JPH107497A - Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体結晶の成長方法 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体結晶の成長方法Info
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- JPH107497A JPH107497A JP16585296A JP16585296A JPH107497A JP H107497 A JPH107497 A JP H107497A JP 16585296 A JP16585296 A JP 16585296A JP 16585296 A JP16585296 A JP 16585296A JP H107497 A JPH107497 A JP H107497A
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- growth
- crystal
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- znse
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハロゲン化学輸送法でII−VI族化合物半導体
の結晶成長を行う方法において、低圧下でハロゲンドー
プのII−VI族化合物半導体結晶の成長方法を提供しよう
とするものである。 【解決手段】 結晶成長を行う成長室と、成長結晶を構
成するII族元素のハロゲン化物を収容するリザーバとを
細管で連結し、成長室に原料多結晶を配置し、リザーバ
の加熱温度を制御しながら、結晶成長を行うことを特徴
とするII−VI族化合物半導体結晶の成長方法である。
の結晶成長を行う方法において、低圧下でハロゲンドー
プのII−VI族化合物半導体結晶の成長方法を提供しよう
とするものである。 【解決手段】 結晶成長を行う成長室と、成長結晶を構
成するII族元素のハロゲン化物を収容するリザーバとを
細管で連結し、成長室に原料多結晶を配置し、リザーバ
の加熱温度を制御しながら、結晶成長を行うことを特徴
とするII−VI族化合物半導体結晶の成長方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＺｎＳｅ、Ｚｎ
Ｓ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ等のII−VI族化合物半導体結晶を
成長する方法に関する。
Ｓ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ等のII−VI族化合物半導体結晶を
成長する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】II−VI族化合物半導体結晶の成長方法
は、融液成長法、固相成長法、溶液成長法、気相成長法
の４種の方法に大きく分類される。その中で気相成長法
には、原料の昇華及び凝結を利用して結晶成長を行う昇
華法（ＰＶＴ法:Physical VapourTransport 法）、及
び、ハロゲンと原料を反応させてハロゲン化物を生成
し、そのハロゲン化物をを輸送した後、分解して結晶成
長を行う化学輸送法（ＣＶＴ法:Chemical Vapour Trans
port法）がある。
は、融液成長法、固相成長法、溶液成長法、気相成長法
の４種の方法に大きく分類される。その中で気相成長法
には、原料の昇華及び凝結を利用して結晶成長を行う昇
華法（ＰＶＴ法:Physical VapourTransport 法）、及
び、ハロゲンと原料を反応させてハロゲン化物を生成
し、そのハロゲン化物をを輸送した後、分解して結晶成
長を行う化学輸送法（ＣＶＴ法:Chemical Vapour Trans
port法）がある。
【０００３】ＰＶＴ法によるＺｎＳｅ結晶成長として
は、J. Crystal Growth 94 (1989) p.1 〜5 に、石英管
に５ｇのＺｎＳｅ粉末と、種結晶としてＺｎＳｅ単結晶
とをアンプルに封入し、このアンプルを加熱してＺｎＳ
ｅ粉末側の温度を約１０８０℃に、種結晶側の温度を約
１０７０℃に保持することにより、種結晶上にＺｎＳｅ
結晶を成長させた。その後、成長ＺｎＳｅ結晶をＺｎ融
液中で熱処理することにより、比抵抗を０．２Ωｃｍ程
度まで下げることができたと報告されている。
