JPH10513402A - ルテニウム触媒及びシクロペンテノン類の不斉水素化に於けるその使用 - Google Patents

ルテニウム触媒及びシクロペンテノン類の不斉水素化に於けるその使用

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Abstract

(57)【要約】 等モル量の、適当なＲｕ(II)錯体及び二座ジホスフィン配位子を、式ＨＸ（式中、Ｘは非配位アニオンである）の酸で処理することからなり、該酸をＲｕ(II)錯体の１モル当たり２モル当量を越えない比率で使用し、この処理を非配位性溶媒又は弱配位性溶媒中で不活性雰囲気下で行う方法によって得ることができる、二座ホスフィン配位子からなるルテニウム(II)の触媒。この触媒は、（＋）−（１Ｒ）−シス立体配置を有するHedioneTMの好ましい異性体を製造するために有用である。

Description

【発明の詳細な説明】 ルテニウム触媒及びシクロペンテノン類の 不斉水素化に於けるその使用技術分野 本発明は、均一条件下での不斉水素化の分野に関し、更に特に、一般式： （式中、Ｒ1は、直鎖又は分枝鎖のＣ1〜Ｃ4アルキル基を表わし、Ｒ2は、飽和又 は不飽和の、直鎖又は分枝のＣ1〜Ｃ8炭化水素基を表す） を有するシクロペンテノン誘導体の不斉水素化のための、新規なＲｕ(II)キラル 触媒の使用に関する。 式（II）の化合物は、その不斉及び立体特異性水素化が、近年達成された均一 触媒に於ける全ての進歩にも拘わらず、これまでその弱い供与体能力及びその束 縛構造の結果として不可能であることが分かっていた基体(substrate)である。先行技術 不斉水素化のために有用である非常に多数のキラル触媒が、現在実際に知られ ている。本発明に関連して、本発明者等は特に、式［（ＣＯＤ）Ｒｕ（２−メチ ルアリル）2］（ＣＯＤ＝シクロ−１，５−オクタジエン）のＲｕ(II)錯体から 得られた、Ｒｕ(II)キラル触媒の合成を積極的に研究した２組の研究グループの 努力を引用することができる。 それで、J．-P．Genet及び彼の共同研究者達は、式［Ｒｕ（Ｐ*−Ｐ*）（２− メチルアリル）2］（式中、Ｐ*−Ｐ*は、ＤＩＯＰ、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ、ＰＲ ＯＰＨＯＳ、ＢＤＰＰ、ＣＢＤ、ＮＯＲＰＨＯＳ、ＤＥＧＵＰＨＯＳ、ＢＰＰＭ 、ＢＩＮＡＰ、ＲＤｕＰＨＯＳ（Ｒ＝メチル又はエチル）、ＢＩＰＨＥＭＰ又は 更にＤＩＰＡＭＰのような略称で現在知られているものの種類の二座配位子を表 わす）の触媒に関する研究を発表した（例えば、J.-P．Genet et al.，Tetrahed ron : Asymmetry 1991，2，43を参照されたい）。このような触媒は、上記のＲ ｕ(II)錯体を適当な二座配位子と一緒に、ヘキサン又はトルエンのような溶媒中 で加熱して、シクロオクタジエンをキラルホスフィンで置換することによって得 られた。 続く研究（例えば、ＷＯ９１／０２５８８；J．-P.Genet，Acros Organics Ac ta，1994，1，1-8；J．-P.Genet et al.，Tetrahedron : Asymmetry，1994，5， 665-690を参照されたい）で、これらの著者は、金属の周りの配位構造（同じ著 者によれば、この構造はヘキサ配位型のものである）を安定化させる役割を演じ ることができる強配位性溶媒中で、ＨＢｒ、ＨＣｌ、 ＨＦ又はＨＢＦ４のような酸水溶液の手段による、プロトン化を介するこのよう な触媒のトランスフォーメーションを記載した。インシトゥで製造することがで きるこの種の触媒は、プロトン性又は強い電子供与性溶媒（メタノール、エタノ ール、ＴＨＦ又はこれらと他の溶媒との混合物）中で、カルボニル基及び非環式 エチレン性結合を含む基体の不斉水素化のために有用であることが分かった。 他の研究（例えば、F．Heiser et al.，Tetrahedron : Asymmetry，1991，2， 51-62 ; EP 643 052 ; EP 398 132 ; EP 570 674を参照されたい）は、同じルテ ニウム錯体から出発するが、これによる方法に続いて、該錯体と適当なジホスフ ィン配位子との混合物を特にＣＦ3ＣＯＯＨで、もう一度金属の配位構造を安定 化させることができる電子供与性溶媒中で処理する、種々の物質を水素化するた めにインシトゥで製造された触媒を使用することの報告になった。 これらの触媒及び引用した文献に記載されている同様の方法により得られるも のは、種々の基体、即ちＲｕ(II)を配位することができる良好な電子供与性基体 の不斉水素化で非常に有効であることを現し、典型的にプロトン性溶媒又はプロ トン性溶媒と非プロトン性溶媒との混合物と共に使用される。しかしながら、こ れらは、先行技術の方法によって製造し、報告された条件下で使用したとき、前 記の基体（II）の水素化に 関して効果がないことがわかった。実際、基体（II）は、先行技術に記載された 種類の基体と比較したとき、弱い電子供与体であり、これを不斉的に水素化する ための努力でこれまで行われた多くの試みは、常に成果のないことが分かった。 式（II）の基体の中で、メチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペン テン−１−アセタートは、その不斉水素化によって潜在的に、一工程で、ジヒド ロジャスモン酸メチル又はHedioneTM（出所、Firmenich SA，スイス国、ジュネ ーブ）、即ち、評価の高い香料成分の光学的活性異性体を与えることができるの で、本発明に関連して特に興味があることが指摘されるべきである。 ４種の可能性のあるHedioneTM立体異性体の中で、メチル （＋）−（１Ｒ） −シス−３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンタンアセタートは、最も良 い状態で香り特性、即ちそのためにHedioneTMが高く評価されるジャスミン香を 有し、この異性体の香りの強度も、他の異性体のものよりも数桁優れていること が知られている。それで、光学的に純粋の状態でメチル （＋）−（１Ｒ）−シ ス−３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンタンアセタートの製造又は本質 的にこの異性体を含有する異性体混合物の製造は、芳香工業に於いて最も重要な ものである。それにも拘わらず、現在のところ、前記のような基体から出発する 、工業的応用の可能性があるこの化合物の合成は存在しておらず、この基体を不 斉水素化する全ての努力は現在まで失敗している。発明の説明 本発明の目的は、この問題に対する解決を正確に提供することである。 本発明者等は、このHedioneTMの好ましい異性体が、１工程方法によって、独 創的な方法により製造される、新規なＲｕ(II)キラル触媒の使用に頼って、優れ たジアステレオ化学的純度及び鏡像異性体的純度で製造できることを見出した。 それで、本発明の目的は、該触媒が、等モル量の適当なＲｕ(II)錯体及び二座 ジホスフィン配位子を式ＨＸ（式中、Ｘは非配位アニオンである）の酸で処理す ることからなり、該酸をＲｕ(II)錯体の１モル当たり２モル当量を越えない比率 で使用し、この処理を非配位性溶媒又は弱配位性溶媒中で不活性雰囲気下で行う 方法によって得ることができることを特徴とする、二座ホスフィン配位子からな るルテニウム(II)触媒である。 本明細書に於いて、「適当なＲｕ(II)錯体」によって、金属がジエニル及びア ルキル型配位子により、金属がこの配位子の２個にσ結合し、配位子が更に金属 にπ結合した少なくとも１個の結合を有し、２個の他の金属配位位置が同じ該２ 個の配位子又は別の配位子 にπ結合しているように取り囲まれている全てのＲｕ(II)錯体が意味される。 