JPH1075101A - 電力増幅器 - Google Patents
電力増幅器Info
- Publication number
- JPH1075101A JPH1075101A JP22893796A JP22893796A JPH1075101A JP H1075101 A JPH1075101 A JP H1075101A JP 22893796 A JP22893796 A JP 22893796A JP 22893796 A JP22893796 A JP 22893796A JP H1075101 A JPH1075101 A JP H1075101A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- power supply
- frequency
- cable
- frequency input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電力増幅用トランジスタへの電源供給ラインの
影響により周波数特性にうねりが生じることのない電力
増幅器を提供する。 【解決手段】高周波入力パターン１に並んで配置される
電力供給ラインを同軸ケーブル５とし、外導体６をアー
スパターン８に接続する。
影響により周波数特性にうねりが生じることのない電力
増幅器を提供する。 【解決手段】高周波入力パターン１に並んで配置される
電力供給ラインを同軸ケーブル５とし、外導体６をアー
スパターン８に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力増幅器に関
し、特に電力増幅器を構成する電力増幅能動素子である
高周波増幅用トランジスタ（またはＦＥＴ）への電源供
給法に関する。
し、特に電力増幅器を構成する電力増幅能動素子である
高周波増幅用トランジスタ（またはＦＥＴ）への電源供
給法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来知られている電力増幅器は、図５に
示すように、プリント板１０上に、高周波入力パターン
１と高周波出力パターン２と電源供給パターン３とアー
スパターン８とを形成しており、トランジスタ（または
ＦＥＴ）４と電源供給用導線１９とバイパスコンデンサ
１１と貫通型コンデンサ１４と外部電源からの電源供給
用導線１５により構成されている。トランジスタ（また
はＦＥＴ）４のベース（またはゲート）端子、コレクタ
（またはドレイン）端子は、それぞれ高周波入力パター
ン１と高周波出力パターン２に接続される。電源供給用
導線１９の片端は電源供給パターン３に接続され、もう
一端は、貫通型コンデンサ１４の内導体１７の片端に接
続される。貫通型コンデンサ１４の内導体１７のもう一
端は、外部電源からの電源供給用導線１５に接続され
る。貫通型コンデンサ１４の外導体１８は、シャーシ１
６に固定される。アースパターン８及びシャーシ１６は
接続されている。電源供給パターン３はショートスタブ
であり、インダクタンスと同等となる。
示すように、プリント板１０上に、高周波入力パターン
１と高周波出力パターン２と電源供給パターン３とアー
スパターン８とを形成しており、トランジスタ（または
ＦＥＴ）４と電源供給用導線１９とバイパスコンデンサ
１１と貫通型コンデンサ１４と外部電源からの電源供給
用導線１５により構成されている。トランジスタ（また
はＦＥＴ）４のベース（またはゲート）端子、コレクタ
（またはドレイン）端子は、それぞれ高周波入力パター
ン１と高周波出力パターン２に接続される。電源供給用
導線１９の片端は電源供給パターン３に接続され、もう
一端は、貫通型コンデンサ１４の内導体１７の片端に接
続される。貫通型コンデンサ１４の内導体１７のもう一
端は、外部電源からの電源供給用導線１５に接続され
る。貫通型コンデンサ１４の外導体１８は、シャーシ１
６に固定される。アースパターン８及びシャーシ１６は
接続されている。電源供給パターン３はショートスタブ
であり、インダクタンスと同等となる。
【０００３】次に動作を説明する。高周波入力端子１２
より入力された高周波は、高周波入力パターン１を通
り、トランジスタ（またはＦＥＴ）４において増幅され
る。トランジスタ（またはＦＥＴ）４で増幅された高周
波は高周波出力パターン２を通り高周波出力端子１３よ
り出力される。トランジスタ（またはＦＥＴ）４は、外
部電源からの電源供給用導線１５、貫通型コンデンサ１
４、電源供給用導線１９を通り、電源供給パターン３に
電源が供給されることにより動作する。インダクタンス
の役割をするショートスタブである電源供給パターン３
とバイパスコンデンサ１１によりローパスフィルタを形
成し、高周波が電源供給ラインへリークしないようにし
ている。
より入力された高周波は、高周波入力パターン１を通
り、トランジスタ（またはＦＥＴ）４において増幅され
る。トランジスタ（またはＦＥＴ）４で増幅された高周
波は高周波出力パターン２を通り高周波出力端子１３よ
り出力される。トランジスタ（またはＦＥＴ）４は、外
部電源からの電源供給用導線１５、貫通型コンデンサ１
４、電源供給用導線１９を通り、電源供給パターン３に
電源が供給されることにより動作する。インダクタンス
の役割をするショートスタブである電源供給パターン３
とバイパスコンデンサ１１によりローパスフィルタを形
成し、高周波が電源供給ラインへリークしないようにし
