱可塑性樹脂
は、経済性、成形性、耐久性に優れ、しかも軽量である
ことから、幅広い分野における収納容器や搬送容器等と
して使用されている。しかしながら、電気抵抗が大き
く、導電性が無いために、搬送中等での摩擦、衝撃、振
動等によって容易に静電気を発生し帯電し易いので、各
種用途における使用において障害が発生し、大きな問題
となっている。特に、電子機器等での分野においては、
搬送途中等での摩擦、衝撃、振動等により発生した静電
気によって集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳ
Ｉ）、記憶ディスク等の破壊や損傷が生ずるために、こ
れらを収納及び搬送するための容器における静電気防止
対策は重要なテーマとして挙げられていた。特に、記憶
ディスクの搬送用ケースにおいては、記憶ディスクに加
えられる損傷を防ぐために、記憶ディスクの縁に係合し
てその移動を拘束するような状態で、あるいは記憶ディ
スクをケースに収納したままで加工工程に供するため、
などを目的として記憶ディスクを把持、拘束するような
種々の構造・形状に関する技術が検討されている（例え
ば特公平５−５５３９５号公報）。
【０００３】これに対して材料面からのこの様な静電気
防止対策としては、一般に、熱可塑性樹脂にカーボンブ
ラック等の導電性フィラーを配合することによる複合化
によって導電性を付与したり、絶縁性のプロピレン系熱
可塑性樹脂に帯電防止剤を練り込んで導電性を付与し
て、帯電防止機能を備えた複合樹脂としていた。前者の
導電性フィラーを配合する静電気防止方法においては、
金属繊維、金属メッキ繊維、カーボンブラック、カーボ
ン繊維、グラファイト、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジ
ウム等の導電性フィラーを配合した複合プラスチックが
用いられる。この様な導電性の複合プラスチックは、安
定した恒久的な帯電防止性能のものが得られるが、フィ
ラーの比重が大きいことに起因して、これら複合プラス
チックからなる収納・搬送容器の重量が増加してしまう
ことから、取扱い上の欠点となっている。また、上記導
電性フィラー中に含まれる重金属不純物による汚染や、
使い方によっては導電性フィラーの離脱による発埃によ
って、静電気問題とは異なる新たな問題点を引き起こす
ことがある。また、後者の帯電防止剤を練り込む静電気
防止方法においては、帯電防止剤として、グリセリン脂
肪酸エステル、アルキルジエタノールアミド、ソルビタ
ン脂肪酸エステル等が用いられる。これら帯電防止剤
は、低分子量のものであることから練り込み成形後に樹
脂表面にブリードして来て帯電防止性を発揮することが
できる。しかしながら、この様に樹脂表面にブリードし
て来た帯電防止剤は、洗浄等により簡単に離脱してしま
うために、安定した恒久的な帯電防止性を保持すること
が難しい。更には、樹脂表面にブリードした帯電防止剤
が内容物である電子部品、電子部材等を汚染することに
よるトラブル発生の原因となっている等の欠点を有して
いる。従って、上記のように電子関連部品・部材の静電
気対策を施した収納・搬送容器に満足し得るものは未だ
得られていない。
【０００４】一方、近年、これらの問題を解消するもの
として、プロピレン系樹脂に下記に示すような高分子共
重合体からなる親水性ポリマーを混合して、帯電防止性
を付与する技術が提案されている。 特開昭６０−２３４３５号公報：特定のポリエーテ
ルエステルアミドとカルボキシル基を含有する変性ビニ
ル共重合体の混合物 特開昭６２−１２１７１７号公報：末端がカルボキ
シル基のポリメチルメタクリレートをグリシジルメタク
リレートで末端のカルボキシル基をメタクリロイル基に
変換した高分子単量体とアミノアルキルアクリル酸エス
テル又はアクリルアミドとの櫛形共重合体及びその４級
化カチオン変性品 特開平４−１９８３０８号公報及び特開平７−１２
６４４６号公報：エチレン構造単位、アクリレート構造
単位及びアクリルアミド構造単位よりなるアクリルアミ
ド系共重合体、およびこれを添加したポリオレフィン樹
脂組成物 これら親水性ポリマーを混合したプロピレン系樹脂組成
物は、軽量であり、安定した恒久的な帯電防止性能を有
するものであるが、上記親水性ポリマーはプロピレン系
樹脂との相溶性が乏しいために、溶融成形時に成形方向
に細長い筋状分散形態をとり易く、その結果、形成体表
面近傍に存在する筋状親水性ポリマーが原因となって層
状剥離が生じて外観が悪化したり、得られた成形体の耐
衝撃性を低下させるといった問題が多く発生し、現状で
は満足なものが得られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、安
定した恒久的な帯電防止性能を有することは勿論のこ
と、離脱に伴う収納物への汚染も無く、更には、細長い
筋状分散形態を制御して、いかなる成形体形状において
も層状剥離の無い良好な外観を得ると共に、機械的強度
並びに軽量性を備えた、帯電防止性に優れた記憶ディス
ク用ケースを得ることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、プロピレン系樹脂
に、特定の熱可塑性エラストマー及びアクリルアミド系
共重合体を特定の割合で配合した熱可塑性樹脂組成物か