幾つかのルテニウム化合物又は他の遷移金属の類似の化合物は、上記の条件を 満足させる配位子を含み、本発明の触媒の前駆体として便利である先行技術から 公知である。 更に特に、適当なルテニウム(II)錯体として、[(ジエン)Ｒｕ(アリル)2]型（ 式中、「ジエン」は例えば、ＣＯＤ（シクロオクタ−１，５−ジエン）又はＮＢ Ｄ（ノルボルナジエン）又は更にヘプタ−１，４−ジエンを表わし、「アリル」 は２−プロペニル又は２−メタリル基を表わす）の化合物を挙げることができる （例えば、J.-P．Genet et al.,引用した文献；M.O．Albers et al.，Inorganic Synth．1989，26，249；R.R．Schrock et al.，J.Chem．Soc．Dalton Trans，1 974 ，951を参照されたい）。他の適当なルテニウム(II)錯体には、[ビス(ペンタ ジエニル)Ｒｕ]型（式中、「ペンタジエニル」は２，４−ジメチルペンタジエニ ル、２，３，４−トリメチルペンタジエニル、２，４−ジ（tert-ブチル）ペン タジエニル又は更に２，４−ジメチル−１−オキサペンタジエニル基を表わす） の化合物が含まれる（例えば、R.D.Ernst et al.，J.Organometallic Chem.，19 91 ，402，17；L．Stahl et al.，Organometallic 1983，2，1229；T.Schmidt et al.，J．Chem．Soc．Chem．Commun.，1991，1427；T .D．Newbound et al.，Organometallics，1990，9，2962を参照されたい）。 本発明の触媒の好ましい態様に続いて、Ｒｕ(II)前駆体として、式[(ＣＯＤ) Ｒｕ(２−メタリル)2]の化合物であるビス（２，４−ジメチルペンタジエニル） ルテニウム（例えば、L．Stahl et al.又はT.D．Newbound et al.の引用した文 献）又はビス（２，４−ジメチル−１−オキサペンタジエニル）ルテニウム錯体 （例えば、T.Schmidt et al.の引用した文献）が使用される。 本発明の触媒中の配位子として使用することができる二座ホスフィンの中でも 、好ましい態様として、Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ、Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ、ＢＩＮＡＰ 、ＴｏｌＢＩＮＡＰ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ、ＤＩＰＡＭＰ及びＣＨＩＲＡＰＨＯＳ の略語で知られているキラルホスフィン類からなる群から選択されたものを挙げ ることができる。これらの構造を、特に鏡像異性体の一つについて下記に示す。 本発明のキラル触媒中に使用することができる他のキラル二座ホスフィンには 、例えば、ＮＯＲＰＨＯＳの名称の下で知られているもの又は更にＤｕＰＨＯＳ 型配位子の類似物であるいわゆる「ＢＰＥ」が含まれる。これらの構造を、鏡像 異性体の一つについて下記に示す。 本発明の触媒の製造のための他の特に有用な配位子は、式： のキラルジホスフィンであり、特に（Ｒ）−（Ｓ）−ＪＯＳＩＰＨＯＳ（Ｒ＝シ クロヘキシル、Ｒ′＝フェニル）又は（−）−ＪＯＳＩＰＨＯＳの名称で知られ ているものである。 更に、他の配位子、キラル又はアキラルを本発明に よる触媒を製造するために使用することができることが確認され、この触媒は８ ０％以上のシスステレオ選択率で、殆どの場合９５％以上のシスステレオ選択率 で基体（II）の水素化を触媒することができることが確認された。最後に、下記 に示すようなアキラル又はラセミ二座フェロセニル−ジホスフィンを挙げること ができる。 配位子として有用な他の二座ホスフィンを下記に示す。 (Ｐｈ)2Ｐ−(ＣＨ2)n−Ｐ(Ｐｈ)2 （Ｌ１３） ｎ＝１〜４ Ｐｈ＝フェニル 本発明の触媒中の配位子として、金属から基体（II）を配位する能力を剥奪す ることなくそれを、該金属を安定化させることができるようにするために、ジホ スフィンを十分に電子富化にすることができる置換基からなるどのような二座ジ ホスフィンも使用することができる。 一定の数のアルキル又はシクロアルキル型置換基を有するジホスフィンが、本 発明の目的のために特に有用であることを示し、基体（II）の水素化のために非 常に活性であり、有効である触媒を与えることが観察された。 本発明の触媒を製造するための好ましい配位子は、２個のリン原子が、任意に 置換されたアルキル、１， ２−ベンゼニル、ビス（ナフタレニル）又は更に１，１′−フェロセニル型の基 によって橋架けされており、該リン原子が更に、同一であっても異なっていても よく、アルキル、アリール若しくはアルキルアリール基又は更に脂環式基から形 成される２個の他の置換基を有する、ジホスフィン配位子であることが、上記の ことから明らかである。 ＤｕＰＨＯＳ、ＢＩＮＡＰ、ＴｏｌＢＩＮＡＰ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ又はＪＯＳ ＩＰＨＯＳ型のジホスフィン配位子からなる本発明の触媒は、後で示す実施例か ら明らかであるように、式（II）の基体の不斉水素化のための触媒として特に有 利である。 後者の触媒の中で、ＳＫＥＷＰＨＯＳ、ＪＯＳＩＰＨＯＳ又はＭｅ−ＤｕＰＨ ＯＳ型の配位子からなるものは、特に有利な性能のものであることを示し、それ で本発明により好ましい。（Ｒ，Ｒ）−（−）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ又は（−） −１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）ベンゼニルは、本発明による優 れた触媒を得ることを可能にした。 以下に示す型Ｌ１〜Ｌ１３の配位子は市販されている化合物であるか又はこれ らは以前に記載された方法に類似の方法に従って製造することができる。 例えば、ＤｕＰＨＯＳ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ、ＢＩＮＡＰ、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ 、ＤＩＰＡＭＰ及びＮＯＲＰＨＯＳ型の配位子は、大部分は市販の製品であり、 何れにしても、これらは文献、即ち、R．Noyori著、「有機合成に於ける不斉触 媒作用(Asymmetric Catalysis in Organic Synthesis)」、John Wiley & Sons、 ニューヨーク（1994年）、第ＩＩ章及びJ．Ojima著、「接触不斉合成(Catalytic Asymmetric Synthesis)」、VCH Publishers、ニューヨーク（1994年）、第Ｉ章 の書籍のような参照研究に記載されている方法によって得ることができる。 Ｌ１３配位子は非常に一般的であって市販されているが、フェロセニル基を含 有するものは（例えば、構造Ｌ１０（Ｒはフェニル基を表す）の化合物の場合の ように）市販されているか又はこれらは、例えば、M.D．Rausch et al.，J．Org anometallic Chem．1967，10，127、R.A．Brown et al．1992，20，2611及びG.H erberich et al.，Chem．Ber．1995，128，689に記載されているものに類似した 方法によって製造することができる。更に、これらのフェロセニルジホスフィン 型配位子の幾つかは新規な化合物であり、この化合物も本発明の目的である。こ れは、即ち式（Ｌ８）（式中、Ｒ1＝トリメチルシリル、Ｒ2＝イソプロピル）の 配位子の場合である。 ＪＯＳＩＰＨＯＳの名称で知られている、（Ｌ１１）型（式中、Ｒ＝シクロヘ キシル、Ｒ′＝フェニル）の配位子は、A．Togni et al.