JPH1065202A - アバランシェフォトダイオード及びその製造方法 - Google Patents
アバランシェフォトダイオード及びその製造方法Info
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- JPH1065202A JPH1065202A JP9184499A JP18449997A JPH1065202A JP H1065202 A JPH1065202 A JP H1065202A JP 9184499 A JP9184499 A JP 9184499A JP 18449997 A JP18449997 A JP 18449997A JP H1065202 A JPH1065202 A JP H1065202A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、エッジブレークダウン現象を抑制
可能な、アバランシェフォトダイオード及びその製造方
法を提案することを目的とする 【解決手段】 本発明によるアバランシェフォトダイオ
ードは、ｐ+ −ＩｎＰ拡散層を拡散マスクとして、緩慢
な内部傾斜面を有するオミックコンタクト層を使用する
拡散工程により、ｕ−ＩｎＰ増殖層内にｐｎ接合を形成
する。拡散工程時マスクとして使用されるオミックコン
タクト層の内部の傾斜面により、ｐｎ接合エッジで緩慢
な曲率を有する。第２導電型の電極が露出されたオミッ
クコンタクト層上に形成され、第１導電型の電極が基板
の裏面に形成される。したがって、ｐｎ接合のエッジ領
域より中心領域での電界が強い。また、ガードリングや
部分的チャージシート層の形成のための拡散工程及びエ
ピタックシャル成長工程等がないので、アバランシェフ
ォトダイオードの製造工程が簡単になる。
可能な、アバランシェフォトダイオード及びその製造方
法を提案することを目的とする 【解決手段】 本発明によるアバランシェフォトダイオ
ードは、ｐ+ −ＩｎＰ拡散層を拡散マスクとして、緩慢
な内部傾斜面を有するオミックコンタクト層を使用する
拡散工程により、ｕ−ＩｎＰ増殖層内にｐｎ接合を形成
する。拡散工程時マスクとして使用されるオミックコン
タクト層の内部の傾斜面により、ｐｎ接合エッジで緩慢
な曲率を有する。第２導電型の電極が露出されたオミッ
クコンタクト層上に形成され、第１導電型の電極が基板
の裏面に形成される。したがって、ｐｎ接合のエッジ領
域より中心領域での電界が強い。また、ガードリングや
部分的チャージシート層の形成のための拡散工程及びエ
ピタックシャル成長工程等がないので、アバランシェフ
ォトダイオードの製造工程が簡単になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光素子及び
その製造方法に関するもので、より具体的には、エッジ
ブレークダウン(edge breakdown)を効果的に抑制可能
な、アバランシェフォトダイオード及びその製造方法に
関する。
その製造方法に関するもので、より具体的には、エッジ
ブレークダウン(edge breakdown)を効果的に抑制可能
な、アバランシェフォトダイオード及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】受光素子は、光通信システムにおいて必
須的に使用され、光ファイバーを通して伝達された光信
号を感知し、電気的な信号に変換させる役割をする。こ
のような受光素子としては、半導体ダイオードの中には
フォトダイオード(photodiode)があり、III −Ｖ化合物
半導体ダイオードの中にはｐ−ｉ−ｎフォトダイオード
とアバランシェフォトダイオード(Avalanche Photodiod
e ；以下、ＡＰＤという）とがある。
須的に使用され、光ファイバーを通して伝達された光信
号を感知し、電気的な信号に変換させる役割をする。こ
のような受光素子としては、半導体ダイオードの中には
フォトダイオード(photodiode)があり、III −Ｖ化合物
半導体ダイオードの中にはｐ−ｉ−ｎフォトダイオード
とアバランシェフォトダイオード(Avalanche Photodiod
e ；以下、ＡＰＤという）とがある。
【０００３】一般的に、ＡＰＤは入射される光により生
成されたキャリア等が、衝突イオン化により衝突しまた
他のキャリア等を生成する。しかし、ＡＰＤはｐｎ接合
の縁の曲率が、中心部分のそれより小さいので、アバラ
ンチブレークダウンを起こすために加える、非常に高い
逆方向電圧により、エッジ(edge)の電界が中心部分のそ
れより大きくなり、エッジブレークダウン現象が発生す
る問題があった。従って、このようなエッジブレークダ
ウン現象を抑制するため、部分的なチャージシート(par
tial charge sheet)層を有する構造と、フローティング
ガードリング(floating guardring)を有する構造とが提
案された。
成されたキャリア等が、衝突イオン化により衝突しまた
他のキャリア等を生成する。しかし、ＡＰＤはｐｎ接合
の縁の曲率が、中心部分のそれより小さいので、アバラ
ンチブレークダウンを起こすために加える、非常に高い