ら構成される記憶ディスク用ケースが、帯電防止性が優
れ、離脱に伴う記憶ディスクへの汚染も無く、層状剥離
せず良好な外観で、機械的強度、軽量性を備えたもので
あるとの知見に基づき本発明を完成するに至ったもので
ある。すなわち、本発明の帯電防止性に優れた記憶ディ
スク用ケースは、下記の成分（Ａ）１００重量部に対
し、成分（Ｂ）を３〜３０重量部及び成分（Ｃ）を５〜
４０重量部配合してなる熱可塑性樹脂組成物から構成さ
れるものである。 成分（Ａ）：メルトフローレート（ＭＦＲ）が１〜８０
ｇ／分の結晶性プロピレン系樹脂 成分（Ｂ）：ムーニー粘度（ＭＬ1+4 （１００℃））が
１０〜８５のオレフィン系共重合体エラストマー
（ｂ1 ）及びスチレン又はその誘導体含量が１５〜５０
重量％で重量平均分子量が５０，０００〜２２０，００
０であるスチレン又はその誘導体・共役ジエンブロック
共重合体の水素添加物（ｂ2 ）から選ばれた熱可塑性エ
ラストマー 成分（Ｃ）：アクリルアミド系共重合体
【０００７】
【発明の実施の形態】
［Ｉ］熱可塑性樹脂組成物 （１）構成成分 （ａ）結晶性プロピレン系樹脂（成分（Ａ）） 本発明の帯電防止性に優れた記憶ディスク用ケースの材
料である熱可塑性樹脂組成物に用いられる結晶性プロピ
レン系樹脂は、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準拠したメルト
フローレイト（ＭＦＲ、２３０℃、２．１６ｋｇ荷
重））が１〜８０ｇ／１０分、好ましくは３〜６０ｇ／
１０分、特に好ましくは３〜４０ｇ／１０分のプロピレ
ン系樹脂である。該プロピレン系樹脂としては、エチレ
ン含量が０〜１５重量％、好ましくは２〜１２重量％、
特に好ましくは４〜１０重量％及び炭素数４〜１２のα
‐オレフィン含有量が０〜２０重量％、好ましくは０〜
１０重量％、特に好ましくは０〜５重量％であるプロピ
レン単独重合体、プロピレン・エチレンブロック共重合
体、プロピレン・エチレン・ブテンランダム共重合体等
を挙げることができる。また、Ｘ線回析法による結晶化
度は、一般に５０〜９０％、好ましくは６０〜８５％、
特に好ましくは６５〜８０％である。ＭＦＲが上記範囲
未満の結晶性プロピレン系樹脂を用いると、加熱溶融粘
度が高くなり成形性が乏しく外観不良が発生し易い。ま
た、ＭＦＲが上記範囲を超えると、材料強度が低下し、
ケース用材料として使用することができない。結晶化度
が５０％未満では剛性が低下し、一方、９０％を超える
と耐衝撃性が低下する傾向がある。
【０００８】（ｂ）熱可塑性エラストマー（成分
（Ｂ）） 本発明の帯電防止性に優れた記憶ディスク用ケースの材
料である熱可塑性樹脂組成物に用いられる熱可塑性エラ
ストマーとしては、ＡＳＴＭ Ｄ１６４６に準拠したム
ーニー粘度（ＭＬ1+4 （１００℃））が１０〜８５のオ
レフィン系共重合体エラストマー（ｂ1 ）及びスチレン
又はその誘導体含量が１５〜５０重量％のスチレン又は
その誘導体・共役ジエンブロック共重合体の水素添加物
（ｂ2 、以下単に「スチレン系エラストマー」と言うこ
とがある））から選ばれた熱可塑性エラストマーが用い
られる。これら以外の熱可塑性エラストマーを使用した
場合は、上記の成分（Ａ）との相溶性が悪く、層状剥離
の要因となる。また、成分（Ａ）と成分（Ｃ）の双方に
良好な相溶性が示される観点からスチレン系エラストマ
ーよりもオレフィン系エラストマーの方が好ましい。
【０００９】オレフィン系共重合体エラストマー（ｂ
1 ） オレフィン系共重合体エラストマーとしては、エチレン
と他の単量体との共重合体であり、ゴム状弾性を備えて
いるＡＳＴＭ Ｄ１６４６に準拠したムーニー粘度（Ｍ
Ｌ1+4 （１００℃））が１０〜８５、好ましくは１５〜
８０、特に好ましくは２０〜７５のオレフィン系共重合
体エラストマーを使用することができる。具体的には、
エチレン・プロピレン共重合体エラストマー（ＥＰ
Ｍ）、エチレン・ブテン‐１共重合体エラストマー（Ｅ
ＢＭ）、５‐エチリデン‐２‐ノルボルネン、５‐メチ
レン‐２‐ノルボルネン、ジシクロペンタジエン等の非
共役ジエンを用いたエチレン・プロピレン・非共役ジエ
ン共重合体エラストマー（ＥＰＤＭ）等を挙げることが
できる。これらオレフィン系共重合体エラストマーとし
ては、重量平均分子量が５０，０００〜２５０，００
０、好ましくは１００，０００〜２５０，０００のもの
を使用するのが好ましい。
【００１０】ムーニー粘度が上記範囲未満のものを用い
ると、粘度が低すぎるために成分（Ｃ）であるアクリル
アミド系共重合体の均一な網状分散を固定する成分とし
ての効果が得られないばかりか、耐衝撃強度の補強効果
も小さいので実用性に乏しい。また、ムーニー粘度が上
記範囲を超えるものはプロピレン系重合体への分散性に
欠け、外観不良を起こすので実用性に乏しい。重量平均
分子量が上記範囲未満のものを使用すると、得られる樹
脂組成物のゴム弾性、機械的強度が低下する傾向があ
る。また、重量平均分子量が上記範囲を超えるものを使
用した場合は、樹脂組成物の成形性が低下し、成形品の
外観が不良となる傾向がある。オレフィン系共重合体エ
ラストマーとしてエチレン・プロピレン共重合体エラス
トマー（ＥＰＭ）を使用する場合は、プロピレン含有量
が１０〜６０重量％（エチレン含量が９０〜４０重量