は、J. Crystal Growth 94 (1989) p.1 〜5 に、石英管
に５ｇのＺｎＳｅ粉末と、種結晶としてＺｎＳｅ単結晶
とをアンプルに封入し、このアンプルを加熱してＺｎＳ
ｅ粉末側の温度を約１０８０℃に、種結晶側の温度を約
１０７０℃に保持することにより、種結晶上にＺｎＳｅ
結晶を成長させた。その後、成長ＺｎＳｅ結晶をＺｎ融
液中で熱処理することにより、比抵抗を０．２Ωｃｍ程
度まで下げることができたと報告されている。
【０００４】また、ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ結晶成長と
しては、J. Crystal Growth 91 (1988) p.639 〜646
に、石英管にＺｎＳｅ粉末と、種結晶としてＺｎＳｅ単
結晶に加え、アンプル内容積１ｃｍ3 当たり５．４ｍｇ
のヨウ素をアンプルに封入し、このアンプルを加熱して
ＺｎＳｅ粉末側の温度を８５０℃に、種結晶側の温度を
８４０℃に保持することにより、種結晶上にＺｎＳｅ結
晶を成長させた。この結晶には１００〜２００ｐｐｍ程
度のヨウ素が含まれているので、この結晶を１０７０℃
のＺｎ融液中で１３０時間熱処理することにより、比抵
抗を０．０３Ωｃｍ下げることができたと報告されてい
る。
しては、J. Crystal Growth 91 (1988) p.639 〜646
に、石英管にＺｎＳｅ粉末と、種結晶としてＺｎＳｅ単
結晶に加え、アンプル内容積１ｃｍ3 当たり５．４ｍｇ
のヨウ素をアンプルに封入し、このアンプルを加熱して
ＺｎＳｅ粉末側の温度を８５０℃に、種結晶側の温度を
８４０℃に保持することにより、種結晶上にＺｎＳｅ結
晶を成長させた。この結晶には１００〜２００ｐｐｍ程
度のヨウ素が含まれているので、この結晶を１０７０℃
のＺｎ融液中で１３０時間熱処理することにより、比抵
抗を０．０３Ωｃｍ下げることができたと報告されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、比抵抗
が０．０３Ωｃｍ程度のＺｎＳｅ結晶をＣＶＴ法で成長
できるが、大きな結晶を成長するためには大きなアンプ
ルを使用する必要があるが、この方法はアンプル中にガ
ス対流が発生しやすく、大きなアンプルを使用すると、
その傾向は一層増加するので、安定な状態で結晶成長を
行うことができず、単結晶の育成は不可能であった。
が０．０３Ωｃｍ程度のＺｎＳｅ結晶をＣＶＴ法で成長
できるが、大きな結晶を成長するためには大きなアンプ
ルを使用する必要があるが、この方法はアンプル中にガ
ス対流が発生しやすく、大きなアンプルを使用すると、
その傾向は一層増加するので、安定な状態で結晶成長を
行うことができず、単結晶の育成は不可能であった。
【０００６】一方、アンプル中の対流を抑制するため
に、アンプル中の原料充填領域と結晶成長領域の中間領
域に、気体の対流の発生を抑制するための格子板や細管
の束を配置することが提案されたが（特開平５−４８９
４号公報参照）、この方法においても大きな結晶を成長
するためには、上記の対流抑制手段が存在しない結晶成
長領域を大きくする必要があるため、結果的には、この
大きな結晶成長領域でガス対流が発生して単結晶の成長
を困難にしていた。
に、アンプル中の原料充填領域と結晶成長領域の中間領
域に、気体の対流の発生を抑制するための格子板や細管
の束を配置することが提案されたが（特開平５−４８９
４号公報参照）、この方法においても大きな結晶を成長
するためには、上記の対流抑制手段が存在しない結晶成
長領域を大きくする必要があるため、結果的には、この
大きな結晶成長領域でガス対流が発生して単結晶の成長
を困難にしていた。
【０００７】このガス対流は、アンプル中の温度差によ
って誘起される自然対流であるが、一般に自然対流の強
さの強弱は、以下のグラスホッフ数（Ｇｒ）によって規
定される。アンプルが大きくなると、式中のＲが大きく
なり、グラスホッフ数が大きくなるので、ガス対流が強
くなる。 Ｇｒ＝ｇβT Ｒ3 ΔＴρ2 ／μ2 ここで ｇ：重力 βT ：体膨張係数 Ｒ ：アンプル直径 ΔＴ：アンプル内温度差 ρ ：ガスの密度 μ ：粘性係数
って誘起される自然対流であるが、一般に自然対流の強
さの強弱は、以下のグラスホッフ数（Ｇｒ）によって規
定される。アンプルが大きくなると、式中のＲが大きく
なり、グラスホッフ数が大きくなるので、ガス対流が強
くなる。 Ｇｒ＝ｇβT Ｒ3 ΔＴρ2 ／μ2 ここで ｇ：重力 βT ：体膨張係数 Ｒ ：アンプル直径 ΔＴ：アンプル内温度差 ρ ：ガスの密度 μ ：粘性係数
