JPH1056306A - 共振回路及び発振回路 - Google Patents
共振回路及び発振回路Info
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- JPH1056306A JPH1056306A JP8209505A JP20950596A JPH1056306A JP H1056306 A JPH1056306 A JP H1056306A JP 8209505 A JP8209505 A JP 8209505A JP 20950596 A JP20950596 A JP 20950596A JP H1056306 A JPH1056306 A JP H1056306A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体基板上に形成され先端を短絡されたス
トリップライン共振器に並列にコンデンサが接続されて
いる従来の共振回路においては、ストリップライン共振
器のストリップ導体の幅・長さや、誘電体基板の厚みが
ばらつくと、共振回路の共振周波数もそれに応じてばら
ついてしまうという課題があった。 【解決手段】 誘電体基板上に形成され、その一端が誘
電体基板の裏面接地導体と短絡されたストリップライン
共振器３と、誘電体基板上に形成され、その一端が開放
のストリップライン４と、その一端が誘電体基板の裏面
接地導体と接続された容量素子１３とを備え、ストリッ
プライン共振器３の他端と、ストリップライン４の他端
と、容量素子１３の他端とが接続されている共振回路で
ある。
トリップライン共振器に並列にコンデンサが接続されて
いる従来の共振回路においては、ストリップライン共振
器のストリップ導体の幅・長さや、誘電体基板の厚みが
ばらつくと、共振回路の共振周波数もそれに応じてばら
ついてしまうという課題があった。 【解決手段】 誘電体基板上に形成され、その一端が誘
電体基板の裏面接地導体と短絡されたストリップライン
共振器３と、誘電体基板上に形成され、その一端が開放
のストリップライン４と、その一端が誘電体基板の裏面
接地導体と接続された容量素子１３とを備え、ストリッ
プライン共振器３の他端と、ストリップライン４の他端
と、容量素子１３の他端とが接続されている共振回路で
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として自動車電
話や携帯電話などの移動体通信システムあるいは衛星通
信機器に用いられる共振回路および電圧制御発振回路
（ＶＣＯ）に関するものである。
話や携帯電話などの移動体通信システムあるいは衛星通
信機器に用いられる共振回路および電圧制御発振回路
（ＶＣＯ）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の携帯電話、ＰＨＳ等種々の移動体
通信システムの普及から、これらの搭載部品としてはさ
らなる低コスト化が叫ばれている。この場合、種々ばら
つきに対しての部品の歩留まり向上、および調整工程の
工数削減等は今後大いに必要なものとなる。
通信システムの普及から、これらの搭載部品としてはさ
らなる低コスト化が叫ばれている。この場合、種々ばら
つきに対しての部品の歩留まり向上、および調整工程の
工数削減等は今後大いに必要なものとなる。
【０００３】以下に図面を参照しながら、従来の共振回
路について説明する。
路について説明する。
【０００４】図５は、従来の共振回路の回路図を示すも
のである。
のである。
【０００５】図５において、１は給電点、３はストリッ
プライン共振器、１３はコンデンサ、５はバラクタダイ
オード、６はチョークコイル、７はバイパスコンデン
サ、８はチューニング電圧端子である。
プライン共振器、１３はコンデンサ、５はバラクタダイ
オード、６はチョークコイル、７はバイパスコンデン
サ、８はチューニング電圧端子である。
【０００６】以上のように構成された共振回路につい
て、以下その動作について説明する。
て、以下その動作について説明する。
【０００７】図５において、３は誘電体基板上に形成さ
れ先端を短絡されたストリップライン共振器であり、こ
れに並列にコンデンサ１３が接続されている。ストリッ
プライン共振器３を形成するストリップ導体の幅・誘電
体基板の厚み等によって決定される特性インピーダンス
をZo、波長短縮率をk、ストリップ導体の長さをL、コン
デンサ１３の容量をC、光速をvとおくと、この共振回路
の共振周波数Fは、給電点１から各部を見た「アドミタ
ンスの和＝０」である次式を満たすよう決定される。
れ先端を短絡されたストリップライン共振器であり、こ
れに並列にコンデンサ１３が接続されている。ストリッ
プライン共振器３を形成するストリップ導体の幅・誘電
体基板の厚み等によって決定される特性インピーダンス
をZo、波長短縮率をk、ストリップ導体の長さをL、コン
デンサ１３の容量をC、光速をvとおくと、この共振回路
の共振周波数Fは、給電点１から各部を見た「アドミタ
ンスの和＝０」である次式を満たすよう決定される。
【０００８】
【数１】 1／（jZo・tan(2πFL/(kv)))＋j(2πFC)＝０ 式(1)