％）、好ましくは１５〜５５重量％（エチレン含量が８
５〜４５重量％）のものを用いることが好ましい。ここ
でいうプロピレン含量（エチレン含量）とは赤外スペク
トル分析法等により測定される値である。これらオレフ
ィン系共重合体エラストマーの製造方法や組成物製造に
供される時の形状（ペレット状、ベール状、クラム状
等）は特に限定されない。また、それらを有機パーオキ
サイドの存在下に加熱処理し、主としてラジカルによっ
て部分的に架橋させたものを使用してもよい。
【００１１】スチレン又はその誘導体・共役ジエンブ
ロック共重合体の水素添加物（ｂ2 ） スチレン又はその誘導体・共役ジエンブロック共重合体
の水素添加物は、スチレン含量が５〜５０重量％のスチ
レン又はその誘導体・共役ジエンブロック共重合体を水
素添加して得られたものである。スチレンの誘導体とし
ては、α‐メチルスチレン、１‐ビニルナフタレン、２
‐ビニルナフタレン、３‐メチルスチレン、４‐プロピ
ルスチレン、４‐シクロヘキシルスチレン、４‐ドデシ
ルスチレン、２‐エチル‐４‐ベンジルスチレン、４‐
（フェニルブチル）スチレン等が挙げられる。これらの
中でもスチレンとα‐メチルスチレンが好ましい。一般
的な共役ジエンとしてはブタジエン、例えばイソプレン
又は２，３‐ジメチルブタジエン等のアルキル置換ブタ
ジエン、メチルペンタジエン等やこれらの混合物があ
る。ここで好適な共役ジエンはブタジエン、イソプレン
又はこれらの混合物である。共役ジエンがイソプレンと
ブタジエンの混合物である場合、該混合物の重量比（イ
ソプレン／ブタジエン）は一般に９９／１〜１／９９、
好ましくは９０／１０〜３０／７０、特に好ましくは８
０／２０〜４０／６０である。具体的には、スチレン・
ブタジエンブロック共重合体の水素添加物であるスチレ
ン・エチレン・ブチレン・スチレン共重合体（ＳＥＢ
Ｓ）、又は、スチレン・イソプレンブロック共重合体の
水素添加物であるスチレン・エチレン・プロピレン・ス
チレン共重合体（ＳＥＰＳ）等を挙げることができる。
これらの中では成分（Ａ）および成分（Ｃ）との相溶性
の観点からＳＥＰＳが好ましい。
【００１２】これらｂ2 成分のスチレン又はその誘導体
・共役ジエンブロック共重合体の水素添加物としては、
重量平均分子量が５０，０００〜２２０，０００、好ま
しくは５０，０００〜２００，０００、特に好ましくは
５０，０００〜１５０，０００のものを使用するのが好
ましい。ここで「重量平均分子量」は、ゲル浸透クロマ
トグラフィー（ＧＰＣ）により次の条件で測定したポリ
スチレン換算の重量平均分子量である。 （条件）機器：１５０Ｃ ＡＬＣ／ＧＰＣ（ＭＩＬＬＩ
ＰＯＲＥ社製） カラム：ＡＤ８０Ｍ／Ｓ（昭和電工社製）３本 溶媒：ｏ‐ジクロロベンゼン 温度：１４０℃ 流速：１ｍｌ／分 注入量：２００μｌ 濃度：２ｍｇ／ｍｌ（酸化防止剤２，６‐ジ‐ｔ‐ブチ
ル‐ｐ‐フェノールを０．２重量％添加。濃度検出はＦ
ＯＸＢＯＲＯ社製赤外分光光度計ＭＩＲＡＮ ＩＡによ
り波長３．４２μｍで測定。） 重量平均分子量が上記範囲未満のものは、成分（Ｂ）が
流れ方向に配向分散形態をなし、本発明の目的とする成
分（Ｃ）が網状に分散したものが得られないばかりか、
得られる樹脂組成物のゴム弾性、機械的強度が低下する
傾向がある。また、重量平均分子量が上記範囲を超える
ものを使用した場合、得られる樹脂組成物の成形性が低
下し、成形品の外観が不良となる傾向がある。
【００１３】スチレン又はその誘導体・共役ジエンブロ
ック共重合体のスチレン又はその誘導体の含量は、１５
〜５０重量％、好ましくは１８〜４５重量％、特に好ま
しくは２０〜４０重量％である。スチレン又はその誘導
体含量が上記範囲未満のものを使用した場合、得られる
樹脂組成物はゴム弾性と強度に劣り実用性に乏しい。ま
た、スチレン又はその誘導体含量が上記範囲を超えるも
のは、成分（Ｃ）のアクリルアミド系共重合体および成
分（Ａ）の結晶性プロピレン系樹脂との相溶性が低下
し、樹脂組成物が収納・搬送ケースとして使用される場
合の耐衝撃強度が十分でなくなる傾向がある。更に、該
スチレン又はその誘導体・共役ジエンブロック共重合体
の水素添加率が一般に９５重量％以上、好ましくは９７
〜１００重量％のものが耐候性の観点より好ましい。上
記熱可塑性エラストマーが存在しない場合には、後述の
様に、アクリルアミド系共重合体が網目状に均一に分散
されず、層状剥離が生じ易くなる。
【００１４】（Ｃ）アクリルアミド系共重合体（成分
（Ｃ）） 本発明の帯電防止性に優れた記憶ディスク用ケースの材
料である熱可塑性樹脂組成物に用いられるアクリルアミ
ド系共重合体としては、下記の又はのものを挙げる
ことができる。かかるアクリルアミド系共重合体は、例
えば特開平４−１９８３０８号公報および特開平７−１
２６４４６号公報に記載された公知の方法によって製造
することができる。 一般式
【化７】 で表わされるエチレン構造単位６５〜９９モル％、好ま
しくは８５〜９７モル％、一般式
【化８】 （式中、Ｒ１は炭素数１〜４、好ましくは１〜２のアル
キル基を示す。）で表わされるアクリレート構造単位０
〜１５モル％、好ましくは３〜７モル％、及び一般式
【化９】 （式中、Ｒ２は炭素数２〜８、好ましくは２〜３のアル
キレン基、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ炭素数１〜４、好ま