，J．Amer．Chem．Soc. 1994，116，4062により記載されているようにして製 造することができる。これらはまた市販されており、同じことがそれらの類似物 に適用される（出所：STREM Chemicals，Inc.）。 本発明の触媒の製造用に使用される、前記の式ＨＸの酸は典型的に、対応する エーテラート（例えば、ＨＢＦ4・Ｒ2Ｏ、Ｒ＝ＣＨ3又はＣ2Ｈ5）又は全ての他 のオニウム型塩（例えば、ホスホニウム又はスルホニウム）の形で使用される。 これらのエーテラートは市販の製品であり、又はこれらは対応する銀塩からＨＣ ｌと反応させることによって製造することができる。後者の場合に、銀塩、例え ば、ＡｇＢＦ4、ＡｇＰＦ6、ＡｇＳｂＦ6又はＡｇＡｓＦ6は典型的に、ジアルキ ルエーテルを含有する溶媒、例えば、ジクロロメタンとジエチルエーテルとの混 合物中で、ＨＣｌと反応させられるであろう。塩化銀は沈殿するので、これは酸 のエーテラート溶液を与え、次いで本発明によりルテニウム錯体及びホスフィン 配位子との反応で使用される。 それで、ＨＸ酸として、ＨＢＦ4、ＨＰＦ6、ＨＳｂＦ6、ＨＡｓＦ6及びＨＢ[ ３，５−(ＣＦ3)2Ｃ6Ｈ4]4からなる群から選択される酸を挙げることができる。 全てのこれらの酸は、共通の特性として、それらのアニオンが非配位であるとい う事実を有する。 本発明の触媒の好ましい態様により、テトラフルオロホウ酸エーテラートが使 用される。 本発明の触媒の製造方法を特徴付ける反応は、非配位性媒体又は弱配位性媒体 中で不活性雰囲気下で起こる。後者により、本明細書では、その酸素含有量が２ ００ｐｐｍ未満、好ましくは５〜１０ｐｐｍを越えない雰囲気を意味する。 非配位性媒体又は弱配位性媒体によって、本明細書では、例えば非配位性溶媒 又は弱配位性溶媒が意味される。また、更に上記定義したような溶媒中であるが 、上に挙げた式： （式中、Ｒ1は、直鎖又は分枝のＣ1〜Ｃ4アルキル基を表わし、Ｒ2は、飽和又は 不飽和の、直鎖又は分枝のＣ1〜Ｃ8炭化水素基を表わす） の基体の存在下でも反応が起こることが意味される。 更に、有用な触媒が溶媒の不存在下、即ち、式（II）の基体単独の存在下でも 得ることができることが確認された。本発明者等は、驚くべきことに、該基体が 存在することによって、本発明の目的である条件下で上記の生成物（II）の水素 化を触媒することができるＲｕ(II)ジカチオン性種の生成も可能であることに気 付き、以下詳細に説明する。 ＨＸ酸による、Ｒｕ(II)錯体及びキラル物であってもよいジホスフィン配位子 の処理が溶媒中で行われる とき、後者は好ましくは、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ピバル酸エチル、 酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、アセトン、２−ブタノン、３−ペ ンタノン及びこれらの溶媒の２種又は数種の全ての混合物からなる群から選択さ れるであろう。 好ましい態様により、ジクロロメタン又は後者と他の非配位性溶媒若しくは弱 配位性溶媒、特に上記のものとの混合物が使用される。 典型的に先行技術の触媒の製造で使用される配位性溶媒を使用することによっ て、下記に示す実施例から全く明らかであるように、適当な基体（II）の水素化 でこれらを適用する過程で、本質的に前記の好ましいHedioneTMの異性体を与え ることができる触媒を得ることができなかったことが指摘されるべきである。こ れは本発明の触媒で本発明者等が気付いたこととは違っている。 さて、本発明によるＲｕ(II)のジカチオン性錯体の構造は知られていない。こ れらの正確な構造的性質を予断するどのような意図も無しに、これらは型[(ジエ ン)Ｒｕ(Ｐ*−Ｐ*)Ｓ2]2+(アニオン-)2(式中、配位子Ｓは溶媒（例えば、ＣＨ2 Ｃｌ2及び／又はエーテル）、基体又は両方の混合物を表わし、Ｐ*−Ｐ*は、キ ラルであってもよい二座ホスフィン配位子を表わす）の式に従うことがそれにも 拘わらず全くありそうに思われる。実際に、溶媒及び／又は基体（II）の弱い電 子供与体特性を与え、先行技術から公知であるものを考慮すると、金属の周りの 配位構造が当該技術分野に於ける一般的知識に基づいて完全に定義することがで きないとき、公知の方法によって製造された触媒に対する類似性によって、これ らの触媒の生成及び全ての水素化活性を観察することは全体的に驚くべきことで ある。 これらの新規な触媒は、先行技術に記載されている方法によって製造された触 媒が失敗した場合、優れた効率を証明した。実際、本発明者等は、場合が不斉で あってもよいとき、式（II）の化合物の水素化のためにこれを使用することによ って、本質的にシス立体配置で、任意に、触媒のキラル性の機能として鏡像異性 選択方式で、優れた光学的純度を有する式： （式中、Ｒ1及びＲ2は前に示した意味を有する） の化合物の異性体を得ることが可能になることを見出した。 更に特に、本発明者等は、９８％以上のシス純度及び少なくとも６０％の鏡像 異性過剰を有するメチル（＋）−（１Ｒ）−シス−３−オキソ−２−ペンチル− １−シクロペンタンアセタートを得ることができた。 これらの触媒の中で、後で示す実施例から明らかであるように、ジクロロメタ ン又はメチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセター トとのその混合物の媒体中で、ＨＢＦ4−エーテラートを使用して、式[(ＣＯＤ) Ｒｕ(２−メタリル)2]の錯体と（−）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ又は（−）−ＪＯＳ ＩＰＨＯＳ配位子とから出発して得られたものが、（＋）−シス−HedioneTMの 製造のために特に有利であることが証明された。 前記のキラル配位子からなる触媒は、式（Ｉ）の光学的に活性の化合物、特に メチル （＋）−（１Ｒ）−シス−３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペン タンアセタートの製造のために特に有用であることが証明された。 勿論、触媒の光学的立体配置は基体（II）の水素化生成物の光学的立体配置を 決定するので、上記の配位子の鏡像異性体を使用することによって、メチル シ ス−３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンタンアセタートの（−）−（１ Ｓ）−立体配置鏡像異性体の製造が可能である。 本発明により、触媒の製造は室温又はより低い温度で行うことができる。更に 、上記の処理の温度は、基体（II）の水素化に於ける触媒の性質及びその効率に 影響を与えやすい、方法の重要なパラメーターであるとは思われない。勿論、室 温の適用が実際的観点から 有利である。 他方、本発明者等は、ＨＸ酸、例えば、ＨＢＦ4、ＨＰＦ6、ＨＳｂＦ6又はＨ ＡｓＦ6の分子量と、ルテニウム錯体の分子量との間の比率が、本発明による前 記の基体（II）、更に特にメチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペン テン−１−アセタートの不斉水素化に於ける触媒の特性及びその効率を決定する 重要なパラメーターであることに気付いた。これは、先行技術がこの主題につい て全く何も言っていない点でますます驚くべきことである。実際に、公知の研究 では、しばしば、二座ホスフィン配位子の存在下でカチオン性ルテニウム錯体を 形成するために必要な量に対して、実質的に過剰の酸を使用することについて報 告されている。 今、本発明者等は、過剰の酸を使用することは、本発明に関連して触媒を不活 性又は非効率的にすることを確認した。下記の実施例から明らかなように、化学 量論的量に対して小さい比率で酸を使用することが有利であることさえ立証する ことができる。それで、酸は好ましくは、Ｒｕ(II)錯体１モル当たり、１．