JPH1074309A - ヘッドギャップの下に配置された半導体磁場検出器を有する磁気ヘッド - Google Patents
ヘッドギャップの下に配置された半導体磁場検出器を有する磁気ヘッドInfo
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- JPH1074309A JPH1074309A JP9137986A JP13798697A JPH1074309A JP H1074309 A JPH1074309 A JP H1074309A JP 9137986 A JP9137986 A JP 9137986A JP 13798697 A JP13798697 A JP 13798697A JP H1074309 A JPH1074309 A JP H1074309A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/37—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect
- G11B5/376—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect in semi-conductors
- G11B5/378—Integrated structures
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘッドギャップの下に検出器を配置すること
ができる、磁場に対して高感度な磁気ヘッドを提供す
る。 【解決手段】 ヘッドギャップ（２４）によって分離さ
れた２つのポールピース（２２1 、２２2 ）を有する磁
気回路と半導体磁場検出器とを備えた磁気ヘッドにおい
て、該検出器（４０）は、該ヘッドギャップ（２４）の
下に配置されており、該ポールピース（２２1 、２２
2 ）の下に位置づけられ且つ等しいが逆方向のバイアス
電流によって横切られる２つの伸長した対称部分を備え
ている磁気ヘッドである。
ができる、磁場に対して高感度な磁気ヘッドを提供す
る。 【解決手段】 ヘッドギャップ（２４）によって分離さ
れた２つのポールピース（２２1 、２２2 ）を有する磁
気回路と半導体磁場検出器とを備えた磁気ヘッドにおい
て、該検出器（４０）は、該ヘッドギャップ（２４）の
下に配置されており、該ポールピース（２２1 、２２
2 ）の下に位置づけられ且つ等しいが逆方向のバイアス
電流によって横切られる２つの伸長した対称部分を備え
ている磁気ヘッドである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヘッドギャップの
下に配置された半導体磁場検出器用の磁気ヘッドに関す
る。本発明は、ディスク、テープ等への情報の記録に用
いられる。
下に配置された半導体磁場検出器用の磁気ヘッドに関す
る。本発明は、ディスク、テープ等への情報の記録に用
いられる。
【０００２】
【従来の技術】図１に表されている態様において、磁場
検出器の磁気ヘッドは、通常、半導体基板１２と、下部
の磁気ピース１４と、２つの磁気ポスト１６1 及び１６
2 と、導体巻線１８と、２つの磁束コンセントレータ２
０1 及び２０2 と、ヘッドギャップ２４によって分離さ
れた２つのポールピース２２1 及び２２2 とを備えてい
る。読み出し磁場を測定することを可能にする該検出器
は、仏国特許FR-A-2,700,633に記載された下部の磁気ピ
ース１４を細分する１つのギャップ、即ち複数のポスト
で提供された間隔の中で配置される。しかしながら、参
照符号３０を備えているところを図で表しているよう
に、コンセントレータ２０1 及び２０2 の一方と、ポー
ルピース２２1 及び２２2 の一方との間にそれを配置す
るのが好ましい。ヘッドギャップ２４に近接して配置さ
れるように、該検出器は、多くの磁束を受け取り、それ
ゆえ多くの効果を生ずる。
検出器の磁気ヘッドは、通常、半導体基板１２と、下部
の磁気ピース１４と、２つの磁気ポスト１６1 及び１６
2 と、導体巻線１８と、２つの磁束コンセントレータ２
０1 及び２０2 と、ヘッドギャップ２４によって分離さ
れた２つのポールピース２２1 及び２２2 とを備えてい
る。読み出し磁場を測定することを可能にする該検出器
は、仏国特許FR-A-2,700,633に記載された下部の磁気ピ
ース１４を細分する１つのギャップ、即ち複数のポスト
で提供された間隔の中で配置される。しかしながら、参
照符号３０を備えているところを図で表しているよう
に、コンセントレータ２０1 及び２０2 の一方と、ポー
ルピース２２1 及び２２2 の一方との間にそれを配置す
るのが好ましい。ヘッドギャップ２４に近接して配置さ
れるように、該検出器は、多くの磁束を受け取り、それ