しくは１〜２のアルキル基、Ｒ５は炭素数１〜１２、好
ましくは１〜２のアルキル基、炭素数１〜１２のアリー
ルアルキル基又は炭素数１〜１２の脂環アルキル基、Ｘ
- はハロゲンイオン、好ましくはＣｌ- イオン、ＣＨ３
ＯＳＯ３ - 又はＣ２Ｈ５ＯＳＯ３ - を示す。）で表わさ
れるアクリルアミド構造単位１〜３５モル％、好ましく
は３〜１５モル％からなる線状に不規則に配列した重量
平均分子量１，０００〜５０，０００、好ましくは３，
０００〜３５，０００のアクリルアミド系共重合体であ
る。
【００１５】或いは、 一般式
【化１０】 で表わされるエチレン構造単位６５〜９９モル％、好ま
しくは８５〜９７モル％、一般式
【化１１】 （式中、Ｒ１は炭素数１〜４、好ましくは１〜２のアル
キル基を示す。）で表わされるアクリレート構造単位０
〜１５モル％、好ましくは３〜７モル％、及び一般式
【化１２】 （式中、Ｒ２は炭素数２〜８、好ましくは２〜３のアル
キレン基、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ炭素数１〜４、好ま
しくは１〜２のアルキル基を示す。）で表わされるアク
リルアミド構造単位１〜３５モル％からなる線状に不規
則に配列した重量平均分子量１，０００〜５０，００
０、好ましくは３，０００〜３５，０００のアクリルア
ミド系共重合体である。
【００１６】エチレン構造単位の割合が６５モル％未満
である場合にはアクリルアミド系共重合体の軟化点が低
くなって本発明の熱可塑性樹脂組成物にタックやベタツ
キが生じ、一方９９モル％を越えるとアクリルアミド系
共重合体の帯電防止性能が小さくなり好ましくない。ま
た、アクリレート構造単位の割合は、軟化点と耐衝撃性
のバランスの観点から１５モル％以下、特に３〜７モル
％が好ましい。また、アクリルアミド構造単位の割合が
１モル％未満であると帯電防止性能が小さくなり、一
方、３５モル％を越えると本発明の熱可塑性樹脂組成物
に吸湿性が生じるので好ましくない。また、重量平均分
子量が１０００未満である場合にはアクリルアミド系共
重合体がワックス状となり取扱い性が悪くなり、さらに
はブリードアウトによる粘着性が生じて好ましくない。
一方、５０，０００を越える場合には、プロピレン系樹
脂や熱可塑性エラストマーとの相溶性が悪化するので好
ましくない。なお、重量平均分子量の測定はゲル浸透ク
ロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で行ったポリスチレン換
算の重量平均分子量であり、具体的には超高温ＧＰＣ法
（「高分子論文集第４４巻第２号」絹川、第１３９〜１
４１頁に記載の方法）で測定される。なお、アクリルア
ミド系共重合体のうち一般式で表される共重合体は、
具体的には、第一工業製薬社製「レオレックス ＡＳ１
７０」として市販されている。
【００１７】（２） 各成分の配合量 （ａ）結晶性プロピレン系樹脂［成分（Ａ）］の配合量 本発明の帯電防止性に優れた記憶ディスク用ケースに用
いられる熱可塑性樹脂組成物における各成分の配合量
は、成分（Ａ）の結晶性プロピレン系樹脂１００重量部
を基準として、成分（Ｂ）および成分（Ｃ）が配合され
る。 （ｂ）熱可塑性エラストマー［成分（Ｂ）］の配合量 熱可塑性エラストマーは、上記成分（Ａ）のプロピレン
系樹脂１００重量部に対して、３〜３０重量部、好まし
くは５〜２０重量部、特に好ましくは８〜１５重量部の
割合で用いられる。熱可塑性エラストマーの配合量が上
記範囲未満では、成分（Ｃ）のアクリルアミド系共重合
体の均一な網状分散体を固定する効果が小さく、記憶デ
ィスク用の収納・搬送ケースとしての十分な耐衝撃強度
が得られないばかりか、記憶ディスクを収納して搬送す
るときの振動、こすれにより、樹脂成分の層状剥離や離
脱が起こり、記憶ディスクを汚染してしまう。また、熱
可塑性エラストマーの配合量が上記範囲を超えると成分
（Ｃ）のアクリルアミド系共重合体の均一な網状分散体
を固定する効果が飽和するばかりか剛性が大幅に低下す
る。 （ｃ）アクリルアミド系共重合体［成分（Ｃ）］の配合
量 アクリルアミド系共重合体は、上記成分（Ａ）結晶性プ
ロピレン系樹脂１００重量部に対して、５〜４０重量
部、好ましくは１０〜３５重量部、特に好ましくは１５
〜３０重量部の割合で用いられる。アクリルアミド系共
重合体の配合量が上記範囲未満では、所望の帯電防止効
果が得られない。また、アクリルアミド系共重合体の配
合量が上記範囲を超えると著しい剛性の低下を伴い、記
憶ディスク用の収納・搬送ケースとしての十分な剛性を
得ることができない。
【００１８】（３） その他の配合成分（成分（Ｄ）） 本発明の帯電防止性に優れた記憶ディスク用ケースに用
いられる熱可塑性樹脂組成物には、目的に応じて、酸化
防止剤、光安定剤、滑剤、難燃剤、分散剤、染料、顔料
等の着色剤や、無機フィラー、有機フィラー等の任意の
その他の配合成分を配合することができる。特に、本発
明の帯電防止性に優れた記憶ディスク用ケースに用いら
れる熱可塑性樹脂組成物は、着色剤を上記成分（Ａ）〜
（Ｃ）からなる熱可塑性樹脂組成物１００重量部に対し
て０．０１〜１重量部配合して、各種用途に応じて着色
したケースとすることができる。樹脂に導電性を付与す
