JPH0644534A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0644534A JPH0644534A JP21966392A JP21966392A JPH0644534A JP H0644534 A JPH0644534 A JP H0644534A JP 21966392 A JP21966392 A JP 21966392A JP 21966392 A JP21966392 A JP 21966392A JP H0644534 A JPH0644534 A JP H0644534A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic head
- magnetic
- head
- reproduction output
- recording
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ホ−ル効果を利用して再生出力を得るこ
とを特徴とした磁気記録再生ヘッド 【効果】 高密度の記録が可能であり、小型化して
も生産性に優れている。
とを特徴とした磁気記録再生ヘッド 【効果】 高密度の記録が可能であり、小型化して
も生産性に優れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＶＴＲやビデオ、フロ
ッピーディスクあるいは、ハードディスク等の再生用磁
気ヘッドに係わり、特に生産性の良い高記録密度に適し
た磁気ヘッドに関する。
ッピーディスクあるいは、ハードディスク等の再生用磁
気ヘッドに係わり、特に生産性の良い高記録密度に適し
た磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に磁気ヘッドは、図１に示すよう
に、軟磁性体にコイルを巻き、コイルに電流を流し、電
磁誘導の法則を利用し、磁化を誘起させ磁気記録媒体に
記録を行なう。再生に関しては、これと全く逆のことに
より、コイルに再生電圧が誘起され、再生信号として取
り出す。
に、軟磁性体にコイルを巻き、コイルに電流を流し、電
磁誘導の法則を利用し、磁化を誘起させ磁気記録媒体に
記録を行なう。再生に関しては、これと全く逆のことに
より、コイルに再生電圧が誘起され、再生信号として取
り出す。
【０００３】記録密度の向上に伴い、磁気ヘッドが小型
化し、図１のようなコイルを巻いて電磁誘導を利用する
形のものは加工が難しく、高密度記録用磁気ヘッドとし
て生産性を向上させるのが困難である。
化し、図１のようなコイルを巻いて電磁誘導を利用する
形のものは加工が難しく、高密度記録用磁気ヘッドとし
て生産性を向上させるのが困難である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
の問題点に鑑み、高密度記録用で生産性向上のために、
コイルを用いない構造の磁気ヘッドを提供することにあ
る。
の問題点に鑑み、高密度記録用で生産性向上のために、
コイルを用いない構造の磁気ヘッドを提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気ヘッド本
体に伝導性物質を用いホ−ル効果を利用して再生出力を
得ることにより、高密度記録のシステムに対して生産性
に優れた磁気再生ヘッドを作り出すことを見出だし本発
明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気ヘッド本
体に伝導性物質を用いホ−ル効果を利用して再生出力を
得ることにより、高密度記録のシステムに対して生産性
に優れた磁気再生ヘッドを作り出すことを見出だし本発
明を完成するに至った。
【０００６】図２、図３に本発明の磁気ヘッドを示す。
但し、本発明の磁気ヘッドはこの形に限るものではな
い。１は磁気ヘッド本体を示し、３はホ−ル効果を示す
物質を示す。３、４、５および６はそれぞれ再生出力、
印加電流のための電極である。
但し、本発明の磁気ヘッドはこの形に限るものではな
い。１は磁気ヘッド本体を示し、３はホ−ル効果を示す
物質を示す。３、４、５および６はそれぞれ再生出力、
印加電流のための電極である。
【０００７】ホ−ル効果とは、磁場中に電流が存在する
時に磁場と電流の両方に直交する方向に電圧が誘起され
る現象である。図４の３の部分がホ−ル効果を示す物質
からなる部分であるが、この部分に図中のように磁束密
度Ｂが存在するときに５と６の間に電流を流すと３と４