【０００８】ここで、アンプルの内圧を下げてガス密度
を下げることができればグラスホッフ数を小さくするこ
とができるので、大型結晶を成長させるために、アンプ
ル内径を大きくしてもグラスホッフ数はあまり大きくな
らず、自然対流が無い状態で結晶成長が可能となる。し
かし、一般に、ヨウ素を輸送媒体として用いるＣＶＴ法
でのＺｎＳｅ結晶成長では内圧が数気圧と高く、自然対
流が発生しやすい状態になっているため、アンプル内径
を２ｃｍ程度にしてもガスの自然対流が問題となる。
を下げることができればグラスホッフ数を小さくするこ
とができるので、大型結晶を成長させるために、アンプ
ル内径を大きくしてもグラスホッフ数はあまり大きくな
らず、自然対流が無い状態で結晶成長が可能となる。し
かし、一般に、ヨウ素を輸送媒体として用いるＣＶＴ法
でのＺｎＳｅ結晶成長では内圧が数気圧と高く、自然対
流が発生しやすい状態になっているため、アンプル内径
を２ｃｍ程度にしてもガスの自然対流が問題となる。
【０００９】そこで、本発明は、気相法でII−VI族化合
物半導体の結晶成長を行うときの、上記の欠点を解消
し、ハロゲンドープ可能な低圧成長方法を提供しようと
するものである。
物半導体の結晶成長を行うときの、上記の欠点を解消
し、ハロゲンドープ可能な低圧成長方法を提供しようと
するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、気相法でII−
VI族化合物半導体結晶を成長する方法において、結晶成
長を行う成長室と、成長結晶を構成するII族元素のハロ
ゲン化物を収容するリザーバとを細管で連結し、成長室
にII−VI族化合物原料多結晶を配置し、リザーバの加熱
温度を制御しながら、結晶成長を行うことを特徴とする
II−VI族化合物半導体結晶の成長方法である。
VI族化合物半導体結晶を成長する方法において、結晶成
長を行う成長室と、成長結晶を構成するII族元素のハロ
ゲン化物を収容するリザーバとを細管で連結し、成長室
にII−VI族化合物原料多結晶を配置し、リザーバの加熱
温度を制御しながら、結晶成長を行うことを特徴とする
II−VI族化合物半導体結晶の成長方法である。
【００１１】本発明は、前記II族元素のハロゲン化物を
リザーバの最低温度部に配置し、該最低温度部を均熱帯
に設けたことを特徴とする上記のII−VI族化合物半導体
結晶の成長方法である。
リザーバの最低温度部に配置し、該最低温度部を均熱帯
に設けたことを特徴とする上記のII−VI族化合物半導体
結晶の成長方法である。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明で成長するII−VI族化合物
半導体結晶は、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴ
ｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等を挙げることができ、前記のII
族元素のハロゲン化物としては、ＺｎＣｌ2 、Ｚｎ
Ｉ2 、ＣｄＣｌ2 、ＣｄＩ2 などを挙げることができ
る。また、本発明は、ＺｎＳＳｅのような３元系II−VI
族化合物半導体結晶の成長にもの有効に適用することが
てきる。
半導体結晶は、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴ
ｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等を挙げることができ、前記のII
族元素のハロゲン化物としては、ＺｎＣｌ2 、Ｚｎ
Ｉ2 、ＣｄＣｌ2 、ＣｄＩ2 などを挙げることができ
る。また、本発明は、ＺｎＳＳｅのような３元系II−VI
族化合物半導体結晶の成長にもの有効に適用することが
てきる。
【００１３】本発明において、リザーバ中に配置するII
族元素のハロゲン化物は、リザーバ中の最低温度部に配
置し、この最低温度部には均熱帯を設けることにより、
結晶成長の再現性をより向上させることができるように
なった。なお、ＺｎＳｅ結晶成長の場合、結晶成長部の
温度は、９５０〜１１５０℃程度が好ましい。
族元素のハロゲン化物は、リザーバ中の最低温度部に配
置し、この最低温度部には均熱帯を設けることにより、
結晶成長の再現性をより向上させることができるように
なった。なお、ＺｎＳｅ結晶成長の場合、結晶成長部の
温度は、９５０〜１１５０℃程度が好ましい。