ゆえ多くの効果を生ずる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】考慮すべきは、磁気抵
抗に通常用いられる配列に従って、前記ギャップの下に
直接にヘッドギャップ検出器を配置することができるこ
とである。しかしながら、半導体検出器の場合、検出
が、該検出器の面に垂直な磁場の成分において生じてお
り、一方で、磁気抵抗は、磁気抵抗要素の面に配置され
た磁場に対して高感度となる。しかしながら、ヘッドギ
ャップの下において、磁場の水平成分は、ギャップの中
央面の両側で同じ方向を有してなく、従って平均して該
成分は零となる。結果としてギャップの下に配置された
半導体磁場検出器は作用しない。これは明らかに水平成
分についての場合でなく、従って、この配列は先天的に
磁気抵抗についてのみ適合する。
抗に通常用いられる配列に従って、前記ギャップの下に
直接にヘッドギャップ検出器を配置することができるこ
とである。しかしながら、半導体検出器の場合、検出
が、該検出器の面に垂直な磁場の成分において生じてお
り、一方で、磁気抵抗は、磁気抵抗要素の面に配置され
た磁場に対して高感度となる。しかしながら、ヘッドギ
ャップの下において、磁場の水平成分は、ギャップの中
央面の両側で同じ方向を有してなく、従って平均して該
成分は零となる。結果としてギャップの下に配置された
半導体磁場検出器は作用しない。これは明らかに水平成
分についての場合でなく、従って、この配列は先天的に
磁気抵抗についてのみ適合する。
【０００４】本発明は、この問題を解決する目的と、よ
り大きな効率から利益を得るためにヘッドギャップの下
に半導体検出器を配置する目的とがある。
り大きな効率から利益を得るためにヘッドギャップの下
に半導体検出器を配置する目的とがある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このため、最初に本発明
は、特別のタイプの半導体検出器を用いることを提案し
ている。例えば、ホール効果型の半導体検出器は、バイ
アス電流を流すために適切な半導体層によって構成され
る。電圧を受けて動作する検出器に対して、デバイスは
矩形体である。電流は、２つの逆側の矩形体の間に注入
され、電圧は２つの別の逆側の矩形体の間で抽出され
る。この電圧は、層の面に垂直な磁場の成分によってバ
イアス電流の発生に比例する。
は、特別のタイプの半導体検出器を用いることを提案し
ている。例えば、ホール効果型の半導体検出器は、バイ
アス電流を流すために適切な半導体層によって構成され
る。電圧を受けて動作する検出器に対して、デバイスは
矩形体である。電流は、２つの逆側の矩形体の間に注入
され、電圧は２つの別の逆側の矩形体の間で抽出され
る。この電圧は、層の面に垂直な磁場の成分によってバ
イアス電流の発生に比例する。
【０００６】このような検出器がヘッドギャップの下に
配置されたならば、前述で示したような理由から、読み
出し信号が零となる。これにより、本発明は、電圧では
なく電流を受けて動作し、２つの対称部分を有する伸長
した形状を持った、別のタイプの検出器を用いることを
推奨する。これら２つの部分が２つのポールピースの下
に配置されるならば、ギャップの中央面に対して対称と
なり、検出器が普通の方法で機能するならば、供給され
た電流のままである。しかしながら、２つの部分の一方
においてバイアス電流を反転することで、測定信号はも
はや零ではなく、磁場の水平成分の絶対値に比例する値
をとる。
配置されたならば、前述で示したような理由から、読み
出し信号が零となる。これにより、本発明は、電圧では
なく電流を受けて動作し、２つの対称部分を有する伸長
した形状を持った、別のタイプの検出器を用いることを
推奨する。これら２つの部分が２つのポールピースの下
に配置されるならば、ギャップの中央面に対して対称と
なり、検出器が普通の方法で機能するならば、供給され
た電流のままである。しかしながら、２つの部分の一方
においてバイアス電流を反転することで、測定信号はも
はや零ではなく、磁場の水平成分の絶対値に比例する値
をとる。
【０００７】従って、より特定すれば、本発明は、ヘッ
ドギャップによって分離された２つのポールピースを有
する磁気回路と半導体磁場検出器とを備えた磁気ヘッド
において、前記検出器は、前記ヘッドギャップの下に配
置されており、前記ポールピースの下に位置づけられ且
つ等しいが逆方向のバイアス電流によって横切られる２
つの伸長した対称部分を備えている。
ドギャップによって分離された２つのポールピースを有
する磁気回路と半導体磁場検出器とを備えた磁気ヘッド
において、前記検出器は、前記ヘッドギャップの下に配
置されており、前記ポールピースの下に位置づけられ且
つ等しいが逆方向のバイアス電流によって横切られる２
つの伸長した対称部分を備えている。
【０００８】原理として、検出器の２つの部分を２つの
分極源によって別々に供給できるけれども、同一源から
