JPH1067066A - 積層体 - Google Patents
積層体Info
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- JPH1067066A JPH1067066A JP8226576A JP22657696A JPH1067066A JP H1067066 A JPH1067066 A JP H1067066A JP 8226576 A JP8226576 A JP 8226576A JP 22657696 A JP22657696 A JP 22657696A JP H1067066 A JPH1067066 A JP H1067066A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】良好な反射防止性と電磁波遮蔽性との機能を合
わせ持つことを特徴とする積層体を提供する。 【解決手段】基材上に第一セラミック薄膜層／金属薄膜
層／第二セラミック薄膜層の順に積層されている積層体
において、第一セラミック薄膜層と第二セラミック薄膜
層が異なる材料から成ることを特徴とする積層体とす
る。
わせ持つことを特徴とする積層体を提供する。 【解決手段】基材上に第一セラミック薄膜層／金属薄膜
層／第二セラミック薄膜層の順に積層されている積層体
において、第一セラミック薄膜層と第二セラミック薄膜
層が異なる材料から成ることを特徴とする積層体とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主としてディスプ
レーに利用される、反射防止膜の技術分野に属する。
レーに利用される、反射防止膜の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】反射防止膜とは、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）やＣＲＴ（Ｃａｔ
ｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）等のディスプレーにおい
て、最外層もしくはそれに準じる位置に形成され、蛍光
灯や太陽光等の外光の反射によってディスプレーが見に
くくなることを防止するために利用されている。即ち、
ディスプレー表面において、可視光の反射率を低減させ
る機能を有する膜のことを言う。現在まで、屈折率の異
なる材料から成る膜を積層することにより可視領域の光
線反射率を低減させることが検討されてきている。一般
的には、材料には低屈折材料のＳｉＯ2 と高屈折材料の
ＴｉＯ2 等の酸化物を用い、屈折率と膜厚等を厳重に考
慮して無機多層反射防止膜を形成する。
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）やＣＲＴ（Ｃａｔ
ｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）等のディスプレーにおい
て、最外層もしくはそれに準じる位置に形成され、蛍光
灯や太陽光等の外光の反射によってディスプレーが見に
くくなることを防止するために利用されている。即ち、
ディスプレー表面において、可視光の反射率を低減させ
る機能を有する膜のことを言う。現在まで、屈折率の異
なる材料から成る膜を積層することにより可視領域の光
線反射率を低減させることが検討されてきている。一般
的には、材料には低屈折材料のＳｉＯ2 と高屈折材料の
ＴｉＯ2 等の酸化物を用い、屈折率と膜厚等を厳重に考
慮して無機多層反射防止膜を形成する。
【０００３】一方、ディスプレーを有する多くの装置に
おいては、外部から飛来する電磁波を遮蔽するため、も
しくは該装置内部から発生する電磁波が外部に漏れるこ
とを防ぐための電磁波遮蔽膜が設けられていることが望
ましい。現状では、可視光において光線透過性を示し、
導電性も有するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）が使用されることがある。また、Ａｇ薄膜の表裏
にＩＴＯ薄膜を積層（基材／第一ＩＴＯ層／Ａｇ層／第
二ＩＴＯ層）して、構成される多層電磁波遮蔽膜が提案
されており（特開昭６３−１７３３９５号）、優れた導
電性および電磁波遮蔽性能を有している。
おいては、外部から飛来する電磁波を遮蔽するため、も
しくは該装置内部から発生する電磁波が外部に漏れるこ
とを防ぐための電磁波遮蔽膜が設けられていることが望
ましい。現状では、可視光において光線透過性を示し、
