JPH1062776A - 電極基板およびその製造方法 - Google Patents
電極基板およびその製造方法Info
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- JPH1062776A JPH1062776A JP8220200A JP22020096A JPH1062776A JP H1062776 A JPH1062776 A JP H1062776A JP 8220200 A JP8220200 A JP 8220200A JP 22020096 A JP22020096 A JP 22020096A JP H1062776 A JPH1062776 A JP H1062776A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】優れた層間密着力およびガスバリア性を有する
電極基板を提供する。 【解決手段】プラスチックフィルム、該プラスチックフ
ィルムの少なくとも片面に設けられた薄膜層、および該
薄膜層上に設けられた樹脂硬化物層を有する積層シート
を備えた電極基板であって、該薄膜層が酸化硅素を主成
分とし、該薄膜層の比重が２.０〜２.２である、電極基
板。
電極基板を提供する。 【解決手段】プラスチックフィルム、該プラスチックフ
ィルムの少なくとも片面に設けられた薄膜層、および該
薄膜層上に設けられた樹脂硬化物層を有する積層シート
を備えた電極基板であって、該薄膜層が酸化硅素を主成
分とし、該薄膜層の比重が２.０〜２.２である、電極基
板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチックフィ
ルムを用いた電極基板に関する。より詳細には、プラス
チックフィルム、薄膜層および樹脂硬化物層を含む積層
シートを備えた液晶セルの製造に適した電極基板に関す
る。
ルムを用いた電極基板に関する。より詳細には、プラス
チックフィルム、薄膜層および樹脂硬化物層を含む積層
シートを備えた液晶セルの製造に適した電極基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】携帯型情報端末機およびパームトップコ
ンピューター等の表示部には液晶表示パネル用基板が用
いられる。液晶表示パネル用電極基板としては、現在、
ガラス基板が使用されている。しかし、ガラス基板は、
重い、破損しやすい、薄型にできない、曲がらない等の
欠点を有しているので、軽量化、薄型化、ペン入力時に
破損しにくい等の上記機器に要求される特性をすべて満
足することは難しい。最近では、ガラス基板に代わり、
プラスチックフィルム基板を用いた液晶表示パネルが実
用化されつつある。
ンピューター等の表示部には液晶表示パネル用基板が用
いられる。液晶表示パネル用電極基板としては、現在、
ガラス基板が使用されている。しかし、ガラス基板は、
重い、破損しやすい、薄型にできない、曲がらない等の
欠点を有しているので、軽量化、薄型化、ペン入力時に
破損しにくい等の上記機器に要求される特性をすべて満
足することは難しい。最近では、ガラス基板に代わり、
プラスチックフィルム基板を用いた液晶表示パネルが実
用化されつつある。
【０００３】プラスチックフィルム基板を液晶表示パネ
ル用基板として用いる場合、以下の特性が必要である。
ル用基板として用いる場合、以下の特性が必要である。
【０００４】１．可視光領域において透明であること。
【０００５】２．表面が平滑であり、かつ硬いこと。
【０００６】３．優れた光学的特性を有すること。
【０００７】４．ガスバリア性が十分であること。
【０００８】５．優れた防湿性を有すること。
【０００９】６．液晶により劣化されないこと、すなわ
ち耐液晶性を有すること。
ち耐液晶性を有すること。
【００１０】上記の特性を有するプラスチックフィルム
基板を得るために、従来技術のプラスチック基板は積層
構造を備えている。特開昭61-86252号公報は、プラスチ
ックフィルムの少なくとも片面にアンカーコート層を形
成し、この層上にエチレン−ビニルアルコール共重合体
もしくはポリビニルアルコールからなる層を積層し、さ
らに樹脂硬化物層を積層した電極基板を開示する。特開
昭60-134215号公報は、プラスチックフィルムの少なく
とも片面に塩化ビニリデン樹脂からなる層を形成し、さ
らに樹脂硬化物層を積層した電極基板を開示する。特開
平6-175143は、プラスチックフィルムの少なくとも片面
に蒸着法によりSiOx（ただし、１＜ｘ＜２）薄膜層、さ
らにこの層上に樹脂硬化物層を積層した電極基板を開示
する。
基板を得るために、従来技術のプラスチック基板は積層
構造を備えている。特開昭61-86252号公報は、プラスチ
ックフィルムの少なくとも片面にアンカーコート層を形
成し、この層上にエチレン−ビニルアルコール共重合体
もしくはポリビニルアルコールからなる層を積層し、さ
らに樹脂硬化物層を積層した電極基板を開示する。特開
昭60-134215号公報は、プラスチックフィルムの少なく
とも片面に塩化ビニリデン樹脂からなる層を形成し、さ
らに樹脂硬化物層を積層した電極基板を開示する。特開
平6-175143は、プラスチックフィルムの少なくとも片面
に蒸着法によりSiOx（ただし、１＜ｘ＜２）薄膜層、さ
らにこの層上に樹脂硬化物層を積層した電極基板を開示
する。
【００１１】これらの電極基板を用いて液晶表示パネル
を製造する場合、以下の特性が必要である。
を製造する場合、以下の特性が必要である。
【００１２】１．液晶表示パネルの製造工程に耐え得る
100℃以上の耐熱性を有すること。
100℃以上の耐熱性を有すること。
【００１３】２．液晶表示パネルの製造工程に使用する
薬品に耐えること。
薬品に耐えること。
【００１４】３．液晶表示パネルの製造工程中に加わる
ストレスに対して、層間剥離しないこと。
ストレスに対して、層間剥離しないこと。
【００１５】しかし、上述の特開昭61-86252号公報およ
び特開昭60-134215号公報に記載のような積層構造の電
極基板においては、各層間の密着力が不十分であるた
め、液晶表示パネルの製造工程中に加わるストレスによ
り、層間剥離を生じ、液晶表示パネル製造の歩留まりが
低いという問題があった。
び特開昭60-134215号公報に記載のような積層構造の電
極基板においては、各層間の密着力が不十分であるた
め、液晶表示パネルの製造工程中に加わるストレスによ
り、層間剥離を生じ、液晶表示パネル製造の歩留まりが
低いという問題があった。
【００１６】さらにエチレン−ビニルアルコール共重合
体またはポリビニルアルコールからなる層を用いた電極
基板のガスバリア性および防湿性は不十分で、酸素およ
び水分による液晶の劣化を生じ、その結果液晶表示パネ
ルの駆動に必要な電力が増加する、または長時間使用
後、液晶表示部に黒色の泡が発生して使用不可能となる
などの問題があった。
体またはポリビニルアルコールからなる層を用いた電極
基板のガスバリア性および防湿性は不十分で、酸素およ
び水分による液晶の劣化を生じ、その結果液晶表示パネ
ルの駆動に必要な電力が増加する、または長時間使用
後、液晶表示部に黒色の泡が発生して使用不可能となる
などの問題があった。
【００１７】またSiOx（ただし、１＜ｘ＜２）薄膜を有
する電極基板は、SiOx薄膜が着色するために液晶表示パ
ネルには適していない。さらに、蒸着法で作製したSiOx
（ただし、１＜ｘ＜２）薄膜は、下地のプラスチックフ
ィルムとの密着力が十分でなく、このタイプの電極基板
も層間剥離を生じ、液晶表示パネル製造の歩留まりが低
いという欠点を有している。
する電極基板は、SiOx薄膜が着色するために液晶表示パ
ネルには適していない。さらに、蒸着法で作製したSiOx
（ただし、１＜ｘ＜２）薄膜は、下地のプラスチックフ
ィルムとの密着力が十分でなく、このタイプの電極基板
も層間剥離を生じ、液晶表示パネル製造の歩留まりが低
いという欠点を有している。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
課題を解決し、特に層間密着力およびガスバリア性が顕
著に改善されたプラスチックフィルム電極基板、特に液
晶セルの製造に適した電極基板を提供することを目的と
する。
課題を解決し、特に層間密着力およびガスバリア性が顕
著に改善されたプラスチックフィルム電極基板、特に液
晶セルの製造に適した電極基板を提供することを目的と
する。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明を図１に基づいて
説明すると、プラスチックフィルム（１１）、該プラス
チックフィルムの少なくとも片面に設けられた薄膜層
（１２）、および該薄膜層上に設けられた樹脂硬化物層
（１３）を有する積層シートを備えた電極基板であっ
て、該薄膜層（１２）が酸化硅素を主成分とし、該薄膜
層（１２）の比重が２.０〜２.２の電極基板である。
説明すると、プラスチックフィルム（１１）、該プラス
チックフィルムの少なくとも片面に設けられた薄膜層
（１２）、および該薄膜層上に設けられた樹脂硬化物層
（１３）を有する積層シートを備えた電極基板であっ
て、該薄膜層（１２）が酸化硅素を主成分とし、該薄膜
層（１２）の比重が２.０〜２.２の電極基板である。
【００２０】好ましくは、上記プラスチックフィルム
（１１）として、一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムまたは高分子シート製の光等方性ベースシート
を用いる。好適な実施態様において、上記一軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルムのレタデーション値は
5000nm以上である。
（１１）として、一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムまたは高分子シート製の光等方性ベースシート
を用いる。好適な実施態様において、上記一軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルムのレタデーション値は
5000nm以上である。
【００２１】上記薄膜層（１２）の厚さは、30〜8000Å
であることが好ましい。
であることが好ましい。
【００２２】好適な実施態様において、上記電極基板の
層間密着力は300g／inch以上、そして酸素透過度は3cc
／m2・atm・day以下である。
層間密着力は300g／inch以上、そして酸素透過度は3cc
／m2・atm・day以下である。
【００２３】上記樹脂硬化物層は、フェノキシエーテル
型架橋性樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、アク
リルシリコーン樹脂、シリコーン樹脂、メラミン系樹
脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、
ホスファゼン系樹脂からなる群より選択される少なくと
も１種の樹脂から構成され得る。
型架橋性樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、アク
リルシリコーン樹脂、シリコーン樹脂、メラミン系樹
脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、
ホスファゼン系樹脂からなる群より選択される少なくと
も１種の樹脂から構成され得る。
【００２４】また上記薄膜層は、スパッタリング法で製
膜される。
膜される。
【００２５】また上記薄膜層は、プラズマＣＶＤ法で製
膜される。
膜される。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下本発明を詳細に説明する。
【００２７】上記プラスチックフィルム（１１）として
は、機械的強度に優れた材料が用いられる。さらに、液
晶表示パネルに用いられる場合には光学的特性に優れた
材料が用いられる。このような材料として、一軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、高分子製の光等方
性ベースシートなどが用いられ得る。
は、機械的強度に優れた材料が用いられる。さらに、液
晶表示パネルに用いられる場合には光学的特性に優れた
材料が用いられる。このような材料として、一軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、高分子製の光等方
性ベースシートなどが用いられ得る。
【００２８】光等方性ベースシートとしては、硬質ポリ
塩化ビニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポ
リカーボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリ
エステルフィルム、ポリ-4-メチルペンテンフィルム、
ポリフェニレンオキサイドフィルム、ポリエーテルスル
ホンフィルム、ポリアリレートフィルム、アモルファス
ポリオレフィン、ノルボルネン系ポリマー、ポリアミド
イミドフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチ
レン−ビニルアルコール共重合体フィルム、セルロース
フィルム（セルローストリアセテート、セルロースジア
セテート、セルロースアセテートブチレート等）などが
用いられ得る。この光等方性ベースシートは、単層のみ
ならず、複層であってもよい。
塩化ビニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポ
リカーボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリ
エステルフィルム、ポリ-4-メチルペンテンフィルム、
ポリフェニレンオキサイドフィルム、ポリエーテルスル
ホンフィルム、ポリアリレートフィルム、アモルファス
ポリオレフィン、ノルボルネン系ポリマー、ポリアミド
イミドフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチ
レン−ビニルアルコール共重合体フィルム、セルロース
フィルム（セルローストリアセテート、セルロースジア
セテート、セルロースアセテートブチレート等）などが
用いられ得る。この光等方性ベースシートは、単層のみ
ならず、複層であってもよい。
【００２９】5000nm以上（特に、8000nm以上）のレタデ
ーション値および75％以上の可視光線透過率を有する一
軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムが好適に用
いられる。一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィル
ムのレタデーション値が5000nmよりも小さい場合、干渉
縞が液晶表示パネルに表れて、表示品位が良好でない。
ここで、レタデーション値とは、フィルム上の直交する
二軸の屈折率の異方性（△Ｎ＝Ｎｘ−Ｎｙ）とフィルム
厚ｄとの積（△Ｎ×ｄ）である。
ーション値および75％以上の可視光線透過率を有する一
軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムが好適に用
いられる。一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィル
ムのレタデーション値が5000nmよりも小さい場合、干渉
縞が液晶表示パネルに表れて、表示品位が良好でない。
ここで、レタデーション値とは、フィルム上の直交する
二軸の屈折率の異方性（△Ｎ＝Ｎｘ−Ｎｙ）とフィルム
厚ｄとの積（△Ｎ×ｄ）である。
【００３０】あるいは、上記プラスチックフィルム（１
１）として30nm以下（特に、20nm以下）のレタデーショ
ン値および75％以上の可視光線透過率を有する光等方性
ベースシートが好適に用いられる。光等方性ベースシー
トのレタデーション値が30nm以上であると液晶表示パネ
ルの表示品位が良好でない。このような光等方性ベース
シートは、通常、流延法により製膜することにより得ら
れるが、レタデーション値および可視光線透過率が上記
の条件を満足していれば、押出法など他の成形法を採用
し得る。
１）として30nm以下（特に、20nm以下）のレタデーショ
ン値および75％以上の可視光線透過率を有する光等方性
ベースシートが好適に用いられる。光等方性ベースシー
トのレタデーション値が30nm以上であると液晶表示パネ
ルの表示品位が良好でない。このような光等方性ベース
シートは、通常、流延法により製膜することにより得ら
れるが、レタデーション値および可視光線透過率が上記
の条件を満足していれば、押出法など他の成形法を採用
し得る。
【００３１】プラスチックフィルム（１１）の厚さは、
一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムでは50〜
500μm、および光等方性ベースシートでは30〜500μmが
適当である。厚さが一軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムでは50μm、光等方性ベースシートでは30μm
よりも薄い場合、機械的強度が充分ではなく、一方500
μmを越える場合、薄いというプラスチックフィルムの
利点がなくなる。
一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムでは50〜
500μm、および光等方性ベースシートでは30〜500μmが
適当である。厚さが一軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムでは50μm、光等方性ベースシートでは30μm
よりも薄い場合、機械的強度が充分ではなく、一方500
μmを越える場合、薄いというプラスチックフィルムの
利点がなくなる。
【００３２】上記プラスチックフィルムの少なくとも片
面には酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）が設けら
れる。この薄膜層はプラスチックフィルムにガスバリア
性を付与する。
面には酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）が設けら
れる。この薄膜層はプラスチックフィルムにガスバリア
性を付与する。
【００３３】上記酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）中には、ガスバリア性が損なわれない範囲で微量
（全成分に対して約５重量％まで）の他の成分を含有し
得る。
２）中には、ガスバリア性が損なわれない範囲で微量
（全成分に対して約５重量％まで）の他の成分を含有し
得る。
【００３４】この薄膜層（１２）の厚さは、特に限定さ
れないが、ガスバリア性および可撓性の点から、好まし
くは30〜8000Å、より好ましくは70〜5000Åである。こ
の厚さが50Å未満の場合、本発明のフィルムのガスバリ
ア性が不充分となり、逆に8000Åを超える場合、可撓性
が不充分となって好ましくない。また酸化珪素は、その
特性を損なわない限り、光学的等方性の点で非晶質状態
であることが好ましい。
れないが、ガスバリア性および可撓性の点から、好まし
くは30〜8000Å、より好ましくは70〜5000Åである。こ
の厚さが50Å未満の場合、本発明のフィルムのガスバリ
ア性が不充分となり、逆に8000Åを超える場合、可撓性
が不充分となって好ましくない。また酸化珪素は、その
特性を損なわない限り、光学的等方性の点で非晶質状態
であることが好ましい。
【００３５】酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
は、代表的にはSi、SiO、SiO2、またはSiとSiO2との混
合体などをターゲット材料として用い、スパッタリング
法、プラズマＣＶＤ法などを用いて製膜される。
は、代表的にはSi、SiO、SiO2、またはSiとSiO2との混
合体などをターゲット材料として用い、スパッタリング
法、プラズマＣＶＤ法などを用いて製膜される。
【００３６】ターゲット材料がSiO、SiO2、またはSiとS
iO2との混合体のような、絶縁材料または半絶縁材料で
ある場合、好ましくは高周波電力を印加してプラズマを
発生させて製膜し得る。ターゲット材料がSiである場
合、プラズマを発生させるために直流、または交流の電
力を供給して製膜し得る。
iO2との混合体のような、絶縁材料または半絶縁材料で
ある場合、好ましくは高周波電力を印加してプラズマを
発生させて製膜し得る。ターゲット材料がSiである場
合、プラズマを発生させるために直流、または交流の電
力を供給して製膜し得る。
【００３７】スパッタリング時のガス組成は、代表的に
はアルゴンまたはヘリウム等の不活性ガスを主成分と
し、必要に応じて酸素、水素等の反応性ガスを添加し得
る。スパッタリング時の圧力は、通常、5×10-4〜5×10
-3Torrの範囲内で行われる。
はアルゴンまたはヘリウム等の不活性ガスを主成分と
し、必要に応じて酸素、水素等の反応性ガスを添加し得
る。スパッタリング時の圧力は、通常、5×10-4〜5×10
-3Torrの範囲内で行われる。
【００３８】5×10-4〜5×10-3Torrの範囲の圧力でスパ
ッタリングすると、ターゲット材料からエネルギーの高
い粒子がスパッタリングされ、プラスチックフィルム
（１１）と薄膜層（１２）との界面に酸化珪素とプラス
チックの混合層が形成される。この混合層が存在するた
め、プラスチックフィルム（１１）と薄膜層（１２）と
の密着力が増強され、層間密着力が300g／inch以上の電
極基板が得られる。
ッタリングすると、ターゲット材料からエネルギーの高
い粒子がスパッタリングされ、プラスチックフィルム
（１１）と薄膜層（１２）との界面に酸化珪素とプラス
チックの混合層が形成される。この混合層が存在するた
め、プラスチックフィルム（１１）と薄膜層（１２）と
の密着力が増強され、層間密着力が300g／inch以上の電
極基板が得られる。
【００３９】圧力が5×10-4Torr未満である場合、放電
が不安定になりその一方5×10-3Torrを越える場合、得
られる薄膜層の比重が低下し、いずれも薄膜層（１２）
と下地のプラスチックフィルム（１１）との密着力が十
分でない。さらに、後述のような理由により薄膜層と樹
脂硬化物層との密着力が不十分である。
が不安定になりその一方5×10-3Torrを越える場合、得