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、ストリップライン共振器を形成する誘電
体基板の厚み、ストリップライン共振器３を形成する誘
電体基板上のストリップ導体の幅および長さ等がばらつ
くと、これらによって決定される特性インピーダンスZo
や波長短縮率k等が変化し、結果として、式(1)の関係か
ら共振周波数も基板ばらつきに応じて変化してしまうと
いう課題を有していた。
うな構成では、ストリップライン共振器を形成する誘電
体基板の厚み、ストリップライン共振器３を形成する誘
電体基板上のストリップ導体の幅および長さ等がばらつ
くと、これらによって決定される特性インピーダンスZo
や波長短縮率k等が変化し、結果として、式(1)の関係か
ら共振周波数も基板ばらつきに応じて変化してしまうと
いう課題を有していた。
【００１０】本発明は、上記問題点に鑑み、前記基板条
件のばらつきに対する共振周波数ばらつきを、従来より
小さくする共振回路と発振回路を提供することを目的と
する。
件のばらつきに対する共振周波数ばらつきを、従来より
小さくする共振回路と発振回路を提供することを目的と
する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、請求項１の本発明は、誘電体基板上に形成され、
その一端が前記誘電体基板の裏面接地導体と短絡された
ストリップライン共振器と、前記誘電体基板上に形成さ
れ、その一端が開放のストリップラインと、その一端が
前記誘電体基板の裏面接地導体と接続された容量素子と
を備え、前記ストリップライン共振器の他端と、前記ス
トリップラインの他端と、前記容量素子の他端とが接続
されていることを特徴とする共振回路であり、請求項２
の本発明は、誘電体基板上に形成され、その一端が前記
誘電体基板の裏面接地導体と短絡されたストリップライ
ン共振器と、前記誘電体基板上に形成され、その一端が
容量素子を介して前記誘電体基板裏面接地導体と短絡さ
れたストリップラインとを備え、前記ストリップライン
共振器の他端と、前記ストリップラインの他端とが接続
されていることを特徴とする共振回路であり、更に、前
記容量素子を、コンデンサとバラクタダイオードとの直
列接続回路に置き換え、前記バラクタダイオードに加え
る電圧により共振周波数を可変させうる構成とした共振
回路、あるいは前記ストリップライン共振器のパターン
幅と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長さ
と、前記容量素子の容量値とを、前記誘電体基板の厚み
ばらつきに対し、共振周波数の変化が最も小さくなるよ
うに各々の値を選んだ共振回路、あるいは前記ストリッ
プライン共振器のパターン幅と長さと、前記ストリップ
ラインのパターン幅と長さと、前記容量素子の容量値と
を、前記誘電体基板上に構成されるパターンの幅および
長さばらつきに対し、共振周波数の変化が最も小さくな
るように各々の値を選んだ共振回路、あるいは前記スト
リップライン共振器のパターン幅と長さと、前記ストリ
ップラインのパターン幅と長さと、前記容量素子の容量
値とを、前記誘電体基板の厚みばらつきと、前記誘電体
基板上に構成されるパターンの幅および長さばらつきの
双方に対し、共振周波数の変化が最も小さくなるように
各々の値を選んだ共振回路、あるいは前記ストリップラ
イン共振器のパターン幅と長さと、前記ストリップライ
ンのパターン幅と長さと、前記コンデンサと前記バラク
タダイオードの容量値とを、前記誘電体基板の厚みばら
つきに対し、共振周波数の変化が最も小さくなるように
各々の値を選んだ共振回路、あるいは前記ストリップラ
イン共振器のパターン幅と長さと、前記ストリップライ
ンのパターン幅と長さと、前記コンデンサとバラクタダ
イオードの容量値とを、前記誘電体基板上に構成される
パターンの幅および長さばらつきに対し、共振周波数の
変化が最も小さくなるように各々の値を選んだ共振回
路、あるいは前記ストリップライン共振器のパターン幅
と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長さ
と、前記コンデンサとバラクタダイオードの容量値と
を、前記誘電体基板の厚みばらつきと、前記誘電体基板
上に構成されるパターンの幅および長さばらつきの双方
に対し、共振周波数の変化が最も小さくなるように各々
の値を選んだ共振回路、あるいは上述したいずれかの共
振回路を有する発振回路、あるいは前記ストリップライ
ン共振器のパターン幅と長さと、前記ストリップライン
のパターン幅と長さと、前記コンデンサと前記バラクタ
ダイオードの容量値とを、前記誘電体基板の厚みばらつ
きに対し、発振周波数の変化が最も小さくなるように各
々の値を選んだ発振回路、あるいは前記ストリップライ
ン共振器のパターン幅と長さと、前記ストリップライン
のパターン幅と長さと、前記コンデンサとバラクタダイ
オードの容量値とを、前記誘電体基板上に構成されるパ
ターンの幅および長さばらつきに対し、発振周波数の変
化が最も小さくなるように各々の値を選んだ発振回路、
あるいは前記ストリップライン共振器のパターン幅と長
さと、前記ストリップラインのパターン幅と長さと、前