導電性も有するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）が使用されることがある。また、Ａｇ薄膜の表裏
にＩＴＯ薄膜を積層（基材／第一ＩＴＯ層／Ａｇ層／第
二ＩＴＯ層）して、構成される多層電磁波遮蔽膜が提案
されており（特開昭６３−１７３３９５号）、優れた導
電性および電磁波遮蔽性能を有している。
【０００４】しかしながら、上記無機多層反射防止膜は
導電性を有さないため、電磁波遮蔽性はなく、別途に電
磁波遮蔽膜を形成せねばならないという問題点がある。
導電性を有さないため、電磁波遮蔽性はなく、別途に電
磁波遮蔽膜を形成せねばならないという問題点がある。
【０００５】一方、上記電磁波遮蔽膜においては、導電
性は挟持されているＡｇ層がその性能を支配しているの
で、使用目的によっては、コスト的な面、または、耐性
面から見ても、ＩＴＯ層で狭持する必要性がない場合が
ある。
性は挟持されているＡｇ層がその性能を支配しているの
で、使用目的によっては、コスト的な面、または、耐性
面から見ても、ＩＴＯ層で狭持する必要性がない場合が
ある。
【０００６】例えば、電磁波遮蔽性を有効に発揮する目
的のために、電磁波遮蔽膜すなわちＡｇ層が接地に維持
されることが望ましい場合がある。しかし、Ａｇ層を直
接接地することは困難な場合もあり、そのような場合に
は、第二ＩＴＯ層が導電性を有することは接地を取る上
で有利な場合が多いが、第一ＩＴＯ層は導電性を有する
必要性がない場合が多い。すなわち、第一ＩＴＯ層は、
まず第一に耐性などの特性、そして第２にコスト面を考
慮し有利な物質を使うことが必要となる。逆に、最外層
に形成する第二ＩＴＯ層に、耐性が要求される場合があ
る。その場合には、第一ＩＴＯ層が導電性を有すること
が必要となることがある。
的のために、電磁波遮蔽膜すなわちＡｇ層が接地に維持
されることが望ましい場合がある。しかし、Ａｇ層を直
接接地することは困難な場合もあり、そのような場合に
は、第二ＩＴＯ層が導電性を有することは接地を取る上
で有利な場合が多いが、第一ＩＴＯ層は導電性を有する
必要性がない場合が多い。すなわち、第一ＩＴＯ層は、
まず第一に耐性などの特性、そして第２にコスト面を考
慮し有利な物質を使うことが必要となる。逆に、最外層
に形成する第二ＩＴＯ層に、耐性が要求される場合があ
る。その場合には、第一ＩＴＯ層が導電性を有すること
が必要となることがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
問題点に着目してなされたもので、ひとつの構成で、良
好な反射防止性と電磁波遮蔽性との機能を合わせ持つこ
とを特徴とする積層体を提供することを課題とする。
問題点に着目してなされたもので、ひとつの構成で、良
好な反射防止性と電磁波遮蔽性との機能を合わせ持つこ
とを特徴とする積層体を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基材上に第一セラミック薄膜層／金属薄膜層／第二セラ
ミック薄膜層の順に積層されている積層体において、第
一セラミック薄膜層と第二セラミック薄膜層が異なる材
料から成ることを特徴とする積層体である。
基材上に第一セラミック薄膜層／金属薄膜層／第二セラ
ミック薄膜層の順に積層されている積層体において、第
一セラミック薄膜層と第二セラミック薄膜層が異なる材
料から成ることを特徴とする積層体である。
【０００９】請求項２記載の発明は、第二セラミック薄
膜層が導電性を有する材料から成ることを特徴とする請
求項１記載の積層体である。
膜層が導電性を有する材料から成ることを特徴とする請
求項１記載の積層体である。
【００１０】請求項３記載の発明は、第一セラミック薄
膜層が電気絶縁性を有する材料から成り、かつ第二セラ
ミック薄膜層が導電性を有する材料から成ることを特徴
とする請求項１記載の積層体である。
膜層が電気絶縁性を有する材料から成り、かつ第二セラ
ミック薄膜層が導電性を有する材料から成ることを特徴
とする請求項１記載の積層体である。
【００１１】請求項４記載の発明は、第一セラミック薄
膜層が電気絶縁性を有する材料から成り、第二セラミッ
ク薄膜層が導電性を有する材料から成り、かつ金属薄膜
層がＡｇ，Ａｕ，Ｃｕのいずれか、または、それらの２
種もしくは３種の合金から成ることを特徴とする請求項
１記載の積層体である。
膜層が電気絶縁性を有する材料から成り、第二セラミッ
ク薄膜層が導電性を有する材料から成り、かつ金属薄膜