直列にそれらに供給する方が簡単に見える。それによ
り、互いにその部分の一方に接続することがだけが必要
となる。
分極源によって別々に供給できるけれども、同一源から
直列にそれらに供給する方が簡単に見える。それによ
り、互いにその部分の一方に接続することがだけが必要
となる。
【０００９】効果的な別の形態において、検出器は、ま
た、磁場をチャネルするための磁性膜を備えている。
た、磁場をチャネルするための磁性膜を備えている。
【００１０】どんな半導体検出器にでも適合できるが、
ホール効果検出器は最高の効果となって現れる。
ホール効果検出器は最高の効果となって現れる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図２は、ヘッドギャップの周辺に
配置された磁気ヘッドの部分を表している。例えば、デ
ィスクのような、記録媒体３５の前部で移動する実体と
てして、ヘッドギャップ２４によって分離された２つの
ポールピース２２1 及び２２2 が理解できる。ヘッドギ
ャップの下の磁力線は、矢印３６によって概略的に表さ
れている。これらの線は、ポールピース２２1 から出発
すると考える。従って磁場は、第１のポールピースの下
で基部方向へ、且つ第２のポールピースの下で先部方向
へ実質的に向けられている。逆に、磁場はギャップの対
称面に水平となる。
配置された磁気ヘッドの部分を表している。例えば、デ
ィスクのような、記録媒体３５の前部で移動する実体と
てして、ヘッドギャップ２４によって分離された２つの
ポールピース２２1 及び２２2 が理解できる。ヘッドギ
ャップの下の磁力線は、矢印３６によって概略的に表さ
れている。これらの線は、ポールピース２２1 から出発
すると考える。従って磁場は、第１のポールピースの下
で基部方向へ、且つ第２のポールピースの下で先部方向
へ実質的に向けられている。逆に、磁場はギャップの対
称面に水平となる。
【００１２】図３は、本発明によって用いられた、伸長
したホール効果検出器を表している。このような検出器
は、矩形状の形態でエッチングされた半導体層４２を備
えており、電流の入力部及び出力部の２重の対が接触す
る。即ち、入力部について４４ａ及び４４ｂを、出力部
について４４ｃ及び４４ｄを接触する。
したホール効果検出器を表している。このような検出器
は、矩形状の形態でエッチングされた半導体層４２を備
えており、電流の入力部及び出力部の２重の対が接触す
る。即ち、入力部について４４ａ及び４４ｂを、出力部
について４４ｃ及び４４ｄを接触する。
【００１３】磁場がないと、電流線は、接触部に対して
垂直となる（図３）。検出器の面に垂直な（即ち、図の
面に垂直な）磁場があると、電流線は図４に表すような
斜線となる。従って（磁場がオブザーバ方向に向けられ
るならば）電荷磁束は右から左へ向けられ、該磁束は図
５に説明されているようになる。検出器の中央におい
て、このホール電流の強度がＩｈで示される。この電流
は、Ｉｈ／２に等しい強度で２つの部分に細分されてお
り、検出器が配置され、２つの接続部４４ａ及び４４ｃ
に続く。従って、４４ａによって入った電流はＩｏ−Ｉ
ｈ／２を通過し、４４ｃによって出る電流はＩｏ＋Ｉｈ
／２を通過する。右端の入力部−出力部４４ｂ及び４４
ｃについて、状態が反転される。
垂直となる（図３）。検出器の面に垂直な（即ち、図の
面に垂直な）磁場があると、電流線は図４に表すような
斜線となる。従って（磁場がオブザーバ方向に向けられ
るならば）電荷磁束は右から左へ向けられ、該磁束は図
５に説明されているようになる。検出器の中央におい
て、このホール電流の強度がＩｈで示される。この電流
は、Ｉｈ／２に等しい強度で２つの部分に細分されてお
り、検出器が配置され、２つの接続部４４ａ及び４４ｃ
に続く。従って、４４ａによって入った電流はＩｏ−Ｉ
ｈ／２を通過し、４４ｃによって出る電流はＩｏ＋Ｉｈ
／２を通過する。右端の入力部−出力部４４ｂ及び４４
ｃについて、状態が反転される。
【００１４】図６によるデバイスを、電流Ｉｈを測定す
るために用いることができる。４つの入力又は出力接続
部のランダムな１つの上に配置された電流ループ４６
は、連続的なバイアス電流に対して高感度な電圧Ｖを伝
える。ループの端子における電圧Ｖは、結果として測定
信号を構成する。
るために用いることができる。４つの入力又は出力接続
部のランダムな１つの上に配置された電流ループ４６
は、連続的なバイアス電流に対して高感度な電圧Ｖを伝
える。ループの端子における電圧Ｖは、結果として測定
信号を構成する。
【００１５】このような検出器がヘッドギャップの下に
配置されたならば、図２と同様に、電流線が図７のよう
になる。磁場が対称面の両側で方向が変化するために、
該電流線は該対称面に対して対称に傾けられる（左手部
においては後部から前部へ且つ右手部においては前部か
ら後部へ向けられると考える）。図５に関して、電流は