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図５に示した従来の電
力増幅器の問題点は、図４（ｂ）に示すように高周波出
力の周波数特性にうねりが生じる、ということである。
その理由は、インダクタンスの役割をするショートスタ
ブである電源供給パターン３とバイパスコンデンサ１１
によるローパスフィルタで高周波をカットするが、高周
波のリークを完全に“０”にできないため、図３（ｂ）
に示すように、電源供給用導線１９を高周波が通り、図
の電気力線２０のような電気力線が生じ、高周波入力パ
ターン１に輻射してしまう。これにより図６に示すよう
な高周波のループができる。輻射された高周波と高周波
入力端子１２より入力された高周波の位相は周波数によ
り異なるため、周波数特性にうねりが生じる。
力増幅器の問題点は、図４（ｂ）に示すように高周波出
力の周波数特性にうねりが生じる、ということである。
その理由は、インダクタンスの役割をするショートスタ
ブである電源供給パターン３とバイパスコンデンサ１１
によるローパスフィルタで高周波をカットするが、高周
波のリークを完全に“０”にできないため、図３（ｂ）
に示すように、電源供給用導線１９を高周波が通り、図
の電気力線２０のような電気力線が生じ、高周波入力パ
ターン１に輻射してしまう。これにより図６に示すよう
な高周波のループができる。輻射された高周波と高周波
入力端子１２より入力された高周波の位相は周波数によ
り異なるため、周波数特性にうねりが生じる。
【０００５】本発明の目的は、周波数特性にうねりのな
い電力増幅器を提供することである。
い電力増幅器を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の電力増幅器は、
トランジスタ（またはＦＥＴ）への電源供給に同軸ケー
ブルを用いる。同軸ケーブルの内導体を伝わる高周波
は、同軸ケーブルの外導体により、ケーブルの外に輻射
しない。このため、高周波入力パターンへの輻射を防ぐ
ことができる。
トランジスタ（またはＦＥＴ）への電源供給に同軸ケー
ブルを用いる。同軸ケーブルの内導体を伝わる高周波
は、同軸ケーブルの外導体により、ケーブルの外に輻射
しない。このため、高周波入力パターンへの輻射を防ぐ
ことができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の電力増幅器の実
施の形態を示す図であり、プリント板１０上に、高周波
入力パターン１と高周波出力パターン２と電源供給パタ
ーン３とアースパターン８とを形成しており、トランジ
スタ（またはＦＥＴ）４とセミリジッドケーブル２１と
バイパスコンデンサ１１と貫通型コンデンサ１４と外部
電源からの電源供給用導線１５により構成されている。
トランジスタ（またはＦＥＴ）４のベース（またはゲー
ト）端子、コレクタ（またはドレイン）端子は、それぞ
れ高周波入力パターン１と高周波出力パターン２に接続
される。同軸ケーブルであるセミリジッドケーブル５の
外導体６は、アースパターン８に接続される。セミリジ
ッドケーブル５の内導体７は、電源供給パターン３に接
続される。ケーブル５のもう一端では、内導体１７は貫
通型コンデンサ１４の内導体１７の片端に接続される。
貫通型コンデンサ１４の内導体１７のもう一端は、外部
電源からの電源供給用導線１５に接続される。貫通型コ
ンデンサ１４の外導体１８は、シャーシ１６に固定され
る。アースパターン８とシャーシ１６は、接続されてい
る。
施の形態を示す図であり、プリント板１０上に、高周波
入力パターン１と高周波出力パターン２と電源供給パタ
ーン３とアースパターン８とを形成しており、トランジ
スタ（またはＦＥＴ）４とセミリジッドケーブル２１と
バイパスコンデンサ１１と貫通型コンデンサ１４と外部
電源からの電源供給用導線１５により構成されている。
トランジスタ（またはＦＥＴ）４のベース（またはゲー
ト）端子、コレクタ（またはドレイン）端子は、それぞ
れ高周波入力パターン１と高周波出力パターン２に接続
される。同軸ケーブルであるセミリジッドケーブル５の
外導体６は、アースパターン８に接続される。セミリジ
ッドケーブル５の内導体７は、電源供給パターン３に接
続される。ケーブル５のもう一端では、内導体１７は貫
通型コンデンサ１４の内導体１７の片端に接続される。
貫通型コンデンサ１４の内導体１７のもう一端は、外部
電源からの電源供給用導線１５に接続される。貫通型コ
ンデンサ１４の外導体１８は、シャーシ１６に固定され
る。アースパターン８とシャーシ１６は、接続されてい
る。
【０００８】ここでの電源供給パターン３は、シーョト
スタブであり、例えば１０［ｎＨ］のインダクタンスと
同等とする。バイパスコンデンサ１１及び貫通型コンデ
ンサ１４の静電容量はそれぞれ０．０１［μＦ］とす
る。入力される高周波の周波数は８００［ＭＨｚ］から
９００［ＭＨｚ］とする。
スタブであり、例えば１０［ｎＨ］のインダクタンスと
同等とする。バイパスコンデンサ１１及び貫通型コンデ
ンサ１４の静電容量はそれぞれ０．０１［μＦ］とす
る。入力される高周波の周波数は８００［ＭＨｚ］から
９００［ＭＨｚ］とする。
【０００９】次に、図１の動作について、図２，図３
（ａ）を参照して説明する。図２によれば、高周波は、
高周波入力端子１２より入力され、高周波入力パターン
１を通ってトランジスタ（またはＦＥＴ）４のベース