るために導電性フィラーを添加した場合には、フィラー
による着色がなされ、透明性が失われることが多く、記
憶ディスクの有無がケース外部から確認できないが、本
発明の記憶ディスク用ケースによれば、ケース外部から
記憶ディスクの有無が確認できる程度の透明性は確保で
きる上、任意の着色が可能で、収納するディスクの種類
をケースで識別可能であるという効果を有している。
【００１９】（４） 熱可塑性樹脂組成物の製造 本発明の帯電防止性に優れた記憶ディスク用ケースに用
いられる熱可塑性樹脂組成物は、上記成分（Ａ）〜
（Ｃ）、場合により成分（Ｄ）を上記配合割合で配合し
て、一軸押出機、二軸押出機、バンバリーミキサー、ロ
ールミキサー、ブラベンダープラストグラフ、ニーダー
ブレンダー等の通常の混練機を用いて混練・造粒するこ
とによって製造することができる。この場合、各成分の
分散を良好にすることができる混練・造粒方法を選択す
ることが好ましく、通常は二軸押出機を用いて混練・造
粒が行なわれる。この混練・造粒の際には、上記成分
（Ａ）、成分（Ｂ）、成分（Ｃ）及び場合により成分
（Ｄ）の配合物を同時混練しても良いが、性能向上を図
るべく各成分を分割して、すなわち、先ず成分（Ａ）と
成分（Ｂ）の一部又は全部を配合して混練し、この後に
成分（Ｃ）および成分（Ｄ）を配合して混練・造粒する
分割混練の方が好ましい。成分（Ｃ）は耐熱安定性が十
分ではないため、混練時の熱履歴に比例して分解してし
まう結果、樹脂組成物の導電性が低下する恐れがあるか
らである。すなわち、同時混練の場合はマトリックス樹
脂（成分（Ａ）＋成分（Ｂ））が押出混練機中で可塑化
する際に、固相混練時の剪断発熱が生じるため、予め設
定したシリンダー温度よりも高温となるので、かかる熱
の影響を受けて分解が起こる恐れがあるが、分割混練に
よりマトリックス樹脂が可塑化した後に成分（Ｃ）を後
添加する方法によれば、可塑化時の剪断発熱の影響を回
避できるために成分（Ｃ）が熱分解される恐れは無く、
導電性能の低下を防止できるのである。
【００２０】溶融押出混練における混練温度（シリンダ
ー温度）は、一般に１５０〜２５０℃、好ましくは１８
０〜２３０℃、特に好ましくは２００〜２１０℃であ
る。１５０℃未満では、成分（Ａ）と成分（Ｂ）との粘
度差が大きく、均一な組成物が得難いので好ましくな
く、一方２５０℃を越えると成分（Ｃ）の熱分解が生じ
る可能性がある。また、混練時間は０．５〜１０分間、
好ましくは１〜５分間、特に好ましくは２〜４分間であ
る。０．５分間未満では、成分（Ａ）の可塑化が不十分
となり均一な組成物が得難いため好ましくなく、一方、
１０分間を越えると成分（Ｃ）の熱安定性が損なわれる
恐れがあるので好ましくない。なお、上述した分割混練
を行う場合の混練時間は、成分（Ａ）と成分（Ｂ）とを
０．５〜２分間、好ましくは１分間混練し（前段混
練）、次いで成分（Ｃ）を添加して０．５〜２分間、好
ましくは１分間混練する（後段混練）のが好ましい。分
割混練時の混練温度（シリンダー温度）は、前段混練と
後段混練とで一定に保つことが好ましい。
【００２１】［II］ 成形 このようにして得られた帯電防止性に優れた熱可塑性樹
脂組成物を用いて、一般的には、射出成形法により記憶
ディスク用ケースを成形することができる。射出成形温
度としては通常２００〜２１０℃程度であり、金型温度
は３０〜６０℃程度である。
【００２２】[III] ミクロ構造 本発明の帯電防止性に優れた記憶ディスク用ケースに用
いられる熱可塑性樹脂組成物は、電子顕微鏡によりその
ミクロ構造を観察すると、上記した特定の種類の熱可塑
性エラストマーの存在により、該熱可塑性樹脂組成物中
にアクリルアミド系共重合体の均一な網目状分散体が、
成分（Ｂ）の熱可塑性エラストマーを介して形成された
状態となっている。一方、該熱可塑性エラストマーを存
在させない場合には、アクリルアミド系共重合体の均一
な網目状分散体が熱可塑性樹脂組成物中に形成されず、
成形時の剪断によって該アクリルアミド系共重合体は熱
可塑性樹脂組成物の表面近傍に集まり層を形成する。そ
れ故、この様なミクロ構造の熱可塑性樹脂組成物から成
形された記憶ディスク用ケースにおいては、この熱可塑
性樹脂組成物の表面近傍に集まったアクリルアミド系共
重合体が異質な層を形成しているために、この部分にて
層状剥離が発生し、記憶ディスク上への剥離、離脱が起
こり記憶ディスクの汚染を生じることが観察される。
【００２３】［IV］ 濡れ性 本発明の記憶ディスク用ケースは、ポリカーボネート製
のケースに比べて乾燥に要する時間が短い。その理由は
本発明による記憶ディスク用ケースの水に対する濡れ接
触角が一般に５０〜７０度であり、ポリカーボネート製
のケースが一般に７３〜７６度であるのに比較して低い
値を有する点にあると考えられる。接触角が大きい材料
は撥水性が高いので、水滴は付きにくいが付着した水滴
は大きく、また材料との接触面積も小さい。これに対
し、濡れ接触角が小さいと、水滴が大きくなる前に広が
り、薄膜状になったり、水滴と材料との接触面積が大き
い。よって、接触角が大きいポリカーボネート製ケース
に比べ、全体が完全に乾燥するまでの時間が短いものと
思われる。記憶ディスクはほこりを大変嫌うため、ケー
スにディスクを収納する前にケースを洗浄するのが通例