【００１４】また、本発明においては、成長室とリザー
バとの接合部は、内径が成長室及びリザーバの内径より
も細管にすることが望ましい。細管の内径は、成長室の
内径の１０％程度が好ましく、断面積は成長室の１％程
度が好ましい。一般に、リザーバの加熱温度は、成長室
より低く設定されるので、原料多結晶がリザーバ内に漏
出して析出する恐れがあるが、上記細管を採用すること
により、成長室内の原料多結晶蒸気がリザーバ側に多量
に漏出することが防止され、リザーバ内部に原料多結晶
が凝結することが防止される。
バとの接合部は、内径が成長室及びリザーバの内径より
も細管にすることが望ましい。細管の内径は、成長室の
内径の１０％程度が好ましく、断面積は成長室の１％程
度が好ましい。一般に、リザーバの加熱温度は、成長室
より低く設定されるので、原料多結晶がリザーバ内に漏
出して析出する恐れがあるが、上記細管を採用すること
により、成長室内の原料多結晶蒸気がリザーバ側に多量
に漏出することが防止され、リザーバ内部に原料多結晶
が凝結することが防止される。
【００１５】図１は、本発明を実施するための成長装置
の１例を示した概念図であり、ＺｎＳｅ単結晶を成長す
る場合を示したものである。成長室とリザーバは細管で
接続されており、成長室のリザーバ側にはＺｎＳｅ多結
晶が配置されており、円錐形の先端が結晶成長部とな
る。また、リザーバの後端部にはＺｎＣｌ2 が配置され
ている。この後端部は、リザーバの最低温度部で均熱帯
にすることが望ましい。
の１例を示した概念図であり、ＺｎＳｅ単結晶を成長す
る場合を示したものである。成長室とリザーバは細管で
接続されており、成長室のリザーバ側にはＺｎＳｅ多結
晶が配置されており、円錐形の先端が結晶成長部とな
る。また、リザーバの後端部にはＺｎＣｌ2 が配置され
ている。この後端部は、リザーバの最低温度部で均熱帯
にすることが望ましい。
【００１６】
〔実施例１〕図１の装置を用い、成長室は内径１２ｍ
ｍ、長さ２０ｃｍの石英管を用い、先端を尖らせて結晶
成長部とした。リザーバは内径１２ｍｍ、長さ２０ｃｍ
の石英管を用い、長さ１０ｃｍ、内径２ｍｍの細管を用
いて成長室とリザーバとを接続した。そして、成長室の
リザーバ側にはＺｎＳｅ多結晶原料を１０ｇを配置し、
リザーバの後端にはＺｎＣｌ2 を約０．１ｇ配置した。
ｍ、長さ２０ｃｍの石英管を用い、先端を尖らせて結晶
成長部とした。リザーバは内径１２ｍｍ、長さ２０ｃｍ
の石英管を用い、長さ１０ｃｍ、内径２ｍｍの細管を用
いて成長室とリザーバとを接続した。そして、成長室の
リザーバ側にはＺｎＳｅ多結晶原料を１０ｇを配置し、
リザーバの後端にはＺｎＣｌ2 を約０．１ｇ配置した。
【００１７】このアンプルを２ゾーンの横型管状炉に投
入し、結晶成長部の温度を１０００℃、ＺｎＳｅ多結晶
原料の温度を１０２０℃とし、かつ、リザーバのＺｎＣ
ｌ2の加熱温度を表１に示す４種類の温度に調節し、Ｚ
ｎＣｌ2 を配置した周辺１０ｃｍをリザーバ温度±１℃
の均熱帯としてＺｎＳｅ単結晶の成長を行った。なお、
それぞれの温度におけるリザーバ内部のＺｎＣｌ2 蒸気
圧及び成長速度を表１に記載した。結晶成長の期間は１
０日間とした。
入し、結晶成長部の温度を１０００℃、ＺｎＳｅ多結晶
原料の温度を１０２０℃とし、かつ、リザーバのＺｎＣ
ｌ2の加熱温度を表１に示す４種類の温度に調節し、Ｚ
ｎＣｌ2 を配置した周辺１０ｃｍをリザーバ温度±１℃
の均熱帯としてＺｎＳｅ単結晶の成長を行った。なお、
それぞれの温度におけるリザーバ内部のＺｎＣｌ2 蒸気
圧及び成長速度を表１に記載した。結晶成長の期間は１
０日間とした。
【００１８】
【表１】
【００１９】得られたＺｎＳｅ結晶を７７Ｋという低温
に保持し、波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光を当て
て励起させ、下方遷移時に放出される光のＰＬ（フォト
ルミネッセンス）スペクトルで測定した結果を図２に示
した。図２の（ｂ）はＺｎＣｌ2 蒸気圧を０．１Ｔｏｒ
ｒ、（ｃ）は１０Ｔｏｒｒ、（ｄ）は１００Ｔｏｒｒに
調整して成長させたもので、いずれの結晶も２．０ｅＶ
付近に発光が観察された。なお、同図（ａ）は蒸気圧を
加えなかったものである。この発光は一般的にＳＡ（セ
ルフアクティブ）発光といわれ、不純物がドーピングさ
れたときに現れるものである。したがって、リザーバに
配置したＺｎＣｌ2 よりＣＶＴ法と比べて低圧でＣｌの
ドーピングに成功したことが分かる。