（またはゲート）端子に入る。ここで増幅された高周波
は、コレクタ（またはドレイン）端子より高周波出力パ
ターン２を通って高周波出力端子１３より出力される
が、一部は電源供給パターン３の方へ向かう。１０［ｎ
Ｈ］のインダクタンスと同等のショートスタブである電
源供給パターン３と静電容量０．０１μＦのバイパスコ
ンデンサ１１によりローパスフィルタを形成するため、
高周波のほとんどはセミリジッドケーブル５の内導体７
へリークしないが、完全に“０”にならない。この高周
波により輻射が生じるが、輻射された高周波は、図３
（ａ）に示すようにセミリジッドケーブル５の外導体６
に伝わるため、高周波入力パターン１へ輻射する事はな
い。
（ａ）を参照して説明する。図２によれば、高周波は、
高周波入力端子１２より入力され、高周波入力パターン
１を通ってトランジスタ（またはＦＥＴ）４のベース
（またはゲート）端子に入る。ここで増幅された高周波
は、コレクタ（またはドレイン）端子より高周波出力パ
ターン２を通って高周波出力端子１３より出力される
が、一部は電源供給パターン３の方へ向かう。１０［ｎ
Ｈ］のインダクタンスと同等のショートスタブである電
源供給パターン３と静電容量０．０１μＦのバイパスコ
ンデンサ１１によりローパスフィルタを形成するため、
高周波のほとんどはセミリジッドケーブル５の内導体７
へリークしないが、完全に“０”にならない。この高周
波により輻射が生じるが、輻射された高周波は、図３
（ａ）に示すようにセミリジッドケーブル５の外導体６
に伝わるため、高周波入力パターン１へ輻射する事はな
い。
【００１０】図４（ａ）は、本発明の実施の形態の周波
数特性を示す、（ｂ）の従来例に比べ特性のうねりは無
い。
数特性を示す、（ｂ）の従来例に比べ特性のうねりは無
い。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
源供給ラインに同軸ケーブルを用いることにより、高周
波入力パターンへの輻射を防ぐことができ、うねりの無
い周波数特性を得ることができる。
源供給ラインに同軸ケーブルを用いることにより、高周
波入力パターンへの輻射を防ぐことができ、うねりの無
い周波数特性を得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態例を示す図。
【図２】本発明の動作を説明するための図。
【図３】本発明及び従来例の動作を示す図で、（ａ）は
本発明、（ｂ）は従来例の場合を示す。
本発明、（ｂ）は従来例の場合を示す。
【図４】本発明及び従来例の周波数特性を示す図で、
（ａ）は本発明、（ｂ）は従来例の場合を示す。
（ａ）は本発明、（ｂ）は従来例の場合を示す。
【図５】従来の電力増幅器の構成を示す図。
【図６】従来例の動作を示す図。
１ 高周波入力パターン ２ 高周波出力パターン ３ 電源供給パターン ４ トランジスタ（及びＦＥＴ） ５ 同軸ケーブル ６ 同軸ケーブル外導体 ７ 同軸ケーブル内導体 ８ アースパターン ９ 同軸ケーブル誘電体 １０ プリント基板 １１ パイパスコンデンサ １２ 高周波入力端子 １３ 高周波出力端子 １４ 貫通型コンデンサ １５ 外部電源からの電源供給用導線 １６ シャーシ １７ 貫通型コンデンサ内導体 １８ 貫通型コンデンサ外導体 １９ 電源供給用導線 ２０ 電気力線
Claims (3)
- 【請求項１】 高周波入力パターンと、高周波出力パタ
ーンと、高周波出力パターンに連結した電力供給パター
ンと、これらのパターンを囲むアースパターンと、高周
波入力パターンと高周波出力パターンとの間に配置され
たトランジスタと、電力供給パターンとアースパターン
との間に配置されたバイパスコンデンサと、電源供給ラ
インとしての同軸ケーブルとを有する電力増幅器。 - 【請求項２】 電源供給ラインが高周波入力パターンに
沿って配置されるとともに同軸ケーブルの内導体が電力
供給パターンに接続され、外導体がアースパターンに接
続される請求項１の電力増幅器。 - 【請求項３】 電源供給が高周波入力端子側からなされ
る請求項２の電力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22893796A JPH1075101A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22893796A JPH1075101A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 電力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1075101A true JPH1075101A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16884199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22893796A Pending JPH1075101A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1075101A (ja) |
-
1996
- 1996-08-29 JP JP22893796A patent/JPH1075101A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991116 |