５〜 ２モル当量の比率で使用されるであろう。更に好ましくは、これらの二つの試薬 の間の比率は、錯体１モル当たり酸約２モル当量であろう。 同様に、適当なＲｕ(II)錯体と二座ジホスフィンとの間の等モル比も本発明の 重要なパラメーターである と思われる。 本発明はまた、等モル量の適当なＲｕ(II)錯体及び二座ジホスフィン配位子を 、不活性雰囲気中で、非配位性媒体又は弱配位性媒体中で、式ＨＸ（式中、Ｘは 非配位アニオンである）の酸と反応させ、酸をＲｕ(II)錯体の１モル当たり２モ ル当量を越えない比率で使用することを特徴とする、Ｒｕ(II)触媒の製造方法に 関する。 前記のように、本発明による触媒の製造方法に於いて出発生成物として使用さ れる適当なＲｕ(II)錯体、特に好ましい錯体[(ＣＯＤ)Ｒｕ(２−メチルアリル)2 ]は、前記引用した先行技術文献に記載されているようにして又はこれらの公知 のものに類似した方法により製造することができる、典型的に公知の化合物であ る。 他方、本発明による触媒の配位子を形成し、そのキラル度を決定するホスフィ ンは、市販の化合物であるか又は公知の方法により製造することができる。 前記のように、この触媒の製造は、溶媒又は溶媒と基体（II）との混合物によ り構成される媒体中で実施することができる。この最後の態様及び触媒を基体（ II）のみの存在下で製造することによるものは、以下に記載する水素化反応の媒 体中での触媒のインシトゥ製造のために特に適した方法である。 このようにして製造された本発明による触媒は、ジ ホスフィン配位子を含有するＲｕ(II)錯体とＨＸ酸との反応の結果である生成物 の、溶媒及び／又は基体（II）中の溶液として得られる。これらの触媒溶液は、 基体（II）の不斉水素化用にそのまま使用することができる。これらは不活性雰 囲気中で保存することができ、数日間活性のままである。更に、これらはまた真 空下に濃縮して、固体形状の触媒を与えることができる。 この触媒はまた、下記のことから明らかになるように水素化媒体中でインシト ゥで生じさせることができる。 この方法に於いて、試薬を混合する順序は、得られる触媒の性質に重要な影響 を有するとは思われない。それで、本発明者等は、最初にＲｕ(II)前駆体、例え ば、[(ＣＯＤ)Ｒｕ(２−メタリル)2]をジホスフィン配位子、特に（−）−Ｍｅ −ＤｕＰＨＯＳと、溶媒、典型的にジクロロメタン中で混合し、その後この混合 物に、任意にジクロロメタンに溶解した、選択された酸、例えばＨＢＦ4（その エーテラートの形で）を添加することが可能であることを見出した。こうして、 本発明による触媒の変動する濃度、例えば、基体（II）の水素化で非常に有利で あることが立証された約０．０１Ｍ（触媒０．０１モル／触媒溶液１Ｌ）の濃度 を有する、本発明による触媒溶液が得られる。 また、非常に良好な触媒が、最初にジホスフィン配 位子、特に（−）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳを、エーテラート又はオニウム塩の形の 式ＨＸの酸、特にＨＢＦ4−エーテラートと、例えば、ジクロロメタン中で混合 することによって得られた。このようにして得られた生成物は、真空下でエーテ ル及びＣＨ2Ｃｌ2を除去することによって固体オニウム塩の形に変え、その後所 望の触媒を得るための溶媒中でのＲｕ(II)錯体との反応に使用することができる 。この態様は、それによってその後Ｒｕ(II)錯体と反応することができる配位子 の塩を別に製造することができるので、実際に非常に有用である。 本発明によるＲｕ(II)のジカチオン性化合物は、水素化反応に於ける触媒とし て非常に有用であることが分かる。特に、これらは基体（II）の変換に於いて優 れた効率を示し、それで本発明はまた本質的にシス立体配置の異性体の形での、 式： （式中、Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ4の直鎖又は分子のアルキル基を表わし、Ｒ2は、Ｃ1〜 Ｃ8の直鎖又は分子の、飽和又は不飽和炭化水素基を表わす） の化合物の製造方法であって、式： （式中、Ｒ1及びＲ2は上記の意味を有する） の基体を、前記のような本発明によるＲｕ(II)触媒の存在下で、１０〜１００バ ール（２〜１０×１０6Ｐａ）の水素圧で接触水素化することを特徴とする方法 に関する。 本発明の好ましい態様により、この触媒は、基体（II）の水素化の前にインシ トゥで、又は任意に後者の存在下で、等モル量のＲｕ(II)錯体、特に式[(ＣＯＤ )Ｒｕ(２−メチルアリル)2]の化合物及び例えば、Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ、Ｅｔ− ＤｕＰＨＯＳ、ＢＩＮＡＰ、ＴｏｌＢＩＮＡＰ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ、ＤＩＰＡＭ Ｐ、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ及びＪＯＳＩＰＨＯＳの略語で知られているジホスフィ ン類からなる群から選択された適当なキラル二座ホスフィン配位子を、テトラフ ルオロホウ酸のエーテラートで、Ｒｕ(II)錯体１モル当たりＨＢＦ4約２モル当 量の比率で処理することによって生成される。この好ましい態様は、（１Ｒ）− シス立体配置の光学的活性異性体の形での前記の化合物（Ｉ）の製造を可能にす る。 前記の全てのラセミ又はアキラル配位子は、化合物（Ｉ）をラセミシス異性体 の形で得ることを可能にする触媒を与える。勿論、ラセミ配位子（例えば、Ｌ８ 及びＬ９）の場合に、ラセミ配位子を分離することによってこれらの対応する鏡 像異性体を得ることができ、その後、これらの配位子の鏡像異性体は本発明によ る光学的活性触媒を製造するために機能することができる。 触媒の製造を基体（II）の不存在下で行うとき、最初に、非配位性溶媒又は弱 配位性溶媒中の溶液として、Ｒｕ(II)錯体とジホスフィン配位子との混合物を製 造し、そしてこの溶液に、一般的に同じ溶媒又は同じ特性を有する他の溶媒中の 、非配位イオンからなる酸、特にテトラフルオロホウ酸のエーテラートを添加す ることが好ましい。そうして得られた触媒溶液は、次いで基体（II）の水素化に 使用されるであろう。 溶媒からなる水素化媒体を使用するとき、好ましくは触媒を得たものと同じ溶 媒を使用する。この目的のために、ジクロロメタン、ジクロロエタン又は両者の 混合物のような塩素化炭化水素を使用することができる。任意に前に挙げた他の 溶媒との混合物で、ジクロロメタンを使用することが、本発明により非常に有利 であることが分かった。 本発明による方法の特に好ましい態様により、HedioneTMを好ましい（＋）− シス立体配置異性体の形で得るための基体として、メチル ３−オキソ−２−ペ ンチル−１−シクロペンテン−１−アセタートが使用される。 ＤｕＰＨＯＳ型の配位子、特にＭｅ−ＤｕＰＨＯＳを有する本発明による触媒 が、この基体の水素化のために特に有用であることが分かった。 本発明による方法を特徴づける水素化は、１０〜１００バール（２〜１０×１ ０6Ｐａ）で変化し得る水素圧力下で行われる。７０〜１００バール、特に９０ 〜１００バールの圧力が好ましい。 この反応は、５０〜６０℃以下の温度又は１００℃でも起こり得る。好ましく は、室温又はそれより低い温度で行われる。−１０℃まで下げた又はもっと低い 温度で非常に有用な結果を得ることができることが分かった。 基体に対するＲｕ(II)触媒のモル濃度は典型的に、０．０１〜４モル％、好ま しくは０．１〜２モル％で変化する。更に好ましい態様により、これらはほぼ０ ．３又は０．４モル％であろう。 更に、基体が濃縮された溶液を使用することが得策であり、水素化媒体中の基 体の濃度がこの媒体の体積に対して約０．４〜１．５モルであったときより良い 結果が得られたことも見出された。 