の間に電圧が誘起される。この誘起された電圧を電気信
号処理系へ導き再生出力として利用する。
時に磁場と電流の両方に直交する方向に電圧が誘起され
る現象である。図４の３の部分がホ−ル効果を示す物質
からなる部分であるが、この部分に図中のように磁束密
度Ｂが存在するときに５と６の間に電流を流すと３と４
の間に電圧が誘起される。この誘起された電圧を電気信
号処理系へ導き再生出力として利用する。
【０００８】ここで、ホ−ル効果を示す物質を貫く磁束
密度をＢ、印加電流をｉとすると誘起される電圧Ｖは以
下の式で与えられる。
密度をＢ、印加電流をｉとすると誘起される電圧Ｖは以
下の式で与えられる。
【０００９】Ｖ＝αｉＢ −−−−（１） ここでαはホ−ル係数と呼ばれる量で物質によって値が
決まってくる。
決まってくる。
【００１０】誘起される電圧は式（１）のように磁束密
度に比例するので、図５（Ａ）のように磁気ヘッドが磁
性層表面を走行する時に図５（Ｂ）のような電圧が誘起
される。この電圧を電気信号処理系へ導き再生出力とし
て利用することにより再生用磁気ヘッドとして作用させ
る。
度に比例するので、図５（Ａ）のように磁気ヘッドが磁
性層表面を走行する時に図５（Ｂ）のような電圧が誘起
される。この電圧を電気信号処理系へ導き再生出力とし
て利用することにより再生用磁気ヘッドとして作用させ
る。
【００１１】ホ−ル素子部分は図２の斜線部分のように
ヘッドのスライダ部分に取り付けるのが効果的であるが
ここに限るものではない。
ヘッドのスライダ部分に取り付けるのが効果的であるが
ここに限るものではない。
【００１２】また、ホ−ル素子の大きさ、形を変えるこ
とにより狭トラック記録のような高記録密度にも対応可
能である。
とにより狭トラック記録のような高記録密度にも対応可
能である。
【００１３】
【作用】以上のように磁気ヘッドにホ−ル効果を示す物
質を用いることにより、ヘッドにコイルを巻く必要がな
くなり加工が単純化され、高密度記録用再生ヘッドとし
て生産性が向上する。
質を用いることにより、ヘッドにコイルを巻く必要がな
くなり加工が単純化され、高密度記録用再生ヘッドとし
て生産性が向上する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例と比較例につ
いて説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定さ
れるものではない。
いて説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定さ
れるものではない。
【００１５】実施例 図３に示すホ−ル素子３としてビスマスを０．５ｍｍ×
０．５ｍｍの大きさで２００μｍの厚さに真空蒸着の方
法で形成した。また、電極３、４、５及び６としてアル
ミニウムから同じく真空蒸着の方法で形成した。
０．５ｍｍの大きさで２００μｍの厚さに真空蒸着の方
法で形成した。また、電極３、４、５及び６としてアル
ミニウムから同じく真空蒸着の方法で形成した。
【００１６】この素子を図２に示すようなヘッド本体に
取り付けた。このヘッドの大きさはａ＝４．１ｍｍ、ｂ
＝３．２ｍｍ、ｃ＝１．３ｍｍ、ｄ＝０．８ｍｍであっ
た。
取り付けた。このヘッドの大きさはａ＝４．１ｍｍ、ｂ
＝３．２ｍｍ、ｃ＝１．３ｍｍ、ｄ＝０．８ｍｍであっ
た。
【００１７】以上のようにして完成させたヘッドを使用
して、電磁変換特性（再生出力の記録密度依存性）を測
定した。測定に使用した磁気媒体は金属薄膜型で、保磁
力：１２００Ｏｅ、残留磁化×膜厚：６００Ｇμｍ、角
形比：０．９２の磁気特性を有していた。また、測定条
件としては、測定半径：３０ｍｍ、回転数：２４００Ｒ
ＰＭ、ヘッド荷重：１５ｇｗ、浮上量０．２５μｍとし
た。
して、電磁変換特性（再生出力の記録密度依存性）を測
定した。測定に使用した磁気媒体は金属薄膜型で、保磁
力：１２００Ｏｅ、残留磁化×膜厚：６００Ｇμｍ、角
形比：０．９２の磁気特性を有していた。また、測定条
件としては、測定半径：３０ｍｍ、回転数：２４００Ｒ
ＰＭ、ヘッド荷重：１５ｇｗ、浮上量０．２５μｍとし
た。
【００１８】以上の条件で測定した再生出力の記録密度
依存性を図６に示す。図６の縦軸は再生出力を表し、孤
立波再生出力（５００ｋＨｚで測定）で規格化したもの
である。この場合のＤ５０（−６ｄｂポイント）は８０
ｋＦＣＩであった。
依存性を図６に示す。図６の縦軸は再生出力を表し、孤
立波再生出力（５００ｋＨｚで測定）で規格化したもの
である。この場合のＤ５０（−６ｄｂポイント）は８０