層がＡｇ，Ａｕ，Ｃｕのいずれか、または、それらの２
種もしくは３種の合金から成ることを特徴とする請求項
１記載の積層体である。
【００１２】請求項５記載の発明は、第一セラミック薄
膜層が導電性を有する材料から成ることを特徴とする請
求項１記載の積層体である。
膜層が導電性を有する材料から成ることを特徴とする請
求項１記載の積層体である。
【００１３】請求項６記載の発明は、第二セラミック薄
膜層が電気絶縁性を有する材料から成り、かつ第一セラ
ミック薄膜層が導電性を有する材料から成ることを特徴
とする請求項１記載の積層体である。
膜層が電気絶縁性を有する材料から成り、かつ第一セラ
ミック薄膜層が導電性を有する材料から成ることを特徴
とする請求項１記載の積層体である。
【００１４】請求項７記載の発明は、第二セラミック薄
膜層が電気絶縁性を有する材料から成り、第一セラミッ
ク薄膜層が導電性を有する材料から成り、かつ金属薄膜
層がＡｇ，Ａｕ，Ｃｕのいずれか、または、それらの２
種もしくは３種の合金から成ることを特徴とする請求項
１記載の積層体である。
膜層が電気絶縁性を有する材料から成り、第一セラミッ
ク薄膜層が導電性を有する材料から成り、かつ金属薄膜
層がＡｇ，Ａｕ，Ｃｕのいずれか、または、それらの２
種もしくは３種の合金から成ることを特徴とする請求項
１記載の積層体である。
【００１５】請求項８記載の発明は、基材がプラスチッ
クフィルムであることを特徴とする請求項１から７記載
の積層体である。
クフィルムであることを特徴とする請求項１から７記載
の積層体である。
【００１６】
【００１７】以下、本発明を詳述する。本発明として
は、各層の膜厚には詳しく言及していないが、本願発明
において発明の主題となっていないだけであって、積層
体が反射防止効果を得るため、もしくは良好な反射防止
効果を得るためには、各層の膜厚の調整が必要なことは
言うまでもなく、本願発明の様に材料を変更すれば、良
好な反射防止効果の為に更なる膜厚の調整が必要なこと
も言うまでもない。
は、各層の膜厚には詳しく言及していないが、本願発明
において発明の主題となっていないだけであって、積層
体が反射防止効果を得るため、もしくは良好な反射防止
効果を得るためには、各層の膜厚の調整が必要なことは
言うまでもなく、本願発明の様に材料を変更すれば、良
好な反射防止効果の為に更なる膜厚の調整が必要なこと
も言うまでもない。
【００１８】本発明にかかわる導電性を有する材料と
は、実質的に導電性を有する材料をいい、用いられる代
表的な材料としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 、もし
くはそれらの混合物が挙げられるが、実質的に導電性を
有し、かつ高屈折率材料であればいかなる材料を用いて
も良い。例えば、前記のＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎの酸化物の
他、Ｇａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、ＣｅなどのＩＩＩ族、Ｉ
Ｖ族、ランタノイドの酸化物もしくはそれらの混合酸化
物を高屈折率でありかつ実質的に導電性を有するように
混合したものがある。
は、実質的に導電性を有する材料をいい、用いられる代
表的な材料としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 、もし
くはそれらの混合物が挙げられるが、実質的に導電性を
有し、かつ高屈折率材料であればいかなる材料を用いて
も良い。例えば、前記のＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎの酸化物の
他、Ｇａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、ＣｅなどのＩＩＩ族、Ｉ
Ｖ族、ランタノイドの酸化物もしくはそれらの混合酸化
物を高屈折率でありかつ実質的に導電性を有するように
混合したものがある。
【００１９】本発明にかかわる電気絶縁性を有する材料
とは、実質的に電気絶縁性を有する材料をいい、高屈折
率で、かつ基材や金属層膜との密着性、耐性等を考慮し
て形成した材料であればいかなるものでも良いが、例と
しては、Ｇａ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｚｎ、
Ｓｎ、Ｍｇ等のＩＩＩ族、ＩＶ族、ランタノイドの酸化
物もしくはそれらの混合酸化物を挙げることができる。