この媒体に、トリアルキルアミン、好ましくはジイソプロピルエチルアミン（ ＤＩＰＥＡ）を添加することも可能である。実際に、一定の条件下で、後者の存 在下で行った水素化により更に有用な結果が得られたことが観察された。この塩 基を反応媒体に添加するこ とができる濃度は、Ｒｕ(II)触媒に対して０．１：１〜０．５：１のモル比で変 化する。最終生成物の最良の収率は、ジイソプロピルアミンを、触媒に対して０ ．２当量の比率で添加したとき得られた。 触媒を水素化媒体中でインシトゥで形成する、本発明による水素化方法の特別 の態様によって、水素化する基体を最初に、任意に溶媒中の[(ＣＯＤ)Ｒｕ(２− メチルアリル)2]とジホスフィン配位子との等モル混合物と混合し、その後ＨＢ Ｆ4−エーテラート又はＨＸ酸の他の塩を、このようにして得られた溶液に前記 の比率で添加する。このようにして得られた反応媒体を、その後、下記の実施例 に記載するようにして一般的な方法で水素下に加圧する。このエーテラート又は オニウム型の他の塩を、そのまま又は前に使用したものと同じ溶媒若しくは異な った溶媒中の溶液の形で添加することができる。 こうして、本発明は、新規な触媒並びに１段工程で、工業的応用で有利で可能 である条件下で、香料で有用である生成物の製造を、ステレオ選択的方法で、場 合により鏡像選択的に、優れた収率で可能にするこれらの触媒の使用方法を提供 する。先行技術の触媒とは違って、本発明の触媒は、非常に速い反応速度、即ち ９８％以上の基体変換速度で基体（II）を水素化することができ、本質的に所望 の化合物の（１Ｒ）−シス立体配置のジアステレオマーを与えることができる。 本発明を下記の実施例により非常に詳細に記載する。実施例に於いて、温度は 摂氏度（℃）で示し、略号は当該技術分野で一般的に認められている意味を有す る。発明の態様 実施例１ 触媒の製造 一般的方法 アルゴン下、室温のグローブボックス内で、シュレンク(Schlenk)チューブに 等モル量の[(ＣＯＤ)Ｒｕ(２−メチルアリル)2]又は他のＲｕの錯体と選択され た配位子とを装入した。この混合物を希釈するために必要な乾燥し、脱気した溶 媒を添加した。５分後に、任意に非配位性溶媒中の溶液でテトラフルオロホウ酸 エーテラート（又は他のオニウム塩）を、注射器を使用して滴下により添加し、 その間混合物をテフロンTM被覆磁気撹拌棒を使用して撹拌した。撹拌した後、少 量の溶媒を更に添加し、撹拌を約３０分間維持した。このようにして製造した溶 液の形の触媒は、グローブボックス内でその活性を失うことなく数日間貯蔵する ことができる。 またこの溶液を真空下で濃縮して固体形の触媒を得ることができる。 典型的な運転で、０．２０ミリモル（６４ｍｇ）の[(ＣＯＤ)Ｒｕ(２−メチル アリル)2]（出所：Acros O rganics）及び０．２０ミリモル（６１ｍｇ）の（−）−（Ｒ，Ｒ）−Ｍｅ−Ｄ ｕＰＨＯＳ又は［(−)−１，２−ビス−(２Ｒ，５Ｒ)−２，５−ジメチルホスホ ラノ)−ベンゼン、出所：Strem Chemicals］を、４ｍＬのＣＨ2Ｃｌ2中で反応さ せた。ＣＨ2Ｃｌ2中のＨＢＦ4−Ｅｔ2Ｏ（Ｅｔ＝エチル；０．４０ミリモル）の ０．１０Ｎ溶液（４ｍＬ）を添加した。３０分間撹拌した後、別の８ｍＬのＣＨ2 Ｃｌ2を添加し、撹拌を３０分間続けた。このようにして得た触媒を水素化反応 でそのまま使用した。 このようにして下記の配位子を有する光学的活性触媒を製造した。(＋)−(Ｓ ，Ｓ)−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ；(−)−(Ｒ，Ｒ)−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ；(＋)−(Ｓ ，Ｓ)−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ；(−)−(Ｒ，Ｒ)−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ；(＋)−(Ｒ )−ＢＩＮＡＰ；(−)−(Ｓ)−ＢＩＮＡＰ；(−)−(Ｒ，Ｒ)−ＮＯＲＰＨＯＳ；( −)−(Ｓ，Ｓ)−ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ；(＋)−(Ｒ，Ｒ)−ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ；( −)−(Ｓ，Ｓ)−ＳＫＥＷＰＨＯＳ；(＋)−(Ｒ，Ｒ)−ＳＫＥＷＰＨＯＳ；(−) −(Ｒ，Ｒ)−ＤＩＰＡＭＰ；(＋)−(Ｓ，Ｓ)−ＤＩＰＡＭＰ；(−)−(Ｓ)−Ｔｏ ｌＢＩＮＡＰ；(＋)−(Ｒ)−ＴｏｌＢＩＮＡＰ；(−)−(Ｒ)−(Ｓ)−ＪＯＳＩＰ ＨＯＳ及び(＋)−(Ｓ)−(Ｒ)−ＪＯＳＩＰＨＯＳ。これらの配位子の全ては市販 されているか又は公知の方法によって製造される。 上記の方法によって製造した他の触媒は、型Ｌ７（Ｒ＝メチル、エチル又はプ ロピル）、Ｌ８（Ｒ1＝(ＣＨ3)3Ｓｉで、Ｒ2＝フェニル又はイソプロピル）、Ｌ9 （Ｒ1＝ＣＨ3で、Ｒ2＝フェニル）、Ｌ１０（Ｒ＝エチル、イソプロピル又はフ ェニル）、Ｌ１１（Ｒ＝シクロヘキシルで、Ｒ′＝フェニル）、Ｌ１２（Ｒ＝フ ェニル）及びＬ１３（ｎ＝１、２、３又は４）の配位子からなっていた。 上記の配位子Ｌ１３は市販されており（出所：Fluka Chemie and Aldrich）、 上記に挙げた型Ｌ１２の配位子も同様である（出所：Strem Chemicals）。 Ｌ８、Ｌ９及びＬ１０型の上記の配位子は、公知の方法（前記引用した文献及 びI.R．Butter et al.，Synth．React．Inorg．Met．-Org．Chem．1985，15，10 9を参照されたい）によりフェロセンから及び下記の反応経路に従って製造した 。 型Ｌ７の配位子の製造のために、例えば、米国特許第5,171,892号に記載され ている方法を使用することができる。 上記の触媒の製造方法に於いて、またジエチルエーテル中のＨＢＦ4−Ｅｔ2Ｏ の溶液（０．２Ｍ）を使用 して、同様の結果を得た。実施例２ メチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセタートの水 素化 水素化の一般的方法 アルゴン下及び室温のグローブボックス内で、オートクレーブ内で使用するた めに適合させたガラスビーカーに、実施例１に記載したようにして得た触媒溶液 、予め脱気した前記の基体及び脱気した溶媒を装入した。撹拌棒を含むこのビー カーを、グローブボックス内のオートクレーブの中に入れ、オートクレーブを密 閉し、その後加圧するためにグローブボックスから取り出した。オートクレーブ の入口をＨ2でパージし、その後選択された値にまで加圧した。反応を室温で起 こさせた。圧力を空気下で解放し、オートクレーブを開き、溶液を減圧下で濃縮 した。触媒をペンタンで沈殿させ、濾過し、濾液を濃縮して所望のHedioneTMを 得た。この生成物はバルブ・ツー・バルブ装置(bulb-to-bulb apparatus)（１５ ０〜２００℃／５Ｐａ）内で蒸留することによって、ジアステレオマー比を変更 することなく精製することができる。 典型的な運転に於いて、例えば、２６９ｍｇ（１．２０ミリモル）の基体重量 及び１ｍＬのＣＨ2Ｃｌ2について、９０バール（９×１０6Ｐａ）のＨ2圧力、室 温及び１．５時間の反応時間を使用し、触媒を基体に 対して１モル％の比率（実施例１で特に記載した（−）−（Ｒ、Ｒ）−Ｍｅ−Ｄ ｕＰＨＯＳ触媒の溶液１．０ｍＬ）で存在させた。 下記の表Ｉに、種々の条件下で、実施例１に記載したようにして製造した触媒 で、表Ｉに示したキラル配位子の手段により行った異なる運転の結果の要約を示 す。 この表に記載した配位子をそれらのそれぞれの鏡像異性体で置き換えることに よって、シス／トランス比は問題にする鏡像異性体について表に示した値と同一 であるが、比(＋)−(シス)／(−)−シス及び(−)−トランス／(＋)−トランスが 表に示したものの逆数であった生成物を製造することができた。 