に保持し、波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光を当て
て励起させ、下方遷移時に放出される光のＰＬ（フォト
ルミネッセンス）スペクトルで測定した結果を図２に示
した。図２の（ｂ）はＺｎＣｌ2 蒸気圧を０．１Ｔｏｒ
ｒ、（ｃ）は１０Ｔｏｒｒ、（ｄ）は１００Ｔｏｒｒに
調整して成長させたもので、いずれの結晶も２．０ｅＶ
付近に発光が観察された。なお、同図（ａ）は蒸気圧を
加えなかったものである。この発光は一般的にＳＡ（セ
ルフアクティブ）発光といわれ、不純物がドーピングさ
れたときに現れるものである。したがって、リザーバに
配置したＺｎＣｌ2 よりＣＶＴ法と比べて低圧でＣｌの
ドーピングに成功したことが分かる。
【００２０】〔実施例２〕実施例１において、ＺｎＣｌ
2 の代わりにＺｎＩ2 を使用し、リザーバの後端の温度
及びリザーバ内のＺｎＩ2 蒸気圧及び成長速度を表２に
示すように調節した以外は、実施例１と同様にしてＺｎ
Ｓｅ単結晶を成長させた。得られたＺｎＳｅ結晶の２Ｋ
でのＰＬスペクトルを測定した結果を図３に示した。図
３の（ｂ）はＺｎＩ2 蒸気圧を０．１Ｔｏｒｒ、（ｃ）
は１Ｔｏｒｒに調整して成長させたもので、いずれの結
晶も２．０ｅＶ付近にＳＡ発光が観察され、ＣＶＴ法と
比べて低圧でＩのドーピングに成功したことが分かる。
なお、同図（ａ）は蒸気圧を加えなかったものである。
2 の代わりにＺｎＩ2 を使用し、リザーバの後端の温度
及びリザーバ内のＺｎＩ2 蒸気圧及び成長速度を表２に
示すように調節した以外は、実施例１と同様にしてＺｎ
Ｓｅ単結晶を成長させた。得られたＺｎＳｅ結晶の２Ｋ
でのＰＬスペクトルを測定した結果を図３に示した。図
３の（ｂ）はＺｎＩ2 蒸気圧を０．１Ｔｏｒｒ、（ｃ）
は１Ｔｏｒｒに調整して成長させたもので、いずれの結
晶も２．０ｅＶ付近にＳＡ発光が観察され、ＣＶＴ法と
比べて低圧でＩのドーピングに成功したことが分かる。
なお、同図（ａ）は蒸気圧を加えなかったものである。
【００２１】
【表２】
【００２２】
【発明の効果】本発明は、上記の構成を採用することに
より、昇華法によりII−VI族化合物半導体結晶を成長す
るときに、ハロゲンのドーピングに成功した。
より、昇華法によりII−VI族化合物半導体結晶を成長す
るときに、ハロゲンのドーピングに成功した。
【図１】本発明で使用した結晶成長装置の１例の概念図
である。
である。
【図２】実施例１でＺｎＣｌ2 蒸気圧を変化させて成長
させたＺｎＳｅ結晶の光子エネルギーの強度を示したグ
ラフである。
させたＺｎＳｅ結晶の光子エネルギーの強度を示したグ
ラフである。
【図３】実施例２でＺｎＩ2 蒸気圧を変化させて成長さ
せたＺｎＳｅ結晶の光子エネルギーの強度を示したグラ
フである。
せたＺｎＳｅ結晶の光子エネルギーの強度を示したグラ
フである。
フロントページの続き (72)発明者 望月 勝美 宮城県仙台市太白区八木山弥生町22−12
Claims (2)
- 【請求項１】 気相法でII−VI族化合物半導体結晶を成
長する方法において、結晶成長を行う成長室と、成長結
晶を構成するII族元素のハロゲン化物を収容するリザー
バとを細管で連結し、成長室にII−VI族化合物原料多結
晶を配置し、リザーバの加熱温度を制御しながら、結晶
成長を行うことを特徴とするII−VI族化合物半導体結晶
の成長方法。 - 【請求項２】 前記II族元素のハロゲン化物をリザーバ
の最低温度部に配置し、該最低温度部を均熱帯に設けた
ことを特徴とする請求項１記載のII−VI族化合物半導体
結晶の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16585296A JP3215798B2 (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16585296A JP3215798B2 (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体結晶の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH107497A true JPH107497A (ja) | 1998-01-13 |