記コンデンサとバラクタダイオードの容量値とを、前記
誘電体基板の厚みばらつきと、前記誘電体基板上に構成
されるパターンの幅および長さばらつきの双方に対し、
発振周波数の変化が最も小さくなるように各々の値を選
んだ発振回路である。
めに、請求項１の本発明は、誘電体基板上に形成され、
その一端が前記誘電体基板の裏面接地導体と短絡された
ストリップライン共振器と、前記誘電体基板上に形成さ
れ、その一端が開放のストリップラインと、その一端が
前記誘電体基板の裏面接地導体と接続された容量素子と
を備え、前記ストリップライン共振器の他端と、前記ス
トリップラインの他端と、前記容量素子の他端とが接続
されていることを特徴とする共振回路であり、請求項２
の本発明は、誘電体基板上に形成され、その一端が前記
誘電体基板の裏面接地導体と短絡されたストリップライ
ン共振器と、前記誘電体基板上に形成され、その一端が
容量素子を介して前記誘電体基板裏面接地導体と短絡さ
れたストリップラインとを備え、前記ストリップライン
共振器の他端と、前記ストリップラインの他端とが接続
されていることを特徴とする共振回路であり、更に、前
記容量素子を、コンデンサとバラクタダイオードとの直
列接続回路に置き換え、前記バラクタダイオードに加え
る電圧により共振周波数を可変させうる構成とした共振
回路、あるいは前記ストリップライン共振器のパターン
幅と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長さ
と、前記容量素子の容量値とを、前記誘電体基板の厚み
ばらつきに対し、共振周波数の変化が最も小さくなるよ
うに各々の値を選んだ共振回路、あるいは前記ストリッ
プライン共振器のパターン幅と長さと、前記ストリップ
ラインのパターン幅と長さと、前記容量素子の容量値と
を、前記誘電体基板上に構成されるパターンの幅および
長さばらつきに対し、共振周波数の変化が最も小さくな
るように各々の値を選んだ共振回路、あるいは前記スト
リップライン共振器のパターン幅と長さと、前記ストリ
ップラインのパターン幅と長さと、前記容量素子の容量
値とを、前記誘電体基板の厚みばらつきと、前記誘電体
基板上に構成されるパターンの幅および長さばらつきの
双方に対し、共振周波数の変化が最も小さくなるように
各々の値を選んだ共振回路、あるいは前記ストリップラ
イン共振器のパターン幅と長さと、前記ストリップライ
ンのパターン幅と長さと、前記コンデンサと前記バラク
タダイオードの容量値とを、前記誘電体基板の厚みばら
つきに対し、共振周波数の変化が最も小さくなるように
各々の値を選んだ共振回路、あるいは前記ストリップラ
イン共振器のパターン幅と長さと、前記ストリップライ
ンのパターン幅と長さと、前記コンデンサとバラクタダ
イオードの容量値とを、前記誘電体基板上に構成される
パターンの幅および長さばらつきに対し、共振周波数の
変化が最も小さくなるように各々の値を選んだ共振回
路、あるいは前記ストリップライン共振器のパターン幅
と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長さ
と、前記コンデンサとバラクタダイオードの容量値と
を、前記誘電体基板の厚みばらつきと、前記誘電体基板
上に構成されるパターンの幅および長さばらつきの双方
に対し、共振周波数の変化が最も小さくなるように各々
の値を選んだ共振回路、あるいは上述したいずれかの共
振回路を有する発振回路、あるいは前記ストリップライ
ン共振器のパターン幅と長さと、前記ストリップライン
のパターン幅と長さと、前記コンデンサと前記バラクタ
ダイオードの容量値とを、前記誘電体基板の厚みばらつ
きに対し、発振周波数の変化が最も小さくなるように各
々の値を選んだ発振回路、あるいは前記ストリップライ
ン共振器のパターン幅と長さと、前記ストリップライン
のパターン幅と長さと、前記コンデンサとバラクタダイ
オードの容量値とを、前記誘電体基板上に構成されるパ
ターンの幅および長さばらつきに対し、発振周波数の変
化が最も小さくなるように各々の値を選んだ発振回路、
あるいは前記ストリップライン共振器のパターン幅と長
さと、前記ストリップラインのパターン幅と長さと、前
記コンデンサとバラクタダイオードの容量値とを、前記
誘電体基板の厚みばらつきと、前記誘電体基板上に構成
されるパターンの幅および長さばらつきの双方に対し、
発振周波数の変化が最も小さくなるように各々の値を選
んだ発振回路である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１３】図１は本発明の第１の実施例における共振
回路の回路図を示すものである。図１において、１は給
電点、３はストリップライン共振器、４はストリップラ
イン、１３はコンデンサである。
回路の回路図を示すものである。図１において、１は給
電点、３はストリップライン共振器、４はストリップラ
イン、１３はコンデンサである。
【００１４】以上のように構成された共振回路につい
て、以下その動作について説明する。図１において、３
は先端を短絡されたストリップライン共振器であり、こ
れに、ストリップライン共振器３と同じ基板上に形成さ