逆方向電圧により、エッジ(edge)の電界が中心部分のそ
れより大きくなり、エッジブレークダウン現象が発生す
る問題があった。従って、このようなエッジブレークダ
ウン現象を抑制するため、部分的なチャージシート(par
tial charge sheet)層を有する構造と、フローティング
ガードリング(floating guardring)を有する構造とが提
案された。
【０００４】図１から図３は、エッジブレークダウン現
象を抑制するための、従来のＡＰＤの構造をそれぞれ示
した断面図であり、図１から図３を参照してそれぞれの
構造を説明する。
象を抑制するための、従来のＡＰＤの構造をそれぞれ示
した断面図であり、図１から図３を参照してそれぞれの
構造を説明する。
【０００５】まず、図１はガードリングを有するＡＰＤ
の断面図であって、ｎ+ −ＩｎＰ基板１１上に、ｕ−Ｉ
ｎＧａＡｓ吸収層１２、ｕ−ＩｎＧａＡｓＰグレーディ
ング(grading)層１３が形成され、ｕ−ＩｎＰ増殖層１
４には、亜鉛（Ｚｎ）が拡散されたｐ+ −ＩｎＰ拡散層
１５が形成されｐｎ接合を形成する。ｐ+ −ＩｎＰ拡散
層１５の両側のエッジ部分には、エッジブレークダウン
現象を抑制するためのガードリング１６が形成され、ｕ
−ＩｎＰ増殖層１４上には非反射膜（ＡＲＣ；Anti Ref
lective Coating)として使用される保護膜１７が形成さ
れる。ｐ+ −ＩｎＰ拡散層１５のエッジ上面にはｐ型電
極１８が形成され、ｎ+ −ＩｎＰ基板１１の裏面にはｎ
型電極１９が形成された構造を有する。
の断面図であって、ｎ+ −ＩｎＰ基板１１上に、ｕ−Ｉ
ｎＧａＡｓ吸収層１２、ｕ−ＩｎＧａＡｓＰグレーディ
ング(grading)層１３が形成され、ｕ−ＩｎＰ増殖層１
４には、亜鉛（Ｚｎ）が拡散されたｐ+ −ＩｎＰ拡散層
１５が形成されｐｎ接合を形成する。ｐ+ −ＩｎＰ拡散
層１５の両側のエッジ部分には、エッジブレークダウン
現象を抑制するためのガードリング１６が形成され、ｕ
−ＩｎＰ増殖層１４上には非反射膜（ＡＲＣ；Anti Ref
lective Coating)として使用される保護膜１７が形成さ
れる。ｐ+ −ＩｎＰ拡散層１５のエッジ上面にはｐ型電
極１８が形成され、ｎ+ −ＩｎＰ基板１１の裏面にはｎ
型電極１９が形成された構造を有する。
【０００６】図２は、従来のフローティングガードリン
グ(floating guardring)を有するＡＰＤの断面図であ
り、図１と同様にｎ+ −ＩｎＰ基板１１上に、ｕ−Ｉｎ
ＧａＡｓ吸収層１２、ｕ−ＩｎＧａＡｓＰグレーディン
グ層１３とが形成される。ｕ−ＩｎＧａＡｓＰグレーデ
ィング層１３上には、ｎ−ＩｎＰチャージシート層２１
が形成され、ｎ−ＩｎＰチャージシート層２１上には、
ｕ−ＩｎＰ増殖層１４が形成される。そして、ｕ−Ｉｎ
Ｐ増殖層１４には、亜鉛（Ｚｎ）が拡散されたｐ+ −Ｉ
ｎＰ拡散層１５が形成されｐｎ接合を形成すると共に、
ｐ+ −ＩｎＰ拡散層１５と一定間隔を置いて、ｐ+ −Ｉ
ｎＰ拡散層１５の両側にエッジブレークダウン現象を抑
制するため、一組のフローティングガードリング２２が
形成される。また、ｐ+ −ＩｎＰ拡散層１５を除いた、
ｕ−ＩｎＰ増殖層１４上に保護膜１７が形成され、ｐ+
−ＩｎＰ拡散層１５の縁の上面にはｐ型電極１８が形成
され、ｎ+ −ＩｎＰ基板１１の裏面にはｎ型電極１９が
形成された構造を有する。図３は、従来の部分的なチャ
ージシート層を有するＡＰＤの構造を示した断面図であ
り、図２の構造と類似する。単に、エッジブレークダウ
ン現象を抑制するためのフローティングガードリングの
代わりに、ｕ−ＩｎＧａＡｓＰグレーディング層１３上
に形成されたｎ−ＩｎＰチャージシート層３１が、ｐ+
−ＩｎＰ拡散層１４のエッジ部分で、中心部分より薄く
形成された部分的チャージシート層の構造で形成され、
エッジブレークダウン現象が効果的に抑制される。
グ(floating guardring)を有するＡＰＤの断面図であ
り、図１と同様にｎ+ −ＩｎＰ基板１１上に、ｕ−Ｉｎ
ＧａＡｓ吸収層１２、ｕ−ＩｎＧａＡｓＰグレーディン
グ層１３とが形成される。ｕ−ＩｎＧａＡｓＰグレーデ
ィング層１３上には、ｎ−ＩｎＰチャージシート層２１
が形成され、ｎ−ＩｎＰチャージシート層２１上には、
ｕ−ＩｎＰ増殖層１４が形成される。そして、ｕ−Ｉｎ
Ｐ増殖層１４には、亜鉛（Ｚｎ）が拡散されたｐ+ −Ｉ
ｎＰ拡散層１５が形成されｐｎ接合を形成すると共に、
ｐ+ −ＩｎＰ拡散層１５と一定間隔を置いて、ｐ+ −Ｉ
ｎＰ拡散層１５の両側にエッジブレークダウン現象を抑
制するため、一組のフローティングガードリング２２が
形成される。また、ｐ+ −ＩｎＰ拡散層１５を除いた、
ｕ−ＩｎＰ増殖層１４上に保護膜１７が形成され、ｐ+
−ＩｎＰ拡散層１５の縁の上面にはｐ型電極１８が形成
され、ｎ+ −ＩｎＰ基板１１の裏面にはｎ型電極１９が
形成された構造を有する。図３は、従来の部分的なチャ
ージシート層を有するＡＰＤの構造を示した断面図であ
り、図２の構造と類似する。単に、エッジブレークダウ
ン現象を抑制するためのフローティングガードリングの
代わりに、ｕ−ＩｎＧａＡｓＰグレーディング層１３上
に形成されたｎ−ＩｎＰチャージシート層３１が、ｐ+