られる薄膜層の比重が低下し、いずれも薄膜層（１２）
と下地のプラスチックフィルム（１１）との密着力が十
分でない。さらに、後述のような理由により薄膜層と樹
脂硬化物層との密着力が不十分である。
【００４０】プラズマＣＶＤ法により薄膜層（１２）を
製膜する場合、代表的には原料ガスとして、SiH4、Si2H
6、SiH2Cl2、SiHCl3等のシラン系ガス、またはテトラメ
チルジシロキサン、ヘキサメチルジジロキサン等のシロ
キサン化合物が用いられる。反応性ガスとして、O2、H2
O、N2O、CO、CO2等を導入し、キャリアガスとして、A
r、He、Xr等の不活性ガスを導入する。プラズマ発生方
式として、高周波放電、マイクロ波放電、または電子サ
イクロトロン共鳴放電などが用いられる。
製膜する場合、代表的には原料ガスとして、SiH4、Si2H
6、SiH2Cl2、SiHCl3等のシラン系ガス、またはテトラメ
チルジシロキサン、ヘキサメチルジジロキサン等のシロ
キサン化合物が用いられる。反応性ガスとして、O2、H2
O、N2O、CO、CO2等を導入し、キャリアガスとして、A
r、He、Xr等の不活性ガスを導入する。プラズマ発生方
式として、高周波放電、マイクロ波放電、または電子サ
イクロトロン共鳴放電などが用いられる。
【００４１】プラズマＣＶＤを行う際の圧力は、通常、
5×10-4〜3×10-1Torrの範囲内で行われる。5×10-4〜3
×10-1Torrの範囲の圧力でプラズマを発生すると、真空
チェンバー内で原料ガスおよび反応性ガスからエネルギ
ーの高い解離した粒子が発生し、プラスチックフィルム
（１１）と薄膜層（１２）との界面に酸化珪素とプラス
チックの混合層が形成される。この混合層が存在するた
めに、プラスチックフィルム（１１）と薄膜層（１２）
との密着力が増強され、層間密着力が300g／inch以上の
電極基板が得られる。
5×10-4〜3×10-1Torrの範囲内で行われる。5×10-4〜3
×10-1Torrの範囲の圧力でプラズマを発生すると、真空
チェンバー内で原料ガスおよび反応性ガスからエネルギ
ーの高い解離した粒子が発生し、プラスチックフィルム
（１１）と薄膜層（１２）との界面に酸化珪素とプラス
チックの混合層が形成される。この混合層が存在するた
めに、プラスチックフィルム（１１）と薄膜層（１２）
との密着力が増強され、層間密着力が300g／inch以上の
電極基板が得られる。
【００４２】圧力が5×10-4Torr未満の場合、放電が不
安定になり、その一方3×10-1Torrを越える場合、得ら
れる薄膜構造の比重が低下し、いずれも薄膜層（１２）
と下地のプラスチックフィルム（１１）との密着力が十
分でない。さらに、後述のような理由により薄膜層と樹
脂硬化物層との密着力が不十分である。
安定になり、その一方3×10-1Torrを越える場合、得ら
れる薄膜構造の比重が低下し、いずれも薄膜層（１２）
と下地のプラスチックフィルム（１１）との密着力が十
分でない。さらに、後述のような理由により薄膜層と樹
脂硬化物層との密着力が不十分である。
【００４３】上記樹脂硬化物層（１３）として、加熱硬
化型樹脂硬化物質層（フェノキシエーテル型架橋性樹
脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、アクリルシリコ
ーン樹脂、シリコーン樹脂、メラミン系樹脂、フェノー
ル系樹脂、ウレタン系樹脂、またはゴム系樹脂等）、紫
外線硬化型樹脂硬化物層（紫外線硬化型アクリル系樹
脂、またはホスファゼン系樹脂等）、または電子線硬化
型樹脂硬化物層などが使用され得る。樹脂硬化物層の厚
さは、0.5〜50μmの範囲内であることが好ましい。厚さ
が0.5μm未満の場合、以下に記述するようなウェットプ
ロセスでは層を製膜することが困難であり、一方50μm
よりも厚い場合、電極基板全体の厚みが厚くなり過ぎ、
プラスチックフィルムの特徴である薄さが無くなる。こ
の樹脂硬化物層（１３）もまた、光等方性を有すること
が必要である。
化型樹脂硬化物質層（フェノキシエーテル型架橋性樹
脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、アクリルシリコ
ーン樹脂、シリコーン樹脂、メラミン系樹脂、フェノー
ル系樹脂、ウレタン系樹脂、またはゴム系樹脂等）、紫
外線硬化型樹脂硬化物層（紫外線硬化型アクリル系樹
脂、またはホスファゼン系樹脂等）、または電子線硬化
型樹脂硬化物層などが使用され得る。樹脂硬化物層の厚
さは、0.5〜50μmの範囲内であることが好ましい。厚さ
が0.5μm未満の場合、以下に記述するようなウェットプ
ロセスでは層を製膜することが困難であり、一方50μm
よりも厚い場合、電極基板全体の厚みが厚くなり過ぎ、
プラスチックフィルムの特徴である薄さが無くなる。こ
の樹脂硬化物層（１３）もまた、光等方性を有すること
が必要である。
【００４４】本発明の電極基板（１）全体のレターデー
ション値、および可視光線透過率がそれぞれ30nm以下、
および70％以上となるように樹脂硬化物層（１３）を形
成する。
ション値、および可視光線透過率がそれぞれ30nm以下、
および70％以上となるように樹脂硬化物層（１３）を形
成する。
【００４５】樹脂硬化物層（１３）は、その表面粗度
が、触診式表面粗さ計による測定において、Rmaxで0.5
μm以下、およびRa.で0.01μm以下、好ましくはRmaxで
0.2μm以下、およびRa.で0.007μm以下、さらに好まし
くはRmaxで0.1μm以下、およびRa.で0.005μm以下とな
るように形成される。ここで、RmaxはJIS B0601に記載
の最大高さを表し、そしてRa.はJIS B0601に記載の中心
線平均粗さを表す。
が、触診式表面粗さ計による測定において、Rmaxで0.5
μm以下、およびRa.で0.01μm以下、好ましくはRmaxで
0.2μm以下、およびRa.で0.007μm以下、さらに好まし
くはRmaxで0.1μm以下、およびRa.で0.005μm以下とな
るように形成される。ここで、RmaxはJIS B0601に記載
の最大高さを表し、そしてRa.はJIS B0601に記載の中心
線平均粗さを表す。
【００４６】樹脂硬化物層（１３）の表面粗度を、上記
のように小さくする方法として、例えば、以下に述べる
第１、第２または第３の方法が採用される。
のように小さくする方法として、例えば、以下に述べる
第１、第２または第３の方法が採用される。
【００４７】第１の方法では、まず、製膜されたプラス
チックフィルム（１１）と平滑化鋳型材（Ｆ）との間隙
に加熱硬化型樹脂組成物、紫外線硬化型樹脂組成物また
は電子線硬化型樹脂組成物を供給して、該樹脂組成物が
両者間に層状に狭持されるようにする。この場合、プラ
スチックフィルム（１１）が一方の製膜用ロールに、そ
して平滑化鋳型材（Ｆ）が他方の製膜用ロールにそれぞ
れ供給されるようにしておき、そして両製膜ロール間の
間隙を所定の値に調整しておく。次いで、加熱照射、紫
外線照射または電子線照射により上記の狭持層を硬化さ
せて樹脂硬化物層（１３）／平滑化鋳型材（Ｆ）からな
る積層シートを得、その後の適当な段階でその積層シー
トから平滑化鋳型材（Ｆ）を剥離除去する。
チックフィルム（１１）と平滑化鋳型材（Ｆ）との間隙
に加熱硬化型樹脂組成物、紫外線硬化型樹脂組成物また
は電子線硬化型樹脂組成物を供給して、該樹脂組成物が
両者間に層状に狭持されるようにする。この場合、プラ
スチックフィルム（１１）が一方の製膜用ロールに、そ
して平滑化鋳型材（Ｆ）が他方の製膜用ロールにそれぞ
れ供給されるようにしておき、そして両製膜ロール間の
間隙を所定の値に調整しておく。次いで、加熱照射、紫
外線照射または電子線照射により上記の狭持層を硬化さ
せて樹脂硬化物層（１３）／平滑化鋳型材（Ｆ）からな
る積層シートを得、その後の適当な段階でその積層シー
トから平滑化鋳型材（Ｆ）を剥離除去する。
【００４８】上記における平滑化鋳型材（Ｆ）として、
二軸延伸ポリエチレンテレフタレートシートまたは二軸
延伸ポリエチレンナフタレートシート等の二軸延伸ポリ
エステルフィルム、あるいは二軸延伸ポリプロピレンフ
ィルムなどが用いられる。平滑化鋳型材（Ｆ）として、
その表面粗度がRmaxで0.15μm以下、およびRaで0.01μm
以下、好ましくはRmaxで0.05μm以下、およびRaで0.007
μm以下、さらに好ましくはRmaxで0.01μm以下、および
Raで0.005μm以下である材が用いられ得る。
二軸延伸ポリエチレンテレフタレートシートまたは二軸
延伸ポリエチレンナフタレートシート等の二軸延伸ポリ
エステルフィルム、あるいは二軸延伸ポリプロピレンフ
ィルムなどが用いられる。平滑化鋳型材（Ｆ）として、
その表面粗度がRmaxで0.15μm以下、およびRaで0.01μm
以下、好ましくはRmaxで0.05μm以下、およびRaで0.007
μm以下、さらに好ましくはRmaxで0.01μm以下、および
Raで0.005μm以下である材が用いられ得る。
【００４９】第２の方法は、製膜されたプラスチックフ
ィルム（１１）または平滑化鋳型材（Ｆ）の一方に加熱
硬化型樹脂組成物、紫外線硬化型樹脂組成物あるいは電
子線硬化型樹脂組成物を流延しておき、次いで、該流延
層に平滑化鋳型材（Ｆ）またはプラスチックフィルム
（１１）の他方を被覆させながら、製膜ロールの間隙に
より狭持層の厚さを制御しつつ、加熱照射、紫外線照射
または電子線照射によりその狭持層を硬化させて樹脂硬
化物層（１３）とする方法である。
ィルム（１１）または平滑化鋳型材（Ｆ）の一方に加熱
硬化型樹脂組成物、紫外線硬化型樹脂組成物あるいは電
子線硬化型樹脂組成物を流延しておき、次いで、該流延
層に平滑化鋳型材（Ｆ）またはプラスチックフィルム
（１１）の他方を被覆させながら、製膜ロールの間隙に
より狭持層の厚さを制御しつつ、加熱照射、紫外線照射
または電子線照射によりその狭持層を硬化させて樹脂硬
化物層（１３）とする方法である。
【００５０】第３の方法は、製膜されたプラスチックフ
ィルム（１１）上に加熱硬化型樹脂組成物、紫外線硬化
型樹脂組成物または電子線硬化型樹脂組成物を流延して
おき、そして該流延層に平滑化鋳型材（Ｆ）としての平
滑加工したガラスを押し当てながら狭持層の厚さを制御
しつつ、加熱照射、紫外線照射または電子線照射により
その狭持層を硬化させて樹脂硬化物層（１３）とする方
法である。この方法においては、使用したガラスが反復
使用され得る。
ィルム（１１）上に加熱硬化型樹脂組成物、紫外線硬化
型樹脂組成物または電子線硬化型樹脂組成物を流延して
おき、そして該流延層に平滑化鋳型材（Ｆ）としての平
滑加工したガラスを押し当てながら狭持層の厚さを制御
しつつ、加熱照射、紫外線照射または電子線照射により
その狭持層を硬化させて樹脂硬化物層（１３）とする方
法である。この方法においては、使用したガラスが反復
使用され得る。
【００５１】以上のような手法で製膜した樹脂硬化物層
（１３）と酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）と
は、300g／inch以上の非常に強い層間密着力を有する。
これは酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）の表面