れた、先端開放のストリップライン４とコンデンサ１３
とが接続されている。
て、以下その動作について説明する。図１において、３
は先端を短絡されたストリップライン共振器であり、こ
れに、ストリップライン共振器３と同じ基板上に形成さ
れた、先端開放のストリップライン４とコンデンサ１３
とが接続されている。
【００１５】ストリップライン共振器３を形成する誘電
体基板の厚み及びストリップ導体の幅等によって決定さ
れる特性インピーダンスをZoa、波長短縮率をka、スト
リップライン共振器３のストリップ導体の長さをLa、ス
トリップライン４の特性インピーダンスをZob、波長短
縮率をkb、ストリップライン４のストリップ導体の長さ
をLb、コンデンサ１３の容量をC、光速をvとおくと、こ
の共振回路の共振周波数Fは、給電点１から各部を見た
「アドミタンスの和＝０」である次式を満たすよう決定
される。
体基板の厚み及びストリップ導体の幅等によって決定さ
れる特性インピーダンスをZoa、波長短縮率をka、スト
リップライン共振器３のストリップ導体の長さをLa、ス
トリップライン４の特性インピーダンスをZob、波長短
縮率をkb、ストリップライン４のストリップ導体の長さ
をLb、コンデンサ１３の容量をC、光速をvとおくと、こ
の共振回路の共振周波数Fは、給電点１から各部を見た
「アドミタンスの和＝０」である次式を満たすよう決定
される。
【００１６】
【数２】1／（jZoa・tan(2πFLa/(ka・v))）＋ 1／（-jZ
ob・cot(2πFLb/(kb・v))）＋j(2πFC)＝０ 式(2) いま、誘電体基板の厚みが、増す方向へ変化した場合の
共振周波数変化について説明する。
ob・cot(2πFLb/(kb・v))）＋j(2πFC)＝０ 式(2) いま、誘電体基板の厚みが、増す方向へ変化した場合の
共振周波数変化について説明する。
【００１７】誘電体基板の厚みが増すと、ストリップラ
イン共振器３ａの特性インピーダンスZoaは、増加す
る。この時、式(2)における第２項がないと、つまり従
来技術のようにストリップライン４がないと、共振周波
数Fは式(1)に応じて変化してしまう。しかし、本実施例
のようにストリップライン４を加えると、誘電体基板の
厚み増加に応じて、ストリップライン４の特性インピー
ダンスZobも増加する。これらの変化を式(2)で見ると、
Zoaの変化による式(2)第１項の変化を、Zobの変化によ
る式(2)第２項の変化が、打ち消す方向となることが定
性的に分かる。
イン共振器３ａの特性インピーダンスZoaは、増加す
る。この時、式(2)における第２項がないと、つまり従
来技術のようにストリップライン４がないと、共振周波
数Fは式(1)に応じて変化してしまう。しかし、本実施例
のようにストリップライン４を加えると、誘電体基板の
厚み増加に応じて、ストリップライン４の特性インピー
ダンスZobも増加する。これらの変化を式(2)で見ると、
Zoaの変化による式(2)第１項の変化を、Zobの変化によ
る式(2)第２項の変化が、打ち消す方向となることが定
性的に分かる。
【００１８】ここで、式(2)第２項の虚部の符号は、第
３項（コンデンサ１３によるキャパシタンス）と同じで
あるため、第２項は、基板ばらつきをセンスする可変容
量と考えることができる。
３項（コンデンサ１３によるキャパシタンス）と同じで
あるため、第２項は、基板ばらつきをセンスする可変容
量と考えることができる。
【００１９】よって、本発明は、ストリップライン共振
器３のパターン幅と長さと、ストリップライン４のパタ
ーン幅と長さと、コンデンサ１３の容量値とを、最適値
に選ぶことにより、誘電体基板の厚みばらつきに対し、
所望の共振周波数においてその共振周波数の変化を最も
小さくすることが可能となる。
器３のパターン幅と長さと、ストリップライン４のパタ
ーン幅と長さと、コンデンサ１３の容量値とを、最適値
に選ぶことにより、誘電体基板の厚みばらつきに対し、
所望の共振周波数においてその共振周波数の変化を最も
小さくすることが可能となる。
【００２０】ここで、その計算例を図６に示す。図６
は、ある形状のストリップライン共振器３と先端開放ス
トリップライン４に対し、コンデンサ１３の容量値をパ
ラメータとし、誘電体基板の厚みを横軸に、共振回路の
共振周波数を縦軸にとり、誘電体基板の厚み変化に対す
る共振周波数変化をプロットしたものである。
は、ある形状のストリップライン共振器３と先端開放ス
トリップライン４に対し、コンデンサ１３の容量値をパ
ラメータとし、誘電体基板の厚みを横軸に、共振回路の
共振周波数を縦軸にとり、誘電体基板の厚み変化に対す
る共振周波数変化をプロットしたものである。
【００２１】図からわかるように、この場合は、コンデ
ンサ１３の容量値として４ｐＦを選ぶことにより、誘電
体基板厚みばらつきに対する共振周波数変化を、ほとん
ど無くすることが可能となることがわかる。
ンサ１３の容量値として４ｐＦを選ぶことにより、誘電
体基板厚みばらつきに対する共振周波数変化を、ほとん
ど無くすることが可能となることがわかる。
【００２２】また、ストリップライン共振器を形成する
ストリップ導体の幅が変化する場合も同様に、ストリッ