−ＩｎＰ拡散層１４のエッジ部分で、中心部分より薄く
形成された部分的チャージシート層の構造で形成され、
エッジブレークダウン現象が効果的に抑制される。
【０００７】すなわち、図１から図３に示したエッジブ
レークダウン抑制手段を備えた従来のＡＰＤは、ｐｎ接
合面の中心部分の電界が、エッジ部分のそれより大きく
なるようにして、エッジ部分でブレークダウン現象が抑
制され、中心部分で効果的にブレークダウン現象が発生
され得るようになる。
レークダウン抑制手段を備えた従来のＡＰＤは、ｐｎ接
合面の中心部分の電界が、エッジ部分のそれより大きく
なるようにして、エッジ部分でブレークダウン現象が抑
制され、中心部分で効果的にブレークダウン現象が発生
され得るようになる。
【０００８】しかし、前記のようなブレークダウン抑制
手段を備えた従来のＡＰＤでは、下記のような問題点が
あった。
手段を備えた従来のＡＰＤでは、下記のような問題点が
あった。
【０００９】図１の図示のＡＰＤは、ｐ+ −ＩｎＰ拡散
層１４とガードリング１６の形成のため、２回の拡散工
程が求められ、図２のＡＰＤは、ｐ+ −ＩｎＰ拡散層１
４とフローティングガードリング２２の形成のために、
２回の拡散工程が求められるだけでなく、フローティン
グガードリング２２を形成する場合、拡散の深さの調節
が難しい。そして、図３のＡＰＤは、図１及び図２のＡ
ＰＤとは異なってガードリングを形成しないので、１回
の拡散工程のみが求められる一方、部分的ｐ−ＩｎＰチ
ャージシート層３１の形成のため、２回のエピタックシ
ャル工程の進行により、界面での欠陥が発生するという
欠点があった。
層１４とガードリング１６の形成のため、２回の拡散工
程が求められ、図２のＡＰＤは、ｐ+ −ＩｎＰ拡散層１
４とフローティングガードリング２２の形成のために、
２回の拡散工程が求められるだけでなく、フローティン
グガードリング２２を形成する場合、拡散の深さの調節
が難しい。そして、図３のＡＰＤは、図１及び図２のＡ
ＰＤとは異なってガードリングを形成しないので、１回
の拡散工程のみが求められる一方、部分的ｐ−ＩｎＰチ
ャージシート層３１の形成のため、２回のエピタックシ
ャル工程の進行により、界面での欠陥が発生するという
欠点があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、ガードリング構造や、部分的チャージシート層を形
成せず、１回の拡散工程によりエッジ部分で緩慢なｐｎ
接合の曲率を形成できる、アバランシェフォトダイオー
ドの製造方法を提供することにある。
は、ガードリング構造や、部分的チャージシート層を形
成せず、１回の拡散工程によりエッジ部分で緩慢なｐｎ
接合の曲率を形成できる、アバランシェフォトダイオー
ドの製造方法を提供することにある。
【００１１】また本発明の他の目的は、エッジブレーク
ダウン現象を抑制できる、アバランシェフォトダイオー
ドを提供することにある。
ダウン現象を抑制できる、アバランシェフォトダイオー
ドを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めの、本発明によるアバランシェフォトダイオードは、
次のような工程により製造される。第１導電型化合物半
導体基板上に、吸収層、グレーディング層、第１導電型
チャージシート層、増殖層及びオミックコンタクト層等
が順次に形成され、増殖層の所定部分が露出されること
とともに、オミックコンタクト層上に所定の傾斜を有す
る内部傾斜面が形成されるように、オミックコンタクト
層が１次蝕刻される。基板の全面に誘電体膜が蒸着さ
れ、オミックコンタクト層の傾斜面と、傾斜面の内部の
増殖層が露出されるように誘電体膜が蝕刻される。オミ
ックコンタクト層及び誘電体膜を拡散マスクとして露出
された増殖層に第２導電型金属を拡散させ、傾斜面の下
部で緩慢な曲率を有する第２導電型拡散層が形成され
る。その後、誘電体膜が除去され、オミックコンタクト
層と前記増殖層間の第２導電型拡散層の所定部分が露出
されるように、傾斜面を有するオミックコンタクト層の
一部を除いた、オミックコンタクト層が２次蝕刻され
る。基板の全面に保護膜が蒸着され、オミックコンタク
ト層の傾斜面と、この傾斜面間の第２導電型拡散層が露
出されるように保護膜が蝕刻される。露出されたオミッ
クコンタクト層上に第２導電型電極が形成され、基板の
裏面に第１導電型電極が形成される。
めの、本発明によるアバランシェフォトダイオードは、
次のような工程により製造される。第１導電型化合物半
導体基板上に、吸収層、グレーディング層、第１導電型
チャージシート層、増殖層及びオミックコンタクト層等
が順次に形成され、増殖層の所定部分が露出されること
とともに、オミックコンタクト層上に所定の傾斜を有す
る内部傾斜面が形成されるように、オミックコンタクト
層が１次蝕刻される。基板の全面に誘電体膜が蒸着さ
れ、オミックコンタクト層の傾斜面と、傾斜面の内部の
増殖層が露出されるように誘電体膜が蝕刻される。オミ
ックコンタクト層及び誘電体膜を拡散マスクとして露出
された増殖層に第２導電型金属を拡散させ、傾斜面の下
部で緩慢な曲率を有する第２導電型拡散層が形成され