であるが、本発明の記憶ディスク用ケースを用いること
により、帯電防止性のみならず乾燥時間の短縮も実現で
きる。記憶ディスク用ケースは大量に使用されるため乾
燥時間の短縮化は製造上非常に顕著な効果である。
【００２４】［Ｖ］ 帯電減衰量および半減期 本発明の記憶ディスク用ケースは、３分間の減衰率が一
般に９５〜１００％であり、かつ飽和帯電量の半減期が
一般に３秒以下である。このような特性を有することに
より、万一高い電圧が印加された場合であっても、短時
間に帯電量が減衰し、かつほぼ完全に除電がなされる。
帯電量の半減期が短いと周囲のほこりを引きつける時間
が短く、ほこりの付着が少ない上、減衰量が９５〜１０
０％と高いため、一度帯電しても帯電前の状態に戻り、
やはりほこりの付着を防ぐことができる。
【００２５】［ＶＩ］ 表面固有抵抗 本発明の記憶ディスク用ケースは、その表面固有抵抗値
が一般に１×１０13Ω／□以下、好ましくは１×１０12
Ω／□以下、特に好ましくは１×１０11Ω／□以下であ
る。表面固有抵抗が１×１０13より大きいケースが帯電
した場合、速やかな除電がなされず、長時間にわたりケ
ース表面に電荷が残る。その結果、雰囲気中の塵、埃を
吸着し易くなり、内容物を汚染し易くなる。表面固有抵
抗が１×１０12〜１×１０13程度のケースは、その使用
環境（特に湿度）の影響を受けやすく、場合によっては
（低湿度雰囲気）除電効果が不充分である。表面固有抵
抗が１×１０11以下のケースは、使用環境の影響を受け
ることなく、常に高い除電効果を示す。
【００２６】
【実施例】以下に示す実験例によって、本発明を更に具
体的に説明する。 ［Ｉ］ 原材料 (1) 成分（Ａ）：結晶性プロピレン系樹脂 エチレン・プロピレン共重合体樹脂：三菱化学社製「三
菱ポリプロＢＣ３」（ＭＦＲ：１０．０ｇ／１０分、エ
チレン含量：９重量％、結晶化度６５％） (2) 成分（Ｂ）：熱可塑性エラストマー （ｂ1 ）オレフィン系共重合体エラストマー エチレン・プロピレン共重合体エラストマー：日本合成
ゴム社製「ＥＰ０７Ｐ」（ムーニー粘度：７０、重量平
均分子量：２３０，０００、エチレン含量：７０重量
％） (3) 成分（Ｃ）：アクリルアミド系共重合体 以下の合成例により得られたアクリルアミド系共重合体 （合成例）容量１０ｌの４つ口フラスコ（温度計、撹拌
器、滴加ロート、ディーンスターク分水器付き）に、キ
シレン４０００ｍｌ、エチレン・アクリル酸エチル・ア
クリル酸共重合体（それぞれのモル％比はエチレン／ア
クリル酸エチル／アクリル酸＝９０／５／５）１５００
ｇおよびパラトルエンスルホン酸１０．０ｇを仕込ん
だ。次に、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアミン２６
４ｇを仕込み、オイルバスを使用して１４０℃に加熱し
て、生成した水をキシレンとの共沸により連続的に除去
し、さらに１４０℃で１７時間反応させて、生成する水
の共沸が認められなくなるまでアミド化反応を継続し
た。得られた６０００ｇを８０℃まで冷却し、そこへ滴
加ロートよりジエチル硫酸４１５ｇを１時間かけて徐々
に滴下した。この間の発熱を冷却することにより反応温
度を９０℃に維持し、滴下終了後は１００℃で４時間熟
成反応を行った。ここで、得られた反応物を多量のメタ
ノール中に投入し、生成した沈殿物を回収、乾燥してア
クリルアミド系共重合体を得た。得られたアクリルアミ
ド系共重合体の収率は、原料のエチレン・アクリル酸エ
チル・アクリル酸共重合体基準で９７．３％であった。
また、アクリルアミド系共重合体の重量平均分子量は
５，５００であった。
【００２７】［II］ 評価方法 (1) 導電性（初期） 導電性の評価として、抵抗計（ハイレスタ；三菱化学
（株）製）を用いて表面固有抵抗値（Ω／□）を測定し
た。 (2) 帯電防止性能（１０回洗浄後） 帯電防止性能（導電性）の恒久性は、イオン交換水で成
形品表面を十分濯ぎガーゼにて水分を除き、温風環式乾
燥機にて６０℃の温度で５時間乾燥する。この工程を１
０回くり返した後の導電性を測定した。 (3) 汚染性・傷付き性 実験用に製作したケースに８枚の記憶ディスク（外径９
５ｍｍ；内径２５ｍｍ；厚み０．８ｍｍのアルミ製ハー
ドディスク）を装着し、上部に蓋をした状態で、振幅３
０ｃｍ、振動数１００回／分で、記憶ディスクに対し
て、縦・横方向へ各５分間、加速装置にて振動させた
後、記憶ディスクを取り出し、その表面への樹脂ケース
からの剥離・離脱物、塵、埃等の付着状態並びに傷付き
性を目視で観察し、汚染性を評価した。 (4) 濡れ性（接触角） 試験用に作成した板状の成形体の表面に水滴を滴下し、
水滴が表面上で濡れの平衡を保っている状態の試験片表
面と水滴の立ち上がり接線のなす角度を測定した。測定
は（株）エルマ社製ゴニオメーター式接触角測定器Ｇ−
１型（Erma Contact Anglemeter, Goniometer Type, Mo
del G-1)を使用して行った。 (5) 帯電減衰量・半減期 １０ＫＶの直流電圧をコロナ放電の形で試験片表面に２
分間印加し、帯電量が飽和した後電圧の印加を中止し、
減衰状態を連続的に測定する。測定はシシド電気（株）
製スタティクスオネストメーターを用いて行った。 (6) 乾燥性 試験用に成形した記憶ディスク用カセットを水に浸し、