プライン共振器３の特性インピーダンスZoa変化による
式(2)の第１項の変化分を、ストリップライン４の特性
インピーダンスZobの変化による式(2)の第２項の変化分
が打ち消す方向となるため、各パラメータを最適化する
ことにより、所望の共振周波数においてその共振周波数
の変化を最も小さくすることが同様に可能となる。
ストリップ導体の幅が変化する場合も同様に、ストリッ
プライン共振器３の特性インピーダンスZoa変化による
式(2)の第１項の変化分を、ストリップライン４の特性
インピーダンスZobの変化による式(2)の第２項の変化分
が打ち消す方向となるため、各パラメータを最適化する
ことにより、所望の共振周波数においてその共振周波数
の変化を最も小さくすることが同様に可能となる。
【００２３】以上のように本実施例によれば、先端開放
のストリップライン４をあらたに設けることにより、こ
のストリップライン４が、誘電体基板の各種ばらつき
（厚みおよびストリップ導体幅、長さ）による影響をキ
ャンセルする、等価可変容量として動作するため、共振
周波数のばらつきを、従来技術に対し大幅に削減するこ
とができる。
のストリップライン４をあらたに設けることにより、こ
のストリップライン４が、誘電体基板の各種ばらつき
（厚みおよびストリップ導体幅、長さ）による影響をキ
ャンセルする、等価可変容量として動作するため、共振
周波数のばらつきを、従来技術に対し大幅に削減するこ
とができる。
【００２４】以下本発明の第２の実施例の共振回路につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【００２５】図２は本発明の第２の実施例における共振
回路の回路図を示すものである。図２において、１４は
コンデンサ、５はバラクタダイオード、６はチョークコ
イル、７はバイパスコンデンサ、８はチューニング電圧
端子である。図２において、図１との違いは、図１にお
けるコンデンサ１３を、コンデンサ１４とバラクタダイ
オード５との直列接続回路に置き換えた部分のみであ
り、第１の実施例と同様の効果が得られる。
回路の回路図を示すものである。図２において、１４は
コンデンサ、５はバラクタダイオード、６はチョークコ
イル、７はバイパスコンデンサ、８はチューニング電圧
端子である。図２において、図１との違いは、図１にお
けるコンデンサ１３を、コンデンサ１４とバラクタダイ
オード５との直列接続回路に置き換えた部分のみであ
り、第１の実施例と同様の効果が得られる。
【００２６】なお、本実施例では、チューニング電圧端
子８に加える電圧により、共振周波数を可変することが
可能となる。
子８に加える電圧により、共振周波数を可変することが
可能となる。
【００２７】ここで、計算例を図７に示す。図７は、あ
る形状のストリップライン共振器３と、それに並列に接
続される、ある値のコンデンサ１４とある値のバラクタ
ダイオード５の直列接続回路に対し、ある長さのストリ
ップライン４のストリップ導体幅をパラメータとし、チ
ューニング電圧端子８に加えるチューニング電圧を横軸
に、共振回路の共振周波数を縦軸にとり、誘電体基板上
に形成されるストリップライン共振器３と先端開放スト
リップライン４の各ストリップ導体の幅および長さばら
つき（ここでは、幅・長さともに±0.1mmばらつき）に
対する共振周波数変化をプロットしたものである。
る形状のストリップライン共振器３と、それに並列に接
続される、ある値のコンデンサ１４とある値のバラクタ
ダイオード５の直列接続回路に対し、ある長さのストリ
ップライン４のストリップ導体幅をパラメータとし、チ
ューニング電圧端子８に加えるチューニング電圧を横軸
に、共振回路の共振周波数を縦軸にとり、誘電体基板上
に形成されるストリップライン共振器３と先端開放スト
リップライン４の各ストリップ導体の幅および長さばら
つき（ここでは、幅・長さともに±0.1mmばらつき）に
対する共振周波数変化をプロットしたものである。
【００２８】図からわかるように、この場合は、先端開
放ストリップラインのストリップ導体幅を1.5mmと選ぶ
ことにより、上記誘電体基板ばらつきに対する共振周波
数変化を、ほとんど無くすることが可能となることがわ
かる。
放ストリップラインのストリップ導体幅を1.5mmと選ぶ
ことにより、上記誘電体基板ばらつきに対する共振周波
数変化を、ほとんど無くすることが可能となることがわ
かる。
【００２９】以下本発明の第３の実施例の共振回路につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【００３０】図３は本発明の第３の実施例における共振
回路の回路図を示すものである。図３において、図２と
の違いは、先端を短絡されたストリップライン共振器３
に並列に、その先端を、コンデンサ１４とバラクタダイ
オード５との直列接続回路にて短絡したストリップライ
ン４が並列に接続されている部分である。
回路の回路図を示すものである。図３において、図２と
の違いは、先端を短絡されたストリップライン共振器３
に並列に、その先端を、コンデンサ１４とバラクタダイ
オード５との直列接続回路にて短絡したストリップライ
ン４が並列に接続されている部分である。
