JPH10509267A - カーボンをスパッタリングするための装置及び方法 - Google Patents
カーボンをスパッタリングするための装置及び方法Info
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.磁気の薄いフィルム記録媒体用のカーボンフィルムをスパッタリングする 方法にして、 a)排泄された環境で並んで位置決めされたカーボン含有ターゲットを提供す る工程と、 b)排泄された環境内に、ガスを、スパッタリングを維持することができる圧 力まで流す工程と、 c)前記ターゲットから周期的にスパッタリングして前記媒体にカーボンフィ ルムを形成する工程と、 d)前記ターゲット間に穴を提供して、スパッタリング工程中、陽極に向かう 電子の移動を高める工程と、 を有している方法。 2.請求の範囲第1項記載の方法において、前記工程c)は斜めに入射するフ ラックスを前記ターゲットから遮る遮蔽条件の下で行われる方法。 3.請求の範囲第1項記載の方法において、前記ガスは炭化水素を有している 方法。 4.請求の範囲第3項記載の方法において、前記カーボンフィルムは前記炭化 水素ガスからの水素を有している方法。 5.請求の範囲第1項記載の方法において、前記炭化水素ガスはエチレンを有 している方法。 6.請求の範囲第2項記載の方法において、水素と化合されたカーボンフィル ムは実質上ダイヤモンドのような構造を有している方法。 7.請求の範囲第1項記載の方法において、前記媒体は多層を有し、前記工程 c)は、前記カーボンがスパッタリングされ、且つ、下に横たわっている層が沈 着される温度から比較的低減された温度で実施される方法。 8.磁気の薄いフィルム記録媒体を作る方法にして、 基体上に磁気の薄いフィルム記録層を沈着する工程と、 アルゴンと炭化水素ガスとを有する雰囲気内で、前記磁気の薄いフィルム記録 層を覆って、水素と化合されたカーボン層をスパッタリングし、前記カーボン層 がカーボン含有ターゲットからのカーボンと炭化水素ガスからの水素を有してい る工程と、 を有している方法。 9.基体上に誘電フィルムをスパッタリングする方法にして、 a)互いに隣接するターゲットに交流電源を提供して該ターゲットを、該交流 の周波数に従ってスパッタリング陰極として、また、陽極として次々と作用させ る工程と、 b)前記ターゲット間に電子を指向させてフィルムのスパッタリングの割合を 高める穴開きバッフルによって提供される遮蔽条件の下で前記ターゲットを通り 越して前記基体を移動させる工程とを有している方法。 10.請求の範囲第9項記載の方法において、前記誘電フィルムがカーボンを有 している方法。 11.請求の範囲第9項記載の方法において、前記基体は、炭化水素ガスを有し ている雰囲気において前記ターゲットを通り越して移動せしめられる方法。 12.スパッタリング装置にして、 a)スパッタリング室内に配備された一対のマグネトロンであって、該マグネ トロンがターゲットを有し、該ターゲットが互いに隣接して位置決めされている とともにフィルムの沈着用の共通したスパッタリング域として作用する前記一対 のマグネトロンと、 b)前記マグネトロンに連結されていて対の各ターゲットがスパッタリング陰 極として、次いで、交流の周波数に従って陽極として交互に機能せしめる交流電 源と、 c)前記マグネトロン間の遮蔽手段であって、該遮蔽手段は、前記ターゲット がスパッタリング陰極として、また、陽極として交替する際該陽極に電子を指向 させるよう位置決めされた穴を有している前記遮蔽手段と、 を有しているスパッタリング装置。 13.請求の範囲第12項記載のスパッタリング装置において、前記ターゲット は誘電材料を有しているスパッタリング装置。 14.請求の範囲第12項記載のスパッタリング装置において、前記誘電材料は カーボンを有しているスパッタリング装置。 15.請求の範囲第12項記載のスパッタリング装置にして、前記スパッタリン グ室内に気体状炭化水素を更に有しているスパッタリング装置。
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