に、通常の溶融急冷法で作製した板ガラスと同様に、シ
ラノール基が多数存在するためである。すなわち、この
表面シラノール基と樹脂硬化物とが強固に化学結合する
ため、樹脂硬化物層（１３）と酸化硅素を主成分とする
薄膜層（１２）との密着力は、極めて強い。
（１３）と酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）と
は、300g／inch以上の非常に強い層間密着力を有する。
これは酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）の表面
に、通常の溶融急冷法で作製した板ガラスと同様に、シ
ラノール基が多数存在するためである。すなわち、この
表面シラノール基と樹脂硬化物とが強固に化学結合する
ため、樹脂硬化物層（１３）と酸化硅素を主成分とする
薄膜層（１２）との密着力は、極めて強い。
【００５２】しかし、酸化硅素を主成分とする薄膜の比
重が低下するに伴い、表面シラノール基の数が低下す
る。薄膜の比重が低下する物理的意味合いは、単位体積
中に存在する硅素および酸素の原子数が少なくなること
であり、表面においても硅素および酸素の原子数が少な
くなる。従って、表面において、硅素および酸素による
三次元網目構造を終端しているシラノール基の数が少な
くなる。
重が低下するに伴い、表面シラノール基の数が低下す
る。薄膜の比重が低下する物理的意味合いは、単位体積
中に存在する硅素および酸素の原子数が少なくなること
であり、表面においても硅素および酸素の原子数が少な
くなる。従って、表面において、硅素および酸素による
三次元網目構造を終端しているシラノール基の数が少な
くなる。
【００５３】通常の溶融急冷法で成形したシリカガラス
と同じ2.2の比重を有する酸化硅素を主成分とする薄膜
層（１２）上に製膜した樹脂硬化物層（１３）は、1000
g／inch以上の非常に強い薄膜層との密着力を有する
が、酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）の比重が低
下するに伴い、樹脂硬化物層（１３）の薄膜層との密着
力は低下する。酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
の比重が2.0以上の場合、樹脂硬化物層は、液晶表示パ
ネル製造プロセスに耐える300g／inch以上の薄膜層との
密着力を有する。
と同じ2.2の比重を有する酸化硅素を主成分とする薄膜
層（１２）上に製膜した樹脂硬化物層（１３）は、1000
g／inch以上の非常に強い薄膜層との密着力を有する
が、酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）の比重が低
下するに伴い、樹脂硬化物層（１３）の薄膜層との密着
力は低下する。酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
の比重が2.0以上の場合、樹脂硬化物層は、液晶表示パ
ネル製造プロセスに耐える300g／inch以上の薄膜層との
密着力を有する。
【００５４】本発明における比重とは、ある温度で、あ
る体積を占める物質の質量と、それと同体積の標準物質
の質量（４℃における水）との比を意味する。比重の測
定においては、通常物体の質量および体積を測定し、そ
してその質量と、同体積の４℃の水の質量との比を求め
ればよいが、本発明の薄膜の測定では、体積の測定が困
難である。そこで、まずプラスチックフィルム（１１）
のみを溶解することにより、薄膜のみからなる単独膜の
状態を形成した後、JIS K7112にあるような比重測定法
を用いることが望ましい。例えば、浮沈法では、試料を
比重既知の溶液中に浸漬させ、そしてその浮沈状態から
薄膜の比重を測定し得る。この溶液として、四塩化炭素
と、ブロモホルムまたはヨウ化メチレン等との混合液を
用い得る。また、連続的に密度勾配を有する溶液中に単
独膜を浸漬させる密度勾配法によって、比重を測定し得
る。
る体積を占める物質の質量と、それと同体積の標準物質
の質量（４℃における水）との比を意味する。比重の測
定においては、通常物体の質量および体積を測定し、そ
してその質量と、同体積の４℃の水の質量との比を求め
ればよいが、本発明の薄膜の測定では、体積の測定が困
難である。そこで、まずプラスチックフィルム（１１）
のみを溶解することにより、薄膜のみからなる単独膜の
状態を形成した後、JIS K7112にあるような比重測定法
を用いることが望ましい。例えば、浮沈法では、試料を
比重既知の溶液中に浸漬させ、そしてその浮沈状態から
薄膜の比重を測定し得る。この溶液として、四塩化炭素
と、ブロモホルムまたはヨウ化メチレン等との混合液を
用い得る。また、連続的に密度勾配を有する溶液中に単
独膜を浸漬させる密度勾配法によって、比重を測定し得
る。
【００５５】このようにして得られた本発明の電極基板
（１）の樹脂硬化物層（１３）上に、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、またはイオンプレーティング法等の手段
により透明電極が形成され得る。透明電極の厚さは、10
0〜3000Åの範囲内であることが好ましい。透明電極の
厚さが100Å未満の場合、導電性が十分ではなく、一方3
000Åを越える場合、透明性が損なわれる。透明電極と
して、インジウムスズ複合酸化物、インジウム亜鉛複合
酸化物、およびインジウムカドミウム複合酸化物が好適
であるが、他の導電性金属酸化物もまた用いられ得る。
（１）の樹脂硬化物層（１３）上に、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、またはイオンプレーティング法等の手段
により透明電極が形成され得る。透明電極の厚さは、10
0〜3000Åの範囲内であることが好ましい。透明電極の
厚さが100Å未満の場合、導電性が十分ではなく、一方3
000Åを越える場合、透明性が損なわれる。透明電極と
して、インジウムスズ複合酸化物、インジウム亜鉛複合
酸化物、およびインジウムカドミウム複合酸化物が好適
であるが、他の導電性金属酸化物もまた用いられ得る。
【００５６】形成した透明電極上に、さらに必要に応じ
て配向膜を形成させる。そしてこのようにして作製され
た透明電極を備えた電極基板２枚を、それぞれの透明電
極側が対向する状態で所定の間隔をあけて配置し、次い
でその間隙に液晶を封入することによって（周囲はシー
ルしておく）、液晶セルが作製される。液晶として、ポ
リマー液晶が用いられ得る。
て配向膜を形成させる。そしてこのようにして作製され
た透明電極を備えた電極基板２枚を、それぞれの透明電
極側が対向する状態で所定の間隔をあけて配置し、次い
でその間隙に液晶を封入することによって（周囲はシー
ルしておく）、液晶セルが作製される。液晶として、ポ
リマー液晶が用いられ得る。
【００５７】液晶表示パネルは、この液晶セル片面に偏
光板、そして他面に位相差板を介して偏光板を積層する
ことにより作製される。位相差板を省略するか、または
位相差板に代えて補償用液晶セルが用いられ得る。
光板、そして他面に位相差板を介して偏光板を積層する
ことにより作製される。位相差板を省略するか、または
位相差板に代えて補償用液晶セルが用いられ得る。
【００５８】上記の電極基板はまた、偏光板または位相
差板と一体となった一体型基板にし得る。
差板と一体となった一体型基板にし得る。
【００５９】
【実施例】次に、実施例を挙げて本説明をさらに説明す
る。以下「部」とあるのは重量部である。
る。以下「部」とあるのは重量部である。
【００６０】（実施例１）図１は本発明の電極基板の一
例を模式的に示した断面図であり、透明電極（２）を付
した状態を示してある。図２はその電極基板を用いて作
製した液晶セルの一例を模式的に示した断面図である。
図３はその液晶セルを用いて作製した液晶表示パネルの
一例を模式的に示した断面図である。
例を模式的に示した断面図であり、透明電極（２）を付
した状態を示してある。図２はその電極基板を用いて作
製した液晶セルの一例を模式的に示した断面図である。
図３はその液晶セルを用いて作製した液晶表示パネルの
一例を模式的に示した断面図である。
【００６１】プラスチックフィルム（１１）として、厚
さが100μm、レタデーション値が10200nm、および可視
光線透過率が91％である一軸延伸ポリエチレンテレフタ
レートフィルムを用いた。
さが100μm、レタデーション値が10200nm、および可視
光線透過率が91％である一軸延伸ポリエチレンテレフタ
レートフィルムを用いた。
【００６２】この一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムの片面に、酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）をスパッタリング法で製膜した。この時、ターゲッ
ト材としてSiO2を用い、13.56MHzの高周波電力を2kW供
給した。また、ガスとして、アルゴンを80sccm、および
酸素を10sccmを供給した。この時の圧力は2×10-3Torr
である。さらに製膜速度を向上させるために、スパッタ
リング法としてマグネトロンスパッタリング法を用い
た。以上のような製膜条件下で、一軸延伸ポリエチレン
テレフタレートフィルムを5m／minの速度で走行させ、
そして200Å厚の酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）を形成した。
フィルムの片面に、酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）をスパッタリング法で製膜した。この時、ターゲッ
ト材としてSiO2を用い、13.56MHzの高周波電力を2kW供
給した。また、ガスとして、アルゴンを80sccm、および
酸素を10sccmを供給した。この時の圧力は2×10-3Torr
である。さらに製膜速度を向上させるために、スパッタ
リング法としてマグネトロンスパッタリング法を用い
た。以上のような製膜条件下で、一軸延伸ポリエチレン
テレフタレートフィルムを5m／minの速度で走行させ、
そして200Å厚の酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）を形成した。
【００６３】この酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）の比重を測定するために、上記の積層シートの一部
を切り出し、次いで一軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを溶解して薄膜のみの単独膜を得、そして浮
沈法により比重測定を行った。この結果、上記のような
条件で製膜した酸化硅素を主成分とする薄膜の比重は2.
14であった。
２）の比重を測定するために、上記の積層シートの一部
を切り出し、次いで一軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを溶解して薄膜のみの単独膜を得、そして浮
沈法により比重測定を行った。この結果、上記のような
条件で製膜した酸化硅素を主成分とする薄膜の比重は2.