引き上げた状態で室温に放置し、表面の乾燥状態を目視
にて評価した。 ○…短時間で乾燥 △…比較的長時間で乾燥
【００２８】[III] 実験例 〔実施例１および比較例１〕上記原料成分を、表−１に
示す各成分割合で配合し、二軸押出機（ＫＴＸ４０；神
戸製鋼社製、シリンダー温度２００℃、スクリュー回転
数２２０ｒｐｍ）を用いて２分間溶融混練し、ペレット
状組成物を得た。次いで、この得られたペレット状組成
物を、射出成形機（ＩＳ１７０；東芝社製）を用いて物
性評価用の厚さ１ｍｍ×幅１５０ｍｍ×長さ３００ｍｍ
の板状成形品を成形した（シリンダー温度２２０℃、金
型温度４０℃、冷却時間２０秒、射出圧力５００ｋｇ／
ｃｍ2 、保圧４５０ｋｇ／ｃｍ2 、射出速度３秒／ショ
ット、保圧時間１２秒）。また、この得られたペレット
状組成物を、射出成形機（ＩＳ１７０；東芝社製）を用
いて、シリンダー温度２１０℃で、ディスク板把持溝間
ピッチ（図２：符号１参照）６ｍｍ；最深部溝幅（図
２：符号２）１．５ｍｍ；溝深さ（図２：符号３）３．
２ｍｍ；高さ（図１：符号４）１００ｍｍ；横（図１：
符号５）６８ｍｍ；幅（図１：符号６）１０３ｍｍから
なる記憶ディスク８枚を収納できる試験用簡易ケース
（図１参照）を成形した。得られた板状成形品とーケー
スを用いて上記評価方法に従って評価した結果を表１に
示す。
【００２９】〔比較例２〕ポリカーボネート樹脂〔三菱
エンジニアリングプラスチック（株）製「ユービロンＳ
−１０００」（密度１．２ｇ／ｃｍ3 ，体積固有抵抗１
０16Ω・ｃｍ）〕を用いて実施例１と同様に板状成型品
およびケースを作成し（但し、射出成形温度２８０
℃）、評価を行った。評価結果を表１に示す。
【表１】
【００３０】図３は、実施例１で得られた板状成形体の
断面拡大写真（倍率５０００倍）である。図３から明ら
かなように、本発明による記憶ディスク用ケースはプロ
ピレン系樹脂がマトリックス構造を有し、アクリルアミ
ド系共重合体が熱可塑性エラストマーを介してマトリッ
クス中に網目状に分散した構成を有するため、導電性フ
ィラー等の添加物を用いることなく、恒久的かつ優れた
帯電防止性能を実現できる。図４は、実施例１で得られ
た本発明の記憶ディスク用ケースの帯電特性を示すグラ
フである。図に示すように帯電量自体が０．６９ＫＶと
少ない上、約半分である０．３４ＫＶに減少するまでの
時間は測定不能（１秒以下）であった。また、５０秒以
内にほぼ１００％の減衰率が得られている。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る記憶
ディスク用ケースは、ミクロ構造を有する特有な材料を
用いているため、導電性フィラー等を用いずに恒久的か
つ優れた帯電防止性能を実現できる。また、フィラーを
用いないため成形性がよく、記憶ディスクのように薄い
収納物をがたつきなく輸送するための精密な形状のケー
スが成形可能である上、着色の自由度も高く、収納物の
種類をケースの色で判別することも可能となる、ケース
の外部から収納物の有無が確認できる等有用な効果を有
する。加えて、材質が比較的柔軟なため、ディスクと接
触しても衝撃力を吸収でき、ディスクに傷が付かず、ま
た接触部から切削かすが発生することもない。さらに、
帯電減衰率が非常に高く、かつ帯電量の半減期も短いた
め、帯電したとしても周囲のほこりを引きつける可能性
が非常に少ない。また、水に対する接触角が比較的小さ
く、洗浄後の乾燥に要する時間短縮も実現できる等、非
常に優れた特性を有する記憶ディスク用ケースである。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で得られた記憶ディスク用ケースの形
状を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＡ部を示す拡大図である。
【図３】実施例１で得られた板状成形体の断面の電子顕
微鏡写真である（倍率５０００倍）。
【図４】実施例１で得られた記憶ディスク用ケースの帯
電減衰特性を示す図である。
【符号の説明】
１ 内側ディスク板把持溝間ピッチ ２ 最深部溝幅 ３ 溝深さ ４ ケースの高さ ５ ケースの奥行 ６ ケース幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 23:08 53:02） (Ｃ０８Ｌ 23/10 23:08） (Ｃ０８Ｆ 210/02 220:60）

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】下記の成分（Ａ）１００重量部に対し、成
    分（Ｂ）を３〜３０重量部及び成分（Ｃ）を５〜４０重
    量部配合してなる熱可塑性樹脂組成物から構成される帯
    電防止性に優れた記憶ディスク用ケース。 成分（Ａ）：メルトフローレート（ＭＦＲ）が１〜８０
    ｇ／分の結晶性プロピレン系樹脂 成分（Ｂ）：ムーニー粘度（ＭＬ1+4 （１００℃））が
    １０〜８５のオレフィン系共重合体エラストマー
    （ｂ1 ）及びスチレン又はその誘導体含量が１５〜５０
    重量％で重量平均分子量が５０，０００〜２２０，００
    ０であるスチレン又はその誘導体・共役ジエンブロック
    共重合体の水素添加物（ｂ2 ）から選ばれた熱可塑性エ