とは、実質的に電気絶縁性を有する材料をいい、高屈折
率で、かつ基材や金属層膜との密着性、耐性等を考慮し
て形成した材料であればいかなるものでも良いが、例と
しては、Ｇａ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｚｎ、
Ｓｎ、Ｍｇ等のＩＩＩ族、ＩＶ族、ランタノイドの酸化
物もしくはそれらの混合酸化物を挙げることができる。
【００２０】なお、実質的とは、物性的にその材料が導
電性があるとか、電気絶縁性があるとかいうのではな
く、薄膜の状態での導電性と電気絶縁性を問題とすると
いう意味である。
電性があるとか、電気絶縁性があるとかいうのではな
く、薄膜の状態での導電性と電気絶縁性を問題とすると
いう意味である。
【００２１】本発明にかかわる金属薄膜層は、導電性に
優れていれば、いかなる材料でも良いが、例としては、
Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕもしくはそれらの合金を挙げることが
できる。
優れていれば、いかなる材料でも良いが、例としては、
Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕもしくはそれらの合金を挙げることが
できる。
【００２２】本発明にかかわる基材は、いかなる材質で
あっても、またいかなる形状であっても良いが、ディス
プレーへの応用を考慮すると、より好ましい材料として
は、ガラスやプラスチックフィルムを挙げることができ
る。
あっても、またいかなる形状であっても良いが、ディス
プレーへの応用を考慮すると、より好ましい材料として
は、ガラスやプラスチックフィルムを挙げることができ
る。
【００２３】本発明にかかわる成膜方法は、目的の薄膜
を形成できる方法であればいかなる方法でも良いが、ス
パッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＣＶＤな
どの真空成膜方法が適している。
を形成できる方法であればいかなる方法でも良いが、ス
パッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＣＶＤな
どの真空成膜方法が適している。
【００２４】本発明で用いている、基材上に第一セラミ
ック薄膜層／金属薄膜層／第二セラミック薄膜層の順に
積層されている積層体とは、第一セラミック薄膜層／金
属薄膜層／第二セラミック薄膜層が結果として連続して
基材上に形成されていれば良く、基材上の両面もしくは
片面、および、第二セラミック薄膜層の金属薄膜層とは
反対側に、何らかの処理もしくは成膜を施すことは、目
的の特性に実質的に悪影響を及ぼさないかぎり、なんら
問題ない。
ック薄膜層／金属薄膜層／第二セラミック薄膜層の順に
積層されている積層体とは、第一セラミック薄膜層／金
属薄膜層／第二セラミック薄膜層が結果として連続して
基材上に形成されていれば良く、基材上の両面もしくは
片面、および、第二セラミック薄膜層の金属薄膜層とは
反対側に、何らかの処理もしくは成膜を施すことは、目
的の特性に実質的に悪影響を及ぼさないかぎり、なんら
問題ない。
【００２５】実施の形態について、構成の一例を記述す
る。図１に、本発明の積層体構成例を示す。第一セラミ
ック薄膜層、金属薄膜層、第二セラミック薄膜層は、そ
れぞれ、膜厚、屈折率等、光学膜の設計に必要な条件を
考慮して構成される。
る。図１に、本発明の積層体構成例を示す。第一セラミ
ック薄膜層、金属薄膜層、第二セラミック薄膜層は、そ
れぞれ、膜厚、屈折率等、光学膜の設計に必要な条件を
考慮して構成される。
【００２６】また、セラミツクとは無機化合物であっ
て、酸化物、硫化物、フッ化物等のものをいう。更に、
プラスチックとは、有機物で高分子であるものをいう。
更に、第一セラミック薄膜層と金属薄膜層、金属薄膜層
と第二セラミック薄膜層は接している必要があるが、基
材に直接接する必要はなく、ハードコート層、バリア
膜、接着層等の層を介した構成でもよい。また、第一セ
ラミック薄膜層、金属薄膜層、第二セラミック薄膜層は
前処理、後処理、表面処理等を全く行わなくともよい
が、第二セラミック薄膜層に対しては、撥水、防汚処理
を行ったものでも良い。
て、酸化物、硫化物、フッ化物等のものをいう。更に、
プラスチックとは、有機物で高分子であるものをいう。
更に、第一セラミック薄膜層と金属薄膜層、金属薄膜層
と第二セラミック薄膜層は接している必要があるが、基
材に直接接する必要はなく、ハードコート層、バリア