この表を分析することにより、メタノールのような配位性溶媒（運転１及び２ ）又は更に配位性溶媒と非配位性溶媒との混合物を使用したとき、例えば、ジク ロロメタン中で行った運転と比較して、HedioneTMの悪い収率又は不都合なシス ／トランス比が得られることが示される。更に、基体を希釈し過ぎるとき（運転 ７）、水素化は観察されない。 実施例３ 実施例２に記載した基体を、上記の方法に類似した方法により、下記の通り進 めることによって水素化した。 アルゴン下で室温のグローブボックス内で、[(ＣＯＤ)Ｒｕ(２−メチルアリル )2]（１６．５ｍｇ；０．０５１ミリモル）をジクロロメタン（１ｍＬ）中に溶 解し、２分間撹拌した。得られた溶液に、ジクロロメタン（２ｍＬ）中の（＋） −Ｒ−ＢＩＮＡＰ［(＋)−(Ｒ)−２，２′−ビス（ジフェニルホスフィノ−１， １′−ビナフタレン）；３１．６ｍｇ；０．０５１ミリモル；出所：Fluka Chem icals］の溶液を添加し、約３０分間撹拌した。次いで、テトラフルオロホウ酸 エーテラート（１４μＬ；出所：Fluka Chemie）を添加した。３０分間撹拌して 、ジクロロメタン（１０ｍＬ）中のメチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シ クロペンテンアセタート（０．５ｇ；２．２３ミリモル）の溶液を添加し、３０ 分間室温で撹拌した。この溶液を、まだＡｒ下で、磁気撹拌器を入れたガラスビ ーカーを含むオートクレーブの中に装入した。Ｈ2でパージした後、オートクレ ーブを９×１０6Ｐａで６４時間２０℃で加圧した。減圧した後、橙色の溶液を 取り出し、高真空下で濃縮した。残渣をペンタン（２ｍＬ）中にとり、触媒を沈 殿させた。溶液を０．４５μｍのアクロディスク(acrodisc)上で濾過し、濃縮し た。こうして、７２：２８のシス／トランス比を有するHedioneTM９３％及び出 発生成物６％を含有する透明な油５００ｍｇが得られた。鏡像異性体比は下記の 通りであった。(＋)−シス／(−)−シス＝７３／７２；(＋)−トランス／(−)− トランス＝３５／６５。実施例４ アルゴン下で室温のグローブボックス内で、上記実施例で挙げた基体５．３７ ６ｇ（２４ミリモル）、[(ＣＯＤ)Ｒｕ(２−メチルアリル)2]１９．２ｍｇ（０ ．０６ミリモル）、(−)−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ０．０６ミリモル（１８．４ｍｇ ）及びＣＨ2Ｃｌ2１２ｍＬを、オートクレーブ内で使用するために適合され、撹 拌器を取り付けたガラスビーカーの中に入れた。その後、ＨＢＦ4エーテラート ０．１２ミリモル（ジクロロメタン中の０．１Ｎ溶液１．２ｍＬ）を添加した。 １時間撹拌した後、撹拌棒を含むビーカーをグローブボックス内のオートクレー ブの中に入れ、オートクレーブを閉じた後、グローブボックスの外で加圧した。 オートクレーブの入口をＨ2でパージし、その後２×１０6Ｐａで加圧した。反応 を室温で１７時間進めた。オートクレーブを脱気し、開き、溶液を減圧下で濃縮 した。触媒をペンタンで沈殿させ、濾過し、そして得られた濾液を濃縮して、所 望のHedioneTMを得た。このようにして得られた生成物（収率９９％）は下記の 異性体比を示した。シス／トランス＝９７／３；( ＋)−シス／(−)−シス＝８０／２０。実施例５ 反応は、実施例２〜４に記載したものと同様の方法で行ったが、実施例１に記 載した方法と同様にして行った触媒の製造に於いて、Ｒｕ(II)錯体１モル当たり テトラフルオロホウ酸２．２当量（ジエチルエーテル中のＨＢＦ4エーテラート の０．２Ｍ溶液から）を使用した。 更に、下記の表に要約した運転に於いて、触媒は固体状で使用した。それで、 メチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセタート（Ｃ Ｈ2Ｃｌ2２ｍＬ中０．５ミリモル）を、表に記載した量の固体触媒の存在下で水 素化した。 下記の表IIに、記載した濃度の異なった触媒（配位子の性質の変化）、約１０ ０バール（１０×１０6Ｐａ）の水素圧、室温及び約２２時間の反応時間で行っ た水素化反応で得られた結果を要約する。 表IIIに、異なった触媒（配位子の性質の変化）で、幾つかの反応パラメータ ーを変化させることによって得られた結果を要約する。全ての反応は、他に記載 しない限り、室温で行った。 実施例６ アルゴン下で室温のグローブボックス内で、撹拌器を取り付けたオートクレー ブ内で使用するために適合させたガラスビーカー内で、[(ＣＯＤ)Ｒｕ(２−メチ ルアリル)2]３８ｍｇ（０．１２ミリモル）及び(−)−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ３６ ｍｇ（０．１２ミリモル）を、メチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロ ペンテンアセタート５．３８ｇ（２４ミリモル）に溶解した。その後ＨＢＦ4エ ーテラート３９ｍｇ（０．２４ミリモル；３２．７μＬ、注射器）を、撹拌しな がらゆっくり添加した。４時間撹拌した後、この触媒溶液（約０．０７５ミリモ ルの触媒を含有する）を他のビーカーに移し、これに、メチル ３−オキソ−２ −ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセタートの別の８．３８ｇ（３７．４ ミリモル）（合計量約５３ミリモル）を添加した。前記のようにして作業し、基 体を５×１０6ＰａのＨ2圧力で水素化した。この反応を室温で２０時間進めた。 オートクレーブを脱気し、開き、ペンタンを使用して触媒を沈殿させ、濾過し、 そして濾液を濃縮して、所望のHedioneTMを得た。このようにして得られた生成 物（上記の基体基準で収率９９％）は下記の異性体比を示した。シス／トランス ＝９７／３；(＋)−シス／(−)−シス＝８０／２０、６０％ｅ．ｅ． 同様の条件下であるが、水素化で使用した溶媒の性 質、即ち[(ＣＯＤ)Ｒｕ(２−メタリル)2]と(−)−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳとの混合 物の溶媒の性質並びにテトラフルオロホウ酸エーテラートの溶媒の性質を変化さ せて作業することによって、下記の表に示す結果を得た。水素化した基体（II） は常にメチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセター トであり、触媒濃度は、他に示さない限り上記の基体に対して約２モル％であっ た。 溶液中にテトラフルオロホウ酸エーテラートを使用するとき、溶液中のその濃 度は常に約０．１Ｍ（モル／Ｌ）である。 水素化媒体中に存在する出発基体（II）に対してHedioneTMの約９９％の収率 が、系統的に得られた。勿論、約０．５モル％以下の触媒／基体の比を使用した とき、基体の完全で定量的な変換を得るために長い反応時間（６〜２０時間の範 囲内）が必要であり、他方、触媒が基体に対して約１モル％以上の濃度で存在す るとき、この結果を得るために一般的に１〜３時間の水素化時間で十分であった 。 常に、殆ど損失は観察されず、水素化生成物をバルブ・ツー・バルブ装置又は レイボルド(Leybold)蒸留装置（「薄膜蒸留」）で蒸留したとき微量（〜１％） の残渣のみが得られた。 実施例７ メチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテンアセタート１００ｇ （４４６ミリモル）、[(ＣＯＤ)Ｒｕ(２−メチルアリル)2]４２７ｍｇ（１．３ ４ミリモル）、(−)−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ４１０ｍｇ（１．