14であった。
【００６４】わずかの間隔をあけて平行に配置した一対
の製膜ロールの一方に上記の、一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルム上に酸化硅素を主成分とする薄膜
を積層したシートを供給しながら走行させ、他方の製膜
ロールには平滑用鋳型剤（Ｆ）の一例として厚さ50μ
m、表面粗度Ra=0.004μm、Rmax=0.05μmのコロナ処理し
ていない二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
（東洋紡績(株)製：A4100）を平滑面が上面となるよう
に供給しながら走行させ、そして両製膜用ロールの間隔
に向けて、エポキシアクリル樹脂「V-254PA」100部にベ
ンゾフェノン３部を加えた紫外線硬化型樹脂組成物を吐
出した。
の製膜ロールの一方に上記の、一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルム上に酸化硅素を主成分とする薄膜
を積層したシートを供給しながら走行させ、他方の製膜
ロールには平滑用鋳型剤（Ｆ）の一例として厚さ50μ
m、表面粗度Ra=0.004μm、Rmax=0.05μmのコロナ処理し
ていない二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
（東洋紡績(株)製：A4100）を平滑面が上面となるよう
に供給しながら走行させ、そして両製膜用ロールの間隔
に向けて、エポキシアクリル樹脂「V-254PA」100部にベ
ンゾフェノン３部を加えた紫外線硬化型樹脂組成物を吐
出した。
【００６５】吐出された紫外線硬化型樹脂組成物は、一
軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムの酸化硅素
を主成分とする薄膜層（１２）形成側の面と平滑化鋳型
材の（Ｆ）の平滑面との間に狭持されたので、この状態
で走行させながら、高圧水銀灯により、150w／cm、１
灯、７秒、距離25mmの条件で紫外線照射した。これによ
り狭持層は硬化し、厚さ15μmの樹脂硬化物層（１３）
となった。
軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムの酸化硅素
を主成分とする薄膜層（１２）形成側の面と平滑化鋳型
材の（Ｆ）の平滑面との間に狭持されたので、この状態
で走行させながら、高圧水銀灯により、150w／cm、１
灯、７秒、距離25mmの条件で紫外線照射した。これによ
り狭持層は硬化し、厚さ15μmの樹脂硬化物層（１３）
となった。
【００６６】上記の操作を一軸延伸ポリエチレンテレフ
タレートフィルムの他面に対しても実施し、厚さ200Å
の酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）および厚さ15
μmの樹脂硬化物層（１３）を形成させた。
タレートフィルムの他面に対しても実施し、厚さ200Å
の酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）および厚さ15
μmの樹脂硬化物層（１３）を形成させた。
【００６７】これにより、平滑化鋳型材（Ｆ）／樹脂硬
化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）／一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
（プラスチックフィルム（１１））／酸化硅素を主成分
とする薄膜層（１２）／樹脂硬化物層（１３）／平滑化
鋳型材（Ｆ）の層構成を有する積層シートが得られた。
平滑化鋳型材（Ｆ）を剥離除去した後の樹脂硬化物層
（１３）の表面粗度は、触診式表面粗さ計による測定に
おいて、Ra=0.004μm以下、Rmax=0.1μm以下であった。
化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）／一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
（プラスチックフィルム（１１））／酸化硅素を主成分
とする薄膜層（１２）／樹脂硬化物層（１３）／平滑化
鋳型材（Ｆ）の層構成を有する積層シートが得られた。
平滑化鋳型材（Ｆ）を剥離除去した後の樹脂硬化物層
（１３）の表面粗度は、触診式表面粗さ計による測定に
おいて、Ra=0.004μm以下、Rmax=0.1μm以下であった。
【００６８】上記で得た積層シートの層間密着力を測定
するために、以下のような手法を用いた。まず積層シー
トの両面の平滑化鋳型材（Ｆ）を剥離除去し、そして露
出した樹脂硬化物層（１３）上に、ポリエステルポリウ
レタン系接着剤（武田薬品(株)製：A-310）100部にイソ
シアネート系硬化剤（武田薬品(株)製：A-3）10部を加
えた熱硬化型接着剤を厚さ3μmで塗布した。この上にコ
ロナ処理を施した厚さ100μmの二軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルム（東洋紡績(株)製：E5100）をラ
ミネートし、45℃４日間の条件で硬化させた。このよう
にして作製した二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム／熱硬化型接着剤層／樹脂硬化物層（１３）／酸
化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／一軸延伸ポリエ
チレンテレフタレートフィルム（プラスチックフィルム
（１１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／
樹脂硬化物層（１３）からなる積層シートにおいて、二
軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムとそれ以外
の部分をつかみ、JIS K6854に準拠した90度Ｔ型剥離法
によって剥離強度を測定した。この結果、870g／inchの
剥離強度を示し、また剥離界面は樹脂硬化物層（１３）
／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）であった。こ
の結果より、本発明の電極基板である樹脂硬化物層（１
３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／一軸延
伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（プラスチック
フィルム（１１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層
（１２）／樹脂硬化物層（１３）は、最も弱い層間にお
いても870g／inchの密着力を有していることが分かっ
た。
するために、以下のような手法を用いた。まず積層シー
トの両面の平滑化鋳型材（Ｆ）を剥離除去し、そして露
出した樹脂硬化物層（１３）上に、ポリエステルポリウ
レタン系接着剤（武田薬品(株)製：A-310）100部にイソ
シアネート系硬化剤（武田薬品(株)製：A-3）10部を加
えた熱硬化型接着剤を厚さ3μmで塗布した。この上にコ
ロナ処理を施した厚さ100μmの二軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルム（東洋紡績(株)製：E5100）をラ
ミネートし、45℃４日間の条件で硬化させた。このよう
にして作製した二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム／熱硬化型接着剤層／樹脂硬化物層（１３）／酸
化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／一軸延伸ポリエ
チレンテレフタレートフィルム（プラスチックフィルム
（１１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／
樹脂硬化物層（１３）からなる積層シートにおいて、二
軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムとそれ以外
の部分をつかみ、JIS K6854に準拠した90度Ｔ型剥離法
によって剥離強度を測定した。この結果、870g／inchの
剥離強度を示し、また剥離界面は樹脂硬化物層（１３）
／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）であった。こ
の結果より、本発明の電極基板である樹脂硬化物層（１
３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／一軸延
伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（プラスチック
フィルム（１１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層
（１２）／樹脂硬化物層（１３）は、最も弱い層間にお
いても870g／inchの密着力を有していることが分かっ
た。
【００６９】この電極基板のガスバリア性を評価するた
め、酸素透過度を酸素透過度測定装置（モダンコントロ
ールズ社製、OX-TRAN100）を用いて測定した。測定条件
は25℃、80％RHとした。測定結果は、0.11cc／m2・atm
・dayであり、極めて高いガスバリア性を示した。
め、酸素透過度を酸素透過度測定装置（モダンコントロ
ールズ社製、OX-TRAN100）を用いて測定した。測定条件
は25℃、80％RHとした。測定結果は、0.11cc／m2・atm
・dayであり、極めて高いガスバリア性を示した。
【００７０】このようにして得られた電極基板（１）
は、樹脂硬化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄
膜層（１２）／一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム（プラスチックフィルム（１１））／酸化硅素を
主成分とする薄膜層（１２）／樹脂硬化物層（１３）の
層構成を有し、全体のレターデーション値は10200nm、
可視光線透過率は85％、厚さは130μmであった。
は、樹脂硬化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄
膜層（１２）／一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム（プラスチックフィルム（１１））／酸化硅素を
主成分とする薄膜層（１２）／樹脂硬化物層（１３）の
層構成を有し、全体のレターデーション値は10200nm、
可視光線透過率は85％、厚さは130μmであった。
【００７１】次いで、片方の樹脂硬化物層（１３）上
に、スパッタリング法により厚さ300Åのインジウムス
ズ複合酸化物からなる透明電極（２）を形成した。この
透明電極（２）の表面抵抗率は100Ω／□である。以上
のような手法で透明電極（２）を備えた電極基板（１）
を得た。
に、スパッタリング法により厚さ300Åのインジウムス
ズ複合酸化物からなる透明電極（２）を形成した。この
透明電極（２）の表面抵抗率は100Ω／□である。以上
のような手法で透明電極（２）を備えた電極基板（１）
を得た。
【００７２】液晶セル（５）は、上記の透明電極（２）
を備えた電極基板（１）の透明電極（２）面に配向膜を
形成した後、図２のようにその透明電極（２）を備えた
電極基板（１）２枚をそれぞれの透明電極（２）が対向
する状態で所定の間隔をあけて配置すると共に、その間
隙に液晶（３）を封入することにより作製される。図２
中の（４）はシールである。
を備えた電極基板（１）の透明電極（２）面に配向膜を
形成した後、図２のようにその透明電極（２）を備えた
電極基板（１）２枚をそれぞれの透明電極（２）が対向
する状態で所定の間隔をあけて配置すると共に、その間
隙に液晶（３）を封入することにより作製される。図２
中の（４）はシールである。
【００７３】液晶表示パネルは、上記液晶セル（５）の
片面に偏光板（６）、他面に位相差板（７）を介して偏
光板（６）を積層することにより作製される。
片面に偏光板（６）、他面に位相差板（７）を介して偏
光板（６）を積層することにより作製される。
【００７４】このようにして製作された液晶表示パネル
において、電極基板の層間密着力が充分強いため、製造
プロセス中に電極基板が層間剥離しなかった。
において、電極基板の層間密着力が充分強いため、製造
プロセス中に電極基板が層間剥離しなかった。
【００７５】（実施例２）プラスチックフィルム（１
１）として、厚さが120μm、レターデーション値が1100
0nm、および可視光線透過率が90％である一軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用いた。
１）として、厚さが120μm、レターデーション値が1100
0nm、および可視光線透過率が90％である一軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用いた。
【００７６】この一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムの片面に、酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）をプラズマＣＶＤ法により製膜した。この時、原料
ガスとして、ヘキサメチルジシロキサンを200sccm、反
応性ガスとして、酸素ガスを100sccmおよび一酸化炭素
を20sccm、さらにキャリアガスとして、ヘリウムを200s
ccm供給した。この時の圧力は１×10-2である。放電形
式は13.56MHzを用いた高周波放電を用い、5kWの電力を
投入した。以上のような製膜条件下で、一軸延伸ポリエ
チレンテレフタレートフィルムを50m／min.の速度で走
行させ、そして300Å厚の酸化硅素を主成分とする薄膜
層（１２）を積層した。
フィルムの片面に、酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）をプラズマＣＶＤ法により製膜した。この時、原料
ガスとして、ヘキサメチルジシロキサンを200sccm、反
応性ガスとして、酸素ガスを100sccmおよび一酸化炭素
を20sccm、さらにキャリアガスとして、ヘリウムを200s
ccm供給した。この時の圧力は１×10-2である。放電形
式は13.56MHzを用いた高周波放電を用い、5kWの電力を
投入した。以上のような製膜条件下で、一軸延伸ポリエ
チレンテレフタレートフィルムを50m／min.の速度で走
行させ、そして300Å厚の酸化硅素を主成分とする薄膜
層（１２）を積層した。
【００７７】この酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）の比重を、実施例１と同様の手法により測定した。
この結果、上記のような条件で製膜した酸化硅素を主成
分とする薄膜の比重は2.17であった。
２）の比重を、実施例１と同様の手法により測定した。
この結果、上記のような条件で製膜した酸化硅素を主成
分とする薄膜の比重は2.17であった。
【００７８】この酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）を備えた一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを走行させながら、その上部をフェノキシエーテル