ｋＦＣＩであった。
【００１９】比較例 実施例と同じ磁気媒体を同じ条件で測定した。ただし、
本比較例の場合、磁気ヘッドとして、ギャップ長：０．
４５μｍ、トラック幅：２０．０μｍ、巻き数：24ター
ンの諸元を有するＭｎ−Ｚｎモノリシックヘッドを使用
した。このときの再生出力の記録密度依存性を図７に示
す（縦軸は孤立波再生出力で規格化）。このときのＤ５
０は５５ｋＦＣＩであった。
本比較例の場合、磁気ヘッドとして、ギャップ長：０．
４５μｍ、トラック幅：２０．０μｍ、巻き数：24ター
ンの諸元を有するＭｎ−Ｚｎモノリシックヘッドを使用
した。このときの再生出力の記録密度依存性を図７に示
す（縦軸は孤立波再生出力で規格化）。このときのＤ５
０は５５ｋＦＣＩであった。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、より高密度の記録が可
能な磁気記録システムを完成することができ、また、ヘ
ッドが巻線構造をとらないために高密度記録用に小型化
しても生産性に優れたものとなる。
能な磁気記録システムを完成することができ、また、ヘ
ッドが巻線構造をとらないために高密度記録用に小型化
しても生産性に優れたものとなる。
【図１】 従来の磁気ヘッドを模式的に示した図であ
る。
る。
【図２】 本発明の磁気ヘッドを模式的に示した図であ
る。
る。
【図３】 本発明の磁気ヘッドのホ−ル素子部を模式的
に示した図である。
に示した図である。
【図４】 ホ−ル素子を模式的に示した図である。
【図５】 磁気媒体に記録された磁化パタ−ンと本発明
の磁気ヘッドに誘起される電圧の関係を示した図であ
る。
の磁気ヘッドに誘起される電圧の関係を示した図であ
る。
【図６】 実施例における再生出力と記録密度との関係
を示す図である。
を示す図である。
【図７】 比較例における再生出力と記録密度との関係
を示す図である。
を示す図である。
１ ： 磁気ヘッド本体 ２ ： ホール素子 ３ ： 電極 ４ ： 電極 ５ ： 電極 ６ ： 電極
Claims (1)
- 【請求項１】 ホ−ル効果を利用して再生出力を得るこ
とを特徴とした磁気記録再生ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21966392A JPH0644534A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21966392A JPH0644534A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0644534A true JPH0644534A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16739032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21966392A Pending JPH0644534A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644534A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807925A1 (fr) * | 1996-05-15 | 1997-11-19 | Silmag | Tête magnétique à détecteur de champ à semiconducteur placé sous l'entrefer |
-
1992
- 1992-07-28 JP JP21966392A patent/JPH0644534A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807925A1 (fr) * | 1996-05-15 | 1997-11-19 | Silmag | Tête magnétique à détecteur de champ à semiconducteur placé sous l'entrefer |
| FR2748843A1 (fr) * | 1996-05-15 | 1997-11-21 | Silmag Sa | Tete magnetique a detecteur de champ a semiconducteur place sous l'entrefer |
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