もはや右から左へは流れず、図６の巻線４６によって検
出される電圧は零となる。
配置されたならば、図２と同様に、電流線が図７のよう
になる。磁場が対称面の両側で方向が変化するために、
該電流線は該対称面に対して対称に傾けられる（左手部
においては後部から前部へ且つ右手部においては前部か
ら後部へ向けられると考える）。図５に関して、電流は
もはや右から左へは流れず、図６の巻線４６によって検
出される電圧は零となる。
【００１６】本発明によれば、２つの検出器部分の一方
のバイアス電流が、例えば図８の右手部のように反転さ
れる。この部分において、電流線は、左手部の電流線の
ように左方向へ傾けられる。再び全体的に、ホール電流
の非零成分が得られる。右手部分の電流を反転するため
に、最も簡単な手順は２つの部分を直列に接続すること
にあり、接触部４４ｃを接触部４４ｄに接続することに
よって容易に得られる。
のバイアス電流が、例えば図８の右手部のように反転さ
れる。この部分において、電流線は、左手部の電流線の
ように左方向へ傾けられる。再び全体的に、ホール電流
の非零成分が得られる。右手部分の電流を反転するため
に、最も簡単な手順は２つの部分を直列に接続すること
にあり、接触部４４ｃを接触部４４ｄに接続することに
よって容易に得られる。
【００１７】ホール電流を、図６のようなコイル即ちイ
ンダクタによって検出できる。可能な配列は、図９に説
明されており、平行な２等分の検出器に供給する電流発
生器４６と、回路内のどこにでも配置される巻線４８と
が理解できる。バイアス電流が連続となり且つ測定すべ
き磁束が高周波であるように、遮断インダクタ４８は、
高周波数電流に比例する電圧Ｖをその端子に与えること
になる。
ンダクタによって検出できる。可能な配列は、図９に説
明されており、平行な２等分の検出器に供給する電流発
生器４６と、回路内のどこにでも配置される巻線４８と
が理解できる。バイアス電流が連続となり且つ測定すべ
き磁束が高周波であるように、遮断インダクタ４８は、
高周波数電流に比例する電圧Ｖをその端子に与えること
になる。
【００１８】本発明による検出器は、標準の４つの出力
部の代わりとなる２つ出力部だけを有していることも指
摘しており、その取り付け及び接続が著しく簡単にな
る。
部の代わりとなる２つ出力部だけを有していることも指
摘しており、その取り付け及び接続が著しく簡単にな
る。
【００１９】図１０は、例えば鉄−ニッケルのような３
０〜２００ナノメータの厚さを有する磁性膜５０が、検
出器４０の下に配置されているような別の形態を表して
いる。このフィルムは、磁場の水平成分をチャネルして
おり、検出器４０を介して流れる磁束を増加する。この
フィルムは、書き込み時に飽和するように十分な薄くす
る。
０〜２００ナノメータの厚さを有する磁性膜５０が、検
出器４０の下に配置されているような別の形態を表して
いる。このフィルムは、磁場の水平成分をチャネルして
おり、検出器４０を介して流れる磁束を増加する。この
フィルムは、書き込み時に飽和するように十分な薄くす
る。
【００２０】図１１は、ヘッドギャップの下に配置され
た半導体磁場検出器を有する本発明によって備えられた
完全な磁気ヘッドを表している。参照数字は図１と同じ
である。説明された別の形態において読み出し信号を増
加することについて、磁気回路は、コンセントレータ２
０1 及び２０2 と２２1 及び２２2 との間の分離のため
に高リラクタンスを有する。ヘッドギャップ２４の下の
検出器４０と、それらの周辺の磁性膜５０とが理解でき
る。
た半導体磁場検出器を有する本発明によって備えられた
完全な磁気ヘッドを表している。参照数字は図１と同じ
である。説明された別の形態において読み出し信号を増
加することについて、磁気回路は、コンセントレータ２
０1 及び２０2 と２２1 及び２２2 との間の分離のため
に高リラクタンスを有する。ヘッドギャップ２４の下の
検出器４０と、それらの周辺の磁性膜５０とが理解でき
る。
【００２１】前述された発明は、どのようなランダムな
半導体センサにも用いることができる。これらのデバイ
スは公知であり、構成手順の作用としてのそれらの記載
は以下の論文の中に提供されている。 ・H.P.BALTES及びR.S.POPOVIC による「Integrated Semi
conductor Magnetic-Field Sensor」、Proc. IEEE、74
(1986) 、1107〜1132頁 ・S.KORDICによる「Integrated Silicon Magnetic-Field
Sensors, Sensors and Actuators」、Proc. IEEE、10
(1986) 、347 〜378 頁 ・J.E.LENZによる「A Review of Magnetic Sensors」、Pr
oc. IEEE、78 (1990)、973 〜989 頁 ・S.TAKAMIYA及びK.FUJIKAWAによる「Differential Ampl