樹脂（東都化成株式会社製）45部、メチルエチルケトン
45部、セロソルブアセテート10部、およびトリレンジイ
ソシアネートとトリメチロールプロパンとのアダクト体
の75％溶液（日本ポリウレタン工業株式会社製のコロネ
ートＬ）40部からなる組成の硬化性樹脂組成物を用いて
塗布し、そして100℃で３分間の乾燥後、その上に実施
例１で用いたのと同じ平滑化鋳型材（Ｆ）を被覆し、ロ
ール群間を通して圧着しながら140℃で５分間加熱し
た。これにより塗布層は硬化し、厚さ20μmの樹脂硬化
物層（１３）となった。
２）を備えた一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを走行させながら、その上部をフェノキシエーテル
樹脂（東都化成株式会社製）45部、メチルエチルケトン
45部、セロソルブアセテート10部、およびトリレンジイ
ソシアネートとトリメチロールプロパンとのアダクト体
の75％溶液（日本ポリウレタン工業株式会社製のコロネ
ートＬ）40部からなる組成の硬化性樹脂組成物を用いて
塗布し、そして100℃で３分間の乾燥後、その上に実施
例１で用いたのと同じ平滑化鋳型材（Ｆ）を被覆し、ロ
ール群間を通して圧着しながら140℃で５分間加熱し
た。これにより塗布層は硬化し、厚さ20μmの樹脂硬化
物層（１３）となった。
【００７９】同様にして酸化硅素を主成分とする薄膜層
（１２）を備えた一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムの他面にも、厚さ300Åの酸化硅素を主成分と
する薄膜層（１２）および厚さ20μmの樹脂硬化物層
（１３）を積層した。
（１２）を備えた一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムの他面にも、厚さ300Åの酸化硅素を主成分と
する薄膜層（１２）および厚さ20μmの樹脂硬化物層
（１３）を積層した。
【００８０】これにより、平滑化鋳型材（Ｆ）／樹脂硬
化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）／一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
（プラスチックフィルム（１１））／酸化硅素を主成分
とする薄膜層（１２）／樹脂硬化物層（１３）／平滑化
鋳型材（Ｆ）の層構成を有する積層シートが得られた。
平滑化鋳型材（Ｆ）を剥離除去した後の樹脂硬化物層
（１３）の表面粗度は、触診式表面粗さ計による測定に
おいて、Ra=0.003μm以下、Rmax=0.1μm以下であった。
両側の平滑化鋳型材（Ｆ）を剥離除去した後の全体のレ
ターデーション値は11000nm、可視光線透過率は81％、
厚さは160μmであった。
化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）／一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
（プラスチックフィルム（１１））／酸化硅素を主成分
とする薄膜層（１２）／樹脂硬化物層（１３）／平滑化
鋳型材（Ｆ）の層構成を有する積層シートが得られた。
平滑化鋳型材（Ｆ）を剥離除去した後の樹脂硬化物層
（１３）の表面粗度は、触診式表面粗さ計による測定に
おいて、Ra=0.003μm以下、Rmax=0.1μm以下であった。
両側の平滑化鋳型材（Ｆ）を剥離除去した後の全体のレ
ターデーション値は11000nm、可視光線透過率は81％、
厚さは160μmであった。
【００８１】この積層シートから両側の平滑化鋳型材
（Ｆ）を剥離除去した電極基板（１）の層間密着力は、
実施例１と同様の方法の測定において、950g／inchの剥
離強度を示し、また剥離界面は樹脂硬化物層（１３）／
酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）であった。この
結果より、本発明の電極基板である樹脂硬化物層（１
３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／一軸延
伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（プラスチック
フィルム（１１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層
（１２）／樹脂硬化物層（１３）は最も弱い層間におい
ても950g／inchの密着力を有していることが分かった。
（Ｆ）を剥離除去した電極基板（１）の層間密着力は、
実施例１と同様の方法の測定において、950g／inchの剥
離強度を示し、また剥離界面は樹脂硬化物層（１３）／
酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）であった。この
結果より、本発明の電極基板である樹脂硬化物層（１
３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／一軸延
伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（プラスチック
フィルム（１１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層
（１２）／樹脂硬化物層（１３）は最も弱い層間におい
ても950g／inchの密着力を有していることが分かった。
【００８２】この電極基板のガスバリア性を評価するた
め、酸素透過度を実施例１と同様の方法を用いて測定し
た。測定結果は0.10cc／m2・atm・dayであり、電極基板
は極めて高いガスバリア性を示した。
め、酸素透過度を実施例１と同様の方法を用いて測定し
た。測定結果は0.10cc／m2・atm・dayであり、電極基板
は極めて高いガスバリア性を示した。
【００８３】次いで、片方の樹脂硬化物層（１３）上
に、スパッタリング法により厚さ200Åのインジウムス
ズ複合酸化物からなる透明電極（２）を形成した。この
透明電極（２）の表面抵抗率は70Ω／□である。以上の
ような手法で透明電極（２）を備えた電極基板（１）を
得た。
に、スパッタリング法により厚さ200Åのインジウムス
ズ複合酸化物からなる透明電極（２）を形成した。この
透明電極（２）の表面抵抗率は70Ω／□である。以上の
ような手法で透明電極（２）を備えた電極基板（１）を
得た。
【００８４】この透明電極（２）を備えた電極基板
（１）を用いて、実施例１と同じ方法により液晶表示パ
ネルを作製したが、プロセス中に電極基板（１）が層間
剥離することはなかった。
（１）を用いて、実施例１と同じ方法により液晶表示パ
ネルを作製したが、プロセス中に電極基板（１）が層間
剥離することはなかった。
【００８５】（実施例３）プラスチックフィルム（１
１）として、光等方性ベースシートであるポリアリレー
トフィルムを用いた。このフィルムは、塩化メチレンを
溶媒とする20重量％濃度の溶液から流延法により製膜さ
れたフィルムである。フィルムの厚さは75μm、レタデ
ーション値は5nm、および可視光線透過率は91％であ
る。
１）として、光等方性ベースシートであるポリアリレー
トフィルムを用いた。このフィルムは、塩化メチレンを
溶媒とする20重量％濃度の溶液から流延法により製膜さ
れたフィルムである。フィルムの厚さは75μm、レタデ
ーション値は5nm、および可視光線透過率は91％であ
る。
【００８６】このポリアリレートフィルムの片面に、20
0Å厚の酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）を、実
施例１と同様の手法により製膜した。
0Å厚の酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）を、実
施例１と同様の手法により製膜した。
【００８７】この酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）の比重を、実施例１と同様の手法により測定した。
この結果、上記のような条件で製膜した酸化硅素を主成
分とする薄膜の比重は2.15であった。
２）の比重を、実施例１と同様の手法により測定した。
この結果、上記のような条件で製膜した酸化硅素を主成
分とする薄膜の比重は2.15であった。
【００８８】次いで、紫外線照射の条件を200w／cm、１
灯、５秒、距離200mmとした以外は、実施例１と同様の
手法に従い、酸化硅素を主成分とする薄膜上に厚さ15μ
mの樹脂硬化物層（１３）を形成した。
灯、５秒、距離200mmとした以外は、実施例１と同様の
手法に従い、酸化硅素を主成分とする薄膜上に厚さ15μ
mの樹脂硬化物層（１３）を形成した。
【００８９】上記の操作をポリアリレートフィルムの他
面に対しても実施し、厚さ200Åの酸化硅素を主成分と
する薄膜層（１２）および厚さ15μmの樹脂硬化物層
（１３）を積層した。
面に対しても実施し、厚さ200Åの酸化硅素を主成分と
する薄膜層（１２）および厚さ15μmの樹脂硬化物層
（１３）を積層した。
【００９０】これにより、平滑化鋳型材（Ｆ）／樹脂硬
化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）／ポリアリレートフィルム（プラスチックフィルム
（１１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／
樹脂硬化物層（１３）／平滑化鋳型材（Ｆ）の層構成を
有する積層シートが得られた。平滑化鋳型材（Ｆ）を剥
離除去した後の樹脂硬化物層（１３）の表面粗度は、触
診式表面粗さ計による測定において、Ra=0.004μm以
下、Rmax=0.1μm以下であった。
化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）／ポリアリレートフィルム（プラスチックフィルム
（１１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／
樹脂硬化物層（１３）／平滑化鋳型材（Ｆ）の層構成を
有する積層シートが得られた。平滑化鋳型材（Ｆ）を剥
離除去した後の樹脂硬化物層（１３）の表面粗度は、触
診式表面粗さ計による測定において、Ra=0.004μm以
下、Rmax=0.1μm以下であった。
【００９１】上記で得た積層シートの層間密着力を、実
施例１と同様の手法を用いて測定した。この結果、900g
／inchの剥離強度を示し、また剥離界面は樹脂硬化物層
（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）であ
った。この結果より、本発明の電極基板である樹脂硬化
物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
／ポリアリレートフィルム（プラスチックフィルム（１
１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／樹脂
硬化物層（１３）は、最も弱い層間においても900g／in
chの密着力を有していることが分かった。
施例１と同様の手法を用いて測定した。この結果、900g
／inchの剥離強度を示し、また剥離界面は樹脂硬化物層
（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）であ
った。この結果より、本発明の電極基板である樹脂硬化
物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
／ポリアリレートフィルム（プラスチックフィルム（１
１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／樹脂
硬化物層（１３）は、最も弱い層間においても900g／in
chの密着力を有していることが分かった。
【００９２】この電極基板のガスバリア性を評価するた
め、酸素透過度を実施例１と同様の方法により測定し
た。測定結果は0.15cc／m2・atm・dayであり、極めて高
いガスバリア性を示した。
め、酸素透過度を実施例１と同様の方法により測定し
た。測定結果は0.15cc／m2・atm・dayであり、極めて高
いガスバリア性を示した。
【００９３】このようにして得られた電極基板（１）
は、樹脂硬化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄
膜層（１２）／ポリアリレートフィルム（プラスチック
フィルム（１１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層
（１２）／樹脂硬化物層（１３）の層構成を有し、全体
のレターデーション値は５nm、可視光線透過率は84％、
厚さは105μmであった。
は、樹脂硬化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄
膜層（１２）／ポリアリレートフィルム（プラスチック
フィルム（１１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層
（１２）／樹脂硬化物層（１３）の層構成を有し、全体
のレターデーション値は５nm、可視光線透過率は84％、
厚さは105μmであった。
【００９４】次いで、片方の樹脂硬化物層（１３）上
に、スパッタリング法により厚さ500Åのインジウムス
ズ複合酸化物からなる透明電極（２）を形成した。この
透明電極（２）の表面抵抗率は100Ω／□である。以上
のような手法で透明電極（２）を備えた電極基板（１）
を得た。
に、スパッタリング法により厚さ500Åのインジウムス
ズ複合酸化物からなる透明電極（２）を形成した。この
透明電極（２）の表面抵抗率は100Ω／□である。以上
のような手法で透明電極（２）を備えた電極基板（１）
を得た。
【００９５】この透明電極（２）を備えた電極基板
（１）を用いて、実施例１と同じ方法により液晶表示パ
ネルを作製したが、プロセス中に電極基板（１）が層間
剥離することはなかった。
（１）を用いて、実施例１と同じ方法により液晶表示パ
ネルを作製したが、プロセス中に電極基板（１）が層間
剥離することはなかった。
【００９６】（実施例４）プラスチックフィルム（１
１）として、光等方性ベースシートであるポリアミドイ
ミドフィルムを用いた。フィルムの厚さは100μm、レタ
ーデーション値は5nm、および可視光線透過率は90％で
ある。
１）として、光等方性ベースシートであるポリアミドイ
ミドフィルムを用いた。フィルムの厚さは100μm、レタ
ーデーション値は5nm、および可視光線透過率は90％で
ある。
【００９７】このポリアミドイミドフィルムの片面に、
300Å厚の酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）を、
実施例２と同様の手法により製膜した。
300Å厚の酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）を、
実施例２と同様の手法により製膜した。
【００９８】この酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）の比重を、実施例１と同様の手法により測定した。
この結果、上記のような条件で製膜した酸化硅素を主成
分とする薄膜の比重は2.13であった。
２）の比重を、実施例１と同様の手法により測定した。
この結果、上記のような条件で製膜した酸化硅素を主成
分とする薄膜の比重は2.13であった。
【００９９】次いで、フェノキシエーテル樹脂（東都化
成株式会社製）35部、メチルエチルケトン35部、セロソ