る。その後、誘電体膜が除去され、オミックコンタクト
層と前記増殖層間の第２導電型拡散層の所定部分が露出
されるように、傾斜面を有するオミックコンタクト層の
一部を除いた、オミックコンタクト層が２次蝕刻され
る。基板の全面に保護膜が蒸着され、オミックコンタク
ト層の傾斜面と、この傾斜面間の第２導電型拡散層が露
出されるように保護膜が蝕刻される。露出されたオミッ
クコンタクト層上に第２導電型電極が形成され、基板の
裏面に第１導電型電極が形成される。
【００１３】また、前記の目的を達成するための、本発
明によるアバランシェフォトダイオードは、第１導電型
化合物半導体基板上に順次に形成された吸収層、グレー
ディング層、第１導電型チャージシート層及び、増殖層
と、増殖層の内部に形成され増殖層とｐｎ接合を成し、
ｐｎ接合のエッジ部分の接合面の曲率が緩慢な第２導電
型拡散層と、増殖層の所定部分を露出させることととも
に、所定の傾斜の内部傾斜面を有するオミックコンタク
ト層と、拡散層を除いた増殖層上に形成された保護膜
と、オミックコンタクト層上に形成された第２導電型電
極と、化合物半導体基板の裏面に形成された第１導電型
電極とを含む。
明によるアバランシェフォトダイオードは、第１導電型
化合物半導体基板上に順次に形成された吸収層、グレー
ディング層、第１導電型チャージシート層及び、増殖層
と、増殖層の内部に形成され増殖層とｐｎ接合を成し、
ｐｎ接合のエッジ部分の接合面の曲率が緩慢な第２導電
型拡散層と、増殖層の所定部分を露出させることととも
に、所定の傾斜の内部傾斜面を有するオミックコンタク
ト層と、拡散層を除いた増殖層上に形成された保護膜
と、オミックコンタクト層上に形成された第２導電型電
極と、化合物半導体基板の裏面に形成された第１導電型
電極とを含む。
【００１４】前記の本発明によると、緩慢な傾斜面の形
成されたミックコンタクト層を拡散マスクとして利用し
拡散層が形成され、エッジ部分でのｐｎ接合面の曲率が
緩慢になる。したがって、ｐｎ接合面の中心部でブレー
クダウンが効果的に生じる。
成されたミックコンタクト層を拡散マスクとして利用し
拡散層が形成され、エッジ部分でのｐｎ接合面の曲率が
緩慢になる。したがって、ｐｎ接合面の中心部でブレー
クダウンが効果的に生じる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明を説明する。
明を説明する。
【００１６】図４から図９は、本発明の好ましい実施の
形態によるＡＰＤの製造工程を示した断面図である。
形態によるＡＰＤの製造工程を示した断面図である。
【００１７】図４に図示したとおり、ｎ+ −ＩｎＰ基板
（第１導電型化合物半導体基板）４１上に、ＭＯＣＶ
Ｄ、ＬＰＥ、ＭＢＥ等のエピタキシャル成長技術によ
り、ｕ−ＩｎＧａＡｓ吸収層４２、ｕ−ＩｎＧａＡｓＰ
グレーティング層４３、ｎ−ＩｎＰチャージシート層４
４、ｕ−ＩｎＰ増殖層４５及び、ｕ−ＩｎＧａＡｓオミ
ックコンタクト層４６とが順次に形成される。
（第１導電型化合物半導体基板）４１上に、ＭＯＣＶ
Ｄ、ＬＰＥ、ＭＢＥ等のエピタキシャル成長技術によ
り、ｕ−ＩｎＧａＡｓ吸収層４２、ｕ−ＩｎＧａＡｓＰ
グレーティング層４３、ｎ−ＩｎＰチャージシート層４
４、ｕ−ＩｎＰ増殖層４５及び、ｕ−ＩｎＧａＡｓオミ
ックコンタクト層４６とが順次に形成される。
【００１８】図５の図示のとおり、ｕ−ＩｎＧａＡｓオ
ミックコンタクト層４６の内面、または側面が傾斜を有
するようにするとともに、底面が上部より所定の幅だけ
広くなるように蝕刻され、下部のｕ−ＩｎＰ増殖層４５
の所定部分が露出される（１次蝕刻）。この場合、蝕刻
工程は、以降進行される亜鉛（Ｚｎ）の拡散工程時に拡
散マスクとして使用されるため、ｕ−ＩｎＧａＡｓオミ
ックコンタクト層４６が充分に緩慢な内部傾斜面４６ａ
を有するように進行される。蝕刻されたｕ−ＩｎＧａＡ
ｓオミックコンタクト層４６は、図示していないが、内
面、または側面が緩慢に傾斜になったリングの形を有
し、ｕ−ＩｎＰ増殖層４５がリングの内部で露出され
る。
ミックコンタクト層４６の内面、または側面が傾斜を有
するようにするとともに、底面が上部より所定の幅だけ
広くなるように蝕刻され、下部のｕ−ＩｎＰ増殖層４５
の所定部分が露出される（１次蝕刻）。この場合、蝕刻
工程は、以降進行される亜鉛（Ｚｎ）の拡散工程時に拡
散マスクとして使用されるため、ｕ−ＩｎＧａＡｓオミ
ックコンタクト層４６が充分に緩慢な内部傾斜面４６ａ
を有するように進行される。蝕刻されたｕ−ＩｎＧａＡ
ｓオミックコンタクト層４６は、図示していないが、内
面、または側面が緩慢に傾斜になったリングの形を有
し、ｕ−ＩｎＰ増殖層４５がリングの内部で露出され
る。
【００１９】図６の図示のとおり、図５の構造上に、シ
リコン酸化膜及びシリコン窒化膜のような誘電体膜４７
が蒸着された後、ｕ−ＩｎＧａＡｓオミックコンタクト
層４６の傾斜面４６ａと、この傾斜面４６ａ間のｕ−Ｉ
ｎＰ増殖層４５が露出されるように蝕刻される。次い
で、ｕ−ＩｎＧａＡｓオミックコンタクト層４６と誘電
体膜４７とを拡散マスクとする拡散工程により、ｕ−Ｉ
ｎＰ増殖層４５に第２導電型金属の第２導電型金属の亜
鉛（Ｚｎ）が拡散され、Ｐ+ −ＩｎＰ拡散層４８が形成