| JP3215798B2 JP3215798B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=15820227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16585296A Expired - Fee Related JP3215798B2 (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3215798B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006113657A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-26 | Ii-Vi Incorporated | Method of and system for forming sic crystals having spatially uniform doping impurities |
| JP2007320814A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | バルク結晶の成長方法 |
| WO2008117742A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Rohm Co., Ltd. | 酸化亜鉛系半導体の製造方法及び酸化亜鉛系半導体の製造装置 |
| CN110093667A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-08-06 | 浙江森尼克半导体有限公司 | 一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法 |
-
1996
- 1996-06-26 JP JP16585296A patent/JP3215798B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006113657A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-26 | Ii-Vi Incorporated | Method of and system for forming sic crystals having spatially uniform doping impurities |
| JP2008538542A (ja) * | 2005-04-19 | 2008-10-30 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | 空間的に均一のドーピング不純物を有するＳｉＣ結晶を形成するための方法とそのシステム |
| US7608524B2 (en) | 2005-04-19 | 2009-10-27 | Ii-Vi Incorporated | Method of and system for forming SiC crystals having spatially uniform doping impurities |
| US8216369B2 (en) | 2005-04-19 | 2012-07-10 | Ii-Vi Incorporated | System for forming SiC crystals having spatially uniform doping impurities |
| JP2007320814A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | バルク結晶の成長方法 |
| WO2008117742A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Rohm Co., Ltd. | 酸化亜鉛系半導体の製造方法及び酸化亜鉛系半導体の製造装置 |
| JP2008243987A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 酸化亜鉛系半導体の製造方法及び酸化亜鉛系半導体の製造装置 |
| CN110093667A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-08-06 | 浙江森尼克半导体有限公司 | 一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3215798B2 (ja) | 2001-10-09 |
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