ルブアセテート10部、およびトリレンジイソシアネート
とトリメチロールプロパンとのアダクト体の75％溶液
（日本ポリウレタン工業株式会社製のコロネートＬ）50
部からなる組成の硬化性樹脂組成物を用い、そして加熱
時間を10分間とした以外は、実施例２と同様の手法によ
り、酸化硅素を主成分とする薄膜上に厚さ10μmの樹脂
硬化物層（１３）を形成した。
成株式会社製）35部、メチルエチルケトン35部、セロソ
ルブアセテート10部、およびトリレンジイソシアネート
とトリメチロールプロパンとのアダクト体の75％溶液
（日本ポリウレタン工業株式会社製のコロネートＬ）50
部からなる組成の硬化性樹脂組成物を用い、そして加熱
時間を10分間とした以外は、実施例２と同様の手法によ
り、酸化硅素を主成分とする薄膜上に厚さ10μmの樹脂
硬化物層（１３）を形成した。
【０１００】同様にして、酸化硅素を主成分とする薄膜
層（１２）を備えたポリアミドイミドフィルムの他面に
も、厚さ300Åの酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）および厚さ10μmの樹脂硬化物層（１３）を形成さ
せた。
層（１２）を備えたポリアミドイミドフィルムの他面に
も、厚さ300Åの酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）および厚さ10μmの樹脂硬化物層（１３）を形成さ
せた。
【０１０１】これにより、平滑化鋳型材（Ｆ）／樹脂硬
化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）／ポリアミドイミドフィルム（プラスチックフィル
ム（１１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
／樹脂硬化物層（１３）／平滑化鋳型材（Ｆ）の層構成
を有する積層シートが得られた。平滑化鋳型材（Ｆ）を
剥離除去した後の樹脂硬化物層（１３）の表面粗度は、
触診式表面粗さ計による測定において、Ra=0.004μm以
下、Rmax=0.1μm以下であった。両側の平滑化鋳型材
（Ｆ）を剥離除去した後の全体のレターデーション値は
５nm、可視光線透過率は82％、厚さは120μmであった。
化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）／ポリアミドイミドフィルム（プラスチックフィル
ム（１１））／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
／樹脂硬化物層（１３）／平滑化鋳型材（Ｆ）の層構成
を有する積層シートが得られた。平滑化鋳型材（Ｆ）を
剥離除去した後の樹脂硬化物層（１３）の表面粗度は、
触診式表面粗さ計による測定において、Ra=0.004μm以
下、Rmax=0.1μm以下であった。両側の平滑化鋳型材
（Ｆ）を剥離除去した後の全体のレターデーション値は
５nm、可視光線透過率は82％、厚さは120μmであった。
【０１０２】この積層シートから両側の平滑化鋳型材
（Ｆ）を剥離除去した電極基板（１）の層間密着力は、
実施例１と同様の方法の測定において、850g／inchの剥
離強度を示し、また剥離界面は樹脂硬化物層（１３）／
酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）であった。この
結果より、本発明の電極基板である樹脂硬化物層（１
３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／ポリア
ミドイミドフィルム（プラスチックフィルム（１１））
／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／樹脂硬化物
層（１３）は最も弱い層間においても850g／inchの密着
力を有していることが分かった。
（Ｆ）を剥離除去した電極基板（１）の層間密着力は、
実施例１と同様の方法の測定において、850g／inchの剥
離強度を示し、また剥離界面は樹脂硬化物層（１３）／
酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）であった。この
結果より、本発明の電極基板である樹脂硬化物層（１
３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／ポリア
ミドイミドフィルム（プラスチックフィルム（１１））
／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）／樹脂硬化物
層（１３）は最も弱い層間においても850g／inchの密着
力を有していることが分かった。
【０１０３】この電極基板のガスバリア性を評価するた
め、酸素透過度を実施例１と同様の方法により測定し
た。測定結果は0.12cc／m2・atm・dayであり、電極基板
は極めて高いガスバリア性を示した。
め、酸素透過度を実施例１と同様の方法により測定し
た。測定結果は0.12cc／m2・atm・dayであり、電極基板
は極めて高いガスバリア性を示した。
【０１０４】次いで、片方の樹脂硬化物層（１３）上
に、スパッタリング法により厚さ500Åのインジウムス
ズ複合酸化物からなる透明電極（２）を形成した。この
透明電極（２）の表面抵抗率は80Ω／□である。以上の
ような手法で透明電極（２）を備えた電極基板（１）を
得た。
に、スパッタリング法により厚さ500Åのインジウムス
ズ複合酸化物からなる透明電極（２）を形成した。この
透明電極（２）の表面抵抗率は80Ω／□である。以上の
ような手法で透明電極（２）を備えた電極基板（１）を
得た。
【０１０５】この透明電極（２）を備えた電極基板
（１）を用いて、実施例１と同じ方法により液晶表示パ
ネルを作製したが、プロセス中に電極基板（１）が層間
剥離することはなかった。
（１）を用いて、実施例１と同じ方法により液晶表示パ
ネルを作製したが、プロセス中に電極基板（１）が層間
剥離することはなかった。
【０１０６】（比較例１）実施例１と同様、一軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルムをプラスチックフィ
ルム（１１）として用い、この片面に酸化硅素を主成分
とする薄膜層（１２）を電子ビーム蒸着法によって作製
した。ここで、蒸着材料としてSiO2 60部とSi 40部との
混合物の焼成体を用いた。酸素ガスを15sccm流し、圧力
は5×10-4Torrとし、そして電子ビーム投入電力は７kW
とした。また一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを30m／min.の速度で走行させ、厚さ200Åの酸化硅
素を主成分とする薄膜層（１２）を形成した。
リエチレンテレフタレートフィルムをプラスチックフィ
ルム（１１）として用い、この片面に酸化硅素を主成分
とする薄膜層（１２）を電子ビーム蒸着法によって作製
した。ここで、蒸着材料としてSiO2 60部とSi 40部との
混合物の焼成体を用いた。酸素ガスを15sccm流し、圧力
は5×10-4Torrとし、そして電子ビーム投入電力は７kW
とした。また一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを30m／min.の速度で走行させ、厚さ200Åの酸化硅
素を主成分とする薄膜層（１２）を形成した。
【０１０７】この酸化硅素を主成分とする薄膜の比重
は、実施例１と同様の方法で測定すると、1.90であっ
た。
は、実施例１と同様の方法で測定すると、1.90であっ
た。
【０１０８】この一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルム／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）を積
層したシートに、実施例１と同様の樹脂硬化物層（１
３）を形成した。
フィルム／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）を積
層したシートに、実施例１と同様の樹脂硬化物層（１
３）を形成した。
【０１０９】一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムの他面にも上記と同様の手法で、酸化硅素を主成分
とする薄膜層（１２）と樹脂硬化物層（１３）を積層し
た。
ルムの他面にも上記と同様の手法で、酸化硅素を主成分
とする薄膜層（１２）と樹脂硬化物層（１３）を積層し
た。
【０１１０】以上のようにして作製した電極基板（１）
の層間密着力は、実施例１と同様の手法により測定した
ところ、220g／inchの剥離強度を示し、剥離界面は樹脂
硬化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）であった。
の層間密着力は、実施例１と同様の手法により測定した
ところ、220g／inchの剥離強度を示し、剥離界面は樹脂
硬化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）であった。
【０１１１】この電極基板の酸素透過度は、6.8cc／m2
・atm・dayであり、液晶表示パネルの使用に対して不十
分であった。
・atm・dayであり、液晶表示パネルの使用に対して不十
分であった。
【０１１２】上記のようにして作製した電極基板上に実
施例１と同様の透明電極（２）を製膜した後、実施例１
と同様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板（１）
の層間密着力が不十分であるため、製造プロセス中に電
極基板が層間剥離することがあった。
施例１と同様の透明電極（２）を製膜した後、実施例１
と同様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板（１）
の層間密着力が不十分であるため、製造プロセス中に電
極基板が層間剥離することがあった。
【０１１３】（比較例２）実施例２と同様、一軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルムをプラスチックフィ
ルム（１１）として用いた。真空装置の排気速度を下
げ、圧力を7×10-1Torrにした以外は、実施例２と同様
の手法に従い、フィルムの片面に300Å厚の酸化硅素を
主成分とする薄膜層（１２）を積層した。この薄膜の比
重は、実施例１と同様の方法の測定において、1.87であ
った。
リエチレンテレフタレートフィルムをプラスチックフィ
ルム（１１）として用いた。真空装置の排気速度を下
げ、圧力を7×10-1Torrにした以外は、実施例２と同様
の手法に従い、フィルムの片面に300Å厚の酸化硅素を
主成分とする薄膜層（１２）を積層した。この薄膜の比
重は、実施例１と同様の方法の測定において、1.87であ
った。
【０１１４】この一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルム／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）から
なる積層シート上に、実施例２と同様の樹脂硬化物層
（１３）を形成した。さらに、一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルムの他面にも上記と同様の方法で酸
化硅素を主成分とする薄膜層（１２）および樹脂硬化物
層（１３）を積層した。
フィルム／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）から
なる積層シート上に、実施例２と同様の樹脂硬化物層
（１３）を形成した。さらに、一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルムの他面にも上記と同様の方法で酸
化硅素を主成分とする薄膜層（１２）および樹脂硬化物
層（１３）を積層した。
【０１１５】以上のようにして作製した電極基板（１）
の層間密着力は、実施例１と同様の手法により測定した
ところ、120g／inchの剥離強度を示し、剥離界面は樹脂
硬化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）であった。
の層間密着力は、実施例１と同様の手法により測定した
ところ、120g／inchの剥離強度を示し、剥離界面は樹脂
硬化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）であった。
【０１１６】この電極基板の酸素透過度は、4.8cc／m2
・atm・dayであり、液晶表示パネルの使用に対して不十
分であった。
・atm・dayであり、液晶表示パネルの使用に対して不十
分であった。
【０１１７】上記のようにして作製した電極基板上に実
施例１と同様の透明電極（２）を製膜した後、実施例１
と同様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板（１）
の層間密着力が不十分であるため、製造プロセス中に電
極基板が層間剥離することがあった。
施例１と同様の透明電極（２）を製膜した後、実施例１
と同様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板（１）
の層間密着力が不十分であるため、製造プロセス中に電
極基板が層間剥離することがあった。
【０１１８】（比較例３）実施例３と同様、光等方性ベ
ースシートであるポリアリレートフィルムをプラスチッ
クフィルム（１１）として用いた。この片面に、酸素ガ
スを10sccm流し、そして電子ビーム投入電力を10kWとし
た以外は、比較例１と同様の手法に従い、厚さ200Åの
酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）を作製した。
ースシートであるポリアリレートフィルムをプラスチッ
クフィルム（１１）として用いた。この片面に、酸素ガ
スを10sccm流し、そして電子ビーム投入電力を10kWとし
た以外は、比較例１と同様の手法に従い、厚さ200Åの
酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）を作製した。
【０１１９】この酸化硅素を主成分とする薄膜の比重
は、実施例１と同様の方法で測定すると、1.93であっ
た。
は、実施例１と同様の方法で測定すると、1.93であっ
た。
【０１２０】このポリアリレートフィルム／酸化硅素を
主成分とする薄膜層（１２）を積層したシートに、実施
例３と同様の樹脂硬化物層（１３）を形成した。
主成分とする薄膜層（１２）を積層したシートに、実施
例３と同様の樹脂硬化物層（１３）を形成した。
【０１２１】ポリアリレートフィルムの他面にも上記と
同様の手法で、酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
および樹脂硬化物層（１３）を積層した。
同様の手法で、酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
および樹脂硬化物層（１３）を積層した。
【０１２２】以上のようにして作製した電極基板（１）
の層間密着力は、実施例１と同様の手法の測定におい
て、220g／inchの剥離強度を示し、剥離界面は樹脂硬化
物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
であった。
の層間密着力は、実施例１と同様の手法の測定におい