膜、接着層等の層を介した構成でもよい。また、第一セ
ラミック薄膜層、金属薄膜層、第二セラミック薄膜層は
前処理、後処理、表面処理等を全く行わなくともよい
が、第二セラミック薄膜層に対しては、撥水、防汚処理
を行ったものでも良い。
【００２７】基材に厚さ１００μｍのハードコート付き
ＰＥＴフィルム、第一セラミック薄膜層にＧａ・Ｃｅ混
合酸化物、金属薄膜層にＡｇ・Ａｕの混合物、第二セラ
ミック薄膜層にＩＴＯを用いた。セラミック膜の酸化物
のの混合比は、Ｇａ2 Ｏ3 ：ＣｅＯ2 ＝７０：３０ｗｔ
％、Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＳｎＯ2 ＝９０：１０ｗｔ％、金属薄
膜層の混合比は、Ａｇ：Ａｕ＝９９：１ａｔ％のものを
用いた。成膜方法は、マグネトロンスパッタリング法を
用い、セラミック膜の形成にはＲＦ放電を、また、金属
薄膜層の形成にはＤＣ放電を用いた。各層の膜厚は、第
一セラミック薄膜層が約４０ｎｍ、金属薄膜層が約１０
ｎｍ、セラミック薄膜層２が約４０ｎｍとした。形成し
た積層体の波長５５０ｎｍに対する光線反射率と光線透
過率は、それぞれ、〜０．５％、９０％となり、良好な
反射防止膜が得られた。また、約１５Ω／□となり、充
分な電磁波遮蔽効果を有する積層体が得られたことが確
認された。
ＰＥＴフィルム、第一セラミック薄膜層にＧａ・Ｃｅ混
合酸化物、金属薄膜層にＡｇ・Ａｕの混合物、第二セラ
ミック薄膜層にＩＴＯを用いた。セラミック膜の酸化物
のの混合比は、Ｇａ2 Ｏ3 ：ＣｅＯ2 ＝７０：３０ｗｔ
％、Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＳｎＯ2 ＝９０：１０ｗｔ％、金属薄
膜層の混合比は、Ａｇ：Ａｕ＝９９：１ａｔ％のものを
用いた。成膜方法は、マグネトロンスパッタリング法を
用い、セラミック膜の形成にはＲＦ放電を、また、金属
薄膜層の形成にはＤＣ放電を用いた。各層の膜厚は、第
一セラミック薄膜層が約４０ｎｍ、金属薄膜層が約１０
ｎｍ、セラミック薄膜層２が約４０ｎｍとした。形成し
た積層体の波長５５０ｎｍに対する光線反射率と光線透
過率は、それぞれ、〜０．５％、９０％となり、良好な
反射防止膜が得られた。また、約１５Ω／□となり、充
分な電磁波遮蔽効果を有する積層体が得られたことが確
認された。
【００２８】基材に厚さ１００μｍのハードコート付き
ＰＥＴフィルム、第一セラミック薄膜層にＩＴＯ、金属
薄膜層にＡｇ・Ａｕの混合物、第二セラミック薄膜層に
Ｇａ・Ｃｅ混合酸化物を用いた。セラミック膜の酸化物
のの混合比は、Ｇａ2 Ｏ3 ：ＣｅＯ2 ＝７０：３０ｗｔ
％、Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＳｎＯ2 ＝９０：１０ｗｔ％、金属薄
膜層の混合比は、Ａｇ：Ａｕ＝９９：１ａｔ％のものを
用いた。成膜方法は、マグネトロンスパッタリング法を
用い、セラミック膜の形成にはＲＦ放電を、また、金属
薄膜層の形成にはＤＣ放電を用いた。各層の膜厚は、第
一セラミック薄膜層が約４０ｎｍ、金属薄膜層が約１０
ｎｍ、第二セラミック薄膜層が約４０ｎｍとした。形成
した積層体の波長５５０ｎｍ に対する光線反射率と光
線透過率は、それぞれ、〜０．５％、９０％となり良好
な反射防止膜が得られた。また、約１５Ω／□（金属膜
形成の段階で測定）となり、充分な電磁波遮蔽効果を有
する積層体が得られたことが確認された。
ＰＥＴフィルム、第一セラミック薄膜層にＩＴＯ、金属
薄膜層にＡｇ・Ａｕの混合物、第二セラミック薄膜層に
Ｇａ・Ｃｅ混合酸化物を用いた。セラミック膜の酸化物
のの混合比は、Ｇａ2 Ｏ3 ：ＣｅＯ2 ＝７０：３０ｗｔ
％、Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＳｎＯ2 ＝９０：１０ｗｔ％、金属薄
膜層の混合比は、Ａｇ：Ａｕ＝９９：１ａｔ％のものを
用いた。成膜方法は、マグネトロンスパッタリング法を
用い、セラミック膜の形成にはＲＦ放電を、また、金属
薄膜層の形成にはＤＣ放電を用いた。各層の膜厚は、第
一セラミック薄膜層が約４０ｎｍ、金属薄膜層が約１０
ｎｍ、第二セラミック薄膜層が約４０ｎｍとした。形成
した積層体の波長５５０ｎｍ に対する光線反射率と光
線透過率は、それぞれ、〜０．５％、９０％となり良好
な反射防止膜が得られた。また、約１５Ω／□（金属膜
形成の段階で測定）となり、充分な電磁波遮蔽効果を有
する積層体が得られたことが確認された。