    ラストマー 成分（Ｃ）：アクリルアミド系共重合体
  2. 【請求項２】前記熱可塑性樹脂組成物が前記成分（Ａ）
    と前記成分（Ｂ）を先ず溶融混練し、次いで前記成分
    （Ｃ）を添加して更に溶融混練することにより得られる
    ものである、請求項１に記載の記憶ディスク用ケース。
  3. 【請求項３】前記成分（Ａ）のプロピレン系樹脂のＭＦ
    Ｒが３〜４０ｇ／１０分である、請求項１又は２に記載
    の記憶ディスク用ケース。
  4. 【請求項４】前記成分（Ｂ）の熱可塑性エラストマー
    が、ムーニー粘度（ＭＬ1+4 （１００℃））が２０〜７
    ５のオレフィン系共重合体エラストマーである、請求項
    １〜３のいずれか１項に記載の記憶ディスク用ケース。
  5. 【請求項５】前記成分（Ｂ）の熱可塑性エラストマー
    が、スチレン含量が２０〜４０重量％のスチレン・ブタ
    ジエンブロック共重合体の水素添加物又はスチレン・イ
    ソプレンブロック共重合体の水素添加物である、請求項
    １〜３のいずれか１項に記載の記憶ディスク用ケース。
  6. 【請求項６】前記成分（Ｃ）のアクリルアミド系共重合
    体が、 一般式 【化１】 で表されるエチレン構造単位６５〜９９モル％、 一般式 【化２】 （式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示す。）で
    表わされるアクリレート構造単位０〜１５モル％、及び
    一般式 【化３】 （式中、Ｒ２は炭素数２〜８のアルキレン基、Ｒ３及び
    Ｒ４はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ５は炭素
    数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアリールア
    ルキル基又は炭素数１〜１２の脂環アルキル基、Ｘ- は
    ハロゲンイオン、ＣＨ２ＯＳＯ３ - 又はＣ２Ｈ５ＯＳＯ
    ３ - を示す。）で表わされるアクリルアミド構造単位１
    〜３５モル％からなる線状に不規則に配列した重量平均
    分子量１，０００〜５０，０００のアクリルアミド系共
    重合体である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の記
    憶ディスク用ケース。
  7. 【請求項７】前記成分（Ｃ）のアクリルアミド系共重合
    体が、 一般式 【化４】 で表わされるエチレン構造単位６５〜９９モル％、 一般式 【化５】 （式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示す。）で
    表わされるアクリレート構造単位０〜１５モル％、及び
    一般式 【化６】 （式中、Ｒ２は炭素数２〜８のアルキレン基、Ｒ３及び
    Ｒ４はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基を示す。）で
    表わされるアクリルアミド構造単位１〜３５モル％から
    なる線状に不規則に配列した重量平均分子量１，０００
    〜５０，０００のアクリルアミド系共重合体である、請
    求項１〜５のいずれか１項に記載の記憶ディスク用ケー
    ス。
  8. 【請求項８】前記熱可塑性樹脂組成物が前記成分（Ａ）
    １００重量部に対して、前記成分（Ｂ）を５〜２０重量
    部、及び前記成分（Ｃ）を１５〜３０重量部配合してな
    るものである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の記
    憶ディスク用ケース。
  9. 【請求項９】熱可塑性樹脂組成物が前記成分（Ａ）及び
    前記成分（Ｂ）を１５０〜２５０℃にて０．５〜２分間
    溶融混練し、次いで前記成分（Ｃ）を添加後、さらに１
    ５０〜２５０℃にて０．５〜２分間溶融混練することに
    より得られるものである、請求項１〜８のいずれか１項
    に記載の記憶ディスク用ケース。
  10. 【請求項１０】前記熱可塑性樹脂組成物が、マトリック
    ス構造をとる前記成分（Ａ）中に、前記成分（Ｃ）が前
    記成分（Ｂ）を介して網目状に分散したモルフォロジー
    を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の記憶デ
    ィスク用ケース。
  11. 【請求項１１】表面に１０ＫＶの電圧を２分間印加し、
    印加を中止した時点の帯電量が１／２になるまでの時間
    が３秒以下であって、印加中止後２分経過時における帯
    電減衰量が９５〜１００％である、請求項１〜１０のい
    ずれか１項に記載の記憶ディスク用ケース。
  12. 【請求項１２】表面固有抵抗値が１０13Ω／□以下であ
    り、ケース表面の水に対する接触角が５０〜７０度であ
    る、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の記憶ディス
    ク用ケース。
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