されｐｎ接合を形成する。
リコン酸化膜及びシリコン窒化膜のような誘電体膜４７
が蒸着された後、ｕ−ＩｎＧａＡｓオミックコンタクト
層４６の傾斜面４６ａと、この傾斜面４６ａ間のｕ−Ｉ
ｎＰ増殖層４５が露出されるように蝕刻される。次い
で、ｕ−ＩｎＧａＡｓオミックコンタクト層４６と誘電
体膜４７とを拡散マスクとする拡散工程により、ｕ−Ｉ
ｎＰ増殖層４５に第２導電型金属の第２導電型金属の亜
鉛（Ｚｎ）が拡散され、Ｐ+ −ＩｎＰ拡散層４８が形成
されｐｎ接合を形成する。
【００２０】図６において、図面符号４８ａは、ｐｎ接
合面を示したもので、４８ｂはｐｎ接合面４８ａの中の
エッジ部分での接合面を示したものである。この場合、
拡散マスクとして作用する緩慢な傾斜面４６ａにより、
中心部よりはエッジ部分に亜鉛（Ｚｎ）が少なく拡散さ
れる。これにより、エッジ接合面４８ｂの曲率が緩和さ
れる、このようなｐｎ接合面のエッジ部分の緩慢な曲率
により、エッジ部分の電界が中心部分の電界より低くな
り、エッジブレークダウンが抑制される。
合面を示したもので、４８ｂはｐｎ接合面４８ａの中の
エッジ部分での接合面を示したものである。この場合、
拡散マスクとして作用する緩慢な傾斜面４６ａにより、
中心部よりはエッジ部分に亜鉛（Ｚｎ）が少なく拡散さ
れる。これにより、エッジ接合面４８ｂの曲率が緩和さ
れる、このようなｐｎ接合面のエッジ部分の緩慢な曲率
により、エッジ部分の電界が中心部分の電界より低くな
り、エッジブレークダウンが抑制される。
【００２１】図７に図示したとおり、公知の方法により
誘電体膜４７が完全に除去され、ｕ−ＩｎＧａＡｓオミ
ックコンタクト層４６が露出される。そして、Ｐ+ −Ｉ
ｎＰ拡散層４８と金属とのオミックコンタクトのため、
ｕ−ＩｎＰ増殖層４５とｕ−ＩｎＧａＡｓオミックコン
タクト層４６間のｐ+ −ＩｎＰ拡散層４８の表面が露出
されるよう、緩慢な傾斜面４６ａ部分のｕ−ＩｎＧａＡ
ｓオミックコンタクト層４６を除いた、残り部分のｕ−
ＩｎＧａＡｓオミックコンタクト層４６が蝕刻される
（２次蝕刻）。次いで、蝕刻後のｕ−ＩｎＧａＡｓオミ
ックコンタクト層４６をマスクとする蝕刻工程により、
露出されたｕ−ＩｎＰ増殖層４５とｐ+ −ＩｎＰ拡散層
４８の表面とが、０．２μm 以下の厚さ蝕刻される。し
たがって、傾斜面の下部にあるｐ+ −ＩｎＰ拡散層４８
が、前記蝕刻された拡散層４８及び増殖層４５より前記
厚さほど高くなる。
誘電体膜４７が完全に除去され、ｕ−ＩｎＧａＡｓオミ
ックコンタクト層４６が露出される。そして、Ｐ+ −Ｉ
ｎＰ拡散層４８と金属とのオミックコンタクトのため、
ｕ−ＩｎＰ増殖層４５とｕ−ＩｎＧａＡｓオミックコン
タクト層４６間のｐ+ −ＩｎＰ拡散層４８の表面が露出
されるよう、緩慢な傾斜面４６ａ部分のｕ−ＩｎＧａＡ
ｓオミックコンタクト層４６を除いた、残り部分のｕ−
ＩｎＧａＡｓオミックコンタクト層４６が蝕刻される
（２次蝕刻）。次いで、蝕刻後のｕ−ＩｎＧａＡｓオミ
ックコンタクト層４６をマスクとする蝕刻工程により、
露出されたｕ−ＩｎＰ増殖層４５とｐ+ −ＩｎＰ拡散層
４８の表面とが、０．２μm 以下の厚さ蝕刻される。し
たがって、傾斜面の下部にあるｐ+ −ＩｎＰ拡散層４８
が、前記蝕刻された拡散層４８及び増殖層４５より前記
厚さほど高くなる。
【００２２】図８の図示のとおり、図７の構造上にシリ
コン酸化膜、シリコン窒化膜またはポリイミドの中のい
ずれか１つで保護膜４９が蒸着される。その後、保護膜
４９がｕ−ＩｎＰ増殖層４５の上部に残るように蝕刻さ
れ、ｕ−ＩｎＧａＡｓオミックコンタクト層４６の傾斜
面４６ａ及びｐ+ −ＩｎＰ拡散層４８が露出される。そ
して、露出されたｕ−ＩｎＧａＡｓオミックコンタクト
層４６上に、Ａｕ／Ｚｎ／ＡｕまたはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
を用いてｐ型電極（第２導電型電極）５０が形成され
る。
コン酸化膜、シリコン窒化膜またはポリイミドの中のい
ずれか１つで保護膜４９が蒸着される。その後、保護膜
４９がｕ−ＩｎＰ増殖層４５の上部に残るように蝕刻さ
れ、ｕ−ＩｎＧａＡｓオミックコンタクト層４６の傾斜
面４６ａ及びｐ+ −ＩｎＰ拡散層４８が露出される。そ
して、露出されたｕ−ＩｎＧａＡｓオミックコンタクト
層４６上に、Ａｕ／Ｚｎ／ＡｕまたはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
を用いてｐ型電極（第２導電型電極）５０が形成され
る。
【００２３】図９の図示のとおり、ｎ+ −ＩｎＰ基板４
１の裏面が研摩され、研摩された基板４１の裏面に、Ａ
ｕＧｅ／Ｎｉ／ＡｕまたはＡｕＧｅ／Ａｕを用いてｎ型
電極（第１導電型電極）５１が形成される。そして、最
終的にアロイ(alloy) 工程が遂行され、本発明によるア
バランシェフォトダイオードが完成される。
１の裏面が研摩され、研摩された基板４１の裏面に、Ａ
ｕＧｅ／Ｎｉ／ＡｕまたはＡｕＧｅ／Ａｕを用いてｎ型
電極（第１導電型電極）５１が形成される。そして、最
終的にアロイ(alloy) 工程が遂行され、本発明によるア
バランシェフォトダイオードが完成される。