３４ミリモル）及び ジクロロメタン中のＨＢＦ4−Ｏ(Ｃ2Ｈ5)2２６．５ｍｌ（０．１Ｍ、２．６８ミ リモル）を使用した以外は、実施例６に記載したものと同様にして反応を行った 。これは基体に対して０．３モル％の触媒濃度に相当する。 ジクロロメタン１７０ｍＬを添加し、混合物を７．５℃の温度及び５×１０6 Ｐａの圧力で７０時間水素化して、メチル (＋)−(１Ｒ)−シス−３−オキソ− ２−ペンチル−１−シクロペンタンアセタートを９９％収率で得た。シス／トラ ンス比＝９９．２／０．８及び(＋)−シス／(−)−シス比＝８４／１６。実施例８ 本発明による触媒を、配位子として(−)−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳを使用し、式Ｈ Ｘの酸の性質を変化させて製造した。 それぞれの酸、ＨＢＦ4、ＨＰＦ6、ＨＳｂＦ6及びＨＡｓＦ6（エーテラートと して）を、エーテル中のＨＣｌ １Ｍの１Ｍ無水溶液０．２ｍｌを使用して、ジ クロロメタン０．８ｍｌ中の対応する銀塩０．２ミリモルを反応させることによ って製造した。 生成した塩化銀は直ちに沈殿し、それぞれの酸、即ちＨＢＦ4、ＨＰＦ6、ＨＳ ｂＦ6又はＨＡｓＦ6の０．２Ｍ溶液１ｍｌが得られた。 その後、ジクロロメタン２ｍｌ中の、[(ＣＯＤ)Ｒｕ(２−メチルアリル)2]６ ．４ｍｇ（０．０２ミリモル）、(−)−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ６．４ｍｇ（０．０ ２１ミリモル）及びメチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテンア セタート０．２２４ｇを反応器の中に装入した。このようにして得られた溶液を 、上記の酸溶液０．２０又は０．１６ｍｌ（ルテニウム錯体２又は１．６モル当 量）で処理した。 その後、混合物を室温及び１０×１０6Ｐａで水素化して、下記の表に要約し た結果を得た。これらの運転は最適化せず、幾つかの場合に得られる劣った結果 を説明することに注目すべきである。 ジイソプロピルエチルアミン［０．１Ｍ溶液０．０４０ｍｌ；Ｒｕ(II)に対し て２０モル％］を水素化媒体に添加したとき、同様の結果が得られた。シス／ト ランス異性体比の（約１０％の）改良が観察された。実施例９ 酸として（そのエーテラートの形で）ＨＢＦ4を使用し、配位子を変化させて 、実施例１に記載したようにして製造した、本発明による種々のラセミ又はキラ ル触媒の活性を、メチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテンアセ タートの水素化反応で試験した。 全ての水素化はジクロロメタン中で室温で行った。その結果を表に示す。これ らの運転は最適化せず、幾つかの場合に観察される劣った基体転化を説明するこ とに注目すべきである。 実施例１０ Ａ．アルゴン下でグローブボックス内で、ＨＢＦ4・Ｅｔ2Ｏ４．０５ｇ（Ｅｔ ＝Ｃ2Ｈ5; ２５．０ミリモル、３．４０ｍｌ）を、ピペットを使用してガラスビ ーカーの中に入れ、次いでジクロロメタン１００ｍｌを添加した。その後この混 合物を撹拌してエーテラートを溶解し、ビーカーを２５０ｍｌの体積まで一杯 に満たした。このようにして得られたＨＢＦ4・Ｅｔ2Ｏの０．１Ｍ（モル／ｌ） 溶液を、触媒の製造のためにそのまま使用した。 Ｂ．グローブボックス内で、[Ｒｕ(ＣＯＤ)(２−メチルアリル)2]１６．０ｍ ｇ（０．０５０ミリモル）及び(−)−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ１５．０ｍｇ（０．０ ５０ミリモル）をガラス容器内で混合し、そしてＣＨ2Ｃｌ2４ｍｌに溶解した。 その後、工程Ａで製造したＨＢＦ4エーテラート溶液１ｍｌ（０．１ミリモル） を、室温で注射器からゆっくり（約１分間）添加した。得られた触媒約０．０１ Ｍ（モル／ｌ）を含有する赤褐色の溶液を、使用する前２時間放置した。この溶 液は、室温でグローブボックス内に保存したとき１週間以上の間活性のままであ る。 Ｃ．グローブボックス内で、メチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロ ペンテン−１−アセタート２２４ｍｇ（１ミリモル）を、オートクレーブに移す ことができるガラスビーカー内で、工程Ｂで得られた触媒溶液２ｍｌ（０．０２ ミリモル、基体に対して２モル％）に添加した。このようにして得られた溶液を 、次いでオートクレーブの中に移し、２時間９０バール（９×１０6Ｐａ）水素 圧力で室温で撹拌した。オートクレーブを殆ど完全に脱気し、グローブボックス 内で開けた。黄橙色の反応混合物を真空下で蒸発させて、ジクロロメタンを除去 した。このようにして得ら れた固体残渣及び黄橙色液体をペンタンで処理し、懸濁液を０．２２μのテフロ ンTMフィルターを通して濾過し、触媒を沈殿させた。残留する固体をペンタンで 洗浄し、同じフィルターを通して濾過した。一緒にしたペンタン溶液にはシス／ トランス比＝９８．５／１．５及び比(＋)−シス／(−)−シス＝７９／２１で所 望のHedioneTMが含有されていた。 Ｄ．第二の水素化サイクルを、テフロンTMフィルターに残留した触媒で行った 。テフロンTMフィルターをＣＨ2Ｃｌ2２ｍｌで洗浄し、容器内に残留した沈殿物 を溶解するために同じジクロロメタンを使用した。Ｃに記載した基体２２４ｍｇ をこの溶液に添加し、その後これをＣに記載したようにして水素化して、再び９ ８．８／１．２のシス／トランス比及び７９／２１の(＋)−シス／(−)−シス比 を有するHedioneTMを得た。 Ｂ′．Ｂに記載したものに対して別の態様により、下記のようにして触媒を製 造した。Ａに記載したジクロロメタン中のＨＢＦ4・Ｅｔ2Ｏ溶液を、最初に(−) −Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳに添加し、エーテル及びジクロロメタンを蒸発させた。次 いで、このようにして得られた配位子のオニウム塩の固体を、純粋のジクロロメ タンに再溶解し、[Ｒｕ(ＣＯＤ)(２−メチルアリル)2]に添加した。反応が起こ り、イソブテンが放出される。このようにして得られた触媒を、Ｃに記載したも のと同一の条件下で使用して、同じ特性を有する（＋）−シス−HedioneTMを得 た。 Ｃ′．触媒を製造するために、錯体[Ｒｕ(ＣＯＤ）(２−メタリル)2]の代わり に、ビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウム（例えば、L.Stahl et al.，Organometallics，1983，2，1229参照）又はビス（２，４−ジメチル−１ −オキサペンタジエニル）ルテニウム（T.Schmidt et al.，J．Chem．Soc．Chem ．Comm.，1991，1427参照）を使用したとき、Ｃに記載したものと同様の結果が 得られた。 Ｃ″．更に、配位子として（−）−ＪＯＳＩＰＨＯＳ（配位子Ｌ１１、Ｒ＝シ クロヘキシル、Ｒ′＝フェニル；出所：STREM Chemicals Inc.）を使用した以外 は、Ｂに記載したものと同一の方法で製造した触媒を、Ｃに記載した水素化で使 用することによって、９８／２のシス／トランス比及び７７／２３の(＋)−シス ／(−)−シス比を有するHedioneTMの製造が可能であった。実施例１１ [Ｒｕ(ＣＯＤ)(２−メタリル)2]４．１７１ｇ（１３．０５６ミリモル）、(− )−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ４．０００ｇ（１３．０５６ミリモル）、メチル ３− オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセタート１０００ｇ（４． ４５８モル）、ジクロロメタン中の０．１Ｍ ＨＢＦ4・Ｅｔ2Ｏ−溶液２６１ｍ ｌ（２６．１０ミリモル）及びＣＨ2Ｃｌ2１．７ｌを使用した以外は、実施例１ ０Ａ〜Ｃに記載したものと同様の方法で反応を行った。 水素化反応は、７．５℃で３５バール（３．５×１０6Ｐａ）の水素圧下で２ ４時間撹拌しながら（１０００〜２０００ｒｐｍ）行った。 溶媒を蒸発させた後、褐色生成物１０９５ｇを得、これをペンタンで処理し、 溶液を前記のようにして濾過した。一緒にしたペンタン抽出液を真空下で濃縮し て、生成物９７８ｇを得、これを薄膜蒸留（レイボルド型装置、８６°／０．１ ミリバール）することによって、９８／２のシス／トランス比及び８５／１５の (＋)−シス／(−)−シス比を有する所望のHedioneTMからなる無色の生成物９３ ２ｇを得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＵＳ (72)発明者 ジャン−ピエール ジュネ フランス国 Ｆ−91370 ヴェリエル−ル −ビュイソン リュ デ スティエンヌ− ドルヴェ 70 (72)発明者 ジャン−イヴ ルノワル フランス国 Ｆ−76000 ルアン リュ エクトル−ベルリオズ １ アパルトマン 62