【００３１】この場合、第１および第２の実施例に示す
のと同様の理由で、各パラメータを最適値に選ぶことに
より、誘電体基板ばらつきに対する共振回路の共振周波
数ばらつきを削減することが可能となる。
のと同様の理由で、各パラメータを最適値に選ぶことに
より、誘電体基板ばらつきに対する共振回路の共振周波
数ばらつきを削減することが可能となる。
【００３２】なお、ストリップライン共振器３に並列に
接続されるトータル容量値は、コンデンサ１４とバラク
タダイオード５とストリップライン４との直列接続とな
るため、図２に示す第２の実施例に比べ、その値が小さ
くなる。故に、図２に示す第２の実施例に対し、チュー
ニング電圧端子８に加える電圧対共振周波数変化の感度
を高くすることが可能となる。
接続されるトータル容量値は、コンデンサ１４とバラク
タダイオード５とストリップライン４との直列接続とな
るため、図２に示す第２の実施例に比べ、その値が小さ
くなる。故に、図２に示す第２の実施例に対し、チュー
ニング電圧端子８に加える電圧対共振周波数変化の感度
を高くすることが可能となる。
【００３３】以下本発明の第４の実施例の共振回路につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【００３４】図４は本発明の第４の実施例における共振
回路、共振回路の回路図を示すものである。図４におい
て、９は実施例２に示す本発明の共振回路、１０は発振
回路部、１１は発振回路側等価容量である。
回路、共振回路の回路図を示すものである。図４におい
て、９は実施例２に示す本発明の共振回路、１０は発振
回路部、１１は発振回路側等価容量である。
【００３５】このように構成した発振回路の発振周波数
は、ストリップライン共振器３に対して、先端開放スト
リップライン４と、コンデンサ１４とバラクタダイオー
ド５との直列容量と、発振回路側等価容量１１とが、並
列に接続された場合の共振周波数により決定される。
は、ストリップライン共振器３に対して、先端開放スト
リップライン４と、コンデンサ１４とバラクタダイオー
ド５との直列容量と、発振回路側等価容量１１とが、並
列に接続された場合の共振周波数により決定される。
【００３６】ここで第２の実施例における共振周波数を
決定する条件との違いは、ストリップライン共振器３に
対して並列に接続される容量として、発振回路側等価容
量１１の部分がさらに加わったことである。
決定する条件との違いは、ストリップライン共振器３に
対して並列に接続される容量として、発振回路側等価容
量１１の部分がさらに加わったことである。
【００３７】故に、第１および第２の実施例で述べたの
と同様に、ストリップライン共振器３のパターン幅と長
さと、ストリップライン４のパターン幅と長さと、コン
デンサ１４とバラクタダイオード５の容量値とを、発振
回路側等価容量１１を考慮した上で最適値に選ぶことに
より、誘電体基板の厚みばらつき、および誘電体基板上
のストリップライン共振器３とストリップライン４を形
成するストリップ導体の幅および長さばらつきに対し、
所望の発振周波数においてその発振周波数の変化を最も
小さくすることが可能となる。
と同様に、ストリップライン共振器３のパターン幅と長
さと、ストリップライン４のパターン幅と長さと、コン
デンサ１４とバラクタダイオード５の容量値とを、発振
回路側等価容量１１を考慮した上で最適値に選ぶことに
より、誘電体基板の厚みばらつき、および誘電体基板上
のストリップライン共振器３とストリップライン４を形
成するストリップ導体の幅および長さばらつきに対し、
所望の発振周波数においてその発振周波数の変化を最も
小さくすることが可能となる。
【００３８】以上のように本実施例によれば、ストリッ
プライン４をあらたに設けた第２の実施例における共振
回路を、発振回路に採用することにより、このストリッ
プライン４が、誘電体基板の各種ばらつき（厚みおよび
ストリップ導体幅、長さ）による影響をキャンセルする
等価可変容量として動作するため、発振周波数のばらつ
きを、従来技術に対し大幅に削減することができる。
プライン４をあらたに設けた第２の実施例における共振
回路を、発振回路に採用することにより、このストリッ
プライン４が、誘電体基板の各種ばらつき（厚みおよび
ストリップ導体幅、長さ）による影響をキャンセルする
等価可変容量として動作するため、発振周波数のばらつ
きを、従来技術に対し大幅に削減することができる。
【００３９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、先端開放
のストリップラインをあらたに設けることによりこのス
トリップラインは、ストリップライン共振器との接続点
から見たそのインピーダンスが、誘電体基板の各種ばら
つき（厚みおよびストリップ導体幅、長さ）に応じて変
化する可変容量として、ストリップライン共振器が基板
ばらつきからうける影響を打ち消す方向に動作する。
のストリップラインをあらたに設けることによりこのス
トリップラインは、ストリップライン共振器との接続点
から見たそのインピーダンスが、誘電体基板の各種ばら
つき（厚みおよびストリップ導体幅、長さ）に応じて変