【００２４】
【発明の効果】上述の本発明によると、緩慢な傾斜面が
形成されたオミックコンタクト層を拡散マスクとして利
用して、ｐ+ −ＩｎＰ拡散層の形成工程が進行され、ｕ
−ＩｎＰ増殖層とｐｎ接合をすることにより、エッジ部
分でｐｎ接合面の曲率が緩慢に形成される。これによ
り、ｐｎ接合面の中心部での電界が、エッジでのそれよ
り更に大きく形成され、エッジブレークダウン現象が効
果的に抑制され得る。また、従来のガードリング構造の
形成及び、部分的チャージシート層の形成のための拡散
工程及び、エピタックシャル成長工程等が追加で進行さ
れる必要がなくなり工程が単純化される。これにより、
安定化したＡＰＤの製作が可能になり、素子の収率が向
上される。
形成されたオミックコンタクト層を拡散マスクとして利
用して、ｐ+ −ＩｎＰ拡散層の形成工程が進行され、ｕ
−ＩｎＰ増殖層とｐｎ接合をすることにより、エッジ部
分でｐｎ接合面の曲率が緩慢に形成される。これによ
り、ｐｎ接合面の中心部での電界が、エッジでのそれよ
り更に大きく形成され、エッジブレークダウン現象が効
果的に抑制され得る。また、従来のガードリング構造の
形成及び、部分的チャージシート層の形成のための拡散
工程及び、エピタックシャル成長工程等が追加で進行さ
れる必要がなくなり工程が単純化される。これにより、
安定化したＡＰＤの製作が可能になり、素子の収率が向
上される。
【００２５】また、本発明は前記の実施例に限定され
ず、本発明の技術的要旨から外れず範囲内で、多様に変
形させて実施可能である。
ず、本発明の技術的要旨から外れず範囲内で、多様に変
形させて実施可能である。
【図１】従来のガードリング構造を有するＡＰＤを示し
た断面図である。
た断面図である。
【図２】従来のフローティングガードリング構造を有す
るＡＰＤを示した断面図である。
るＡＰＤを示した断面図である。
【図３】従来の部分的チャージシート層を有するＡＰＤ
を示した断面図である。
を示した断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施例によるＡＰＤの製造方
法を順次に示した断面図である。
法を順次に示した断面図である。
【図５】本発明の好ましい実施例によるＡＰＤの製造方
法を順次に示した断面図である。
法を順次に示した断面図である。
【図６】本発明の好ましい実施例によるＡＰＤの製造方
法を順次に示した断面図である。
法を順次に示した断面図である。
【図７】本発明の好ましい実施例によるＡＰＤの製造方
法を順次に示した断面図である。
法を順次に示した断面図である。
【図８】本発明の好ましい実施例によるＡＰＤの製造方
法を順次に示した断面図である。
法を順次に示した断面図である。
【図９】本発明の好ましい実施例によるＡＰＤの製造方
法を順次に示した断面図である。
法を順次に示した断面図である。
４１ ｎ+ −ＩｎＰ基板 ４２ ｕ−ＩｎＧａＡｓ吸収層 ４３ ｕ−ＩｎＧａＡｓＰグレーディング(grading) 層 ４４ ｎ−ＩｎＰチャージシート層 ４５ ｕ−ＩｎＰ増殖層 ４６ ｕ−ＩｎＧａＡｓオミックコンタクト層 ４６ａ 傾斜面 ４７ 流電体膜 ４８ａ、ｂ 接合面 ４８ ｐ+ −ＩｎＰ拡散層 ４９ 保護膜 ５０ ｐ型電極 ５１ ｎ型電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年９月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】一般的に、ＡＰＤは入射される光により生
成されたキャリア等が、衝突イオン化により衝突しまた
他のキャリア等を生成する。しかし、ＡＰＤはｐｎ接合
の縁の曲率が、中心部分のそれより小さいので、アバラ
ンチブレークダウンを起こすために加える、非常に高い
逆方向電圧により、エッジ（ｅｄｇｅ）の電界が中心部
分のそれより大きくなり、エッジブレークダウン現象が
発生する問題があった。従って、このようなエッジブレ
ークダウン現象を抑制するため、部分的なチャージシー
ト（ｐａｒｔｉａｌ ｃｈａｒｇｅ ｓｈｅｅｔ）層を
有する構造と、フローティングガードリング（ｆｌｏａ
ｔｉｎｇ ｇｕａｒｄｒｉｎｇ）を有する構造とが提案
された。
成されたキャリア等が、衝突イオン化により衝突しまた
他のキャリア等を生成する。しかし、ＡＰＤはｐｎ接合
の縁の曲率が、中心部分のそれより小さいので、アバラ
ンチブレークダウンを起こすために加える、非常に高い
逆方向電圧により、エッジ（ｅｄｇｅ）の電界が中心部
分のそれより大きくなり、エッジブレークダウン現象が
発生する問題があった。従って、このようなエッジブレ
ークダウン現象を抑制するため、部分的なチャージシー
ト（ｐａｒｔｉａｌ ｃｈａｒｇｅ ｓｈｅｅｔ）層を
有する構造と、フローティングガードリング（ｆｌｏａ
ｔｉｎｇ ｇｕａｒｄｒｉｎｇ）を有する構造とが提案
された。
Claims (17)
- 【請求項１】 第１導電型化合物半導体基板上に、吸収
層、グレーディング層、第１導電型チャージシート層、
増殖層及びオミックコンタクト層等を順次に形成する段
階、 前記増殖層の所定部分が露出されることとともに、前記
オミックコンタクト層上に所定の傾斜を有する内部傾斜