【００２９】本発明の積層体によれば、膜厚、屈折率
等、光学膜の設計に必要な条件を考慮して、基材上に第
一セラミック薄膜層／金属薄膜層／第二セラミック薄膜
層の順に積層体を形成する際に、第一セラミック薄膜層
と第二セラミック薄膜層が、それぞれ別々に必要な特性
を有するよう考慮して、異なる材料で形成することによ
り、良好な反射防止性と電磁波遮蔽性との機能を合わせ
持つことを特徴とする積層体を提供することができる。
等、光学膜の設計に必要な条件を考慮して、基材上に第
一セラミック薄膜層／金属薄膜層／第二セラミック薄膜
層の順に積層体を形成する際に、第一セラミック薄膜層
と第二セラミック薄膜層が、それぞれ別々に必要な特性
を有するよう考慮して、異なる材料で形成することによ
り、良好な反射防止性と電磁波遮蔽性との機能を合わせ
持つことを特徴とする積層体を提供することができる。
【図１】本発明の一構成例を示す一部破断断面図であ
る。
る。
１…基材 ２…第一セラミック薄膜層 ３…金属薄
膜層 ４…第二セラミック薄膜層
膜層 ４…第二セラミック薄膜層
Claims (8)
- 【請求項１】基材上に第一セラミック薄膜層／金属薄膜
層／第二セラミック薄膜層の順に積層されている積層体
において、第一セラミック薄膜層１とセラミック薄膜層
が異なる材料から成ることを特徴とする積層体。 - 【請求項２】第二セラミック薄膜層が導電性を有する材
料から成ることを特徴とする請求項１記載の積層体。 - 【請求項３】第一セラミック薄膜層が電気絶縁性を有す
る材料から成り、かつ第二セラミック薄膜層が導電性を
有する材料から成ることを特徴とする請求項１記載の積
層体。 - 【請求項４】第一セラミック薄膜層が電気絶縁性を有す
る材料から成り、第二セラミック薄膜層が導電性を有す
る材料から成り、かつ金属薄膜層がＡｇ，Ａｕ，Ｃｕの
いずれか、またはそれらの合金から成ることを特徴とす
る請求項１記載の積層体。 - 【請求項５】第一セラミック薄膜層が導電性を有する材
料から成ることを特徴とする請求項１記載の積層体。 - 【請求項６】第二セラミック薄膜層が電気絶縁性を有す
る材料から成り、かつ第一セラミック薄膜層が導電性を
有する材料から成ることを特徴とする請求項１記載の積
層体。 - 【請求項７】第二セラミック薄膜層が電気絶縁性を有す
る材料から成り、第一セラミック薄膜層が導電性を有す
る材料から成り、かつ金属薄膜層がＡｇ，Ａｕ，Ｃｕの
いずれか、またはそれらの合金から成ることを特徴とす
る請求項１記載の積層体。 - 【請求項８】基材がプラスチックフィルムであることを
特徴とする請求項１から７記載の積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22657696A JP4164879B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 電磁波遮蔽性反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22657696A JP4164879B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 電磁波遮蔽性反射防止膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1067066A true JPH1067066A (ja) | 1998-03-10 |
| JP4164879B2 JP4164879B2 (ja) | 2008-10-15 |
Family
ID=16847340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22657696A Expired - Fee Related JP4164879B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 電磁波遮蔽性反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4164879B2 (ja) |
-
1996
- 1996-08-28 JP JP22657696A patent/JP4164879B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4164879B2 (ja) | 2008-10-15 |
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