化する可変容量として、ストリップライン共振器が基板
ばらつきからうける影響を打ち消す方向に動作する。
【００４０】よって、各パラメータを最適値に設定する
ことにより、所望の共振周波数にて、誘電体基板ばらつ
きに対する共振周波数のばらつきを、従来技術に対し大
幅に削減することが可能となる。
ことにより、所望の共振周波数にて、誘電体基板ばらつ
きに対する共振周波数のばらつきを、従来技術に対し大
幅に削減することが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例における共振回路の回路
図
図
【図２】本発明の第２の実施例における共振回路の回路
図
図
【図３】本発明の第３の実施例における共振回路の回路
図
図
【図４】本発明の第４の実施例における共振回路、発振
回路の回路図
回路の回路図
【図５】従来の共振回路の回路図
【図６】本発明の第１の実施例における計算結果を示す
グラフ
グラフ
【図７】本発明の第２の実施例における計算結果を示す
グラフ
グラフ
１ 給電点 ３ ストリップライン共振器 ４ ストリップライン ５ バラクタダイオード ６ チョークコイル ７ バイパスコンデンサ ８ チューニング電圧端子 ９ 実施例２に示す本発明の共振回路 １０ 発振回路部 １１ 発振回路側等価容量 １３ コンデンサ １４ コンデンサ
Claims (13)
- 【請求項１】 誘電体基板上に形成され、その一端が前
記誘電体基板の裏面接地導体と短絡されたストリップラ
イン共振器と、前記誘電体基板上に形成され、その一端
が開放のストリップラインと、その一端が前記誘電体基
板の裏面接地導体と接続された容量素子とを備え、前記
ストリップライン共振器の他端と、前記ストリップライ
ンの他端と、前記容量素子の他端とが接続されているこ
とを特徴とする共振回路。 - 【請求項２】 誘電体基板上に形成され、その一端が前
記誘電体基板の裏面接地導体と短絡されたストリップラ
イン共振器と、前記誘電体基板上に形成され、その一端
が容量素子を介して前記誘電体基板裏面接地導体と短絡
されたストリップラインとを備え、前記ストリップライ
ン共振器の他端と、前記ストリップラインの他端とが接
続されていることを特徴とする共振回路。 - 【請求項３】 前記容量素子を、コンデンサとバラクタ
ダイオードとの直列接続回路に置き換え、前記バラクタ
ダイオードに加える電圧により共振周波数を可変させう
る構成としたことを特徴とする請求項１又は２記載の共
振回路。 - 【請求項４】 前記ストリップライン共振器のパターン
幅と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長さ
と、前記容量素子の容量値とを、前記誘電体基板の厚み
ばらつきに対し、共振周波数の変化が最も小さくなるよ
うに各々の値を選んだことを特徴とする請求項１又は２
記載の共振回路。 - 【請求項５】 前記ストリップライン共振器のパターン
幅と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長さ
と、前記容量素子の容量値とを、前記誘電体基板上に構
成されるパターンの幅および長さばらつきに対し、共振
周波数の変化が最も小さくなるように各々の値を選んだ
ことを特徴とする請求項１又は２記載の共振回路。 - 【請求項６】 前記ストリップライン共振器のパターン
幅と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長さ
と、前記容量素子の容量値とを、前記誘電体基板の厚み
ばらつきと、前記誘電体基板上に構成されるパターンの
幅および長さばらつきの双方に対し、共振周波数の変化
が最も小さくなるように各々の値を選んだことを特徴と
する請求項１又は２記載の共振回路。 - 【請求項７】 前記ストリップライン共振器のパターン
幅と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長さ
と、前記コンデンサと前記バラクタダイオードの容量値
とを、前記誘電体基板の厚みばらつきに対し、共振周波
数の変化が最も小さくなるように各々の値を選んだこと
を特徴とする請求項３記載の共振回路。 - 【請求項８】 前記ストリップライン共振器のパターン
幅と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長さ
と、前記コンデンサとバラクタダイオードの容量値と
を、前記誘電体基板上に構成されるパターンの幅および
長さばらつきに対し、共振周波数の変化が最も小さくな
るように各々の値を選んだことを特徴とする請求項３記
載の共振回路。 - 【請求項９】 前記ストリップライン共振器のパターン
幅と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長さ
と、前記コンデンサとバラクタダイオードの容量値と
を、前記誘電体基板の厚みばらつきと、前記誘電体基板
上に構成されるパターンの幅および長さばらつきの双方
に対し、共振周波数の変化が最も小さくなるように各々
の値を選んだことを特徴とする請求項３記載の共振回
路。 - 【請求項１０】 請求項１から３までのいずれかの共振