面が形成されるように、前記オミックコンタクト層を１
次蝕刻する段階、 前記基板の全面に誘電体膜を蒸着する段階、 前記オミックコンタクト層の傾斜面と、傾斜面の内部の
前記増殖層が露出されるように前記誘電体膜を蝕刻する
段階、 前記オミックコンタクト層及び誘電体膜を拡散マスクと
して、前記露出された増殖層に第２導電型金属を拡散さ
せ、前記傾斜面の下部で緩慢な曲率を有する第２導電型
拡散層を形成する段階、 前記誘電体膜を除去する段階、 前記オミックコンタクト層と前記増殖層間の前記第２導
電型拡散層の所定部分が露出されるように、前記傾斜面
を有するオミックコンタクト層の一部を除いた、前記オ
ミックコンタクト層を２次蝕刻する段階、 前記基板の全面に保護膜を蒸着する段階、 前記オミックコンタクト層の傾斜面と、この傾斜面間の
第２導電型拡散層が露出されるように前記保護膜を蝕刻
する段階、 前記露出されたオミックコンタクト層上に第２導電型電
極を形成する段階、及び、前記基板の裏面に第１導電型
電極を形成する段階とを含むことを特徴とする、アバラ
ンシェフォトダイオードの製造方法。 - 【請求項２】 前記誘電体膜は、シリコン酸化膜または
シリコン窒化膜の中から選択された１つの膜で形成する
ことを特徴とする請求項１記載のアバランシェフォトダ
イオードの製造方法。 - 【請求項３】 前記のオミックコンタクト層を２次蝕刻
する段階の以降、 前記２次蝕刻されたオミックコンタクト層を蝕刻マスク
として露出された第２導電型拡散層及び増殖層の表面
を、所定の厚さ蝕刻する段階を更に含むことを特徴とす
る請求項１記載のアバランシェフォトダイオードの製造
方法。 - 【請求項４】 前記露出された第２導電型拡散層及び増
殖層の表面を蝕刻する場合、０．２μm 以下の所定の厚
さ蝕刻することを特徴とする請求項３記載のアバランシ
ェフォトダイオードの製造方法。 - 【請求項５】 前記の保護膜は、シリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜またはポリイミドの中から選択された１つの
膜で形成することを特徴とする、請求項１記載のアバラ
ンシェフォトダイオードの製造方法。 - 【請求項６】 前記第１導電型化合物半導体基板はｎ+
−ＩｎＰ、前記吸収層はｕ−ＩｎＧａＡｓ、前記グレー
ディング層はｕ−ＩｎＧａＡｓＰ、前記第１導電型チャ
ージシート層はｎ−ＩｎＰ、前記増殖層はｕ−ＩｎＰ、
前記オミックコンタクト層はｕ−ＩｎＧａＡｓ、前記第
２導電型拡散層はｐ+ −ＩｎＰ、前記第１導電型電極は
ｎ型金属、前記第２導電型電極はｐ型金属であることを
特徴とする請求項１記載のアバランシェフォトダイオー
ドの製造方法。 - 【請求項７】 前記第２導電型拡散層の拡散金属は亜鉛
（Ｚｎ）であることを特徴とする請求項６記載のアバラ
ンシェフォトダイオードの製造方法。 - 【請求項８】 前記ｎ型金属は、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ
またはＡｕＧｅ／Ａｕの中のいずれか１つであることを
特徴とする請求項６記載のアバランシェフォトダイオー
ドの製造方法。 - 【請求項９】 前記ｐ型金属は、Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕまた
はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの中のいずれか１つであることを特
徴とする請求項６記載のアバランシェフォトダイオード
の製造方法。 - 【請求項１０】 第１導電型化合物半導体基板上に順次
に形成された吸収層、グレーディング層、第１導電型チ
ャージシート層及び、増殖層と、前記増殖層の内部に形
成され前記増殖層とｐｎ接合を形成し、前記ｐｎ接合の
エッジ部分の接合面の曲率が緩慢な第２導電型拡散層
と、前記増殖層の所定部分を露出させることとともに、
所定の傾斜の内部傾斜面を有するオミックコンタクト層
と、前記拡散層を除いた前記増殖層上に形成された保護
膜と、前記オミックコンタクト層上に形成された第２導
電型電極と、前記化合物半導体基板の裏面に形成された
第１導電型電極とを含むことを特徴とするアバランシェ
フォトダイオード。 - 【請求項１１】 前記オミックコンタクト層の傾斜面
は、充分に緩慢なことを特徴とする請求項１０記載のア
バランシェフォトダイオード。 - 【請求項１２】 前記拡散層及び増殖層の表面は、下部
にオミックコンタクト層のある拡散層の表面と比べて、
所定の段差を有することを特徴とする請求項１０記載の
アバランシェフォトダイオード。 - 【請求項１３】 前記の段差は、０．２μm 以下である
ことを特徴とする請求項１２記載のアバランシェフォト
ダイオード。 - 【請求項１４】 前記の保護膜は、シリコン酸化膜、シ
リコン窒化膜またはポリイミドの中から選択された１つ
の膜であることを特徴とする、請求項１０記載のアバラ
ンシェフォトダイオード。 - 【請求項１５】 前記第１導電型化合物半導体基板はｎ
+ −ＩｎＰ、前記吸収層はｕ−ＩｎＧａＡｓ、前記グレ
ーディング層はｕ−ＩｎＧａＡｓＰ、前記第１導電型チ
ャージシート層はｎ−ＩｎＰ、前記増殖層はｕ−Ｉｎ