ification Magnetic Sensor」、IEEE Trans. Electr. De
v. ED-19 (1972) 、1085〜1090頁 ・R.S.POPOVIC による「The Vertical ホール-Effect De
vice」 、IEEE、Electr. Dev. Lett. EDL-5 (1984) 、35
7 〜358 頁
半導体センサにも用いることができる。これらのデバイ
スは公知であり、構成手順の作用としてのそれらの記載
は以下の論文の中に提供されている。 ・H.P.BALTES及びR.S.POPOVIC による「Integrated Semi
conductor Magnetic-Field Sensor」、Proc. IEEE、74
(1986) 、1107〜1132頁 ・S.KORDICによる「Integrated Silicon Magnetic-Field
Sensors, Sensors and Actuators」、Proc. IEEE、10
(1986) 、347 〜378 頁 ・J.E.LENZによる「A Review of Magnetic Sensors」、Pr
oc. IEEE、78 (1990)、973 〜989 頁 ・S.TAKAMIYA及びK.FUJIKAWAによる「Differential Ampl
ification Magnetic Sensor」、IEEE Trans. Electr. De
v. ED-19 (1972) 、1085〜1090頁 ・R.S.POPOVIC による「The Vertical ホール-Effect De
vice」 、IEEE、Electr. Dev. Lett. EDL-5 (1984) 、35
7 〜358 頁
【図１】半導体検出器の磁気ヘッドの部分図である。
【図２】ヘッドギャップの周辺の磁力線の分布図であ
る。
る。
【図３】磁場のない半導体磁場検出器の動作説明図であ
る。
る。
【図４】磁場のある電流線の傾きを表す動作説明図であ
る。
る。
【図５】横側ホール電流の方向を表す説明図である。
【図６】どのようにホール電流が測定されるかどうかを
表す説明図である。
表す説明図である。
【図７】ヘッドギャップより下に配置される通常の検出
器の電流線の分布図である。
器の電流線の分布図である。
【図８】本発明の場合の検出器の動作説明図である。
【図９】供給及び読み出し回路の説明図である。
【図１０】磁性膜に備えられた検出器の磁力線の分布図
である。
である。
【図１１】本発明による磁気ヘッドの部分図である。
１２ 半導体基板 １４ 下部の磁気ピース １６1 、１６2 磁気ポスト １８ 導体巻線 ２０1 、２０2 磁束コンセントレータ ２２1 、２２2 ポールピース ２４ ヘッドギャップ ３５ 記録媒体 ３６ 磁力線 ４０ 磁気検出器 ４２ 半導体層 ４６ 電流供給回路 ４８ インダクタ ５０ 磁性膜
Claims (5)
- 【請求項１】 ヘッドギャップ（２４）によって分離さ
れた２つのポールピース（２２1 、２２2 ）と半導体磁
場検出器とを有する磁気回路を備えた磁気ヘッドにおい
て、 前記検出器（４０）は、前記ヘッドギャップ（２４）の
下に配置されており、前記ポールピース（２２1 、２２
2 ）の下に位置づけられ且つ等しいが逆方向のバイアス
電流によって横切られる２つの伸長した対称部分を備え
ていることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記検出器の２つの部分が電流供給回路
（４６）に直列に電気的に接続されていることを特徴と
する請求項１に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記検出器（４０）の下に配置された１
つの磁性膜（５０）を更に備えていることを特徴とする
請求項１に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記供給回路が１つのインダクタ（４
８）を備えていることを特徴とする請求項２に記載の磁
気ヘッド。 - 【請求項５】 前記検出器（４０）がホール効果検出器
であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9606083 | 1996-05-15 | ||