て、220g／inchの剥離強度を示し、剥離界面は樹脂硬化
物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
であった。
【０１２３】この電極基板の酸素透過度は、5.8cc／m2
・atm・dayであり、液晶表示パネルの使用に対して不十
分であった。
・atm・dayであり、液晶表示パネルの使用に対して不十
分であった。
【０１２４】上記のようにして作製した電極基板上に実
施例１と同様の透明電極（２）を製膜した後、実施例１
と同様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板（１）
の層間密着力が不十分であるため、製造プロセス中に電
極基板が層間剥離することがあった。
施例１と同様の透明電極（２）を製膜した後、実施例１
と同様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板（１）
の層間密着力が不十分であるため、製造プロセス中に電
極基板が層間剥離することがあった。
【０１２５】（比較例４）実施例４と同様、光等方性ベ
ースシートであるポリアミドイミドフィルムをプラスチ
ックフィルム（１１）として用いた。この片面に、比較
例２と同様の手法により、300Å厚の酸化硅素を主成分
とする薄膜層（１２）を形成した。この薄膜比重は、実
施例１と同様の方法の測定において、1.90であった。
ースシートであるポリアミドイミドフィルムをプラスチ
ックフィルム（１１）として用いた。この片面に、比較
例２と同様の手法により、300Å厚の酸化硅素を主成分
とする薄膜層（１２）を形成した。この薄膜比重は、実
施例１と同様の方法の測定において、1.90であった。
【０１２６】このポリアミドイミドフィルム／酸化硅素
を主成分とする薄膜層（１２）からなる積層シート上
に、実施例４と同様の樹脂硬化物層（１３）を形成し
た。さらに、ポリアミドイミドフィルムの他面にも上記
と同様の方法で酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
および樹脂硬化物層（１３）を積層した。
を主成分とする薄膜層（１２）からなる積層シート上
に、実施例４と同様の樹脂硬化物層（１３）を形成し
た。さらに、ポリアミドイミドフィルムの他面にも上記
と同様の方法で酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）
および樹脂硬化物層（１３）を積層した。
【０１２７】以上のようにして作製した電極基板（１）
の層間密着力は、実施例１と同様の手法により測定した
ところ、150g／inchの剥離強度を示し、剥離界面は樹脂
硬化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）であった。
の層間密着力は、実施例１と同様の手法により測定した
ところ、150g／inchの剥離強度を示し、剥離界面は樹脂
硬化物層（１３）／酸化硅素を主成分とする薄膜層（１
２）であった。
【０１２８】この電極基板の酸素透過度は、3.5cc／m2
・atm・dayであり、液晶表示パネルの使用に対して不十
分であった。
・atm・dayであり、液晶表示パネルの使用に対して不十
分であった。
【０１２９】上記のようにして作製した電極基板上に実
施例１と同様の透明電極（２）を製膜した後、実施例１
と同様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板（１）
の層間密着力が不十分であるため、製造プロセス中に電
極基板が層間剥離することがあった。
施例１と同様の透明電極（２）を製膜した後、実施例１
と同様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板（１）
の層間密着力が不十分であるため、製造プロセス中に電
極基板が層間剥離することがあった。
【０１３０】
【発明の効果】本発明の電極基板は、プラスチック基板
であるという利点を有するほか、プラスチックフィルム
上に、スパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法により
製膜された、比重が2.0〜2.2の範囲内である酸化硅素を
主成分とする薄膜層（１２）、および該薄膜層上に樹脂
硬化物層（１３）を積層することにより、極めて強い積
層シートの層間密着力を有し、従って液晶表示パネル製
造プロセス中に層間剥離しない。あるいは金属酸化物で
ある酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）をガスバリ
ア層として用いているため、本発明の電極基板はまた、
極めて優れたガスバリア性を有する電極基板である。
であるという利点を有するほか、プラスチックフィルム
上に、スパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法により
製膜された、比重が2.0〜2.2の範囲内である酸化硅素を
主成分とする薄膜層（１２）、および該薄膜層上に樹脂
硬化物層（１３）を積層することにより、極めて強い積
層シートの層間密着力を有し、従って液晶表示パネル製
造プロセス中に層間剥離しない。あるいは金属酸化物で
ある酸化硅素を主成分とする薄膜層（１２）をガスバリ
ア層として用いているため、本発明の電極基板はまた、
極めて優れたガスバリア性を有する電極基板である。
【図１】 本発明の電極基板の一例を模式的に示した断
面図であり、透明電極（２）を付した状態を示してあ
る。
面図であり、透明電極（２）を付した状態を示してあ
る。
【図２】 図１の電極基板を用いて作製した液晶セルの
一例を模式的に示した断面図である。
一例を模式的に示した断面図である。
【図３】 図２の液晶セルを用いて作製した液晶表示パ
ネルの一例を模式的に示した断面図である。
ネルの一例を模式的に示した断面図である。
（１）電極基板 （１１）プラスチックフィルム （１２）酸化硅素を主成分とする薄膜層 （１３）樹脂硬化物層 （２）透明電極 （３）液晶 （４）シール （５）液晶セル （６）偏光板 （７）位相差板
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 16/50 Ｃ２３Ｃ 16/50 Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｍ ６３０ ６３０Ｇ
Claims (12)
- 【請求項１】 プラスチックフィルム、該プラスチック
フィルムの少なくとも片面に設けられた薄膜層、および
該薄膜層上に設けられた樹脂硬化物層を有する積層シー
トを備えた電極基板であって、該薄膜層が酸化硅素を主
成分とし、該薄膜層の比重が２.０〜２.２である、電極
基板。 - 【請求項２】 前記プラスチックフィルムが一軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルムである、請求項１に
記載の電極基板。 - 【請求項３】 前記プラスチックフィルムが高分子シー
ト製の光等方性ベースシートである、請求項１に記載の
電極基板。 - 【請求項４】 前記一軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムのレタデーション値が５０００ｎｍ以上であ
る、請求項２に記載の電極基板。 - 【請求項５】 前記薄膜層と前記樹脂硬化物層との層間
密着力が３００ｇ／ｉｎｃｈ以上である、請求項１に記
載の電極基板。 - 【請求項６】 前記薄膜層の厚さが３０〜８０００Åで
ある、請求項１に記載の電極基板。 - 【請求項７】 酸素透過度が３ｃｃ／ｍ2・ａｔｍ・ｄ
ａｙ以下である、請求項１に記載の電極基板。 - 【請求項８】 前記薄膜層がスパッタリング法により製
膜される、請求項１に記載の電極基板。 - 【請求項９】 前記薄膜層がプラズマＣＶＤ法により製
膜される、請求項１に記載の電極基板。 - 【請求項１０】 透明電極を備えた液晶表示パネル用電
極基板に用いられる、請求項１に記載の電極基板。 - 【請求項１１】 透明電極を備えた液晶表示パネル用電
極基板であって、該基板はプラスチックフィルム、該プ
ラスチックフィルムの少なくとも片面に設けられた薄膜
層、および該薄膜層上に設けられた樹脂硬化物層を有す
る積層シートを備え、そして該樹脂硬化物層上に透明電
極が形成されており、該薄膜層が酸化硅素を主成分と
し、該薄膜層の比重が２.０〜２.２である、液晶表示パ
ネル用電極基板。 - 【請求項１２】 液晶表示パネルであって、該パネルは
請求項１１の液晶表示パネル用電極基板の透明電極側を
対向させて配置し、その間隔に液晶が封入されている液
晶セルの片面に偏光板、他面に位相差板を介して偏光板
を積層することにより作製される、液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22020096A JP4072872B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 電極基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22020096A JP4072872B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 電極基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1062776A true JPH1062776A (ja) | 1998-03-06 |
| JP4072872B2 JP4072872B2 (ja) | 2008-04-09 |
Family
ID=16747461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22020096A Expired - Fee Related JP4072872B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 電極基板 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4072872B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006307220A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Samsung Electronics Co Ltd | ディスプレイパネル用プラスチック基板およびその製造方法 |
| WO2007022275A3 (en) * | 2005-08-11 | 2007-11-22 | Wintek Electro Optics Corp | Siox:si sputtering targets and method of making and using such targets |
| WO2007022276A3 (en) * | 2005-08-11 | 2008-10-16 | Wintek Electro Optics Corp | Siox:si composite material compositions and methods of making same |
| US7658822B2 (en) | 2005-08-11 | 2010-02-09 | Wintek Electro-Optics Corporation | SiOx:Si composite articles and methods of making same |
| JP2010271509A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | 光干渉縞緩和性に優れた湾曲面を有する光透過型電磁波シールド材料 |
| JP2012077315A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Fujifilm Corp | 機能性フィルムおよび機能性フィルムの製造方法 |
| CN104865727A (zh) * | 2005-12-26 | 2015-08-26 | 株式会社日立显示器 | 显示装置 |
| JP2019081369A (ja) * | 2012-03-30 | 2019-05-30 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 光学素子用透明基材の製造方法、液晶表示装置用偏光板、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2020518013A (ja) * | 2017-04-28 | 2020-06-18 | エルジー・ケム・リミテッド | 光変調デバイス |
-
1996
- 1996-08-21 JP JP22020096A patent/JP4072872B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7790060B2 (en) | 2005-08-11 | 2010-09-07 | Wintek Electro Optics Corporation | SiOx:Si composite material compositions and methods of making same |
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| JP2019081369A (ja) * | 2012-03-30 | 2019-05-30 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 光学素子用透明基材の製造方法、液晶表示装置用偏光板、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2020518013A (ja) * | 2017-04-28 | 2020-06-18 | エルジー・ケム・リミテッド | 光変調デバイス |
| JP2020518007A (ja) * | 2017-04-28 | 2020-06-18 | エルジー・ケム・リミテッド | 光変調デバイス |
| JP2020518014A (ja) * | 2017-04-28 | 2020-06-18 | エルジー・ケム・リミテッド | 光変調デバイス |
| JP2020518006A (ja) * | 2017-04-28 | 2020-06-18 | エルジー・ケム・リミテッド | 光変調デバイス |
| US11009725B2 (en) | 2017-04-28 | 2021-05-18 | Lg Chem, Ltd. | Light modulation device |
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| US11314106B2 (en) | 2017-04-28 | 2022-04-26 | Lg Chem, Ltd. | Light modulation device |
| US11347080B2 (en) | 2017-04-28 | 2022-05-31 | Lg Chem, Ltd. | Light modulation device |
| US11506915B2 (en) | 2017-04-28 | 2022-11-22 | Lg Chem, Ltd. | Light modulation device |
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