回路を有する発振回路。 - 【請求項１１】 前記ストリップライン共振器のパター
ン幅と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長
さと、前記コンデンサと前記バラクタダイオードの容量
値とを、前記誘電体基板の厚みばらつきに対し、発振周
波数の変化が最も小さくなるように各々の値を選んだこ
とを特徴とする請求項１０記載の発振回路。 - 【請求項１２】 前記ストリップライン共振器のパター
ン幅と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長
さと、前記コンデンサとバラクタダイオードの容量値と
を、前記誘電体基板上に構成されるパターンの幅および
長さばらつきに対し、発振周波数の変化が最も小さくな
るように各々の値を選んだことを特徴とする請求項１０
記載の発振回路。 - 【請求項１３】 前記ストリップライン共振器のパター
ン幅と長さと、前記ストリップラインのパターン幅と長
さと、前記コンデンサとバラクタダイオードの容量値と
を、前記誘電体基板の厚みばらつきと、前記誘電体基板
上に構成されるパターンの幅および長さばらつきの双方
に対し、発振周波数の変化が最も小さくなるように各々
の値を選んだことを特徴とする請求項１０記載の発振回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8209505A JPH1056306A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 共振回路及び発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8209505A JPH1056306A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 共振回路及び発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056306A true JPH1056306A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16573919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8209505A Pending JPH1056306A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 共振回路及び発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1056306A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6448874B1 (en) | 1999-02-08 | 2002-09-10 | Alps Electric Co., Ltd. | Resonant line constructed by microstrip line which is easy to be trimmed |
| US6714090B2 (en) | 2001-09-18 | 2004-03-30 | Alps Electric Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator with enhanced sensitivity of change of oscillation frequency |
| CN111246659A (zh) * | 2020-02-24 | 2020-06-05 | 西安易朴通讯技术有限公司 | Pcb及电子设备 |
-
1996
- 1996-08-08 JP JP8209505A patent/JPH1056306A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6448874B1 (en) | 1999-02-08 | 2002-09-10 | Alps Electric Co., Ltd. | Resonant line constructed by microstrip line which is easy to be trimmed |
| US6714090B2 (en) | 2001-09-18 | 2004-03-30 | Alps Electric Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator with enhanced sensitivity of change of oscillation frequency |
| CN111246659A (zh) * | 2020-02-24 | 2020-06-05 | 西安易朴通讯技术有限公司 | Pcb及电子设备 |
| CN111246659B (zh) * | 2020-02-24 | 2021-08-17 | 西安易朴通讯技术有限公司 | Pcb及电子设备 |
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