| FR9606083A FR2748843B1 (fr) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | Tete magnetique a detecteur de champ a semiconducteur place sous l'entrefer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074309A true JPH1074309A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=9492175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9137986A Withdrawn JPH1074309A (ja) | 1996-05-15 | 1997-05-14 | ヘッドギャップの下に配置された半導体磁場検出器を有する磁気ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0807925A1 (ja) |
| JP (1) | JPH1074309A (ja) |
| FR (1) | FR2748843B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6700761B2 (en) * | 2000-06-12 | 2004-03-02 | Fujitsu Limited | Magnetic sensor |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU447091B1 (en) * | 1970-03-19 | 1972-06-08 | Amalgamated Wireless (Australasia) Limited | Magnetic field sensor |
| JPS55125688A (en) * | 1979-03-23 | 1980-09-27 | Toshiba Corp | Hall effect device |
| JPS57107087A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Toshiba Corp | Hall effect device |
| FR2648941B1 (fr) * | 1989-06-27 | 1991-09-06 | Thomson Csf | Tete de lecture magnetique a effet hall |
| JPH0393018A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-18 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記憶装置 |
| FR2658647B1 (fr) * | 1990-02-21 | 1992-04-30 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique horizontale a effet hall et son procede de realisation. |
| JPH0644534A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-18 | Tosoh Corp | 磁気ヘッド |
| FR2700633B1 (fr) * | 1993-01-20 | 1995-03-17 | Silmag Sa | Procédé de réalisation d'une tête magnétique à détecteur de champ à semiconducteur et tête obtenue par ce procédé. |
| JPH0817017A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-19 | Japan Energy Corp | 薄膜積層型磁気ヘッド |
-
1996
- 1996-05-15 FR FR9606083A patent/FR2748843B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-21 EP EP97400867A patent/EP0807925A1/fr not_active Withdrawn
- 1997-05-14 JP JP9137986A patent/JPH1074309A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6700761B2 (en) * | 2000-06-12 | 2004-03-02 | Fujitsu Limited | Magnetic sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2748843B1 (fr) | 1998-07-17 |
| FR2748843A1 (fr) | 1997-11-21 |
| EP0807925A1 (fr) | 1997-11-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040803 |