Ｐ、前記オミックコンタクト層はｕ−ＩｎＧａＡｓ、前
記第２導電型拡散層はｐ+ −ＩｎＰ、前記第１導電型電
極はｎ型金属、前記第２導電型電極はｐ型金属であるこ
とを特徴とする請求項１０記載のアバランシェフォトダ
イオード。 - 【請求項１６】 前記第１導電型電極は、ＡｕＧｅ／Ｎ
ｉ／ＡｕまたはＡｕＧｅ／Ａｕの中のいずれか１つであ
ることを特徴とする請求項１０記載のアバランシェフォ
トダイオード。 - 【請求項１７】 前記第２導電型電極は、Ａｕ／Ｚｎ／
ＡｕまたはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの中のいずれか１つである
ことを特徴とする、請求項１０記載のアバランシェフォ
トダイオード。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1996P26320 | 1996-06-29 | ||
| KR1019960026320A KR100197134B1 (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 애벌런치 포토다이오드 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065202A true JPH1065202A (ja) | 1998-03-06 |
| JP2936539B2 JP2936539B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=19465072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9184499A Expired - Fee Related JP2936539B2 (ja) | 1996-06-29 | 1997-06-25 | アバランシェフォトダイオード及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2936539B2 (ja) |
| KR (1) | KR100197134B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1860703A1 (en) * | 2006-05-22 | 2007-11-28 | Eudyna Devices Inc. | Semiconductor light-receiving device with carrier multiplication |
| WO2010057835A3 (de) * | 2008-11-21 | 2010-09-16 | Ketek Gmbh | Strahlungsdetektor, verwendung eines strahlungsdetektors und verfahren zur herstellung eines strahlungsdetektors |
| CN110190148A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-30 | 武汉光谷量子技术有限公司 | 一种雪崩光电二极管及其制作方法 |
| CN114388632A (zh) * | 2022-01-12 | 2022-04-22 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 基于浮置环的多像素自由运行单光子探测器及制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480288B1 (ko) * | 2001-09-26 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 평면형 애벌랜치 포토다이오드 |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960026320A patent/KR100197134B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-06-25 JP JP9184499A patent/JP2936539B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1860703A1 (en) * | 2006-05-22 | 2007-11-28 | Eudyna Devices Inc. | Semiconductor light-receiving device with carrier multiplication |
| WO2010057835A3 (de) * | 2008-11-21 | 2010-09-16 | Ketek Gmbh | Strahlungsdetektor, verwendung eines strahlungsdetektors und verfahren zur herstellung eines strahlungsdetektors |
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