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １．二座ホスフィンから形成される配位子からなるルテニウム(II)触媒におい て、該触媒を、等モル量で存在する適当なＲｕ(II)錯体及び二座ジホスフィン配 位子を、式ＨＸ（式中、Ｘは非配位アニオンである）の酸で処理することからな り、該酸をＲｕ(II)錯体の１モル当たり２モル当量を越えない比率で使用し、こ の処理を非配位性媒体又は弱配位性媒体中で不活性雰囲気下で行う方法によって 得ることができることを特徴とする、二座ホスフィンから形成される配位子から なるルテニウム(II)触媒。 ２．Ｒｕ(II)錯体が、型[(ジエン)Ｒｕ(アリル)2]又は[ビス(ペンタジエニル) Ｒｕ]のＲｕ(II)化合物の群から選択される、請求項１記載の触媒。 ３．ルテニウム錯体が、[(ＣＯＤ)Ｒｕ(２−メタリル)2]、[ビス−(２，４− ジメチルペンタジエニル)Ｒｕ]又は[ビス−(２，４−ジメチル−１−オキサペン タジエニル)Ｒｕ]である、請求項２記載の触媒。 ４．ジホスフィン配位子が、Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ、Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ、ＢＩ ＮＡＰ、ＴｏｌＢＩＮＡＰ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ及びＪＯＳＩＰＨＯＳの略語で知 られているキラル配位子からなる群から選択される、請求項１から３の何れか１ 項記載の触媒。 ５．二座ホスフィン配位子が、Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ 、ＳＫＥＷＰＨＯＳ及びＪＯＳＩＰＨＯＳの略語で知られているキラルジホスフ ィンからなる群から選択される、請求項４記載の触媒。 ６．配位子が（Ｒ，Ｒ）−(−)−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳである、請求項５記載の 触媒。 ７．酸が、ＨＢＦ4、ＨＰＦ6、ＨＳｂＦ6、ＨＡｓＦ6及びＨＢ[３，５−(ＣＦ3 )2Ｃ6Ｈ4]4からなる群から選択される、請求項１から６の何れか１項記載の触 媒。 ８．ＨＢＦ4をそのエーテラートの形で使用する、請求項７記載の触媒。 ９．酸を、Ｒｕ(II)錯体１モル当たり１．５〜２モル当量の比率で使用する、 請求項７又は８記載の触媒。 １０．処理を、非配位性有機溶媒若しくは弱配位性有機溶媒及び／又は式： （式中、Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ4の直鎖又は分枝鎖のアルキル基を表わし、Ｒ2は、Ｃ1 〜Ｃ8の飽和又は不飽和の、直鎖又は分枝の炭化水素基を表す） の基体の存在下で行う、請求項１から９の何れか１項記載の触媒。 １１．処理を、請求項１０に定義した通りの式（II ）の基体の存在下でのみ行う、請求項１０記載の触媒。 １２．溶媒が、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ピバル酸メチル、酢酸メチ ル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、アセトン、２−ブタノン、３−ペンタノン 及び該溶媒の２種又は数種の全ての混合物からなる群から選択される、請求項１ ０記載の触媒。 １３．溶媒がジクロロメタンであるか又はジクロロメタンを含有する、請求項 １２記載の触媒。 １４．式（II）の基体が、メチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペ ンテン−１−アセタートである、請求項１０又は１１記載の触媒。 １５．処理を室温で行う、請求項１記載の触媒。 １６．請求項１記載のＲｕ(II)の触媒の製造方法において、等モル量の適当な Ｒｕ(II)錯体及び二座ホスフィン配位子を、不活性雰囲気下で、非配位性媒体又 は弱配位性媒体中で、式ＨＸ（式中、Ｘは非配位アニオンを表わす）の酸と反応 させ、該酸をＲｕ(II)錯体の１モル当たり２モル当量を越えない比率で使用する ことを特徴とする、請求項１記載のＲｕ(II)の触媒の製造方法。 １７．反応を、有機の非配位性溶媒若しくは弱配位性溶媒及び／又は式： （式中、Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ4の直鎖又は分枝鎖のアルキル基であり、Ｒ2は、Ｃ1〜 Ｃ8の飽和又は不飽和の、直鎖又は分枝の炭化水素基である） の基体の存在下で行うことを特徴とする請求項１６記載の方法。 １８．水素化触媒としての請求項１から１５の何れか１項記載のＲｕ(II)触媒 の使用。 １９．本質的にシス立体配置異性体の形での、式： （式中、Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ4の直鎖又は分枝鎖のアルキル基を表わし、Ｒ2は、Ｃ1 〜Ｃ8の飽和又は不飽和の、直鎖又は分枝の炭化水素残基を表す） の化合物の製造方法において、式： （式中、Ｒ1及びＲ2は前記の意味を有する） の基体を、請求項１から１５の何れか１項記載のＲｕ(II)触媒の存在下で、１０ 〜１００バールの水素圧力 で水素化することを特徴とする、式Ｉの化合物の方法。 ２０．本質的に（１Ｒ）−シス立体配置の光学的活性異性体の形で化合物（Ｉ ）を得るために、配位子として適当なキラルジホスフィンからなる触媒を使用す る、請求項１９記載の方法。 ２１．接触水素化を、非配位性溶媒又は弱配位性溶媒中で反応条件下で行う、 請求項１９又は２０記載の方法。 ２２．Ｒｕ(II)触媒が、任意に式（II）の基体の存在下でインシトゥで形成さ れる、請求項１９から２１の何れか１項記載の方法。 ２３．非配位性溶媒が、請求項１２に定義した群から選択される、請求項２１ 記載の方法。 ２４．式（II）の基体がメチル ３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペン テン−１−アセタートであり、本質的にメチル （＋）−（１Ｒ）−シス−３− オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンタンアセタートが得られる、請求項１９ から２３の何れか１項記載の方法。 ２５．水素化を、請求項５又は６記載の触媒の存在下で行う、請求項２４記載 の方法。 ２６．触媒が、基体に対して０．１〜２モル％の濃度で存在することを特徴と する請求項１９から２５の何れか１項記載の方法。
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