JPH1050873A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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Abstract
せることができない。 【解決手段】半導体素子3を収容する絶縁容器4に半導
体素子3を外部電気回路に接続するためのタングステン
メタライズ配線層5を被着形成して成るとともに該タン
グステンメタライズ配線層5表面にニッケルめっき層7
が鍍着されて成る半導体素子収納用パッケージにおい
て、前記ニッケルめっき層7は、タングステンを15重
量%以上含有する。
Description
する半導体素子収納用パッケージに関し、より詳細には
高周波用半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケ
ージに関するものである。
体素子収納用パッケージは一般に、酸化アルミニウム質
焼結体から成り、上面に半導体素子を収容すための凹部
及び該凹部周辺から下面に導出するタングステンから成
るメタライズ配線層を有する絶縁基体と、蓋体と、から
構成されており、絶縁基体の凹部底面に半導体素子をガ
ラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定すると
ともに半導体素子の各電極をメタライズ配線層にボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続し、しかる後、絶縁
基体に蓋体を封止部材を介して接合させ、絶縁基体と蓋
体とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容するこ
とによって製品としての半導体装置となり、絶縁基体の
下面に導出するメタライズ配線層を外部電気回路基板の
配線導体に半田等を介して接続させれば容器内部に収容
する半導体素子が外部電気回路に接続されることとな
る。
ケージは、タングステンから成るメタライズ配線層が酸
化腐蝕するのを有効に防止するために、またメタライズ
配線層とボンディングワイヤーとの接続及びメタライズ
配線層と外部電気回路基板の配線導体との接続を良好と
するためにメタライズ配線導体の露出表面には耐蝕性に
優れ、且つ半田等と濡れ性の良いニッケルがめっきによ
り鍍着されており、更に必要に応じて金がめっきにより
鍍着されている。
来の半導体素子収納用パッケージによれば、メタライズ
配線層に鍍着されたニッケルめっき層が磁性を有してお
り、該ニッケルめっき層の有する磁性のためにメタライ
ズ配線層のインダクタンスが大きなものとなっている。
そのため内部に高速駆動を行う半導体素子を収容し、メ
タライズ配線層を介して半導体素子に電気信号を高速で
出し入れするとメタライズ配線層を伝搬する電気信号の
波形にメタライズ配線層の持つ大きなインダクタンスに
起因して乱れが生じ、その結果、半導体素子に正確な電
気信号を供給することができなくなって半導体素子を誤
動作させてしまうという欠点を有していた。
子を収容する絶縁容器に半導体素子の電極を外部電気回
路に接続させるタングステンメタライズ配線層を被着さ
せるとともに該タングステンメタライズ配線層表面にニ
ッケルめっき層を鍍着させて成る半導体素子収納用パッ
ケージであって、前記ニッケルめっき層は、その内部に
タングステンが15重量%以上含有されていることを特
徴とするものである。
ればタングステンメタライズ配線層の表面に鍍着されて
いるニッケルめっき層にタングステンを15重量%以上
含有させたためニッケルめっき層は略非磁性となり、そ
の結果、メタライズ配線層のインダクタンスは小さくな
ってメタライズ配線層を伝搬する電気信号に大きな波型
乱れを発生することが有効に防止され、半導体素子に正
確な電気信号を出し入れすることが可能となって半導体
素子を正常に作動させるこができる。
っき層を鍍着し、しかる後、これに400〜800℃の
温度を約10分程度印加して加熱処理し、メタライズ配
線層とニッケルめっき層との密着を強固なものとなすこ
とが行われており、この場合、メタライズ配線層中のタ
ングステンの一部がニッケルめっき層中に拡散すること
があるが、その拡散量は微量でニッケルめっき層中のタ
ングステンの含有量はせいぜい数重量%であり、ニッケ
ルめっき層が略非磁性となることは期待できない。
細に説明する。図1は本発明の半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示す断面図であり、1は絶縁基体、2
は蓋体である。この絶縁基体1と蓋体2とで半導体素子
3を収容する容器4が構成される。
結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、
炭化珪素質焼結体、ガラスセラミック焼結体等の電気絶
縁材料から成り、その上面に凹部1aを有し、該凹部1
a底面には半導体素子3がガラス、樹脂、ロウ材等の接
着剤を介して接着固定される。
ム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪
素、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の原料粉末に
適当な有機バインダー、溶剤を添加混合して泥漿状とな
すとともにこれを従来周知のドクターブレード法等を採
用してシート状となすことによって複数枚のセラミック
グリーンシートを得、しかる後、前記セラミックグリー
ンシートの各々に適当な打ち抜き加工を施すとともにこ
れらを上下に積層し、高温(約1600℃)で焼成する
ことによって製作される。
下面にかけて複数個のメタライズ配線層が5が被着形成
されており、該メタライズ配線層5の凹部1a周辺部位
には半導体素子3の各電極がボンディングワイヤ6を介
して電気的に接続され、また絶縁基体1下面に導出され
た部位は外部電気回路基板の配線導体に半田等を介して
電気的に接続される。
から成り、タングステン粉末に適当な有機バインダー、
溶剤を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1とな
るセラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリー
ン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことに
よって絶縁基体1の凹部1a周辺から下面にかけて被着
される。
する表面にニッケルめっき層7が被着されており、該ニ
ッケルめっき層7によりメタライズ配線層5が酸化腐食
するのが防止されるとともにメタライズ配線層5とボン
ディングワイヤー6との接続及びメタライズ配線層5と
外部電気回路基板の配線導体との接続が良好なものとな
っている。
解めっき法や無電解めっき法を採用することによってメ
タライズ配線層5の露出表面に所定厚み(1〜10μm
程度)に鍍着される。
部にタングステンが15重量%以上含有されている。
グステンはニッケルめっき層7の磁性を弱くする作用を
なし、これよってニッケルめっき層7が鍍着されたメタ
ライズ配線層5のインダクタンスは小さくなり、メタラ
イズ配線層5を介して内部に収容する半導体素子3に電
気信号を高速で出し入れしても、電気信号がメタライズ
配線層5を伝搬する際に大きな波型乱れを発生すること
はなく、半導体素子3に正確な電気信号を出し入れする
ことが可能となって半導体素子3を正常に作動させるこ
が可能となる。
有されるタングステンの含有量が15重量%未満である
とニッケルめっき層7の磁性が高いものとなり、メタラ
イズ配線層5を伝搬する電気信号に乱れを発生し、半導
体素子3を正常に作動させることができなくなる。従っ
て、前記ニッケルめっき層7に含有されるタングステン
の含有量は15重量%以上に特定される。更に前記ニッ
ケルめっき層7に含有されるタングステンの含有量を1
8重量%以上とするとニッケルめっき層7の磁性は実質
的にゼロとなり、メタライズ配線層5に電気信号を伝搬
させた際、電気信号に乱れを発生するのをより有効に防
止することができる。従って、前記ニッケルめっき層7
に含有されるタングステンはその含有量を18重量%以
上としておくことが好ましい。
ンを15重量%以上含有させるには、メタライズ配線層
5の表面にニッケルめっき層7を被着させた後、これを
例えば約900〜1000℃の温度で30分乃至1時間
熱処理してメタライズ配線層中のタングステンをニッケ
ルめっき層7中に熱拡散させる方法が採用される。
ージによれば、絶縁基体1の凹部1a底面に半導体素子
3をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定
するとともに該半導体素子3の各電極をメタライズ配線
層5にボンディングワイヤ6を介して電気的に接続し、
しかる後、絶縁基体1の上面に蓋体2をガラス、樹脂、
ロウ材等の封止材を介して接合させ、絶縁基体1と蓋体
2とから成る容器4内部に半導体素子3を気密に収容す
ることによって製品としての半導体装置が完成する。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば前記ニッケルめっき層
の上に更に金めっき層を0.1〜3μm程度の厚みに鍍
着させても良く、この場合、メタライズ配線層が酸化腐
食するのを更に有効に防止することができるとともにメ
タライズ配線層とボンディングワイヤーとの接続及びメ
タライズ配線層と外部電気回路基板の配線導体との接続
を更に良好なものとすることができる。
よれば、メタライズ配線層に鍍着させた前記ニッケルめ
っき層中にタングステンを15重量%以上含有させたこ
とから該ニッケルめっき層が略非磁性となり、その結
果、メタライズ配線層に高速の信号を正確に伝搬させる
ことができる。
例を示す断面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】内部に半導体素子を収容する絶縁容器に半
導体素子の電極を外部電気回路に接続させるタングステ
ンメタライズ配線層を被着させるとともに該タングステ
ンメタライズ配線層表面にニッケルめっき層を鍍着させ
て成る半導体素子収納用パッケージであって、前記ニッ
ケルめっき層は、その内部にタングステンが15重量%
以上含有されていることを特徴とする半導体素子収納用
パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20048596A JP3323071B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20048596A JP3323071B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1050873A true JPH1050873A (ja) | 1998-02-20 |
JP3323071B2 JP3323071B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=16425106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20048596A Expired - Fee Related JP3323071B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3323071B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011044382A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 基板接続用雌側コネクタ及びそれを含むコネクタアッセンブリー |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP20048596A patent/JP3323071B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011044382A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 基板接続用雌側コネクタ及びそれを含むコネクタアッセンブリー |
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Publication number | Publication date |
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JP3323071B2 (ja) | 2002-09-09 |
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